JP2003113500A - 電解研磨方法 - Google Patents
電解研磨方法Info
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-
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】より一層優れた電解研磨方法を提供する。
【解決手段】電解液中でアノード電極と対極との間に電
圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を
接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法にお
いて、アノード電極が、ポテンシオスタットによる電気
化学測定で０．１Ｍ過塩素酸溶液中＋２．５Ｖ（対銀／
塩化銀電極）の電圧を印加したときの電流密度が１０ｍ
Ａ／ｃｍ2 以下である電極材料で形成されたことを特徴
とする。
圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を
接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法にお
いて、アノード電極が、ポテンシオスタットによる電気
化学測定で０．１Ｍ過塩素酸溶液中＋２．５Ｖ（対銀／
塩化銀電極）の電圧を印加したときの電流密度が１０ｍ
Ａ／ｃｍ2 以下である電極材料で形成されたことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電解研磨方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、金属埋め込
み配線技術が利用されている。まず、半導体基板上に絶
縁膜を形成した後、その絶縁膜内に所定パターンの配線
溝を形成する。配線溝内面および絶縁膜表面上にバリヤ
ー層を形成した後、金属配線材料を配線溝を埋めて絶縁
膜表面上のバリヤー層上に至るまで堆積させる。つい
で、配線溝内に存在する金属配線材料以外の金属配線材
料を電解研磨する。この電解研磨は、絶縁膜表面上に形
成されているバリヤー層表面が露出するまで行う。その
後、絶縁膜表面上のバリヤー金属を化学機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）技術により除去する。このような電解研磨は、電
解液中においてアノード電極と対極との間に電圧を印加
し、金属配線材料（被電解研磨材料）表面にアノード電
極を接触させながら行うことが有利である。
み配線技術が利用されている。まず、半導体基板上に絶
縁膜を形成した後、その絶縁膜内に所定パターンの配線
溝を形成する。配線溝内面および絶縁膜表面上にバリヤ
ー層を形成した後、金属配線材料を配線溝を埋めて絶縁
膜表面上のバリヤー層上に至るまで堆積させる。つい
で、配線溝内に存在する金属配線材料以外の金属配線材
料を電解研磨する。この電解研磨は、絶縁膜表面上に形
成されているバリヤー層表面が露出するまで行う。その
後、絶縁膜表面上のバリヤー金属を化学機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）技術により除去する。このような電解研磨は、電
解液中においてアノード電極と対極との間に電圧を印加
し、金属配線材料（被電解研磨材料）表面にアノード電
極を接触させながら行うことが有利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、上記電解研磨に
おいて、アノード電極として白金が使用されている。し
かしながら、白金をアノード電極としてルテニウム等の
貴金属からなる配線材料を電解研磨する際に、白金アノ
ード電極上に酸素が発生しやすいことがわかった。電解
研磨中に白金アノード電極上に酸素が発生すると、その
ために電気が消費され、貴金属配線材料を溶解させるこ
とができない。
おいて、アノード電極として白金が使用されている。し
かしながら、白金をアノード電極としてルテニウム等の
貴金属からなる配線材料を電解研磨する際に、白金アノ
ード電極上に酸素が発生しやすいことがわかった。電解
研磨中に白金アノード電極上に酸素が発生すると、その
ために電気が消費され、貴金属配線材料を溶解させるこ
とができない。
【０００４】アノード電極上での酸素の発生は、白金ア
ノード電極と貴金属配線材料との組み合わせにおいて生
じるだけの問題ではない。一般に、電解液中の還元体
（ＯＨ - 等）がアノード電極表面と接触して電子を奪っ
て酸化体（Ｏ2 等）に変換される結果、酸素が発生す
る。その結果、電解研磨の際の電流効率が低下する。
ノード電極と貴金属配線材料との組み合わせにおいて生
じるだけの問題ではない。一般に、電解液中の還元体
（ＯＨ - 等）がアノード電極表面と接触して電子を奪っ
て酸化体（Ｏ2 等）に変換される結果、酸素が発生す
る。その結果、電解研磨の際の電流効率が低下する。
【０００５】第３の問題は、通常の電解研磨において
は、電解液の拡散、対極上での水素の発生、対極の中心
と端部での電界の差異により、電解研磨中で電界が安定
しないことである。その結果、被電解研磨材料に対し、
局所的な電解研磨が生じるということである。
は、電解液の拡散、対極上での水素の発生、対極の中心
と端部での電界の差異により、電解研磨中で電界が安定
しないことである。その結果、被電解研磨材料に対し、
局所的な電解研磨が生じるということである。
【０００６】従って、本発明の目的は、上記従来の問題
を解決して、より一層優れた電解研磨方法を提供するこ
とにある。
を解決して、より一層優れた電解研磨方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
れば、電解液中においてアノード電極と対極との間に電
圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を
接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法にお
いて、該アノード電極が、ポテンシオスタットによる電
気化学測定において０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５
Ｖ（対銀／塩化銀電極）の電圧を印加したときの電流密
度が１０ｍＡ／ｃｍ2 以下である電極材料で形成された
ことを特徴とする電解研磨方法が提供される。
れば、電解液中においてアノード電極と対極との間に電
圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を
接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法にお
いて、該アノード電極が、ポテンシオスタットによる電
気化学測定において０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５
Ｖ（対銀／塩化銀電極）の電圧を印加したときの電流密
度が１０ｍＡ／ｃｍ2 以下である電極材料で形成された
ことを特徴とする電解研磨方法が提供される。
【０００８】本発明の第２の側面によれば、電解液中で
アノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨
材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研
磨材料を電解研磨する方法において、該アノード電極の
側面に絶縁膜が形成されていることを特徴とする電解研
磨方法が提供される。
アノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨
材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研
磨材料を電解研磨する方法において、該アノード電極の
側面に絶縁膜が形成されていることを特徴とする電解研
磨方法が提供される。
【０００９】本発明の第３の側面によれば、電解液中で
アノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨
材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研
磨材料を電解研磨する方法において、該対極の表面に、
固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜が形成
されていることを特徴とする電解研磨方法が提供され
る。
アノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨
材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研
磨材料を電解研磨する方法において、該対極の表面に、
固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜が形成
されていることを特徴とする電解研磨方法が提供され
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳しく説明す
る。
る。
【００１１】まず、図１〜図６を参照して、本発明の電
解研磨方法を半導体装置における埋め込み配線の形成に
適用した一例を説明する。
解研磨方法を半導体装置における埋め込み配線の形成に
適用した一例を説明する。
【００１２】図１に示すように、半導体基板１１上に絶
縁膜（例えば、Ｌｏｗ−ｋプラズマ酸化シリコン）１２
を形成する。この絶縁膜１２内にフォトレジスト膜１３
をマスクとして用いた反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により配線溝１４を形成する。
縁膜（例えば、Ｌｏｗ−ｋプラズマ酸化シリコン）１２
を形成する。この絶縁膜１２内にフォトレジスト膜１３
をマスクとして用いた反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により配線溝１４を形成する。
【００１３】ついで、フォトレジスト膜１３を例えば酸
素プラズマアッシング法により除去した後、図２に示す
ように、形成された配線溝１４の内表面上および絶縁膜
１２の上表面上に例えば窒化チタン等のバリヤー層１５
を形成する。
素プラズマアッシング法により除去した後、図２に示す
ように、形成された配線溝１４の内表面上および絶縁膜
１２の上表面上に例えば窒化チタン等のバリヤー層１５
を形成する。
【００１４】ついで、図３に示すように、配線溝１４を
埋め、バリヤー層１５の上表面上に至るまで金属配線材
料１６を例えばＣＶＤ法により形成する。
埋め、バリヤー層１５の上表面上に至るまで金属配線材
料１６を例えばＣＶＤ法により形成する。
【００１５】この金属配線材料１６を電解研磨する。電
解研磨に際し、図４に示すように、アノード電極１７と
対極１８との間に電圧を印加し、アノード電極１７を金
属配線材料１６の表面と接触させながら走査させる。金
属配線材料１６は、イオン化して電解液中に溶解し研磨
される。このようにして、図５に示すように、絶縁膜１
２の上表面上のバリヤー層１５の表面が露出するまで、
電解研磨を行う。
解研磨に際し、図４に示すように、アノード電極１７と
対極１８との間に電圧を印加し、アノード電極１７を金
属配線材料１６の表面と接触させながら走査させる。金
属配線材料１６は、イオン化して電解液中に溶解し研磨
される。このようにして、図５に示すように、絶縁膜１
２の上表面上のバリヤー層１５の表面が露出するまで、
電解研磨を行う。
【００１６】しかる後、図６に示すように、通常のＣＭ
Ｐ技術を用いて絶縁膜１２の上表面上のバリヤー層１５
を除去する。
Ｐ技術を用いて絶縁膜１２の上表面上のバリヤー層１５
を除去する。
【００１７】本発明の第１の側面では、アノード電極１
７は、ポテンシオスタットによる電気化学測定において
０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５Ｖ（対銀／塩化銀電
極）の電圧を印加したときの電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ
2 以下である電極材料で形成される。この第１の側面に
よれば、ルテニウム等の貴金属からなる配線材料を電解
研磨する際にも、アノード電極上での酸素の発生が抑制
され、貴金属からなる配線材料を効率よく電解研磨する
ことができる。かかるアノード電極材料としては、ダイ
ヤモンドライクカーボンを例示することができる。
７は、ポテンシオスタットによる電気化学測定において
０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５Ｖ（対銀／塩化銀電
極）の電圧を印加したときの電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ
2 以下である電極材料で形成される。この第１の側面に
よれば、ルテニウム等の貴金属からなる配線材料を電解
研磨する際にも、アノード電極上での酸素の発生が抑制
され、貴金属からなる配線材料を効率よく電解研磨する
ことができる。かかるアノード電極材料としては、ダイ
ヤモンドライクカーボンを例示することができる。
【００１８】本発明の第２の側面では、図１〜図６に関
して説明した電解研磨方法において、図７に示すよう
に、側面に絶縁膜２１が形成されたアノード電極１７が
使用される。この第２の側面によれば、アノード電極１
７は、被電解研磨材料と接触する面以外の側面が絶縁物
２１に覆われているので、アノード電極の電解液との接
触面積が減少し、電解液中の還元体（ＯＨ- 等）がアノ
ード電極表面と接触して電子を奪って酸化体（Ｏ2 等）
に変換される機会が減少する。その結果、電解研磨の際
の電流効率が向上する。絶縁膜２１としては、ＳｉＯ2
等の無機系やポリカーボネート等の有機ポリマー（絶縁
ワニス）等を使用することができる。
して説明した電解研磨方法において、図７に示すよう
に、側面に絶縁膜２１が形成されたアノード電極１７が
使用される。この第２の側面によれば、アノード電極１
７は、被電解研磨材料と接触する面以外の側面が絶縁物
２１に覆われているので、アノード電極の電解液との接
触面積が減少し、電解液中の還元体（ＯＨ- 等）がアノ
ード電極表面と接触して電子を奪って酸化体（Ｏ2 等）
に変換される機会が減少する。その結果、電解研磨の際
の電流効率が向上する。絶縁膜２１としては、ＳｉＯ2
等の無機系やポリカーボネート等の有機ポリマー（絶縁
ワニス）等を使用することができる。
【００１９】本発明の第３の側面では、図１〜図６に関
して説明した電解研磨方法において、図８に示すよう
に、固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜
（これらを総括的に符号２２で示す）が表面に形成され
た対極１８が使用される。この第３の側面によれば、対
極上に固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜
が存在することにより、対極上での水素発生等が抑制さ
れる結果、電解研磨中で電界が安定し、被電解研磨材料
に対し均一な電解研磨を達成することができる。固体電
解質としては、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリパ
ラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリア
セン等を用いることができる。この固体電解質には、抵
抗値を調節するためにアクセプターまたはドナー物質を
ドープすることができる。アクセプター物質としては、
ハロゲン（Ｂｒ、Ｉ、Ｃｌ、Ｆ）、ルイス酸（ＢＦ
3（またはＢＦ4-）、ＰＦ3（またはＰＦ6-）、ＡｓＦ3
（またはＡｓＦ6-）、ＳｂＦ5（またはＳｂＦ6-）、Ｓ
Ｏ3等）、プロトン酸（ＨＮＯ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌ、Ｈ
Ｆ、ＦＳＯ3Ｈ、ＣＦ3ＳＯ3Ｈ等）、遷移元素ハライド
（ＦｅＣｌ3、ＭｏＣｌ5、ＳｎＣｌ4、ＭｏＦ5等）、有
機物質（クロラル等）を使用することができる。ドナー
物質としては、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ
等）、アルキルアンモニウム（テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等）を使用することがで
きる。
して説明した電解研磨方法において、図８に示すよう
に、固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜
（これらを総括的に符号２２で示す）が表面に形成され
た対極１８が使用される。この第３の側面によれば、対
極上に固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜
が存在することにより、対極上での水素発生等が抑制さ
れる結果、電解研磨中で電界が安定し、被電解研磨材料
に対し均一な電解研磨を達成することができる。固体電
解質としては、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリパ
ラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリア
セン等を用いることができる。この固体電解質には、抵
抗値を調節するためにアクセプターまたはドナー物質を
ドープすることができる。アクセプター物質としては、
ハロゲン（Ｂｒ、Ｉ、Ｃｌ、Ｆ）、ルイス酸（ＢＦ
3（またはＢＦ4-）、ＰＦ3（またはＰＦ6-）、ＡｓＦ3
（またはＡｓＦ6-）、ＳｂＦ5（またはＳｂＦ6-）、Ｓ
Ｏ3等）、プロトン酸（ＨＮＯ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌ、Ｈ
Ｆ、ＦＳＯ3Ｈ、ＣＦ3ＳＯ3Ｈ等）、遷移元素ハライド
（ＦｅＣｌ3、ＭｏＣｌ5、ＳｎＣｌ4、ＭｏＦ5等）、有
機物質（クロラル等）を使用することができる。ドナー
物質としては、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ
等）、アルキルアンモニウム（テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等）を使用することがで
きる。
【００２０】また、上記イオン交換樹脂膜としては、多
価フェノール樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン樹脂、
フッ素樹脂等を母体樹脂としたものであって、母体樹脂
に酸性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等を結合
させた陽イオン交換樹脂、母体樹脂にアミノ基、第４ア
ンモニウム基等の塩基性基が結合した陰イオン交換樹脂
を使用することができる。
価フェノール樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン樹脂、
フッ素樹脂等を母体樹脂としたものであって、母体樹脂
に酸性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等を結合
させた陽イオン交換樹脂、母体樹脂にアミノ基、第４ア
ンモニウム基等の塩基性基が結合した陰イオン交換樹脂
を使用することができる。
【００２１】さらに、上記抵抗性膜としては、ゼオライ
ト、リン酸ジルコニウム、セルロース、アルギン酸、フ
ミン酸、イミジノ酢酸基を有するキレート樹脂、リン酸
ジ（２−エチルヘキシル）、トリオクチルアミン等を使
用することができる。
ト、リン酸ジルコニウム、セルロース、アルギン酸、フ
ミン酸、イミジノ酢酸基を有するキレート樹脂、リン酸
ジ（２−エチルヘキシル）、トリオクチルアミン等を使
用することができる。
【００２２】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はそれらに限定されるものではない。以下の各実施例
は、本発明を図１〜図６に基づいて説明した埋め込み配
線の形成に適用した例である。
明はそれらに限定されるものではない。以下の各実施例
は、本発明を図１〜図６に基づいて説明した埋め込み配
線の形成に適用した例である。
【００２３】実施例１
半導体基板１１の表面に通常のプラズマＣＶＤ法により
Ｌｏｗ−ｋプラズマ酸化シリコンからなる絶縁膜１２を
０．６μｍの厚さに形成した後、その絶縁膜１２内にフ
ォトレジストマスク１３を用いた通常のＲＩＥにより所
定パターンの配線溝１４（深さ０．４μｍ）を形成し
た。
Ｌｏｗ−ｋプラズマ酸化シリコンからなる絶縁膜１２を
０．６μｍの厚さに形成した後、その絶縁膜１２内にフ
ォトレジストマスク１３を用いた通常のＲＩＥにより所
定パターンの配線溝１４（深さ０．４μｍ）を形成し
た。
【００２４】通常の酸素プラズマアッシング法によりフ
ォトレジストマスク１３を除去した後、配線溝１４内面
および絶縁膜１２表面上に通常のＣＶＤ法によりＴｉＮ
バリヤー層１５を２０ｎｍの厚さに形成した。その後、
通常のＣＶＤ法により、ルテニウムからなる金属配線材
料１６を配線溝を埋めて絶縁膜１２表面上のＴｉＮバリ
ヤー層１５上に至るまで０．６μｍの厚さに堆積させ
た。
ォトレジストマスク１３を除去した後、配線溝１４内面
および絶縁膜１２表面上に通常のＣＶＤ法によりＴｉＮ
バリヤー層１５を２０ｎｍの厚さに形成した。その後、
通常のＣＶＤ法により、ルテニウムからなる金属配線材
料１６を配線溝を埋めて絶縁膜１２表面上のＴｉＮバリ
ヤー層１５上に至るまで０．６μｍの厚さに堆積させ
た。
【００２５】ついで、配線溝１４内に存在するルテニウ
ム以外のルテニウムを電解研磨した。この電解研磨は、
アノード電極１７としてダイヤモンドライクカーボン
（ハイパーＣ）を用いて行った。電解液としては、０．
１Ｍ過塩素酸水溶液を用い、＋２．５Ｖ（対銀／塩化銀
電極）の電圧下に電解研磨を行ったところ、３０秒間で
ルテニウムは電解研磨され、絶縁膜１２の表面上に形成
されているバリヤー層１５の表面が露出した。その後、
通常のＣＭＰ技術を用いてＴｉＮバリヤー層１５と該バ
リヤー層１５の厚さに相当するルテニウムを化学機械的
研磨（ＣＭＰ）技術により除去した。
ム以外のルテニウムを電解研磨した。この電解研磨は、
アノード電極１７としてダイヤモンドライクカーボン
（ハイパーＣ）を用いて行った。電解液としては、０．
１Ｍ過塩素酸水溶液を用い、＋２．５Ｖ（対銀／塩化銀
電極）の電圧下に電解研磨を行ったところ、３０秒間で
ルテニウムは電解研磨され、絶縁膜１２の表面上に形成
されているバリヤー層１５の表面が露出した。その後、
通常のＣＭＰ技術を用いてＴｉＮバリヤー層１５と該バ
リヤー層１５の厚さに相当するルテニウムを化学機械的
研磨（ＣＭＰ）技術により除去した。
【００２６】なお、ポテンシオスタットによる電気化学
測定において０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５Ｖ（対
銀／塩化銀電極）の電圧を印加したときの酸素発生状況
を観察したところ、図９に示すように、白金アノード電
極（線ａ）では、酸素発生に起因して１００ｍＡ／ｃｍ
2 の電流が確認されたが、ダイヤモンドライクカーボン
（線ｂ）では、そのような電流はほとんど発生しなかっ
た。白金電極では、同条件で電解を行っても、ルテニウ
ムは研磨されなかった。
測定において０．１Ｍ過塩素酸溶液中で＋２．５Ｖ（対
銀／塩化銀電極）の電圧を印加したときの酸素発生状況
を観察したところ、図９に示すように、白金アノード電
極（線ａ）では、酸素発生に起因して１００ｍＡ／ｃｍ
2 の電流が確認されたが、ダイヤモンドライクカーボン
（線ｂ）では、そのような電流はほとんど発生しなかっ
た。白金電極では、同条件で電解を行っても、ルテニウ
ムは研磨されなかった。
【００２７】実施例２
アノード電極１７として、側面に絶縁ワニス（ウルシオ
ール、ラッカーゼ等の混合物）からなる絶縁膜２１を形
成した白金電極を用いた以外は実施例１と同様にして埋
め込み配線を作製した。
ール、ラッカーゼ等の混合物）からなる絶縁膜２１を形
成した白金電極を用いた以外は実施例１と同様にして埋
め込み配線を作製した。
【００２８】電解研磨中、電気はアノード／基板界面だ
けでなく、アノード／液界面にも流れ、その結果電流効
率が著しく低下するが、本発明に従い、アノードの基板
との接触面以外の側面に絶縁膜を形成することにより、
アノード／液界面に流れる電流を抑制でき、電流効率が
向上した。
けでなく、アノード／液界面にも流れ、その結果電流効
率が著しく低下するが、本発明に従い、アノードの基板
との接触面以外の側面に絶縁膜を形成することにより、
アノード／液界面に流れる電流を抑制でき、電流効率が
向上した。
【００２９】実施例３
対極１８として、全表面にペルフルオロスルホン型イオ
ン交換樹脂膜を設けた白金電極を用いた以外は実施例１
と同様にして埋め込み配線を作製した。ここで使用した
ペルフルオロスルホン型イオン交換樹脂は水素イオンを
ブロックするので、対極表面上での水素発生が抑制で
き、安定した電界の下で電解研磨を行うことができた。
ン交換樹脂膜を設けた白金電極を用いた以外は実施例１
と同様にして埋め込み配線を作製した。ここで使用した
ペルフルオロスルホン型イオン交換樹脂は水素イオンを
ブロックするので、対極表面上での水素発生が抑制で
き、安定した電界の下で電解研磨を行うことができた。
【図１】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図２】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図３】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図４】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図５】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図６】本発明を適用して埋め込み配線を作製する方法
を説明するための概略断面図。
を説明するための概略断面図。
【図７】本発明の電解研磨方法に使用されるアノード電
極の一例を示す概略断面図。
極の一例を示す概略断面図。
【図８】本発明の電解研磨方法に使用される対極の一例
を示す概略断面図。
を示す概略断面図。
【図９】ポテンシオスタットによる電気化学測定におい
て、アノード電極としてダイヤモンドライクカーボンと
白金を用いた場合における酸素発生状況を示すグラフ。
て、アノード電極としてダイヤモンドライクカーボンと
白金を用いた場合における酸素発生状況を示すグラフ。
１１…半導体基板
１２…絶縁膜
１３…フォトレジストマスク
１４…配線溝
１５…バリヤー層
１６…配線材料
１７…アノード電極
１８…対極
２１…アノード電極側面の絶縁膜
２２…固体電解質膜、イオン交換樹脂膜または抵抗性膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小寺 雅子
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 宮下 直人
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
Ｆターム(参考） 3C059 AA02 AB01 DB00 DC06 GC01
Claims (5)
- 【請求項１】 電解液中でアノード電極と対極との間に
電圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極
を接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法に
おいて、該アノード電極が、ポテンシオスタットによる
電気化学測定で０．１Ｍ過塩素酸溶液中＋２．５Ｖ（対
銀／塩化銀電極）の電圧を印加したときの電流密度が１
０ｍＡ／ｃｍ2 以下である電極材料で形成されたことを
特徴とする電解研磨方法。 - 【請求項２】 アノード電極が、ダイヤモンドライクカ
ーボンで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
電解研磨方法。 - 【請求項３】 電解液中でアノード電極と対極との間に
電圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極
を接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法に
おいて、該アノード電極の側面に絶縁膜が形成されてい
ることを特徴とする電解研磨方法。 - 【請求項４】 電解液中でアノード電極と対極との間に
電圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極
を接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法に
おいて、該対極の表面に、固体電解質膜、イオン交換樹
脂膜または抵抗性膜が形成されていることを特徴とする
電解研磨方法。 - 【請求項５】 該被電解研磨材料が、半導体基板上に形
成された絶縁膜内に設けられた配線溝内から該絶縁膜表
面上にまで形成された金属埋め込み配線材料であること
を特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の
電解研磨方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2001307608A JP2003113500A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 電解研磨方法 |
| CNB021440689A CN1212651C (zh) | 2001-10-03 | 2002-09-29 | 电解抛光方法 |
| KR10-2002-0060054A KR100508362B1 (ko) | 2001-10-03 | 2002-10-02 | 전해 연마 방법 |
| US10/261,949 US6783658B2 (en) | 2001-10-03 | 2002-10-02 | Electropolishing method |
| TW91122850A TW574733B (en) | 2001-10-03 | 2002-10-03 | Electropolishing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307608A JP2003113500A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 電解研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003113500A true JP2003113500A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19127046
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001307608A Abandoned JP2003113500A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 電解研磨方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6783658B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003113500A (ja) |
| KR (1) | KR100508362B1 (ja) |
| CN (1) | CN1212651C (ja) |
| TW (1) | TW574733B (ja) |
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| JP2007515685A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-06-14 | 日東電工株式会社 | ルイス酸を含有する配向された液晶層 |
| CN103212755A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-07-24 | 哈尔滨工业大学 | 水电极大气等离子体加工回转零件方法 |
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| JP2007194540A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び研磨装置 |
| CN101781789B (zh) * | 2009-01-16 | 2012-10-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 用于基板的金属层抛光方法及电解槽 |
| CN102453444B (zh) * | 2010-10-26 | 2013-12-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种用于非晶合金的抛光液以及一种非晶合金的抛光方法 |
| CN102891104B (zh) * | 2012-09-17 | 2015-07-29 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高Cu CMP效率的方法 |
| CN102899710B (zh) * | 2012-10-25 | 2014-12-24 | 西安工业大学 | 一种银的电解抛光液及其制备方法和使用方法 |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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