JP2003116829A - Ｘ線反射型断層画像測定方法及びその装置 - Google Patents
Ｘ線反射型断層画像測定方法及びその装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012014 optical coherence tomography Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005169 Debye-Scherrer Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000000958 atom scattering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007734 materials engineering Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線を用い、しかも簡素化と高感度化を図る
ことができるＸ線反射型断層画像測定方法及びその装置
を提供する。 【解決手段】 干渉光学系は、Ｘ線源1と、３つのＳｉ
ブロックを有するＳｉ干渉計3と、試料4とを備え、Ｘ線
源1からのＸ線2は、数ｍｍ程度の幅を持ちビーム状にＳ
ｉ干渉計3へ入射し、第１のＳｉブロックB1にブラッグ
角θBで入射し、このとき第１のＳｉブロックB1のすべ
てのビーム入射領域で透過波（０次回折波）と１次回折
波が発生し、前記透過波は直進して試料4に入射し、試
料4内では大部分は透過するが、試料4内での３次元屈折
率分布によって、伝播路に伴い微弱な散乱光が３次元的
に発生し、これらが信号光となる。また、第１のＳｉブ
ロックB1での一次回折波は、第２のSiフ゛ロックB2でブラッグ
回折により第３のSiフ゛ロックB3に向かい、この第３のSiフ゛ロック
B3では再度１次回折波となり、これが参照光となり、前
記信号光と参照光との干渉は、該信号光と参照光がそれ
ぞれ、ブラッグ条件を満たし、両者の光路差が、光源の
コヒーレンス長以内にある。
ことができるＸ線反射型断層画像測定方法及びその装置
を提供する。 【解決手段】 干渉光学系は、Ｘ線源1と、３つのＳｉ
ブロックを有するＳｉ干渉計3と、試料4とを備え、Ｘ線
源1からのＸ線2は、数ｍｍ程度の幅を持ちビーム状にＳ
ｉ干渉計3へ入射し、第１のＳｉブロックB1にブラッグ
角θBで入射し、このとき第１のＳｉブロックB1のすべ
てのビーム入射領域で透過波（０次回折波）と１次回折
波が発生し、前記透過波は直進して試料4に入射し、試
料4内では大部分は透過するが、試料4内での３次元屈折
率分布によって、伝播路に伴い微弱な散乱光が３次元的
に発生し、これらが信号光となる。また、第１のＳｉブ
ロックB1での一次回折波は、第２のSiフ゛ロックB2でブラッグ
回折により第３のSiフ゛ロックB3に向かい、この第３のSiフ゛ロック
B3では再度１次回折波となり、これが参照光となり、前
記信号光と参照光との干渉は、該信号光と参照光がそれ
ぞれ、ブラッグ条件を満たし、両者の光路差が、光源の
コヒーレンス長以内にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線の生体への透
過性とナノオーダーのコヒーレンス長を用いて、３次元
物体に対して数センチから数十センチの深さ範囲をナノ
オーダーの空間分解能で試料（サンプル）を断層画像化
するＸ線反射型断層画像測定方法及びその装置に関する
ものである。
過性とナノオーダーのコヒーレンス長を用いて、３次元
物体に対して数センチから数十センチの深さ範囲をナノ
オーダーの空間分解能で試料（サンプル）を断層画像化
するＸ線反射型断層画像測定方法及びその装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光コヒーレンストモグラフィー
（ＯＣＴ）では、光源の波長が０．７μｍ−１．６μｍ
の近赤外領域であり、高価で複雑なモードロックフェム
ト秒レーザを用いて、約１μｍの空間分解能が実現され
ている。しかし、それ以上の高い空間分解能は、光源の
さらなるスペクトル幅の拡大化と、それに伴う分散補償
の問題から困難である。また、測定領域は、生体による
光波の吸収と散乱により数ミリ程度が限界である。
（ＯＣＴ）では、光源の波長が０．７μｍ−１．６μｍ
の近赤外領域であり、高価で複雑なモードロックフェム
ト秒レーザを用いて、約１μｍの空間分解能が実現され
ている。しかし、それ以上の高い空間分解能は、光源の
さらなるスペクトル幅の拡大化と、それに伴う分散補償
の問題から困難である。また、測定領域は、生体による
光波の吸収と散乱により数ミリ程度が限界である。
【０００３】以上、現在の空間分解能と測定領域は臨床
的に十分なものではなく、問題を解決すべく新しい方法
が必要である（参照文献〔５〕：Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ
１，１９９９／Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．１７／ＯＰＴＩＣ
Ｓ ＬＥＴＴＥＲＳ １２２１〜１２２３、参照文献
〔６〕：計測と制御 第３９巻、第４号 ２０００年４
月号 ｐｐ．２５９〜２６６）。また、Ｘ線を用いた透
過型の位相コントラストイメージングは、参照文献
〔３〕：光学 ２９巻 ５号（２０００）ｐｐ．２８７
（１７）〜２９４（２４）に記述してあるように既に報
告されている。
的に十分なものではなく、問題を解決すべく新しい方法
が必要である（参照文献〔５〕：Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ
１，１９９９／Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．１７／ＯＰＴＩＣ
Ｓ ＬＥＴＴＥＲＳ １２２１〜１２２３、参照文献
〔６〕：計測と制御 第３９巻、第４号 ２０００年４
月号 ｐｐ．２５９〜２６６）。また、Ｘ線を用いた透
過型の位相コントラストイメージングは、参照文献
〔３〕：光学 ２９巻 ５号（２０００）ｐｐ．２８７
（１７）〜２９４（２４）に記述してあるように既に報
告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＸ線を用いた透過型の位相コントラストイメージング
は、ナノオーダー３次元分解能化、高感度化のためのヘ
テロダイン検出、複雑な逆問題を必要としない方法など
には触れていない。
たＸ線を用いた透過型の位相コントラストイメージング
は、ナノオーダー３次元分解能化、高感度化のためのヘ
テロダイン検出、複雑な逆問題を必要としない方法など
には触れていない。
【０００５】本発明は、上記状況に鑑みて、Ｘ線を用
い、しかも簡素化と高感度化を図ることができるＸ線反
射型断層画像測定方法及びその装置を提供することを目
的とする。
い、しかも簡素化と高感度化を図ることができるＸ線反
射型断層画像測定方法及びその装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕Ｘ線反射型断層画像測定方法において、Ｘ線源、
結像光学素子・位相変調素子を含む干渉光学系と、２次
元画像測定系とを有し、試料からの散乱Ｘ線を信号光
波、干渉光学系で生ずる位相変調された光波を参照光波
としたとき、これら２つの光波のヘテロダインビート信
号から得られる散乱Ｘ線の２次元強度情報を用いて、前
記試料の断層画像を測定することを特徴とする。
成するために、 〔１〕Ｘ線反射型断層画像測定方法において、Ｘ線源、
結像光学素子・位相変調素子を含む干渉光学系と、２次
元画像測定系とを有し、試料からの散乱Ｘ線を信号光
波、干渉光学系で生ずる位相変調された光波を参照光波
としたとき、これら２つの光波のヘテロダインビート信
号から得られる散乱Ｘ線の２次元強度情報を用いて、前
記試料の断層画像を測定することを特徴とする。
【０００７】〔２〕Ｘ線反射型断層画像測定装置におい
て、Ｘ線源、結像光学素子・位相変調素子を含む干渉光
学系と、２次元画像測定系とを備え、試料からの散乱Ｘ
線を信号光波、干渉光学系で生ずる位相変調された光波
を参照光波としたとき、２つの光波のヘテロダインビー
ト信号から得られる散乱Ｘ線の２次元強度情報を用いて
断層画像を測定することを特徴とする。
て、Ｘ線源、結像光学素子・位相変調素子を含む干渉光
学系と、２次元画像測定系とを備え、試料からの散乱Ｘ
線を信号光波、干渉光学系で生ずる位相変調された光波
を参照光波としたとき、２つの光波のヘテロダインビー
ト信号から得られる散乱Ｘ線の２次元強度情報を用いて
断層画像を測定することを特徴とする。
【０００８】〔３〕上記〔２〕記載のＸ線反射型断層画
像測定装置において、前記干渉光学系は、Ｘ線源１と、
３つのＳｉブロックを有するＳｉ干渉計３と、試料４と
を備え、Ｘ線源１からのＸ線２は、数ｍｍ程度の幅を持
ちビーム状にＳｉ干渉計３へ入射し、第１のＳｉブロッ
クＢ１にブラッグ角θBで入射し、このとき第１のＳｉ
ブロックＢ１のすべてのビーム入射領域で透過波（０次
回折波）と１次回折波が発生し、前記透過波は直進して
試料４に入射し、この試料４内では大部分は透過し、こ
の試料４内での３次元屈折率分布によって、伝播路に伴
い微弱な散乱光が３次元的に発生し、これらが信号光と
なり、第１のＳｉブロックＢ１での一次回折波は、第２
のＳｉブロックＢ２でブラッグ回折により第３のＳｉブ
ロックＢ３に向かい、この第３のＳｉブロックＢ３では
再度１次回折波となり、これが参照光となり、前記信号
光と参照光との干渉は、この信号光と参照光がそれぞ
れ、ブラッグ条件を満たし、両者の光路差が、光源のコ
ヒーレンス長以内にあることを特徴とする。
像測定装置において、前記干渉光学系は、Ｘ線源１と、
３つのＳｉブロックを有するＳｉ干渉計３と、試料４と
を備え、Ｘ線源１からのＸ線２は、数ｍｍ程度の幅を持
ちビーム状にＳｉ干渉計３へ入射し、第１のＳｉブロッ
クＢ１にブラッグ角θBで入射し、このとき第１のＳｉ
ブロックＢ１のすべてのビーム入射領域で透過波（０次
回折波）と１次回折波が発生し、前記透過波は直進して
試料４に入射し、この試料４内では大部分は透過し、こ
の試料４内での３次元屈折率分布によって、伝播路に伴
い微弱な散乱光が３次元的に発生し、これらが信号光と
なり、第１のＳｉブロックＢ１での一次回折波は、第２
のＳｉブロックＢ２でブラッグ回折により第３のＳｉブ
ロックＢ３に向かい、この第３のＳｉブロックＢ３では
再度１次回折波となり、これが参照光となり、前記信号
光と参照光との干渉は、この信号光と参照光がそれぞ
れ、ブラッグ条件を満たし、両者の光路差が、光源のコ
ヒーレンス長以内にあることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１０】本装置は、Ｘ線源、結像光学素子・位相変
調素子を含む干渉光学系、２次元画像測定系において、
試料からの散乱Ｘ線を信号光波、干渉光学系で生ずる位
相変調された光波を参照光波としたとき、２つの光波の
ヘテロダインビート信号から得られる散乱Ｘ線の２次元
強度情報を用いて断層画像を測定することを特徴とす
る。
調素子を含む干渉光学系、２次元画像測定系において、
試料からの散乱Ｘ線を信号光波、干渉光学系で生ずる位
相変調された光波を参照光波としたとき、２つの光波の
ヘテロダインビート信号から得られる散乱Ｘ線の２次元
強度情報を用いて断層画像を測定することを特徴とす
る。
【００１１】以下、〔Ａ〕ブラッグ反射、〔Ｂ〕干渉光
学系と奥行き方向分解能、〔Ｃ〕Ｘ線断層画像測定装
置、〔Ｄ〕生体内からの後方散乱光の発生と検出につい
て順次説明する。
学系と奥行き方向分解能、〔Ｃ〕Ｘ線断層画像測定装
置、〔Ｄ〕生体内からの後方散乱光の発生と検出につい
て順次説明する。
【００１２】〔Ａ〕ブラッグ反射
一般に、Ｘ線に対する全反射ミラーは斜入射角が３°以
下の場合に限られ、可視光に対するミラーのようなもの
は実現が困難である。そこで、ブラッグ反射が有効とな
る。ブラッグ反射を用いると結晶軸の選択によって、回
折角を大きくすることが可能となる（参照文献〔１〕：
Ｘ線結像光学，波岡武、山下広順 共編、培風館、ｐ
ｐ．７−１６，ｐｐ．６９−７３）。
下の場合に限られ、可視光に対するミラーのようなもの
は実現が困難である。そこで、ブラッグ反射が有効とな
る。ブラッグ反射を用いると結晶軸の選択によって、回
折角を大きくすることが可能となる（参照文献〔１〕：
Ｘ線結像光学，波岡武、山下広順 共編、培風館、ｐ
ｐ．７−１６，ｐｐ．６９−７３）。
【００１３】図１は本発明にかかるブラッグ反射の概略
説明図である。
説明図である。
【００１４】この図を用いてブラッグ反射について簡単
に説明する。
に説明する。
【００１５】図において、Ｘ線の入射波長λ、θB はブ
ラッグ角（入射角）、格子間隔ｄ、回折角２θ、ミラー
指数（ｈｋｌ）、単位格子の稜の長さをａとすると、次
式が成り立つ（参照文献〔２〕：新版 Ｘ線回折要論
松村源太郎 訳 株式会社アグネ ｐｐ．７９−８
４）。
ラッグ角（入射角）、格子間隔ｄ、回折角２θ、ミラー
指数（ｈｋｌ）、単位格子の稜の長さをａとすると、次
式が成り立つ（参照文献〔２〕：新版 Ｘ線回折要論
松村源太郎 訳 株式会社アグネ ｐｐ．７９−８
４）。
【００１６】
λ＝２ｄｓｉｎθ …（１）
１／ｄ2 ＝（ｈ2 ＋ｋ2 ＋ｌ2 ）／ａ2 …（２）
これより、ミラー指数（５３１）のＳｉ結晶（ａ＝０．
５４３ｎｍ）に対して、Ｘ線管からのＣｕ−Ｋα線（波
長０．１５４ｎｍ）を仮定するとブラッグ角は５７°と
なる。
５４３ｎｍ）に対して、Ｘ線管からのＣｕ−Ｋα線（波
長０．１５４ｎｍ）を仮定するとブラッグ角は５７°と
なる。
【００１７】〔Ｂ〕干渉光学系と奥行き方向分解能
干渉光学系は、Ｓｉ（５３１）単結晶を機械切削後、機
械研磨、化学研磨をして作成され、図２に示すように、
第１のブロックＢ１，第２のブロックＢ２，第３のブロ
ックＢ３の３つのブロックから構成される。
械研磨、化学研磨をして作成され、図２に示すように、
第１のブロックＢ１，第２のブロックＢ２，第３のブロ
ックＢ３の３つのブロックから構成される。
【００１８】単結晶からＢ１，Ｂ２，Ｂ３を作成するの
で、各ブロック間において原子オーダーの精度で散乱格
子が一致しており、各ブロックからの回折波でも連続し
てブラッグ回折が生じる。
で、各ブロック間において原子オーダーの精度で散乱格
子が一致しており、各ブロックからの回折波でも連続し
てブラッグ回折が生じる。
【００１９】寸法は、図２に示す通りである。特に、第
２のブロックＢ２の幅Ｗ2 は１ｍｍ、その厚さＤ2 は１
００ｎｍであり、厚さＤ2 が薄いのは奥行き方向の分解
能を向上させるためである。
２のブロックＢ２の幅Ｗ2 は１ｍｍ、その厚さＤ2 は１
００ｎｍであり、厚さＤ2 が薄いのは奥行き方向の分解
能を向上させるためである。
【００２０】なお、基台Ｂ０の幅Ｗ0 は２２ｍｍ、厚さ
Ｄ0 は１５ｍｍ、基台Ｂ０の底面から各ブロックＢ１，
Ｂ２，Ｂ３の頂上の高さＨは１３ｍｍ、第１、第３ブロ
ックＢ１，Ｂ３の幅Ｗ1 ，Ｗ3 は１０ｍｍ、その厚さＤ
1 ，Ｄ3 は１ｍｍである。
Ｄ0 は１５ｍｍ、基台Ｂ０の底面から各ブロックＢ１，
Ｂ２，Ｂ３の頂上の高さＨは１３ｍｍ、第１、第３ブロ
ックＢ１，Ｂ３の幅Ｗ1 ，Ｗ3 は１０ｍｍ、その厚さＤ
1 ，Ｄ3 は１ｍｍである。
【００２１】作成プロセスは、各ブロックＢ１，Ｂ２，
Ｂ３を機械研磨、化学研磨で仕上げ、第２のブロックＢ
２を厚い状態に残して、スペースの部分を高分子材料な
どで埋めて第２のブロックＢ２のみをエッチングで薄く
するなどの方法が考えられる。
Ｂ３を機械研磨、化学研磨で仕上げ、第２のブロックＢ
２を厚い状態に残して、スペースの部分を高分子材料な
どで埋めて第２のブロックＢ２のみをエッチングで薄く
するなどの方法が考えられる。
【００２２】次に、干渉原理と奥行き方向分解能を説明
する。
する。
【００２３】図３は本発明にかかる干渉原理と奥行き方
向分解能の説明図である。
向分解能の説明図である。
【００２４】この図において、１はＸ線源、２はＸ線、
３は上記したブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を有するＳｉ干
渉計、４は試料である。
３は上記したブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を有するＳｉ干
渉計、４は試料である。
【００２５】Ｘ線源１からのＸ線２は、数ｍｍ程度の幅
を持ちビーム状にＳｉ干渉計３へ入射し、第１のブロッ
クＢ１にブラッグ角θBで入射する。このとき第１のブ
ロックＢ１のすべてのビーム入射領域で透過波（０次回
折波）と１次回折波が発生する。今、第１のブロックＢ
１の代表的な２点Ａ，Ｂに着目する。Ａ，Ｂ点での透過
波は直進して試料４に入射する。試料４内では大部分は
透過するが、試料４内での３次元屈折率分布によって、
伝播路に伴い微弱な散乱光が３次元的に発生し、これら
が信号光となる。
を持ちビーム状にＳｉ干渉計３へ入射し、第１のブロッ
クＢ１にブラッグ角θBで入射する。このとき第１のブ
ロックＢ１のすべてのビーム入射領域で透過波（０次回
折波）と１次回折波が発生する。今、第１のブロックＢ
１の代表的な２点Ａ，Ｂに着目する。Ａ，Ｂ点での透過
波は直進して試料４に入射する。試料４内では大部分は
透過するが、試料４内での３次元屈折率分布によって、
伝播路に伴い微弱な散乱光が３次元的に発生し、これら
が信号光となる。
【００２６】第１のブロックＢ１での一次回折波は、第
２のブロックＢ２でブラッグ回折により第３のブロック
Ｂ３に向かい、第３のブロックＢ３では再度１次回折波
となり、これが参照波となる。信号光と参照光との干渉
は、信号光と参照光がそれぞれブラッグ条件を満たし、
両者の光路差が、光源１のコヒーレンス長以内であると
きに生じる。Ｓｉ結晶のブラッグ回折による角度精度は
数秒程度と非常に高い（上記参照文献〔１〕のｐｐ．９
３−９６）。
２のブロックＢ２でブラッグ回折により第３のブロック
Ｂ３に向かい、第３のブロックＢ３では再度１次回折波
となり、これが参照波となる。信号光と参照光との干渉
は、信号光と参照光がそれぞれブラッグ条件を満たし、
両者の光路差が、光源１のコヒーレンス長以内であると
きに生じる。Ｓｉ結晶のブラッグ回折による角度精度は
数秒程度と非常に高い（上記参照文献〔１〕のｐｐ．９
３−９６）。
【００２７】まず、試料４内ではさまざまな位置と方向
へ散乱光が発生するが、その中でブラッグ角と同じ角度
の散乱光のみが信号光の候補となる。
へ散乱光が発生するが、その中でブラッグ角と同じ角度
の散乱光のみが信号光の候補となる。
【００２８】次に、参照光との光路長差がコヒーレンス
長以内の条件より、試料４内の有効な散乱領域は、ほぼ
参照光路に対応して第２のブロックＢ２のＷ2 ×Ｄ2 の
領域に限られる。コヒーレンス長ｌc に対応する試料４
内のＺ軸方向距離ΔＺc は、次式となる。
長以内の条件より、試料４内の有効な散乱領域は、ほぼ
参照光路に対応して第２のブロックＢ２のＷ2 ×Ｄ2 の
領域に限られる。コヒーレンス長ｌc に対応する試料４
内のＺ軸方向距離ΔＺc は、次式となる。
【００２９】
ΔＺc ＝ｌc ／２ｓｉｎθB …（３）
コヒーレンス長、ブラッグ角をそれぞれ４００ｎｍ，５
７°とすると、Ｚc は、２３８ｎｍとなる。この場合、
第２のブロックＢ２の厚さＤ2 が１００ｎｍなので、試
料の奥行き方向分解能は１００ｎｍとなる。ΔＺc ＞Ｄ
2 のとき、試料の奥行き方向分解能はΔＺc となり、Δ
Ｚc ＜Ｄ2 のとき、試料の奥行き方向分解能はＤとな
る。また、横方向の有効領域は第２のブロックＢ２の幅
Ｗ2 となる。つまり、参照波と信号波の光路は、概ね左
端をＡとする菱形から、その左端をＢまでずらした場合
のすべての光路となる。
７°とすると、Ｚc は、２３８ｎｍとなる。この場合、
第２のブロックＢ２の厚さＤ2 が１００ｎｍなので、試
料の奥行き方向分解能は１００ｎｍとなる。ΔＺc ＞Ｄ
2 のとき、試料の奥行き方向分解能はΔＺc となり、Δ
Ｚc ＜Ｄ2 のとき、試料の奥行き方向分解能はＤとな
る。また、横方向の有効領域は第２のブロックＢ２の幅
Ｗ2 となる。つまり、参照波と信号波の光路は、概ね左
端をＡとする菱形から、その左端をＢまでずらした場合
のすべての光路となる。
【００３０】〔Ｃ〕Ｘ線断層画像測定装置
次に、本発明の実施例を示すＸ線反射型断層画像測定装
置について説明する。
置について説明する。
【００３１】図４は本発明の実施例を示すＸ線反射型断
層画像測定装置の構成図である。
層画像測定装置の構成図である。
【００３２】この図において、１１はＸ線源、１２はＸ
線、１３は上記したブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を有する
Ｓｉ干渉計、１４は試料、１５は位相変調器、１６は結
像素子（Ｉｍａｇｉｎｇ Ｏｐｔｉｃｓ）、１７は２次
元画像測定装置（Ｘ線画像センサー）である。
線、１３は上記したブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を有する
Ｓｉ干渉計、１４は試料、１５は位相変調器、１６は結
像素子（Ｉｍａｇｉｎｇ Ｏｐｔｉｃｓ）、１７は２次
元画像測定装置（Ｘ線画像センサー）である。
【００３３】Ｘ線源１１としては、現在、Ｘ線管、放射
光、Ｘ線レーザなどが挙げられるが、実用的には汎用性
が重要であり、その点から汎用的なＸ線管を用いる。
光、Ｘ線レーザなどが挙げられるが、実用的には汎用性
が重要であり、その点から汎用的なＸ線管を用いる。
【００３４】Ｘ線１２については、一般的なＣｕ−Ｋα
線を仮定すると波長は０．１５４ｎｍであり、コヒーレ
ンス長は約４００ｎｍとなる。出射光は、直径１ｍｍ程
度でコリメートされたビームとなる（上記参照文献
〔１〕のｐｐ．１９）。
線を仮定すると波長は０．１５４ｎｍであり、コヒーレ
ンス長は約４００ｎｍとなる。出射光は、直径１ｍｍ程
度でコリメートされたビームとなる（上記参照文献
〔１〕のｐｐ．１９）。
【００３５】ブラッグ条件より、ミラー指数（５３１）
のＳｉ結晶に対して、波長０．１５４ｎｍを仮定すると
ブラッグ角は５７°となる。このとき、図４に示すよう
なＳｉ結晶をベースとした干渉光学系（Ｓｉ干渉計）が
構成される。Ｘ線源１１からの光波は第１のブロックＢ
１に入射して０次回折波と１次回折波が生ずる。一次回
折波は、先述のように参照波となるが、ヘテロダイン検
出のために位相変調器（例えば、上記参照文献〔３〕ｐ
ｐ．２９２）１５によって位相変調される。
のＳｉ結晶に対して、波長０．１５４ｎｍを仮定すると
ブラッグ角は５７°となる。このとき、図４に示すよう
なＳｉ結晶をベースとした干渉光学系（Ｓｉ干渉計）が
構成される。Ｘ線源１１からの光波は第１のブロックＢ
１に入射して０次回折波と１次回折波が生ずる。一次回
折波は、先述のように参照波となるが、ヘテロダイン検
出のために位相変調器（例えば、上記参照文献〔３〕ｐ
ｐ．２９２）１５によって位相変調される。
【００３６】一方、透過波は試料１４に照射されて、散
乱光である信号光を発生させる。発生した信号光は結像
素子１６で集光されて、第３のブロックＢ３に向かう
が、ブラッグ条件の角度選択性は非常に鋭いために結像
素子１６からの信号光はＳｉを回折よりは透過して、２
次元画像測定系へ向かう。この２次元画像測定装置１７
の光電面で信号光と参照光により２次元干渉画像が生
じ、その時間変化がヘテロダインビート信号となる。
乱光である信号光を発生させる。発生した信号光は結像
素子１６で集光されて、第３のブロックＢ３に向かう
が、ブラッグ条件の角度選択性は非常に鋭いために結像
素子１６からの信号光はＳｉを回折よりは透過して、２
次元画像測定系へ向かう。この２次元画像測定装置１７
の光電面で信号光と参照光により２次元干渉画像が生
じ、その時間変化がヘテロダインビート信号となる。
【００３７】ヘテロダイン検出の特徴は、強力な参照光
と微弱な信号光とをミキシングすることにより信号光検
出に対して、高感度化を図ることである。これより、
（参照文献〔４〕：位相シフト法 Ｍａｒｃｈ １，１
９９９／Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．５／ＯＰＴＩＣＳ ＬＥ
ＴＴＥＲＳ ｐｐ．３０９〜３１１）などを用いること
により、試料１４の断層画像が得られる。
と微弱な信号光とをミキシングすることにより信号光検
出に対して、高感度化を図ることである。これより、
（参照文献〔４〕：位相シフト法 Ｍａｒｃｈ １，１
９９９／Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．５／ＯＰＴＩＣＳ ＬＥ
ＴＴＥＲＳ ｐｐ．３０９〜３１１）などを用いること
により、試料１４の断層画像が得られる。
【００３８】結像素子１６については、ウォルター型反
射鏡（上記参照文献〔１〕のｐｐ．１２６−１２９）や
ゾーンプレート（上記参照文献〔１〕のｐｐ．９６−９
９，ｐｐ．１３２−１３５）などが有用である。いずれ
も近年その加工精度が向上している。ここでは、ゾーン
プレートを例に取り上げる。
射鏡（上記参照文献〔１〕のｐｐ．１２６−１２９）や
ゾーンプレート（上記参照文献〔１〕のｐｐ．９６−９
９，ｐｐ．１３２−１３５）などが有用である。いずれ
も近年その加工精度が向上している。ここでは、ゾーン
プレートを例に取り上げる。
【００３９】図５はそのゾーンプレートの構成図であ
り、そのゾーンプレート２１は、図５に示すような光学
素子であり、結像と分光機能を併せ持つ。ゾーンプレー
ト２１は、円形開口内のフレネルの半波長帯を一つおき
に不透明にし、透明帯と不透明帯を同心輪帯状に並べた
透過型の光学素子である。同心円に内側から番号ｎを
１，２，３，４，５，とする。ｎ番目の円の半径ｒ
n は、使用波長λと焦点距離ｆとして次式で与えられ
る。
り、そのゾーンプレート２１は、図５に示すような光学
素子であり、結像と分光機能を併せ持つ。ゾーンプレー
ト２１は、円形開口内のフレネルの半波長帯を一つおき
に不透明にし、透明帯と不透明帯を同心輪帯状に並べた
透過型の光学素子である。同心円に内側から番号ｎを
１，２，３，４，５，とする。ｎ番目の円の半径ｒ
n は、使用波長λと焦点距離ｆとして次式で与えられ
る。
【００４０】
ｒn ＝√（ｎｆλ） …（４）
ｎが大きくなるにつれて、外周になり輪帯の幅が狭くな
るのがわかる。
るのがわかる。
【００４１】ここで、波長０．１５４ｎｍ、焦点距離５
ｍｍとして、ｒ1 ＝３．９２２μｍ（ｎ＝２０），ｒ2
＝４．０１９μｍ（ｎ＝２１）で、幅が０．０９７μｍ
となり、一般的な作製技術ではほぼ１００ｎｍが限界で
ある。このとき直径約８ｍｍであり、ＮＡはｓｉｎ３８
°＝０．６２５となることから、λ／ＮＡを横方向空間
分解能とすると０．２４６ｎｍとなる。
ｍｍとして、ｒ1 ＝３．９２２μｍ（ｎ＝２０），ｒ2
＝４．０１９μｍ（ｎ＝２１）で、幅が０．０９７μｍ
となり、一般的な作製技術ではほぼ１００ｎｍが限界で
ある。このとき直径約８ｍｍであり、ＮＡはｓｉｎ３８
°＝０．６２５となることから、λ／ＮＡを横方向空間
分解能とすると０．２４６ｎｍとなる。
【００４２】また、集光効率は約１０％程度が可能であ
る。例えば、試料とゾーンプレート間隔を５ｍｍ、ゾー
ンプレートと画像測定装置のＣＣＤ面までの間隔を５０
ｃｍとして、Ｘ線用ＣＣＤの画素間隔を２０μｍとする
と、対応する空間分解能は０．２μｍとなり、サブミク
ロンの空間分解能が実現される。
る。例えば、試料とゾーンプレート間隔を５ｍｍ、ゾー
ンプレートと画像測定装置のＣＣＤ面までの間隔を５０
ｃｍとして、Ｘ線用ＣＣＤの画素間隔を２０μｍとする
と、対応する空間分解能は０．２μｍとなり、サブミク
ロンの空間分解能が実現される。
【００４３】〔Ｄ〕生体内からの後方散乱光の発生と検
出 近赤外領域では、生体試料からの後方散乱光を信号光と
してＯＣＴがすでに実用化されているが（上記参照文献
〔６〕）、Ｘ線の領域では生体試料からの後方散乱光を
ヘテロダイン検出する報告はまだされていない。そこで
周辺技術や関連報告からその実現性について微視的点に
立ち入って述べる。
出 近赤外領域では、生体試料からの後方散乱光を信号光と
してＯＣＴがすでに実用化されているが（上記参照文献
〔６〕）、Ｘ線の領域では生体試料からの後方散乱光を
ヘテロダイン検出する報告はまだされていない。そこで
周辺技術や関連報告からその実現性について微視的点に
立ち入って述べる。
【００４４】Ｘ線は、物質中の電子によって散乱され
る。物質によるＸ線の散乱には弾性散乱と非弾性散乱が
ある。前者は、散乱波の波長が入射波の波長と同じなの
で、散乱の前後で一定の位相関係が保たれている。した
がって、物質が結晶などの場合に散乱波は互いに干渉し
合って回折現象が生ずる。後者は、散乱の前後で物質と
のエネルギーのやり取りから波長が変化するので干渉は
生じない。
る。物質によるＸ線の散乱には弾性散乱と非弾性散乱が
ある。前者は、散乱波の波長が入射波の波長と同じなの
で、散乱の前後で一定の位相関係が保たれている。した
がって、物質が結晶などの場合に散乱波は互いに干渉し
合って回折現象が生ずる。後者は、散乱の前後で物質と
のエネルギーのやり取りから波長が変化するので干渉は
生じない。
【００４５】弾性散乱は、一般にトムソン散乱と呼ばれ
ている。自由な電子やゆるく束縛される電子に、強度Ｉ
ｏのＸ線が入射した際に、距離Ｒで観測される散乱波の
強度Ｉe は、次式で与えられる。
ている。自由な電子やゆるく束縛される電子に、強度Ｉ
ｏのＸ線が入射した際に、距離Ｒで観測される散乱波の
強度Ｉe は、次式で与えられる。
【００４６】
Ｉe ＝Ｉ0 （ｅ2 ／ｍｃ2 ）2 （１／Ｒ2 ）Ｐ …（５）
ここで、ｅとｍは電子の電荷と質量、ｃは光速、ｅ2／
ｍｃ2＝２．８２×１０ -13（ｃｍ）は電子の古典半径
で、Ｐは偏光因子である。入射するＸ線が偏っていない
場合には、散乱角φを用いるとＰは次式となる。
ｍｃ2＝２．８２×１０ -13（ｃｍ）は電子の古典半径
で、Ｐは偏光因子である。入射するＸ線が偏っていない
場合には、散乱角φを用いるとＰは次式となる。
【００４７】
Ｐ＝（１＋ｃｏｓ2 φ）／２ …（６）
この式より、前方散乱波強度（φ＝０）と後方散乱波強
度（φ＝π）は等しい事がわかる。１個の電子による弾
性散乱の強度は、式（５）で与えられるので、次に、１
個の孤立した原子によって生ずる散乱を取り上げる。原
子の核外電子は電子雲として広がって存在している。電
子雲の大きさとＸ線の波長との間には著しい差はない。
このような原子から散乱されるＸ線の強度を求めるのは
電子雲の各部分から散乱される波の振幅と位相を考慮し
て合成すれば良い。このとき原子による散乱強度Ｉは、
次式となる。
度（φ＝π）は等しい事がわかる。１個の電子による弾
性散乱の強度は、式（５）で与えられるので、次に、１
個の孤立した原子によって生ずる散乱を取り上げる。原
子の核外電子は電子雲として広がって存在している。電
子雲の大きさとＸ線の波長との間には著しい差はない。
このような原子から散乱されるＸ線の強度を求めるのは
電子雲の各部分から散乱される波の振幅と位相を考慮し
て合成すれば良い。このとき原子による散乱強度Ｉは、
次式となる。
【００４８】
Ｉ＝Ｉe ｜ｆ｜2 …（７）
【００４９】
【数１】
【００５０】ｆは原子散乱因子と呼ばれ、電子雲の分布
状態と散乱波を結びつける因子である。上式でρは、原
子核からｒ離れた点での電子密度、θはブラッグ角であ
る。一連のこの散乱波強度を求めるプロセスは、入射波
の散乱ポテンシャルによる散乱現象において、入射波は
変化しない程度の散乱という条件でボルン近似と呼ばれ
ており、一般的な考え方である。
状態と散乱波を結びつける因子である。上式でρは、原
子核からｒ離れた点での電子密度、θはブラッグ角であ
る。一連のこの散乱波強度を求めるプロセスは、入射波
の散乱ポテンシャルによる散乱現象において、入射波は
変化しない程度の散乱という条件でボルン近似と呼ばれ
ており、一般的な考え方である。
【００５１】実際、試料が結晶などの場合には、デバイ
−シェラ−カメラが一般に用いられている。帯状のフィ
ルムの感光面を内側に輪を作り、これを試料が中心に来
るようにセットする。さらにして輪の直径がＸ線のパス
になるようにフィルムに２つ穴をあける。このようにし
て前方散乱波から後方散乱波までを連続的に測定できる
カメラである。
−シェラ−カメラが一般に用いられている。帯状のフィ
ルムの感光面を内側に輪を作り、これを試料が中心に来
るようにセットする。さらにして輪の直径がＸ線のパス
になるようにフィルムに２つ穴をあける。このようにし
て前方散乱波から後方散乱波までを連続的に測定できる
カメラである。
【００５２】従来、Ｘ線を用いた構造解析の分野では、
前方から後方散乱波を用いた測定は一般的である（参照
文献〔７〕：セラミックス基礎講座３ 東京工業大学工
学部無機材料工学科 編 Ｘ線回折分析 加藤誠軌 著
内田老鶴圃 ｐｐ．１５２）。
前方から後方散乱波を用いた測定は一般的である（参照
文献〔７〕：セラミックス基礎講座３ 東京工業大学工
学部無機材料工学科 編 Ｘ線回折分析 加藤誠軌 著
内田老鶴圃 ｐｐ．１５２）。
【００５３】他方、近赤外光波の生体組織による後方散
乱波を用いたＯＣＴにおいては、その後方散乱波Ｅ(S)
は次式で示されている。（参照文献〔８〕：ＪＯＵＲＮ
ＡＬｏｆ ＢＩＯＭＥＤＩＣＡＬ ＯＰＴＩＣＳ １
（２），１５７−１７３ ＡＰＲＩＬ １９９６ ｐ
ｐ．１５７−１７３）
乱波を用いたＯＣＴにおいては、その後方散乱波Ｅ(S)
は次式で示されている。（参照文献〔８〕：ＪＯＵＲＮ
ＡＬｏｆ ＢＩＯＭＥＤＩＣＡＬ ＯＰＴＩＣＳ １
（２），１５７−１７３ ＡＰＲＩＬ １９９６ ｐ
ｐ．１５７−１７３）
【００５４】
【数２】
【００５５】ここで、Ｅ(S)，Ｅ(i)，Ｆ（ｒ），ｍ
（ｒ）は、それぞれ散乱波、入射波、散乱ポテンシャ
ル、生体組織の複素屈折率である。ＯＣＴでは生体組織
からの微弱な後方散乱光波をヘテロダイン検出を用いて
高感度に検出している。後方散乱光波は、位相変調を受
けた強力な参照波と混合されて、次式のようなヘテロダ
インビート信号ＩHBとして検出される。
（ｒ）は、それぞれ散乱波、入射波、散乱ポテンシャ
ル、生体組織の複素屈折率である。ＯＣＴでは生体組織
からの微弱な後方散乱光波をヘテロダイン検出を用いて
高感度に検出している。後方散乱光波は、位相変調を受
けた強力な参照波と混合されて、次式のようなヘテロダ
インビート信号ＩHBとして検出される。
【００５６】
ＩHB＝（｜ＥR ＋ＥS ｜2 ）＝ＩR ＋ＩS ＋２Ｒｅ〔（ＥR * ＥS ）〕
…（１０）
このとき、ＩHBから後方散乱光波の振幅と位相情報を得
るのが可能であり、一般には振幅情報から断層画像が測
定されている。
るのが可能であり、一般には振幅情報から断層画像が測
定されている。
【００５７】Ｘ線に対する物質の複素屈折率ｍも次式で
報告されており、上述の後方散乱波の式に基づいて、Ｘ
線の散乱現象について述べる。
報告されており、上述の後方散乱波の式に基づいて、Ｘ
線の散乱現象について述べる。
【００５８】
【数３】
【００５９】ここで、δ，β，ｒe ，Ｎh ，Ｚh , ｆ’
h , μa h , ｐh は、それぞれ位相シフトに関係した
量、減衰に関係した量、古典電子半径、元素ｈの原子密
度、原子番号、原子散乱因子異常項の実数部、原子吸収
係数、位相シフトの相互作用断面積である。
h , μa h , ｐh は、それぞれ位相シフトに関係した
量、減衰に関係した量、古典電子半径、元素ｈの原子密
度、原子番号、原子散乱因子異常項の実数部、原子吸収
係数、位相シフトの相互作用断面積である。
【００６０】上式より原子ｈの密度と相互作用散乱断面
積に依存することが分かる。ｐhの数値例を上記参照文
献〔３〕の図１に示す。波長が１．５Ａ（８．３ｋｅ
Ｖ）の場合、生体に関係の深い元素である酸素（原子番
号：８）、炭素（原子番号：６）、ナトリウム（原子番
号：１１）、カリウム（原子番号：１９）、カルシウム
（原子番号：２０）のｐhは、１０-20−１０-19の範囲
にあり、一桁の範囲に分布している事がわかる。
積に依存することが分かる。ｐhの数値例を上記参照文
献〔３〕の図１に示す。波長が１．５Ａ（８．３ｋｅ
Ｖ）の場合、生体に関係の深い元素である酸素（原子番
号：８）、炭素（原子番号：６）、ナトリウム（原子番
号：１１）、カリウム（原子番号：１９）、カルシウム
（原子番号：２０）のｐhは、１０-20−１０-19の範囲
にあり、一桁の範囲に分布している事がわかる。
【００６１】また、上式より散乱ポテンシャルＦは、近
似的にＦ＝２ｋ2δとなる。よって、式（９）より散乱
波Ｅ(s)は、Ｅ(s)∝δで、ヘテロダインビート信号は、
式（１０）よりＩHB∝Ｅ(R)δＥ(S)∝δと表される。こ
れより、ヘテロダインビート信号を通して、原子の密度
と相互作用散乱断面積に関する情報が得られることがわ
かる。
似的にＦ＝２ｋ2δとなる。よって、式（９）より散乱
波Ｅ(s)は、Ｅ(s)∝δで、ヘテロダインビート信号は、
式（１０）よりＩHB∝Ｅ(R)δＥ(S)∝δと表される。こ
れより、ヘテロダインビート信号を通して、原子の密度
と相互作用散乱断面積に関する情報が得られることがわ
かる。
【００６２】さらに、生体組織内での構造は複雑多岐で
あり、ナノオーダーでの生体分子構造・機能に関した情
報が得られるものと考えられる。生体物質とＸ線との相
互作用においては、クラスター構造の作用などにより予
想以外の効率も期待されると考えられる。まさに新しい
領域である。
あり、ナノオーダーでの生体分子構造・機能に関した情
報が得られるものと考えられる。生体物質とＸ線との相
互作用においては、クラスター構造の作用などにより予
想以外の効率も期待されると考えられる。まさに新しい
領域である。
【００６３】一方、Ｘ線の検出器については、最近改善
がなされ、メーカーから高性能なカメラがすでに市販さ
れている。一例として、Ｘ線用のフラットパネルセンサ
の仕様を表１に示す。特性としては、原理確認等の実験
には十分の特性である。Ｘ線検出に関してイメージイン
テンシファイヤーなどの素子（浜松ホトニクス株式会社
製 冷却型デジタルＣＣＤカメラ）が市販されており、
様々な素子を組み合わせることにより高感度なイメージ
ング測定システムの構築が可能である。
がなされ、メーカーから高性能なカメラがすでに市販さ
れている。一例として、Ｘ線用のフラットパネルセンサ
の仕様を表１に示す。特性としては、原理確認等の実験
には十分の特性である。Ｘ線検出に関してイメージイン
テンシファイヤーなどの素子（浜松ホトニクス株式会社
製 冷却型デジタルＣＣＤカメラ）が市販されており、
様々な素子を組み合わせることにより高感度なイメージ
ング測定システムの構築が可能である。
【００６４】
【表１】
【００６５】生体内からの後方散乱光の発生と検出につ
いて述べた。前者については、ヘテロダインビート信号
を通して、原子の密度と相互作用散乱断面積に関する情
報が得られ、さらに３次元の生体分子構造・機能に関し
た情報が得られるものと考えられる。
いて述べた。前者については、ヘテロダインビート信号
を通して、原子の密度と相互作用散乱断面積に関する情
報が得られ、さらに３次元の生体分子構造・機能に関し
た情報が得られるものと考えられる。
【００６６】一方、後者については、最近の検出素子の
性能向上により高感度なイメージセンサが市販されてい
る。さらに、本発明はＳｐｒｉｎｇ−８のような大規模
なＸ線源を用いないことも大きなメリットであり、小型
汎用のＸ線源（浜松ホトニクス株式会社製 １００ｋＶ
ＭＩＣＲＯＦＯＣＵＳ Ｘ−ＲＡＹ ＳＯＵＲＣＥＬ
７９０１−０１）も市販されている。以上より、本発明
は実現性が非常に高いものであると言える。
性能向上により高感度なイメージセンサが市販されてい
る。さらに、本発明はＳｐｒｉｎｇ−８のような大規模
なＸ線源を用いないことも大きなメリットであり、小型
汎用のＸ線源（浜松ホトニクス株式会社製 １００ｋＶ
ＭＩＣＲＯＦＯＣＵＳ Ｘ−ＲＡＹ ＳＯＵＲＣＥＬ
７９０１−０１）も市販されている。以上より、本発明
は実現性が非常に高いものであると言える。
【００６７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００６８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００６９】（Ａ）原理的にはＯＣＴと同じであるが、
Ｘ線を用いることにより、ナノオーダーの空間分解能が
実現され、測定領域がＸ線の透過性により数センチ、数
十センチに及ぶ。
Ｘ線を用いることにより、ナノオーダーの空間分解能が
実現され、測定領域がＸ線の透過性により数センチ、数
十センチに及ぶ。
【００７０】（Ｂ）Ｘ線の中でも硬Ｘ線領域の光に基づ
いており、軟Ｘ線のように大掛かりな装置を一切必要と
しない。さらに、高感度なヘテロダイン検出技術を用い
るので、Ｘ線の照射量も小さく被爆の問題もない。
いており、軟Ｘ線のように大掛かりな装置を一切必要と
しない。さらに、高感度なヘテロダイン検出技術を用い
るので、Ｘ線の照射量も小さく被爆の問題もない。
【００７１】（Ｃ）従来のＯＣＴでは困難であったナノ
オーダーの空間分解能と測定領域の大幅な拡大によっ
て、例えば臨床的に生きた状態で体の深部の断層画像測
定が可能になる。基礎医学から臨床医学の分野にわたっ
て、今までわからなかった様々なことの解明に役立つと
考えられる。また、Ｘ線は従来半導体産業をはじめさま
ざまな産業分野で用いられてきた。よって、医学分野、
さらに、半導体や他の産業分野への波及効果は多大であ
る。
オーダーの空間分解能と測定領域の大幅な拡大によっ
て、例えば臨床的に生きた状態で体の深部の断層画像測
定が可能になる。基礎医学から臨床医学の分野にわたっ
て、今までわからなかった様々なことの解明に役立つと
考えられる。また、Ｘ線は従来半導体産業をはじめさま
ざまな産業分野で用いられてきた。よって、医学分野、
さらに、半導体や他の産業分野への波及効果は多大であ
る。
【図１】本発明にかかるブラッグ反射の概略説明図であ
る。
る。
【図２】本発明にかかるＳｉ干渉計の構成を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明にかかる干渉原理と奥行き方向分解能の
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明の実施例を示すＸ線反射型断層画像測定
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図５】本発明にかかるゾーンプレートの構成図であ
る。
る。
１，１１ Ｘ線源
２，１２ Ｘ線
３，１３ Ｓｉ干渉計
Ｂ０ 基台
Ｂ１ 第１のブロック
Ｂ２ 第２のブロック
Ｂ３ 第３のブロック
４，１４ 試料（サンプル）
１５ 位相変調器
１６ 結像素子
１７ ２次元画像測定装置（Ｘ線画像センサー）
２１ ゾーンプレート
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線源、結像光学素子・位相変調素子を
含む干渉光学系と、２次元画像測定系とを有し、試料か
らの散乱Ｘ線を信号光波、干渉光学系で生ずる位相変調
された光波を参照光波としたとき、該２つの光波のヘテ
ロダインビート信号から得られる散乱Ｘ線の２次元強度
情報を用いて、前記試料の断層画像を測定することを特
徴とするＸ線反射型断層画像測定方法。 - 【請求項２】（ａ）Ｘ線源、結像光学素子・位相変調素
子を含む干渉光学系と、（ｂ）２次元画像測定系とを備
え、（ｃ）試料からの散乱Ｘ線を信号光波、干渉光学系
で生ずる位相変調された光波を参照光波としたとき、該
２つの光波のヘテロダインビート信号から得られる散乱
Ｘ線の２次元強度情報を用いて断層画像を測定すること
を特徴とするＸ線反射型断層画像測定装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のＸ線反射型断層画像測定
装置において、前記干渉光学系は、Ｘ線源と、３つのＳ
ｉブロックを有するＳｉ干渉計と、試料とを備え、Ｘ線
源からのＸ線は、数ｍｍ程度の幅を持ちビーム状にＳｉ
干渉計へ入射し、第１のＳｉブロックにブラッグ角θB
で入射し、このとき第１のＳｉブロックのすべてのビー
ム入射領域で透過波と１次回折波が発生し、前記透過波
は直進して試料に入射し、該試料内では大部分は透過
し、該試料内での３次元屈折率分布によって、伝播路に
伴い微弱な散乱光が３次元的に発生し、信号光となり、
第１のＳｉブロックでの一次回折波は、第２のＳｉブロ
ックでブラッグ回折により第３のＳｉブロックに向か
い、該第３のＳｉブロックでは再度１次回折波が発生
し、参照光となり、前記信号光と参照光との干渉は、該
信号光と参照光がそれぞれ、ブラッグ条件を満たし、両
者の光路差が、光源のコヒーレンス長以内にあることを
特徴とするＸ線反射型断層画像測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001319225A JP3667678B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Ｘ線反射型断層画像測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001319225A JP3667678B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Ｘ線反射型断層画像測定方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003116829A true JP2003116829A (ja) | 2003-04-22 |
| JP3667678B2 JP3667678B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=19136803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001319225A Expired - Fee Related JP3667678B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Ｘ線反射型断層画像測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3667678B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012130586A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置、放射線撮影装置、及び放射線撮影システム |
| CN111095478A (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-01 | 浜松光子学株式会社 | 质量分析装置和质量分析方法 |
| CN111220961A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-02 | 中科卫星应用德清研究院 | 一种Ku波段VV极化水面后向散射特性的半经验模型 |
| CN114371607A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 四川大学 | 一种基于复合波带片的数字全息成像系统 |
-
2001
- 2001-10-17 JP JP2001319225A patent/JP3667678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2012130586A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置、放射線撮影装置、及び放射線撮影システム |
| CN111095478A (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-01 | 浜松光子学株式会社 | 质量分析装置和质量分析方法 |
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| CN114371607A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 四川大学 | 一种基于复合波带片的数字全息成像系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3667678B2 (ja) | 2005-07-06 |
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