JP2003149312A - 磁気センサ - Google Patents

磁気センサ

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JP2003149312A JP2001342222A JP2001342222A JP2003149312A JP 2003149312 A JP2003149312 A JP 2003149312A JP 2001342222 A JP2001342222 A JP 2001342222A JP 2001342222 A JP2001342222 A JP 2001342222A JP 2003149312 A JP2003149312 A JP 2003149312A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化が可能で、生産・組立性を向上させて
コストを抑えることが可能な磁気センサを提供する。 【解決手段】 複数の感磁部1、2を用いて2次元それ
ぞれの方向の磁気を検出し、そのうち少なくとも2つの
感磁部1、2間に磁路を形成する磁性体3を、前記磁路
を形成する磁性体3、前記感磁部1、2、その他の磁性
体12、22の位置関係になるように設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気センサに関し、
特に、地磁気による磁力線の方位を検出する方位センサ
に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】2次元それぞれの方向の磁気を検知する
2次元磁気センサの主な用途として方位センサ等が挙げ
られる。方位センサは、地磁気等の外部磁界を単独で測
定できるので、車載用コンパス及びナビゲーションシス
テム等の自己位置検出手段として広く使われている。
【0003】上述の方位センサのうち、特に、フラック
スゲートセンサは、その動作原理上安定性に優れ、磁界
の検出感度も10-8〜10-7mT程度と高いので、広く
用いられている。フラックスゲートセンサを用いて方位
センサを構成する場合、フラックスゲートセンサ2つの
検出方向を互いに直交するように配置する。そして、検
出磁界が南北方向から角度θだけずれている場合、それ
ぞれのセンサ出力がA・sinθ、A・cosθとなる
ことを利用して、その計測結果をマイコンで演算処理を
行うことにより、地磁気の方向角度を算出することがで
きる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フラッ
クスゲートセンサは、環状の磁心と、この磁心に巻回し
て磁場を印加する励磁巻線と、磁心の磁束密度を検出す
る検出巻線とからなる構造であるため、形状が塊状とな
り、小型化が困難であるという問題がある。また、フラ
ックスゲートセンサに適用される薄膜プロセスは、半導
体ウエハ工程でのプロセスほどは完成度が高くないた
め、生産性はやや低く、また部品点数も多いので、コス
トも高くつくという問題がある。
【0005】そこで、本発明の目的は、小型化が可能
で、生産性および組立性を向上させてコストを抑えるこ
とが可能な磁気センサを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1記載の磁気センサによれば、感磁面に
対して垂直な感磁軸方向の磁束を検出する感磁部と、前
記感磁部の中心を通る前記感磁軸に対して、非対称に配
置された第1の磁性体とが備えられることを特徴とす
る。
【0007】これにより、外部磁気が感磁面に対して垂
直に向いている場合だけでなく、外部磁気が感磁面に対
して平行に向いている場合においても感磁面に対して垂
直方向に磁路を形成することができ、感磁軸とは異なる
方向に向いている外部磁気であっても効率よく検出する
ことができる。このため、外部磁気の方向に対して感磁
面の向きを自由に設定することが可能となり、形状を薄
形化させて、小型化が可能となるとともに、生産性およ
び組立性を向上させてコストを抑えることが可能とな
る。
【0008】また、請求項2記載の磁気センサによれ
ば、前記第1の磁性体は、前記感磁面と平行な表面を有
しており、前記感磁部は前記第1の磁性体を前記表面か
ら垂線方向に平行移動した表面の端より内側に配置され
ていることを特徴とする。これにより、磁性体端部で極
度に集中する磁束を感磁部が直接検出しなくなる。
【0009】このため、磁性体端部と感磁部の位置関係
が製造上多少ずれるようなことがあっても、磁気センサ
の感度がばらつくような問題が起きにくくなるととも
に、磁性体を基板として感磁部を配置する構造が可能と
なり、生産性および組立性を向上させてコストを抑える
ことが可能となる。また、請求項3記載の磁気センサに
よれば、前記第1の磁性体の内部で前記感磁面と平行に
なる磁束を、前記磁束の方向と異なる方向に収束させる
第2の磁性体と、前記第2の磁性体を貫通する磁束が検
出できるように配置された、前記感磁部とが備えられる
ことを特徴とする。
【0010】これにより、磁性体の内部で感磁面と平行
になる磁束を、第2の磁性体の側に効率よく収束させる
ことができ、感磁面に対して平行に向いている外部磁気
を、効率よく垂直方向に変換し検出することが可能とな
る。また、請求項4記載の磁気センサによれば、前記第
2の磁性体の内、少なくとも1つは、前記感磁部を挟ん
で前記第1の磁性体の反対側に設けられることを特徴と
する。
【0011】これにより、第2の磁性体に収束される磁
束を、より一層効率よく感磁部が検出できるようにな
る。また、請求項5記載の磁気センサによれば、前記感
磁部が、ホール効果を利用した感磁部であることを特徴
とする。これにより、感磁部を小型化することが可能と
なるとともに、感磁面を磁性体と一体的に形成すること
が可能となり、磁気センサの小型化が可能となるととも
に、生産性および組立性を向上させてコストを抑えるこ
とが可能となる。
【0012】また、請求項6記載の磁気センサによれ
ば、前記感磁部と、前記第1の磁性体または前記第2の
磁性体とが、モールド樹脂で一体成形されていることを
特徴とする。これにより、モールド樹脂を金型に流し込
むだけで、感磁部および磁性体を封止することが可能と
なり、組み立て工程を簡易化して、磁気センサのコスト
を抑えることが可能となる。
【0013】また、請求項7記載の磁気センサによれ
ば、前記第の磁性体は面対称であって、前記第1の磁性
体の対称面に対して感磁部が2つ以上対称に配置され、
かつ、その感磁面が同一面上にあることを特徴とする。
これにより、磁性体の対称面に対して対称に配置された
感磁部から、この対称面に対して垂直な外部磁束成分
は、それぞれ逆符号、かつ、同じ絶対値で出力されるよ
うになる。
【0014】また、この対称面に対して平行で、かつ、
感磁面に対して垂直な外部磁束成分は、それぞれ同符
号、かつ、同じ絶対値で出力されるようになる。このた
め、それぞれの出力を、後処理として加算・減算するこ
とによって、外部磁束の2つの方向成分を分離計算する
ことが可能になる。また、請求項8記載の磁気センサに
よれば、前記2つ以上対称に配置された感磁部の出力ど
うしを、それぞれ加算する加算手段および減算する減算
手段が、さらに備えられることを特徴とする。
【0015】これにより、後処理を行なうことなく、外
部磁束の2つの方向成分が、センサから直接独立して出
力される。このため、1つの磁気センサから、直接同時
に直交する2方向の磁束密度を得ることが可能になる。
また、請求項9記載の磁気センサによれば、請求項7ま
たは8記載の磁気センサを2組備え、前記第1の磁性体
の対称面が直交し、かつ、前記感磁部の感磁面が同一平
面上に配置されることを特徴とする。
【0016】これにより、3次元方向の磁気を検出する
ことが可能となり、3次元方向の外部磁気を検出する場
合においても、形状を塊状にする必要がなくなることか
ら、3次元センサを小型化することが可能となるととも
に、生産性および組立性を向上させて、コストを抑える
ことが可能となる。このため、感磁部の配置位置の自由
度を向上させることが可能となり、磁気センサの測定精
度を維持しつつ、磁気センサを小型化することが可能と
なる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る磁
気センサについて図面を参照しながら説明する。図1
は、本発明の一実施形態に係る2次元磁気センサの構成
を示す断面図である。
【0018】図1において、2次元磁気センサには、外
部磁界を検出する2つの感磁部1、2が設けられ、感磁
部1、2間には磁路を形成する磁性体3が設けられてい
る。また、感磁部1、2は、磁性体であるフェライトチ
ップ11、21とフェライト基板12、22でそれぞれ
挟まれている。ここで、感磁部1、2として、例えば、
ホール効果を利用したホール素子を用いることができ、
集磁フェライトを用いたホール素子では、感磁部1、2
とフェライトチップ11、21をフェライト基板12、
22上に一体的に形成することができる。
【0019】また、感磁部1、2は、所定間隔だけ隔て
て同一平面上に配置され、感磁部1、2上に設けられた
フェライトチップ11、21上には、別の磁路形成用の
磁性体3が設けられている。そして、2つの感磁部1、
2では同方向の磁場が検出される。ここで、フェライト
チップ11、21およびフェライト基板12、22は、
ホール素子に磁気を収束させるためのものである。
【0020】なお、これらの位置関係としては、磁路形
成用磁性体3、フェライトチップ11、21、感磁部
1、2、他の磁性体であるフェライト基板12、22の
関係にある。また、フェライト基板12、22は、リー
ドフレーム4上にマウントされ、感磁部1、2は、ワイ
ヤー6、7を介して、リードフレーム4と接続されてい
る。
【0021】さらに、リードフレーム4上にマウントさ
れたフェライト基板12、22および磁性体3はモール
ド樹脂5で封止されている。そして、感磁面に対する外
部磁場の垂直成分は、フェライトチップ11、21およ
びフェライト基板12、22を介して感磁部1、2を貫
通し、感磁部1、2からは、絶対値および符号の等しい
感磁部電気出力を得ることができる。
【0022】一方、感磁面に対する外部磁場の水平成分
は、磁性体3の両端で垂直方向に曲げられ、フェライト
チップ11、21およびフェライト基板12、22を介
して感磁部1、2を貫通する。そして、感磁部1、2か
らは、絶対値が等しく、符号が反対の感磁部電気出力を
得ることができる。これにより、感磁部1、2からの出
力の和および差をとることにより、感磁面に対して垂直
方向および平行方向の磁束密度を算出することができ、
感磁部1、2を同一平面上に配置した場合においても、
2次元の外部磁気を検出することができる。
【0023】なお、感磁部1、2上にフェライトチップ
11、21を設けず、直接感磁部1、2間に磁路を形成
する磁性体3を設けてもよい。このため、ホール素子を
隔てて配置し、それらのホール素子上に磁性体3を配置
するだけで、感磁面に平行な外部磁気環境下でも、感磁
面に垂直に貫通する磁路を、感磁部1、2と磁性体3と
の間に形成することができる。
【0024】図2、3は、図1の2次元磁気センサの磁
気シミュレーション結果を示す図である。なお、図2
は、2次元磁気センサに対し垂直方向に地磁気が向いて
いる場合、図3は、2次元磁気センサに対し平行方向に
地磁気が向いている場合を示す。ここで、図2、3の磁
場シミュレーンョンでは、有限要素解析法を用い、感磁
部1、2における垂直方向の磁束密度を計算した。
【0025】なお、感磁部1、2としては、旭化成電子
(株)製のホール素子、HW−105A(商品名)を用
い、ホール素子の中心間の距離は、約3mmに設定し
た。また、ホール素子の磁気収束チップ間に磁路形成用
の比透磁率8000の等方性フェライトを設けた。図2
において、感磁面に対し垂直方向に地磁気がある場合、
磁性体3に入射した磁束はフェライトチップ11、21
に入射し、フェライト基板12、22から出射する。こ
のため、磁性体3およびフェライトチップ11、21で
収束された磁束は感磁部1、2を垂直に貫通し、感磁部
1、2にかかる磁束密度は等しくなる。
【0026】このため、感磁部1、2の出力の和をとる
ことにより、縦方向磁束密度の2倍の値を求めることが
できる。一方、図3において、感磁面に対し平行方向に
地磁気がある場合、磁性体3に入射した磁束は、フェラ
イトチップ11、21およびフェライト基板12、22
により垂直方向に曲げられる。そして、垂直方向に曲げ
られた磁束はフェライトチップ11、21に入射し、フ
ェライト基板12、22から出射する。このため、磁性
体3およびフェライトチップ11、21で収束された磁
束は感磁部1、2を垂直に貫通し、感磁部1、2にかか
る磁束密度は、符号が異なり、絶対値の等しいものにな
る。
【0027】このため、感磁部1、2の出力の差をとる
ことにより、平行方向磁束密度の2倍の値を求めること
ができる。ここで、ホール素子では、地磁気のような低
磁場での出力は小さいが、簡単な演算回路を用いて、オ
フセット電圧のキャンセルを行い、オベアンプで出力を
増幅することにより、実用レベルの出力を得ることがで
きる。
【0028】オフセット電圧のキャンセルを行なう方法
としては、例えば、90°チョッパ駆動や360°チョ
ッパ駆動などを用いることができる。なお、地磁気のよ
うな低磁場ではない磁場の測定には、前記増幅回路を用
いる必要はない。このように、上述した実施形態によれ
ば、磁場入力を電気出力に変換可能な感磁部と磁性体を
有する2次元磁気センサにおいて、複数の感磁部を用
い、そのうち少なくとも2つの感磁部間に磁路を形成す
る磁性体を、前記磁路を形成する磁性体、前記感磁部、
その他の磁性体の位置関係になるように設けたので、2
次元磁気センサの一例であるフラックスゲートセンサに
必要であったコイル等の部品を削減でき、磁気センサの
検出方向を直交させる必要がなくなる。
【0029】このため、形状を小型化し、生産・組立性
の向上した安価な2次元磁気センサを製造することがで
き、車載用コンパスや携帯用ナビゲーションシステムな
どの多様なアプリケーションに対して好都合に対応する
ことが可能となる。以上、本発明の一実施形態について
説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるこ
となく、本発明の技術的思想の範囲内で、種々変形して
実施することが可能である。
【0030】例えば、上述した実施形態では、InSb
系ホール素子を例にとって説明したが、InAsやGa
Asなどの他の化合物半導体系ホール素子を用いるよう
にしてもよい。なお、感磁部1、2としては、ホール効
果を利用したもの以外にも、磁気抵抗効果を利用したも
のなど様々な感磁部の適用が可能であり、アナログ出力
型の感磁部が望ましい。
【0031】また、磁路を形成する磁性体3やその他の
磁性体11、21、12、22についても、フェライト
や鉄、パーマロイなど様々な磁性体の適用が可能である
が、フェライトのように小型成形が可能で安価なものが
望ましい。また、磁路を形成する磁性体3の代わりに、
磁性体のリードフレームを用いることも可能である。
【0032】また、上述した実施形態では、2次元磁気
センサを例にとって説明したが、3次元磁気センサに適
用するようにしてもよい。図4は、本発明の一実施形態
に係る3次元磁気センサの概略構成を示す上面図であ
る。図4において、リードフレーム上には、2次元磁気
センサ11a、11bが互いに直交するように配置され
ている。ここで、2次元磁気センサ11aには、ホール
素子12a、22aおよび磁性体3aが設けられ、ホー
ル素子12a、22aは所定間隔を隔てて互いに同一平
面上に配置されるとともに、ホール素子12a、22a
の間には磁性体3aが配置されている。
【0033】また、2次元磁気センサ11bには、ホー
ル素子12b、22bおよび磁性体3bが設けられ、ホ
ール素子12b、22bは所定間隔を隔ててホール素子
12a、22aと同一平面上に配置されるとともに、ホ
ール素子12b、22bの間には磁性体3bが配置され
ている。そして、2次元磁気センサ11aにより、y方
向およびz方向に磁気を測定するとともに、2次元磁気
センサ11bにより、x方向およびz方向に磁気を測定
することにより、2次元磁気センサ11a、11bを同
一平面上配置するだけで、3次元の磁気を測定すること
が可能となる。
【0034】このため、3次元の磁気を測定する場合に
おいても、3次元磁気センサの小型化が可能となるとと
もに、生産性および組立性を向上させてコストを抑える
ことが可能となる。なお、3次元磁気センサを構成する
ために、2次元磁気センサ11a、11bをリードフレ
ーム14上に形成し、これらの2次元磁気センサ11
a、11bを一括してモールド化してもよいが、図1の
構成の2次元磁気センサを2個用いるようにしてもよ
い。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同方向の磁場を検出するように2つの感磁部を配置した
場合においても、2次元の外部磁気を検出することがで
き、2つの感磁部を同一平面上に配置することが可能と
なることから、形状を薄形化させて、小型化が可能とな
るとともに、生産性および組立性を向上させてコストを
抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る2次元磁気センサの
構成を示す断面図である。
【図2】2次元磁気センサに対し垂直方向に地磁気が向
いている場合の2次元磁気センサの磁気シミュレーショ
ン結果を示す図である。
【図3】2次元磁気センサに対し平行方向に地磁気が向
いている場合の2次元磁気センサの磁気シミュレーショ
ン結果を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る3次元磁気センサの
概略構成を示す上面図である。
【符号の説明】
1、2 感磁部 3、3a、3b 磁性体 4、14 リードフレーム 5 モールド樹脂 6、7 ワイヤ 11、21 フェライトチップ 12、22 フェライト基板 11a、11b 2次元磁気センサ 12a、22a、12b、22b ホール素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 43/06 G01R 33/06 H

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感磁面に対して垂直な感磁軸方向の磁束
    を検出する感磁部と、 前記感磁部の中心を通る前記感磁軸に対して、非対称に
    配置された第1の磁性体とが備えられることを特徴とす
    る磁気センサ。
  2. 【請求項2】 前記第1の磁性体は、前記感磁面と平行
    な表面を有しており、前記感磁部は前記第1の磁性体を
    前記表面から垂線方向に平行移動した表面の端より内側
    に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁
    気センサ。
  3. 【請求項3】 前記第1の磁性体の内部で前記感磁面と
    平行になる磁束を、前記磁束の方向と異なる方向に収束
    させる第2の磁性体と、 前記第2の磁性体を貫通する磁束が検出できるように配
    置された、前記感磁部とが備えられることを特徴とする
    請求項1または2に記載の磁気センサ。
  4. 【請求項4】 前記第2の磁性体の内、少なくとも1つ
    は、前記感磁部を挟んで前記第1の磁性体の反対側に設
    けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項
    に記載の磁気センサ。
  5. 【請求項5】 前記感磁部が、ホール効果を利用した感
    磁部であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1
    項に記載の磁気センサ。
  6. 【請求項6】 前記感磁部と、前記第1の磁性体または
    前記第2の磁性体とが、モールド樹脂で一体成形されて
    いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載
    の磁気センサ。
  7. 【請求項7】 前記第1の磁性体は面対称であって、前
    記第1の磁性体の対称面に対して感磁部が2つ以上対称
    に配置され、かつ、その感磁面が同一面上にあることを
    特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の磁気セン
    サ。
  8. 【請求項8】 前記2つ以上対称に配置された感磁部の
    出力どうしを、それぞれ加算する加算手段および減算す
    る減算手段が、さらに備えられることを特徴とする請求
    項7記載の磁気センサ。
  9. 【請求項9】 請求項7または8記載の磁気センサを2
    組備え、前記第1の磁性体の対称面が直交し、かつ、前
    記感磁部の感磁面が同一平面上に配置されることを特徴
    とする請求項7または8記載の磁気センサ。
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