JP2003149287A - Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuit - Google Patents

Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuit

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JP2003149287A
JP2003149287A JP2001342386A JP2001342386A JP2003149287A JP 2003149287 A JP2003149287 A JP 2003149287A JP 2001342386 A JP2001342386 A JP 2001342386A JP 2001342386 A JP2001342386 A JP 2001342386A JP 2003149287 A JP2003149287 A JP 2003149287A
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integrated circuit
semiconductor integrated
signal
burn
test
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JP2001342386A
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Japanese (ja)
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Chiaki Shiraishi
千秋 白石
Takuya Kimoto
卓也 木本
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow the burn-in by a burn-in apparatus to be omitted to simplify the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. SOLUTION: Prior to the function inspection of a semiconductor integrated circuit with test signals applied to the integrated circuit, a signal for giving a higher load to the integrated circuit than in its usual operation is applied thereto under a normal temperature condition.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
検査方法及び検査装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit inspection method and inspection apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】CPUやメモリや固体撮像素子等の半導
体デバイスは、単結晶シリコンを素材とする半導体基板
の表面に各種回路素子を形成することによって製造され
る。かかる半導体デバイスの製造工程は、シリコンウエ
ハー上に多数の半導体素子を形成することによって半導
体集積回路を形成する前工程と、各半導体集積回路にリ
ード端子を接続するとともに、半導体集積回路を樹脂で
封止する後工程とから成る。
2. Description of the Related Art Semiconductor devices such as CPUs, memories and solid-state image pickup devices are manufactured by forming various circuit elements on the surface of a semiconductor substrate made of single crystal silicon. In the manufacturing process of such a semiconductor device, a pre-process of forming a semiconductor integrated circuit by forming a large number of semiconductor elements on a silicon wafer, a lead terminal is connected to each semiconductor integrated circuit, and the semiconductor integrated circuit is sealed with a resin. It consists of a post process to stop.

【0003】そして、コンタクトのバリアメタルの接触
不良に起因するなどの不良品の排除を行うために、前工
程から後工程に移行する間や後工程後の出荷前にバーン
イン装置を使用して半導体集積回路に高温条件下で初期
ストレスを印加するバーンイン(Burn-In)を行い、そ
の後、機能検査装置を使用して半導体集積回路にテスト
信号を印加することによって機能検査を行っていた。
In order to eliminate defective products such as those caused by defective contact of the barrier metal of the contact, a semiconductor device is used by using a burn-in device during the transition from the pre-process to the post-process or before the shipping after the post-process. A function test was performed by applying a test signal to the semiconductor integrated circuit by using a function tester after performing a burn-in to apply an initial stress to the integrated circuit under a high temperature condition.

【0004】このように、半導体集積回路の出荷前にバ
ーンインを行うのは、一般的に半導体集積回路の故障率
は、製造直後の故障率が高く、その後の所定の耐用期間
では故障率が低くなり、耐用期間経過後に再び故障率が
高くなるといったいわゆるバスタブ曲線(Bath Tub Cur
ve:浴槽型曲線)を描くことから、製造直後に初期スト
レスを半導体集積回路に印加することによって、製造直
後の故障(初期不良)を顕在化させて不良品を除去する
ためである。
As described above, the burn-in is performed before the shipment of the semiconductor integrated circuit. Generally, the failure rate of the semiconductor integrated circuit is high immediately after manufacturing, and the failure rate is low during a predetermined service period thereafter. The so-called bathtub curve (Bath Tub Cur
ve: bathtub curve) is drawn, so that an initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit immediately after manufacturing so that a failure (initial failure) immediately after manufacturing is revealed and a defective product is removed.

【0005】かかるバーンインは、半導体集積回路をバ
ーンイン装置に装着し、高温条件下(約125℃)で使
用時の電圧(例えば、3.3V)よりも高い電圧(例えば、
4.6V)で使用時の周波数(例えば、20MHz)よりも低い
周波数(例えば、1MHz)の信号を長時間(約1時間)
にわたって半導体集積回路に印加することによって、半
導体集積回路に初期ストレスを印加していた(表1参
照)。
In such burn-in, a semiconductor integrated circuit is mounted on a burn-in device, and a voltage (for example, 3.3 V) higher than a voltage (for example, 3.3 V) at the time of use under high temperature conditions (about 125 ° C.) is used.
4.6V) A signal with a frequency (eg, 1MHz) lower than the frequency (eg, 20MHz) used for a long time (about 1 hour)
The initial stress was applied to the semiconductor integrated circuit by applying it over the semiconductor integrated circuit (see Table 1).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法では、全ての半導体集積回路についてバーンインを
行っていたため、以下のような不具合が生じるおそれが
あった。
However, in the above-mentioned conventional method, since the burn-in is performed for all the semiconductor integrated circuits, there is a possibility that the following problems may occur.

【0007】すなわち、バーンインには、高温条件下で
半導体集積回路に信号を印加する必要があり、高価な専
用のバーンイン装置が必要であり、そのために多大な設
備投資が必要であった。
That is, in burn-in, it is necessary to apply a signal to the semiconductor integrated circuit under a high temperature condition, and an expensive dedicated burn-in device is required, which requires a large capital investment.

【0008】また、バーンインには、半導体集積回路を
バーンイン装置に装着し、バーンイン装置の条件設定を
行い、最後にバーンイン装置から半導体集積回路を取り
外すといった煩雑な作業が必要であり、そのために多大
な労力や時間を要していた。
Further, the burn-in requires a complicated work such as mounting the semiconductor integrated circuit in the burn-in device, setting the conditions of the burn-in device, and finally removing the semiconductor integrated circuit from the burn-in device. It took labor and time.

【0009】また、バーンインは長時間かけて半導体集
積回路に信号を印加しなければならず、多大なリードタ
イムを要していた。
Further, the burn-in requires a long lead time because a signal must be applied to the semiconductor integrated circuit over a long period of time.

【0010】また、半導体集積回路をバーンイン装置に
着脱する際に、半導体集積回路のリード端子が破損して
しまうおそれがあった。
Further, when the semiconductor integrated circuit is attached to or detached from the burn-in device, the lead terminals of the semiconductor integrated circuit may be damaged.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、半
導体集積回路にテスト信号を印加することによって半導
体集積回路の機能検査を行う検査方法又は検査装置であ
って、機能検査前に常温条件下で半導体集積回路に通常
の使用時よりも高負荷となる信号を印加することとし
た。
Therefore, according to the present invention, there is provided an inspection method or an inspection apparatus for performing a function inspection of a semiconductor integrated circuit by applying a test signal to the semiconductor integrated circuit, wherein Therefore, it has been decided to apply a signal to the semiconductor integrated circuit that causes a higher load than in normal use.

【0012】また、前記高負荷となる信号は、通常の使
用時よりも高い電圧又は低い周波数の信号とした。
The high-load signal is a signal having a higher voltage or a lower frequency than that during normal use.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体集積回路の検
査方法は、従来より行われていた半導体集積回路の機能
検査を行う前に、半導体集積回路の機能検査を行うため
の機能検査装置を使用して常温条件下で通常の使用時よ
りも厳しい条件(高電圧、低周波)の信号である高負荷
の信号を半導体集積回路に印加することにしたものであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method of inspecting a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a function inspection apparatus for performing a function inspection of a semiconductor integrated circuit before performing a function inspection of a semiconductor integrated circuit which has been conventionally performed. It is intended to apply a high load signal, which is a signal under a normal temperature condition, which is a stricter condition (high voltage, low frequency) than that during normal use, to the semiconductor integrated circuit.

【0014】このように、通常の使用時よりも高負荷と
なる信号を機能検査前に半導体集積回路に印加すること
によって、半導体集積回路に初期ストレスを印加して、
製造直後の半導体集積回路の故障(初期不良)を顕在化
させ、これにより、半導体集積回路に対してバーンイン
装置を用いたバーンインを行ったのと同等の効果を得ら
れるようにしたものである。そのため、従来において通
常の機能検査を行う前に行っていたバーンイン装置を用
た半導体集積回路のバーンインを行わなくても、通常の
機能検査を行うための機能検査装置だけを使用して半導
体集積回路に初期ストレスを印加することができ、従来
のバーンイン装置によるバーンインを省略することがで
きるものである。したがって、高価な専用のバーンイン
装置を準備する必要がなくなり、バーンイン装置のため
の設備投資をなくすことができ、また、半導体集積回路
の検査工程を簡略化することができて、半導体集積回路
の検査に要する労力や時間を削減することができ、さら
には、半導体集積回路を機能検査装置に一度だけ装着し
てやればよくなり、半導体集積回路の着脱回数を削減す
ることができて、半導体集積回路のリード端子の破損を
防止することができる。
As described above, by applying a signal having a higher load than that during normal use to the semiconductor integrated circuit before the function test, an initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit,
The failure (initial failure) of the semiconductor integrated circuit immediately after the manufacture is made apparent, and thereby, the same effect as that of performing the burn-in using the burn-in device on the semiconductor integrated circuit can be obtained. Therefore, even if the burn-in of the semiconductor integrated circuit using the burn-in device, which has been conventionally performed before the normal function inspection, is not performed, only the function inspection device for performing the normal function inspection is used. The initial stress can be applied to the burn-in device, and the burn-in by the conventional burn-in device can be omitted. Therefore, it is not necessary to prepare an expensive dedicated burn-in device, it is possible to eliminate the capital investment for the burn-in device, and it is possible to simplify the inspection process of the semiconductor integrated circuit and to inspect the semiconductor integrated circuit. The labor and time required for the semiconductor integrated circuit can be reduced. Furthermore, the semiconductor integrated circuit can be attached to the functional inspection device only once, and the number of times the semiconductor integrated circuit is attached and detached can be reduced. It is possible to prevent damage to the terminals.

【0015】特に、通常の使用時よりも高い電圧又は低
い周波数のテスト信号を半導体集積回路に印加すること
によって半導体集積回路に初期ストレスを印加すること
とした場合には、通常用いていた機能検査装置に特別の
改良を加えることなく通常の使用時よりも厳しい条件の
テスト信号を機能検査装置で容易に発生することがで
き、新たな設備投資をすることなく通常用いていた機能
検査装置で半導体集積回路にバーンインと同等の初期ス
トレスを印加することができる。
In particular, when the initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit by applying a test signal having a higher voltage or a lower frequency than that in the normal use, the function test normally used is performed. The function testing device can easily generate test signals under more severe conditions than normal use without adding any special improvement to the device, and the function testing device that was normally used does not require new equipment investment. Initial stress equivalent to burn-in can be applied to the integrated circuit.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例について図
面を参照しながら説明する。図1は、半導体集積回路1
の機能検査を行う機能検査装置2を示しており、同機能
検査装置2は、検査ステージ3に設けたソケット4に検
査対象となる半導体集積回路1を着脱できるようになっ
ており、検査ステージ3には、テスト信号発生部5と判
定部6とがそれぞれ接続され、これらテスト信号発生部
5と判定部6とが制御部7に接続されている。図中、8
は信号入力バス、9は信号出力バスである。尚、検査対
象となる半導体集積回路1としては、シリコンウエハー
上に複数の半導体集積回路1が形成されたものであって
もよく、また、パッケージングされた半導体デバイスに
内装された半導体集積回路1であってもよい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a semiconductor integrated circuit 1.
2 shows a function inspection device 2 for performing a function inspection of the semiconductor integrated circuit 1 to be inspected and attached to a socket 4 provided in the inspection stage 3. The test signal generating section 5 and the judging section 6 are connected to each other, and the test signal generating section 5 and the judging section 6 are connected to the control section 7. 8 in the figure
Is a signal input bus, and 9 is a signal output bus. The semiconductor integrated circuit 1 to be inspected may be a plurality of semiconductor integrated circuits 1 formed on a silicon wafer, or the semiconductor integrated circuit 1 embedded in a packaged semiconductor device. May be

【0017】上記機能検査装置2は、機能検査時に制御
部7からテスト信号発生部5及び判定部6に所定の制御
信号を送り、同制御信号に基づいてテスト信号発生部5
で所定のテスト信号を発生するとともに、同テスト信号
を半導体集積回路1に信号入力バス8を介して印加する
と、半導体集積回路1の出力信号が判定部6に信号出力
バス9を介して入力される。一方、判定部6では、制御
部7からの制御信号に基づいて半導体集積回路1に所定
のテスト信号が入力された場合に半導体集積回路1が出
力するべき理想の出力信号を発生し、かかる理想の出力
信号とテスト信号発生部5で発生したテスト信号の印加
によって半導体集積回路1で実際に出力される現実の出
力信号とを比較し、両出力信号が完全に一致した場合に
は、半導体集積回路1が正常に機能していることを示す
OK信号を制御部7に送り、両出力信号が一致しない場
合には、半導体集積回路1が正常に機能していないこと
を示すNG信号を制御部7に送るようにしている。
The function inspection device 2 sends a predetermined control signal from the control section 7 to the test signal generation section 5 and the judgment section 6 at the time of function inspection, and the test signal generation section 5 is sent based on the control signal.
When a predetermined test signal is generated at the same time and the test signal is applied to the semiconductor integrated circuit 1 through the signal input bus 8, the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is input to the determination unit 6 through the signal output bus 9. It On the other hand, the determination unit 6 generates an ideal output signal to be output by the semiconductor integrated circuit 1 when a predetermined test signal is input to the semiconductor integrated circuit 1 based on the control signal from the control unit 7, and the ideal output signal is generated. Is compared with the actual output signal actually output by the semiconductor integrated circuit 1 by the application of the test signal generated by the test signal generator 5, and when both output signals are completely matched, the semiconductor integrated circuit An OK signal indicating that the circuit 1 is functioning normally is sent to the control unit 7, and if both output signals do not match, an NG signal indicating that the semiconductor integrated circuit 1 is not functioning normally is sent to the control unit. I am going to send it to 7.

【0018】そして、制御部7は、全てのテスト信号に
対して判定部6からOK信号が送られた場合には、検査
対象となる半導体集積回路1が良品であると判断し、一
方、一つのテスト信号に対して判定部5からNG信号が
送られた場合には、検査対象となる半導体集積回路1が
不良品であると判断し、これにより、半導体集積回路1
が所定の機能を発揮するか否かの機能検査を行うように
している。
Then, the control unit 7 judges that the semiconductor integrated circuit 1 to be inspected is a non-defective product when the OK signal is sent from the judging unit 6 for all the test signals, while When the NG signal is sent from the determination unit 5 for one test signal, it is determined that the semiconductor integrated circuit 1 to be inspected is a defective product, and thus the semiconductor integrated circuit 1 is determined.
Is to perform a function test to determine whether or not it exhibits a predetermined function.

【0019】かかる機能検査は、常温条件下で半導体集
積回路1に通常使用時と同様の電源電圧、信号電圧、信
号周波数のテスト信号を入力することにより行ってい
る。
Such a functional test is carried out by inputting a test signal having the same power supply voltage, signal voltage and signal frequency to the semiconductor integrated circuit 1 under normal temperature conditions as in normal use.

【0020】本発明では、上記した通常の機能検査を行
う前に、すなわち、常温条件下で半導体集積回路1に通
常使用時と同様の電源電圧、信号電圧、信号周波数のテ
スト信号を入力する前に、かかる通常の使用時(機能検
査時)よりも厳しい条件である高負荷の信号を半導体集
積回路1に印加し、その後、半導体集積回路1に通常使
用時と同様の電源電圧、信号電圧、信号周波数のテスト
信号を入力して、通常の機能検査を行うようにしてい
る。
In the present invention, before performing the above-mentioned normal function test, that is, before inputting a test signal having the same power supply voltage, signal voltage, and signal frequency to the semiconductor integrated circuit 1 under normal temperature conditions as in normal use. In addition, a high-load signal, which is a stricter condition than during normal use (during functional inspection), is applied to the semiconductor integrated circuit 1, and thereafter, the same power supply voltage, signal voltage, and the like as those during normal use are applied to the semiconductor integrated circuit 1. A test signal of the signal frequency is input to perform a normal function test.

【0021】すなわち、表1に示すように、通常使用時
の電源電圧が3.3V、信号電圧が1.8V、信号周波数が20MH
zの半導体集積回路1に対して、通常の機能検査時に
は、半導体集積回路1に通常使用時とほぼ同様に、電源
電圧が2.95V、信号電圧が1.4V、信号周波数が20MHzのテ
スト信号を入力し、一方、通常の機能検査の前には、半
導体集積回路1に通常の使用時の信号よりも厳しい条
件、すなわち、高電圧、低周波の信号である電源電圧が
3.8V、信号電圧が2.8V、信号周波数が10MHzの信号を入
力するようにしている。
That is, as shown in Table 1, the power supply voltage during normal use is 3.3V, the signal voltage is 1.8V, and the signal frequency is 20MH.
During the normal function test, the semiconductor integrated circuit 1 of z receives a test signal with a power supply voltage of 2.95V, a signal voltage of 1.4V, and a signal frequency of 20MHz, which is almost the same as during normal use. On the other hand, before the normal function test, the semiconductor integrated circuit 1 is subjected to a stricter condition than a signal during normal use, that is, a power supply voltage which is a high voltage and low frequency signal.
A signal of 3.8V, signal voltage of 2.8V and signal frequency of 10MHz is input.

【0022】[0022]

【表1】 具体的には、まず、検査ステージ3に設けたソケット4
に検査対象となる半導体集積回路1を装着し、テスト信
号発生部5から半導体集積回路1に電源電圧が3.8V、信
号電圧が2.8V、信号周波数が10MHzの半導体集積回路1
にとって高負荷となる信号を5秒間印加し、その後、テ
スト信号発生部5から半導体集積回路1に電源電圧が2.
95V、信号電圧が1.4V、信号周波数が20MHzの複数種類の
テスト信号を順次入力し、各テスト信号に対する半導体
集積回路1の出力信号に基づいて判定部7で半導体集積
回路1の良否を判定するようにしている。
[Table 1] Specifically, first, the socket 4 provided on the inspection stage 3
The semiconductor integrated circuit 1 to be inspected is mounted on the semiconductor integrated circuit 1 from the test signal generator 5 to the semiconductor integrated circuit 1 with a power supply voltage of 3.8 V, a signal voltage of 2.8 V, and a signal frequency of 10 MHz.
A high load signal is applied for 5 seconds, and then the power supply voltage from the test signal generator 5 to the semiconductor integrated circuit 1 is 2.
A plurality of types of test signals of 95V, a signal voltage of 1.4V, and a signal frequency of 20MHz are sequentially input, and the determination unit 7 determines the quality of the semiconductor integrated circuit 1 based on the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 for each test signal. I am trying.

【0023】このように、半導体集積回路1の機能検査
を行うための機能検査装置2を使用して常温条件下で通
常の使用時よりも高負荷の信号を半導体集積回路1に印
加すると、かかる高負荷の信号によって半導体集積回路
1が初期ストレスを受けることになり、これによって、
製造直後の半導体集積回路1の故障(初期不良)を顕在
化させることができ、半導体集積回路1に対してバーン
インを行ったのと同等の効果が得られるのである。
As described above, when the function inspection apparatus 2 for performing the function inspection of the semiconductor integrated circuit 1 is used and a signal having a higher load than that in normal use is applied to the semiconductor integrated circuit 1 under normal temperature conditions, it takes time. The semiconductor integrated circuit 1 is subjected to initial stress due to the high-load signal, which causes
The failure (initial failure) of the semiconductor integrated circuit 1 immediately after manufacturing can be revealed, and the same effect as that of performing the burn-in on the semiconductor integrated circuit 1 can be obtained.

【0024】そのため、従来において通常の機能検査を
行う前に行っていたバーンイン装置を使用した半導体集
積回路1のバーンインを行わなくても、通常の機能検査
を行うための機能検査装置2だけを使用して半導体集積
回路1に初期ストレスを印加することができ、従来のバ
ーンイン装置によるバーンインを省略することができる
のである。
Therefore, even if the semiconductor integrated circuit 1 is not burned in using the burn-in device, which has been conventionally performed before the normal functional test, only the functional test device 2 for the normal functional test is used. Thus, the initial stress can be applied to the semiconductor integrated circuit 1, and the burn-in by the conventional burn-in device can be omitted.

【0025】これにより、高価な専用のバーンイン装置
を準備する必要がなくなり、バーンイン装置のための設
備投資をなくすことができ、半導体集積回路1の検査工
程を簡略化することができて、半導体集積回路1の検査
に要する労力や時間を削減することができる。
As a result, there is no need to prepare an expensive dedicated burn-in device, the capital investment for the burn-in device can be eliminated, the inspection process of the semiconductor integrated circuit 1 can be simplified, and the semiconductor integrated circuit can be integrated. The labor and time required to inspect the circuit 1 can be reduced.

【0026】しかも、従来の検査工程においては半導体
集積回路1をバーンイン装置と機能検査装置2とにそれ
ぞれ着脱する必要があったのが、本方法では半導体集積
回路1を機能検査装置2に一度だけ装着してやればよく
なり、半導体集積回路1の着脱回数を削減することがで
き、これにより、半導体集積回路1のリード端子の破損
を防止することができる。上記した通常の使用時よりも
厳しい条件である高負荷の信号は、次のようにして決め
ている。
Moreover, in the conventional inspection process, it was necessary to attach and detach the semiconductor integrated circuit 1 to and from the burn-in device and the function inspection device 2, respectively. However, in this method, the semiconductor integrated circuit 1 is attached to the function inspection device 2 only once. The semiconductor integrated circuit 1 can be attached and detached, and the number of times of attachment and detachment of the semiconductor integrated circuit 1 can be reduced, whereby damage to the lead terminals of the semiconductor integrated circuit 1 can be prevented. The high-load signal, which is a stricter condition than the normal use described above, is determined as follows.

【0027】すなわち、通常の使用時のテスト信号より
も高電圧又は低周波の信号を半導体集積回路1に所定時
間印加し、その後、通常の機能検査を行い、その際の不
良品発生率を求め、かかる不良品発生率と従来のバーン
イン装置を用いたバーンインを行った際の不良品発生率
とを比較する。そして、両不良品発生率が同程度となる
ような条件(電圧、周波数)の信号を通常の使用時より
も高負荷の信号として決定する。
That is, a signal having a higher voltage or a lower frequency than the test signal during normal use is applied to the semiconductor integrated circuit 1 for a predetermined time, and then a normal function test is performed to obtain the defective product rate at that time. The defective product occurrence rate is compared with the defective product occurrence rate when performing burn-in using the conventional burn-in device. Then, a signal of a condition (voltage, frequency) such that both defective product occurrence rates are approximately the same is determined as a signal having a higher load than in normal use.

【0028】通常の使用時よりも高負荷の信号として
は、通常の使用時の信号よりも高電圧かつ低周波の信号
とすることで、より厳しい条件の信号となり、信号の印
加時間を短くすることができるが、通常の使用時の信号
よりも電圧だけを高くしたり、或いは、通常の使用時の
信号よりも周波数だけを低くしてもよい。このように、
通常の使用時よりも高い電圧又は低い周波数の信号を半
導体集積回路1に印加することによって半導体集積回路
1に初期ストレスを印加することにしているため、機能
検査装置2の制御部7におけるプログラムを変更するだ
けで対応することができ、通常用いていた機能検査装置
2に特別の改良を加えることなく通常の使用時よりも高
負荷の信号を機能検査装置2で容易に発生することがで
き、新たな設備投資をすることなく通常用いていた機能
検査装置2で半導体集積回路1にバーンインと同等の初
期ストレスを印加することができる。
As a signal having a higher load than that during normal use, a signal having a higher voltage and a lower frequency than the signal during normal use becomes a signal under more severe conditions, and the signal application time is shortened. However, only the voltage may be higher than the signal in normal use, or only the frequency may be lower than the signal in normal use. in this way,
Since the initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit 1 by applying to the semiconductor integrated circuit 1 a signal having a higher voltage or a lower frequency than that during normal use, the program in the control unit 7 of the function inspection device 2 is It can be dealt with only by changing the function inspection device 2 that is normally used, and a signal having a higher load than that during normal use can be easily generated by the function inspection device 2 without adding special improvement. It is possible to apply the initial stress equivalent to the burn-in to the semiconductor integrated circuit 1 with the function inspection device 2 which is normally used without investing new equipment.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、以下に記載されるような効果を奏する。すな
わち、本発明では、半導体集積回路にテスト信号を印加
することによって半導体集積回路の機能検査を行う前
に、常温条件下で半導体集積回路に通常の使用時よりも
高負荷となる信号を印加することにしているため、製造
直後の半導体集積回路の故障(初期不良)を顕在化させ
ることができ、半導体集積回路に対してバーンインを行
ったのと同等の効果が得られる。
The present invention is carried out in the form described above, and has the following effects. That is, in the present invention, before performing the functional test of the semiconductor integrated circuit by applying the test signal to the semiconductor integrated circuit, a signal having a higher load than that in normal use is applied to the semiconductor integrated circuit under normal temperature conditions. Therefore, the failure (initial failure) of the semiconductor integrated circuit immediately after manufacturing can be revealed, and an effect equivalent to that of performing burn-in on the semiconductor integrated circuit can be obtained.

【0030】これにより、従来において通常の機能検査
を行う前に行っていたバーンイン装置を用た半導体集積
回路のバーンインを行わなくても、通常の機能検査を行
うための機能検査装置だけを使用して半導体集積回路に
初期ストレスを印加することができ、従来のバーンイン
装置によるバーンインを省略することができ、したがっ
て、高価な専用のバーンイン装置を準備する必要がなく
なり、バーンイン装置のための設備投資をなくすことが
でき、また、半導体集積回路の検査工程を簡略化するこ
とができて、半導体集積回路の検査に要する労力や時間
を削減することができ、さらには、半導体集積回路を機
能検査装置に一度だけ装着してやればよくなり、半導体
集積回路の着脱回数を削減することができて、半導体集
積回路のリード端子の破損を防止することができる。
As a result, even if the semiconductor integrated circuit using the burn-in device, which has been conventionally performed before the normal function test, is not burned in, only the function test device for performing the normal function test is used. Therefore, the initial stress can be applied to the semiconductor integrated circuit, and the burn-in by the conventional burn-in device can be omitted. Therefore, it is not necessary to prepare an expensive dedicated burn-in device, and the capital investment for the burn-in device can be reduced. In addition, the inspection process of the semiconductor integrated circuit can be simplified, the labor and time required for the inspection of the semiconductor integrated circuit can be reduced, and further, the semiconductor integrated circuit can be used as a function inspection device. It only needs to be attached once, and the number of times the semiconductor integrated circuit is attached and detached can be reduced. It is possible to prevent the damage.

【0031】また、本発明では、通常の使用時よりも高
い電圧の信号を半導体集積回路に印加することによって
半導体集積回路に初期ストレスを印加することにしてい
るため、通常使用していた機能検査装置に特別の改良を
加えることなく通常の使用時よりも厳しい条件のテスト
信号を機能検査装置で容易に発生することができ、新た
な設備投資をすることなく通常使用していた機能検査装
置で半導体集積回路にバーンインと同等の初期ストレス
を印加することができる。
Further, in the present invention, since the initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit by applying the signal of the voltage higher than that in the normal use, the function test which is normally used is checked. It is possible to easily generate a test signal with severer conditions than in normal use without adding special equipment to the function inspection device, and with the function inspection device that was normally used without investing new equipment. An initial stress equivalent to burn-in can be applied to the semiconductor integrated circuit.

【0032】さらに、本発明では、通常の使用時よりも
低い周波数の信号を半導体集積回路に印加することによ
って半導体集積回路に初期ストレスを印加することにし
ているため、これによっても、通常用いていた機能検査
装置に特別の改良を加えることなく通常の使用時よりも
厳しい条件のテスト信号を機能検査装置で容易に発生す
ることができ、新たな設備投資をすることなく通常用い
ていた機能検査装置で半導体集積回路にバーンインと同
等の初期ストレスを印加することができる。
Further, in the present invention, since the initial stress is applied to the semiconductor integrated circuit by applying the signal of the frequency lower than that in the normal use, the semiconductor integrated circuit is also normally used. The function inspection device can easily generate test signals under more severe conditions than those during normal use without adding special improvements to the function inspection device, and the function inspection normally used without additional capital investment. The device can apply initial stress equivalent to burn-in to the semiconductor integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体集積回路の検査装置を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing an inspection device for a semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体集積回路 2 機能検査装置 3 検査ステージ 4 ソケット 5 テスト信号発生部 6 判定部 7 制御部 8 信号入力バス 9 信号出力バス 1 Semiconductor integrated circuit 2 Functional inspection device 3 inspection stage 4 socket 5 Test signal generator 6 Judgment section 7 control unit 8 signal input bus 9 signal output bus

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G003 AA07 AA10 AC01 AD01 AE00 AE09 AF06 AH02 AH04 AH05 2G132 AA00 AB03 AB06 AB14 AC04 AE14 AE22 AG09 AL09 AL11 4M106 AA01 BA14 DJ18 DJ20 DJ21 DJ27    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2G003 AA07 AA10 AC01 AD01 AE00                       AE09 AF06 AH02 AH04 AH05                 2G132 AA00 AB03 AB06 AB14 AC04                       AE14 AE22 AG09 AL09 AL11                 4M106 AA01 BA14 DJ18 DJ20 DJ21                       DJ27

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路にテスト信号を印加する
ことによって半導体集積回路の機能検査を行う検査方法
であって、機能検査前に常温条件下で半導体集積回路に
通常の使用時よりも高負荷となる信号を印加することを
特徴とする半導体集積回路の検査方法。
1. A test method for performing a functional test of a semiconductor integrated circuit by applying a test signal to the semiconductor integrated circuit, wherein the semiconductor integrated circuit has a higher load than a normal use under normal temperature conditions before the functional test. A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, which comprises applying a signal that becomes
【請求項2】 前記高負荷となる信号は、通常の使用時
よりも高い電圧の信号であることを特徴とする請求項1
記載の半導体集積回路の検査方法。
2. The high-load signal is a signal having a higher voltage than that during normal use.
A method for inspecting a semiconductor integrated circuit as described above.
【請求項3】 前記高負荷となる信号は、通常の使用時
よりも低い周波数の信号であることを特徴とする請求項
1又は請求項2記載の半導体集積回路の検査方法。
3. The method for inspecting a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the signal having a high load is a signal having a frequency lower than that during normal use.
【請求項4】 半導体集積回路にテスト信号を印加する
ことによって半導体集積回路の機能検査を行う検査装置
であって、機能検査前に常温条件下で半導体集積回路に
通常の使用時よりも高負荷となる信号を印加することを
特徴とする半導体集積回路の検査装置。
4. An inspection apparatus for performing a function test of a semiconductor integrated circuit by applying a test signal to the semiconductor integrated circuit, wherein the load on the semiconductor integrated circuit under normal temperature conditions before the function test is higher than that during normal use. An apparatus for inspecting a semiconductor integrated circuit, characterized in that a signal that becomes
【請求項5】 前記高負荷となる信号は、通常の使用時
よりも高い電圧の信号であることを特徴とする請求項4
記載の半導体集積回路の検査装置。
5. The high-load signal is a signal having a voltage higher than that in normal use.
A semiconductor integrated circuit inspection device according to claim 1.
【請求項6】 前記高負荷となる信号は、通常の使用時
よりも低い周波数の信号であることを特徴とする請求項
4又は請求項5記載の半導体集積回路の検査装置。
6. The semiconductor integrated circuit inspection device according to claim 4, wherein the high-load signal is a signal having a frequency lower than that in normal use.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004343107A (en) * 2003-05-05 2004-12-02 Harman Becker Automotive Systems Gmbh Method of testing photo-electric converter
JP2015007569A (en) * 2013-06-25 2015-01-15 富士通セミコンダクター株式会社 Test program for semiconductor device, test device, and test method

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