JP2001319858A - Alignment-mark position measuring method, pattern exposure system, semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing plant, and pattern exposure system maintaining method - Google Patents

Alignment-mark position measuring method, pattern exposure system, semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing plant, and pattern exposure system maintaining method

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JP2001319858A
JP2001319858A JP2000136221A JP2000136221A JP2001319858A JP 2001319858 A JP2001319858 A JP 2001319858A JP 2000136221 A JP2000136221 A JP 2000136221A JP 2000136221 A JP2000136221 A JP 2000136221A JP 2001319858 A JP2001319858 A JP 2001319858A
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measurement
alignment
manufacturing
exposure apparatus
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Shinichiro Koga
慎一郎 古賀
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To immediately remove a measurement result or to measure an alternative position when an error measurement occurs or a predetermined measuring accuracy deteriorates. SOLUTION: In an alignment mark position measuring method for sequentially measuring positions of a plurality of alignment marks on an object necessary for aligning the object, every time the positions of one or a predetermined number of alignment marks are measured (step S3), an error measurement or the presence or absence of deterioration of a predetermined measuring accuracy is detected (step S9).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路パターン
を半導体基板上に投影露光する半導体露光装置における
ウエハ、マスク、半導体露光装置の一部(ステージな
ど)等の位置計測に適用でき、ウエハとマスク、マスク
と装置基準位置、装置部品などの相対位置合せのような
精密な位置合せ等に用いるアライメントマーク位置計測
方法、これを利用した露光装置、半導体デバイス製造方
法ならびに半導体製造工場、および半導体製造工場に設
置された前記露光装置の保守方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applicable to position measurement of a wafer, a mask, a part (a stage, etc.) of a semiconductor exposure apparatus for projecting and exposing an electronic circuit pattern onto a semiconductor substrate. Alignment mark position measurement method used for precise alignment and the like such as relative alignment of a mask, a mask and an apparatus reference position, apparatus parts, etc., an exposure apparatus using the same, a semiconductor device manufacturing method, a semiconductor manufacturing plant, and a semiconductor manufacturing method The present invention relates to a method for maintaining the exposure apparatus installed in a factory.

【0002】[0002]

【従来の技術】物体の位置を精密に計測する方法および
装置は、工作機械やロボットなど様々な分野で利用され
ており、さらなる精度向上が求められている。例えば、
半導体露光装置においては、近年DRAMに代表される
半導体の集積度がますます高くなっており、半導体素子
上に形成するパターン寸法はさらに微細なものへと進ん
でいる。このような背景から半導体露光装置において
も、原板であるレチクルと基板であるウエハの位置計測
(位置合せ)は必須の技術であり、さらなる精度向上が
重要な課題となっている。
2. Description of the Related Art Methods and apparatuses for precisely measuring the position of an object are used in various fields such as machine tools and robots, and further improvements in accuracy are required. For example,
2. Description of the Related Art In semiconductor exposure apparatuses, in recent years, the degree of integration of semiconductors typified by DRAMs has become increasingly higher, and the pattern dimensions formed on semiconductor elements have become finer. From such a background, in a semiconductor exposure apparatus, position measurement (alignment) between a reticle serving as an original plate and a wafer serving as a substrate is an indispensable technique, and further improvement in accuracy is an important issue.

【0003】図2は、従来例に係る半導体露光装置を示
す。同図において、Rは原板であるレチクル、Wはレチ
クルRのパターンが露光される基板であるウエハ、1は
レチクルRのパターンを基板W上に投影する投影光学系
である。GはウエハWを位置合せするための位置合せ用
光学系であり、位置合せ用照明手段2、ビームスプリッ
タ3、結像光学系4、および撮像手段5を備える。6は
撮像手段5の出力をディジタル信号に変換するA/D変
換手段、7はA/D変換手段6の出力を積算する積算手
段、8は積算手段7の出力に基づきアライメントマーク
の位置を検出する位置検出手段、9は装置各部を制御す
る制御手段、10はステージ駆動手段、11はステージ
駆動手段10により駆動され、2次元で移動可能なXY
ステージである。
FIG. 2 shows a conventional semiconductor exposure apparatus. In the figure, R is a reticle which is an original plate, W is a wafer which is a substrate on which a pattern of the reticle R is exposed, and 1 is a projection optical system which projects the pattern of the reticle R onto the substrate W. G is a positioning optical system for positioning the wafer W, and includes a positioning illumination unit 2, a beam splitter 3, an imaging optical system 4, and an imaging unit 5. Reference numeral 6 denotes A / D conversion means for converting the output of the imaging means 5 into a digital signal, 7 denotes integration means for integrating the output of the A / D conversion means 6, 8 denotes the position of the alignment mark based on the output of the integration means 7. 9 is a control means for controlling each part of the apparatus, 10 is a stage driving means, 11 is an XY that is driven by the stage driving means 10 and is movable in two dimensions.
The stage.

【0004】なお、図2においては、x方向の位置を検
出する位置合せ用光学系Gのみを示したが、これと同様
な不図示のy方向の位置を検出する位置合せ用光学系も
備えている。また、積算手段7、位置検出手段8、制御
手段9はボードコンピュータや汎用計算機で実現可能で
あり、同一の装置を共用しても構わない。もちろん、各
々を専用の電子回路で実現しても構わない。
Although FIG. 2 shows only the positioning optical system G for detecting the position in the x direction, a similar positioning optical system for detecting the position in the y direction (not shown) is also provided. ing. Further, the integrating means 7, the position detecting means 8, and the control means 9 can be realized by a board computer or a general-purpose computer, and the same device may be shared. Of course, each may be realized by a dedicated electronic circuit.

【0005】この半導体製造用露光装置は、レチクルR
とウエハWの相対的な位置合せをした後、不図示の露光
照明光源から露光光を照射し、レチクルR上に形成して
ある電子回路パターンを、投影光学系1を介してXYス
テージ11上に載置したウエハWに投影露光する。図3
に、ウエハにおける露光領域の一例を示す。図4に、計
測に用いる露光領域の例として露光領域S1〜S6(以
下、計測ショットと呼ぶ)を示す。
[0005] This exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device uses a reticle R
After the relative positioning of the wafer and the wafer W, exposure light is irradiated from an exposure illumination light source (not shown), and the electronic circuit pattern formed on the reticle R is transferred onto the XY stage 11 via the projection optical system 1. Is exposed on the wafer W placed on the wafer. FIG.
FIG. 1 shows an example of an exposure area on a wafer. FIG. 4 shows exposure areas S1 to S6 (hereinafter, referred to as measurement shots) as examples of exposure areas used for measurement.

【0006】図5は、図2の装置において、グローバル
アライメント方式によりレチクルRとウエハWの相対的
な位置合せを行い、露光を行う処理の手順を示すフロー
チャートである。処理を開始すると、まず、ステップS
1において、不図示のウエハ搬送装置により、予め粗く
位置決めされたウエハWをXYステージ11に載置す
る。次に、ステップS2において、制御手段9は図4に
おける1番目の計測ショットS1に形成してあるアライ
メントマークM1xが位置合せ光学系Gの視野範囲内に
位置するように、ステージ駆動装置10を介してXYス
テージ11を駆動する。
FIG. 5 is a flowchart showing a procedure of a process of performing relative exposure between a reticle R and a wafer W by a global alignment method in the apparatus shown in FIG. When the process starts, first, in step S
In 1, a wafer W roughly positioned in advance is placed on an XY stage 11 by a wafer transfer device (not shown). Next, in step S2, the control means 9 controls the position of the alignment mark M1x formed on the first measurement shot S1 in FIG. To drive the XY stage 11.

【0007】次に、ステップS3において、アライメン
トマークM1xの位置を以下の手順で計測する。最初
に、非露光光を照射する位置合せ用照明装置2から照射
した光束により、ビームスプリッタ3、レチクルRおよ
び投影光学系1を介して、アライメントマークM1xを
照明する。アライメントマークM1xは、例えば、図6
に示すように、同一形状の4つの矩形のマーク部分で構
成されている。アライメントマークM1xで反射した光
束は再度、投影光学系1、レチクルRを介してビームス
プリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系4を介
して撮像装置5の撮像面上にアライメントマークM1x
の像WMを形成する。アライメントマークM1xの像を
撮像装置5において光電変換し、A/D変換装置6にお
いて2次元のディジタル信号列に変換する。さらに、こ
のディジタル信号化したアライメントマーク像WMに対
し、積算装置7において図6に示すように処理ウィンド
ウWpを設定し、該ウィンドウ内においてY方向に加算
処理を行うことにより、2次元画像信号を1次元のディ
ジタル信号列S(x)に変換する。このディジタル信号
列S(x)の各アライメントマークに対し、位置検出装
置8において、予め記憶しておいたテンプレートパター
ンを用いてパターンマッチングを行い、最もテンプレー
トパターンとの類似度が高いS(x)の座標位置を制御
手段9に対して出力する。この出力信号は、撮像装置5
の撮像面を基準としたアライメントマーク位置であるた
め、制御手段9は、予め不図示の方法により求めた撮像
装置5とレチクルRとの相対的な位置から、アライメン
トマークM1xのレチクルRに対するずれ量を算出す
る。以上で1番目の計測ショットのx方向の位置ずれ量
を計測したことになる。次に、制御手段9は、1番目の
計測ショットS1のy方向計測用アライメントマークM
1yがy方向用位置合せ光学系の視野範囲に入るよう
に、XYステージ11を駆動する。ここでx方向計測と
同様な手順でy方向の位置ずれ量を計測する。以上で、
計測ショットS1での計測が終了する。
Next, in step S3, the position of the alignment mark M1x is measured in the following procedure. First, the alignment mark M1x is illuminated by the beam emitted from the positioning illumination device 2 that emits non-exposure light via the beam splitter 3, the reticle R, and the projection optical system 1. The alignment mark M1x is, for example, as shown in FIG.
As shown in the figure, the frame is composed of four rectangular mark portions having the same shape. The light beam reflected by the alignment mark M1x again reaches the beam splitter 3 via the projection optical system 1 and the reticle R, is reflected there, and is aligned on the imaging surface of the imaging device 5 via the imaging optical system 4. M1x
Is formed. The image of the alignment mark M1x is photoelectrically converted by the imaging device 5, and is converted into a two-dimensional digital signal sequence by the A / D converter 6. Further, a processing window Wp is set in the integrating device 7 as shown in FIG. 6 with respect to the alignment mark image WM converted into a digital signal, and an addition process is performed in the Y direction in the window. It is converted into a one-dimensional digital signal sequence S (x). For each alignment mark of the digital signal sequence S (x), the position detection device 8 performs pattern matching using a template pattern stored in advance, and S (x) having the highest similarity with the template pattern. Is output to the control means 9. This output signal is output to the imaging device 5
Since the position of the alignment mark is based on the imaging surface of the reticle R, the control unit 9 determines the amount of deviation of the alignment mark M1x from the reticle R from the relative position of the imaging device 5 and the reticle R obtained in advance by a method (not shown). Is calculated. Thus, the displacement amount in the x direction of the first measurement shot has been measured. Next, the control means 9 sets the y-direction measurement alignment mark M of the first measurement shot S1.
The XY stage 11 is driven so that 1y falls within the field of view of the y-direction alignment optical system. Here, the displacement amount in the y direction is measured in the same procedure as in the x direction measurement. Above,
The measurement in the measurement shot S1 ends.

【0008】以下同様にして、ステップS4において予
め定めた計測ショット数の計測を行ったと判定するま
で、ステップS2およびS3を繰り返し、各々の計測シ
ョットでの計測位置ずれ量を計測する。
In the same manner, steps S2 and S3 are repeated until it is determined in step S4 that the predetermined number of measurement shots has been measured, and the measurement positional deviation amount in each measurement shot is measured.

【0009】次に、ステップS5およびS6において、
ステップS3で計測した各計測ショットでの位置ずれ量
から、以下に示す手順でウエハWのレチクルRに対する
相対的な位置合せを行い、露光を行う。すなわち、ステ
ップS5では、各計測ショットでの設計上のアライメン
トマーク位置と、ステップS3で計測した各計測ショッ
トでの位置ずれ量に基づいて統計計算を行うことによ
り、位置合せを行うためのウエハ位置補正量すなわちx
およびy方向の平行ずれ、xおよびy方向の伸び、なら
びにx軸、y軸の回転ずれを算出する。そして、ステッ
プS6では、制御手段9の制御により、ステップS5で
求めたウエハ位置補正量に基づきXYステージ11を駆
動して、ウエハW上に形成する全ショットの露光を行
う。
Next, in steps S5 and S6,
The relative position of the wafer W with respect to the reticle R is adjusted according to the following procedure based on the amount of displacement in each measurement shot measured in step S3, and exposure is performed. That is, in step S5, a statistical calculation is performed based on the design alignment mark position in each measurement shot and the positional deviation amount in each measurement shot measured in step S3, so that the wafer position for performing alignment is determined. Correction amount, ie, x
And the parallel displacement in the y direction, the elongation in the x and y directions, and the rotational displacement in the x and y axes. Then, in step S6, the XY stage 11 is driven based on the wafer position correction amount obtained in step S5 under the control of the control means 9, and all the shots formed on the wafer W are exposed.

【0010】次に、ステップS7において、不図示のウ
エハ搬送装置により、ウエハWをXYステージ11から
排出する。さらに、上記ステップS1〜S7の操作を、
ステップS8において、処理すべきすべてのウエハにつ
いて露光処理が終了したと判断するまで繰り返す。
Next, in step S7, the wafer W is discharged from the XY stage 11 by a wafer transfer device (not shown). Further, the operations in steps S1 to S7 are
In step S8, the process is repeated until it is determined that the exposure process has been completed for all wafers to be processed.

【0011】以上、半導体露光装置およびウエハの位置
合せ方法について述べた。ここではアライメントマーク
位置計測方法の例としてウエハの位置計測について説明
したが、このようなアライメントマーク位置計測方法
は、マスク(またはレチクル)や、半導体露光装置の一
部例えばステージの位置計測にも適用可能であり、マス
ク(またはレチクル)と装置基準位置や装置部品間など
の相対位置合せにも適用することができる。
The semiconductor exposure apparatus and the wafer alignment method have been described above. Here, wafer position measurement has been described as an example of the alignment mark position measurement method. However, such an alignment mark position measurement method is also applicable to position measurement of a mask (or a reticle) or a part of a semiconductor exposure apparatus such as a stage. The present invention is also applicable to a relative alignment between a mask (or a reticle) and an apparatus reference position or between apparatus parts.

【0012】一方、半導体露光装置等で用いるアライメ
ントマークには、半導体製造過程で発生するアライメン
トマークの段差の不均一や、アライメントマーク上にも
塗布するフォトレジストの膜厚不均一等が生じる場合が
あり、これにより、アライメントマークを撮像して得ら
れるマーク波形においても波形形状の変形が生じ、誤計
測や計測精度の劣化が発生することがある。また、同様
の現象がウエハをXYステージ11に載置する前に行う
粗いウエハの位置決めにおいても生じ、上記アライメン
トマーク位置計測の計測範囲外にアライメントマークが
送り込まれて誤計測する場合もある。これに対し、上記
従来例では、ステップS5における統計処理中に誤計測
や計測精度が劣化した計測ショットを検出して統計処理
から除外したり、代りの計測ショットを再度計測したり
して精度の劣化を防いでいる。
On the other hand, an alignment mark used in a semiconductor exposure apparatus or the like may have unevenness in the level of the alignment mark generated in a semiconductor manufacturing process or unevenness in the thickness of a photoresist applied on the alignment mark. In some cases, the shape of the mark waveform obtained by imaging the alignment mark may be deformed, thereby causing erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy. A similar phenomenon also occurs in rough wafer positioning performed before the wafer is placed on the XY stage 11, and the alignment mark may be sent out of the measurement range of the alignment mark position measurement to cause erroneous measurement. On the other hand, in the above-described conventional example, an erroneous measurement or a measurement shot whose measurement accuracy has deteriorated during the statistical processing in step S5 is detected and excluded from the statistical processing, or a substitute measurement shot is measured again to improve the accuracy. Deterioration is prevented.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
よれば、予め定めた計測ショットで計測を行い、統計処
理を行った後でなければ、誤計測や精度劣化の発生が検
出できないため、統計処理からの除外や、代りの計測シ
ョットの再計測等の動作を行うまでに時間がかかる。
However, according to the above-mentioned prior art, erroneous measurement and deterioration of accuracy cannot be detected unless measurement is performed using predetermined measurement shots and statistical processing is performed. It takes time to perform operations such as exclusion from statistical processing and remeasurement of a substitute measurement shot.

【0014】また、近年、生産性の向上を目的として計
測ショットを削減していく傾向にあり、統計処理による
対応だけでは、精度劣化を防ぐ効果にも限界が出て来
た。さらに、CMP等の新しい半導体製造技術の導入が
行われ、アライメントマークの計測という観点からは誤
計測や精度劣化が発生しやすい状況へと進んでいる。
In recent years, there has been a tendency to reduce the number of measurement shots for the purpose of improving productivity, and the effect of preventing the deterioration of accuracy has been limited only by the statistic processing. Furthermore, new semiconductor manufacturing techniques such as CMP have been introduced, and from the viewpoint of alignment mark measurement, erroneous measurement and accuracy deterioration are likely to occur.

【0015】そこで本発明は、アライメントマーク位置
計測方法、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体
製造工場および露光装置の保守方法において、誤計測ま
たは所定の計測精度劣化が生じた場合の計測結果の排除
や代替の位置計測を直ちに行えるようにして、生産性を
向上させることを課題とする。
Accordingly, the present invention provides an alignment mark position measurement method, an exposure apparatus, a semiconductor device manufacturing method, a semiconductor manufacturing factory, and a maintenance method for an exposure apparatus, which eliminates a measurement result when an erroneous measurement or a predetermined measurement accuracy deterioration occurs. Another object of the present invention is to improve productivity by enabling immediate or alternative position measurement.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明の第1のアライメントマーク位置計測方法は、対
象物の位置合せに必要な前記対象物上の複数のアライメ
ントマークの位置を順次計測するアライメントマーク位
置計測方法において、1または所定数のアライメントマ
ークの位置計測毎に、誤計測または所定の計測精度の劣
化の有無を検出することを特徴とする。
In order to solve this problem, a first alignment mark position measuring method according to the present invention is to sequentially measure the positions of a plurality of alignment marks on an object necessary for alignment of the object. The method for measuring the position of an alignment mark to be performed is characterized in that, for each position measurement of one or a predetermined number of alignment marks, the presence or absence of erroneous measurement or deterioration of a predetermined measurement accuracy is detected.

【0017】第2のアライメントマーク位置計測方法
は、第1のアライメントマーク位置計測方法において、
前記アライメントマークの位置計測は前記アライメント
マークを撮像して得られる画像信号に基づいて行い、前
記誤計測または計測精度劣化の有無検出は前記画像信号
に基づいて行うことを特徴とする。
The second alignment mark position measuring method is the same as the first alignment mark position measuring method,
The position measurement of the alignment mark is performed based on an image signal obtained by imaging the alignment mark, and the detection of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is performed based on the image signal.

【0018】第3のアライメントマーク位置計測方法
は、第2のアライメントマーク位置計測方法において、
前記誤計測または計測精度劣化の有無検出は、前記画像
信号における前記アライメントマークのマーク部分と他
の部分のコントラストを比較して行うことを特徴とす
る。
A third alignment mark position measuring method is the same as the second alignment mark position measuring method,
The detection of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is performed by comparing the contrast of a mark portion of the alignment mark with another portion of the image signal.

【0019】第4のアライメントマーク位置計測方法
は、第2または第3のアライメントマーク位置計測方法
において、前記誤計測または計測精度劣化の有無検出
は、前記画像信号における前記アライメントマークの各
マーク部分間の間隔に基づいて行うことを特徴とする。
In a fourth alignment mark position measuring method, in the second or third alignment mark position measuring method, the presence or absence of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is determined by detecting the presence or absence of the mark portion between the mark portions of the alignment mark in the image signal. Is performed on the basis of the interval.

【0020】第5のアライメントマーク位置計測方法
は、第2〜第4のいずれかのアライメントマーク位置計
測方法において、前記誤計測または計測精度劣化の有無
検出は、前記画像信号を所定方向に積算し、1次元化し
て得られる波形における、前記アライメントマークの各
マーク部分に対応する部分の対象度に基づいて行うこと
を特徴とする。
In a fifth alignment mark position measuring method, in any one of the second to fourth alignment mark position measuring methods, the presence or absence of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is determined by integrating the image signals in a predetermined direction. The method is characterized in that it is performed based on the degree of symmetry of a portion corresponding to each mark portion of the alignment mark in a one-dimensionally obtained waveform.

【0021】第6のアライメントマーク位置計測方法
は、第1〜第5のいずれかのアライメントマーク位置計
測方法において、前記対象物はグローバルアライメント
方式により前記位置合せがなされ、露光が行われる被露
光基板であることを特徴とする。
According to a sixth alignment mark position measuring method, in any one of the first to fifth alignment mark position measuring methods, the object is aligned by a global alignment method, and an exposure target substrate is exposed. It is characterized by being.

【0022】第7のアライメントマーク位置計測方法
は、第6のアライメントマーク位置計測方法において、
前記誤計測または所定の計測精度劣化を検出した場合
は、その検出がなされたアライメントマークが付随する
ショットのアライメントマークについての位置計測の結
果を前記位置合せのために使用しないことを特徴とす
る。
The seventh alignment mark position measuring method is the same as the sixth alignment mark position measuring method,
When the erroneous measurement or the deterioration of the predetermined measurement accuracy is detected, the position measurement result of the alignment mark of the shot accompanied by the detected alignment mark is not used for the alignment.

【0023】そして、第8のアライメントマーク位置計
測方法は、第6または第7のアライメントマーク位置計
測方法において、前記誤計測または所定の計測精度劣化
を検出した場合は、直ちに、その検出がなされたアライ
メントマークが付随するショットの代わりとなるショッ
トのアライメントマークについて位置計測を行うことを
特徴とする。
According to an eighth alignment mark position measuring method, in the sixth or seventh alignment mark position measuring method, when the erroneous measurement or the predetermined measurement accuracy deterioration is detected, the detection is immediately performed. It is characterized in that position measurement is performed on an alignment mark of a shot that substitutes for a shot accompanied by the alignment mark.

【0024】また、本発明の第1の露光装置は、被露光
基板を位置合せして露光するために、前記第1〜第8の
いずれかのアライメントマーク位置計測方法により前記
被露光基板上のアライメントマークの位置を計測する手
段を具備することを特徴とする。
Further, the first exposure apparatus of the present invention employs any one of the first to eighth alignment mark position measuring methods to align and expose a substrate to be exposed. It is characterized by comprising means for measuring the position of the alignment mark.

【0025】第2の露光装置は、第1の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にしたこと
を特徴とする。
The second exposure apparatus is the same as the first exposure apparatus, except that a display, a network interface,
A computer for executing network software, wherein maintenance information of the exposure apparatus can be data-communicated via a computer network.

【0026】そして、第3の露光装置は、第2の露光装
置において、前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記
露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続さ
れ前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する保守
データベースにアクセスするためのユーザインタフェー
スを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワー
クを介して該データベースから情報を得ることを可能に
することを特徴とする。
The third exposure apparatus is the second exposure apparatus, wherein the network software is connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed and is provided by a vendor or a user of the exposure apparatus. A user interface for accessing a database is provided on the display, and information can be obtained from the database via the external network.

【0027】また、本発明の半導体デバイス製造方法
は、前記第1の露光装置を含む各種プロセス用の製造装
置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群
を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造
する工程とを有することを特徴とする。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a manufacturing apparatus group for various processes including the first exposure apparatus is installed in a semiconductor manufacturing factory, and a plurality of processes are performed by using the manufacturing apparatus group. And a step of manufacturing a semiconductor device.

【0028】第2の半導体デバイス製造方法は、第1の
半導体デバイス製造方法において、前記製造装置群をロ
ーカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロー
カルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部
ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも1
台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有す
る。
According to a second method of manufacturing a semiconductor device, in the first method of manufacturing a semiconductor device, a step of connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network, and a step of connecting the local area network to an external network outside the semiconductor manufacturing plant. At least one of the manufacturing equipment
Data communication of information about the platform.

【0029】第3の半導体デバイス製造方法は、第2の
半導体デバイス製造方法において、前記露光装置のベン
ダもしくはユーザが提供するデータベースに前記外部ネ
ットワークを介してアクセスしてデータ通信によって前
記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造
工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワ
ークを介してデータ通信して生産管理を行うことを特徴
とする。
According to a third semiconductor device manufacturing method, in the second semiconductor device manufacturing method, a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus is accessed via the external network to maintain the manufacturing apparatus by data communication. The method is characterized in that information is obtained or data is communicated between the semiconductor manufacturing factory and another semiconductor manufacturing factory via the external network to perform production management.

【0030】また、本発明の半導体製造工場は、前記第
1の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該
製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、
該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネット
ワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記
製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信
することを可能にしたものである。
Further, the semiconductor manufacturing plant of the present invention comprises a group of manufacturing apparatuses for various processes including the first exposure apparatus, a local area network connecting the group of manufacturing apparatuses,
It has a gateway that enables access from the local area network to an external network outside the factory, and enables data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.

【0031】また、本発明の露光装置の保守方法は、半
導体製造工場に設置された前記第1の露光装置の保守方
法であって、前記露光装置のベンダもしくはユーザが、
半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
ヘのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
とする。
The maintenance method for an exposure apparatus according to the present invention is the maintenance method for the first exposure apparatus installed in a semiconductor manufacturing plant, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus
Providing a maintenance database connected to an external network of a semiconductor manufacturing plant, allowing access to the maintenance database from within the semiconductor manufacturing plant via the external network, and maintenance stored in the maintenance database Transmitting information to the semiconductor manufacturing factory via the external network.

【0032】これら本発明の構成においては、1または
所定数のアライメントマークの位置を計測する毎に、誤
計測または所定の計測精度劣化の有無検出を行うように
している。これによれば、位置合せに必要なすべてのア
ライメントマークについて位置計測を行ってから誤計測
または計測精度劣化の有無検出を行った後で計測結果の
排除や代替のアライメントマークについての位置計測を
行っていた従来の技術に比べ、誤計測または計測精度劣
化が生じた場合の計測結果の排除や代替のアライメント
マークについての位置計測が直ちに行われ、位置合せが
迅速に行われることになる。したがって、本発明が適用
される露光装置等の生産性が向上することになる。
In the configuration of the present invention, every time the position of one or a predetermined number of alignment marks is measured, the presence or absence of an erroneous measurement or a predetermined deterioration in measurement accuracy is detected. According to this, after measuring the position of all the alignment marks necessary for alignment, and then detecting whether there is any erroneous measurement or deterioration of the measurement accuracy, the measurement result is excluded or the position of the alternative alignment mark is measured. Compared with the related art, the elimination of the measurement result and the position measurement of the alternative alignment mark in the case of erroneous measurement or deterioration of the measurement accuracy are immediately performed, and the alignment is performed quickly. Therefore, the productivity of the exposure apparatus to which the present invention is applied is improved.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい一実施形態で
は、次に示すような3つの検出方法1〜3で各アライメ
ントマークの位置計測時に、誤計測または計測精度劣化
を検出する。これにより、すべての位置計測結果に基づ
く統計計算を行う前に、誤計測または計測精度劣化が発
生した計測ショットを統計計算から削除したり、代りに
なる計測ショットを計測したりすることが可能となり、
誤計測や計測精度劣化による生産性の低下を少なくする
ことができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the present invention, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected when measuring the position of each alignment mark by the following three detection methods 1 to 3. As a result, before performing statistical calculations based on all position measurement results, it is possible to delete measurement shots that have caused erroneous measurement or measurement accuracy deterioration from statistical calculations, or to measure alternative measurement shots ,
It is possible to reduce a decrease in productivity due to erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy.

【0034】(検出方法1)図2と同様の構成におい
て、検出したマーク部分とマークが無い部分の波形のコ
ントラストを比較して、誤計測または計測精度劣化を検
出する。すなわち、上述したように、XYステージ11
にウエハを載置する前に行う粗いウエハの位置決めにお
いて誤差が生じた場合、アライメントマーク位置計測の
計測範囲外にアライメントマークが送り込まれて、図7
に示すような誤計測がなされる。同図(a)は正常に計
測した場合、(b)は誤計測した場合の積算装置7で得
られる信号列S(x)の波形を示しており、各波線71
はアライメントマークを構成する各マーク部分の計測位
置を示している。また、図8のように、マーク部分の波
形のコントラストが極端に低いアライメントマークで
は、アライメントマークの下地の影響を多く受け、計測
精度が劣化する可能性がある。これに対し、本検出方法
では、図9に示すように、各マーク部分とマークが無い
部分のコントラストを比較して、誤計測または計測精度
劣化を検出する。例えば、マーク部分のコントラストの
最小値が、マークが無い部分のコントラストの最大値よ
りも小さい場合を誤計測または計測精度劣化として検出
する。
(Detection Method 1) In a configuration similar to that shown in FIG. 2, the contrast of the waveform of the detected mark portion is compared with the contrast of the waveform of the portion having no mark to detect erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy. That is, as described above, the XY stage 11
If an error occurs in the positioning of the rough wafer performed before the wafer is placed on the alignment mark, the alignment mark is sent out of the measurement range of the alignment mark position measurement, and FIG.
The erroneous measurement shown in FIG. FIG. 7A shows the waveform of the signal sequence S (x) obtained by the integrating device 7 when the measurement is performed normally, and FIG.
Indicates the measurement position of each mark part constituting the alignment mark. In addition, as shown in FIG. 8, an alignment mark having an extremely low contrast of the waveform of the mark portion is largely affected by the base of the alignment mark, and the measurement accuracy may be deteriorated. On the other hand, in the present detection method, as shown in FIG. 9, the contrast of each mark portion and the contrast of a portion having no mark are compared to detect erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy. For example, a case where the minimum value of the contrast of the mark part is smaller than the maximum value of the contrast of the part without the mark is detected as erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy.

【0035】(検出方法2)計測した各マーク部分の位
置の間隔に基づいて誤計測または計測精度劣化を検出す
る。すなわち、アライメントマークの誤計測または計測
精度劣化が発生すると、図10に示す各マーク部分間の
間隔が設計値と異なると考えられる。このことから、マ
ーク部分間の間隔に基づいて誤計測または計測精度劣化
を検出する。例えば、計測したマーク部分間の間隔と設
計値との差が、予め設定してある閾値より大きい場合を
誤計測または計測精度劣化として検出する。
(Detection method 2) Erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected based on the distance between the positions of the measured mark portions. That is, when erroneous measurement of the alignment mark or deterioration of the measurement accuracy occurs, it is considered that the interval between the mark portions shown in FIG. 10 is different from the design value. From this, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected based on the interval between mark portions. For example, a case where the difference between the measured interval between mark portions and the design value is larger than a preset threshold value is detected as erroneous measurement or measurement accuracy deterioration.

【0036】(判定方法3)マーク部分の波形の非対象
性から計測精度劣化を検出する。すなわち、アライメン
トマークの段差の不均一やアライメントマーク上にも塗
布するフォトレジストの膜厚の不均一等があると、図1
1のように、各マーク部分の波形形状が左右非対称にな
り、計測誤差が生じることが知られている。このことか
ら、マーク部分の波形の対称性を算出し、計測精度劣化
を検出する。
(Determination Method 3) Deterioration of measurement accuracy is detected from the asymmetricity of the waveform of the mark portion. In other words, if there is unevenness in the level of the alignment mark or unevenness in the thickness of the photoresist applied on the alignment mark, the situation shown in FIG.
As shown in FIG. 1, it is known that the waveform shape of each mark portion is left-right asymmetric and measurement errors occur. From this, the symmetry of the waveform of the mark portion is calculated, and the measurement accuracy deterioration is detected.

【0037】これらの検出方法は、いずれかの方法を単
独で用いても、組み合わせて用いても構わない。組み合
せて用いる場合は、精度劣化の許容範囲に応じ、例えば
次のようにして検出することができる。 いずれかの方法で誤計測または計測精度劣化を検出
した場合、誤計測または計測精度劣化とする。 いずれの方法でも誤計測または計測精度劣化を検出
した場合、誤計測または計測精度劣化とする。
Any of these detection methods may be used alone or in combination. When used in combination, it can be detected, for example, as follows according to the allowable range of accuracy deterioration. If erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is detected by any of the methods, it is regarded as erroneous measurement or measurement accuracy deterioration. When erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is detected by any of the methods, erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is determined.

【0038】以上のように、本発明の一実施形態は、半
導体露光装置等において、各アライメントマークの位置
計測時に、計測位置を用いて、1つ以上の方法で誤計測
または計測精度劣化を検出する誤計測検出工程を備える
ことを特徴とする。
As described above, in one embodiment of the present invention, in a semiconductor exposure apparatus or the like, when measuring the position of each alignment mark, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected by one or more methods using the measurement position. And an erroneous measurement detecting step.

【0039】[0039]

【実施例】[実施例1]図1は本発明を図2の半導体製
造用露光装置に適用した場合の第1の実施例に係る位置
合せおよび露光の処理手順を示すフローチャートであ
る。この例では、計測したマーク部分とマークが無い部
分のコントラストを比較して、誤計測または計測精度劣
化を検出する。図1のステップS1〜S8の処理につい
ては、図5のステップS1〜S8と同様であるため、説
明を省略する。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a flow chart showing the alignment and exposure processing procedure according to the first embodiment when the present invention is applied to the semiconductor manufacturing exposure apparatus of FIG. In this example, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected by comparing the contrast of the measured mark part with the contrast of the part without the mark. The processing in steps S1 to S8 in FIG. 1 is the same as that in steps S1 to S8 in FIG.

【0040】図1に示すように、ステップS3における
位置計測が終了すると、ステップS9において、図12
に示す方法で、誤計測または計測精度劣化の検出を行
う。すなわち、ステップS101において、図9に示す
マーク部分とマークが無い部分のコントラストを計測す
る。例えば、マーク部分とマークが無い部分のコントラ
ストは、各部分の最大値と最小値の差や各部分の値の分
散値等から算出する。
As shown in FIG. 1, when the position measurement in step S3 is completed, in step S9, FIG.
In this method, erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is detected. That is, in step S101, the contrast between the marked part shown in FIG. 9 and the part without the mark is measured. For example, the contrast between the marked part and the part without the mark is calculated from the difference between the maximum value and the minimum value of each part, the variance of the value of each part, and the like.

【0041】次に、ステップS102において、ステッ
プ101で計測したマーク部分とマークが無い部分のコ
ントラストに基づいて、誤計測または計測精度劣化の判
定を行う。例えば、次の数1〜数4のいずれかの判定式
を満たした場合に誤計測または計測精度劣化と判定す
る。計測精度劣化の許容範囲により、予めいずれかの判
定式を選択して適用する。
Next, in step S102, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is determined based on the contrast between the mark portion and the mark-less portion measured in step 101. For example, when any of the following equations 1 to 4 is satisfied, it is determined that the measurement is erroneous or the measurement accuracy is deteriorated. One of the judgment formulas is selected and applied in advance according to the allowable range of the measurement accuracy deterioration.

【0042】[0042]

【数1】 (Equation 1)

【0043】[0043]

【数2】 (Equation 2)

【0044】[0044]

【数3】 (Equation 3)

【0045】[0045]

【数4】 (Equation 4)

【0046】その後、ステップS10において、ステッ
プS9で誤計測または計測精度劣化を検出したかどうか
を判定する。この結果、誤計測または計測精度劣化を検
出したと判定した場合は、ステップS11でステップS
3の計測結果を統計処理から除外し、代りの計測ショッ
トを再度計測するためにステップ2へ進む。誤計測また
は計測精度劣化を検出しなかったと判定した場合は、通
常通りステップS4へ進む。なお、本実施例の方法は他
の実施例の方法と併用しても構わない。
Thereafter, in step S10, it is determined whether or not erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy has been detected in step S9. As a result, if it is determined that erroneous measurement or measurement accuracy deterioration has been detected, the process proceeds to step S11.
The process proceeds to step 2 in order to exclude the measurement result of No. 3 from the statistical processing and to measure another measurement shot again. If it is determined that erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy has not been detected, the process proceeds to step S4 as usual. Note that the method of this embodiment may be used in combination with the methods of other embodiments.

【0047】[実施例2]第2の実施例として、図2の
半導体製造用露光装置に本発明を適用した場合の別の位
置合せおよび露光の処理手順を示す。この例では、計測
したマーク位置の間隔から誤計測または計測精度劣化を
検出する。
[Embodiment 2] As a second embodiment, another alignment and exposure processing procedure when the present invention is applied to the semiconductor manufacturing exposure apparatus of FIG. 2 will be described. In this example, erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is detected from the interval between the measured mark positions.

【0048】本実施例の処理手順は図1に示す通りであ
るが、ステップS9の処理のみが実施例1の場合と異な
る。ステップS9では、図13に示す方法で、誤計測ま
たは計測精度劣化の検出を行う。すなわち、まず、ステ
ップS201において、ステップS3で計測したマーク
部分の位置の間隔を算出する。例えば、4本のマーク部
分の位置を計測した場合、左から1本目と2本目の間
隔、左から2本目と3本目の間隔、および、左から
3本目と4本目の間隔を算出する。次に、ステップS2
02において、ステップS201で算出したマーク部分
の間隔に基づき、誤計測または計測精度劣化の判定を行
う。例えば、マーク部分の間隔の設計値と比較し、いず
れかのマーク部分の間隔について設計値との差が予め設
定した閾値以上であれば誤計測または計測精度劣化と判
定する。なお、本実施例の方法は他の実施例の方法と併
用しても構わない。
Although the processing procedure of this embodiment is as shown in FIG. 1, only the processing of step S9 is different from that of the first embodiment. In step S9, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected by the method shown in FIG. That is, first, in step S201, the interval between the positions of the mark portions measured in step S3 is calculated. For example, when the positions of four mark portions are measured, the interval between the first and second lines from the left, the interval between the second and third lines from the left, and the interval between the third and fourth lines from the left are calculated. Next, step S2
In 02, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is determined based on the interval between the mark portions calculated in step S201. For example, a comparison is made with a design value of the interval between the mark portions, and if the difference between the design value and the interval between any of the mark portions is equal to or greater than a preset threshold value, it is determined that an erroneous measurement or a deterioration in measurement accuracy has occurred. Note that the method of this embodiment may be used in combination with the methods of other embodiments.

【0049】[実施例3]第3の実施例として、図2の
半導体製造用露光装置に本発明を適用した場合のさらに
別の位置合せおよび露光の処理手順を示す。この例で
は、マーク波形の対称度から誤計測または計測精度劣化
を検出する。
[Embodiment 3] As a third embodiment, still another alignment and exposure processing procedure when the present invention is applied to the semiconductor manufacturing exposure apparatus of FIG. 2 will be described. In this example, erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is detected from the symmetry of the mark waveform.

【0050】本実施例の処理手順は図1に示す通りであ
るが、ステップS9の処理のみが実施例1の場合と異な
る。ステップS9では、図14に示す方法で、誤計測ま
たは計測精度劣化の検出を行う。すなわち、まず、ステ
ップS301において、ステップS3で計測したマーク
部分それぞれについて、積算装置7で得られた信号列S
(x)の波形に基づき、マーク部分の波形の対称度を算
出する。例えば、図11に示すように、計測した各マー
ク位置を中心として左右に処理ウィンドウを設定し、次
式により平均値対称度およびコントラスト対称度を算出
する。
Although the processing procedure of this embodiment is as shown in FIG. 1, only the processing of step S9 is different from that of the first embodiment. In step S9, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is detected by the method shown in FIG. That is, first, in step S301, for each of the mark portions measured in step S3, the signal train S
Based on the waveform (x), the degree of symmetry of the waveform of the mark portion is calculated. For example, as shown in FIG. 11, a processing window is set on the left and right around the measured mark position, and the average symmetry and the contrast symmetry are calculated by the following equations.

【0051】[0051]

【数5】 次に、ステップS302において、ステップ301で算
出したマーク波形の対象度から誤計測または計測精度劣
化の判定を行う。例えば、上記平均値対称度およびコン
トラスト対称度を、予め設定した閾値と比較し、いずれ
かの対称度が閾値より小さい場合に誤計測または計測精
度劣化と判定する。なお、本実施例の方法は他の実施例
の方法と併用しても構わない。
(Equation 5) Next, in step S302, erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is determined from the target degree of the mark waveform calculated in step 301. For example, the average symmetry and the contrast symmetry are compared with a preset threshold, and if either symmetry is smaller than the threshold, erroneous measurement or measurement accuracy deterioration is determined. Note that the method of this embodiment may be used in combination with the methods of other embodiments.

【0052】<半導体生産システムの実施例>次に、半
導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パ
ネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
<Example of Semiconductor Production System> Next, an example of a production system for semiconductor devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.) will be described. This includes maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of manufacturing equipment installed in semiconductor manufacturing plants, and software provision.
This is performed using a computer network outside the manufacturing factory.

【0053】図15は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク(LAN)109を備える。ホスト管理システム10
8は、LAN109を事業所の外部ネットワークである
インターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能と
を備える。
FIG. 15 shows the entire system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business establishment of a vendor (apparatus supply maker) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing plant, for example,
Pre-process equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment,
It is assumed that flattening equipment and the like and post-processing equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.) are used. In the business office 101, a host management system 10 for providing a maintenance database of manufacturing equipment
8. It has a plurality of operation terminal computers 110 and a local area network (LAN) 109 connecting these to construct an intranet. Host management system 10
Reference numeral 8 includes a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the business office, and a security function for restricting external access.

【0054】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であってもよいし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であってもよ
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製
造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム107とが設けられている。各工場10
2〜104に設けられたホスト管理システム107は、
各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
を備える。これにより各工場のLAN111からインタ
ーネット105を介してベンダ101側のホスト管理シ
ステム108にアクセスが可能となり、ホスト管理シス
テム108のセキュリティ機能によって限られたユーザ
だけがアクセスが許可となっている。具体的には、イン
ターネット105を介して、各製造装置106の稼動状
況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した
製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する他、
その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対す
る対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデ
ータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守
情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場10
2〜104とベンダ101との間のデータ通信および各
工場内のLAN111でのデータ通信には、インターネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP
/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインターネットを利用する代わりに、第三者か
らのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネッ
トワーク(ISDNなど)を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限ら
ずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上
に置き、ユーザの複数の工場から該データベースヘのア
クセスを許可するようにしてもよい。
On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of semiconductor manufacturers as users of the manufacturing apparatus. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet, and a host management unit as a monitoring apparatus for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106. A system 107 is provided. Each factory 10
The host management systems 107 provided in 2 to 104 are:
It has a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, access from the LAN 111 of each factory to the host management system 108 on the vendor 101 side via the Internet 105 is possible, and only users limited by the security function of the host management system 108 are permitted to access. More specifically, the factory notifies the vendor of status information (for example, symptoms of the manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) indicating the operating status of each manufacturing apparatus 106 via the Internet 105.
Response information corresponding to the notification (for example, information instructing a coping method for a trouble, software and data for coping), and maintenance information such as the latest software and help information can be received from the vendor. Each factory 10
For data communication between the vendors 2 to 104 and the vendor 101 and data communication on the LAN 111 in each factory, a communication protocol (TCP) generally used on the Internet is used.
/ IP) is used. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a dedicated line network (such as ISDN) that cannot be accessed by a third party and has high security. Further, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place it on an external network, and permit access to the database from a plurality of user factories.

【0055】さて、図16は本実施形態の全体システム
を図15とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図16では
製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はLAN206で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ210、レジスト
処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などのベ
ンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム2
11,221,231を備え、これらは上述したように
保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを
備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト
管理システム205と、各装置のベンダの管理システム
211,221,231とは、外部ネットワーク200
であるインターネットもしくは専用線ネットワークによ
って接続されている。このシステムにおいて、製造ライ
ンの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット200を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
FIG. 16 is a conceptual diagram showing the entire system according to the present embodiment cut out from a different angle from FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. The data of the manufacturing apparatus was communicated. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors is connected to a management system of each of the plurality of manufacturing equipments via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing line for performing various processes, for example, an exposure apparatus 202, a resist processing apparatus 203;
A film forming apparatus 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 16, a plurality of factories are actually networked similarly. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, each business establishment of a vendor (apparatus maker) such as an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, and a film forming apparatus maker 230 has a host management system 2 for performing remote maintenance of the supplied equipment.
11, 221 and 231, which comprise a maintenance database and an external network gateway as described above. The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the management systems 211, 221, and 231 of the vendors of each device are connected to the external network
Internet or a dedicated line network. In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment in the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is stopped, but remote maintenance is performed from the vendor of the troubled equipment via the Internet 200. As a result, quick response is possible, and downtime of the production line can be minimized.

【0056】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバなどがある。上記ネットワークアクセス用ソフトウ
ェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば
図17に一例を示すような画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種(401)、シリアルナンバ(402)、トラブルの
件名(403)、発生日(404)、緊急度(40
5)、症状(406)、対処法(407)、経過(40
8)等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインターネットを介して保守データベースに送
信され、その結果の適切な保守情報が保守データベース
から返信されディスプレイ上に提示される。またウェブ
ブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示
のごとくハイパーリンク機能(410〜412)を実現
し、オペレータは各項目のさらに詳細な情報にアクセス
したり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。ここ
で、保守データベースが提供する保守情報には、上記説
明した本発明の特徴に関する情報も含まれ、また前記ソ
フトウェアライブラリは本発明の特徴を実現するための
ソフトウェアも提供する。
Each of the manufacturing apparatuses installed in the semiconductor manufacturing factory includes a display, a network interface, and a computer that executes network access software and apparatus operation software stored in a storage device. Examples of the storage device include a built-in memory, a hard disk, and a network file server. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 17 on a display. The operator who manages the manufacturing equipment in each factory refers to the screen and refers to the manufacturing equipment model (401), serial number (402), trouble subject (403), date of occurrence (404), and urgency (40).
5), symptom (406), coping method (407), course (40)
8) Input information such as in the input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. Further, the user interface provided by the web browser further realizes a hyperlink function (410 to 412) as shown in the figure, so that the operator can access more detailed information of each item or use the software library provided by the vendor for the manufacturing apparatus. The latest version of software to be extracted can be extracted, and an operation guide (help information) can be extracted for reference by a factory operator. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes information on the features of the present invention described above, and the software library also provides software for realizing the features of the present invention.

【0057】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図18は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
Next, a manufacturing process of a semiconductor device using the above-described production system will be described. FIG. 18 shows a flow of the whole semiconductor device manufacturing process.
In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. Step 3
In (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and assembly such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). Process. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Further, information for production management and apparatus maintenance is also communicated between the pre-process factory and the post-process factory via the Internet or a dedicated line network.

【0058】図19は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
FIG. 19 shows a detailed flow of the above wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Productivity can be improved.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、1
または所定数のアライメントマークの位置計測毎に、誤
計測または計測精度劣化の有無を検出するようにしたた
め、誤計測または計測精度劣化が生じた場合の計測結果
の排除や代替のアライメントマークについての位置計測
を直ちに行って、位置合せを迅速に行うことができる。
したがって本発明を適用した露光装置等の生産性を向上
させることができる。
As described above, according to the present invention, 1
In addition, the presence or absence of erroneous measurement or degradation of measurement accuracy is detected every time the position of a predetermined number of alignment marks is measured. Measurement can be performed immediately, and positioning can be performed quickly.
Therefore, the productivity of the exposure apparatus and the like to which the present invention is applied can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係る位置合せおよび
露光の処理手順を示すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing a registration and exposure processing procedure according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明を適用し得る半導体露光装置の概略図
である。
FIG. 2 is a schematic view of a semiconductor exposure apparatus to which the present invention can be applied.

【図3】 図2の装置におけるウエハの露光領域を示す
図である。
FIG. 3 is a view showing an exposure area of a wafer in the apparatus shown in FIG. 2;

【図4】 図3のウエハにおける計測ショットを示す図
である。
FIG. 4 is a view showing a measurement shot on the wafer of FIG. 3;

【図5】 図2の装置におけるウエハの位置合せ方法の
従来例を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a conventional example of a wafer alignment method in the apparatus of FIG. 2;

【図6】 図3のウエハにおけるアライメントマークの
一例を説明するための図である。
FIG. 6 is a view for explaining an example of an alignment mark on the wafer of FIG. 3;

【図7】 図2の装置における誤検出時のマーク波形を
説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a mark waveform at the time of erroneous detection in the device of FIG. 2;

【図8】 図2の装置における低コントラストのマーク
波形を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a low-contrast mark waveform in the apparatus of FIG. 2;

【図9】 図2の装置におけるマーク波形のコントラス
トを説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining the contrast of a mark waveform in the apparatus of FIG. 2;

【図10】 図2の装置におけるマーク間隔を説明する
ための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining mark intervals in the apparatus of FIG. 2;

【図11】 図2の装置におけるマーク波形の対称度を
説明するための図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining the degree of symmetry of a mark waveform in the apparatus of FIG. 2;

【図12】 図1のフローチャートにおけるステップS
9の処理を示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing step S in the flowchart of FIG. 1;
9 is a flowchart showing the process of No. 9.

【図13】 本発明の第2の実施例に係るアライメント
マーク位置計測方法を示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart illustrating an alignment mark position measuring method according to a second embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の第3の実施例に係るアライメント
マーク位置計測方法を示すフローチャートである。
FIG. 14 is a flowchart illustrating an alignment mark position measuring method according to a third embodiment of the present invention.

【図15】 半導体デバイスの生産システムをある角度
から見た概念図である。
FIG. 15 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from a certain angle.

【図16】 半導体デバイスの生産システムを別の角度
から見た概念図である。
FIG. 16 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from another angle.

【図17】 ユーザインタフェースの具体例を示す図で
ある。
FIG. 17 is a diagram illustrating a specific example of a user interface.

【図18】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process.

【図19】 ウエハプロセスを説明する図である。FIG. 19 is a diagram illustrating a wafer process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:投影光学系、2:位置合せ用照明手段、3:ビーム
スプリッタ、4:結像光学系、5:撮像手段、6:A/
D変換手段、7:積算手段、8:位置計測手段、9:制
御手段、10:ステージ駆動手段、11:XYステー
ジ、101:事業所、102〜104:製造工場、10
5:インターネット、106:製造装置、107:ホス
ト管理システム、108:ホスト管理システム、10
9:ローカルエリアネットワーク、110:操作端末コ
ンピュータ、111:ローカルエリアネットワーク、2
00:外部ネットワーク、201:製造工場、202:
露光装置、203:レジスト処理装置、204:成膜処
理装置、205:ホスト管理システム、206:LA
N、210:露光装置メーカ、211,221,23
1:ホスト管理システム、220:レジスト処理装置メ
ーカ、230:成膜装置メーカ、G:位置合せ用光学
系、M1x〜M6x:x方向計測用アライメントマー
ク、M1y〜M6y:y方向計測用アライメントマー
ク、R:レチクル、S(x):マーク波形、S1〜S
6:計測ショット、W:ウエハ、WM:アライメントマ
ーク、Wp:処理ウィンドウ。
1: Projection optical system, 2: Alignment illumination means, 3: Beam splitter, 4: Imaging optical system, 5: Imaging means, 6: A /
D conversion means, 7: integration means, 8: position measurement means, 9: control means, 10: stage driving means, 11: XY stage, 101: business office, 102 to 104: manufacturing plant, 10
5: Internet, 106: manufacturing equipment, 107: host management system, 108: host management system, 10
9: local area network, 110: operation terminal computer, 111: local area network, 2
00: external network, 201: manufacturing factory, 202:
Exposure apparatus, 203: resist processing apparatus, 204: film formation processing apparatus, 205: host management system, 206: LA
N, 210: exposure apparatus maker, 211, 21 and 23
1: Host management system, 220: Resist processing apparatus maker, 230: Film forming apparatus maker, G: Alignment optical system, M1x to M6x: x-direction measurement alignment marks, M1y to M6y: y-direction measurement alignment marks, R: reticle, S (x): mark waveform, S1 to S
6: measurement shot, W: wafer, WM: alignment mark, Wp: processing window.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA07 BB02 BB03 BB28 CC20 DD03 FF42 GG01 HH13 JJ03 JJ09 JJ26 LL46 PP12 QQ03 QQ29 QQ36 QQ42 5F046 BA03 DA29 DB05 DB10 DD02 EB01 FC03 FC04 FC06 5H303 AA06 BB02 BB07 CC10 DD01 FF13 GG14 HH02 HH09  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA03 AA07 BB02 BB03 BB28 CC20 DD03 FF42 GG01 HH13 JJ03 JJ09 JJ26 LL46 PP12 QQ03 QQ29 QQ36 QQ42 5F046 BA03 DA29 DB05 DB10 DD02 EB01 FC03 FC07 FC06 5H303 A03 HH02 HH09

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対象物の位置合せに必要な前記対象物上
の複数のアライメントマークの位置を順次計測するアラ
イメントマーク位置計測方法において、1または所定数
のアライメントマークの位置計測毎に、誤計測または所
定の計測精度の劣化の有無を検出することを特徴とする
アライメントマーク位置計測方法。
1. An alignment mark position measuring method for sequentially measuring the positions of a plurality of alignment marks on an object necessary for the alignment of the object, wherein an erroneous measurement is performed every time one or a predetermined number of alignment marks are measured. Alternatively, a method for measuring the position of an alignment mark, comprising detecting whether or not a predetermined measurement accuracy has deteriorated.
【請求項2】 前記アライメントマークの位置計測は前
記アライメントマークを撮像して得られる画像信号に基
づいて行い、前記誤計測または計測精度劣化の有無検出
は前記画像信号に基づいて行うことを特徴とする請求項
1に記載のアライメントマーク位置計測方法。
2. The method according to claim 1, wherein the position measurement of the alignment mark is performed based on an image signal obtained by imaging the alignment mark, and the detection of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is performed based on the image signal. The alignment mark position measuring method according to claim 1.
【請求項3】 前記誤計測または計測精度劣化の有無検
出は、前記画像信号における前記アライメントマークの
マーク部分と他の部分のコントラストを比較して行うこ
とを特徴とする請求項2に記載のアライメントマーク位
置計測方法。
3. The alignment according to claim 2, wherein the detection of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is performed by comparing the contrast of a mark portion of the alignment mark with another portion of the image signal. Mark position measurement method.
【請求項4】 前記誤計測または計測精度劣化の有無検
出は、前記画像信号における前記アライメントマークの
各マーク部分間の間隔に基づいて行うことを特徴とする
請求項2または3に記載のアライメントマーク位置計測
方法。
4. The alignment mark according to claim 2, wherein the detection of the erroneous measurement or the deterioration of the measurement accuracy is performed based on an interval between each mark portion of the alignment mark in the image signal. Position measurement method.
【請求項5】 前記誤計測または計測精度劣化の有無検
出は、前記画像信号を所定方向に積算し、1次元化して
得られる波形における前記アライメントマークの各マー
ク部分に対応する部分の対象度に基づいて行うことを特
徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載のアライメ
ントマーク位置計測方法。
5. The detection of the presence or absence of erroneous measurement or deterioration of measurement accuracy is performed by integrating the image signal in a predetermined direction and converting the one-dimensional waveform into a one-dimensional waveform to determine the degree of symmetry of a portion corresponding to each mark portion of the alignment mark. The alignment mark position measurement method according to claim 2, wherein the alignment mark position measurement is performed based on the information.
【請求項6】 前記対象物はグローバルアライメント方
式により前記位置合せがなされ、露光が行われる被露光
基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1
項に記載のアライメントマーク位置計測方法。
6. The apparatus according to claim 1, wherein the object is a substrate to be exposed, on which the alignment is performed by a global alignment method and exposure is performed.
Alignment mark position measurement method described in section.
【請求項7】 前記誤計測または所定の計測精度劣化を
検出した場合は、その検出がなされたアライメントマー
クが付随するショットのアライメントマークについての
位置計測の結果を前記位置合せのために使用しないこと
を特徴とする請求項6に記載のアライメントマーク位置
計測方法。
7. When the erroneous measurement or the deterioration of the predetermined measurement accuracy is detected, a result of position measurement of an alignment mark of a shot accompanied by the detected alignment mark is not used for the alignment. The alignment mark position measuring method according to claim 6, wherein:
【請求項8】 前記誤計測または所定の計測精度劣化を
検出した場合は、直ちに、その検出がなされたアライメ
ントマークが付随するショットの代わりとなるショット
のアライメントマークについて位置計測を行うことを特
徴とする請求項6または7に記載のアライメントマーク
位置計測方法。
8. When the erroneous measurement or the predetermined measurement accuracy deterioration is detected, position measurement is immediately performed on an alignment mark of a shot that substitutes for a shot accompanied by the detected alignment mark. The alignment mark position measuring method according to claim 6 or 7, wherein the alignment mark position is measured.
【請求項9】 被露光基板を位置合せして露光するため
に、請求項1〜8のいずれかのアライメントマーク位置
計測方法により前記被露光基板上のアライメントマーク
の位置を計測する手段を具備することを特徴とする露光
装置。
9. An alignment mark position measuring method according to any one of claims 1 to 8, further comprising means for measuring a position of an alignment mark on the substrate to be exposed, in order to align and expose the substrate to be exposed. An exposure apparatus comprising:
【請求項10】 請求項9記載の露光装置において、デ
ィスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネット
ワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさら
に有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワー
クを介してデータ通信することを可能にした露光装置。
10. The exposure apparatus according to claim 9, further comprising a display, a network interface, and a computer executing network software, and performing data communication of maintenance information of the exposure apparatus via a computer network. Exposure equipment made possible.
【請求項11】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にする請求項10記載の装置。
11. The network software,
Provided on the display is a user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and from the database via the external network. 11. The device according to claim 10, which makes it possible to obtain information.
【請求項12】 請求項9記載の露光装置を含む各種プ
ロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程
と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導
体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする
半導体デバイス製造方法。
12. A step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus according to claim 9 in a semiconductor manufacturing plant, and a step of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using the group of manufacturing apparatuses. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項13】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項12記載の
方法。
13. A method for connecting said group of manufacturing apparatuses via a local area network, and performing data communication between said local area network and an external network outside said semiconductor manufacturing factory, the information relating to at least one of said group of manufacturing apparatuses. 13. The method of claim 12, further comprising the step of:
【請求項14】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行う請求項13記載の方法。
14. A semiconductor manufacturing factory different from the semiconductor manufacturing factory by accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 14. The method according to claim 13, wherein data is communicated with the device via the external network to control production.
【請求項15】 請求項9記載の露光装置を含む各種プ
ロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロー
カルエリアネットワークと、該ローカルエリアネットワ
ークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能にす
るゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも1
台に関する情報をデータ通信することを可能にした半導
体製造工場。
15. A group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus according to claim 9, a local area network connecting the group of manufacturing apparatuses, and an external network outside the factory can be accessed from the local area network. A gateway, and at least one of the manufacturing equipment groups
A semiconductor manufacturing plant that enables data communication of information about a table.
【請求項16】 半導体製造工場に設置された請求項9
記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベ
ンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネットワ
ークに接続された保守データベースを提供する工程と、
前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介し
て前記保守データベースヘのアクセスを許可する工程
と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記
外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する
工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方法。
16. The semiconductor device according to claim 9, which is installed in a semiconductor manufacturing plant.
An exposure apparatus maintenance method according to the above, wherein a vendor or user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of a semiconductor manufacturing plant,
Allowing access to the maintenance database from the semiconductor manufacturing plant via the external network, and transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing plant via the external network. A method of maintaining an exposure apparatus, comprising:
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