JP2003147187A - 樹脂組成物、それから得られる光ディスク基板および光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸湿性、反り、また剛性などの点で優れた光
ディスク基板の製造に用いることのできる新規な樹脂組
成物を提供する。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂（ａ）と水素化ス
チレン系重合体（ｂ）とから主としてなる樹脂組成物で
あって、その重量比が（ａ）／（ｂ）＝５０／５０〜９
９／１の範囲にあることを特徴とする樹脂組成物、それ
を用いた光ディスク基板、および光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板用
途に適した樹脂組成物、それから得られる光ディスク基
板および光ディスクに関する。より詳しくは、光ディス
ク基板とした場合に、吸湿性、反り、また剛性などの点
で優れた特性を有する樹脂組成物、該樹脂組成物を用い
た光ディスク基板、およびそれを用いた光ディスクに関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報記録媒体として光ディスクの
発展は目覚しいものがある。現在光ディスクとして、コ
ンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、Ｃ
Ｄ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＰＤ、ＤＶＤ−ＲＷなど数多くの
ものが実用化されている。これらの光ディスクでは、ピ
ットと呼ばれる物理的な凹凸で信号を書き込むもの、記
録層を形成する物質の相変化を利用するもの、記録層に
おける磁気光学効果を利用するものなど様々な記録・再
生方式が実用化されているが、いずれの場合でも記録の
読み取り、書き込みを行うレーザー光は透明な樹脂基板
内を通過する、より詳しくは透明な樹脂基板側からレー
ザー光が入射し、記録層および反射層で反射して再び樹
脂基板内を通過して戻ってきた反射光の強度や偏光角を
読み取る構造になっている。

【０００３】一方、最近新しいタイプの高密度光ディス
クの開発が進んでいる。例えば特開平１１−７６５８号
公報では、基板上に順に反射膜、記録膜、光透過層を設
け、基板側からではなく、反対側の光透過層のほうから
レーザー光を入射する方式を提案している。該方式では
光透過層の厚みを薄く、例えば厚み７０〜１００μｍ程
度の透明フィルムでかつ該フィルムの厚み斑をある一定
範囲内に抑え、入射レーザー光の集光レンズの開口数
（Ｎ.Ａ．）を高くすることにより、従来の構造の光デ
ィスクよりも高密度化を達成することが可能となる。か
かる新構造の光ディスクは、ブルーレーザーを用いた次
世代の高密度光ディスクとして現在活発に開発が行われ
ているところである（以下、これを膜面入射型光ディス
クと略称する。）。

【０００４】従来、光ディスクの基板にはその優れた透
明性、耐熱性、力学特性、成形性などから専らポリカー
ボネート樹脂が用いられており、特に２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡと
略称される）をビスフェノール成分とする芳香族ポリカ
ーボネートが、その優れた物性バランス、コスト等の面
から主として用いられている。上記方式の次世代高密度
光ディスク基板においては透明性は必要とされないが、
基板の反りに対する要求特性は極めて厳しくなる。高い
Ｎ．Ａ．の集光レンズを基板に近づけて短波長のレーザ
ーを基板の極表面に集光するため、わずかな基板の反り
でも信号検出、書き込み時のエラーとなる可能性があ
る。一般に光ディスク基板の反りには、成形時に由来す
るものとその後の環境変化に由来するものとに分けられ
る。基板成形時に由来する反りは、成形条件の工夫によ
り克服することが充分可能である。

【０００５】一方、環境変化に由来する反りは基板自体
の吸湿性が主たる原因であるが、特に上記方式の光ディ
スクでは、厚みが同じ基板２枚の貼り合せタイプである
ＤＶＤとは異なり非対称構造であって片面のみに金属蒸
着を行うため、主としてその反対側から吸湿が進んで基
板内の吸水バランスが崩れ反りを生じやすい構造であ
る。先に述べたように、現在広く使用されている光ディ
スク用樹脂はビスフェノールＡをビスフェノール成分と
する芳香族ポリカーボネートであるが、該樹脂は吸水率
が高めであり、膜面入射型の光ディスク基板に用いた場
合、吸湿による反りの問題が懸念されている。

【０００６】また膜面入射型光ディスクの場合、ディス
ク回転時におけるディスクの変形抑制の点から基板の剛
性に対する要求が強い。すなわち樹脂の弾性率を出来る
だけ高めることが求められている。すなわち現在開発が
進められている膜面入射型光ディスク基板としては、透
明性、複屈折率等光学的な特性は全く必要のないもの
の、転写性、表面性などの成形性を満足しかつ、ビスフ
ェノールＡをビスフェノール成分とする芳香族ポリカー
ボネートよりも吸水率が低くまた剛性が高いものが求め
られていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、樹脂
基板上に、少なくとも１層の反射膜と該反射層上に少な
くとも１層の透明保護層が形成され、レーザー光が透明
保護層側から入射して情報の読み取りや書き込みを行う
新規な方式の光ディスク基板に適した材料を提供するこ
とにある。より詳しくは、ディスク基板の成形性を維持
しながら従来の芳香族ポリカーボネートよりも吸水率が
低く、剛性が高い材料を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、この目的
を達するために鋭意検討したところ、ポリカーボネート
樹脂に、ポリスチレン系樹脂の芳香族環を水素添加した
水素化スチレン系重合体をある一定割合でブレンドさせ
た樹脂組成物が、成形性を維持しながら、吸水率が低く
剛性の高いディスク基板材料として好適であることを見
出し、本発明に到達した。すなわち本発明は、ポリカー
ボネート樹脂（ａ）と水素化スチレン系重合体（ｂ）と
から主としてなる樹脂組成物であって、その重量比が
（ａ）／（ｂ）＝５０／５０〜９９／１の範囲にあるこ
とを特徴とする樹脂組成物である。

【０００９】かかるポリカーボネート樹脂（ａ）として
は、主として２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパンをビスフェノール成分とする芳香族ポリカーボ
ネートであることが好ましい。また水素化スチレン系重
合体（ｂ）としては、ポリスチレンの芳香族環の８０モ
ル％以上を水素化して得られる水素化ポリスチレンであ
ることが好ましい。また本発明は、これら樹脂組成物を
用いた光ディスク基板である。特に、樹脂基板上に少な
くとも１層の反射膜と該反射層上に少なくとも１層の透
明保護層が形成され、レーザー光が該透明保護層側から
入射して該樹脂基板上あるいは該樹脂基板上に形成され
た記録層上における情報の読み取りおよび／または書き
込みを行うことを特徴とする光ディスクに用いられる、
基板の厚みが０．３〜１．２ｍｍの範囲にある光ディス
ク基板として好適に用いられる。さらにまた本発明はこ
れらの光ディスク基板を用いた光ディスクを含む。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
本発明で用いられるポリカーボネート樹脂については特
に制限はない。一般にポリカーボネートとは主鎖が炭酸
結合で結ばれた高分子のことを総称するが、一般にビス
フェノール等のジヒドロキシ化合物と、ホスゲンあるい
はジフェニルカーボネート等とを界面重合法または溶融
重合法等公知の方法で重縮合反応させて得ることが出来
る。

【００１１】ここで用いられるジヒドロキシ化合物とし
ては、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１，１−ビス(４−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル
フェニル）プロパン、９，９−ビス（４―ヒドロキシフ
ェニル）フルオレン、９，９−ビス（４―ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）フルオレン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、１，３−ビス｛２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピル｝ベンゼン、１，４−ビス｛２−（４
−ヒドロキシフェニル）プロピル｝ベンゼン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１−３，
３，３−ヘキサフルオロプロパン等の芳香族ビスフェノ
ール、２，２−ジメチルー１，３−プロパンジオール、
スピログリコール、１，４−シクロヘキサンジオール、
１，４−シクロヘキサンジメタノール等の脂肪族ジオー
ルが挙げられる。

【００１２】これらの中でもビスフェノールＡと呼ばれ
る２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを
ビスフェノール成分とする芳香族ポリカーボネートを物
性、コストの面から好ましく挙げることが出来る。これ
らのジヒドロキシ化合物は単独で用いても良いし、２種
類以上組み合わせて用いて共重合ポリカーボネートとし
ても良い。また一部にテレフタル酸および／またはイソ
フタル酸成分を含むポリエステルカーボネートとして使
用することも可能である。本発明で用いられるポリカー
ボネート樹脂の分子量は、その粘度平均分子量で、８，
０００〜１００，０００の範囲である。粘度平均分子量
が８，０００より小さいと該樹脂組成物においても成形
物は極めて脆くなり好ましくない。また１００，０００
を超えると溶融流動性が悪くなりがちであり、良好な成
形物が得にくくなる。より好ましくは１０，０００〜５
０，０００の範囲である。なお粘度平均分子量は、ポリ
カーボネートの塩化メチレン溶液中で求めた固有粘度
を、マーク−ホウインク−桜田の式に代入して計算し
た。この際の各種係数は、例えばポリマーハンドブブッ
ク第３改訂版 ワイリー社（１９８９年）（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ３ｒｄ Ｅｄ．Ｗｉｌｌｅ
ｙ、１９８９）の７〜２３ページに記載されている。

【００１３】一方、本発明に用いる水素化スチレン系重
合体とは、スチレン系重合体の芳香環を核水添してシク
ロヘキサン構造としたものである。スチレン系重合体と
しては、スチレンの単独重合体であるポリスチレン、あ
るいはスチレンに共役ジエンなど他のモノマーを共重合
したスチレン系共重合体が挙げられる。いずれの場合も
スチレン以外の他のビニル芳香族化合物、例えばαーメ
チルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルスチレ
ン、ビニルナフタレン等をスチレンと併用することも可
能である。スチレン系共重合体において用いられる共役
ジエンとしては、イソプレン、１，３−ブタジエン、
２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペン
タジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられ、これら
のなかでも重合活性、経済性の面からイソプレン、１，
３−ブタジエンが好ましい。これらは単独で用いても良
いし、２種類以上併用して用いても良い。

【００１４】該スチレン−共役ジエン共重合体の構造と
しては、特に制限はないが、スチレン−共役ジエン−ス
チレンのトリブロック構造、あるいはさらに細分化した
マルチブロック構造、テーパー型構造、ランダム型構
造、ある中心点から放射状に分岐したラジアル型構造な
どを挙げることが出来る。また共役ジエン成分の割合も
特に制限はないが、これらのゴム成分を導入した水素化
スチレン−共役ジエン共重合体を用いると、水素化ポリ
スチレンに比べて靭性改善という効果は大きいが、一方
でゴム成分の導入量が多いほど剛性は低下する。従って
ポリカーボネートとの樹脂組成物の物性とのバランスを
勘案して共役ジエン成分量を決めることが推奨される。
好ましくは水素化前のスチレン−共役ジエン共重合体に
おける共役ジエン成分量が２０重量％以下、より好まし
くは１５重量％以下である。

【００１５】本発明の樹脂組成物に用いる水素化スチレ
ン系重合体として好適に用いられるものの一つとして、
水素化ポリスチレンが挙げられる。該樹脂は剛性が高
く、また前駆体であるポリスチレンは極めて安価であり
コスト面からも好ましい。水素化前の前駆体であるスチ
レン系重合体は、乳化重合、懸濁重合、溶液重合等公知
の方法により得ることが出来る。例えばスチレン−共役
ジエン共重合体の好ましい重合方法としては、有機リチ
ウム等を開始剤とするアニオン重合が挙げられる。かか
るアニオン重合において、重合反応は通常、炭化水素系
溶媒を使用して行われる。具体的にはペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素、
シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を挙げることが出
来る。かかる炭化水素系溶剤のなかでも、溶解性、反応
性の点でシクロヘキサンあるいはメチルシクロヘキサン
が好ましく使用される。

【００１６】上記炭化水素系溶媒に加えて、重合反応の
制御、共役ジエン部分のミクロ構造の制御等の目的で極
性溶媒を用いても良い。かかる極性溶媒としては、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエー
テル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のエーテル
類、トリエチルアミン、テトラエチルエチレンジアミン
等のアミン類、ホスフィン類等が挙げられる。これらの
重合触媒は、充分に乾燥して脱水したものを用いる必要
がある。

【００１７】アニオン重合の開始剤としては、一般に有
機リチウム化合物が用いられ、具体的にはエチルリチウ
ム、ｎ−プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、ｎ
−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ
−ブチルリチウム等が挙げられる。これらのなかでも入
手の容易さ、重合反応の開始能力等から、ｎ−ブチルリ
チウムあるいはｓｅｃ−ブチルリチウムが好ましく用い
られる。また有機リチウム化合物を用いた場合、重合温
度は、通常−２０℃〜１２０℃、好ましくは１０℃〜１
００℃の範囲である。重合は触媒および重合途中での重
合体の活性末端の失活を防ぐため、窒素やアルゴン等の
不活性雰囲気下で行う必要がある。重合反応は用いる開
始剤の濃度および種類によるが、通常は数分〜数時間で
終了し、ほぼモノマー仕込み比通り定量的に共重合体が
得られる。かかる重合工程においては、モノマーの添加
方法により様々な構造の共重合体を得ることが出来る。
例えば先に添加したモノマーがほぼ完全に反応した後に
次のモノマーを逐次添加することにより、ブロック共重
合体が得られる。

【００１８】かくして得られたスチレン系重合体の水素
化においても、公知の方法を用いることが出来る。本発
明において用いる水素化触媒は特に限定されず、芳香族
環を核水添することが可能な公知の触媒を使用すること
が出来る。具体的にはニッケル、パラジウム、白金、コ
バルト、ルテニウム、ロジウム等の貴金属またはその酸
化物、塩、錯体等の化合物をカーボン、アルミナ、シリ
カ、シリカ・アルミナ珪藻土等の多孔性担体に担持した
固体触媒が挙げられる。これらのなかでもニッケル、パ
ラジウム、白金をアルミナ、シリカ、シリカ・アルミナ
珪藻土に担持したものが反応性が高く好ましく用いられ
る。かかる水素化触媒は、その触媒活性によるが重合体
に対して０．５〜４０重量％の範囲で使用することが好
ましい。

【００１９】水添化反応条件は、通常水素圧２．９４〜
２４．５ＭＰa（３０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ²）、反応温
度７０〜２５０℃の範囲内で行われる。反応温度が低す
ぎると反応が進行しにくく、反応温度が高すぎると分子
鎖の切断による分子量の低下が起りやすくなる。分子鎖
の切断による分子量低下を防ぎかつ円滑に反応を進行さ
せるには、用いる触媒の種類および濃度、重合体の溶液
濃度、分子量等により適宜決定される適切な温度、水素
圧により水素化反応を行うことが好ましい。水素化反応
の際に用いられる溶媒は、水素化触媒の触媒毒とならな
い溶媒を選ぶことが好ましく、重合反応時の溶媒として
用いられるシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の
飽和脂肪族炭化水素を好適に挙げることが出来る。その
他に反応の活性を高める、あるいは分子鎖の切断による
分子量の低下を抑制する目的で、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、メチルｔ−ブチルエーテル等のエーテル
類、エステル類、アルコール類等の極性溶媒を、重合体
の溶解性を妨げない範囲内で上記溶媒に加えても良い。

【００２０】水素化反応工程では、重合体の濃度が３〜
５０重量％の範囲内で水素化反応を行うことが好まし
い。重合体の濃度が３重量％未満では、生産性、経済性
の面から好ましくなく、５０重量％以上であると溶液粘
度が上がりすぎ取り扱い面、また反応性の面からも好ま
しくない。水素化反応終了後は、遠心、濾過などの公知
の後処理方法により触媒の除去を行うことが出来る。水
素化触媒を除去した重合体溶液から、溶媒の蒸発留去、
ストリッピングあるいは再沈殿等の方法により水素化ス
チレン系重合体を得ることが出来る。

【００２１】上記の水素化反応はいわゆる核水添反応で
あり、スチレン由来の芳香族環はシクロヘキサン構造と
なる。本発明で用いる水素化スチレン系重合体では、芳
香族環の８０モル％以上が水素化されシクロヘキサン構
造となっていることが好ましい。水素化率が８０モル％
未満であると、未水添のポリスチレン部位が多くなるた
めガラス転移温度、あるいは溶融成形時の熱安定性が低
下する恐れがある。より好ましくは水素化率が９０モル
％以上である。かかる水素化反応条件下ではスチレン−
共役ジエン共重合体の場合、共役ジエン成分に由来する
二重結合はほぼ完全に水素化される。またこれらの水素
化率はＮＭＲ測定等の方法により求めることが出来る。

【００２２】また本発明で用いる水素化重合体の分子量
範囲は、その還元粘度(トルエン溶液中、０．５ｇ／ｄ
Ｌ、３０℃で測定した還元粘度を示す。以下同様)で示
すことが出来る。該還元粘度η_sp／ｃは０．１〜２ｄＬ
／ｇの範囲にあることが好ましく、より好ましくは０．
２〜１ｄＬ／ｇである。還元粘度が０．１ｄＬ／ｇより
小さい、すなわち重合体の分子量が極めて低いとそれを
用いた樹脂組成物の靭性が低下しがちで好ましくない。
また還元粘度が２ｇ／ｄＬより大きい、すなわち重合体
の分子量が高すぎるとそれを用いた樹脂組成物の溶融流
動性が低下しがちで好ましくない。

【００２３】本発明における水素化スチレン系重合体
は、２３℃での純水に浸した場合の飽和吸水率が０．０
５重量％以下であることが好ましく、０．０２重量％以
下であることがより好ましい。飽和吸水率が高いと、ポ
リカーボネートとのブレンドによる吸水率低減効果が充
分でなく、環境変化によるディスクの反り抑制の効果が
充分ではなくなる。

【００２４】本発明の樹脂組成物は、ポリカーボネート
樹脂（ａ）と水素化スチレン系重合体（ｂ）とから主と
してなるが、その両樹脂の重量比が（ａ）／（ｂ）＝５
０／５０〜９９／１の範囲にある。重量比が９９／１よ
り大きい、すなわち水素化スチレン系重合体の組成が１
重量％より少ないと、吸水率低下によるディスクの反り
抑制の効果が得られにくい。また重量比が５０／５０よ
り小さい、すなわち水素化スチレン系重合体の組成が５
０重量％より多いと、ポリカーボネートと充分に混練す
ることが難しくなりがちで成形基板表面に筋状の表面荒
れが発生していまい光ディスク基板としての使用が困難
になる。好ましい組成は、（ａ）／（ｂ）＝６０／４０
〜９５／５の範囲である。

【００２５】ポリカーボネート樹脂と水素化スチレン系
重合体を混合して樹脂組成物を調製する方法は特に制限
はなく、両樹脂を溶解させた溶液状態から溶媒を留去す
る、あるいは両樹脂を溶融混練する等公知の方法を用い
ることが出来る。一般に両樹脂の相溶性は極めて低いた
め、出来る限りよく混合させ組成物の相分離構造が細か
くなるようにすることが望ましく、２軸ルーダー等で溶
融混練する方法を好ましく挙げることが出来る。また両
樹脂と相溶性を有する相溶化剤を用いることも好まし
い。

【００２６】本発明の樹脂組成物には、溶融成形時の熱
安定性を向上させるため、イルガノックス１０１０、１
０７６（チバガイギー社製）等のヒンダードフェノール
系、スミライザーＧＳ，ＧＭ（住友化学社製）に代表さ
れる部分アクリル化多価フェノール系、イルガフォス１
６８（チバガイギー社製）等のホスファイト系に代表さ
れるりん化合物などの安定剤を加えることが好ましい。
また必要に応じて長鎖脂肪族アルコール、長鎖脂肪族エ
ステル等の離型剤、その他滑剤、可塑剤、紫外線吸収
剤、帯電防止剤等の添加剤を添加することが出来る。

【００２７】本発明における光ディスク基板は、従来公
知の光ディスク成形設備を使用して成形することが可能
である。成形条件は基板厚みや用いるスタンパーにもよ
るが、使用する材料にあわせて適時制御することが必要
である。また成形前には材料を充分乾燥して水分を除去
することが必要となる。

【００２８】成形時の溶融温度は、一般に水素化スチレ
ン系重合体の熱安定性はポリカーボネートよりも劣るた
め、水素化スチレン系重合体の熱安定性を考慮に入れて
決める必要がある。ポリカーボネートおよび水素化重合
体の種類、分子量にもよるが３００〜３６０℃の範囲が
好ましい。成形時の金型温度は、ディスクの転写性、離
型性および反りとのバランスを考慮して決められるが、
これらは使用するスタンパーの構造および樹脂組成物の
熱変形温度（ＨＤＴ）に大きな影響を受ける。一般に金
型温度が低いほうが反りの抑制の点では有利であるが、
転写性が悪くなり、金型温度が高いと転写性が良くなる
が、反りや金型からの離型性が悪くなる傾向にある。

【００２９】本発明の光ディスク基板は、その片面に少
なくとも１層の反射膜とその反射膜上に少なくとも１層
の透明保護層が形成されることにより、光ディスクとな
る。反射膜の材料としては、Ａｌ、Ａｕまたは、Ａｌの
合金などが挙げられ、イオンビームスパッタ法、ＤＣス
パッタ法等により形成される。通常かかる反射膜の上に
記録方式に応じて相変化記録膜、光磁気膜などの記録層
が設けられる。かかる相変化記録膜は、カルゴン化合物
あるいは単体のカルコゲン等によって形成することが出
来、例えば、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、ＧｅＴｅ、Ｓｂ₂Ｓ
ｅ₃、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、ＧｅＳｂＴｅ
Ｓｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｅ等のカルコゲナイト材料
が挙げられる。また透明保護層としては、ポリカーボネ
ートフィルム、水素化スチレン系重合体のフィルム等の
光学透明フィルムが挙げられ、その形成方法としては、
紫外線硬化樹脂を用い紫外線照射により接着する方法が
挙げられる。

【００３０】

【実施例】以下に実施例により本発明を詳述する。但
し、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。ポリスチレンの水素化時に使用した溶媒のシクロヘ
キサン、メチルｔ−ブチルエーテルは、特級の市販品を
そのまま用いた。Ｎｉ／シリカ・アルミナ触媒（Ｎｉ担
持率６５重量％）はＡｌｄｒｉｃｈより購入し、そのま
ま用いた。ポリスチレンの水素化率は、ＪＥＯＬ ＪＮ
Ｍ−Ａ−４００型核磁気共鳴吸収装置を用い、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲ測定により定量した。

【００３１】実施例及び比較例で行った各種物性測定、
成形は以下の方法で行ったものである。 １）ガラス転移温度（Ｔｇ）：ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔｓ製 ２９２０型ＤＳＣを使用し、昇温速度は２０℃
／分で測定した。 ２）熱変形温度（ＨＤＴ）：ＪＩＳ Ｋ−７２０７に準
拠し、荷重１８１．３Ｎ／ｃｍ²にて測定した。 ３）飽和吸水率：５０ｍｍφ、厚み３ｍｍの円板を２３
℃にてイオン交換水に浸漬し、７日後における重量変化
を測定した。 ４）アイゾット衝撃強度：（株）ＪＩＳ Ｋ−７１１０
に準拠し、上島製作所製ＵＦ ＩＭＰＡＣＴ ＴＥＳＴ
ＥＲを使用して、成形サンプルをノッチ付き、およびノ
ッチなしで衝撃試験を行い測定した。 ５）曲げ弾性率および曲げ強度：ＪＩＳ Ｋ−７２０３
に準拠し、以下手順により曲げ試験を行った。すなわち
（株）オリエンテック社製ＵＣＴ−１Ｔを使用し、試料
厚み３ｍｍ、試料幅１２ｍｍ、エッジスパン幅４６ｍ
ｍ、クロスヘッド速度２ｍｍ／分で３点曲げ測定を行
い、曲げ弾性率（ＧＰａ）および曲げ強度（ＭＰａ）を
算出した。

【００３２】６）ディスク成形：日精樹脂工業（株）製
射出成形機(型式「ＭＯ４０Ｄ３Ｈ」)を用い、グルーブ
深さ４０ｎｍ、グルーブピッチ３００ｎｍのランド・グ
ルーブ構造を有するブルーレーザー対応のスタンパーを
用いた。成形条件として、シリンダー温度３５０℃、金
型温度１２９℃（スタンパーのついた固定側金型）、１
２４℃（移動側金型）、冷却時間１５秒で成形を行っ
た。 ７）ディスクの転写性および表面観察：セイコー電子工
業(株)製の原子力間力顕微鏡(型式「ＳＦＡ−３００」)
を用い、中心から５８ｍｍの位置でのランドの深さ、ラ
ンド・グルーブ形状および表面状態を観察した。 ８）ディスク基板の反り：ＪＩＳ Ｘ６２４３に準じ
て、ディスクの半径方向の角度偏差（ラジアルチルト、
α°）を測定した。ディスクの各点で測定した反り角の
絶対値の最大値のものを示す。

【００３３】［製造例１］容量１０Ｌのステンレス製オ
ートクレーブで、ポリスチレンのホモポリマー(ＢＡＳ
Ｆ社製 Ｔｙｐｅ１５８Ｋ、重量平均分子量２８０，０
００)８００ｇをシクロヘキサン２４００ｇ、メチルｔ
−ブチルエーテル８００ｇの混合溶媒に溶解させ、Ｎｉ
／シリカ・アルミナ触媒（Ｎｉ担持量６５重量％）１０
０ｇを加え、水素圧９．８１ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ
²）、温度１８０℃で６時間水添反応を行った。常温に
戻し窒素置換を充分行った後、溶液をオートクレーブよ
り取り出して孔径０．１ミクロンのメンブランフィルタ
ー（住友電工（株）製「フルオロポア」）を用いて加圧
濾過を行ったところ、無色透明な溶液が得られた。この
透明な溶液に、安定剤としてスミライザーＧＳ（住友化
学工業（株）社製）を重合体に対して０．４重量％加え
た後、溶液の減圧濃縮、フラッシングを行い溶媒を留去
してペレット化し、無色透明な水素化ポリスチレンのペ
レットを得た。かかる樹脂の濃度０．５ｇ／ｄＬのトル
エン溶液中、３０℃で測定した還元粘度η_sp／ｃは０．
５０ｄＬ／ｇであった。また¹Ｈ−ＮＭＲで測定した芳
香族環の水素化率は９９．２％であった。

【００３４】［実施例１］帝人化成（株）製のポリカー
ボネート（パンライトＡＤ５５０３）のペレット（ａ）
と製造例１で得た水素化ポリスチレンのペレット（ｂ）
とをその重量比が（ａ）／（ｂ）＝８０／２０となるよ
うに混合した。次いで２軸ルーダーを用いて混合ペレッ
トを温度２８０℃で溶融混練しながら押し出し、目的の
樹脂組成物のペレットを得た。かかる樹脂組成物の各種
物性を測定するためを、日精樹脂工業(株)製の射出成形
機(型式「ＰＳ２０Ｅ２Ａ」)を用いてシリンダー温度３
２０℃、金型温度６０℃で射出成形を行い、白濁した成
形品を得た。物性測定結果を表１に示す。ポリカーボネ
ートのみの場合と比べ飽和吸水率（％）は下がり、また
剛性の指標である曲げ弾性率（ＧＰａ）は高くなった。

【００３５】この成形とは別に、この樹脂組成物ペレッ
トを日精樹脂工業（株）製射出成形機(型式「ＭＯ４０
Ｄ３Ｈ」)を用いて、１２０ｍｍφ、厚み１．２ｍｍの
ディスク成形を行った。得られたディスク基板は、ＡＦ
Ｍ測定にて深さ、形状ともほぼスタンパーのランド・グ
ルーブ構造通りに転写されており、また基板表面の平滑
性も高いことが分かった。

【００３６】かかるディスク基板のスタンパー面に、ス
パッタリングによりアルミニウム薄膜を蒸着させた後、
その上に日本化薬(株)製のＵＶ硬化樹脂（商品名「ＫＡ
ＲＡＹＡＤ ＫＣＤ−８０５」）をスピンコートにより
塗布し、さらにその上に溶液製膜により得られた厚み７
０μｍのポリカーボネートフィルムを貼り合せＵＶキュ
アにより接着させた。該処理により得られた光ディスク
を温度２３℃、湿度５０％ＲＨで３日間放置した後、半
径方向の反り（α°）を測定した。次にかかる光ディス
クを温度４０℃、湿度９０％ＲＨの雰囲気下で１００時
間置いた後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの雰囲気下に
取り出してから５時間後に再び半径方向のディスクの反
りを測定し、最初の反り量との変化量（％）を求めた。
これらの反り測定結果（「成形または各種製膜後の反
り」と「吸湿処理後の変化量」）を表１に示す。

【００３７】［実施例２］帝人化成（株）製のポリカー
ボネート（パンライトＡＤ５５０３）のペレット（ａ）
と製造例１で得た水素化ポリスチレンのペレット（ｂ）
とをその重量比が（ａ）／（ｂ）＝９０／１０となるよ
うに混合した他は、全て実施例１と同様に樹脂組成物の
調製、物性測定サンプルの成形を行った。成形物の物性
を表１に示す。また実施例１と同様にして該樹脂組成物
のディスク成形およびその後のディスク基板処理を行っ
た。得られたディスク基板は、ＡＦＭ測定にて深さ、形
状ともほぼスタンパー通り転写されており、また基板表
面の平滑性も高いことが分かった。かかるディスク基板
を実施例１と同様にしてスパッタリング後、透明保護膜
を貼り合せて光ディスクを作成し、さらに実施例１と同
様に吸湿処理を行い、初期のディスクの反りおよび処理
後の反りの変化量を測定した。結果を表１に示す。

【００３８】［比較例１］帝人化成（株）製のポリカー
ボネート（パンライトＡＤ５５０３）を実施例１と同様
に物性測定サンプルの成形、ディスク成形およびその後
のディスク基板処理を行った。成形物の物性測定結果を
表１に示す。得られたディスク基板は、ＡＦＭ測定にて
深さ、形状ともほぼスタンパー通り転写されており、ま
た基板表面の平滑性も高いことが分かった。スパッタリ
ング、透明保護膜貼り合せ後の光ディスクを実施例１と
同様に吸湿処理を行い、初期のディスクの反りおよび処
理後の反りの変化量を測定した。結果を表１に示す。

【００３９】

【表１】

【００４０】表１から、本発明の樹脂組成物を用いた光
ディスク基板では、吸湿性が低く、ディスク基板の反り
も小さく、さらに剛性も優れていることがわかる。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、ポリカーボネートと水
素化スチレン系重合体からなる新規な樹脂組成物が提供
される。かかる樹脂組成物は光ディスク基板材料として
用いた場合に、ポリカーボネート単独の場合と比べて、
吸水性が低く環境変化によるディスクの反りが少ない、
また剛性が高くディスク回転時における基板の変形が少
ないという高密度記録用光ディスク基板として優れた特
性を有している。従って、基板上に形成される記録面側
からレーザー光の入射、読み取りを行う新方式の光ディ
スク基板用の材料として好適に用いられる。

フロントページの続き (72)発明者 鈴木 和富 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 (72)発明者 松村 俊一 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J002 AC11X BC01X BP01X CG00W CG01W CG02W CG03W FD03 GS02 5D029 KA16 KB14

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリカーボネート樹脂（ａ）と水素化ス
   チレン系重合体（ｂ）とから主としてなる樹脂組成物で
   あって、その重量比が（ａ）／（ｂ）＝５０／５０〜９
   ９／１の範囲にあることを特徴とする樹脂組成物。
2. 【請求項２】 ポリカーボネート樹脂（ａ）が、主とし
   て２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを
   ビスフェノール成分とする芳香族ポリカーボネートであ
   る請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 【請求項３】 水素化スチレン系重合体（ｂ）が、ポリ
   スチレンの芳香族環の８０モル％以上を水素化して得ら
   れる水素化ポリスチレンである請求項１または２に記載
   の樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の樹脂
   組成物を用いた光ディスク基板。
5. 【請求項５】 樹脂基板上に、少なくとも１層の反射膜
   と該反射膜上に少なくとも１層の透明保護層が形成さ
   れ、レーザー光が該透明保護層側から入射して該樹脂基
   板上あるいは該樹脂基板上に形成された記録層上におけ
   る情報の読み取りおよび／または書き込みを行うことを
   特徴とする光ディスクに用いられる、基板の厚みが０．
   ３〜１．２ｍｍの範囲にある請求項４に記載の光ディス
   ク基板。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の光ディスク基板を用い
   た光ディスク。