JP2003117898A - マイクロマシンを高密度に収容するシステム - Google Patents
マイクロマシンを高密度に収容するシステムInfo
- Publication number
- JP2003117898A JP2003117898A JP2002221120A JP2002221120A JP2003117898A JP 2003117898 A JP2003117898 A JP 2003117898A JP 2002221120 A JP2002221120 A JP 2002221120A JP 2002221120 A JP2002221120 A JP 2002221120A JP 2003117898 A JP2003117898 A JP 2003117898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micro
- micromachine
- substrate
- anchor
- flexible member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/04—Networks or arrays of similar microstructural devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/038—Microengines and actuators not provided for in B81B2201/031 - B81B2201/037
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
ステムおよび方法を提供する。 【解決手段】マイクロマシンシステム(100)を提供す
る。本発明のマイクロマシンシステムの1実施態様は、
トレンチ(116,512)を画定する基板(111,504)を備える。
第1の超小型電気機械デバイス(110,502)及び第2の超
小型電気機械デバイス(110,502)の少なくとも一部がト
レンチ内に配置される。これらの超小型電気機械デバイ
スの各々には、基板に対して移動するよう構成された第
1の部分が組み込まれている。マイクロマシンシステム
を製造する方法も提供される。
Description
ンに関し、より具体的には、基板上にマイクロマシンを
高密度に収容するシステムおよび方法に関する。 【0002】 【従来の技術】超小型電気機械システム(MEMS)デ
バイス(デバイスには、装置または素子が含まれる)の
ようなマイクロマシンが多くの用途において普及してき
ている。これらの素子は非常に小さなスケールにおいて
機械的な機能を提供することができる。たとえば、典型
的なマイクロマシンは数十ナノメートル〜数十ミリメー
トルのスケールで形成されることができる。 【0003】多くの場合に、マイクロマシンは基板、た
とえば半導体ウェーハ上に形成される。1枚の基板が数
百個以上のマイクロマシンを収容することができる。基
板の単位面積当たりに設けることができるマイクロマシ
ンの数、すなわちマイクロマシンの収容密度(または装
填密度)は、いくつかの要因によって影響を及ぼされ
る。たとえば、マイクロマシンの大きさ、および隣接す
るマイクロマシン間に設けられる間隔がマイクロマシン
の収容密度に影響を与える。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】マイクロマシンの収容
密度を高めたいという要望は絶えずあると思われるた
め、この要望および/または他の要望に対処するシステ
ムおよび方法が必要とされている。したがって本発明の
目的は、基板上にマイクロマシンを高密度に収容するシ
ステムおよび方法を提供することである。 【0005】 【課題を解決するための手段】手短に述べると、本発明
はマイクロマシンに関連する。この点にについて、本発
明の実施形態はマイクロマシンシステムとみなすことも
できる。そのようなマイクロマシンシステムの一実施形
態はトレンチを画定する基板を含む。第1および第2の
超小型電気機械デバイスが、少なくとも部分的にトレン
チ内に配置される。超小型電気機械デバイスはそれぞ
れ、基板に対して移動するように構成される第1の部分
を備える。 【0006】本発明の他の実施形態は、マイクロマシン
のアレイを形成するための方法とみなすことができる。
この点について、一実施形態は、基板を配設するステッ
プと、基板内にトレンチを形成するステップとを含む。
第1および第2の超小型電気機械デバイスが、少なくと
も部分的にトレンチ内に配置される。超小型電気機械デ
バイスはそれぞれ、基板に対して移動するように構成さ
れる第1の部分を備える。以下、超小型電気機械デバイ
スをマイクロマシンとして説明する。 【0007】本発明の他の特徴および利点は、以下の図
面および詳細な説明を検討すれば、当業者には明らかで
あろう。本明細書及び図面に開示されたそのような全て
の特徴および利点は、特許請求の範囲に規定された本発
明の範囲内に含まれることが意図されている。 【0008】 【発明の実施の形態】特許請求の範囲において規定され
る本発明は、添付の図面を参照すればさらに理解を深め
ることができる。図面は必ずしも同一スケールで描かれ
ているわけではなく、本発明の原理を明確に示すことに
重点を置いている。 【0009】ここで図面を参照すると、図1はマイクロ
マシンシステム100の一実施形態を示す。なお、いく
つかの図面を通して、同じ参照番号は、対応する構成要
素を示している。後にさらに詳細に記載されるように、
本発明のマイクロマシンシステムの実施形態は、マイク
ロマシンを高密度に収容するために種々の技術を用いる
ことができる。 【0010】図1において、マイクロマシンシステム1
00は、基板111上に設けられた多数のマイクロマシ
ン110を備える。一例として、基板111は半導体ウ
ェーハとすることができる。各マイクロマシン110
は、超小型可動子構成要素(「超小型可動子(マイクロ
ムーバー)」)112を備える。超小型可動子112
は、基板111の少なくとも一部に対して移動するよう
に構成される。本発明の他の実施形態では、超小型可動
子以外の種々のタイプのマイクロマシンを用いることが
できる。しかしながら、以下の説明では、本発明の実施
形態を、超小型可動子を参照して記載する。これは単に
説明を容易にするためのものであり、本発明を制限する
ためのものでない。 【0011】超小型可動子112は、隣接する超小型可
動子112が互いに干渉しないように、互いから離隔し
て配置されることが好ましい。より具体的には、仮に隣
接する超小型可動子が互いに接触可能にされていたな
ら、超小型可動子の一方あるいは両方が、意図した機能
を実行するのを妨げられ、及び/または損傷を受ける可
能性がある。隣接する超小型可動子間の間隔は、対応す
るトレンチ116内に各超小型可動子を配置することに
より調整される。各トレンチは基板111の材料によっ
て画定されることが好ましい。より具体的には、基板の
材料は、超小型過可動子の行120をなす隣接して配置
された超小型可動子間の縦方向の障壁118を形成す
る。横方向障壁112は、超小型可動子の列124の隣
接して配置される超小型可動子間に形成される。トレン
チ116は、たとえばエッチングによって、トレンチの
所望の領域において基板の材料を除去することにより、
及び/または、たとえば材料の堆積によって、トレンチ
の所望の領域の周囲に隆起した領域を形成することによ
り形成することができる。 【0012】図1に示される実施形態では、超小型可動
子112は、可撓性部材130によって、それらの各ト
レンチ内にしっかりと保持される。多数の可撓性部材1
30が各超小型可動子112と係合する。可撓性部材
は、超小型可動子が移動できるようにしながら、たとえ
ば、超小型可動子112が基板111に対して移動する
ようにしながら、そのトレンチ内に超小型可動子を保持
することができる。可撓性部材の典型的な例には、ばね
および微細加工されたビーム(または梁)が含まれる。 【0013】各可撓性部材130はアンカー132に取
着(すなわち、付着または固定)される。アンカー13
2は、基板に取着される構成要素として、または基板の
材料の一部として形成することができる。 【0014】マイクロマシンは種々の微細機械加工プロ
セスによって製造することができる。典型的なプロセス
では、デバイスの材料はシリコンであり、それはウェー
ハの形態で与えられる。超小型可動子、可撓性部材およ
びアンカーのシステムは、マスク層によってシリコンウ
ェーハ内に画定され、マスク層はたとえばフォトレジス
トから形成することができる。深いシリコン反応性イオ
ンエッチング(シリコンリアクティブイオンエッチン
グ)を用いて、マスクの形状をシリコンウェーハに転写
することができる。典型的なエッチングの深さは10〜
100μmであろう。エッチングの深さはしばしば、微
細機械加工が開始される前に、シリコンウェーハ内に設
けられたエッチング停止層(エッチング止め層)によっ
て設定される。エッチング停止層は、たとえば二酸化ケ
イ(珪)素で形成することができる。エッチング停止層は
犠牲層として用いられ、超小型可動子を基板から容易に
切り離せるようにする。切り離しとは、MEMS部品、
たとえば超小型可動子上の拘束が解除されるプロセスの
ことを指す。これにより、超小型可動子は、基板に対し
て自在に移動できるようになる。たとえば、図1の実施
形態では、可撓性部材およびアンカーは、切り離された
超小型可動子の動きを所望の自由度に制限するための役
割を果たす。 【0015】所望の領域内のマイクロマシン構成要素の
周囲から犠牲材料を除去するために、犠牲層の等方性エ
ッチングが実行される。たとえば、犠牲層は1μm厚に
することができる。エッチングステップの持続時間は、
その基板からどの構造が切り離されるかを決定する。た
とえば、エッチング時間を長くすると、典型的には、エ
ッチング中に、より多くの犠牲材料が除去される。エッ
チング中により多くの材料を除去することにより、典型
的にはより大きな構造、すなわちマスクステップにおい
て画定される、より大きな構造を切り離すことができ
る。十分な時間を与えることにより、切離し用エッチン
グは、超小型可動子およびその可撓性部材の下側に形成
された犠牲材料を完全に除去することができる。対照的
に、アンカーはエッチングによって切り離されない。ア
ンカーの切離しを防ぐために、アンカーはエッチングに
よって、切離しが可能になる度合いまで切り取られない
(アンダーカットされない)ように、十分に広い幅に形
成される。 【0016】ここで図2を参照すると、いくつかの個別
の寸法がマイクロマシン110の収容密度、すなわち単
位面積当たりのマイクロマシンの数に影響を及ぼすこと
が示される。より具体的には、各マイクロマシン110
は、長さ(MX)と幅(MY)とを有する。MXおよび
MYは物理的なデバイスの寸法とその動作範囲との両方
を含む。各マイクロマシン110は、長さ(SX)だけ
隣接するマイクロマシンから離隔して配置される。すな
わち、SXは同じ行の隣接するマイクロマシン間の距離
である。幅(SY)は同じ列の隣接するマイクロマシン
間の距離である。したがって、図2に示される実施形態
では、マイクロマシン110に関連する全面積は以下の
式によって表される。 【0017】X方向の寸法:MX+(2)(1/2 SX) 【0018】Y方向の寸法:MY+(2)(1/2 SY) 【0019】マイクロマシンシステム100の別の実施
形態を図3に示す。図3に示すように、図1および図2
の実施形態に示される長手方向(または縦方向)の障壁
が、隣接する超小型可動子110の間には設けられてい
ない。この構成では、図1および図2の実施形態に比べ
て、より高い収容密度のマイクロマシンが達成される。
詳しくは、図3の各マイクロマシン110は、MX1の
長さを必要とし、いくつかの実施形態では、MX1<M
X+(2)(1/2 SX)の長さを必要とする。 【0020】マイクロマシンシステム100の別の実施
形態を図4に示す。図示のように、隣接して配置された
マイクロマシン間にセパレータ410が設けられる。セ
パレータ410は、隣接する超小型可動子が直に接触す
るのを防ぐように構成される。各セパレータ410は、
個別の構成要素として形成されることが好ましい。すな
わち、基板の材料とは別に形成されることが好ましい。
たとえば、セパレータ410は、可撓性部材130とビ
ーム(または梁)と類似の微細加工されたビームとする
ことができる。 【0021】図4では、多数の可撓性部材130を固定
するためにアンカー420が用いられる。詳細には、各
アンカー420は、隣接する一対の超小型可動子間に配
置され、一対の超小型可動子の各超小型可動子からの少
なくとも1つの可撓性部材を取着するために用いられ
る。また各アンカー420は、1つあるいは複数のセパ
レータ410を固定することができる。可撓性部材およ
び/またはセパレータのような多数の構成要素を固定す
るためのアンカーを組み込んだ実施形態では、より高い
収容密度を達成することができる。より具体的には、い
くつかの実施形態では、MX2<MX1<MX+(2)
(1/2 SX)である。 【0022】図5では、マイクロマシンシステム100
は、基板504上に設けられた多数のマイクロマシン5
02を備える。マイクロマシン502は、隣接する超小
型可動子506が互いに干渉しないように、互いから離
隔して配置されることが好ましい。マイクロマシンの可
撓性部材508はアンカーに取着される。アンカーは、
基板の表面510から隆起しており、アンカーの周囲に
配列されるトレンチ512を画定する。 【0023】図5には、4つのタイプのアンカー、すな
わち、アンカー514、516、518および520が
示されている。より具体的には、アンカー514は1つ
の超小型可動子からの1つの可撓性部材を取着するよう
に構成される。典型的には、そのような超小型可動子は
マイクロマシンのアレイの角に配置される。アンカー5
16に関しては、これらのアンカーは少なくとも2つの
マイクロマシンからの可撓性部材を取着するように構成
される。図5のマイクロマシンシステム100はマイク
ロマシンの列522を含むため、アンカー516は典型
的にはマイクロマシンの列の外側縁部にそってのみ設け
られる。 【0024】アンカー518も、少なくとも2つのマイ
クロマシン(または超小型可動子)からの可撓性部材を
取着するように構成される。アンカー518は典型的に
はマイクロマシンの行524の外側縁部にそってのみ設
けられる。アンカー516と同様に、アンカー518は
少なくとも2つのマイクロマシンからの可撓性部材を取
着するように構成される。しかしながら、その各アンカ
ーがアンカーの両側において可撓性部材と係合するアン
カー516とは異なり、各アンカー518は典型的に
は、そのアンカーの一方の側に沿って可撓性部材と係合
する。 【0025】アンカー520は典型的には、マイクロマ
シンのアレイの外側周縁部以外の場所に設けられる。図
5に示されるように、アンカー520は、少なくとも4
つの超小型可動子からの可撓性部材を取着するように構
成される。詳細には、アンカーの一方の側は第1の行の
隣接して配置された超小型可動子の可撓性部材を取着す
るように構成され、アンカーの他方の側は第2の行の隣
接して配置された超小型可動子の可撓性部材を取着する
ように構成される。 【0026】図5には示していないが、セパレータも、
マイクロマシンシステム100の隣接して配置された超
小型可動子のうちの少なくともいくつかの間に設けるこ
とができる。 【0027】上記の記載は、例示および説明のために提
示した。このことは、本発明の全ての態様を開示したこ
とや、本発明を開示した形態そのままのものに限定する
ことを意図していない。上記の教示に鑑みて、変更およ
び変形態様を実現することができる。しかしながら、開
示した1つあるいは複数の実施形態は、本発明の原理お
よびその実用的な応用形態を最もわかりやすく説明し、
それにより当業者が、意図している実用的な用途に適す
るような種々の実施形態および種々の変更形態で本発明
を利用できるようにするために選択され、説明されたも
のである。 【0028】たとえば、隣接して配置されるマイクロマ
シン間の間隔は、共に動くように意図されたマイクロマ
シンの場合には必要とされない場合がある。これらの実
施形態では、それらのマイクロマシンが互いに係合する
ようにマイクロマシンを構成することにより、より高い
収容密度を達成することができる。全てのそのような変
更および変形は、特許請求の範囲が公正、かつ合法的に
権利を与えられる範囲に基づいて解釈されるならば、そ
れによって決定される本発明の範囲内にある。 【0029】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。 1.トレンチ(116、512)を画定する基板(11
1、504)と、前記トレンチ内に少なくとも部分的に
配置される第1の超小型電気機械デバイス(110、5
02)であって、前記第1の超小型電気機械デバイスは
第1の部分を含み、前記第1の部分は前記基板に対して
移動するように構成されることからなる、第1の超小型
電気機械デバイスと、前記トレンチ内に少なくとも部分
的に配置されると共に、前記第1の超小型電気機械デバ
イスに隣接して配置される第2の超小型電気機械デバイ
ス(110、502)であって、前記第2の超小型電気
機械デバイスは第1の部分を含み、前記第1の部分は前
記基板に対して移動するように構成されることからな
る、第2の超小型電気機械デバイスを備える、マイクロ
マシンシステム(100)。 2.前記基板に対して所定の位置に固定される第1のア
ンカー(132)であって、前記第1のアンカーは、前
記第1の超小型電気機械デバイスの前記第1の部分を前
記トレンチ内に少なくとも部分的に保持するように構成
される、第1のアンカーと、前記基板に対して所定の位
置に固定される第2のアンカー(132)であって、前
記第2のアンカーは、前記第2の超小型電気機械デバイ
スの前記第1の部分を前記トレンチ内に少なくとも部分
的に保持するように構成される、第2のアンカーをさら
に備える、上項1に記載のマイクロマシンシステム。 3.前記第1の超小型電気機械デバイスの前記第1の部
分を前記トレンチ内に少なくとも部分的に保持するため
の手段と、前記第2の超小型電気機械デバイスの前記第
1の部分を前記トレンチ内に少なくとも部分的に保持す
るための手段をさらに備える、上項1に記載のマイクロ
マシンシステム。 4.前記第1の超小型電気機械デバイスの前記第1の部
分と前記第2の超小型電気機械デバイスの前記第1の部
分とは互いに独立して移動するように構成される、上項
1に記載のマイクロマシンシステム。 5.前記第1の超小型電気機械デバイスと前記第2の超
小型電気機械デバイスとの間に少なくとも部分的に配置
されるセパレータ(410)をさらに備え、前記セパレ
ータは、前記第1の超小型電気機械デバイスの前記第1
の部分と前記第2の超小型電気機械デバイスの前記第1
の部分とによる接触(または接近)に応じて変形するよ
うに構成され、前記セパレータは、前記第1の超小型電
気機械デバイスが前記第2の超小型電気機械デバイスと
接触するのを防ぐように構成される、上項1に記載のマ
イクロマシンシステム。 6.前記第1の超小型電気機械デバイスが前記第2の超
小型電気機械デバイスと接触するのを防ぐための手段を
さらに備える、上項1に記載のマイクロマシンシステ
ム。 7.前記第1の超小型電気機械デバイスは第1の可撓性
部材(130)を備え、前記第1の可撓性部材は、前記
第1のアンカーに取着された第一の端部を有し、前記第
1の可撓性部材は、前記第1の超小型電気機械デバイス
の前記第1の部分に取着され、さらに前記第1の可撓性
部材は、前記第1の超小型電気機械デバイスの前記第1
の部分が前記基板に対して移動することができるように
変形するよう構成され、前記第2の超小型電気機械デバ
イスは第1の可撓性部材(130)を備え、前記第2の
超小型電気機械デバイスの前記第1の可撓性部材は、前
記第2のアンカーに取着される第1の端部を有し、前記
第2の超小型電気機械デバイスの前記第1の可撓性部材
は、前記第2の超小型電気機械デバイスの前記第1の部
分に取着され、さらに、前記第2の超小型電気機械デバ
イスの前記第1の可撓性部材は、前記第2の超小型電気
機械デバイスの前記第1の部分が前記基板に対して移動
することができるように変形するよう構成されることか
らなる、上項2に記載のマイクロマシンシステム。 8.前記セパレータは微細加工されたビームである、上
項5に記載のマイクロマシンシステム。 9.前記第1の超小型電気機械デバイスは第2の可撓性
部材(130)を備え、前記第2の可撓性部材は、前記
第2のアンカーに取着される第1の端部を有し、前記第
2の可撓性部材は前記第1の超小型電気機械デバイスの
前記第1の部分に取着され、前記第2の超小型電気機械
デバイスは第2の可撓性部材(130)を備え、前記第
2の超小型電気機械デバイスの前記第2の可撓性部材
は、前記第1のアンカーに取着される第1の端部を有
し、前記第2の超小型電気機械デバイスの前記第2の可
撓性部材は、前記第2の超小型電気機械デバイスの前記
第1の部分に取着されることからなる、上項7に記載の
マイクロマシンシステム。 10.前記トレンチ内に少なくとも部分的に配置される
第3の超小型電気機械デバイス(110)をさらに備
え、前記第3の超小型電気機械デバイスは第1の部分と
第1の可撓性部材とを備え、前記第3の超小型電気機械
デバイスの前記第1の部分は前記基板に対して移動する
ように構成され、前記第3の超小型電気機械デバイスの
前記第1の可撓性部材(130)は前記第1のアンカー
に取着される第1の端部を有し、前記第3の超小型電気
機械デバイスの前記第1の可撓性部材は、前記第3の超
小型電気機械デバイスの前記第1の部分に取着され、前
記第3の超小型電気機械デバイスの前記第1の可撓性部
材は、前記第3の超小型電気機械デバイスの前記第1の
部分が前記基板に対して移動することができるように変
形するよう構成されることからなる、上項7に記載のマ
イクロマシンシステム。 【0030】本発明のマイクロマシンシステムの1実施
態様は、トレンチ(116,512)を画定する基板(111,504)を
備える。第1の超小型電気機械デバイス(110,502)及び
第2の超小型電気機械デバイス(110,502)の少なくとも
一部がトレンチ内に配置される。これらの超小型電気機
械デバイスの各々には、基板に対して移動するよう構成
された第1の部分が組み込まれている。 【0031】 【発明の効果】本発明によれば、基板上にマイクロマシ
ンを高密度に収容するシステムおよび方法が得られる。
の一部を示す概略図である。 【図2】図1のマイクロマシンを示す概略図である。 【図3】マイクロマシンの典型的な配置を示す概略図で
ある。 【図4】マイクロマシンの典型的な配置を示す概略図で
ある。 【図5】典型的に配置されたマイクロマシンを含む基板
の一部を示す概略図である。 【符号の説明】 100 マイクロマシンシステム 110、502 マイクロマシン(超小型電気機械デバ
イス) 111、504 基板 116、512 トレンチ 132 アンカー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】トレンチ(116、512)を画定する基
板(111、504)と、 前記トレンチ内に少なくとも部分的に配置される第1の
超小型電気機械デバイス(110、502)であって、
前記第1の超小型電気機械デバイスは第1の部分を含
み、前記第1の部分は前記基板に対して移動するように
構成されることからなる、第1の超小型電気機械デバイ
スと、 前記トレンチ内に少なくとも部分的に配置されると共
に、前記第1の超小型電気機械デバイスに隣接して配置
される第2の超小型電気機械デバイス(110、50
2)であって、前記第2の超小型電気機械デバイスは第
1の部分を含み、前記第1の部分は前記基板に対して移
動するように構成されることからなる、第2の超小型電
気機械デバイスを備える、マイクロマシンシステム(1
00)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/923,000 US6600201B2 (en) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | Systems with high density packing of micromachines |
US09/923000 | 2001-08-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003117898A true JP2003117898A (ja) | 2003-04-23 |
JP2003117898A5 JP2003117898A5 (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=25447947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002221120A Pending JP2003117898A (ja) | 2001-08-03 | 2002-07-30 | マイクロマシンを高密度に収容するシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6600201B2 (ja) |
EP (1) | EP1281665A3 (ja) |
JP (1) | JP2003117898A (ja) |
TW (1) | TW548776B (ja) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US8014059B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
KR100703140B1 (ko) | 1998-04-08 | 2007-04-05 | 이리다임 디스플레이 코포레이션 | 간섭 변조기 및 그 제조 방법 |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6962771B1 (en) * | 2000-10-13 | 2005-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dual damascene process |
US6589625B1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-07-08 | Iridigm Display Corporation | Hermetic seal and method to create the same |
US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7026189B2 (en) | 2004-02-11 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Wafer packaging and singulation method |
US7706050B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated modulator illumination |
US7164520B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
US7889163B2 (en) | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
US7668415B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
US7355780B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-08 | Idc, Llc | System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting |
US7813026B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of reducing color shift in a display |
US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
US7920135B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving a bi-stable display |
US7808703B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for implementation of interferometric modulator displays |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US8124434B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7701631B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
US7916103B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with end-of-life phenomena |
US8878825B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
US7136213B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-11-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators having charge persistence |
US7692839B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
US7653371B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
US7424198B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
US7675669B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US7679627B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
US7710629B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
US7422962B2 (en) * | 2004-10-27 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of singulating electronic devices |
US7503989B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-03-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods and systems for aligning and coupling devices |
US7920136B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
US7948457B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
KR20080027236A (ko) | 2005-05-05 | 2008-03-26 | 콸콤 인코포레이티드 | 다이나믹 드라이버 ic 및 디스플레이 패널 구성 |
EP2495212A3 (en) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
JP2009509786A (ja) | 2005-09-30 | 2009-03-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | Mems装置及びmems装置における相互接続 |
US8391630B2 (en) | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
US8194056B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7450295B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7643203B2 (en) * | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
US7903047B2 (en) | 2006-04-17 | 2011-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mode indicator for interferometric modulator displays |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US8049713B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
US7369292B2 (en) * | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7702192B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods for driving MEMS display |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7777715B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passive circuits for de-multiplexing display inputs |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7570415B2 (en) | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
US8736590B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
CN108178121B (zh) * | 2018-02-07 | 2024-05-03 | 北京先通康桥医药科技有限公司 | 触诊探头及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5999306A (en) * | 1995-12-01 | 1999-12-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it |
US6211598B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-04-03 | Jds Uniphase Inc. | In-plane MEMS thermal actuator and associated fabrication methods |
-
2001
- 2001-08-03 US US09/923,000 patent/US6600201B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-11 TW TW091115463A patent/TW548776B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-29 EP EP02255271A patent/EP1281665A3/en not_active Withdrawn
- 2002-07-30 JP JP2002221120A patent/JP2003117898A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1281665A2 (en) | 2003-02-05 |
US6600201B2 (en) | 2003-07-29 |
TW548776B (en) | 2003-08-21 |
EP1281665A3 (en) | 2005-02-16 |
US20030025168A1 (en) | 2003-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003117898A (ja) | マイクロマシンを高密度に収容するシステム | |
US6573156B1 (en) | Low defect method for die singulation and for structural support for handling thin film devices | |
US7226540B2 (en) | MEMS filter module | |
KR100421217B1 (ko) | 점착 방지 미세 구조물 제조 방법 | |
JP4675084B2 (ja) | 超薄形状のmemsマイクロホン及びマイクロスピーカ | |
EP2285732B1 (en) | Structure having plural conductive regions and process for production thereof | |
JP4431502B2 (ja) | エピタキシによって半導体デバイスを形成する方法 | |
JP2015147295A (ja) | デバイスを作る方法、半導体デバイス及び通気孔前駆構造物 | |
US6953704B2 (en) | Systems with high density packing of micromachines | |
US11186478B2 (en) | MEMS and method of manufacturing the same | |
WO2001077007A1 (en) | Mechanical landing pad formed on the underside of a mems device | |
US6884732B2 (en) | Method of fabricating a device having a desired non-planar surface or profile and device produced thereby | |
Hiller et al. | Bonding and deep RIE: A powerful combination for high-aspect-ratio sensors and actuators | |
US20040166688A1 (en) | Method of fabricating microstructures and devices made therefrom | |
US6694504B2 (en) | Method of fabricating an electrostatic vertical and torsional actuator using one single-crystalline silicon wafer | |
Sarajlić et al. | Advanced plasma processing combined with trench isolation technology for fabrication and fast prototyping of high aspect ratio MEMS in standard silicon wafers | |
KR20020034876A (ko) | 써멀 평면외 버클빔 액추에이터 | |
US20230136105A1 (en) | Vertical mechanical stops to prevent large out-of-plane displacements of a micro-mirror and methods of manufacture | |
JP2000246700A (ja) | 微小構造の製造方法 | |
JP2022001403A (ja) | キャビティの上方で懸架される膜を備えるマイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための方法 | |
CN110366083B (zh) | Mems器件及其制备方法 | |
CN110366089B (zh) | Mems器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050520 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080304 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080307 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080805 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090106 |