JP2003140120A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光学装置において、高精細化に対応した
微小なセルギャップを維持可能であり、かつ、それを安
価に達成する。 【解決手段】 画像表示領域（５０１）を規定する面
（５０１ａ）が周辺領域（５００）を規定する面（５０
０ａ）よりも低く形成された対向基板（２０）と、これ
に対向配置されるＴＦＴアレイ基板（１０）と、対向基
板及びＴＦＴアレイ基板を周辺領域で相接着するシール
材（５３）と、対向基板とＴＦＴアレイ基板との間に前
記画像表示領域で挟持された液晶（５０）とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一の基板及び他の
基板により電気光学物質を挟持してなる液晶装置等の電
気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光
学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】液晶装置等の電気光学装置は、通常、それ
ぞれ電極、配線、素子等が作り込まれた二枚の基板間に、
液晶が封入されて構成される。そして、このような電気
光学装置においては、前記二枚の基板間の間隔、すなわ
ち液晶からなる層の層厚（以下、「セルギャップ」とい
う。）を、基板全面において一定（例えば、約５μｍ）
に保つため、該二枚の基板間に、ガラスビーズやグラス
ファイバ等からなるスペーサが設けられる。

【０００３】このスペーサは、より具体的には、例えば
微小なボール状等の形状を有し、液晶テレビ、モニタの
ように直視型（大型）の液晶装置の場合、二枚の基板間
には、その多数が液晶中に散布される。また、二枚の基
板間には、これら基板を貼り合わせるため、例えば光硬
化性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂等からなる接着剤たる
シール材が設けられるが、プロジェクタのライトバルブ
など拡大表示を行う小型の液晶装置の場合、スペーサ
は、上述したような散布に代えて、当該シール材に混合
されて使用される。

【０００４】このようなことが必要となるのは、セルギ
ャップを一定としなければ、光透過率、コントラスト
比、応答速度等の表示特性に影響を与え、悪い場合に
は、表示むら等を発生させるからである。

【０００５】なお、基板間を「一定」に保つという場合
における、その精度は、液晶からなる層を構成する液晶
分子の、二枚の基板間における「ねじれ角度」の相違に
応じて異なり、例えば、該ねじれ角度が９０°であるＴ
Ｎ（Twisted Nematic）形の場合には±０．１μｍ程度
以下、該ねじれ角度が２６０°程度であるＳＴＮ（Supe
r Twisted Nematic）形の場合には±０．３μｍ程度以
下が要求される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電気光学装置の高精細化ないし微小化が進められ、これ
とともにセルギャップの狭小化が進んでいる。例えば、
セルギャップが３μｍ未満であるような電気光学装置
も、研究・開発の射程内にすでにある。このような微小
なセルギャップを維持するためには、必然的に、スペー
サをより小さくする必要がある。つまり、該スペーサが
上述したように微小なボール状に形成される場合には、
その直径を小さくしなければならない。しかし、一般
に、直径が小さくなるほどスペーサは高価になり、その
結果、電気光学装置全体の高コスト化を招いてしまう。

【０００７】また、そもそもスペーサを用いることによ
る問題点も一般的に指摘されている。すなわち、粒径分
布が所定の範囲内にあり、その硬度や形状が適当なスペ
ーサを製造することの困難性や、スペーサからイオン性
不純物が溶出することにより液晶へ影響を与えないよう
にする措置の必要性等である。また、基板全面にスペー
サを散布する場合においては、その散布密度を適当に制
御することも、一般に高度の技術が必要とされるし、さ
らに、スペーサの散布を湿式による場合、基板面の汚染
等も問題点として指摘されている。また、電気光学物
質、特に液晶とシール材との界面は、異なる有機物の接
触面であり、シール材中にシールの未硬化成分等の不純
物が存在すると液晶へこれら成分が溶出し、表示への影
響（表示ムラ等）が懸念される。

【０００８】いずれにせよ、セルギャップを一定に保つ
ために、スペーサを使用する場合には、相応の注意や高
度の技術が要求されるため、電気光学装置ないしその製
造をより低コストで実現しようとする場合の、障害とな
る。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、電気光学装置の高精細化に対応した微小なセル
ギャップを維持可能であり、かつ、安価にそれを達成し
得る電気光学装置及びその製造方法並びにそのような電
気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課
題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の電気光学
装置は、上記課題を解決するために、画像表示領域とそ
の周囲に位置する周辺領域とを有し前記画像表示領域を
規定する面が前記周辺領域を規定する面よりも低く形成
された一の基板と、前記一の基板に対向配置される他の
基板と、前記一の基板と前記他の基板とを前記周辺領域
で相接着するシール材と、前記一の基板と前記他の基板
との間に前記画像表示領域で挟持された電気光学物質と
を備える。

【００１１】本発明の第１の電気光学装置によれば、画
像表示領域及び周辺領域を有する一の基板と他の基板と
がそれぞれ対向するように、前者及び後者が前記周辺領
域で相接着されることになる。この接着は、例えば、熱
硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等からなるシール材によ
る。そして、一の基板と他の基板との間には、前記画像
表示領域で挟持された電気光学物質が存在する。つま
り、一の基板と他の基板の双方において、例えば、前記
電気光学物質に対する所定の電圧を印加可能な電極等そ
の他必要な構成を具備すれば、本電気光学装置におい
て、所望の画像表示等を行うことが可能となる。

【００１２】ここで特に、本発明においては、画像表示
領域を規定する面が、周辺領域を規定する面よりも低く
形成されていることから、上述のような周辺領域におけ
る両基板の接着によると、一の基板における画像表示領
域を規定する面と他の基板の面との間に、当該面の高さ
に係る加工の程度に応じた厚さを有する間隙が生ずるこ
とになる。前記電気光学物質の一例としての液晶等は、
この間隙に対して封入することが可能となる。そして、
このような間隙の厚さは、シール材の厚さが一定である
か、あるいはシール材が両基板間の当接部位に殆ど存在
しない限り、ほぼ一定になる。つまり、本発明によれ
ば、現状広く用いられているスペーサを利用することな
く、セルギャップを一定に保つことが可能となるのであ
る。

【００１３】このようなことから、本発明の電気光学装
置によれば、セルギャップの狭小化を安価に達成するこ
とが可能となり、その結果、電気光学装置そのものの高
精細化ないし微小化にも対応することが可能である。

【００１４】なお、前記一の基板及び前記他の基板とし
ては、例えば、電気光学装置のより具体的な一例として
のアクティブマトリクス駆動方式となる液晶装置におい
て、薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ」とい
う。）等その他各種の構成要素が形成されるＴＦＴアレ
イ基板、及び、該ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板
等が該当する。また、いま述べたのとは逆に、他の基板
が前記ＴＦＴアレイ基板に該当し、一の基板が前記対向
基板に該当すると考えることも当然に可能である。さら
には、場合により、一の基板に関してだけではなく、他
の基板についても、画像表示領域及び周辺領域を規定す
る面に係る加工を施すようにしてもよい。この場合、一
の基板及び他の基板の双方に、面の高さが異なる画像表
示領域及び周辺領域が存在することになる。

【００１５】いずれにしても本発明の範囲内であるが、
各種の構成要素が形成されるＴＦＴアレイ基板につい
て、画像表示領域及び周辺領域を規定する面の高さが異
なるような加工を施すよりも、より少ない構成要素を搭
載する対向基板について当該加工を施すほうが、製造工
程の簡略化等の観点から、より効率的であるとはいえよ
う。つまり、前記一の基板が前記対向基板に、前記他の
基板が前記ＴＦＴアレイ基板にそれぞれ該当するとする
方が好ましいといえる。

【００１６】本発明の第２の電気光学装置は、画像表示
領域とその周囲に位置する周辺領域とを有する一の基板
と、該一の基板上における前記周辺領域に形成され、当
該周辺領域を規定する面を、前記画像表示領域を規定す
る面よりも高くする、所定の厚さを有する調整膜と、前
記一の基板に対向配置される他の基板と、前記調整膜と
前記他の基板とを前記周辺領域で相接着するシール材
と、前記一の基板と前記他の基板との間に前記画像表示
領域で挟持された電気光学物質とを備える。

【００１７】本発明の第２の電気光学装置によれば、画
像表示領域及び周辺領域を有する一の基板と他の基板と
がそれぞれ対向するように、前者及び後者が前記周辺領
域で相接着されることになる。この接着は、例えば、熱
硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等からなるシール材によ
る。そして、一の基板と他の基板との間には、前記画像
表示領域で挟持された電気光学物質が存在する。つま
り、一の基板と他の基板の双方において、例えば、前記
電気光学物質に対する所定の電圧を印加可能な電極等そ
の他必要な構成を具備すれば、本電気光学装置におい
て、所望の画像表示等を行うことが可能となる。

【００１８】ここで特に、本発明においては、一の基板
上における前記周辺領域に形成された所定の厚さを有す
る調整膜が存在することにより、当該周辺領域を規定す
る面が、画像表示領域を規定する面よりも高くされてい
ることから、上述のような周辺領域における両基板の接
着によると、一の基板における画像表示領域を規定する
面と他の基板の面との間に、当該面の高さに係る加工の
程度、すなわち調整膜の厚さに応じた厚さを有する間隙
が生ずることになる。前記電気光学物質の一例としての
液晶等は、この間隙に対して封入することが可能とな
る。そして、このような間隙の厚さは、調整膜が形成さ
れる一方の基板の表面が画像表示領域から周辺領域に至
るまで一定の高さであれば、シール材の厚さが一定であ
るか、あるいはシール材が調整膜及び他の基板間の当接
部位に殆ど存在しない限り、ほぼ一定になる。つまり、
本発明によれば、現状広く用いられているスペーサを利
用することなく、セルギャップを一定に保つことが可能
となるのである。

【００１９】本発明の第１の電気光学装置の一態様で
は、画像表示領域を規定する面は、前記一の基板がエッ
チングされることにより、前記周辺領域を規定する面よ
りも低くされる。

【００２０】この態様によれば、画像表示領域を規定す
る面の高さを、その領域内においてほぼ厳密に一定とす
ることが可能となる。このことは、セルギャップを一定
に保つという観点から、より有利に働くことは言うまで
もない。また、本発明の第１の電気光学装置の他の態様
では、前記画像表示領域と前記周辺領域との境界の一部
に、前記画像表示領域における前記一の基板と前記他の
基板との間隙より狭い間隙を有することが望ましい。こ
の態様によれば、シール材と液晶との接触面積を非常に
小さくすることができるため、シール内の未硬化成分等
の不純物が液晶層へ溶出するのを最小限に抑えることが
でき、長期信頼性の向上が期待できる。

【００２１】本発明の第１の電気光学装置の他の態様で
は、前記一の基板上における前記他の基板に対向する側
に貼り付けられたカバーガラスと、該カバーガラスと前
記一の基板との間に各画素に対応するマイクロレンズと
を更に備えており、前記一の基板上に代えて、前記カバ
ーガラス上における前記画像表示領域を規定する面が前
記周辺領域を規定する面よりも低く形成されている。

【００２２】この態様によれば、マイクロレンズによっ
て、一の基板上の画像表示領域に設けられる、画素電極
やストライプ状電極等の表示用電極上の集光領域に光を
集めることが可能となるため、入射光の利用効率を高め
ることが可能となる。そして本態様では特に、一の基板
に代えて、遮光膜上に貼り付けられたカバーガラスの面
の高さを、その画像表示領域及び周辺領域間で調整する
ことにより、スペーサを利用することなく、セルギャッ
プを一定に保つことが可能となる。

【００２３】本発明の第２の電気光学装置の一態様で
は、前記一の基板上における前記他の基板に対向する側
に貼り付けられたカバーガラスと、該カバーガラスと前
記一の基板との間に各画素に対応するマイクロレンズと
を更に備えており、前記一の基板上に代えて、前記カバ
ーガラス上における前記周辺領域に前記調整膜が形成さ
れている。

【００２４】この態様によれば、マイクロレンズによっ
て、一の基板上の画像表示領域に設けられる、画素電極
やストライプ状電極等の表示用電極上の集光領域に光を
集めることが可能となるため、入射光の利用効率を高め
ることが可能となる。そして本態様では特に、一の基板
に代えて、遮光膜上に貼り付けられたカバーガラス上に
おける周辺領域に形成される調整膜の膜厚を調整するこ
とにより、スペーサを利用することなく、セルギャップ
を一定に保つことが可能となる。

【００２５】本発明の第１又は第２の電気光学装置の他
の態様では、前記周辺領域を規定する面内に凹部が形成
される。

【００２６】この態様によれば、一の基板及び他の基板
を相接着させる際に利用される、当該一の基板における
周辺領域の面と当該他の基板の面（以下、「当接面」と
いう。）の間に、前記凹部があることによる、所定の隙
間が生じることになる。この隙間には、例えば、前記シ
ール材が滞留することが可能となり、一の基板及び他の
基板の接着をより容易にする。

【００２７】この周辺領域を規定する面内に凹部が形成
される態様では特に、前記周辺領域を規定する面内にお
ける前記凹部の形成位置は、前記他の基板における前記
一の基板に対向する側に作り込まれた素子及び配線のう
ち少なくとも一方の形成位置に対応している。

【００２８】この態様によれば、前記凹部の存在によ
り、一の基板における周辺領域を規定する面とこれに当
接する他の基板の当接面との間に生じる隙間に、前記当
接面上に形成する素子等を、いわば「埋め込む」ような
形態をとることが可能となる。つまり、当該素子等と、
一の基板側の当接面（すなわち、周辺領域を規定する
面）とが直接に接触するようなことがなく、当該素子等
に対して、一の基板及び他の基板の貼り合わせによって
生じる押圧力等のダメージを与えることがない。その結
果、通常においてデッドスペース等とされていた前記当
接面上に、破壊や動作不良等の心配をすることなく素子
等を配置することが可能となり、設計上の制約を小さく
することができる。

【００２９】なお、本発明にいう「素子」とは、例え
ば、ＴＦＴ、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等その他何ら
かの素子を含み、「配線」とは、素子を連絡する配線
や、電極等をも含む概念である。

【００３０】また、この周辺領域を規定する面内に凹部
が形成される態様では特に、前記凹部内に前記シール材
が配置されている。

【００３１】この態様によれば、前記凹部内、すなわち
該凹部が存在することにより一の基板における周辺領域
を規定する面と他の基板における当接面との間に生じる
隙間に、シール材が配置されることにより、該シール材
の厚みが、一の基板及び他の基板の各面間の距離に影響
を与えることが殆どない。このことから、セルギャップ
が所望の一定値となるような制御を、より正確に実施す
ることが可能となる。

【００３２】本発明の電子機器は、上記課題を解決する
ために、上述した本発明の電気光学装置（ただし、その
各種態様も含む。）の電気光学装置を具備してなる。

【００３３】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置を具備してなるので、その全体を高精細化な
いし微小化することが可能となり、そのような微小化さ
れた投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手
帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ
直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機
器を実現できる。

【００３４】本発明の第１の電気光学装置の製造方法
は、上記課題を解決するために、一の基板及び他の基板
が対向配置される構造を有する電気光学装置の製造方法
であって、前記一の基板に関し、その画像表示領域を規
定する面を、当該画像表示領域の周囲に位置する周辺領
域を規定する面よりも低く形成する面高調整工程と、前
記一の基板と前記他の基板とを前記周辺領域で相接着す
る接着工程と、前記一の基板と前記他の基板との間に前
記画像表示領域で挟持されるように電気光学物質を封入
する封入工程とを含む。

【００３５】本発明の第１の電気光学装置の製造方法に
よれば、前記接着工程及び前記封入工程により、一の基
板及び他の基板を周辺領域で接着するとともに、これら
基板間に電気光学物質を封入することから、いわゆる一
般に知られるような、二枚の基板がそれぞれ対向配置さ
れ該二枚の基板間に電気光学物質を有してなる電気光学
装置を製造することが可能となる。

【００３６】ここで特に、本発明の電気光学装置の製造
方法によれば、前記面高調整工程において、前記一の基
板に関し、その画像表示領域を規定する面を、当該画像
表示領域の周囲に位置する周辺領域を規定する面よりも
低く形成することから、上述のような周辺領域における
両基板の接着によると、一の基板における画像表示領域
を規定する面と他の基板の面との間に、当該面の高さに
係る加工の程度に応じた厚さを有する間隙が生ずること
になる。前記電気光学物質の一例としての液晶等は、こ
の間隙に対して封入することが可能となる。そして、こ
のような間隙の厚さは、シール材の厚さが一定である
か、あるいはシール材が両基板間の当接部位に殆ど存在
しない限り、ほぼ一定になる。つまり、本発明によれ
ば、現状広く用いられているスペーサを利用することな
く、セルギャップを一定に保つことが可能となるのであ
る。

【００３７】本発明の第２の電気光学装置の製造方法
は、一の基板及び他の基板が対向配置される構造を有す
る電気光学装置の製造方法であって、前記一の基板に関
し、その画像表示領域の周囲に位置する周辺領域に所定
の厚さを有する調整膜を形成して、該周辺領域を規定す
る面を、前記画像表示領域を規定する面よりも高くする
面高調整工程と、前記調整膜と前記他の基板とを前記周
辺領域で相接着する接着工程と、前記一の基板と前記他
の基板との間に前記画像表示領域で挟持されるように電
気光学物質を封入する封入工程とを含む。

【００３８】本発明の第２の電気光学装置の製造方法に
よれば、前記接着工程及び前記封入工程により、一の基
板及び他の基板を周辺領域で接着するとともに、これら
基板間に電気光学物質を封入することから、いわゆる一
般に知られるような、二枚の基板がそれぞれ対向配置さ
れ該二枚の基板間に電気光学物質を有してなる電気光学
装置を製造することが可能となる。

【００３９】ここで特に、本発明の電気光学装置の製造
方法によれば、前記面高調整工程において、前記一の基
板に関し、その画像表示領域の周囲に位置する周辺領域
を規定する面に調整膜を形成して、当該周辺領域を規定
する面を、前記画像表示領域を規定する面よりも高く形
成することから、上述のような周辺領域における両基板
の接着によると、一の基板における画像表示領域を規定
する面と他の基板の面との間に、当該面の高さに係る加
工の程度に応じた厚さを有する間隙が生ずることにな
る。前記電気光学物質の一例としての液晶等は、この間
隙に対して封入することが可能となる。そして、このよ
うな間隙の厚さは、調整膜が形成される一方の基板の表
面が画像表示領域から周辺領域にかけて一定の高さであ
れば、シール材の厚さが一定であるか、あるいはシール
材が調整膜及び他の基板間の当接部位に殆ど存在しない
限り、ほぼ一定になる。つまり、本発明によれば、現状
広く用いられているスペーサを利用することなく、セル
ギャップを一定に保つことが可能となるのである。

【００４０】本発明の第１の電気光学装置の製造方法の
一態様では、前記面高調整工程は、前記一の基板に対す
るエッチングにより行われる。

【００４１】この態様によれば、画像表示領域を規定す
る面の高さを、その領域内においてほぼ厳密に一定とす
ることが可能となる。このことは、セルギャップを一定
に保つという観点から、より有利に働くことは言うまで
もない。

【００４２】本発明の第１の電気光学装置の製造方法の
他の態様では、前記一の基板上における前記他の基板に
対向する側に各画素に対応するマイクロレンズを形成す
る工程と、該遮光膜上にカバーガラスを貼り付ける工程
とを更に備えており、前記面高調整工程は、前記一の基
板上に代えて、前記カバーガラス上における前記画像表
示領域を規定する面を、前記周辺領域を規定する面より
も低く形成する。

【００４３】この態様によれば、マイクロレンズが形成
されることによって、一の基板上の画像表示領域に設け
られる、画素電極やストライプ状電極等の表示用電極上
の集光領域に光を集めることが可能となるため、入射光
の利用効率を高めることが可能となる。そして本態様で
は特に、一の基板に代えて、遮光膜上に貼り付けられた
カバーガラスの面の高さを、その画像表示領域及び周辺
領域間で調整することにより、スペーサを利用すること
なく、セルギャップを一定に保つことが可能となる。面
高調整工程前のカバーガラスの厚み以下のセルギャップ
であれば、このような製造工程で比較的簡単に得られ
る。言い換えれば、目的とするセルギャップ以上の厚み
を有するガラス板に対して、面高調整工程を行ってカバ
ーガラスを完成させるようにすればよい。

【００４４】本発明の第２の電気光学装置の製造方法の
一態様では、前記面高調整工程は、前記一の基板の一面
に所定の厚さを有する材料膜を形成する工程と、該形成
された材料膜をエッチングして、前記調整膜を残す工程
とを含む。

【００４５】この態様によれば、一の基板上に、所定の
厚さを有する材料膜が、例えば適当な絶縁材料等で形成
された後、当該材料膜に対してエッチングが施されるこ
とになるから、前記画像表示領域を規定する面の高さ
を、厳密に一定とすることが可能となる。例えば、当該
材料膜に対してエッチングを実施する前に、ＣＭＰ（Ch
emical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）等の
平坦化処理を行えば、画像表示領域の高さを当該領域に
おいて一定とすることは、比較的容易となり、セルギャ
ップを可能な限り一定値とすることに資する。

【００４６】本発明の第２の電気光学装置の製造方法の
他の態様では、前記一の基板上における前記他の基板に
対向する側に各画素に対応するマイクロレンズを形成す
る工程と、該遮光膜上にカバーガラスを貼り付ける工程
とを更に備えており、前記面高調整工程は、前記一の基
板上に代えて、前記カバーガラス上における前記周辺領
域に前記調整膜を形成する。

【００４７】この態様によれば、マイクロレンズが形成
されることによって、一の基板上の画像表示領域に設け
られる、画素電極やストライプ状電極等の表示用電極上
の集光領域に光を集めることが可能となるため、入射光
の利用効率を高めることが可能となる。そして本態様で
は特に、一の基板に代えて、遮光膜上に貼り付けられた
カバーガラス上における周辺領域に形成される調整膜の
膜厚を調整することにより、スペーサを利用することな
く、セルギャップを一定に保つことが可能となる。この
ように製造するのであれば、カバーガラスの厚みは、セル
ギャップとの関係では任意であり、カバーガラス本来の
機能に見合った厚みとすればよい。

【００４８】本発明の第１又は第２の電気光学装置の製
造方法の他の態様では、前記面高調整工程を実施中又は
その実施後に、前記周辺領域を規定する面内に凹部を形
成する工程を更に含む。

【００４９】この態様によれば、一の基板及び他の基板
を相接着させる際に利用される、当該一の基板における
周辺領域の面と当該他の基板の当接面の間に、前記凹部
があることによる、所定の隙間が生じることになる。こ
の隙間には、例えば、前記シール材が滞留することが可
能となり、一の基板及び他の基板の接着をより容易にす
る。

【００５０】本発明の第１又は第２の電気光学装置の製
造方法の他の態様では、前記周辺領域を規定する面内に
おける前記凹部の形成位置は、前記他の基板における前
記一の基板に対向する側に作り込まれた素子及び配線の
うち少なくとも一方の形成位置に対応している。

【００５１】この態様によれば、前記凹部の存在によ
り、一の基板における周辺領域を規定する面とこれに当
接する他の基板の当接面との間に生じる隙間に、前記当
接面上に形成する素子等を、いわば「埋め込む」ような
形態をとることが可能となる。つまり、当該素子等と、
一の基板側の当接面（すなわち、周辺領域を規定する
面）とが直接に接触するようなことがなく、当該素子等
に対して、一の基板及び他の基板の貼り合わせによって
生じる押圧力等のダメージを与えることがない。その結
果、通常においてデッドスペース等とされていた前記当
接面上に、破壊や動作不良等の心配をすることなく素子
等を配置することが可能となり、設計上の制約を小さく
することができる。

【００５２】本発明の第１又は第２の電気光学装置の製
造方法の他の態様では、前記凹部内に前記シール材が配
置されている。

【００５３】この態様によれば、前記凹部内、すなわち
該凹部が存在することにより一の基板における周辺領域
を規定する面と他の基板における当接面との間に生じる
隙間に、シール材が配置されることにより、該シール材
の厚みが、一の基板及び他の基板の各面間の距離に影響
を与えることが殆どない。このことから、セルギャップ
が所望の一定値となるような制御を、より正確に実施す
ることが可能となる。

【００５４】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００５５】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５６】（電気光学装置の全体構成）まず、本発明
の第１実施形態における電気光学装置の全体構成につい
て、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気
光学装置の一例である、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクテ
ィブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

【００５７】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素とともに、対向基板の側から臨んだ平
面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。

【００５８】図１及び図２において、第１実施形態に係
る電気光学装置では、後述するＴＦＴ３０や蓄積容量７
０等の各種構成をＴＦＴアレイ基板本体に備えたＴＦＴ
アレイ基板１０と、やはり後述する遮光膜２３や対向基
板２１等の各種構成を対向基板本体に備えた対向基板２
０とが対向配置されている。

【００５９】なお、本実施形態において、本発明にいう
「一の基板」とは、特に断りがない限り、「対向基板本
体」（第１乃至第５実施形態等）又は「ＴＦＴアレイ基
板本体」（第６実施形態等）に該当するものとする。

【００６０】ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
は、後に詳述するように、対向基板２０上の周辺領域５
００を規定する面と、該面に対応するＴＦＴアレイ基板
１０上の当接面とでシール材により相接着されている。
また、これら基板１０及び２０間には、対向基板２０上
で、前記周辺領域５００を規定する面よりも低く形成さ
れた面を有する画像表示領域５０１と、これに対向する
ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域５０１との間で
挟持されるように、液晶層５０が封入されている。

【００６１】また、図１及び図２において、周辺領域５
００と画像表示領域５０１との境界を画するように遮光
性の額縁５３が対向基板２０側に設けられている。ただ
し、額縁５３は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けてよい
ことは言うまでもない。またさらに、対向基板２０上に
は、格子状にパターニングされた遮光膜２３が設けられ
ている。これら額縁５３及び遮光膜２３は、いずれも外
界の光が電気光学装置内に入り込むことを阻止する機能
を有し、画像の品質を高める作用効果を発揮するととも
に、特に後者の遮光膜２３においては、それが格子状に
形成されていることにより、画素間の光漏れを防止する
ことで画像コントラストを向上させ、また図２において
は示されていないカラーフィルタ等を設ける場合には、
混色の防止を図ること等が可能となる。

【００６２】また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板
２０が相接着する当接面の外側部分、換言すれば対向基
板２０の外周輪郭から見た外側部分には、データ線駆動
回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ
基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回
路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられ
ている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に
は、画像表示領域５０１の両側に設けられた走査線駆動
回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れている。加えて、対向基板２０の四隅には、上下導通
材１０６が設けられており、ＴＦＴアレイ基板１０に設
けられた上下導通端子と、対向基板２０に設けられた対
向電極２１との間で、電気的な導通をとる。

【００６３】次に、以上のような全体構成を有する電気
光学装置において、上述したＴＦＴアレイ基板１０及び
対向基板２０に関し、両基板間に形成するセルギャップ
について、すでに触れた図２及び図３を参照して説明す
る。ここに、図３は、図２における符号ＣＲを付した円
内部分を拡大して示す拡大断面図である。

【００６４】第１実施形態における対向基板本体２０Ｒ
は、図２に示すように、画像表示領域５０１とその周囲
に位置する周辺領域５００とを有している。これら画像
表示領域５０１及び周辺領域５００においては、対向基
板本体２０Ｒの図中上面を基準とした画像表示領域５０
１を規定する面５０１ａ（以下、単に「画像表示領域面
５０１ａ」という。）の高さＬが、同じ基準で計測し
た、周辺領域５００を規定する面５００ａ（以下、単に
「周辺領域面５００ａ」という。）の高さＴよりも小さ
く形成されている。対向基板本体２０Ｒをこのような形
状に形成するためには、後述するように、エッチングに
よるのが最適である。

【００６５】そして、図３に示すように、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板本体２０Ｒ（ないし対向基板２０）
とは、上述のように面の高さＴ＞Ｌを有する周辺領域面
５００ａと、ＴＦＴアレイ基板１０の当接面１０Ｐとで
相接着されている。この接着は、図３に示すように、シ
ール材５２により行われている。

【００６６】ここに、シール材５２としては、例えば、
熱硬化性樹脂及び紫外線硬化性樹脂等を用いることが可
能である。より詳しくは、前者の熱硬化性樹脂の材質と
して、例えば、一般的なエポキシ樹脂を使用することが
可能である。また、硬化剤には、アミンやカルボン酸、
酸無水物等が使用される。低級アミン系硬化剤を使用す
ると、比較的低温で高速硬化できるが、液晶材料への汚
染防止と硬化収縮によるひずみを避けるため長時間の熱
処理が必要となる。一方、後者の紫外線硬化性樹脂は、
低温硬化性が最大の特徴であるが、紫外線照射量の違い
による架橋度の不均一性が難点といえる。さらに、光重
合反応での酸素妨害による未硬化部分の発生は、硬化物
の不均一と液晶汚染の原因となる。現状では、紫外線で
仮硬化させ、再度加熱硬化の工程がとられる。

【００６７】以上のような構成をとる第１実施形態の電
気光学装置においては、図２及び図３に示すように、対
向基板本体２０Ｒの周囲を巡り、かつ該基板本体２０Ｒ
の一部であるところの額縁状柱２０１により、液晶が注
入されるべきセルギャップＧが確保されることになる。
つまり、第１実施形態においては、現状広く用いられて
いるスペーサを全く使用することなく、セルギャップＧ
の確保に成功している。

【００６８】また、該セルギャップＧの厚さは、額縁状
柱２０１の高さ、言い換えれば、画像表示領域面５０１
ａと周辺領域面５００ａとの高低差（Ｔ−Ｌ）にほぼ一
致することになる。そしてまた、このようにして形成さ
れるセルギャップＧにおいては、その画像表示領域５０
１全面において、その厚さを極めて均一に保つことが可
能である。なぜなら、額縁状柱２０１は、その形状から
明らかなとおり、十分な剛性を有するからである。

【００６９】結局、第１実施形態における電気光学装置
においては、セルギャップＧの確保、ないしセルギャッ
プＧを一定に保つことを、極めて安価に達成することが
可能である。これは、第１実施形態において、スペーサ
を利用する必要がないことによるものに他ならない。ま
たさらに、該セルギャップＧは、上述したように、これ
を殆ど一定に形成することが可能であるから、表示むら
等の不具合の発生する余地も殆ど、乃至は全くない。

【００７０】なお、図２において、その他の構成とし
て、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用
のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の
画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対
向基板本体２０Ｒ上には、対向電極２１のほか、最上層
部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液
晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態
をとる。

【００７１】また、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ
基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走
査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号をサンプリン
グしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデ
ータ線に所定の電圧レベルのプリチャージ信号を画像信
号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中
や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査する
ための検査回路等を形成してもよい。本実施形態におい
ては、上記のような態様のほか、次の変形形態をとるこ
とが可能である。すなわち、対向基板２０における画像
表示領域５０１と周辺領域５００との境界に、対向基板
本体２０Ｒの額縁状柱２０１を形成すると共に、その外
周をシール材５２で充填する構成としてもよい。額縁状
柱２０１におけるＴＦＴアレイ基板１０との間隙は、縁
状に形成してもよいし、部分的に形成してもよい。この
構成によれば、額縁状柱２０１によりシール材５２と液
晶層５０との接触面積を非常に小さくすることができる
ため、シール内の未硬化成分等の不純物が液晶層５０へ
溶出するのを最小限に抑えることができる。

【００７２】本実施形態においては、上記のような態様
のほか、図４に示すような変形形態をとることが可能で
ある。以下、この変形形態を第２実施形態として説明す
る。図４は、図３とは異なった形態となる、対向基板本
体２０Ｒ上の周辺領域面５００ａとＴＦＴアレイ基板１
０上の当接面１０Ｐとの拡大断面図である。

【００７３】図４において、図３と異なるのは、対向基
板本体２０Ｒにおける周辺領域面５００ａに、凹部６０
１及び６０２が形成されている点にある。ちなみに、こ
れら凹部６０１及び６０２は、その開口部の大きさ、あ
るいは深さの点が異なるのみで、本質的な相違を有する
ものではない。

【００７４】このような凹部６０１及び６０２を形成す
ると、図４に示すように、当該凹部６０１及び６０２に
シール材５２を滞留させることが可能となるから、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０及び対向基板本体２０Ｒ（ないし対向
基板２０）の接着を、より緊密にすることが可能とな
る。

【００７５】また、このような凹部６０１及び６０２内
におけるシール材５２の配置によれば、該シール材５２
の厚みが、周辺領域面５００ａと当接面１０Ｐとの間の
距離に影響を与えることが殆どない。したがって、セル
ギャップＧが所望の一定値となるような制御を、より正
確に行うことができる。

【００７６】さらに、第２実施形態によると、ＴＦＴア
レイ基板１０上の当接面１０Ｐに、種々の素子６５１や
配線パターン６５２等を形成することが可能となる。と
いうのも、周辺領域面５００ａとＴＦＴアレイ基板１０
上の当接面１０Ｐとの間に、図４に示すように、凹部６
０１及び６０２の深さに一致する所定の隙間を生じさせ
ることが可能となり、その結果、素子６５１や配線パタ
ーン６５２等を、この隙間にいわば埋め込むような形で
配置することが可能となるからである。このとき、周辺
領域面５００ａと素子６５１等とが直接に接するような
ことがないから、当該素子６５１等に、例えば押圧力等
のダメージが与えられることがない。なお、凹部６０１
及び６０２には、上述したようにシール材５２が滞留す
ることが可能であるから、該シール材５２が緩衝材とな
り得ることにより、ダメージを与えないという作用・効
果は、より確実に発揮・享受される。

【００７７】なお、上述したことからもわかる通り、周
辺領域面５００ａ上における凹部６０１等の形成位置
は、当接面１０Ｐ上における素子６５１等の形成位置に
一致するようにしておくとよい。また、該凹部６０１等
の深さは、素子６５１や配線パターン６５２等が固有に
有する高さに略一致するようなものとしておけばよい。
つまり、一般的には、当接面１０Ｐ上に配置される素子
６５１等の個数を勘案して、一個又は複数の凹部６０１
等を形成し、かつ、該素子６５１等の有する高さに合わ
せて、該凹部６０１等の深さを決定するような形態が好
ましくはある。ただ、素子６５１等の構造が複雑であっ
たり、またその個数が多量になる場合等には、一つの凹
部で複数の素子６５１等を「埋め込む」ような形態、す
なわち一つの深さを有する凹部により、複数の高さを有
する複数の素子６５１等を「埋め込む」ような形態等と
してもよい。このようにすれば、凹部の形成工程を簡略
化することが可能となる。本発明は、これらのような形
態もその範囲内に含むものである。

【００７８】いずれにしても、第２実施形態によれば、
通常はデッドスペースとされていたか、あるいは素子６
５１等が設けられるにしても、基板１０及び２０の圧着
による破壊、あるいは液晶層５０への不純物の溶出等か
ら好ましくは用いられていなかった、当接面１０Ｐ上
に、素子６５１等の配置を行うことが可能となるから、
設計上の制約はより小さくなる。

【００７９】なお、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板
本体２０Ｒ（ないし対向基板２０）の接着性を高めると
いう観点のみからすれば、本発明にいう「凹部」とは、
図４に示すようなものに限らず、例えば、図５に示すよ
うなものであってもよい。この図においては、若干大げ
さに描かれているものの、要するに、周辺領域面５００
ａを荒らすような（該面５００ａの表面粗さが大きくな
るような）加工を施すことが表されている。このような
加工を施せば、シール材５２の「のり」がよくなり、そ
の結果、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の接着
性向上が見込めることになる。

【００８０】本実施形態においては、上記のような態様
のほか、図６に示すような変形形態をとることが可能で
ある。以下、この変形形態を第３実施形態として説明す
る。図６は、図３とは異なる、対向基板２０における周
辺領域面５００ａとＴＦＴアレイ基板１０上の当接面１
０Ｐとの拡大断面図である。

【００８１】図６において、図３と異なるのは、対向基
板本体２０Ｒにおける周辺領域面５００ａに、膜７０１
が形成されている点にある。このような膜７０１を形成
することによると、セルギャップＧの確保をより適切に
行い得る。また、このような形態によれば、例えば、周
辺領域面５００ａ及び画像表示領域面５０１ａの加工を
施した後、当該加工の不奏効等が万一発見され、セルギ
ャップＧの厚さが足りないような場合が発生したときに
は、その調整を行うことが可能となる。

【００８２】本実施形態においては、上記のような態様
のほか、図７に示すような変形形態をとることが可能で
ある。以下、この変形形態を第４実施形態として説明す
る。図７は、図２とは異なる断面図である。

【００８３】第４実施形態では、上記第１乃至第３実施
形態とは異なり、対向基板本体２０Ｒの基板面に対す
る、例えばエッチング等の直接の加工をするのではなし
に、対向基板本体２０Ｒの基板面であって、かつ周辺領
域面５００ａに対して、新たな構成要素たる調整膜８０
１が形成されている。

【００８４】このような形態であっても、図７に示すと
おり、セルギャップＧの確保が行われ得ることに変わり
はない。

【００８５】本実施形態においては、上記のような態様
のほか、図８に示すような変形形態をとることが可能で
ある。以下、この変形形態を第５実施形態として説明す
る。図８は、図２とは異なる断面図である。

【００８６】図８に示すように、第５実施形態では、対向
基板本体２０Ｒ側において、図示しないマイクロレンズ
を少なくとも形成した後、例えば図２に示した遮光膜２
３、或いはこれに加えて、カラーフィルタ、オーバーコ
ート層等を形成し、この上に、絶縁材料等からなる所定の
厚さを有するガラス板を貼り合わせ、当該ガラス板に対
して、両領域５００及び５０１の面の高さに係る加工を
施して、カバーガラス９０１として完成させたものであ
る。これにより、セルギャップＧの確保が可能になる。

【００８７】ちなみに、上述のマイクロレンズ及びカバ
ーガラス９０１は、適当な接着剤等を含む接着層でもっ
て、相互に接着されている。ただし、接着層は、対向基
板２０の全面について塗布する必要はなく、場合によっ
ては、その周辺部分にのみ塗布するような構造としても
よい。このようなマイクロレンズの存在により、画素電
極９ａ上の集光領域に対する集光を行うことが可能とな
るため、入射光の利用効率を高めることが可能となる。

【００８８】なお、場合によっては、上述のように形成
したカバーガラス９０１を形成するためのガラス板に対
して、例えば、ＣＭＰ等の適当な平坦化処理を実施した
後に、画像表示領域面及び周辺領域面に係る加工を施せ
ば、セルギャップＧを、より正確に一定値に保つことを
可能とする。加えて、第５実施形態におけるカバーガラ
ス９０１に対して、上記第４実施形態で説明した調整膜
８０１を形成することにより、セルギャップＧの確保を
図ってもよい。

【００８９】また、本実施形態においては、上記のよう
な態様のほか、図９に示すような変形形態をとることが
可能である。以下、この変形形態を第６実施形態として
説明する。図９は、図２とは異なる断面図である。

【００９０】第６実施形態では、図９から明らかなよう
に、ＴＦＴアレイ基板本体１０Ｒ上の画像表示領域面５
０１ｂが、周辺領域面５００ｂよりも低くなるような加
工が施されている。つまり、上記各実施形態において
は、「対向基板本体２０Ｒ」に対し、両領域５００及び
５０１を規定する面に係る加工を施していた（図２等参
照）のに対し、第６実施形態では、ＴＦＴアレイ基板本
体１０Ｒ側に関して当該加工を施している点に特徴があ
る。

【００９１】このような形態であっても、上述と同様な
効果が奏されるのは明らかである。すなわち、セルギャ
ップＧは、上述と同様にして額縁状柱１５０により確保
されるし、その厚さは該額縁状柱１５０の高さにより規
定されることになる。そしてその結果、第６実施形態に
おける電気光学装置においては、セルギャップ一定の要
請を安価に達成することができるし、表示むら等も発生
しない。

【００９２】ただ、この第６実施形態と、上記した第１
乃至第５実施形態とを比較すると、後者の方がより好ま
しいとはいえる。というのも、ＴＦＴアレイ基板本体１
０Ｒ上には、後に詳述するように、ＴＦＴ３０及び蓄積
容量７０、並びに走査線３ａ及びデータ線６ａ等その他
複数の要素を形成しなければならないのに対して、対向
基板本体２０Ｒ側では、それに比して簡易な構成をとる
ことが一般的だからである。このことは、ＴＦＴアレイ
基板本体１０Ｒ側で、周辺領域５００及び画像表示領域
５０１を規定する面の高さに係る加工を施すと、ステッ
パに係る問題（ステッパは通常一定の焦点深度を前提と
しているため、面の高さが異なると焦点合わせが困難と
なる。）等が関わり、ＴＦＴ３０等の素子形成を困難に
する可能性があるのに対し、対向基板本体２０Ｒ側では
そのような問題が発生しにくいことを意味する。すなわ
ち、対向基板本体２０Ｒ側において当該加工を施した方
が、製造工程の簡略化という観点から好ましいのであ
る。

【００９３】なお、そうではあっても、ＴＦＴアレイ基
板本体１０Ｒ側において、例えば、該基板本体１０Ｒに
対するＴＦＴ３０等の素子形成が概ね完了した後、その
上層として、絶縁材料等からなる所定の厚さを有する膜
を形成した上で、当該膜に対して、両領域５００及び５
０１の面の高さに係る加工を施すのであれば、然程大き
な影響なくセルギャップＧの確保が可能になるものと考
えられる。すなわち、後述するＴＦＴ３０等を含む各層
の形成が概ね完了したＴＦＴアレイ基板１０上に、例え
ば絶縁性材料等からなる高さＵの薄膜を形成した後、当
該薄膜に対して、深さＶ（＜Ｕ）のエッチングを施す、
等の手段によれば、高さＶの額縁状柱１５０が形成さ
れ、もってその厚さがＶとなるようなセルギャップＧが
確保される。このような手段によれば、上述したような
不利益を被ることもない。

【００９４】本実施形態においては、上記のような態様
のほか、図１０に示すような変形形態をとることが可能
である。以下、この変形形態を第７実施形態として説明
する。図１０は、図２とは異なる断面図である。

【００９５】図１０に示すように、第７実施形態では、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０側及び対向基板２０側のそれぞれに
ついて、周辺領域５００及び画像表示領域５０１を規定
する面に係る加工を施している。このような場合、対向
基板２０側の額縁状柱２０１の高さとＴＦＴアレイ基板
１０側の額縁状柱１５０の高さにより、セルギャップＧ
の厚さが規定されることになる。

【００９６】いずれにしても、本発明の範囲内にあるこ
とに変わりはなく、すでに述べたように、上記各種いず
れの形態についても、類似の効果が奏されることが明白
である。

【００９７】（電気光学装置の回路構成及び動作、並び
に画素部における詳細な構成）以下では、以上述べたよ
うな電気光学装置について、その回路構成及び動作、並
びに画素部における構成について、図１１並びに図１２
及び図１３を参照しつつ説明する。

【００９８】図１１は、電気光学装置の画像表示領域を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素における
各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。

【００９９】図１１において、本実施形態における電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該
画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０
とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６
ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎは、この順に線順次に供給するようにしてもよい
し、また、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしてもよい。

【０１００】また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから
供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイ
ミングで書き込む。

【０１０１】画素電極９ａを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極
との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧
レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧
に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として
電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをも
つ光が出射する。

【０１０２】ここで保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成さ
れる液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線
３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含
むとともに定電位に固定された容量線３００が設けられ
ている。

【０１０３】次に、本実施形態における電気光学装置の
画素部における構成について、図１２及び図１３を参照
して説明する。図１２は、データ線、走査線及び画素電
極等が形成された電気光学装置の相隣接する複数の画素
群の平面図であり、図１３は、図１２のＡ−Ａ´断面図
である。なお、図１３においては、各層・各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部
材ごとに縮尺を異ならしめてある。

【０１０４】図１２及び図１３において、電気光学装置
は、すでに言及したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板
２０を備えている。ＴＦＴアレイ基板本体１０Ｒは、例
えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、
対向基板本体２０Ｒは、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。

【０１０５】図１２において、電気光学装置のＴＦＴア
レイ基板１０には、マトリクス状に複数の透明な画素電
極９ａ（点線部９ａ´によって輪郭が示されている。）
が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞ
れ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられてい
る。

【０１０６】このうち走査線３ａは、半導体層１ａのう
ち図１２中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１
ａ´に対向するように配置されており、走査線３ａはゲ
ート電極として機能する。このように、走査線３ａとデ
ータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領
域１ａ´にゲート電極としての走査線３ａが対向配置さ
れる、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【０１０７】ＴＦＴ３０は、図１３に示すように、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構
成要素としては、走査線３ａ、例えばポリシリコン膜か
らなり、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成さ
れる半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、該走査線３ａ
と半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低
濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び
高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

【０１０８】また、データ線６ａは、図１３に示すよう
に、コンタクトホール８１を介して、前記高濃度ソース
領域１ｄに電気的に接続されている。なお、後述する中
継層７１と同一膜からなる中継層を形成し、当該中継層
及び２つのコンタクトホールを介して、データ線６ａと
高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。

【０１０９】一方、図１３においては、蓄積容量７００
が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
形成されている。

【０１１０】このうち容量線３００は、平面的に見て走
査線３ａに沿ってストライプ状に延びており、ＴＦＴ３
０に重なる箇所が図１２中上下に突出している。このよ
うな容量線３００は、好ましくは高融点金属を含む導電
性遮光膜からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極
としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光
からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。
また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配
置された画像表示領域５０１からその周囲に延設され、
定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。こ
のような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に
供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向
基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わな
い。

【０１１１】さて他方、画素電極９ａは、液晶層５０に
対して所定の電圧を印加するための一方の電極であっ
て、図１３に示すように、上述した中継層７１を中継す
ることにより、コンタクトホール８３及び８５を介して
半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に
接続されている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の
透明性導電性膜からなる。

【０１１２】また、画素電極９ａの上側には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けら
れている。配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の透明
な有機膜からなる。

【０１１３】図１２及び図１３においては、上記のほ
か、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられ
ている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングさ
れており、これにより各画素の開口領域を規定してい
る。また、開口領域の規定は、図１２中縦方向に延びる
データ線６ａと図１２中横方向に延びる容量線３００と
が相交差して形成されることによっても、なされてい
る。

【０１１４】また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１
ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴア
レイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残
る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化
を防止する機能を有する。

【０１１５】さらに、走査線３ａ上には、高濃度ソース
領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレ
イン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ
開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。

【０１１６】第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及
び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔
された第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【０１１７】第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａ
が形成されており、これらの上には中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。

【０１１８】なお、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭ
Ｐ処理等により平坦化されており、その下方に存在する
各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配
向不良を低減する。

【０１１９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透
明導電性膜からなる。また、配向膜２２は、ポリイミド
膜等の透明な有機膜からなる。更に、前述の如く格子状
（或いは走査線３ａに沿ったストライプ状の）遮光膜２
３が形成されている。

【０１２０】以上説明したような回路構成及び動作並び
に構成をもって、液晶層５０に対して、画素毎に所定の
電圧を印加することが可能となり、もって画像を表示す
ることが可能となる。

【０１２１】そして、本実施形態においては、上述のよ
うに構成されたＴＦＴアレイ基板１０における画素電極
９ａと対向基板２０における対向電極２１との間隙、よ
り厳密に言えば、画素電極９ａ上の配向膜１６と対向電
極２１上の配向膜２２との間隙が、すでに述べたよう
に、画像表示領域面５０１ａ及び周辺領域面５００ａに
係る加工を施すことによって生じていることに特徴があ
る。液晶層５０は、この間隙を利用して形成されてい
る。

【０１２２】（電気光学装置の製造方法）次に、上記で
説明した第１実施形態に係る構成を有する電気光学装置
の製造プロセスについて、図１４を参照して説明する。
ここに、図１４は、本実施形態における電気光学装置の
製造プロセスを示すフローチャートである。

【０１２３】図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０側
についてはまず、シリコン基板、石英基板、ガラス基板
等の基板本体１０Ｒを用意し適当な方法により洗浄・乾
燥する（ステップＳ１１）。次に、この基板本体１０Ｒ
上に、ＴＦＴ３０を初めとして、蓄積容量７０等その他
の各種素子や配線等を形成する（ステップＳ１２）。そ
して次に、ＩＴＯ等からなる画素電極を形成する（ステ
ップＳ１３）とともに、その上層として配向膜を形成す
る（ステップＳ１４）。いずれも、スパッタリング法や
ＣＶＤ法等により基板全面に関し薄膜を形成した後、こ
れをフォトリソグラフィ法等により所定のパターンを有
するようにパターニングされる。

【０１２４】他方、対向基板２０側についてはまず、シ
リコン基板、石英基板、ガラス基板等の対向基板本体２
０Ｒを用意し、適当な方法により洗浄・乾燥する（ステ
ップＳ２１）。

【０１２５】そして次に、本実施形態においては、対向
基板本体２０Ｒ上の画像表示領域５０１を規定する面
が、周辺領域５００を規定する面よりも低くなるような
加工、すなわち、本発明にいう「面高調整工程」を実施
する（ステップＳ２２）。この面高調整工程は、具体的
には例えば、画像表示領域５０１を規定する面について
のみ進行させる、ウエットエッチング、ドライエッチン
グ或いはこれら両者の組み合わせなどのエッチングによ
るとよく、更に具体的には、例えば、フォトリソグラフ
ィ及びエッチング等を利用するとよい。このように、面
高調整工程をエッチングにより行えば、画像表示領域面
５０１ａと周辺領域面５００ａとの差、すなわちセルギ
ャップＧの厚さが、どの点においても一定となるような
加工を、容易にかつ精度高く実施することができる。こ
れは、フォトリソグラフィ及びエッチングが当業界にお
いて広く行われ、その経験も膨大に蓄積されていること
から、どの程度の面エッチングを行うかという制御を、
比較的簡易に実施し得ることによる。尚、このようなエ
ッチングによる面高調整は、エッチングの時間管理によ
り行ってもよいし、適当なストッパを例えばマザー基板
上の適当な領域に作り込むことにより、これを利用して
行ってもよい。

【０１２６】このような両領域５００及び５０１の面に
係る加工が完了した後には、続いて、遮光膜２３の形成
を行う（ステップＳ２３）。この遮光膜２３の材質は、
例えば金属クロムＣｒ、カーボンＣ又はチタンＴｉをフ
ォトレジストに分散した樹脂ブラックや、ニッケルＮｉ
等の金属材料等とすればよい。また、その形成は、スパ
ッタリング法等により前記面高調整工程が完了した対向
基板本体２０Ｒにおける画像表示領域面５０１ａの全面
に対して上記材質からなる薄膜を堆積させ、これをフォ
トリソグラフィ及びエッチング等によって、所定のパタ
ーン、例えば格子状パターンにパターニングする、等と
いった手段をとることができる。

【０１２７】このように遮光膜２３が形成されたら、対
向電極の形成（ステップＳ２４）、配向膜の形成（ステ
ップＳ２５）を経て、対向基板２０が完成する。

【０１２８】以上のように、ＴＦＴアレイ基板１０及び
対向基板２０が完成したら次に、これらを対向させるよ
うに貼り合わせる（ステップＳ３１）。このとき、両基
板１０及び２０において当接する部位は、図２及び図３
等を参照するとわかるように、前者において当接面１０
Ｐ、後者において周辺領域面５００ａとなり、貼り合わ
せ時には、両面１０Ｐ及び５００ａの間にシール材５２
が介装される。そして最後に、対向基板２０上の画像表
示領域面５０１ａと、これに対向するＴＦＴアレイ基板
１０上の面とにより生成された間隙、すなわちセルギャ
ップＧ内に、液晶を封入して（ステップＳ３２）、電気
光学装置の完成をみる。

【０１２９】なお、上記第１実施形態以外の、第２乃至
第４実施形態に係る電気光学装置においては、図１４に
示すフローチャートにおいて適宜変更を加えることによ
り、その製造を行うことができる。例えば、第２実施形
態における凹部６０１及び６０２（図４参照）は、図１
４のステップＳ２２の面高調整工程において、凹部６０
１等の形成をも同時に行うフォトリソグラフィ及びエッ
チングを行うようにしてもよいし、上記したように、複
数の凹部６０１及び６０２それぞれについてその深さが
異なるものを形成しようとする場合には、当該ステップ
Ｓ２２の直後に、改めてフォトリソグラフィ及びエッチ
ングを行うような工程を組めばよい。

【０１３０】また、第３実施形態における膜７０１（図
６参照）は、例えば、図１４のステップＳ２２の直後
に、画像表示領域面５０１ａをマスクしながら、スパッ
タリング法又はＣＶＤ法等によって形成するようにすれ
ばよい。

【０１３１】さらに、第４実施形態における調整膜８０
１（図７参照）は、例えば、図１４のステップＳ２２の
「面高調整工程」として、上記したようなエッチングを
行うのに代えて、調整膜８０１を形成するためのスパッ
タリング法又はＣＶＤ法等を、画像表示領域５０１ａに
ついては適当なマスクをかけつつ実施すればよい。ま
た、これとは別に、対向基板本体２０Ｒ上に、本発明に
いう「材料膜」の一例たる絶縁性薄膜等を形成した後、
該薄膜に対して、画像表示領域５０１ａのみに対するエ
ッチングを実施することによって周辺領域５００ａにお
ける薄膜を残し、もって調整膜８０１を形成する、等の
方法によってもよい。

【０１３２】また、第５実施形態におけるカバーガラス
９０１（図８参照）は、対向基板２０側に少なくともマ
イクロレンズを形成した後、平坦なガラス板を貼り合わ
せ、該ガラス板に対する面高調整工程を実施することで
カバーガラス９０１を形成する工程を、例えば図１４の
ステップＳ２２の直前に挿入することによればよい。な
お、マイクロレンズの形成方法として、より詳しくは、
例えば、対向基板２０の全面に塗布されたレジストに対
し、感光（フォトリソグラフィ）・熱処理等を加えて、
これをマトリクス状に配列された略ドーム型のレジスト
膜として成形し、これを抗エッチング膜として利用しな
がら、該レジスト及び対向基板２０の全面に対してエッ
チングを実施することにより、該対向基板２０の表面上
に前記レジストの形状を付与ないし転写すること、等に
よって形成することが可能である。

【０１３３】また、第６実施形態における電気光学装置
においては、ＴＦＴアレイ基板１０側について面高調整
工程を実施する形態となるが、当該工程は、図１４のス
テップＳ１１直後、すなわちＴＦＴアレイ基板本体１０
Ｒに対する面高調整として実施するか、あるいは好まし
くはステップＳ１２の直後、すなわち概ね完成に近づい
たＴＦＴアレイ基板１０に対する面高調整として実施す
るか、等とするとよい。そして、後者の場合にあって
は、面高調整工程の実施対象となる層は、例えば、図１
３で言うところの、第３層間絶縁膜４３となる。

【０１３４】更に、第７実施形態として示したＴＦＴア
レイ基板１０及び対向基板２０の両者について面高調整
工程を実施する形態では（図１０参照）、上述した各種
工程を適宜組み合わせて実施することによればよい。

【０１３５】以上、図１から図１４を参照して説明した
実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電性フィルムを介して電気的
及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基
板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０
の出射光が出射する側には、それぞれ、例えば、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Alinge
d）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crys
tal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモ
ード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フ
ィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置
される。

【０１３６】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに、図１５は、投射型カラー表示装置の図式的
断面図である。

【０１３７】図１５において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された液晶装置
を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれRGB用の
ライトバルブ１００R、１００G及び１００Bとして用い
たプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェク
タ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源の
ランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３
枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１
０８によって、RGBの三原色に対応する光成分R、G及びG
に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００R、１
００G及び１００Bにそれぞれ導かれる。この際特に、B
光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ
１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２
４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
そして、ライトバルブ１００R、１００G及び１００Bに
よりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダ
イクロックプリズム１１１２により再度合成された後、
投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラ
ー画像として投射される。

【０１３８】なお、上記各種実施形態においては、アク
ティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を例に取った
説明を行ったが、本発明は、これに限定されるものでは
ない。すなわち、電気光学物質に電圧を印加する電極の
形態として、二枚の基板の双方に、ストライプ状の電極
を形成するとともに、これらが交差するように該二枚の
基板を対向させた構造を有する、いわゆる単純マトリク
ス駆動方式の電気光学装置に対しても、本発明の適用が
可能であることは言うまでもない。また、アクティブマ
トリクス駆動方式の一種であるが、上述したＴＦＴ３０
を用いる形態ではなく、ＴＦＤを用いる形態にあって
も、本発明が適用可能であることも、また当然である。

【０１３９】その他、本発明は、上述した実施形態に限
られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読
み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適
宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置
及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術
的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る電気光学装置のＴＦ
Ｔアレイ基板を、その上に形成された各構成要素ととも
に対向基板の側から臨んだ平面図である。

【図２】 図１のＨ−Ｈ´断面図である。

【図３】 図２における符号ＣＲを付した円内部分を拡
大して示す拡大断面図である。

【図４】 図３と同趣旨の、対向基板本体上の周辺領域
面とＴＦＴアレイ基板上の当接面との拡大断面図であっ
て、周辺領域面に凹部を形成した状態を示す図である。

【図５】 図３と同趣旨の、対向基板本体上の周辺領域
面とＴＦＴアレイ基板上の当接面との拡大断面図であっ
て、周辺領域面を荒らした状態を示す図である。

【図６】 図３と同趣旨の、対向基板本体上の周辺領域
面とＴＦＴアレイ基板上の当接面との拡大断面図であっ
て、周辺領域面に膜を形成した状態を示す図である。

【図７】 図２と同趣旨の断面図であって、対向基板本
体上の周辺領域に調整膜を形成することをもって、画像
表示領域面及び周辺領域面に係る加工を施した様子を示
す図である。

【図８】 図２と同趣旨の断面図であって、対向基板本
体上に貼り合わせたカバーガラスに対して、画像表示領
域面及び周辺領域面に係る加工を施した様子を示す断面
図である。

【図９】 図２と同趣旨の断面図であって、ＴＦＴアレ
イ基板側に画像表示領域面及び周辺領域面に係る加工を
施した様子を示す図である。

【図１０】 図９と同趣旨の断面図であって、ＴＦＴア
レイ基板及び対向基板のいずれについても画像表示領域
面及び周辺領域面に係る加工を施した様子を示す電気光
学装置の断面図である。

【図１１】 本発明の実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。

【図１２】 本発明の実施形態の電気光学装置における
データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレ
イ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１３】 図１２のＡ−Ａ´断面図である。

【図１４】 本実施形態に係る電気光学装置の製造工程
を、その順を追って示すフローチャートである。

【図１５】 本発明の電子機器の実施形態である投射型
カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示
す図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ´…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １０Ｒ…ＴＦＴアレイ基板本体 １５０…額縁状柱 １１ａ…下側遮光膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２０Ｒ…対向基板本体 ２０１…額縁状柱 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…額縁 ７０…蓄積容量 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール １０１…データ線駆動回路 １０２…外部回路接続端子 １０４…走査線駆動回路 １０５…配線 １０６…導通材 ５００…周辺領域 ５００ａ、５００ｂ…周辺領域面（周辺領域を規定する
面） ５０１…画像表示領域 ５０１ａ、５０１ｂ…画像表示領域面（画像表示領域を
規定する面） ６０１、６０２…凹部 ６５１…素子 ６５２…配線 ７０１…膜 ８０１…調整膜 ９０１…カバーガラス

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 HA07 HA08 HA15 KA11 LA41 NA33 NA39 QA12 QA14 TA01 TA16 2H090 JA01 JA02 JA18 LA02 LA03 2H091 FA26Z GA01 LA12 LA16

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像表示領域とその周囲に位置する周辺
   領域とを有し前記画像表示領域を規定する面が前記周辺
   領域を規定する面よりも低く形成された一の基板と、 該一の基板に対向配置される他の基板と、 前記一の基板と前記他の基板とを前記周辺領域で相接着
   するシール材と、 前記一の基板と前記他の基板との間に前記画像表示領域
   で挟持された電気光学物質とを備えたことを特徴とする
   電気光学装置。
2. 【請求項２】 画像表示領域とその周囲に位置する周辺
   領域とを有する一の基板と、 該一の基板上における前記周辺領域に形成され、当該周
   辺領域を規定する面を、前記画像表示領域を規定する面
   よりも高くする、所定の厚さを有する調整膜と、 前記一の基板に対向配置される他の基板と、 前記調整膜と前記他の基板とを前記周辺領域で相接着す
   るシール材と、 前記一の基板と前記他の基板との間に前記画像表示領域
   で挟持された電気光学物質とを備えたことを特徴とする
   電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記画像表示領域を規定する面は、前記
   一の基板がエッチングされることにより、前記周辺領域
   を規定する面よりも低くされることを特徴とする請求項
   １に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記画像表示領域と前記周辺領域との境
   界の一部に、前記画像表示領域における前記一の基板と
   前記他の基板との間隙より狭い間隙を有することを特徴
   とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記一の基板上における前記他の基板に
   対向する側に貼り付けられたカバーガラスと、 該カバーガラスと前記一の基板との間に各画素に対応す
   るマイクロレンズとを更に備えており、 前記一の基板上に代えて、前記カバーガラス上における
   前記画像表示領域を規定する面が前記周辺領域を規定す
   る面よりも低く形成されていることを特徴とする請求項
   １又は３に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記一の基板上における前記他の基板に
   対向する側に貼り付けられたカバーガラスと、 該カバーガラスと前記一の基板との間に各画素に対応す
   るマイクロレンズとを更に備えており、 前記一の基板上に代えて、前記カバーガラス上における
   前記周辺領域に前記調整膜が形成されていることを特徴
   とする請求項２に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記周辺領域を規定する面内に、凹部が
   形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
   一項に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記周辺領域を規定する面内における前
   記凹部の形成位置は、前記他の基板における前記一の基
   板に対向する側に作り込まれた素子及び配線のうち少な
   くとも一方の形成位置に対応していることを特徴とする
   請求項７に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記凹部内に前記シール材が配置されて
   いることを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学
   装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか一項に記載
    の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機
    器。
11. 【請求項１１】 一の基板及び他の基板が対向配置され
    る構造を有する電気光学装置の製造方法であって、 前記一の基板に関し、その画像表示領域を規定する面
    を、当該画像表示領域の周囲に位置する周辺領域を規定
    する面よりも低く形成する面高調整工程と、 前記一の基板と前記他の基板とを前記周辺領域で相接着
    する接着工程と、 前記一の基板と前記他の基板との間に前記画像表示領域
    で挟持されるように電気光学物質を封入する封入工程と
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 一の基板及び他の基板が対向配置され
    る構造を有する電気光学装置の製造方法であって、 前記一の基板に関し、その画像表示領域の周囲に位置す
    る周辺領域に所定の厚さを有する調整膜を形成して、該
    周辺領域を規定する面を、前記画像表示領域を規定する
    面よりも高くする面高調整工程と、 前記調整膜と前記他の基板とを前記周辺領域で相接着す
    る接着工程と、 前記一の基板と前記他の基板との間に前記画像表示領域
    で挟持されるように電気光学物質を封入する封入工程と
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記面高調整工程は、前記一の基板に
    対するエッチングにより行われることを特徴とする請求
    項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記一の基板上における前記他の基板
    に対向する側に各画素に対応するマイクロレンズを形成
    する工程と、該遮光膜上にカバーガラスを貼り付ける工
    程とを更に備えており、 前記面高調整工程は、前記一の基板上に代えて、前記カバ
    ーガラス上における前記画像表示領域を規定する面を、
    前記周辺領域を規定する面よりも低く形成することを特
    徴とする請求項１１又は１３に記載の電気光学装置の製
    造方法。
15. 【請求項１５】 前記面高調整工程は、前記一の基板の
    一面に所定の厚さを有する材料膜を形成する工程と、該
    形成された材料膜をエッチングして、前記調整膜を残す
    工程とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の電気
    光学装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記一の基板上における前記他の基板
    に対向する側に各画素に対応するマイクロレンズを形成
    する工程と、該遮光膜上にカバーガラスを貼り付ける工
    程とを更に備えており、 前記面高調整工程は、前記一の基板上に代えて、前記カバ
    ーガラス上における前記周辺領域に前記調整膜を形成す
    ることを特徴とする請求項１１又は１４に記載の電気光
    学装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記面高調整工程を実施中又はその実
    施後に、前記周辺領域を規定する面内に凹部を形成する
    工程を更に含むことを特徴とする請求項１１乃至１６の
    いずれか一項に記載電気光学装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記周辺領域を規定する面内における
    前記凹部の形成位置は、前記他の基板における前記一の
    基板に対向する側に作り込まれた素子及び配線のうち少
    なくとも一方の形成位置に対応していることを特徴とす
    る請求項１６に記載の電気光学装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記凹部内に前記シール材が配置され
    ていることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の電
    気光学装置の製造方法。