JP2003112968A - Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト - Google Patents
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトInfo
- Publication number
- JP2003112968A JP2003112968A JP2001307388A JP2001307388A JP2003112968A JP 2003112968 A JP2003112968 A JP 2003112968A JP 2001307388 A JP2001307388 A JP 2001307388A JP 2001307388 A JP2001307388 A JP 2001307388A JP 2003112968 A JP2003112968 A JP 2003112968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- magnetic
- zro
- mol
- average particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チョークコイルやインダクタンス素子に用い
られる磁性材料自体を改良して直流印加（重畳）時のイ
ンダクタンス（Ｌ値）を向上させること。 【解決手段】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトにおいて、透磁
率が高い磁性材料を用いることで磁気ギャップを設ける
ことなく直流重畳特性の向上が可能であり、当該フェラ
イト組成に特定粒径のＺｒＯ2を特定量添加することで
目的とする高透磁率が得られ、磁路中に磁気ギャップを
設けることなくチョークコイルやインダクタンス素子を
構成できる。
られる磁性材料自体を改良して直流印加（重畳）時のイ
ンダクタンス（Ｌ値）を向上させること。 【解決手段】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトにおいて、透磁
率が高い磁性材料を用いることで磁気ギャップを設ける
ことなく直流重畳特性の向上が可能であり、当該フェラ
イト組成に特定粒径のＺｒＯ2を特定量添加することで
目的とする高透磁率が得られ、磁路中に磁気ギャップを
設けることなくチョークコイルやインダクタンス素子を
構成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、チョークコイル
やインダクタンス素子に用いられるＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトの改良に係り、焼成後に所定粒径でかつ比較的多量
にＺｒＯ2を含有することで材料自体の直流印加（重
畳）時のインダクタンス（Ｌ値）を向上させたＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトに関する。
やインダクタンス素子に用いられるＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトの改良に係り、焼成後に所定粒径でかつ比較的多量
にＺｒＯ2を含有することで材料自体の直流印加（重
畳）時のインダクタンス（Ｌ値）を向上させたＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトに関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング電源の２次側直流平滑回路
に組込まれるチョークコイルは、巻線に重畳して流れる
直流電流値に対してインダクタンス値が非線形特性を示
すことが求められている。
に組込まれるチョークコイルは、巻線に重畳して流れる
直流電流値に対してインダクタンス値が非線形特性を示
すことが求められている。
【０００３】そこで、チョークコイルやインダクタンス
素子において、直流印加（重畳）時のインダクタンス
（Ｌ値）を向上させるのに、磁路中に磁気ギャップを配
置する方法が採用され、実質的に磁気ギャップとなるよ
うな種々の構成を磁路中に採用したものが実用化されて
いる。
素子において、直流印加（重畳）時のインダクタンス
（Ｌ値）を向上させるのに、磁路中に磁気ギャップを配
置する方法が採用され、実質的に磁気ギャップとなるよ
うな種々の構成を磁路中に採用したものが実用化されて
いる。
【０００４】例えば、チョークコイルでは、ＥＩコアな
どの脚部の形状を工夫してギャップ部を形成したり、積
層型インダクタでは非磁性層を挿入して実質的にギャッ
プ部を配置することで、磁路中に磁気ギャップを設けて
かかる直流重畳特性を改善することが行われている。
（特開平４−３２９６０８号、特開平７−１８３１３４
号、特開昭５６−１５５５１６号など）
どの脚部の形状を工夫してギャップ部を形成したり、積
層型インダクタでは非磁性層を挿入して実質的にギャッ
プ部を配置することで、磁路中に磁気ギャップを設けて
かかる直流重畳特性を改善することが行われている。
（特開平４−３２９６０８号、特開平７−１８３１３４
号、特開昭５６−１５５５１６号など）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】チョークコイルでは、
コア材形状を工夫して磁気ギャップを設ける場合、磁性
体への精密加工を施したり、複雑形状の金型などが必要
となり、工程や設備の増加の問題がある。
コア材形状を工夫して磁気ギャップを設ける場合、磁性
体への精密加工を施したり、複雑形状の金型などが必要
となり、工程や設備の増加の問題がある。
【０００６】また、積層型インダクタでは２種類以上の
材料が必要となり、これを配置する工程が増えたり、当
該異材料間に密着性等の問題を生じることがある。
材料が必要となり、これを配置する工程が増えたり、当
該異材料間に密着性等の問題を生じることがある。
【０００７】この発明は、チョークコイルやインダクタ
ンス素子に用いられる磁性材料自体を改良して直流印加
（重畳）時のインダクタンス（Ｌ値）を向上させること
を目的とし、磁路中に磁気ギャップを設けることなくチ
ョークコイルやインダクタンス素子を構成できることは
もちろん、さらに、従来と同様に磁気ギャップを設ける
ことでさらに特性のすぐれたデバイスが得られるＮｉ−
Ｚｎ系フェライトの提供を目的としている。
ンス素子に用いられる磁性材料自体を改良して直流印加
（重畳）時のインダクタンス（Ｌ値）を向上させること
を目的とし、磁路中に磁気ギャップを設けることなくチ
ョークコイルやインダクタンス素子を構成できることは
もちろん、さらに、従来と同様に磁気ギャップを設ける
ことでさらに特性のすぐれたデバイスが得られるＮｉ−
Ｚｎ系フェライトの提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、磁性材料自
体を改良して直流印加（重畳）時のインダクタンス（Ｌ
値）を向上させるため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料の
組成、特性について種々検討し、材料の直流重畳時の透
磁率、すなわちチョークコイルやインダクタンス素子の
Ｌ値に相当する透磁率に着目した。
体を改良して直流印加（重畳）時のインダクタンス（Ｌ
値）を向上させるため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料の
組成、特性について種々検討し、材料の直流重畳時の透
磁率、すなわちチョークコイルやインダクタンス素子の
Ｌ値に相当する透磁率に着目した。
【０００９】発明者らは、さらに鋭意検討した結果、該
透磁率が高い磁性材料を用いることで磁気ギャップを設
けることなく直流重畳特性の向上が可能であること、Ｎ
ｉ−Ｚｎ系フェライト組成に特定粒径のＺｒＯ2を特定
量添加することで目的とする高透磁率が得られることを
知見し、この発明を完成した。
透磁率が高い磁性材料を用いることで磁気ギャップを設
けることなく直流重畳特性の向上が可能であること、Ｎ
ｉ−Ｚｎ系フェライト組成に特定粒径のＺｒＯ2を特定
量添加することで目的とする高透磁率が得られることを
知見し、この発明を完成した。
【００１０】すなわちこの発明は、平均粒径０．５μｍ
〜５０μｍのＺｒＯ2を０．１ｗｔ〜２５ｗｔ％含むＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライトであること、さらに好ましくは、
ＺｒＯ2含有量が１０．０ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％、Ｚ
ｒＯ2の平均粒径が２μｍ〜４０μｍであることを特徴
とする、またチョークコイル用材料又はインダクタンス
素子用材料として最適であることを特徴とするＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトである。
〜５０μｍのＺｒＯ2を０．１ｗｔ〜２５ｗｔ％含むＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライトであること、さらに好ましくは、
ＺｒＯ2含有量が１０．０ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％、Ｚ
ｒＯ2の平均粒径が２μｍ〜４０μｍであることを特徴
とする、またチョークコイル用材料又はインダクタンス
素子用材料として最適であることを特徴とするＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトである。
【００１１】また、発明者は、上記構成のＮｉ−Ｚｎ系
フェライトにおいて、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの組成
が、ＮｉＯ １５ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０
ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ５ｍｏｌ％〜３０ｍ
ｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3である構成、Ｂｉ2Ｏ3を１．５ｗ
ｔ％以下含有する構成を併せて提案する。
フェライトにおいて、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの組成
が、ＮｉＯ １５ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０
ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ５ｍｏｌ％〜３０ｍ
ｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3である構成、Ｂｉ2Ｏ3を１．５ｗ
ｔ％以下含有する構成を併せて提案する。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イトにおいて、特定粒径のＺｒＯ2を特定量添加するこ
とで高透磁率化を図り、直流重畳特性の向上効果を得る
が、材料中のＺｒＯ2の平均粒径が０．５μｍ未満であ
ると、該特性向上の効果が得られず、５０μｍを超える
とと製造工程でバインダーを加えて造粒する際に均一な
顆粒が得難いため好ましくない。
イトにおいて、特定粒径のＺｒＯ2を特定量添加するこ
とで高透磁率化を図り、直流重畳特性の向上効果を得る
が、材料中のＺｒＯ2の平均粒径が０．５μｍ未満であ
ると、該特性向上の効果が得られず、５０μｍを超える
とと製造工程でバインダーを加えて造粒する際に均一な
顆粒が得難いため好ましくない。
【００１３】ＺｒＯ2の平均粒径は、０．５μｍ〜５０
μｍの範囲とするが、後述のごとく、平均粒径が大きい
ほど有効で添加量が少なくなる傾向が見られ、組成に応
じて最適な平均粒径と添加量の特定関係があると考えら
れ、求める特性や採用する材料組成に応じて適宜選択す
るとよく、より好ましい平均粒径は２μｍ〜４０μｍで
ある。
μｍの範囲とするが、後述のごとく、平均粒径が大きい
ほど有効で添加量が少なくなる傾向が見られ、組成に応
じて最適な平均粒径と添加量の特定関係があると考えら
れ、求める特性や採用する材料組成に応じて適宜選択す
るとよく、より好ましい平均粒径は２μｍ〜４０μｍで
ある。
【００１４】また、ＺｒＯ2の添加量は平均粒径との相
関関係があり、平均粒径が小さい場合は大きい場合より
も相対的に多く添加する必要があり、目的の効果を得る
には少なくとも０．１ｗｔ％の添加が必要であるが、Ｚ
ｒＯ2は非磁性材料であり、２５ｗｔ％を超えると、磁
気特性が低下するため好ましくない。よって、０．１ｗ
ｔ％〜２５ｗｔ％の範囲とする。
関関係があり、平均粒径が小さい場合は大きい場合より
も相対的に多く添加する必要があり、目的の効果を得る
には少なくとも０．１ｗｔ％の添加が必要であるが、Ｚ
ｒＯ2は非磁性材料であり、２５ｗｔ％を超えると、磁
気特性が低下するため好ましくない。よって、０．１ｗ
ｔ％〜２５ｗｔ％の範囲とする。
【００１５】この発明において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トに添加するＺｒＯ2の形態は上述のとおりであり、性
状としては、特に限定しないが、温度による体積変化を
低減した安定化ジルコニア（正方晶）が望ましい。
トに添加するＺｒＯ2の形態は上述のとおりであり、性
状としては、特に限定しないが、温度による体積変化を
低減した安定化ジルコニア（正方晶）が望ましい。
【００１６】この発明において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トの基本組成は公知のいずれの組成であってもよく特に
限定しないが、チョークコイル用材料又はインダクタン
ス素子用材料としては、ＮｉＯ １５ｍｏｌ％〜３５ｍ
ｏｌ％、ＣｕＯ ０ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ
５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3の組成が好ま
しい。
トの基本組成は公知のいずれの組成であってもよく特に
限定しないが、チョークコイル用材料又はインダクタン
ス素子用材料としては、ＮｉＯ １５ｍｏｌ％〜３５ｍ
ｏｌ％、ＣｕＯ ０ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ
５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3の組成が好ま
しい。
【００１７】上記組成において、さらに好ましい範囲
は、ＮｉＯ ２０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０
ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ １０ｍｏｌ％〜２５
ｍｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3であり、特に、Ｆｅ2Ｏ3を５０
ｍｏｌ％以下にしたものが好ましい。
は、ＮｉＯ ２０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０
ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ １０ｍｏｌ％〜２５
ｍｏｌ％、残部Ｆｅ2Ｏ3であり、特に、Ｆｅ2Ｏ3を５０
ｍｏｌ％以下にしたものが好ましい。
【００１８】上記組成において、さらに添加物としてＢ
ｉ2Ｏ3を１．５ｗｔ％以下含有することは、焼結温度を
低下させることができ、積層型インダクタにおけるフェ
ライトと内部導体材料との同時焼成が可能になるなどの
効果を得ることができる。
ｉ2Ｏ3を１．５ｗｔ％以下含有することは、焼結温度を
低下させることができ、積層型インダクタにおけるフェ
ライトと内部導体材料との同時焼成が可能になるなどの
効果を得ることができる。
【００１９】
【実施例】Ｆｅ2Ｏ3４７ｍｏｌ％、ＮｉＯ２３ｍｏｌ
％、ＣｕＯ１５ｍｏｌ％、ＺｎＯ１５ｍｏｌ％の組成か
らなるＮｉ−Ｚｎ系フェライ卜粉未に対して、Ｂｉ2Ｏ3
を１ｗｔ％、及び平均粒径が２μｍと４０μｍのＺｒＯ
2粉末を０ｗｔ％〜５０ｗｔ％添加し（０ｗｔ％は比較
例）、造粒、成形、焼結を行なうことによりこの発明の
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを得た。
％、ＣｕＯ１５ｍｏｌ％、ＺｎＯ１５ｍｏｌ％の組成か
らなるＮｉ−Ｚｎ系フェライ卜粉未に対して、Ｂｉ2Ｏ3
を１ｗｔ％、及び平均粒径が２μｍと４０μｍのＺｒＯ
2粉末を０ｗｔ％〜５０ｗｔ％添加し（０ｗｔ％は比較
例）、造粒、成形、焼結を行なうことによりこの発明の
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを得た。
【００２０】得られたＮｉ‐Ｚｎ系フェライトのＺｒＯ
2の添加量による透磁率μの変化を測定した。その結果
を図１及び図２に示す。図１はＺｒＯ2の平均粒径が２
μｍの場合、図２はＺｒＯ2の平均粒径が４０μｍの場
合である。図中、実線は直流印加磁場の大きさ（直流印
加電流を磁場の大きさに換算したもの）が３０Ｏｅの場
合を示し、点線は３５Ｏｅの場合を示す。
2の添加量による透磁率μの変化を測定した。その結果
を図１及び図２に示す。図１はＺｒＯ2の平均粒径が２
μｍの場合、図２はＺｒＯ2の平均粒径が４０μｍの場
合である。図中、実線は直流印加磁場の大きさ（直流印
加電流を磁場の大きさに換算したもの）が３０Ｏｅの場
合を示し、点線は３５Ｏｅの場合を示す。
【００２１】図１及び図２より、ＺｒＯ2の添加量が
０．１ｗｔ％〜２５ｗｔ％の範囲において、ＺｒＯ2を
添加しないもの（０ｗｔ％）に比べ直流重畳時の透磁率
μが向上しており、特に、ＺｒＯ2の添加量が約ｌ０ｗ
ｔ％−２０ｗｔ％の範囲で透磁率μが大きく向上してい
ることが分かる。
０．１ｗｔ％〜２５ｗｔ％の範囲において、ＺｒＯ2を
添加しないもの（０ｗｔ％）に比べ直流重畳時の透磁率
μが向上しており、特に、ＺｒＯ2の添加量が約ｌ０ｗ
ｔ％−２０ｗｔ％の範囲で透磁率μが大きく向上してい
ることが分かる。
【００２２】図３は平均粒径２μｍのＺｒＯ2粉末を１
５ｗｔ％したこの発明によるＮｉ‐Ｚｎ系フェライト
（実線）とＺｒＯ2粉末を添加しない従来のＮｉ−Ｚｎ
系フェライト（点線）の直流印加磁場（直流印加電流を
磁場の大きさに換算したもの）と透磁率μとの関係を示
すグラフである。図３から明らかなように、この発明に
よるＮｉ−Ｚｎ系フェライトは直流重畳時の透磁率μが
大きく向上していることが分かる。
５ｗｔ％したこの発明によるＮｉ‐Ｚｎ系フェライト
（実線）とＺｒＯ2粉末を添加しない従来のＮｉ−Ｚｎ
系フェライト（点線）の直流印加磁場（直流印加電流を
磁場の大きさに換算したもの）と透磁率μとの関係を示
すグラフである。図３から明らかなように、この発明に
よるＮｉ−Ｚｎ系フェライトは直流重畳時の透磁率μが
大きく向上していることが分かる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によるＮｉ−Ｚｎ系フェライト
材料は、実施例に明らかなように直流重畳時の透磁率が
高い磁性材料であり、この磁性材料を用いることで、磁
気回路に磁気ギャップの形成を行うことなく、直流重畳
特性の良好なチョークコイルやインダクタンス素子が得
られる。さらに、従来と同様に磁気ギャップを設けるこ
とでより特性が向上した前記デバイスが得られる。
材料は、実施例に明らかなように直流重畳時の透磁率が
高い磁性材料であり、この磁性材料を用いることで、磁
気回路に磁気ギャップの形成を行うことなく、直流重畳
特性の良好なチョークコイルやインダクタンス素子が得
られる。さらに、従来と同様に磁気ギャップを設けるこ
とでより特性が向上した前記デバイスが得られる。
【図１】平均粒径が２μｍのＺｒＯ2の添加量による透
磁率μの変化を示すグラフである。
磁率μの変化を示すグラフである。
【図２】平均粒径が４０μｍのＺｒＯ2の添加量による
透磁率μの変化を示すグラフである。
透磁率μの変化を示すグラフである。
【図３】ＺｒＯ2の添加材料と無添加材料の直流重畳特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 矢可部 浩志
大阪府三島郡島本町江川２丁目15−17 住
友特殊金属株式会社山崎製作所内
(72)発明者 河原 茂
大阪府三島郡島本町江川２丁目15−17 住
友特殊金属株式会社山崎製作所内
Ｆターム(参考） 4G018 AA16 AA23 AA24 AA25 AA37
5E041 AB01 CA10 NN02
Claims (6)
- 【請求項１】 平均粒径０．５μｍ〜５０μｍのＺｒＯ
2を０．１ｗｔ％〜２５ｗｔ％含むＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イト。 - 【請求項２】 ＺｒＯ2含有量が、１０．０ｗｔ％〜２
０．０ｗｔ％である請求項１に記載のＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト。 - 【請求項３】 ＺｒＯ2の平均粒径が、２μｍ〜４０μ
ｍである請求項１に記載のＮｉ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項４】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの組成が、Ｎｉ
Ｏ １５ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ０ｍｏｌ％
〜２５ｍｏｌ％、ＺｎＯ ５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％、
残部Ｆｅ2Ｏ3である請求項１に記載のＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト。 - 【請求項５】 Ｂｉ2Ｏ3を１．５ｗｔ％以下含有する請
求項４に記載のＮｉ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項６】 チョークコイル用材料またはインダクタ
ンス素子用材料である請求項１に記載のＮｉ−Ｚｎ系フ
ェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307388A JP2003112968A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307388A JP2003112968A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003112968A true JP2003112968A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19126859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001307388A Pending JP2003112968A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003112968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008132834A1 (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Toda Kogyo Corporation | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトの粉末、グリーンシート及び焼結体 |
-
2001
- 2001-10-03 JP JP2001307388A patent/JP2003112968A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008132834A1 (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Toda Kogyo Corporation | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトの粉末、グリーンシート及び焼結体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101503104B1 (ko) | 금속 자성 분말, 상기 금속 자성 분말을 포함하는 자성층 재료, 및 자성층 재료를 이용한 자성층을 포함하는 적층형 칩 부품 | |
| CN107311637B (zh) | 一种基于核壳结构晶粒制备低功率损耗锰锌铁氧体的方法 | |
| KR101603827B1 (ko) | 적층 코일 부품 | |
| TWI294627B (ja) | ||
| KR102198781B1 (ko) | 자심, 코일 부품 및 자심의 제조 방법 | |
| US8974608B2 (en) | Powder magnetic core and the method of manufacturing the same | |
| JP4532401B2 (ja) | ＮｉＣｕＺｎ系フェライトおよびそれを用いた電子部品 | |
| CN108987062A (zh) | 一种铁氧体-软磁合金复合磁芯及其制备方法 | |
| JP2022028777A (ja) | 合金粉末組成物、成形体及びその製造方法、並びにインダクタ | |
| CN103903831B (zh) | 电感器和用于制造其间隙层的组合物 | |
| JP2007145703A (ja) | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末、該Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を含有するグリーンシート及びＮｉ−Ｚｎ系フェライト焼結体。 | |
| JPH03150815A (ja) | インダクタ | |
| JP2003112968A (ja) | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト | |
| JP4822385B2 (ja) | フェライト材料及びインダクタンス素子 | |
| KR101962020B1 (ko) | 연자성 금속 분말 및 압분 자심 | |
| US7289010B2 (en) | Mn-Zn based ferrite member | |
| JP2004296865A (ja) | 巻き線チップインダクタ用フェライトコアとその製造方法及び巻き線チップインダクタ | |
| JP2007063123A (ja) | フェライト材料およびそれを用いた電子部品 | |
| JP2006151742A (ja) | フェライト材料およびそれを用いた電子部品 | |
| JPH1045415A (ja) | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
| JP2004262710A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトおよびその製造方法 | |
| JP2005145781A (ja) | フェライト焼結体 | |
| JP2003100509A (ja) | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
| JP3337937B2 (ja) | フェライト磁性材料およびフェライトコア | |
| JP2003068513A (ja) | メタルコンポジットコア用軟磁性粉末 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070507 |