JP2003111225A - スイッチギヤ - Google Patents
スイッチギヤInfo
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- JP2003111225A JP2003111225A JP2001305956A JP2001305956A JP2003111225A JP 2003111225 A JP2003111225 A JP 2003111225A JP 2001305956 A JP2001305956 A JP 2001305956A JP 2001305956 A JP2001305956 A JP 2001305956A JP 2003111225 A JP2003111225 A JP 2003111225A
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- Japan
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- insulating layer
- switchgear
- vacuum valve
- insulation
- electric field
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/662—Housings or protective screens
- H01H33/66207—Specific housing details, e.g. sealing, soldering or brazing
- H01H2033/6623—Details relating to the encasing or the outside layers of the vacuum switch housings
Landscapes
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁層でモールドした真空バルブの可動側で、
気中絶縁となる部分の対地間の耐電圧特性を向上させ、
全体形状の縮小化を図る。 【解決手段】真空バルブ等の開閉機器を収納して電気系
統を構成するスイッチギヤにおいて、真空バルブを絶縁
層２でモールドして成形し、この絶縁層の外周には接地
層１３を設け、この絶縁層２内に電界緩和シールドを埋
め込み、真空バルブの可動軸側で気中絶縁となる絶縁層
沿面２aに絶縁層の比誘電率より低い誘電率の第２の絶
縁層１４を設ける。
気中絶縁となる部分の対地間の耐電圧特性を向上させ、
全体形状の縮小化を図る。 【解決手段】真空バルブ等の開閉機器を収納して電気系
統を構成するスイッチギヤにおいて、真空バルブを絶縁
層２でモールドして成形し、この絶縁層の外周には接地
層１３を設け、この絶縁層２内に電界緩和シールドを埋
め込み、真空バルブの可動軸側で気中絶縁となる絶縁層
沿面２aに絶縁層の比誘電率より低い誘電率の第２の絶
縁層１４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は開閉機器を収納して
電源系統を構成するスイッチギアに関する。
電源系統を構成するスイッチギアに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の代表的なスイッチギヤの構成例を
図８に示す。図8において、外周を軟鋼板で囲まれた容
器５１を隔壁５２で前後に仕切り、前方の遮断器室５１
aには真空バルブ５３aが装着された遮断器５３を収納
し、また後方の母線室５１ｂには遮断器５３側の上下の
主回路に合わせてそれぞれ同形の断路器５４A、５４Bを
上下に設けている。断路器５４A側は、支持硝子５６に
固定された母線５５に接続され、隣接された盤への接続
が行われている。また、断路器５４Ｂ側は、電力ケーブ
ル５７ａから受電されたケーブルヘッド５７に接続され
ている。そして、これらの機器は、接続導体５８で相互
に接続されている。また、電源側と負荷側を仕切ってい
る隔壁５２には、図示していない貫通穴に主回路導体を
絶縁層でモールドした絶縁スペーサ５９を設け、相互の
室５１ａ、５１ｂの仕切りと、主回路の接続が行われて
いる。これらの室５１ａ、５１ｂには、絶縁媒体として
例えばＳＦ６ガスのような絶縁ガスが封入されている。
中電圧クラスのスイッチギヤにおいては、遮断器に真空
バルブが数多く用いられている。真空バルブは、容器内
部の真空絶縁に比べて、外部の沿面が気中絶縁となり絶
縁耐力が低いため、例えば特開平６−２３１６６１号公
報に開示されているようにエポキシ樹脂でモールドして
絶縁補強することがある。
図８に示す。図8において、外周を軟鋼板で囲まれた容
器５１を隔壁５２で前後に仕切り、前方の遮断器室５１
aには真空バルブ５３aが装着された遮断器５３を収納
し、また後方の母線室５１ｂには遮断器５３側の上下の
主回路に合わせてそれぞれ同形の断路器５４A、５４Bを
上下に設けている。断路器５４A側は、支持硝子５６に
固定された母線５５に接続され、隣接された盤への接続
が行われている。また、断路器５４Ｂ側は、電力ケーブ
ル５７ａから受電されたケーブルヘッド５７に接続され
ている。そして、これらの機器は、接続導体５８で相互
に接続されている。また、電源側と負荷側を仕切ってい
る隔壁５２には、図示していない貫通穴に主回路導体を
絶縁層でモールドした絶縁スペーサ５９を設け、相互の
室５１ａ、５１ｂの仕切りと、主回路の接続が行われて
いる。これらの室５１ａ、５１ｂには、絶縁媒体として
例えばＳＦ６ガスのような絶縁ガスが封入されている。
中電圧クラスのスイッチギヤにおいては、遮断器に真空
バルブが数多く用いられている。真空バルブは、容器内
部の真空絶縁に比べて、外部の沿面が気中絶縁となり絶
縁耐力が低いため、例えば特開平６−２３１６６１号公
報に開示されているようにエポキシ樹脂でモールドして
絶縁補強することがある。
【０００３】一般にエポキシ樹脂でモールドした真空バ
ルブを図９に示す。真空バルブ６０の固定軸６１と可動
軸６２の先端には一対の電極６３が取り付けられ、これ
らは例えばセラミックからなる高真空の絶縁容器６４に
収納されている。絶縁容器６４の上下にはフランジ６５
が銀ロウ付けされ、可動軸６２側には伸縮自在のベロー
ズ６６が取り付けられている。絶縁容器６４の周囲に
は、エポキシ樹脂でモールドしたヒダ付きの絶縁層６７
が取り付けられていて絶縁補強されている。このモール
ドにより、絶縁容器６４の沿面距離は、見かけ上、絶縁
層６７の複数のヒダの山から谷までの沿面距離が加算さ
れて外部絶縁が絶縁補強される。これにより、外部絶縁
で決められていた適用電圧のクラスを格上げすることが
できる。また、長さ方向の縮小化を図ることができる。
ルブを図９に示す。真空バルブ６０の固定軸６１と可動
軸６２の先端には一対の電極６３が取り付けられ、これ
らは例えばセラミックからなる高真空の絶縁容器６４に
収納されている。絶縁容器６４の上下にはフランジ６５
が銀ロウ付けされ、可動軸６２側には伸縮自在のベロー
ズ６６が取り付けられている。絶縁容器６４の周囲に
は、エポキシ樹脂でモールドしたヒダ付きの絶縁層６７
が取り付けられていて絶縁補強されている。このモール
ドにより、絶縁容器６４の沿面距離は、見かけ上、絶縁
層６７の複数のヒダの山から谷までの沿面距離が加算さ
れて外部絶縁が絶縁補強される。これにより、外部絶縁
で決められていた適用電圧のクラスを格上げすることが
できる。また、長さ方向の縮小化を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電源回路を構成するた
めには、真空バルブ６０の上下に他の電気機器と接続さ
せる主回路導体の接続が必要となる。一般に、真空バル
ブ６０のモールドは、電極６３を開閉する可動軸６２が
紙面に対して上下に移動するので、空間部を形成させて
おかなければならず、この部分をモールドすることはで
きない。また、可動軸６２の端部には、図示していない
絶縁操作ロッドの一方が接続される。絶縁操作ロッドの
他方は操作機構に接続され接地電位となる。つまり、可
動部分は、絶縁操作ロッドを含めて気中絶縁で対地間の
絶縁が必要となり、モールドによる縮小効果を十分に適
用することができなかった。さらに、可動部分は気中絶
縁において避けて通れない汚損の影響を受けるので、汚
損特性の安定のため、沿面距離を増大させなければなら
なかった。これにより、真空バルブ６０をモールドして
絶縁容器６４の沿面距離を縮小化しても、特に可動部分
の沿面距離を縮小することが困難であった。これは、最
近の縮小化の流れに逆行するものであった。本発明は、
真空バルブをモールドした可動側で気中絶縁となる対地
間の耐電圧特性を向上させることのできるスイッチギヤ
を提供することを目的とする。
めには、真空バルブ６０の上下に他の電気機器と接続さ
せる主回路導体の接続が必要となる。一般に、真空バル
ブ６０のモールドは、電極６３を開閉する可動軸６２が
紙面に対して上下に移動するので、空間部を形成させて
おかなければならず、この部分をモールドすることはで
きない。また、可動軸６２の端部には、図示していない
絶縁操作ロッドの一方が接続される。絶縁操作ロッドの
他方は操作機構に接続され接地電位となる。つまり、可
動部分は、絶縁操作ロッドを含めて気中絶縁で対地間の
絶縁が必要となり、モールドによる縮小効果を十分に適
用することができなかった。さらに、可動部分は気中絶
縁において避けて通れない汚損の影響を受けるので、汚
損特性の安定のため、沿面距離を増大させなければなら
なかった。これにより、真空バルブ６０をモールドして
絶縁容器６４の沿面距離を縮小化しても、特に可動部分
の沿面距離を縮小することが困難であった。これは、最
近の縮小化の流れに逆行するものであった。本発明は、
真空バルブをモールドした可動側で気中絶縁となる対地
間の耐電圧特性を向上させることのできるスイッチギヤ
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、開閉機器を収納して電気系統を構
成するスイッチギヤにおいて、開閉機器を第１の絶縁層
でモールドして成形し、この開閉機器の可動軸側の気中
絶縁となる第１の絶縁層の沿面に第２の絶縁層を設け
る。これらの構成により、モールドした真空バルブの可
動側で気中絶縁となる対地間の耐電圧特性が向上する。
に本発明においては、開閉機器を収納して電気系統を構
成するスイッチギヤにおいて、開閉機器を第１の絶縁層
でモールドして成形し、この開閉機器の可動軸側の気中
絶縁となる第１の絶縁層の沿面に第２の絶縁層を設け
る。これらの構成により、モールドした真空バルブの可
動側で気中絶縁となる対地間の耐電圧特性が向上する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図１は、本発明の第１
の実施形態に係るスイッチギヤの構成を示す正面図であ
る。図２は、この第１の実施形態におけるモールドした
真空バルブの断面図である。この実施形態においては、
開閉機器として真空遮断器、真空断路器などの真空バル
ブを有する開閉機器を用いて説明する。真空バルブ１
は、絶縁層２でモールドして成形され、真空バルブ１の
可動軸側には、端部を絶縁層２でモールドされた主回路
導体３が配置されている。真空バルブ１の可動軸４には
接触用導体５が接続されている。主回路導体３と接触用
導体５とは、摺動かつ通電可能なマルチバンドなどの接
触子６で接続され、主回路導体３と摺動する接触用導体
５との間の通電が行われる。接触用導体５の周りには真
空バルブ１の図示していない電極間の開閉に伴う１０数
ｍｍの移動距離に合わせた長さのブロック７が設けら
れ、真空バルブ１との間で気密シールされモールドされ
ている。可動軸４は、絶縁ロッド８を介して操作機構９
と接続され、真空バルブ１の図示していない電極間の開
閉が行われる。主回路導体３は、筐体１０の背後に固定
された図示していないケーブルヘッドに接続されてお
り、このケーブルヘッドより受電することができる。真
空バルブ１の固定軸１１にはＴ形母線１２が接続され、
このＴ形母線１２により隣接する盤への接続が行われ
る。なお、絶縁層２の外周には、接地層１３が設けられ
ている。
施形態について詳細に説明する。図１は、本発明の第１
の実施形態に係るスイッチギヤの構成を示す正面図であ
る。図２は、この第１の実施形態におけるモールドした
真空バルブの断面図である。この実施形態においては、
開閉機器として真空遮断器、真空断路器などの真空バル
ブを有する開閉機器を用いて説明する。真空バルブ１
は、絶縁層２でモールドして成形され、真空バルブ１の
可動軸側には、端部を絶縁層２でモールドされた主回路
導体３が配置されている。真空バルブ１の可動軸４には
接触用導体５が接続されている。主回路導体３と接触用
導体５とは、摺動かつ通電可能なマルチバンドなどの接
触子６で接続され、主回路導体３と摺動する接触用導体
５との間の通電が行われる。接触用導体５の周りには真
空バルブ１の図示していない電極間の開閉に伴う１０数
ｍｍの移動距離に合わせた長さのブロック７が設けら
れ、真空バルブ１との間で気密シールされモールドされ
ている。可動軸４は、絶縁ロッド８を介して操作機構９
と接続され、真空バルブ１の図示していない電極間の開
閉が行われる。主回路導体３は、筐体１０の背後に固定
された図示していないケーブルヘッドに接続されてお
り、このケーブルヘッドより受電することができる。真
空バルブ１の固定軸１１にはＴ形母線１２が接続され、
このＴ形母線１２により隣接する盤への接続が行われ
る。なお、絶縁層２の外周には、接地層１３が設けられ
ている。
【０００７】可動軸側の気中絶縁となる絶縁層沿面２a
には第２の絶縁層１４が設けられている。図３は、低誘
電率の絶縁材料からなる第２の絶縁層１４を設けたもの
であり、例えば、シリコン系のラバー、グリス、シーラ
ントなどを塗布させたものである。シリコン系の材料
は、比誘電率が約２．６であり、絶縁層２の比誘電率の
約４に比べて小さい。図４は、ヒダを形成させた第２の
絶縁層１４を設けたものであり、比誘電率は絶縁層２の
比誘電率以下であればよい。なお、図３、図４とも絶縁
層２内に可動軸４の移動距離と同程度の長さをもつ電界
緩和シールド１５を埋め込んである。まず、絶縁層沿面
２ａに第２の絶縁層１４を取り付けていないときの絶縁
ロッド８や絶縁層沿面２ａなどの可動部分の電界分布を
図５に示す。１０％電位ずつの等電位線１６で示すよう
に、絶縁層沿面２ａにおいて電界強度が高いことがわか
る。この沿面における電界分布例を図６に示す。横軸は
沿面距離を、縦軸は電界強度を表わしている。横軸は電
界緩和シールド１５の端部と対向する絶縁層沿面２ａの
点Ａを基準としている。つまり、沿面距離０ｍｍは絶縁
層沿面２ａのＡ点であり、接触用導体５の方向（図５で
は上の方向）をプラスとし、絶縁ロッド８の接地側の方
向（図５では上の方向）をマイナスとしている。
には第２の絶縁層１４が設けられている。図３は、低誘
電率の絶縁材料からなる第２の絶縁層１４を設けたもの
であり、例えば、シリコン系のラバー、グリス、シーラ
ントなどを塗布させたものである。シリコン系の材料
は、比誘電率が約２．６であり、絶縁層２の比誘電率の
約４に比べて小さい。図４は、ヒダを形成させた第２の
絶縁層１４を設けたものであり、比誘電率は絶縁層２の
比誘電率以下であればよい。なお、図３、図４とも絶縁
層２内に可動軸４の移動距離と同程度の長さをもつ電界
緩和シールド１５を埋め込んである。まず、絶縁層沿面
２ａに第２の絶縁層１４を取り付けていないときの絶縁
ロッド８や絶縁層沿面２ａなどの可動部分の電界分布を
図５に示す。１０％電位ずつの等電位線１６で示すよう
に、絶縁層沿面２ａにおいて電界強度が高いことがわか
る。この沿面における電界分布例を図６に示す。横軸は
沿面距離を、縦軸は電界強度を表わしている。横軸は電
界緩和シールド１５の端部と対向する絶縁層沿面２ａの
点Ａを基準としている。つまり、沿面距離０ｍｍは絶縁
層沿面２ａのＡ点であり、接触用導体５の方向（図５で
は上の方向）をプラスとし、絶縁ロッド８の接地側の方
向（図５では上の方向）をマイナスとしている。
【０００８】これにより、電界強度は、Ａ点より５ｍｍ
程度接地側に下がった点で最大となり、接触用導体５側
にいくほど急激に低下し、接地側にいくほど緩やかに低
下していることがわかる。ここで、一般に気中絶縁にお
いては、放電のばらつきが約５〜７％の標準偏差をもっ
ており、これに一般的な裕度を考慮すると、最大電界強
度の約８０％以上の電界強度を有する絶縁層沿面が耐電
圧に影響することになる。図５の斜線部分Ｂが最大電界
強度の８０％以上の領域である。この８０％以上の電界
強度を有する領域である斜線部分Ｂに対応する絶縁層沿
面２ａに、シリコン系の第２の絶縁層１４を取り付けた
場合の破壊電圧特性の例を図７に示す。横軸は沿面距離
を表わし、縦軸は破壊電圧を表わしている。特性曲線
（ａ）はシリコン系の第２の絶縁層１３を取り付けてい
ない場合であり、特性曲線（ｂ）はシリコン系の第２の
絶縁層１３を取り付けた場合である。特性曲線（ｃ）は
背後電極のない場合の参考データであり、背後電極があ
る場合の特性曲線（ａ）と大きく異なる破壊電圧特性を
示している。特性曲線（ｂ）は特性曲線（ａ）と比べて
約１０〜２５％破壊電圧特性が向上することがわかる。
つまり、背後電極構成での破壊電圧特性は、沿面距離を
大きくしても距離に比例して破壊電圧を向上することが
できないが、第２の絶縁層１４により大きく破壊電圧特
性を向上させることができる。対向電極構成での特性曲
線（ｃ）においても絶縁層沿面２ａにシリコン系の第２
絶縁層１４を設けることにより、破壊電圧特性を向上さ
せることができる。破壊電圧特性が向上する要因として
は、低誘電率により沿面の進展電界が抑制される、シリ
コン系材料により湿度の影響を受け難くなる、柔らかい
素材により放電時に電子放出された電子がトラップされ
ることなどが考えられる。
程度接地側に下がった点で最大となり、接触用導体５側
にいくほど急激に低下し、接地側にいくほど緩やかに低
下していることがわかる。ここで、一般に気中絶縁にお
いては、放電のばらつきが約５〜７％の標準偏差をもっ
ており、これに一般的な裕度を考慮すると、最大電界強
度の約８０％以上の電界強度を有する絶縁層沿面が耐電
圧に影響することになる。図５の斜線部分Ｂが最大電界
強度の８０％以上の領域である。この８０％以上の電界
強度を有する領域である斜線部分Ｂに対応する絶縁層沿
面２ａに、シリコン系の第２の絶縁層１４を取り付けた
場合の破壊電圧特性の例を図７に示す。横軸は沿面距離
を表わし、縦軸は破壊電圧を表わしている。特性曲線
（ａ）はシリコン系の第２の絶縁層１３を取り付けてい
ない場合であり、特性曲線（ｂ）はシリコン系の第２の
絶縁層１３を取り付けた場合である。特性曲線（ｃ）は
背後電極のない場合の参考データであり、背後電極があ
る場合の特性曲線（ａ）と大きく異なる破壊電圧特性を
示している。特性曲線（ｂ）は特性曲線（ａ）と比べて
約１０〜２５％破壊電圧特性が向上することがわかる。
つまり、背後電極構成での破壊電圧特性は、沿面距離を
大きくしても距離に比例して破壊電圧を向上することが
できないが、第２の絶縁層１４により大きく破壊電圧特
性を向上させることができる。対向電極構成での特性曲
線（ｃ）においても絶縁層沿面２ａにシリコン系の第２
絶縁層１４を設けることにより、破壊電圧特性を向上さ
せることができる。破壊電圧特性が向上する要因として
は、低誘電率により沿面の進展電界が抑制される、シリ
コン系材料により湿度の影響を受け難くなる、柔らかい
素材により放電時に電子放出された電子がトラップされ
ることなどが考えられる。
【０００９】また、シリコン系の第２の絶縁層１４の厚
さは、０．５ｍｍ程度でよく、絶縁層沿面全体に設けて
もよい。なお、シリコン系材料は撥水性があるので汚損
湿潤時に耐電圧が低下するのを抑制する効果も期待でき
る。また、第２の絶縁層１４をヒダを設けた絶縁層とし
ても上記と同様に破壊電圧特性を向上させる効果があ
る。これは、ヒダが一定の間隔を保って並んでおり、比
誘電率の大きい山部と小さい谷部が連続しているので、
絶縁層沿面全体でみると比誘電率が見かけ上小さくなっ
ていることになる。さらに、ヒダによるバリア効果も相
乗される。また、実験によるとヒダの間隔と山の高さが
それぞれ約５ｍｍのときに最も破壊電圧特性が向上し
た。ヒダを設けた第２の絶縁層１４も絶縁層沿面全体に
設けてもよい。また、第２の絶縁層１４を設けるのでは
なく、絶縁層２にヒダを設けるようにしても同様の効果
が得られる。これらのことから、絶縁ロッド８や絶縁層
沿面２ａなどの気中絶縁となる可動部分において、絶縁
層沿面の耐電圧特性を向上させ、可動部分を縮小化する
ことができる。また、電界緩和シールド１５がない場合
は、接触用導体５が接する付近の絶縁層沿面２ａで最大
電界強度となるので、同様にして最大電界強度の約８０
％以上の電界強度を有する絶縁層沿面に第２の絶縁層１
４を設ければ破壊電圧特性を向上させることができ、可
動部分を縮小化することができる。
さは、０．５ｍｍ程度でよく、絶縁層沿面全体に設けて
もよい。なお、シリコン系材料は撥水性があるので汚損
湿潤時に耐電圧が低下するのを抑制する効果も期待でき
る。また、第２の絶縁層１４をヒダを設けた絶縁層とし
ても上記と同様に破壊電圧特性を向上させる効果があ
る。これは、ヒダが一定の間隔を保って並んでおり、比
誘電率の大きい山部と小さい谷部が連続しているので、
絶縁層沿面全体でみると比誘電率が見かけ上小さくなっ
ていることになる。さらに、ヒダによるバリア効果も相
乗される。また、実験によるとヒダの間隔と山の高さが
それぞれ約５ｍｍのときに最も破壊電圧特性が向上し
た。ヒダを設けた第２の絶縁層１４も絶縁層沿面全体に
設けてもよい。また、第２の絶縁層１４を設けるのでは
なく、絶縁層２にヒダを設けるようにしても同様の効果
が得られる。これらのことから、絶縁ロッド８や絶縁層
沿面２ａなどの気中絶縁となる可動部分において、絶縁
層沿面の耐電圧特性を向上させ、可動部分を縮小化する
ことができる。また、電界緩和シールド１５がない場合
は、接触用導体５が接する付近の絶縁層沿面２ａで最大
電界強度となるので、同様にして最大電界強度の約８０
％以上の電界強度を有する絶縁層沿面に第２の絶縁層１
４を設ければ破壊電圧特性を向上させることができ、可
動部分を縮小化することができる。
【００１０】また、乾燥空気中でこれらを用いれば、第
２の絶縁層１４の沿面が湿度の影響を受けないので、更
に安定した破壊電圧特性の向上を図ることができる。ま
た、加圧した空気でも破壊電圧特性を向上させることが
できる。また、窒素ガスやＳＦ６ガス、および空気を含
んだこれらの混合ガスにおいても、これらの絶縁媒体が
単独でもつ絶縁耐力に比べて、第２の絶縁層１４により
同様の効果を得ることができる。
２の絶縁層１４の沿面が湿度の影響を受けないので、更
に安定した破壊電圧特性の向上を図ることができる。ま
た、加圧した空気でも破壊電圧特性を向上させることが
できる。また、窒素ガスやＳＦ６ガス、および空気を含
んだこれらの混合ガスにおいても、これらの絶縁媒体が
単独でもつ絶縁耐力に比べて、第２の絶縁層１４により
同様の効果を得ることができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、真空バルブをモールド
した可動側で気中絶縁となる対地間の耐電圧特性を向上
させ、全体形状を縮小化することができる。
した可動側で気中絶縁となる対地間の耐電圧特性を向上
させ、全体形状を縮小化することができる。
【図１】本発明におけるスイッチギヤの構成を示す正面
図。
図。
【図２】本発明におけるモールドした真空バルブの断面
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明におけるモールドした真空バルブの可動
軸側の拡大図。
軸側の拡大図。
【図４】本発明におけるモールドした真空バルブの可動
軸側の拡大図。
軸側の拡大図。
【図５】本発明におけるモールドした真空バルブの可動
軸側の電界分布を示す図。
軸側の電界分布を示す図。
【図６】本発明における絶縁層沿面の電界分布を示す
図。
図。
【図７】本発明における絶縁層沿面の破壊電圧特性を示
す図。
す図。
【図８】従来のスイッチギヤの構成を示す側面図。
【図９】従来のモールドした真空バルブの断面を示す
図。
図。
１、６０…真空バルブ
２、６７…絶縁層
３…主回路導体
４、６２…可動軸
５…接触用導体
６…接触子
７…ブロック
８…絶縁ロッド
９…操作機構
１０…筐体
１１、６１…固定軸
１２…Ｔ形母線
１３…接地層
１４…第２の絶縁層
１５…電界緩和シールド
５１…容器
５２…隔壁
５３…遮断器
５４（５４Ａ、５４Ｂ）…断路器
５５…母線
５６…支持硝子
５７…ケーブルヘッド
５８…接続導体
５９…絶縁スペーサ
６３…電極
６４…絶縁容器
６５…フランジ
６６…ベローズ
Claims (9)
- 【請求項１】開閉機器を収納して電気系統を構成するス
イッチギヤにおいて、前記開閉機器を第１の絶縁層でモ
ールドして成形し、この開閉機器の可動軸側の気中絶縁
となる第１の絶縁層の沿面に第２の絶縁層を設けること
を特徴とするスイッチギヤ。 - 【請求項２】前記第１の絶縁層内に電界緩和シールドを
設けたことを特徴とする請求項１記載のスイッチギヤ。 - 【請求項３】前記第２の絶縁層の沿面における最大電界
強度の８０％以上の電界強度を有する位置に前記第２の
絶縁層を設けたことを特徴とする請求項１または請求項
２のいずれかに記載のスイッチギヤ。 - 【請求項４】前記第２の絶縁層の比誘電率が前記第１の
絶縁層の比誘電率より小さいことを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のスイッチギヤ。 - 【請求項５】前記第２の絶縁層がシリコン系材料からな
ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載のスイッチギヤ。 - 【請求項６】前記第２の絶縁層がヒダを設けた絶縁層で
あることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか
に記載のスイッチギヤ。 - 【請求項７】前記開閉機器の可動軸側に乾燥空気を封入
したことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか
に記載のスイッチギヤ。 - 【請求項８】前記開閉機器の可動軸側に加圧空気を封入
したことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか
に記載のスイッチギヤ。 - 【請求項９】前記開閉機器の可動軸側に窒素ガス、ＳＦ
６ガスおよび空気の少なくともひとつを含んだ混合ガス
を封入したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のい
ずれかに記載のスイッチギヤ。
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|---|---|---|---|
| JP2001305956A JP2003111225A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | スイッチギヤ |
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|---|---|
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