JP2003109889A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

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JP2003109889A
JP2003109889A JP2001304968A JP2001304968A JP2003109889A JP 2003109889 A JP2003109889 A JP 2003109889A JP 2001304968 A JP2001304968 A JP 2001304968A JP 2001304968 A JP2001304968 A JP 2001304968A JP 2003109889 A JP2003109889 A JP 2003109889A
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JP
Japan
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exposure
substrate
exposure apparatus
manufacturing
correction amount
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001304968A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Takahashi
浩之 高橋
Yukihisa Ekoshi
幸久 江越
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device for improving throughput of the device and improving productivity even in the case that unevenness or the like of board temperature occurs. SOLUTION: Exposure processing is performed without modification concerning a subsequent exposure processing board in the case that a correction amount in each exposure area of these arbitrary continuous exposure processing boards is within an allowable range as compared with an average of the correction amount (step S101). In the case that the correction amount in each exposure area of the three arbitrary continuous exposure processing boards is out of the allowable range as compared with the average of the correction amount, correction measurement of a fourth exposure processing board is performed. A means for recalculating the average of the correction amount in the second to fourth exposure processing boards measured up to that time including the exposure processing board is provided, and a recalculated average is compared with measured values of each exposure area. In the case that the error is within the allowable range, correction measurement of each exposure area is eliminated on the subsequent exposure processing board to perform exposure processing (step S103).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、原版のパターンを
基板に露光することにより、ICやLSI等の半導体チ
ップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等のデバイスを製造する露光装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a device such as a semiconductor chip such as IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine or the like by exposing a substrate with a pattern of an original plate. Is.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、渡晶パネルや半導体等のデバイス
の生産コストの低減に伴い、露光装置においても、その
生産性が益々重要視されてきている。従来の露光装置に
おいては、マスクやレチクル等の原版とウエハ等の基板
の位置合わせのための相対的な補正量測定は、最初の数
枚の基板の各々の露光領域の原版と基板間の相対的な補
正量が、補正量の平均値に対して任意の許容範囲にあっ
た場合、それ以降の基板の補正量測定を省略して、最初
の数枚の補正量測定値の平均値を用いて露光処理してい
た。
2. Description of the Related Art In recent years, as the production cost of devices such as transmissive panels and semiconductors has been reduced, the productivity of exposure apparatuses has become more and more important. In a conventional exposure apparatus, the relative correction amount measurement for aligning an original plate such as a mask or reticle and a substrate such as a wafer is performed by measuring a relative amount between the original plate and the substrate in each exposure area of the first several substrates. If the target correction amount is within the allowable range with respect to the average correction amount, skip the subsequent correction amount measurement of the substrate and use the average value of the first few correction amount measurement values. Exposure process.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
に係る露光装置の場合は、最初の数枚の各露光領域にお
ける補正量の平均値が基板温度のばらつきによりドリフ
トすることがあったり、生産プロセスの中でばらつきが
ある場合、または生産プロセスの中で補正量測定マーク
が無くなってしまったような場合に、最初の数枚以降の
基板も全て補正量測定を行うこととなり、それらの測定
を行う時間分生産性を落とす要因となっていた。
However, in the case of the exposure apparatus according to the conventional example, the average value of the correction amounts in the exposure areas of the first several sheets may drift due to variations in the substrate temperature, or in the production process. If there are variations in the measurement process, or if the correction amount measurement mark disappears in the production process, the correction amount measurement will be performed on all the first and subsequent substrates, and those measurements will be performed. It was a factor that reduced productivity by time.

【0004】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、従来の露光装置において、基板温度のばらつき
や生産プロセスの中でのばらつき等が生じた場合でも、
装置のスループットを向上させ、生産性の向上が可能な
露光装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and in the conventional exposure apparatus, even when variations in substrate temperature or variations in the production process occur,
An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of improving the throughput of the apparatus and improving the productivity.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明の露光装置は、投影光学系を介し
て基板上の複数の露光領域の露光を行うために、基板ス
テージを複数の露光領域の露光位置に順次ステップ移動
させて、原板と前記基板上の露光領域の相対的な位置ズ
レの測定を行う機構と、原版の像が前記基板の露光領域
に対して誤差無く転写するために前記位置ズレの補正を
して露光を行う機構とを備え、基板搬送ロボットを用い
て前記の露光処理が終了した前記基板を前記基板ステー
ジから移行すると共に、次に露光処理を行う基板を前記
基板ステージに移行し載置(移載)する露光装置におい
て、任意の連続する複数枚の前記基板の各々の露光領域
における補正量が該補正量の平均値と比較して許容範囲
内でない場合に、次基板の補正測定を行い、該基板を含
め、それまで測定を行った全部または一部の前記基板に
おける補正量の平均値を再計算する手段を有し、再計算
された平均値と各々の前記露光領域の測定値とを比較し
て、その誤差が許容範囲内であった場合に、それ以降の
前記基板では、各々の露光領域の補正測定を行わない
(省略する)ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the exposure apparatus of the present invention comprises a plurality of substrate stages so as to expose a plurality of exposure areas on a substrate through a projection optical system. Mechanism for measuring the relative positional deviation between the original plate and the exposure area on the substrate by sequentially stepping to the exposure position of the exposure area, and the image of the original is transferred to the exposure area of the substrate without error. A mechanism for performing the exposure by correcting the positional deviation in order to move the substrate that has been subjected to the exposure processing from the substrate stage by using a substrate transfer robot, and a substrate to be subjected to the next exposure processing. In an exposure apparatus that moves to and mounts (transfers) to the substrate stage, if the correction amount in each exposure region of any of the plurality of continuous substrates is not within an allowable range compared with the average value of the correction amount To There is provided means for performing a correction measurement of the substrate and recalculating an average value of the correction amounts of all or a part of the substrates including the substrate, the recalculated average value and each of the above values. It is characterized in that the measured values of the exposure areas are compared with each other, and if the error is within an allowable range, the subsequent substrate is not subjected to correction measurement (omission) for each exposure area.

【0006】本発明においては、任意の連続する複数枚
の基板の各々の露光領域における補正量が該補正量の平
均値と比較して許容範囲内でない場合に、次基板の補正
測定を行い、該基板を含め、最初の基板を除外した任意
の連続する複数枚の基板で補正量の平均値を再計算する
手段を有し、再計算された平均値と比較して許容範囲で
あった場合に、それ以降の基板では、各々の露光領域の
補正測定を行わないことが可能である。また、前記各基
板の露光領域における補正測定対象は、該各基板の倍
率、配列、およびディストーション成分のいずれか1つ
以上であるとよい。さらに、前記露光装置は、前記許容
範囲と任意の連続する前記基板の枚数を任意に変更する
手段をさらに有することが好ましい。
According to the present invention, when the correction amount in each exposure area of a plurality of arbitrary substrates is not within the allowable range compared with the average value of the correction amount, the correction measurement of the next substrate is performed, In the case of having a means for recalculating the average value of the correction amount for any of a plurality of consecutive substrates excluding the first substrate including the substrate, and being within the allowable range compared with the recalculated average value. In addition, it is possible to perform no correction measurement for each exposure area on the subsequent substrates. Further, the correction measurement target in the exposure region of each substrate may be any one or more of the magnification, arrangement, and distortion component of each substrate. Furthermore, it is preferable that the exposure apparatus further includes means for arbitrarily changing the number of the substrates that are continuous with the allowable range.

【0007】本発明の露光装置は、最初の数枚以降にお
いても各々の露光領域の補正量の平均値を判定すること
により、全ての基板の露光処理時間を短くすることが可
能となる。すなわち、本発明の露光装置は、最初の数枚
の基板の補正量が、補正量の平均値に対して許容範囲を
越えた場合でも、それ以降の連続する数枚の基板の各々
の露光領域の補正量が、補正量の平均値に対して許容範
囲に入った場合には、それ以降の基板の露光処理におい
ては、各々の露光領域の補正量測定をせずに、許容範囲
に入つた時の補正量の平均値を用いて補正をし、露光す
ることにより、全ての露光処理時間を最短時間で終了さ
せることが可能となる。
The exposure apparatus of the present invention can shorten the exposure processing time for all the substrates by determining the average value of the correction amount of each exposure area even after the first few wafers. That is, even if the correction amount of the first several substrates exceeds the permissible range with respect to the average value of the correction amount, the exposure apparatus of the present invention is capable of exposing regions of each of several subsequent substrates. If the correction amount of is within the permissible range with respect to the average value of the correction amounts, then in the subsequent exposure processing of the substrate, the correction amount of each exposure area is not measured and the permissible range is entered. It is possible to complete all the exposure processing time in the shortest time by performing the correction by using the average value of the correction amount at the time and performing the exposure.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。 [第1の実施例]図1および図2は、本発明を最も良く
表す図であり、第1の実施例において任意の連続する数
枚の基板の倍率平均値がある許容範囲に入った場合に、
それ以降の基板は倍率測定を省略して露光処理を行う第
1および第2のフローをそれぞれ説明する図である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 and FIG. 2 best represent the present invention. In the first embodiment, when the average magnification of several consecutive substrates falls within a certain allowable range. To
It is a figure explaining the 1st and 2nd flow which carries out exposure processing, omitting magnification measurement for the subsequent substrates, respectively.

【0009】つまり、最初の、例えば3枚の基板の倍率
平均値と各々の基板の露光領域の倍率値の差が、予め露
光装置に接続されたパソコン(図3)に記憶された許容
範囲を越えた場合は、2枚目以降の連続する3枚の基板
の倍率平均値(図6(a))と各々の基板の露光領域の
倍率値の差が、許容範囲(図6(b))と比較して許容
範囲内の場合には、5枚目以降の露光処理では図5にお
いて倍率平均値が許容範囲内ということで、倍率測定を
省略して露光処理を行うことを示している。
That is, the difference between the first magnification average value of, for example, three substrates and the magnification value of the exposure area of each substrate falls within an allowable range stored in advance in a personal computer (FIG. 3) connected to the exposure apparatus. If it exceeds, the difference between the average magnification value of three consecutive substrates after the second (FIG. 6A) and the magnification value of the exposure area of each substrate is within the allowable range (FIG. 6B). In comparison with the above, if the average value is within the allowable range in FIG. 5 in the exposure processing for the fifth and subsequent sheets, it indicates that the exposure processing is performed without measuring the magnification.

【0010】図1では、ステップS101では、最初の
3枚の倍率測定および配列測定を行いながら1〜3枚目
を露光し、4枚目以降は最初の3枚の倍率平均値および
配列平均値を用いて露光する。ステップS102では、
基板1〜3枚目の倍率および配列の平均値を算出する。
1枚目以降の連続する3枚の基板の倍率平均値と各々の
基板の露光領域の倍率値の差が、許容範囲を越えている
ような場合には、ステップS103で2〜4枚目で倍率
測定および配列測定を行い、ステップS104で2〜4
枚目で倍率および配列の平均値を算出する。このことに
より、3枚目以降の連続する3枚の倍率平均値と各々の
基板の露光領域の倍率値の差を再度許容範囲と比較する
こととなる。つまり、順次連続する3枚の基板の倍率平
均値と、各々の基板の露光領域の倍率値の差が許容範囲
内だった場合には、それ以降の基板の倍率測定シーケン
スが省略され倍率平均値に従って露光処理されることに
なり、全ての基板の処理時間が短縮される。
In FIG. 1, in step S101, the first to third sheets are exposed while the magnification measurement and array measurement of the first three sheets are performed, and the fourth and subsequent sheets are the average magnification value and array average value of the first three sheets. To expose. In step S102,
The average value of the magnification and arrangement of the first to third substrates is calculated.
If the difference between the average magnification value of three consecutive substrates after the first and the magnification value of the exposure area of each substrate exceeds the allowable range, the second to fourth substrates are determined in step S103. Magnification measurement and array measurement are performed, and 2 to 4 are performed in step S104.
The average value of the magnification and the sequence is calculated on the first sheet. As a result, the difference between the average magnification value of three consecutive sheets after the third sheet and the magnification value of the exposure area of each substrate is again compared with the allowable range. That is, when the difference between the magnification average value of three consecutive substrates and the magnification value of the exposure area of each substrate is within the allowable range, the subsequent magnification measurement sequence of the substrate is omitted and the magnification average value is The exposure processing is performed according to the above, and the processing time of all the substrates is shortened.

【0011】図2では、ステップS201では、最初の
露光処理用基板3枚の倍率測定および配列測定を行いな
がら1〜3枚目を露光し、4枚目以降は最初の3枚の倍
率平均値および配列平均値を用いて露光する。1枚目以
降の連続する3枚の基板の倍率平均値と各々の基板の露
光領域の倍率値の差が、許容範囲を越えているような場
合には、ステップS203で1〜4枚目の倍率測定およ
び配列測定を行い、ステップS204で1〜4枚目で倍
率および配列の平均値を算出する。このことにより、3
枚目以降を含めた全ての基板における、倍率平均値と各
々の基板の露光領域の倍率値の差を再度許容範囲と比較
することとなる。つまり、それまでに露光した、連続す
る全ての露光済基板の倍率平均値と、各々の基板の露光
領域の倍率値の差が許容範囲内だった場合には、それ以
降の基板の倍率測定シーケンスが省略され倍率平均値に
従って露光処理されることになり、全ての基板の処理時
間が短縮される。さらに、同図においては、前記許容範
囲と任意の連続する基板の枚数を任意に変更する手段を
有することが可能である。
In FIG. 2, in step S201, the first to third substrates are exposed while performing magnification measurement and array measurement of the first three exposure processing substrates, and the fourth and subsequent substrates are average magnification values of the first three substrates. And expose using the sequence mean. If the difference between the average magnification value of three consecutive substrates after the first and the magnification value of the exposure area of each substrate exceeds the allowable range, the first to fourth substrates are determined in step S203. Magnification measurement and array measurement are performed, and the average value of magnification and array is calculated for the first to fourth sheets in step S204. This makes 3
The difference between the average magnification value and the magnification value of the exposure area of each substrate for all the substrates including the first and subsequent substrates is again compared with the allowable range. In other words, if the difference between the average magnification value of all exposed substrates and the magnification value of the exposure area of each substrate is within the allowable range, the subsequent magnification measurement sequence of the substrate is performed. Is omitted and exposure processing is performed according to the average value of magnifications, and the processing time for all substrates is shortened. Further, in the drawing, it is possible to have a means for arbitrarily changing the number of the continuous substrates and the allowable range.

【0012】図3は、本発明の一実施例に係る露光装置
を示す図である。同図において、1はマスク、2は基
板、21は照明光学系、22は観察光学系、23はマス
クステージ、24は本体構造体、25はミラー投影光学
系、26はX方向倍率制御系、28は基板ステージ、2
9はマスクY軸制御レーザ干渉計、30はプレートY軸
制御レーザ干渉計、31はマスクY軸駆動モータ、32
はプレートY軸駆動モータ、34は制御回路、35はパ
ソコン、40は基板搬送ロボットをそれぞれ示す。
FIG. 3 is a diagram showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a mask, 2 is a substrate, 21 is an illumination optical system, 22 is an observation optical system, 23 is a mask stage, 24 is a main body structure, 25 is a mirror projection optical system, 26 is an X-direction magnification control system, 28 is a substrate stage, 2
9 is a mask Y-axis control laser interferometer, 30 is a plate Y-axis control laser interferometer, 31 is a mask Y-axis drive motor, 32
Is a plate Y-axis drive motor, 34 is a control circuit, 35 is a personal computer, and 40 is a substrate transfer robot.

【0013】観察光学系22によって、基板搬送ロボッ
ト40により基板ステージ28上に搬送された基板2
と、マスク・ステージ23上に置かれたマスク1の相対
的な倍率誤差を検出し、検出された倍率誤差を補正する
ために、X方向に関してはX方向倍率制御系26によっ
てマスク上の像を拡大或いは縮小することにより倍率を
補正して露光するとともに、Y方向に関してはマスクス
テージ23と基板ステージ28を相対速度差を発生させ
て倍率補正して露光を行うようにしたものである。
The substrate 2 transferred onto the substrate stage 28 by the substrate transfer robot 40 by the observation optical system 22.
Then, in order to detect the relative magnification error of the mask 1 placed on the mask stage 23 and correct the detected magnification error, the X-direction magnification control system 26 displays the image on the mask in the X direction. The exposure is performed by correcting the magnification by enlarging or reducing the size, and at the same time, in the Y direction, the mask stage 23 and the substrate stage 28 generate a relative speed difference to correct the magnification and perform the exposure.

【0014】図4は、本実施例に係る基板の露光処理シ
ーケンスを示す図であり、倍率測定のシーケンスが含ま
れている。また、下記に示す表1は、図4の各測定値を
記憶するパソコンの記憶装置の画面の一例を示す表であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an exposure processing sequence of the substrate according to the present embodiment, which includes a magnification measurement sequence. Further, Table 1 shown below is a table showing an example of a screen of a storage device of a personal computer which stores each measured value in FIG.

【0015】[0015]

【表1】 [Table 1]

【0016】図4において、開始からステップS401
で基板のステップ移動を行い、ステップS402で露光
領域の倍率測定をそれぞれ行い、ステップS404でス
テップS402、S403でそれぞれ測定した測定値を
元に配列補正/倍率補正をして露光する。そして、ステ
ップS405でステップ終了か否かを判断し、ステップ
終了していなければ(Noの場合)ステップS401
へ、ステップ終了していれば(Yesの場合)そのまま
終了する。つまり、マスクに対して基板の各々の露光領
域の上部と下部がどれだけの倍率を有しているかを測定
するものであり、測定された倍率値はパソコンの記憶装
置に記憶される。
In FIG. 4, step S401 from the start
In step S402, the substrate is moved in steps, and the magnification of the exposure area is measured. In step S404, the alignment / magnification is corrected based on the measurement values measured in steps S402 and S403, and the substrate is exposed. Then, in step S405, it is determined whether or not the step has ended. If the step has not ended (No), step S401
If the step is completed (Yes), the process is ended. That is, it measures how much the upper and lower portions of each exposure area of the substrate have with respect to the mask, and the measured magnification value is stored in the storage device of the personal computer.

【0017】図5は、本発明の一実施例に係る倍率平均
値が許容範囲に入った場合の露光処理シーケンスを示す
ものである。ステップS505では、倍率誤差が許容範
囲内か否かを判断し、範囲内の場合(Yesの場合)は
ステップS507で倍率平均値で補正設定、範囲以外の
場合(Noの場合)はステップS506で当該露光領域
の倍率測定を行う。図5において、図4(a)と異なる
ステップについて説明すると、ステップS502では配
列誤差が許容範囲内か否かを判断し、範囲内の場合(Y
esの場合)はステップS504で配列平均値で補正設
定、範囲以外の場合(Noの場合)はステップS503
で当該露光領域の配列要素の配列測定を行う。つまり、
図4(a)に比較すると倍率測定シーケンスが省略され
ており、露光処理が図3で示したシーケンスより前記省
略分だけ短時間で終了することを示している。
FIG. 5 shows an exposure processing sequence when the average magnification value according to the embodiment of the present invention is within the allowable range. In step S505, it is determined whether or not the magnification error is within the allowable range. If it is within the range (Yes), correction is set by the magnification average value in step S507. If it is outside the range (No), step S506 is performed. The magnification of the exposed area is measured. In FIG. 5, steps different from those in FIG. 4A will be described. In step S502, it is determined whether the array error is within an allowable range, and if it is within the range (Y
If it is es), the correction is made with the array average value in step S504, and if it is outside the range (in the case of No), it is step S503.
The array measurement of array elements in the exposure area is performed. That is,
Compared to FIG. 4A, the magnification measurement sequence is omitted, which shows that the exposure processing is completed in a shorter time than the sequence shown in FIG.

【0018】下記に示す表2は、倍率測定値が許容範囲
内か否かを判断するテーブルであり、(a)は倍率/配
列測定データテーブルであり、(b)は倍率/配列平均
値テーブルであり、(c)は上記の平均値と各露光領域
の倍率値の差の算出テーブルであり、(d)は倍率許容
範囲および配列許容範囲を示すテーブルである。
Table 2 shown below is a table for determining whether or not the magnification measurement value is within the allowable range. (A) is a magnification / array measurement data table, and (b) is a magnification / array average value table. (C) is a calculation table of the difference between the average value and the magnification value of each exposure region, and (d) is a table showing the magnification allowable range and the array allowable range.

【0019】[0019]

【表2】 [Table 2]

【0020】つまり、表2は、連続する複数枚の基板の
各々の露光領域(Step)の倍率測定値の平均値を算
出して、それらが許容範囲内か否かを判断することを示
している。
That is, Table 2 shows that the average value of the magnification measurement values of the exposure regions (Steps) of each of a plurality of consecutive substrates is calculated and it is determined whether or not they are within the allowable range. There is.

【0021】[第2の実施例]上記実施例では、図1〜
図5および表1、2に配列の測定およびその誤差の許容
範囲か否かの判定を行った後、倍率の測定およびその誤
差の許容範囲か否かの判定を行う旨を説明したが、本実
施例では、任意の連続する3枚の基板の各々の露光領域
の配列平均値が許容範囲に入った場合にも、以降の基板
の配列測定が省略される。さらに、本実施例において
は、前記許容範囲と任意の連続する基板の枚数を任意に
変更する手段を有する露光装置として構成することが可
能である。
[Second Embodiment] In the above embodiment, as shown in FIGS.
It is explained in FIG. 5 and Tables 1 and 2 that the array is measured and whether or not the error is within the allowable range is determined, and then the magnification is measured and whether or not the error is within the allowable range. In the embodiment, the subsequent array measurement of the substrate is omitted even when the array average value of the exposure regions of any three consecutive substrates falls within the allowable range. Further, the present embodiment can be configured as an exposure apparatus having a unit for arbitrarily changing the allowable range and the number of continuous substrates.

【0022】[第3の実施例]上記各実施例において
は、倍率および配列測定を示しているが、本実施例で
は、プレートのディストーション(Distortio
n)成分等、その他の補正量においても同様な処理を行
うことが可能である。
[Third Embodiment] In each of the above embodiments, the magnification and the array measurement are shown. In this embodiment, however, the distortion of the plate (Distortio) is shown.
Similar processing can be performed with other correction amounts such as the n) component.

【0023】[半導体生産システムの実施例]次に、上
記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス(I
CやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システムの例
を説明する。これは、半導体製造工場に設置された製造
装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しくはソフ
トウェア提供等の保守サービスを、製造工場外のコンピ
ュータネットワーク等を利用して行うものである。
[Embodiment of Semiconductor Production System] Next, a device such as a semiconductor (I
An example of a production system of a semiconductor chip such as C or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.) will be described. This is to carry out maintenance services such as troubleshooting of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory, periodic maintenance, or software provision using a computer network or the like outside the manufacturing factory.

【0024】図6は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
FIG. 6 shows the whole system cut out from a certain angle. In the figure, 101 is a business office of a vendor (apparatus supplier) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing factory, for example,
Pre-process equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film forming equipment,
Flattening equipment, etc.) and post-process equipment (assembling equipment, inspection equipment, etc.) are assumed. In the business office 101, a host management system 10 that provides a maintenance database for manufacturing equipment is provided.
8, a plurality of operation terminal computers 110, and a local area network (LAN) 109 that connects these to construct an intranet or the like. Host management system 1
08 is provided with a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the office, and a security function for restricting access from the outside.

【0025】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカ(半導体デバイスメーカ)
の製造工場である。製造工場102〜104は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等)であってもよい。各工場102〜104内に
は、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム107とが設
けられている。各工場102〜104に設けられたホス
ト管理システム107は、各工場内のLAN111を工
場の外部ネットワークであるインターネット105に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のLAN111からインターネット105を介してベン
ダ101側のホスト管理システム108にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット105を介して、
各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場102〜104とベンダ101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDN等)を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
On the other hand, 102 to 104 are semiconductor manufacturers (semiconductor device manufacturers) as users of manufacturing equipment.
Manufacturing plant. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different makers or may be factories belonging to the same maker (for example, a pre-process factory, a post-process factory, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 that connects them to construct an intranet, and a host as a monitoring apparatus that monitors the operating status of each manufacturing apparatus 106 are provided. A management system 107 is provided. The host management system 107 provided in each factory 102 to 104 includes a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, the host management system 108 on the vendor 101 side can be accessed from the LAN 111 of each factory via the Internet 105, and only the limited user is permitted to access by the security function of the host management system 108. Specifically, via the Internet 105,
The factory side notifies the vendor side of status information indicating the operating status of each manufacturing apparatus 106 (for example, a symptom of the manufacturing apparatus in which a trouble has occurred), and the response information corresponding to the notification (for example, an instruction for a troubleshooting method is given. Information to
It is possible to receive maintenance information such as countermeasure software and data), the latest software, and help information from the vendor side. A communication protocol (TCP / IP) generally used on the Internet is used for data communication between the factories 102 to 104 and the vendor 101 and data communication on the LAN 111 in each factory. In addition,
Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a leased line network (ISDN or the like) having high security without being accessed by a third party. Further, the host management system is not limited to one provided by a vendor, and a user may construct a database and place it on an external network to permit access from a plurality of factories of the user to the database.

【0026】さて、図7は、本実施例の全体システムを
図6とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお、図7で
は、製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はLAN206で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジ
スト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230等、
ベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
211,221,231を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム205と、各装置のベンダの管理システ
ム211,221,231とは、外部ネットワーク20
0であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット200を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
Now, FIG. 7 is a conceptual diagram showing the entire system of this embodiment cut out from an angle different from that shown in FIG. In the above example, a plurality of user factories each provided with a manufacturing apparatus are connected to a management system of a vendor of the manufacturing apparatus via an external network, and production management of each factory or at least one unit is performed via the external network. Was used for data communication of information on the manufacturing equipment. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors and a management system of each vendor of the plurality of manufacturing equipments are connected by an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is displayed. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturing maker), and a manufacturing apparatus for performing various processes is installed on a manufacturing line of the factory.
The film forming processing device 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 7, a plurality of factories are actually networked in the same manner. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet or the like, and the host management system 205 manages the operation of the manufacturing line. On the other hand, the exposure apparatus manufacturer 210, the resist processing apparatus manufacturer 220, the film deposition apparatus manufacturer 230, etc.
Each business site of the vendor (device supplier) is provided with host management systems 211, 221, 231 for performing remote maintenance of the supplied equipment, respectively, and these are provided with the maintenance database and the gateway of the external network as described above. . The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the vendor management system 211, 221, 231 of each device are the external network 20.
It is connected by the Internet or a leased line network which is 0. In this system, if a trouble occurs in any of the series of manufacturing equipment on the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is suspended, but the vendor of the equipment in trouble receives remote maintenance via the Internet 200. This enables quick response and minimizes production line downtime.

【0027】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種(4
01)、シリアルナンバー(402)、トラブルの件名
(403)、発生日(404)、緊急度(405)、症
状(406)、対処法(407)、経過(408)等の
情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報は
インターネットを介して保守データベースに送信され、
その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信
されディスプレイ上に提示される。また、ウェブブラウ
ザが提供するユーザインタフェースは、さらに図示のご
とくハイパーリンク機能(410,411,412)を
実現し、オペレータは各項目のさらに詳細な情報にアク
セスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリ
から製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェア
を引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガ
イド(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。こ
こで、保守データベースが提供する保守情報には、上記
説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフト
ウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフ
トウェアも提供する。
Each manufacturing apparatus installed in the semiconductor manufacturing factory includes a display, a network interface, and a computer for executing the network access software and the apparatus operating software stored in the storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 8 on the display. The operator who manages the manufacturing equipment at each factory refers to the screen and refers to the model of the manufacturing equipment (4
01), serial number (402), trouble subject (403), occurrence date (404), urgency (405), symptom (406), coping method (407), progress (408), and other information on the screen. Fill in the input fields. The entered information will be sent to the maintenance database via the Internet,
The resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. Further, the user interface provided by the web browser further realizes a hyperlink function (410, 411, 412) as shown in the figure, so that the operator can access more detailed information of each item or from a software library provided by the vendor. It is possible to pull out the latest version of software used for the manufacturing apparatus, or pull out an operation guide (help information) to be used as a reference for the factory operator. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information about the present invention described above, and the software library also provides the latest software for implementing the present invention.

【0028】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ス
テップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、
ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等
の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
Next, a semiconductor device manufacturing process using the above-described production system will be described. Figure 9
1 shows an overall manufacturing process flow of a semiconductor device. In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, which is a process of forming a semiconductor chip using the wafer manufactured in step 4, and an assembly process (dicing,
Assembling process such as bonding) and packaging process (chip encapsulation). In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. A semiconductor device is completed through these processes and shipped (step 7). The front-end process and the back-end process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the remote maintenance system described above. Also, between the front-end factory and the back-end factory,
Information and the like for production management and equipment maintenance are data-communicated via the Internet or a leased line network.

【0029】図10は、上記ウエハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イ
オン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステ
ップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステ
ップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. In step 15 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer.
In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented in advance, and even if troubles occur, quick recovery is possible, and Productivity can be improved.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
倍率測定シーケンスや配列測定シーケンスが省略される
ことが多くなることにより、装置のスループットを向上
させ、生産性の向上が図れる露光装置が得られる。
As described above, according to the present invention,
Since the magnification measurement sequence and the array measurement sequence are often omitted, it is possible to obtain an exposure apparatus that improves the throughput of the apparatus and improves the productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置において、
任意の連続する数枚の基板の倍率平均値がある許容範囲
に入った場合に、それ以降の基板は倍率測定を行わない
で露光処理を行うことを示す第1のフローを説明する図
である。
FIG. 1 shows an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention,
It is a figure explaining the 1st flow which shows an exposure process, without performing magnification measurement for the subsequent substrates, when the magnification average value of arbitrary several continuous substrates enters into a certain permissible range. .

【図2】 本発明の一実施例に係る露光装置において、
任意の連続する数枚の基板の倍率平均値がある許容範囲
に入った場合に、それ以降の基板は倍率測定を行わない
で露光処理を行うことを示す第2のフローを説明する図
である。
FIG. 2 shows an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention,
It is a figure explaining the 2nd flow which shows exposure processing, without performing magnification measurement for the subsequent substrates, when the magnification average value of arbitrary several consecutive substrates is within a certain permissible range. .

【図3】 本発明の一実施例に係る露光装置を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の一実施例に係る露光装置の各基板を
処理する露光処理シーケンスを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an exposure processing sequence for processing each substrate of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の一実施例に係る倍率平均値が許容範
囲に入った場合の露光処理シーケンスを示すものであ
る。
FIG. 5 shows an exposure processing sequence when a magnification average value according to an embodiment of the present invention is within an allowable range.

【図6】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。
FIG. 6 is a conceptual view of a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from an angle.

【図7】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。
FIG. 7 is a conceptual view of a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from another angle.

【図8】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a specific example of a user interface in a semiconductor device production system including an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバ
イスの製造プロセスのフローを説明する図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process by the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウ
エハプロセスを説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a wafer process performed by the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:マスク、2:基板、21:照明光学系、22:観察
光学系、23:マスクステージ、24:本体構造体、2
5:ミラー投影光学系、26:X方向倍率制御系、2
8:基板ステージ、29:マスクY軸制御レーザ干渉
計、30:プレートY軸制御レーザ干渉計、31:マス
クY軸駆動モータ、32:プレートY軸駆動モータ、3
4:制御回路、35:パソコン、40:基板搬送ロボッ
ト。
1: mask, 2: substrate, 21: illumination optical system, 22: observation optical system, 23: mask stage, 24: main body structure, 2
5: mirror projection optical system, 26: X-direction magnification control system, 2
8: Substrate stage, 29: Mask Y-axis control laser interferometer, 30: Plate Y-axis control laser interferometer, 31: Mask Y-axis drive motor, 32: Plate Y-axis drive motor, 3
4: control circuit, 35: personal computer, 40: substrate transfer robot.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 投影光学系を介して基板上の複数の露光
領域の露光を行うために、基板ステージを複数の露光領
域の露光位置に順次ステップ移動させて、原板と前記基
板上の露光領域の相対的な位置ズレの測定を行う機構
と、原版の像が前記基板の露光領域に対して誤差無く転
写するために前記位置ズレの補正をして露光を行う機構
とを備え、基板搬送ロボットを用いて前記の露光処理が
終了した前記基板を前記基板ステージから移行すると共
に、次に露光処理を行う基板を前記基板ステージに移行
し載置する露光装置において、 任意の連続する複数枚の前記基板の各々の露光領域にお
ける補正量が該補正量の平均値と比較して許容範囲内で
ない場合に、次基板の補正測定を行い、該基板を含め、
それまで測定を行った全部または一部の前記基板におけ
る補正量の平均値を再計算する手段を有し、再計算され
た平均値と各々の前記露光領域の測定値とを比較して、
その誤差が許容範囲内であった場合に、それ以降の前記
基板では、各々の露光領域の補正測定を行わないことを
特徴とする露光装置。
1. In order to expose a plurality of exposure areas on a substrate via a projection optical system, a substrate stage is sequentially stepwise moved to exposure positions of the plurality of exposure areas to expose the original plate and the exposure areas on the substrate. And a mechanism for performing the exposure by correcting the positional deviation so that the image of the original plate can be transferred to the exposure area of the substrate without error. In the exposure apparatus that moves the substrate on which the exposure processing has been completed using the substrate from the substrate stage and transfers the substrate to be subjected to the next exposure processing to the substrate stage and mounts it, a plurality of arbitrary continuous sheets When the correction amount in each exposure area of the substrate is not within the allowable range compared with the average value of the correction amount, the correction measurement of the next substrate is performed, and the substrate is included.
Having means for recalculating the average value of the correction amount in all or part of the substrate that has been measured up to then, comparing the recalculated average value with the measured value of each of the exposure areas,
An exposure apparatus, wherein if the error is within a permissible range, correction measurement of each exposure region is not performed on the subsequent substrates.
【請求項2】 前記露光装置は、任意の連続する複数枚
の基板の各々の露光領域における補正量が該補正量の平
均値と比較して許容範囲内でない場合に、次基板の補正
測定を行い、該基板を含め、最初の基板を除外した任意
の連続する複数枚の基板で補正量の平均値を再計算する
手段を有し、再計算された平均値と比較して許容範囲で
あった場合に、それ以降の基板では、各々の露光領域の
補正測定を行わないことを特徴とする請求項1に記載の
露光装置。
2. The exposure apparatus performs a correction measurement of a next substrate when the correction amount in each exposure region of an arbitrary plurality of continuous substrates is not within an allowable range as compared with the average value of the correction amount. It has a means for recalculating the average value of the correction amount for any of a plurality of consecutive boards excluding the first board including the board, and it is within the allowable range compared with the recalculated average value. The exposure apparatus according to claim 1, wherein, in the case of subsequent exposure, correction measurement of each exposure area is not performed on the subsequent substrates.
【請求項3】 前記各基板の露光領域における補正測定
対象は、該各基板の倍率、配列、およびディストーショ
ン成分のいずれか1つ以上であることを特徴とする請求
項1または2に記載の露光装置。
3. The exposure according to claim 1, wherein the correction measurement target in the exposure area of each substrate is one or more of a magnification, an array, and a distortion component of each substrate. apparatus.
【請求項4】 前記露光装置は、前記許容範囲と任意の
連続する前記基板の枚数を任意に変更する手段をさらに
有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に
記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus further includes means for arbitrarily changing the number of the substrates that are continuous with the allowable range. apparatus.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の露
光装置において、ディスプレイと、ネットワークインタ
フェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコ
ンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコン
ピュータネットワークを介してデータ通信することを可
能にした露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a display, a network interface, and a computer that executes network software, and the exposure apparatus maintenance information is stored in a computer network. An exposure apparatus that enables data communication via the.
【請求項6】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、前
記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続
され前記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する保
守データベースにアクセスするためのユーザインタフェ
ースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワ
ークを介して該データベースから情報を得ることを可能
にする請求項5に記載の露光装置。
6. The network software provides a user interface on the display for connecting to an external network of a factory in which the exposure apparatus is installed and accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus. The exposure apparatus according to claim 5, wherein information can be obtained from the database via the external network.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の露
光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造
工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプ
ロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有す
ることを特徴とする半導体デバイス製造方法。
7. A step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 1 in a semiconductor manufacturing factory, and a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. And a step of manufacturing a semiconductor device.
【請求項8】 前記製造装置群をローカルエリアネット
ワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワ
ークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有する請求項7に記載の半
導体デバイス製造方法。
8. A step of connecting the manufacturing device group with a local area network, and data communication of information about at least one of the manufacturing device group between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing factory. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, further comprising:
【請求項9】 前記露光装置のベンダ若しくはユーザが
提供するデータベースに前記外部ネットワークを介して
アクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情
報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ
通信して生産管理を行う請求項8に記載の半導体デバイ
ス製造方法。
9. A semiconductor manufacturing factory, which is different from the semiconductor manufacturing factory, accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 9. The semiconductor device manufacturing method according to claim 8, wherein production management is performed by performing data communication with the external device via the external network.
【請求項10】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造
装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信する
ことを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
10. A manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 1, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and a local area network to outside the factory. A semiconductor manufacturing factory, which has a gateway that enables access to the external network, and enables data communication of information regarding at least one of the manufacturing apparatus groups.
【請求項11】 半導体製造工場に設置された請求項1
〜6のいずれか1項に記載の露光装置の保守方法であっ
て、前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製
造工場の外部ネットワークに接続された保守データベー
スを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外
部ネットワークを介して前記保守データベースへのアク
セスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積さ
れる保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製
造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする露
光装置の保守方法。
11. The method according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing factory is installed.
7. The exposure apparatus maintenance method according to any one of claims 1 to 6, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing factory, and the semiconductor manufacturing factory. A step of permitting access to the maintenance database from the inside via the external network; and a step of transmitting the maintenance information accumulated in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory side via the external network. Maintenance method for exposure equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014206648A (en) * 2013-04-12 2014-10-30 株式会社アドテックエンジニアリング Drawing device, exposure drawing device, program, and drawing method

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