JP2003133220A - 縮小投影露光装置及び露光方法 - Google Patents
縮小投影露光装置及び露光方法Info
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- JP2003133220A JP2003133220A JP2001331740A JP2001331740A JP2003133220A JP 2003133220 A JP2003133220 A JP 2003133220A JP 2001331740 A JP2001331740 A JP 2001331740A JP 2001331740 A JP2001331740 A JP 2001331740A JP 2003133220 A JP2003133220 A JP 2003133220A
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- light
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本案の目的は、レチクルを相補的な市松模様
のパターンに２分割し、近接パターン同士を別個に露光
するに当たり、パターン形状に制約なく適用でき、ま
た、レチクルマスク枚数を増加させることなくかつ、１
回目の露光と２回目の露光とで目ずれが生じる虞れがな
い縮小投影露光装置及び方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の縮小投影露光装置１０１は、半
導体基板８上に、レチクルを形成したレチクルマスク６
と、レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市松模
様に配列した領域選択マスク１０２とを配置し、レチク
ルマスク６または領域選択マスク１０２を移動機構１０
３により移動させてレチクルマスク６と領域選択マスク
１０２の重合位置をずらせる前後で、透光領域を通して
レチクルを半導体基板８上に露光するようにしたことを
特徴とする。
のパターンに２分割し、近接パターン同士を別個に露光
するに当たり、パターン形状に制約なく適用でき、ま
た、レチクルマスク枚数を増加させることなくかつ、１
回目の露光と２回目の露光とで目ずれが生じる虞れがな
い縮小投影露光装置及び方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の縮小投影露光装置１０１は、半
導体基板８上に、レチクルを形成したレチクルマスク６
と、レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市松模
様に配列した領域選択マスク１０２とを配置し、レチク
ルマスク６または領域選択マスク１０２を移動機構１０
３により移動させてレチクルマスク６と領域選択マスク
１０２の重合位置をずらせる前後で、透光領域を通して
レチクルを半導体基板８上に露光するようにしたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縮小投影露光装置
及び露光方法に関し、レチクルマスクに形成された近接
するパターン同士の光近接効果による転写精度の悪化を
低減させる縮小投影露光装置及び露光方法に関する。
及び露光方法に関し、レチクルマスクに形成された近接
するパターン同士の光近接効果による転写精度の悪化を
低減させる縮小投影露光装置及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＩＣ，ＬＳＩ等のデバイスを
投影露光技術を用いて製造するときには、例えば、５対
１、１０対１等の縮小投影光学系を用いて、レチクルマ
スクに形成されたレチクルを半導体基板に塗布したレジ
スト上に投影し、転写（露光）する縮小投影露光装置及
び露光方法が使用されている。
投影露光技術を用いて製造するときには、例えば、５対
１、１０対１等の縮小投影光学系を用いて、レチクルマ
スクに形成されたレチクルを半導体基板に塗布したレジ
スト上に投影し、転写（露光）する縮小投影露光装置及
び露光方法が使用されている。
【０００３】従来の縮小投影露光装置及び露光方法の一
例を要部側面図として示す図３を用いて説明する。縮小
投影露光装置１は、光源（水銀ランプ）２より出た光を
楕円ミラー３で集光し、インテグレータ４で均一化し、
次に、コンデンサレンズ５、所定のパターンが形成され
たレチクルマスク６及び、縮小レンズ７をこの順に通過
させて、半導体基板８に塗布したレジスト９上に照射す
る。このようにして、レチクルマスク６に形成されたパ
ターンの５分の１のパターンが、レジスト９に転写され
る。露光光としては、紫外光のｇ線（波長４３６ｎ
ｍ），ｉ線（波長３６５ｎｍ）やエキシマステッパで使
用されるレーザ光のＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）などがあ
り、微細加工化が進む中で高い解像度を維持するために
より短い波長のものが使用されてきている。
例を要部側面図として示す図３を用いて説明する。縮小
投影露光装置１は、光源（水銀ランプ）２より出た光を
楕円ミラー３で集光し、インテグレータ４で均一化し、
次に、コンデンサレンズ５、所定のパターンが形成され
たレチクルマスク６及び、縮小レンズ７をこの順に通過
させて、半導体基板８に塗布したレジスト９上に照射す
る。このようにして、レチクルマスク６に形成されたパ
ターンの５分の１のパターンが、レジスト９に転写され
る。露光光としては、紫外光のｇ線（波長４３６ｎ
ｍ），ｉ線（波長３６５ｎｍ）やエキシマステッパで使
用されるレーザ光のＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）などがあ
り、微細加工化が進む中で高い解像度を維持するために
より短い波長のものが使用されてきている。
【０００４】上記の縮小投影露光装置１を使用した微細
パターンの露光方法の一例として、マスクＲＯＭのプロ
グラミングに際し、マスクＲＯＭを構成する一定間隔の
マトリクス状に形成されたメモリセルトランジスタのう
ち、所定のメモリセルトランジスタのスレッショールド
電圧を変えるために行うコードイオン注入用のレジスト
マスクの形成について説明する。図４は、メモリセルト
ランジスタで構成されるマスクＲＯＭのメモリセルのア
レイを模式的に示す平面図である。ソースまたはドレイ
ンとなる図中横向きに走る拡散層１０（１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，…）と、図中縦向きに走るゲート電極１１
（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，…）とがマトリク
ス状に直交している。このようなメモリセルトランジス
タのチャネル領域は、ソースまたはドレインとなる拡散
層１０とゲート電極１１との交差部分の下部に形成され
るため、コードイオン注入は、所定のプログラムに従っ
た配列の交差部分のレジストに、矩形の開口部１２（１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…）を設け、この開口部１２
（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…）を通してなされる。例
えば、図４では、開口部１２ｂに対して、図中左側には
開口部１２ａが隣接して形成されており、図中右側に
は、開口部１２ｃがメモリセルトランジスタ１つ分離れ
て形成されている状態を示している。このような配列を
したレジストマスクの露光の様子を図４のＸ−Ｘ線にお
ける断面図として図５に示す。レチクルマスク６には、
矩形をした単一パターン１３（１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ，…）が形成されており、単一パターン１３ｂに対し
て、図中左側には単一パターン１３ａが隣接して形成さ
れており、図中右側には、単一パターン１３ｃがメモリ
セルトランジスタ１つ分、離れて形成されている。コー
ドイオン注入において、レジスト９に形成する開口部１
２の面積のばらつきは、メモリセルトランジスタのスレ
ッショールド電圧のばらつきとなるため、開口面積のば
らつきの少ないレジストマスクを形成することが望まれ
る。しかしながら、露光光の波長が転写するパターン間
隔に近くなると解像度に余裕がなくなり、隣接するパタ
ーン同士が光近接効果の影響（互いの露光光の影響）を
受ける。例えばレジスト９がポジ型レジストであった場
合、互いに隣接して形成される開口部１２ａと開口部１
２ｂとは、隣接した開口部のない開口部１２ｃに比べ
て、開口面積が大きくなる傾向がある。（図５中の開口
部１２ａ，１２ｂにおいて、破線は隣接した開口部がな
かったと仮定した場合に形成される開口部を示す。）ま
た、この光近接効果による開口面積の増加を見込んで、
露光量を少な目に設定すると、隣接したパターンがない
部分の開口面積が小さくなり、イオン注入が正常に出来
ないという二律背反する問題があった。
パターンの露光方法の一例として、マスクＲＯＭのプロ
グラミングに際し、マスクＲＯＭを構成する一定間隔の
マトリクス状に形成されたメモリセルトランジスタのう
ち、所定のメモリセルトランジスタのスレッショールド
電圧を変えるために行うコードイオン注入用のレジスト
マスクの形成について説明する。図４は、メモリセルト
ランジスタで構成されるマスクＲＯＭのメモリセルのア
レイを模式的に示す平面図である。ソースまたはドレイ
ンとなる図中横向きに走る拡散層１０（１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，…）と、図中縦向きに走るゲート電極１１
（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，…）とがマトリク
ス状に直交している。このようなメモリセルトランジス
タのチャネル領域は、ソースまたはドレインとなる拡散
層１０とゲート電極１１との交差部分の下部に形成され
るため、コードイオン注入は、所定のプログラムに従っ
た配列の交差部分のレジストに、矩形の開口部１２（１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…）を設け、この開口部１２
（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…）を通してなされる。例
えば、図４では、開口部１２ｂに対して、図中左側には
開口部１２ａが隣接して形成されており、図中右側に
は、開口部１２ｃがメモリセルトランジスタ１つ分離れ
て形成されている状態を示している。このような配列を
したレジストマスクの露光の様子を図４のＸ−Ｘ線にお
ける断面図として図５に示す。レチクルマスク６には、
矩形をした単一パターン１３（１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ，…）が形成されており、単一パターン１３ｂに対し
て、図中左側には単一パターン１３ａが隣接して形成さ
れており、図中右側には、単一パターン１３ｃがメモリ
セルトランジスタ１つ分、離れて形成されている。コー
ドイオン注入において、レジスト９に形成する開口部１
２の面積のばらつきは、メモリセルトランジスタのスレ
ッショールド電圧のばらつきとなるため、開口面積のば
らつきの少ないレジストマスクを形成することが望まれ
る。しかしながら、露光光の波長が転写するパターン間
隔に近くなると解像度に余裕がなくなり、隣接するパタ
ーン同士が光近接効果の影響（互いの露光光の影響）を
受ける。例えばレジスト９がポジ型レジストであった場
合、互いに隣接して形成される開口部１２ａと開口部１
２ｂとは、隣接した開口部のない開口部１２ｃに比べ
て、開口面積が大きくなる傾向がある。（図５中の開口
部１２ａ，１２ｂにおいて、破線は隣接した開口部がな
かったと仮定した場合に形成される開口部を示す。）ま
た、この光近接効果による開口面積の増加を見込んで、
露光量を少な目に設定すると、隣接したパターンがない
部分の開口面積が小さくなり、イオン注入が正常に出来
ないという二律背反する問題があった。
【０００５】この光近接効果による開口面積のばらつき
を低減させるために、以下の２つの構成が考えられる。
第１の構成として、本来、１つのレチクルマスクに形成
するレチクルを、相補的な市松模様に２分割した２つの
レチクルマスクを製作し、一方のレチクルマスクで、１
回目の露光として半分のパターンを露光し、次に他方の
レチクルマスクに交換し、２回目の露光として残りの半
分を露光する構成である。あるいは、第２の構成とし
て、レチクルマスクを相補的な市松模様に２分割したい
ずれか一方のレチクルマスクを用いて、先ず、１回目の
露光として半分のパターンを露光し、次にそのレチクル
マスクと半導体基板との相対位置を半ピッチ分（市松模
様において同じ模様が配列されている間隔の半分）移動
させて、２回目の露光として残りの半分を露光する構成
である。このようにすると、近接パターン同士を市松模
様に２分割し別個に露光するため、光近接効果による転
写精度のばらつきを低減できる。
を低減させるために、以下の２つの構成が考えられる。
第１の構成として、本来、１つのレチクルマスクに形成
するレチクルを、相補的な市松模様に２分割した２つの
レチクルマスクを製作し、一方のレチクルマスクで、１
回目の露光として半分のパターンを露光し、次に他方の
レチクルマスクに交換し、２回目の露光として残りの半
分を露光する構成である。あるいは、第２の構成とし
て、レチクルマスクを相補的な市松模様に２分割したい
ずれか一方のレチクルマスクを用いて、先ず、１回目の
露光として半分のパターンを露光し、次にそのレチクル
マスクと半導体基板との相対位置を半ピッチ分（市松模
様において同じ模様が配列されている間隔の半分）移動
させて、２回目の露光として残りの半分を露光する構成
である。このようにすると、近接パターン同士を市松模
様に２分割し別個に露光するため、光近接効果による転
写精度のばらつきを低減できる。
【０００６】しかしながら、第１の構成の場合、２つの
レチクルマスクの出来映えに差がない高度な寸法精度の
２つのレチクルマスクを製造する必要がある上、レチク
ルマスク枚数が増加し管理が煩雑になるという問題があ
った。また、２つのレチクルマスクを交換する必要があ
るため、交換作業の工数が掛かるとともに、１回目の露
光と２回目の露光とで目ずれが生じる虞れがあった。
レチクルマスクの出来映えに差がない高度な寸法精度の
２つのレチクルマスクを製造する必要がある上、レチク
ルマスク枚数が増加し管理が煩雑になるという問題があ
った。また、２つのレチクルマスクを交換する必要があ
るため、交換作業の工数が掛かるとともに、１回目の露
光と２回目の露光とで目ずれが生じる虞れがあった。
【０００７】次に、第２の構成の場合は、レチクルマス
クは１つで済みかつ、レチクルマスクの交換作業の工数
は不要であるが、レチクルマスクと半導体基板との相対
位置を半ピッチ分、変化させるため１回目の露光と２回
目の露光とで目ずれが生じる虞れがある点では、第１の
構成と同様であった。また、第２の構成の場合、２分割
したパターン同士が同一（１回目に露光するパターン
と、半ピッチ分、移動後２回目に露光するパターンとが
同じ）である場合に限定されパターン形状における制約
があった。
クは１つで済みかつ、レチクルマスクの交換作業の工数
は不要であるが、レチクルマスクと半導体基板との相対
位置を半ピッチ分、変化させるため１回目の露光と２回
目の露光とで目ずれが生じる虞れがある点では、第１の
構成と同様であった。また、第２の構成の場合、２分割
したパターン同士が同一（１回目に露光するパターン
と、半ピッチ分、移動後２回目に露光するパターンとが
同じ）である場合に限定されパターン形状における制約
があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本案の目的は、レチク
ルを相補的な市松模様のパターンに２分割し、近接パタ
ーン同士を別個に露光するに当たり、パターン形状に制
約なく適用でき、また、レチクルマスク枚数を増加させ
ることなくかつ、１回目の露光と２回目の露光とで目ず
れが生じる虞れがない縮小投影露光装置及び方法を提供
することである。
ルを相補的な市松模様のパターンに２分割し、近接パタ
ーン同士を別個に露光するに当たり、パターン形状に制
約なく適用でき、また、レチクルマスク枚数を増加させ
ることなくかつ、１回目の露光と２回目の露光とで目ず
れが生じる虞れがない縮小投影露光装置及び方法を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の縮小投影露光装
置は、半導体基板上に、レチクルを形成したレチクルマ
スクと、レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市
松模様に配列した領域選択マスクとを配置し、レチクル
マスクまたは領域選択マスクを移動機構により移動させ
てレチクルマスクと領域選択マスクの重合位置をずらせ
る前後で、透光領域を通してレチクルを半導体基板上に
露光するようにしたことを特徴とする縮小投影露光装置
である。
置は、半導体基板上に、レチクルを形成したレチクルマ
スクと、レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市
松模様に配列した領域選択マスクとを配置し、レチクル
マスクまたは領域選択マスクを移動機構により移動させ
てレチクルマスクと領域選択マスクの重合位置をずらせ
る前後で、透光領域を通してレチクルを半導体基板上に
露光するようにしたことを特徴とする縮小投影露光装置
である。
【００１０】本発明の露光方法は、レチクルマスクを、
レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市松模様に
配列した領域選択マスクで被覆し１回目の露光を行い、
次に、２回目の露光として重合位置をずらせた後、未露
光部分の露光を行うことを特徴とする縮小投影露光方法
である。
レチクルに対応して透光領域と遮光領域とを市松模様に
配列した領域選択マスクで被覆し１回目の露光を行い、
次に、２回目の露光として重合位置をずらせた後、未露
光部分の露光を行うことを特徴とする縮小投影露光方法
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の縮小投影露光装置の一例
を要部側面図として示す図１を用いて説明する。図３と
同一部分には同一符号を付して説明を省略する。縮小投
影露光装置１０１が、従来の縮小投影露光装置１と異な
る点は、レチクルマスク６の近傍にレチクルマスク６を
被覆するように配置した領域選択マスク１０２と、この
領域選択マスク１０２に連結した移動機構１０３とを備
えた点である。領域選択マスク１０２には、レチクルマ
スク６に形成されたレチクルを透光領域と遮光領域とか
ら成る市松模様に分割するような開口部１０４が形成さ
れており、この開口部１０４の下のレチクルのみがレジ
スト９上に露光される。また、この領域選択マスク１０
２に連結した移動機構１０３は、レチクルマスク６及び
半導体基板８に対する領域選択マスク１０２の相対位置
を所定の方向に所定の距離だけ変化させられる。
を要部側面図として示す図１を用いて説明する。図３と
同一部分には同一符号を付して説明を省略する。縮小投
影露光装置１０１が、従来の縮小投影露光装置１と異な
る点は、レチクルマスク６の近傍にレチクルマスク６を
被覆するように配置した領域選択マスク１０２と、この
領域選択マスク１０２に連結した移動機構１０３とを備
えた点である。領域選択マスク１０２には、レチクルマ
スク６に形成されたレチクルを透光領域と遮光領域とか
ら成る市松模様に分割するような開口部１０４が形成さ
れており、この開口部１０４の下のレチクルのみがレジ
スト９上に露光される。また、この領域選択マスク１０
２に連結した移動機構１０３は、レチクルマスク６及び
半導体基板８に対する領域選択マスク１０２の相対位置
を所定の方向に所定の距離だけ変化させられる。
【００１２】次に、上記の縮小投影露光装置１０１を使
用した微細パターンの露光方法の一例を、図２を用いて
説明する。図２は、図４で示したメモリセルアレイに形
成するレジストマスクの露光において、領域選択マスク
１０２の平面図と、領域選択マスク１０２のＹ−Ｙ線に
おける断面図を用いた露光の説明図である。図４と同一
部分には同一符号を付して説明を省略する。先ず、図２
（ａ）に示すように、領域選択マスク１０２に市松模様
に形成された開口部１０４のうち、開口部１０４ａがレ
チクル６に形成された開口部１３ｂと、領域選択マスク
１０２に形成された開口部１０４ｂがレチクルマスク６
に形成された開口部１３ｃと、それぞれ対応するように
配置し、１回目の露光として、レチクルマスク６に形成
された単一パターン１３のうちの半分を露光する。この
露光により、レジスト９には、開口部１２ｂ，開口部１
２ｃとなる部分の露光がなされるが、図２（ｂ）に示す
開口部１２ａとなる部分は、領域選択マスク１０２で遮
光されるため露光されない。次に、図２（ｂ）に示すよ
うに、領域選択マスク１０２を、図中左方向に市松模様
において隣り同士の開口部１０４から開口部１０４まで
の間隔の半分の距離（半ピッチ）、移動させる。これに
より、領域選択マスク１０２に形成された開口部１０４
ａは、レチクルマスク６に形成された開口部１３ａに対
応した位置に来る。この状態で２回目の露光としてレチ
クルマスク６に形成された単一パターン１３のうちの残
り半分を露光する。この露光により、レジスト９には、
開口部１２ａとなる部分の露光がなされるが、開口部１
２ｂ，開口部１２ｃとなる部分は、領域選択マスク１０
２で遮光されるため２回目は露光されない。このように
して、隣接パターン同士を市松模様に２分割し別個に露
光するため、光近接効果による転写精度のばらつきを低
減できる。ここで、領域選択マスク１０２に形成する開
口部１０４の大きさを、レチクルマスク６に形成した単
一パターン１３の大きさより、若干大きく開口しておく
と、レチクルマスク６と領域選択マスク１０２との位置
合せが容易になるとともに、領域選択マスク１０２が単
一パターン１３を欠損させたりすることを防止できて好
適である。
用した微細パターンの露光方法の一例を、図２を用いて
説明する。図２は、図４で示したメモリセルアレイに形
成するレジストマスクの露光において、領域選択マスク
１０２の平面図と、領域選択マスク１０２のＹ−Ｙ線に
おける断面図を用いた露光の説明図である。図４と同一
部分には同一符号を付して説明を省略する。先ず、図２
（ａ）に示すように、領域選択マスク１０２に市松模様
に形成された開口部１０４のうち、開口部１０４ａがレ
チクル６に形成された開口部１３ｂと、領域選択マスク
１０２に形成された開口部１０４ｂがレチクルマスク６
に形成された開口部１３ｃと、それぞれ対応するように
配置し、１回目の露光として、レチクルマスク６に形成
された単一パターン１３のうちの半分を露光する。この
露光により、レジスト９には、開口部１２ｂ，開口部１
２ｃとなる部分の露光がなされるが、図２（ｂ）に示す
開口部１２ａとなる部分は、領域選択マスク１０２で遮
光されるため露光されない。次に、図２（ｂ）に示すよ
うに、領域選択マスク１０２を、図中左方向に市松模様
において隣り同士の開口部１０４から開口部１０４まで
の間隔の半分の距離（半ピッチ）、移動させる。これに
より、領域選択マスク１０２に形成された開口部１０４
ａは、レチクルマスク６に形成された開口部１３ａに対
応した位置に来る。この状態で２回目の露光としてレチ
クルマスク６に形成された単一パターン１３のうちの残
り半分を露光する。この露光により、レジスト９には、
開口部１２ａとなる部分の露光がなされるが、開口部１
２ｂ，開口部１２ｃとなる部分は、領域選択マスク１０
２で遮光されるため２回目は露光されない。このように
して、隣接パターン同士を市松模様に２分割し別個に露
光するため、光近接効果による転写精度のばらつきを低
減できる。ここで、領域選択マスク１０２に形成する開
口部１０４の大きさを、レチクルマスク６に形成した単
一パターン１３の大きさより、若干大きく開口しておく
と、レチクルマスク６と領域選択マスク１０２との位置
合せが容易になるとともに、領域選択マスク１０２が単
一パターン１３を欠損させたりすることを防止できて好
適である。
【００１３】尚、ここでは、領域選択マスク１０２の位
置は、レチクルマスク６の上側に配置したが、レチクル
マスク６と近接していれば、レチクルマスク６の下側に
配置してもよい。また、領域選択マスク１０２とレチク
ルマスク６及び半導体基板９との相対位置を変える方法
として、レチクルマスク６及び半導体基板９を固定と
し、領域選択マスク１０２を移動させたが、レチクルマ
スク６及び半導体基板９を同一移動機構で移動させる場
合は、領域選択マスク１０２を固定とし、レチクルマス
ク６及び半導体基板９を移動させる構成としても目ずれ
の虞は少ない。また、レチクルとして、同一の単一パタ
ーンが略マトリクス状に配列された例で説明したが、レ
チクルは、これに限らず、特に制約されるものではな
い。
置は、レチクルマスク６の上側に配置したが、レチクル
マスク６と近接していれば、レチクルマスク６の下側に
配置してもよい。また、領域選択マスク１０２とレチク
ルマスク６及び半導体基板９との相対位置を変える方法
として、レチクルマスク６及び半導体基板９を固定と
し、領域選択マスク１０２を移動させたが、レチクルマ
スク６及び半導体基板９を同一移動機構で移動させる場
合は、領域選択マスク１０２を固定とし、レチクルマス
ク６及び半導体基板９を移動させる構成としても目ずれ
の虞は少ない。また、レチクルとして、同一の単一パタ
ーンが略マトリクス状に配列された例で説明したが、レ
チクルは、これに限らず、特に制約されるものではな
い。
【００１４】
【発明の効果】本発明の縮小投影露光装置及び露光方法
によると、１つのレチクルマスクに形成するパターンを
２つのレチクルマスクに２分割したり、レチクルマスク
と感光基板との相対位置を移動させたりせずに、近接パ
ターン同士を別個に露光できるため、レチクルマスクに
形成されるパターンの形状に制約されることなく適用で
き、レチクルマスク枚数を増加させたり、１回目の露光
と２回目の露光とで目ずれを生じさせる虞れがなく、光
近接効果による転写精度のばらつきを低減できる。ま
た、領域選択マスクの開口部の大きさを露光するレチク
ルマスクのパターンの大きさよりも若干大きくしておく
と、レチクルマスクと領域選択マスクとの位置合せが容
易になり、領域選択マスクがパターンを欠損させたりす
ることを防止できる。また、レチクルが、マスクＲＯＭ
のコードイオン注入用のレジストマスクを形成するため
のレチクルであった場合、レジストに開口面積のばらつ
きの少ないレジストマスクが形成でき、それにより、メ
モリトランジスタのスレッショールド電圧のばらつきが
少ないマスクＲＯＭが製造できる。
によると、１つのレチクルマスクに形成するパターンを
２つのレチクルマスクに２分割したり、レチクルマスク
と感光基板との相対位置を移動させたりせずに、近接パ
ターン同士を別個に露光できるため、レチクルマスクに
形成されるパターンの形状に制約されることなく適用で
き、レチクルマスク枚数を増加させたり、１回目の露光
と２回目の露光とで目ずれを生じさせる虞れがなく、光
近接効果による転写精度のばらつきを低減できる。ま
た、領域選択マスクの開口部の大きさを露光するレチク
ルマスクのパターンの大きさよりも若干大きくしておく
と、レチクルマスクと領域選択マスクとの位置合せが容
易になり、領域選択マスクがパターンを欠損させたりす
ることを防止できる。また、レチクルが、マスクＲＯＭ
のコードイオン注入用のレジストマスクを形成するため
のレチクルであった場合、レジストに開口面積のばらつ
きの少ないレジストマスクが形成でき、それにより、メ
モリトランジスタのスレッショールド電圧のばらつきが
少ないマスクＲＯＭが製造できる。
【図１】 本発明の縮小投影露光装置の要部側面図
【図２】 本発明の縮小投影露光装置を用いた露光方法
の説明図
の説明図
【図３】 従来の縮小投影露光装置の要部側面図
【図４】 マスクＲＯＭのメモリセルのアレイの模式図
【図５】 従来の縮小投影露光装置を用いた露光方法の
説明図
説明図
６ レチクルマスク
８ 半導体基板
１０１ 縮小投影露光装置
１０２ 領域選択マスク
１０３ 移動機構
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板上に、レチクルを形成したレチ
クルマスクと、レチクルに対応して透光領域と遮光領域
とを市松模様に配列した領域選択マスクとを配置し、レ
チクルマスクまたは領域選択マスクを移動機構により移
動させてレチクルマスクと領域選択マスクの重合位置を
ずらせる前後で、透光領域を通してレチクルを半導体基
板上に露光するようにしたことを特徴とする縮小投影露
光装置。 - 【請求項２】前記レチクルは、単一パターンが一定間隔
のマトリクス状または略マトリクス状に配列されたパタ
ーンであることを特徴とする請求項１に記載の縮小投影
露光装置。 - 【請求項３】前記単一パターンは、マスクＲＯＭを構成
するメモリセルにコードイオン注入するため、メモリセ
ル上に塗布したレジストに形成する開口部のパターンで
あることを特徴とする請求項２に記載の縮小投影露光装
置。 - 【請求項４】レジストに形成する開口部のパターンの大
きさよりも領域選択マスクの透光領域の大きさが若干大
きいことを特徴とする請求項３に記載の縮小投影露光装
置。 - 【請求項５】レチクルマスクを、レチクルに対応して透
光領域と遮光領域とを市松模様に配列した領域選択マス
クで被覆し１回目の露光を行い、次に、２回目の露光と
して重合位置をずらせた後、未露光部分の露光を行うこ
とを特徴とする縮小投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331740A JP2003133220A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331740A JP2003133220A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133220A true JP2003133220A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19147253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001331740A Pending JP2003133220A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010134353A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像装置 |
| US7803501B2 (en) | 2002-10-10 | 2010-09-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Mask for light exposure |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001331740A patent/JP2003133220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7803501B2 (en) | 2002-10-10 | 2010-09-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Mask for light exposure |
| JP2010134353A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像装置 |
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