JP2002212380A - 水素化芳香族ビニル系共重合体組成物およびそれを用いた光ディスク用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶融流動性が高く、靭性があり、かつ弾性率
が高い特性を有する水素化芳香族ビニル系共重合体組成
物を提供する。 【解決手段】 芳香族ビニル化合物−共役ジエンブロッ
ク共重合体を水素化して得られた重合体７５〜９７重量
％と、重量分子量２,０００〜１０,０００の範囲にある
芳香族ビニル共重合体中の芳香環の５０モル％以上が水
素化して得られた重合体２５〜３重量％からなる共重合
体組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、水素化芳香族ビニ
ル系ブロック共重合体を用いた樹脂組成物に関する。よ
り詳しくは、透明性、力学強度、剛性、耐熱性、成型性
に優れた光学部品用材料、特に光ディスク用基板に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク用基板、光学用レンズ等の光
学部品に用いられるプラスチックには、透明性の他に、
光学等方性（低複屈折性）、寸法安定性、耐候性、熱安
定性等の様々な特性が要求される。従来これらの光学用
途には、ポリカーボネートあるいはポリメタクリル酸メ
チルが主として用いられてきたが、ポリカーボネートは
固有複屈折率が大きく成形物に光学異方性が生じやすい
こと、またポリメタクリル酸メチルは吸水率が極めて高
いため寸法安定性に乏しいこと、また耐熱性も低いこと
が問題点となっていた。現在の光ディスク用基板にはポ
リカーボネートが専ら用いられているが、近年光磁気記
録ディスク（ＭＯＤ）の大容量化、あるいはデジタル多
用途ディスク、ブルーレーザーの開発に代表される記録
密度の高密度化の進展に伴い、かかるポリカーボネート
の複屈折率の大きさ、吸湿によるディスクの反りの問題
が懸念されるようになってきている。

【０００３】かかる状況から、近年ポリカーボネートの
代替材料として非晶性ポリオレフィンと呼ばれるポリオ
レフィン系樹脂の開発が盛んである。これらの一例とし
てポリスチレンの芳香環を水素添加により水素化し、ポ
リビニルシクロヘキサン構造とした水素化ポリスチレン
が提案されている（特公平７−１１４０３０号公報な
ど）。かかる樹脂は、他の非晶性ポリオレフィンに比べ
て安価に製造できるという大きな利点を有するが力学的
に脆いという欠点がある。この欠点の改善を目指したも
のとして、スチレンにイソプレンやブタジエンといった
共役ジエンをブロック共重合させ、すなわちゴム成分を
導入したスチレン−共役ジエンブロック共重合体の水素
化物を光ディスク用基板をはじめとする光学部品用材料
として用いる例が報告されている（特許２７３００５３
号公報、特許２７２５４０２号公報）。かかる水素化ス
チレン−共役ジエンブロック共重合体は、ある程度の量
のゴム成分を導入することにより力学的な靭性を改善す
る効果があるが、ゴム成分の量すなわち共役ジエン成分
量が多くなると耐熱性や剛性の低下、またその凝集によ
り相分離を起こし透明性が低下する恐れがある。

【０００４】一方、近年光ディスクの回転スピードはま
すます上昇する傾向にあり、反り、変形等の問題から樹
脂の剛性、すなわち弾性率の高い樹脂が求められてい
る。この樹脂の弾性率という要求特性を考慮すると共役
ジエン成分をあまり多く導入するのも難しく、共役ジエ
ン成分量を増やすことにより靭性を出来るだけ上げ、そ
の一方で分子量を下げることにより溶融流動性を高める
という手法にも限界がある。

【０００５】すなわち水素化スチレン−共役ジエンブロ
ック共重合体を用いた場合、成型物の靭性を維持しなが
ら溶融流動性を上げることは、ゴム成分、すなわち共役
ジエン成分量を増やすことにより充分達成可能である
が、さらに該樹脂の弾性率までも考え合わせると、光デ
ィスク基板用材料として好適なものは未だ得られていな
いのが現状である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、水素
化芳香族ビニル系共重合体組成物に関し、光ディスク基
板用材料、特に高密度の光ディスク用基板として要求特
性に応え得るような材料を提供することにある。より詳
しくは、溶融流動性が高く、靭性があり、かつ弾性率が
高い、という特性を有する材料を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、水素化芳
香族ビニル系共重合体組成物として、低分子量成分と高
分子量成分とのブレンド体に着目し検討を行ったとこ
ろ、低分子量成分、高分子量成分それぞれの分子量、ゴ
ム成分の割合、両者のブレンド比率をある範囲内で適切
に組み合わせることにより樹脂の溶融流動性が高く、な
おかつ力学強度にも優れ、さらに弾性率も高いものが得
られることを見出し、本発明に到達した。

【０００８】すなわち本発明は、芳香族ビニル化合物−
共役ジエンブロック共重合体中の共役ジエン化合物に由
来する全二重結合、および芳香環の９９モル％以上を水
素化して得られる重合体７５〜９７重量％と、重量平均
分子量が２，０００〜１０，０００の範囲にある芳香族
ビニル（共）重合体中の芳香環の５０モル％以上を水素
化して得られる重合体２５〜３重量％からなることを特
徴とする樹脂組成物である。本発明の樹脂組成物は、光
ディスク用基板などの光学記録材料用途に好適に用いら
れる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
本発明において用いられる芳香族ビニル化合物−共役ジ
エンブロック共重合体とは、芳香族ビニル化合物と共役
ジエン化合物のブロック共重合体のことである。芳香族
ビニル化合物としては、スチレン誘導体、ビニルナフタ
レン誘導体、ビニルフェナントレン誘導体、ビニルピレ
ン誘導体が好ましく挙げることができ、具体的にはスチ
レン、α−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−
メチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルフェナント
レン、ビニルピレン等が挙げられる。これらのなかでも
重合活性、経済性の面からスチレン、α−メチルスチレ
ン、４−メチルスチレン、２−メチルスチレン等のスチ
レン誘導体を用いるのが好ましい。さらにスチレンを用
いるのが最も好ましい。これらは単独で用いてもよい
し、２種類以上併用することも可能である。

【００１０】また共役ジエン化合物としては、イソプレ
ン、１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−
ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジ
エン等が挙げられ、これらのなかでも重合活性、経済性
の面からイソプレン、または１，３−ブタジエンが好ま
しい。これらは単独で用いても良いし、２種類以上併用
して用いても良い。

【００１１】このブロック共重合体において、共役ジエ
ン化合物の割合は、ブロック共重合体の全重量に対して
１〜２０重量％の範囲にあることが好ましい。耐衝撃性
等の靭性に関する力学特性を向上させる観点からは、共
役ジエン化合物が出来るだけ多いほうが良いが、あまり
多すぎると弾性率が低下し、また共役ジエン化合物が凝
集し、または結晶化が起こりやすくなり成型物の透明性
が低下するため、好ましくない。より好ましくは共役ジ
エン化合物が２〜１５重量％である。

【００１２】このようなブロック共重合体は、有機リチ
ウムを開始剤とするアニオン重合等の公知の方法により
重合することが出来る。

【００１３】かかる重合方法において、重合反応は通
常、炭化水素系溶媒を使用して行われる。具体的にはペ
ンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂
肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチ
ルシクロヘキサン、シクロオクタン等の脂環族炭化水
素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
を挙げることが出来る。かかる炭化水素系溶媒のなかで
も、溶解性、反応性の点でシクロヘキサンあるいはメチ
ルシクロヘキサンが好ましく使用される。

【００１４】上記炭化水素系溶媒に加えて、重合反応の
制御、共役ジエン化合物部分のミクロ構造の制御等の目
的で極性溶媒を用いても良い。

【００１５】重合に用いられるアニオン重合開始剤とし
ては、一般に有機リチウム化合物が用いられ、具体的に
はエチルリチウム、ｎ−プロピルリチウム、イソプロピ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチ
ウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。これ
らのなかでも入手の容易さ、重合反応の開始能力等か
ら、ｎ−ブチルリチウムあるいはｓｅｃ−ブチルリチウ
ムが好ましく用いられる。

【００１６】かかる重合工程において、芳香族ビニル化
合物と共役ジエン化合物とをどのように共重合させるか
によって、最終的に得られる共重合体の構造が異なって
くる。本発明では、芳香族ビニル化合物−共役ジエン化
合物−芳香族ビニル化合物の３元共重合体構造をとるブ
ロック共重合体が成型物の力学強度が優れているという
点から好ましく挙げることが出来る。また本発明では各
共重合成分がその境界で混じり合った形で重合した、い
わゆるテーパー型ではなく、出来る限り完全に分離した
形であるブロック共重合体であることが、成型物内のゴ
ム成分となる共役ジエン化合物の相分離構造を明確に
し、耐熱性、弾性率、靭性の低下を抑制するという観点
から好ましい。かかる構造を形成せしめるには、芳香族
ビニル化合物をまず重合させ、次に共役ジエン化合物、
最後に芳香族ビニル化合物を順に重合反応系に添加して
いけば良く、それぞれの重合工程において、前に添加し
たモノマー化合物がほぼ完全に反応した後に次のモノマ
ー化合物を添加することによって得ることができる。

【００１７】本発明において該ブロック共重合体は、共
役ジエン化合物に由来する全二重結合および芳香環を水
素化することにより用いられる。水素化反応は、重合反
応後の共重合体をいったん単離してから行っても良い
が、重合反応後の溶液状態のまま行うことが可能であり
経済的な面からも好ましい。本発明において用いる水素
化触媒は特に限定されず、芳香環を核水添することが可
能な公知の触媒を使用することが出来る。具体的にはニ
ッケル、パラジウム、白金、コバルト、ルテニウム、ロ
ジウム等の貴金属またはその酸化物、塩、錯体等の化合
物をカーボン、アルミナ、シリカ、シリカ・アルミナ、
珪藻土等の多孔性担体に担持した固体触媒が挙げられ
る。これらのなかでもニッケル、パラジウム、白金をア
ルミナ、シリカ、シリカ・アルミナ、珪藻土に担持した
ものが反応性が高く好ましく用いられる。かかる水素化
触媒は、その触媒活性によるが共重合体に対して０．５
〜４０重量％の範囲で使用することが好ましい。

【００１８】水添化反応条件は、通常水素圧２．９４〜
２４．５３ＭＰａ（３０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ²）、反
応温度７０〜２５０℃の範囲内で行われる。反応温度が
低すぎると反応が進行しにくく、反応温度が高すぎると
分子鎖の切断による分子量の低下が起りやすくなる。分
子鎖の切断による分子量低下を防ぎかつ円滑に反応を進
行させるには、用いる触媒の種類および濃度、共重合体
の溶液濃度、分子量等により適宜決定される適切な温
度、水素圧により水素化反応を行うことが好ましい。

【００１９】水素化反応の際に用いられる溶媒は、水素
化触媒の触媒毒とならない溶媒を選ぶことが好ましく、
重合反応時の溶媒として用いられるシクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン等の飽和脂肪族炭化水素を好適に挙
げることが出来る。その他に反応の活性を高める、ある
いは分子鎖の切断による分子量の低下を抑制する目的
で、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルｔ−ブチ
ルエーテル等のエーテル類、エステル類、アルコール類
等の極性溶媒を、共重合体の溶解性を妨げない範囲内で
上記溶媒に加えても良い。

【００２０】本発明では上記の溶媒系で、共重合体の濃
度が３〜５０重量％の範囲内で水素化反応を行うことが
好ましい。共重合体の濃度が３重量％未満では、生産
性、経済性の面から好ましくなく、５０重量％以上であ
ると溶液粘度が上がりすぎ取り扱い面、また反応性の面
からも好ましくない。

【００２１】上記の水素化反応はいわゆる核水添反応を
含む反応であり、共重合体中の共役ジエン化合物由来の
二重結合は完全に水素化され、一方芳香族ビニル化合物
由来の芳香環はシクロヘキサン構造となる。かかるブロ
ック該共重合体の芳香環の水素化率は９９モル％以上で
ある。水素化率が９９モル％未満であると、得られる水
素化ブロック共重合体の透明性の低下、耐熱性の低下、
成型体の複屈折率の増大等の問題があり好ましくない。

【００２２】水素化反応終了後は、遠心分離、濾過など
の公知の後処理方法により触媒の除去を行うことが出来
る。光学記録材料用途等に用いる本発明では、共重合体
内の残留触媒金属成分は出来る限り少なくする必要があ
り、かかる残留触媒金属量が１０ｐｐｍ以下が好まし
く、より好ましくは１ｐｐｍ以下である。水素化触媒を
除去した重合体溶液から、溶媒の蒸発留去、フラッシン
グあるいは再沈殿等の方法により目的とする水素化ブロ
ック共重合体を得ることが出来る。

【００２３】また水素化後の重量平均分子量（Ｍｗ）は
４０，０００〜４００，０００であることが好ましい。
ここでＭｗとはゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の重量平均分
子量のことを表す。このＭｗが４０，０００よりも低い
と、該組成物の靭性を保持することは困難となり好まし
くなく、また４００，０００よりも高いと、靭性は高く
なるが溶融流動性の高いものが得られなくなり好ましく
ない。より好ましくは、Ｍｗが５０，０００〜３００，
０００の範囲である。

【００２４】本発明において用いられる芳香族ビニル
（共）重合体とは、芳香族ビニル化合物を、または芳香
族ビニル化合物およびこれと共重合可能な単量体とを重
合したものである。

【００２５】該芳香族ビニル化合物としては、水素化ブ
ロック共重合体の製造で用いたスチレン誘導体、ビニル
ナフタレン誘導体、ビニルフェナントレン誘導体、ビニ
ルピレン誘導体が好ましく挙げることができ、具体的に
はスチレン、α−メチルスチレン、４−メチルスチレ
ン、２−メチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルフ
ェナントレン、ビニルピレン等が挙げられる。これらの
なかでも重合活性、経済性の面からスチレン、α−メチ
ルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルスチレン
等のスチレン誘導体を用いるのが好ましい。さらにスチ
レンを用いるのが最も好ましい。すなわち芳香族ビニル
（共）重合体としてポリスチレンを用いるのが最も好ま
しい。これらは単独で用いても良いし、２種類以上併用
して用いても良い。また芳香族ビニル化合物と共重合可
能な単量体としては、ラジカル重合、アニオン重合、カ
チオン重合等の重合法において芳香族ビニル化合物と共
重合可能なものであれば特に制限はない。例えば、１，
３−ブタジエン、イソプレン、アクリル酸、アクリル酸
エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、アク
リロニトリル、メタアクリロニトリル等が挙げられる。

【００２６】該（共）重合体において、水素化前の芳香
族ビニル化合物の割合は、８０〜１００重量％の範囲に
あることが好ましい。８０重量％よりも低くなると前述
の水素化芳香族ビニル化合物−共役ジエンブロック共重
合体との相溶性が悪くなり成型物の透明性が低下するた
め好ましくない。より好ましくは芳香族ビニル化合物の
割合が９０〜１００重量％である。

【００２７】本発明において該（共）重合体は、前述し
た方法と同様の方法で水素化したものが用いられる。か
かる（共）重合体の芳香環の水素化率は５０モル％以
上、好ましくは７０モル％以上、より好ましくは８０モ
ル％以上である。水素化率が５０モル％未満では水素化
ブロック共重合体との相溶性が悪くなり成型物の透明性
が低下するため好ましくない。

【００２８】また水素化後の重量平均分子量（Ｍｗ）は
２，０００〜１０，０００、好ましくは３，０００〜
６，０００の範囲である。Ｍｗが２，０００よりも低い
と、成型物の靭性が低下し、さらに成型時に金型などの
汚染が起こりやすくなるため好ましくなく、また１０，
０００よりも高いと、靭性は高くなるが溶融流動性の高
いものが得られなくなり好ましくない。

【００２９】本発明における共重合体組成物の組成比
は、水素化ブロック共重合体（ａ）と水素化芳香族ビニ
ル（共）重合体（ｂ）それぞれの分子量、共役ジエン化
合物量を勘案して決められるが、重量比で（ａ）／
（ｂ）＝７５／２５〜９７／３、好ましくは（ａ）／
（ｂ）＝８０／２０〜９５／５の範囲である。水素化芳
香族ビニル重合体（ｂ）がこの範囲より少ないと溶融流
動性が高くなりすぎて好ましくなく、逆に多すぎると靭
性を維持することが困難となる。

【００３０】かかる両成分をブレンドする方法について
は特に制限はなく、予め単離した重合体同士を押出機等
により溶融混錬する、あるいは溶液状態で混合した後、
脱溶媒する等の既知の方法を用いることができる。

【００３１】本発明の共重合体組成物には、溶融成型時
の熱安定性を向上させるため、イルガノックス１０１
０、１０７６（チバガイギー社製）等のヒンダードフェ
ノール系、スミライザーＧＳ，ＧＭ（住友化学社製）に
代表される部分アクリル化多価フェノール系、イルガフ
ォス１６８（チバガイギー社製）等のホスファイト系等
に代表される安定剤を加えることが好ましい。また必要
に応じて長鎖脂肪族アルコール、長鎖脂肪族エステル等
の離型剤、その他滑剤、可塑剤、紫外線吸収剤、帯電防
止剤等の添加剤を添加することが出来る。

【００３２】本発明における光ディスク基板は、従来公
知の光ディスク成型設備を使用して製造することが可能
である。成型条件は基板厚みや記録密度、使用するスタ
ンパーにもよるが、使用する材料にあわせて適宜制御す
ることが必要である。

【００３３】一般的な成型時の溶融温度としては本発明
の共重合体組成物の（ガラス転移温度＋１５０）℃〜
（ガラス転移温度＋２１０）℃、例えば水素化ポリスチ
レンを使用する場合には、３００〜３６０℃とするのが
好ましい。（ガラス転移温度＋１５０）℃より溶融温度
が低い場合には、樹脂の溶融粘度が高すぎるため良好な
転写性を実現できない。また、（ガラス転移温度＋２１
０）℃を越える溶融温度で成型する場合には、溶融時の
熱劣化が激しいため、靭性が不足し、金型からの取り出
し時に破損する恐れが出てくる。成型時の溶融温度はよ
り好ましくは該共重合体組成物の（ガラス転移温度＋１
６０）℃〜（ガラス転移温度＋２００）℃である。

【００３４】成型時の金型温度は、使用する該共重合体
組成物の熱変形温度（ＨＤＴ）を考慮することが好まし
く、（ＨＤＴ−４０）℃〜（ＨＤＴ＋３０）℃程度の範
囲が好ましい。これは使用するスタンパーの構造にもよ
るところが大きく、転写性と反りや型離れとのバランス
で決められる。金型温度は低いほうが反りの点で有利で
あるが転写は困難となり、金型温度が高すぎると転写性
は良くなるが型離れや反りは悪化する。

【００３５】本発明の光ディスク基板は、その目的に応
じた記録層、反射層、保護層等を設けた後、場合に応じ
て貼り合わされ、光ディスクとして利用される。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、低分子量成分と高分子
量成分からなる水素化芳香族ビニル系共重合体組成物が
提供される。該共重合体組成物は、透明性、剛性、力学
強度、耐熱性に優れ、なおかつ成型性にも優れるため、
光ディスク基板用材料として好適に用いることが出来
る。

【００３７】

【実施例】以下に実施例により本発明を詳述する。但
し、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。

【００３８】実施例及び製造例で行った各種物性測定は
以下の方法で行ったものである。 １）ガラス転移温度（Ｔｇ）：ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔｓ製 ２９２０型ＤＳＣを使用し、昇温速度は２０℃
／分で測定した。 ２）還元粘度：濃度０．５ｇ／ｄＬのトルエン溶液の３
０℃における還元粘度η_sp／ｃをウベローデ粘度管を用
いて測定した。 ３）重量平均分子量：ゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー（昭和電工（株）製ＧＰＣ、Ｓｈｏｄｅｘ Ｓ
ｙｓｔｅｍ−１１）により、ＴＨＦを溶媒として測定
し、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗを求めた。 ４）水素化率：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−Ａ−４００型核磁気
共鳴吸収装置を用い、¹Ｈ−ＮＭＲ測定により定量し
た。 ５）溶融粘度：（株）島津製作所製高下式フローテスタ
ーを用いて測定し、３００℃においてシェアレートが１
０³ｓ^-1における溶融粘度を算出した。 ６）全光線透過率：（株）島津製作所製紫外可視分光器
（ＵＶ−２４０）を使用した。 ７）ヘイズ値：日本電色工業（株）製自動デジタルヘイ
ズメーターＵＤＨ−２０Ｄを使用した。 ８）アイゾット衝撃強度：（株）ＪＩＳ Ｋ−７１１０
に準拠し、上島製作所製ＵＦ ＩＭＰＡＣＴ ＴＥＳＴ
ＥＲを使用して、成型サンプルをノッチ付きとノッチな
しで衝撃試験を行った。 ９）曲げ弾性率：オリエンテック社製ＵＣＴ−１Ｔを使
用し、試料厚み３ｍｍ、試料幅１２ｍｍ、エッジスパン
幅４６ｍｍ、クロスヘッド速度２ｍｍ／分で３点曲げ測
定を行い、算出した。 １０）試験片の成型：射出成型機（名機製作所（株）製
Ｍ５０Ｂ）により成型した。 １１）ディスク成型：射出成型機（日精樹脂工業（株）
製 ＭＯ４０Ｄ３Ｈ）により、ＤＶＤ用の金型とランド
−グルーブ構造を有するスタンパー（容量２．６ＧＢ）
を使用し、０．６ｍｍ厚のディスク基板を射出圧縮成型
により成型した。 １２）転写性：原子間力顕微鏡（セイコー電子工業
（株）製 ＳＦＡ−３００）を用いランド−グルーブ構
造の転写を観察し、スタンパーのランド長と基板のラン
ド長を比較することにより評価した。

【００３９】［製造例１：低分子量の水素化ポリスチレ
ンＡの合成］スチレン重合体（三洋化成工業（株）製
「ハイマーＳＴ−９５」）９５０重量部をシクロヘキサ
ン３２５０重量部に溶解し、このポリマー溶液をステン
レス製オートクレーブに仕込み、続いてメチルｔ−ブチ
ルエーテル６５０重量部、ニッケル／シリカ・アルミナ
触媒（アルドリッチ製 Ｎｉ担持量６５重量％）８０重
量部を加え、水素圧９．８１ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ
²）、温度１８０℃で３時間水添反応を行った。常温に
戻し窒素置換を充分行った後、溶液をオートクレーブよ
り取り出して公称孔径０．１ミクロンのメンブランフィ
ルター（住友電工（株）製「フルオロポア」）を用いて
加圧濾過を行ったところ、無色透明な溶液が得られた。
得られた水素化ポリスチレンＡの物性は、水素化率９
９．９モル％、還元粘度η_sp／ｃは０．０６ｄＬ／ｇ、
重量平均分子量Ｍｗは５，５００であった。

【００４０】［製造例２：低分子量の水素化ポリスチレ
ンＢの合成］水素化触媒をパラジウム／カーボン触媒
（アルドリッチ製 Ｐｄ担持量５重量％）７０重量部、
水添反応温度を２００℃とする以外は製造例１と同様に
して水素化ポリスチレンＢを製造した。得られた水素化
ポリスチレンＢの物性は、水素化率７７．９モル％、還
元粘度η_sp／ｃは０．０６ｄＬ／ｇ、重量平均分子量Ｍ
ｗは５，４００であった。

【００４１】［製造例３：高分子量の水素化スチレン−
イソプレントリブロック共重合体Ｃの合成］ステンレス
製オートクレーブの内部を充分に乾燥し、窒素置換した
後、スチレン１８５重量部、脱水シクロヘキサン９６５
重量部の溶液を仕込んだ。続いてｎ−ブチルリチウムを
スチレン１モルに対して１．０４×１０^-3モルに相当す
る量を濃度１．５７Ｍのシクロヘキサン溶液の形で加え
て重合を開始させた。温度５０℃で２時間攪拌してスチ
レンを完全に反応させた後、イソプレン４２重量部、シ
クロヘキサン８０重量部の溶液を加えてさらに５０℃で
２時間反応させた。次いでスチレン１７９重量部、シク
ロヘキサン６４０重量部の溶液を加えさらに５０℃で２
時間反応させた。この後イソプロパノール２重量部を加
えて反応を停止させた。一部サンプリングした後、この
共重合体溶液を水素化反応時間を４時間とする以外は製
造例１と同様にして水添反応を行った。得られた水素化
トリブロック共重合体Ｃはイソプレン成分含量が９．９
重量％、水素化率が９９．９モル％、また還元粘度η_sp
／ｃは０．６８ｄＬ／ｇ、重量平均分子量Ｍｗは２１
９，０００であった。

【００４２】［製造例４：高分子量の水素化スチレン−
イソプレントリブロック共重合体Ｄの合成］最初の仕込
み量を、スチレン１６５重量部、シクロヘキサン９８０
重量部に、ｎ−ブチルリチウムをスチレン１モルに対し
て１．３×１０^-3モルに相当する量に、次に加えるイソ
プレンを６６重量部、シクロヘキサンを１０３重量部
に、さらにその次に加えるスチレンを１６９重量部、シ
クロヘキサンを９１３重量部に変更した他は、製造例３
と同様にして水素化スチレン−イソプレントリブロック
共重合体を製造した。得られた水素化トリブロック共重
合体Ｄは、イソプレン成分含量が１６．０重量％、水素
化率が９９．９モル％であり、また還元粘度η_sp／ｃは
０．７０ｄＬ／ｇ、ＧＰＣ測定による重量平均分子量Ｍ
ｗは１８３，０００であった。

【００４３】［実施例１］製造例１で得られた水素化ポ
リスチレンＡの溶液と、製造例３で得られた水素化スチ
レン−イソプレントリブロック共重合体Ｃの溶液とを、
その共重合体の重量比がＡ／Ｃ＝１５／８５となるよう
に両者を混合し、安定剤として「スミライザーＧＳ」
（住友化学社製）を全重合体に対して０．３重量％加え
た。かかる混合溶液を減圧濃縮、フラッシングを行い溶
媒を留去して塊状の無色透明な共重合体組成物を得た。
該共重合体組成物のＴｇは１３８℃、温度３００℃で測
定した溶融粘度はシェアレート１０³ｓ^-1で１０４Ｐａ
・ｓであった。次いで溶融温度３００℃、金型温度７０
℃で射出成型を行い、物性測定用の各種成型物を得た。
該成型により得られた厚み２ｍｍの円板の全光線透過率
は９０．９％、ヘイズ値は１．５％であり、光ディスク
基板用材料として充分に透明性の高いものであった。ま
たアイゾット衝撃試験により成型物の衝撃強度を測定し
たところ、２．３ｋＪ／ｍ²（ノッチ付き）、９．７ｋ
Ｊ／ｍ²（ノッチなし）であった。また３点曲げ試験方
法により測定した曲げ弾性率は２．３ＧＰａであった。

【００４４】さらに同様にして得られた共重合体組成物
を使用して、溶融温度３２０℃、射出圧縮成型用金型温
度は可動側１１３℃、固定側１１８℃として、光ディス
ク基板の１種であるＤＶＤ−ＲＡＭディスクの成型を行
ったところ、ランド−グルーブの転写性は良好であっ
た。これらの結果を表１に示す。

【００４５】［実施例２］製造例２で得られた水素化ポ
リスチレンＢの溶液と、製造例４で得られた水素化スチ
レン−イソプレントリブロック共重合体Ｄの溶液とを、
その共重合体の重量比がＢ／Ｄ＝１５／８５となるよう
に両者を混合し、実施例１と同様にして共重合体組成物
を得た。該共重合体組成物の物性および成型した成型物
の物性を表１に示した。

【００４６】［比較例１］製造例３で得られた水素化ス
チレン−イソプレントリブロック共重合体Ｃの溶液に、
安定剤として「スミライザーＧＳ」（住友化学社製）を
共重合体組成物に対して０．３重量％加えた。かかる混
合溶液の減圧濃縮、フラッシングを行い溶媒を留去して
塊状の無色透明な共重合体組成物を得た。かかる共重合
体組成物の物性および実施例１と同様にして成型した成
型物の物性を表１に示した。

【００４７】低分子量の水素化ポリスチレンを含有しな
い該共重合体組成物の成型物は、透明性、力学強度、剛
性、耐熱性は良好であったが、ディスクに成型した場合
のランド−グルーブの転写性が悪かった。

【００４８】［比較例２］製造例２で得られた水素化ポ
リスチレンＢの溶液と、製造例４で得られた水素化スチ
レン−イソプレントリブロック共重合体Ｄの溶液とを、
その共重合体の重量比がＢ／Ｄ＝３０／７０となるよう
に両者を混合し、実施例１と同様にして共重合体組成物
を得た。かかる共重合体組成物の物性および実施例１と
同様にして成型した成型物の物性を表１に示した。

【００４９】該共重合体組成物では、実施例の共重合体
組成物の場合と同様にディスクに成型した場合のランド
−グルーブの転写性は良好であったが、衝撃強度が低く
極めて脆い樹脂であった。

【００５０】

【表１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 25:00） Ｃ０８Ｌ 25:00） (72)発明者 松村 俊一 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 (72)発明者 城戸 伸明 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J002 BC012 BC022 BC032 BC092 BP011 4J100 AA20P AB00P AB01P AB02P AB03P BC04H CA01 CA31 DA01 HA03 HA04 HA05 JA36 5D029 KA13 KA14

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ビニル化合物−共役ジエンブロッ
   ク共重合体中の共役ジエン化合物に由来する全二重結
   合、および芳香環の９９モル％以上を水素化して得られ
   る重合体７５〜９７重量％と、重量平均分子量が２，０
   ００〜１０，０００の範囲にある芳香族ビニル（共）重
   合体中の芳香環の５０モル％以上を水素化して得られる
   重合体２５〜３重量％からなることを特徴とする共重合
   体組成物。
2. 【請求項２】 該芳香族ビニル化合物としてスチレン誘
   導体を用いることを特徴とする請求項１記載の共重合体
   組成物。
3. 【請求項３】 該スチレン誘導体としてスチレンを用い
   ることを特徴とする請求項２記載の共重合体組成物。
4. 【請求項４】 該芳香族ビニル（共）重合体としてスチ
   レン誘導体の（共）重合体を用いることを特徴とする請
   求項１記載の共重合体組成物。
5. 【請求項５】 該スチレン誘導体の（共）重合体として
   ポリスチレンを用いることを特徴とする請求項４記載の
   共重合体組成物。
6. 【請求項６】 該芳香族ビニル化合物−共役ジエンブロ
   ック共重合体を水素化して得られる重合体８０〜９５重
   量％と、該芳香族ビニル（共）重合体を水素化して得ら
   れる重合体２０〜５重量％からなることを特徴とする請
   求項１記載の共重合体組成物。
7. 【請求項７】 芳香族ビニル化合物−共役ジエンブロッ
   ク共重合体を水素化して得られる重合体の重量平均分子
   量が４０，０００〜４００，０００であることを特徴と
   する請求項１〜６のいずれか１項に記載の共重合体組成
   物。
8. 【請求項８】 該芳香族ビニル（共）重合体中の芳香環
   の５０モル％以上を水素化して得られる（共）重合体の
   重量平均分子量が３，０００〜６，０００であることを
   特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の共重合
   体組成物。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹
   脂組成物からなる光ディスク用基板。