JP2002141276A - Aligner and its method, method for manufacturing thereof, manufacturing plant of semiconductor and maintaining method for the exposure device - Google Patents
Aligner and its method, method for manufacturing thereof, manufacturing plant of semiconductor and maintaining method for the exposure deviceInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、IC、LSI、超
LSI等の半導体回路素子製造用の投影型露光装置およ
び投影露光方法並びにそれを用いたデバイス製造方法、
半導体製造工場および露光装置の保守方法に関し、特に
半導体回路素子(デバイス)の製造分野において、半導
体ウエハ表面にレチクルの回路パターンを繰り返し投影
露光する際の自動ピント調整機能、所謂オートフォーカ
ス機能および、重ねあわせ精度の自動計測機能、所謂ア
ライメント機能を有する半導体露光装置および方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus and a projection exposure method for manufacturing semiconductor circuit elements such as ICs, LSIs and VLSIs, and a device manufacturing method using the same.
The present invention relates to a semiconductor manufacturing factory and a method of maintaining an exposure apparatus, particularly in a field of manufacturing semiconductor circuit elements (devices), an automatic focus adjustment function when repeatedly projecting and exposing a reticle circuit pattern on a semiconductor wafer surface, a so-called auto focus function, and an overlay function The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus and method having an automatic measurement function of alignment accuracy, so-called alignment function.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、露光装置のアライメント計測時に
は、計測条件(計測位置、計測マーク等)の設定は装置
のユーザがレチクル設計時のデータより判断し、手入力
でウエハ露光条件として設定を行っていた。そして、ア
ライメント計測時は、予め設定されたウエハ露光条件に
含まれる計測条件に従い、計測を実施していた。2. Description of the Related Art Conventionally, at the time of alignment measurement of an exposure apparatus, setting of measurement conditions (measurement position, measurement mark, etc.) is judged by a user of the apparatus from data at the time of reticle design, and manually set as wafer exposure conditions. I was At the time of alignment measurement, the measurement is performed according to the measurement conditions included in the preset wafer exposure conditions.
【0003】また、露光装置のオートフォーカス計測
も、計測条件(計測位置、計測視野、計測値の補正方
法、計測実行タイミング、計測マーク等)の設定は、装
置のユーザがレチクル設計時のデータまたは露光条件よ
り判断し、手入力でウエハ露光条件として設定を行って
いた。そして、オートフォーカス計測時は、予め設定さ
れたウエハ露光条件に含まれる計測条件に従い、計測を
実施していた。In the autofocus measurement of the exposure apparatus, setting of measurement conditions (measurement position, measurement field of view, correction method of measurement value, measurement execution timing, measurement mark, etc.) is performed by a user of the apparatus by using data or reticle design data. Judgment was made based on the exposure conditions, and the wafer exposure conditions were set manually. Then, at the time of the autofocus measurement, the measurement is performed according to the measurement condition included in the preset wafer exposure condition.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子、L
SI素子、超LSI素子等のパターンの微細化、高集積
化の要求により、投影露光装置においては高い解像力を
有した結像(投影)光学系が必要とされてきている。そ
して、それに伴って結像光学系の高NA化が進んで、こ
の結果、結像光学系の焦点深度がより浅くなってきてい
る。このため、露光装置には高い計測精度、性能が要求
されている。In recent years, semiconductor devices such as L
Due to the demand for finer patterns and higher integration of SI elements, VLSI elements, and the like, a projection (exposure) exposure apparatus requires an imaging (projection) optical system having high resolution. With this, the NA of the imaging optical system has been increased, and as a result, the depth of focus of the imaging optical system has become smaller. Therefore, the exposure apparatus is required to have high measurement accuracy and performance.
【0005】一方、このような要求を満たすために、機
能追加や精度向上の対応を順次追加していった結果、計
測のための設定項目が増え、設定パターンが複雑化して
しまう場合が生じていた。設定パターンが複雑化した事
に伴い、装置のユーザーがアライメント計測やオートフ
ォーカス計測を実施するために設定しなければならない
項目が増え、結果としてユーザーへの負担となってい
た。On the other hand, in order to satisfy such demands, as a result of sequentially adding functions and improving the accuracy, setting items for measurement increase and a setting pattern may become complicated. Was. As setting patterns have become more complicated, the number of items that the user of the apparatus must set in order to perform alignment measurement and autofocus measurement has increased, resulting in a burden on the user.
【0006】[0006]
【本発明の目的】本発明は、上記従来技術の課題を解決
し、これまで手入力で行っていた計測条件を自動的に設
定することを可能とし、露光装置ユーザーの負担を軽減
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to make it possible to automatically set measurement conditions which have been manually entered so far, thereby reducing the burden on an exposure apparatus user. Aim.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、原板上のパターンを投影光学系を介して
可動のステージ上に載置した感光基板上に投影露光する
露光装置において、原板上のパターンに関するレチクル
情報および感光基板上に既に焼き付けられているパター
ンに関する下地焼き付け情報から選択される少なくとも
1つの情報を参照して投影露光を行う際の計測条件を決
定する計測条件決定手段を有することを特徴とする。According to the present invention, there is provided an exposure apparatus for projecting and exposing a pattern on an original onto a photosensitive substrate mounted on a movable stage via a projection optical system. Measuring condition determining means for determining a measuring condition when performing projection exposure with reference to at least one information selected from reticle information on a pattern on an original plate and underlay printing information on a pattern already printed on a photosensitive substrate. It is characterized by having.
【0008】通常、計測条件決定手段は、感光基板上に
繰り返し露光して複数レイヤを設ける際に、下地焼き付
け情報、レチクル情報およびこの露光処理のために予め
設定されるウエハ露光条件から選択される少なくとも1
つの情報に基づき、オートフォーカス計測および/また
は感光基板のアライメント計測を行う際の計測条件を決
定する。Normally, the measurement condition determining means is selected from base printing information, reticle information, and wafer exposure conditions preset for this exposure processing when providing a plurality of layers by repeatedly exposing the photosensitive substrate. At least one
Based on the two pieces of information, measurement conditions for performing autofocus measurement and / or alignment measurement of the photosensitive substrate are determined.
【0009】下地焼き付け情報は、通常、各レイヤ毎に
表形式で記憶されており、例えば、下地として焼き付け
られている各パターンの形状、位置、大きさ、焼き付け
方向および線幅、並びに下地露光時のアライメント計測
値、露光装置タイプおよび露光サイズ等の情報を含んで
いる。このアライメント計測値は、アライメント計測を
行った時の計測結果を表し、通常、計測したずれ量、お
よび基準オフセットと装置固有オフセットとの差分が含
まれている。Underlay printing information is usually stored in a table format for each layer. For example, the shape, position, size, printing direction and line width of each pattern printed as a background, and the background exposure time And information such as an alignment measurement value, an exposure apparatus type, and an exposure size. The alignment measurement value indicates a measurement result when the alignment measurement is performed, and usually includes a measured shift amount and a difference between the reference offset and the device-specific offset.
【0010】また、下地焼き付け情報は、露光またはア
ライメント計測を実施した露光装置により情報の更新を
可能とすることが望ましい。It is desirable that the underprinting information can be updated by an exposure apparatus that has performed exposure or alignment measurement.
【0011】レチクル情報は、通常、各原板毎に表形式
で記憶されており、原板設計時のパターンの形状、位
置、大きさおよび線幅、並びに原板を特定するための識
別子および焦点位置等の情報を含んでいる。The reticle information is usually stored in the form of a table for each original plate, and includes the shape, position, size, and line width of the pattern at the time of the original plate design, as well as an identifier for identifying the original plate and a focal position. Contains information.
【0012】これらの下地焼き付け情報および/または
レチクル情報は、ネットワーク回線に接続された別の露
光装置やコンピュータ機器との間で情報の送受信を行う
ことにより、複数台の露光装置で1枚のウエハに対して
露光処理を実施する所謂「ミックスアンドマッチ」にも
対応することが可能となる。また、これらの情報を、持
ち運びが可能な記憶媒体に記憶しても、各露光装置間で
情報の共有が可能である。The base printing information and / or reticle information is transmitted / received to / from another exposure apparatus or computer equipment connected to a network line, so that a plurality of exposure apparatuses can process one wafer. It is possible to cope with a so-called “mix and match” in which an exposure process is performed on the image data. Further, even if such information is stored in a portable storage medium, the information can be shared between the exposure apparatuses.
【0013】さらに、本発明の露光装置に、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けても、上
記下地焼き付け情報やレチクル情報等を含む露光装置の
保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通
信することが可能となる。このネットワーク用ソフトウ
ェアは、露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
に接続され露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザイン
タフェースをディスプレイ上に提供することにより、外
部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
ことを可能にする。Further, even if the exposure apparatus of the present invention is provided with a display, a network interface, and a computer for executing network software, the maintenance information of the exposure apparatus including the base printing information and the reticle information can be transferred to a computer network. It is possible to perform data communication via. The network software is connected to an external network of the factory where the exposure apparatus is installed, and provides a user interface on a display for accessing a maintenance database provided by an exposure apparatus vendor or a user. To obtain information from the database.
【0014】また、計測条件決定手段は、通常、アライ
メント計測時においては、感光基板上に設けられる複数
の計測マークからアライメント計測に用いる計測マーク
およびマーク計測位置を決定し、オートフォーカス計測
時においては、オートフォーカス計測に用いる計測マー
ク、計測視野、計測位置、計測実行タイミングおよび計
測値の補正方法を決定する。特に、オートフォーカス計
測時の計測実行タイミングをウエハ露光条件により決定
し、オートフォーカス計測時の計測値の補正方法をウエ
ハ露光条件、計測位置により決定することが望ましい。The measurement condition determination means usually determines a measurement mark and a mark measurement position to be used for alignment measurement from a plurality of measurement marks provided on the photosensitive substrate at the time of alignment measurement, and at the time of autofocus measurement. , A measurement mark used for autofocus measurement, a measurement visual field, a measurement position, a measurement execution timing, and a method of correcting a measurement value are determined. In particular, it is desirable that the measurement execution timing at the time of the autofocus measurement is determined by the wafer exposure condition, and the correction method of the measurement value at the time of the autofocus measurement is determined by the wafer exposure condition and the measurement position.
【0015】また、本発明の露光方法は、上記本発明の
露光装置のような構成を有する装置を用いて、原板上の
パターンを投影光学系を介して可動のステージ上に載置
した感光基板上に投影露光する露光方法であって、原板
上のパターンに関するレチクル情報および感光基板上に
既に焼き付けられているパターンに関する下地焼き付け
情報から選択される少なくとも1つの情報を参照して投
影露光を行う際の条件を決定する計測条件決定工程を有
することを特徴とする。Further, according to the exposure method of the present invention, there is provided a photosensitive substrate in which a pattern on an original plate is mounted on a movable stage via a projection optical system by using an apparatus having a configuration like the above-described exposure apparatus of the present invention. An exposure method for projecting and exposing an image on a substrate, wherein the projection exposure is performed with reference to at least one information selected from reticle information on a pattern on an original plate and base printing information on a pattern already printed on a photosensitive substrate. And a measuring condition determining step of determining the above condition.
【0016】また、本発明は、感光基板上に形成された
測定基準点を検出し、この計測基準点に基づき露光し、
半導体チップを感光基板上の各領域に形成するようにし
た上記本発明の投影露光装置のアライメント計測を実行
するプログラムを記録した記録媒体であって、該プログ
ラムが、アライメント計測時のマーク計測位置を下地焼
き付け情報、レチクル情報およびウエハ露光条件から選
択される少なくとも1つの情報に基づいて決定する第1
ステップ、およびアライメント計測時の計測マークを下
地焼き付け情報、レチクル情報およびウエハ露光条件か
ら選択される少なくとも1つの情報に基づいて決定する
第2ステップ、を含むことを特徴とする。Further, according to the present invention, a measurement reference point formed on a photosensitive substrate is detected, and exposure is performed based on the measurement reference point.
A recording medium which records a program for executing alignment measurement of the projection exposure apparatus of the present invention, wherein the semiconductor chip is formed in each region on a photosensitive substrate, wherein the program determines a mark measurement position at the time of alignment measurement. First determined based on at least one information selected from underlay printing information, reticle information and wafer exposure conditions
And a second step of determining a measurement mark at the time of alignment measurement based on at least one information selected from base printing information, reticle information and wafer exposure conditions.
【0017】また、本発明は、感光基板面の最適焦点位
置を検出し、この最適焦点位置に基づき露光する上記本
発明の投影露光装置のオートフォーカス計測を実行する
プログラムを記録した記録媒体であって、該プログラム
が、オートフォーカス計測時の計測実行タイミングをウ
エハ露光条件により決定する第1ステップ、オートフォ
ーカス計測時のマーク計測位置を下地焼き付け情報、レ
チクル情報、ウエハ露光条件の内、少なくとも1つ以上
の情報により決定する第2ステップ、オートフォーカス
計測時の計測視野を下地焼き付け情報、レチクル情報、
ウエハ露光条件の内、少なくとも1つ以上の情報により
決定する第3ステップ、オートフォーカス計測時の計測
マークを下地焼き付け情報、レチクル情報、ウエハ露光
条件の内、少なくとも1つ以上の情報より決定する第4
ステップ、およびオートフォーカス計測時の計測値の補
正方法を計測位置、ウエハ露光条件により決定する第5
ステップ、を含むことを特徴とする。According to the present invention, there is provided a recording medium storing a program for executing an autofocus measurement of the projection exposure apparatus of the present invention for detecting an optimum focus position on a photosensitive substrate surface and performing exposure based on the optimum focus position. The program determines a measurement execution timing at the time of autofocus measurement according to the wafer exposure condition, and sets the mark measurement position at the time of autofocus measurement to at least one of base printing information, reticle information, and wafer exposure condition. The second step, which is determined based on the above information, sets the measurement visual field at the time of the autofocus measurement to the background printing information, the reticle information,
A third step of determining at least one or more pieces of information among the wafer exposure conditions; and a third step of determining a measurement mark at the time of autofocus measurement from at least one piece of information among underprinting information, reticle information, and wafer exposure conditions. 4
Step and the fifth method of determining the method of correcting the measurement value at the time of autofocus measurement based on the measurement position and the wafer exposure condition.
Step.
【0018】また、本発明のデバイス製造方法は、上記
本発明の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を
半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用い
て複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工
程とを有することを特徴とする。さらに、製造装置群を
ローカルエリアネットワークで接続する工程と、ローカ
ルエリアネットワークと半導体製造工場外の外部ネット
ワークとの間で、製造装置群の少なくとも1台に関する
情報をデータ通信する工程とを有してもよい。また、露
光装置のベンダーもしくはユーザが提供するデータベー
スに外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信
によって製造装置の保守情報を得る、または半導体製造
工場とは別の半導体製造工場との間で外部ネットワーク
を介してデータ通信して生産管理を行うようにしてもよ
い。Further, the device manufacturing method of the present invention includes a step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the above-described exposure apparatus of the present invention in a semiconductor manufacturing factory, and a step of using a plurality of processes by using the group of manufacturing apparatuses. Manufacturing a device. The method further includes a step of connecting the manufacturing apparatus group with a local area network, and a step of performing data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus group between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing factory. Is also good. Also, a database provided by an exposure apparatus vendor or user is accessed via an external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or an external network is connected to a semiconductor manufacturing factory different from a semiconductor manufacturing factory. The production management may be performed by data communication via the PC.
【0019】また、本発明の半導体製造工場は、上記本
発明の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、
該製造装置群を接続するローカルエリアネットワーク
と、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネ
ットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、
製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信
することを可能にしたものである。Further, a semiconductor manufacturing plant of the present invention comprises a group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus of the present invention,
A local area network connecting the group of manufacturing apparatuses, and a gateway that enables the local area network to access an external network outside the factory;
This enables data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
【0020】また、本発明の露光装置の保守方法は、露
光装置のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場
の外部ネットワークに接続された保守データベースを提
供する工程と、半導体製造工場内から外部ネットワーク
を介して保守データベースへのアクセスを許可する工程
と、保守データベースに蓄積される保守情報を外部ネッ
トワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを
有することを特徴とする。Further, according to the exposure apparatus maintenance method of the present invention, the exposure apparatus vendor or the user provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing plant, and a step of providing the maintenance database from within the semiconductor manufacturing plant via the external network. And a step of transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory via an external network.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明に好適な実施形態に
ついて具体的に説明する。本発明の好適な実施形態にお
いては、アライメント計測の計測条件を、 1.アライメント計測の計測マークは、 (イ)下地焼き付け情報のパターン形状、 (ロ)レチクル情報のパターン形状、 (ハ)ウエハ露光条件の露光ショット配置、 (ニ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (ホ)ウエハ露光条件のアライメント計測マーク設定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。 2.アライメント計測のマーク計測位置は、 (イ)下地焼き付け情報のパターン形状、 (ロ)下地焼き付け情報のパターンの位置、 (ハ)レチクル情報のパターン形状、 (ニ)レチクル情報のパターンの位置、 (ホ)ウエハ露光条件の露光ショット配置、 (へ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (ト)ウエハ露光条件のアライメントマーク計測位置設
定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below. In a preferred embodiment of the present invention, measurement conditions for alignment measurement are as follows: The measurement marks for the alignment measurement include (a) the pattern shape of the underlayer printing information, (b) the pattern shape of the reticle information, (c) the arrangement of the exposure shots under the wafer exposure conditions, (d) the exposure shot size under the wafer exposure conditions, and ( E) Automatic determination based on at least one information selected from the alignment measurement mark setting of wafer exposure conditions. 2. The mark measurement positions for the alignment measurement are as follows: (a) the pattern shape of the base printing information, (b) the pattern position of the base printing information, (c) the pattern shape of the reticle information, (d) the pattern position of the reticle information, and (e) It is automatically determined from at least one information selected from: (1) exposure shot arrangement of wafer exposure conditions, (2) exposure shot size of wafer exposure conditions, and (4) alignment mark measurement position setting of wafer exposure conditions.
【0022】また、オートフォーカス計測の計測条件
を、 1.オートフォーカス計測の計測実行タイミングは、 (イ)ウエハ露光条件の処理ウエハ枚数、 (ロ)ウエハ露光条件の露光量、 (ハ)ウエハ露光条件の露光ショット数、および (ニ)ウエハ露光条件の設定値 より選択される少なくとも1つの情報により自動決定す
る。 2.オートフォーカス計測の計測マークは、 (イ)下地焼き付け情報のパターン形状、 (ロ)下地焼き付け情報のパターン線幅、 (ハ)レチクル情報のパターン形状、 (ニ)レチクル情報のパターン線幅、 (ホ)ウエハ露光条件の露光時の照明条件、 (へ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (ト)ウエハ露光条件のオートフォーカス計測マーク設
定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。 3.オートフォーカス計測の計測視野は、 (イ)下地焼き付け情報のパターン形状、 (ロ)下地焼き付け情報のパターン位置、 (ハ)レチクル情報のパターン形状、 (ニ)レチクル情報のパターン位置、 (ホ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (へ)ウエハ露光条件のオートフォーカス計測視野設定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。 4.オートフォーカス計測の計測位置は、 (イ)下地焼き付け情報のパターン形状、 (ロ)下地焼き付け情報のパターン位置、 (ハ)下地焼き付け情報のパターン線幅、 (ニ)レチクル情報のパターン形状、 (ホ)レチクル情報のパターン位置、 (へ)レチクル情報のパターン線幅、 (ト)ウエハ露光条件の露光時の照明条件、 (チ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (リ)ウエハ露光条件のオートフォーカス計測位置設定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。 5.オートフォーカス計測の計測値補正方法は、 (イ)下地焼き付け情報のパターン位置、 (ロ)レチクル情報のパターンの位置、 (ハ)ウエハ露光条件の露光時の照明条件、 (ニ)ウエハ露光条件の露光ショットサイズ、および (ホ)ウエハ露光条件の計測値補正設定 より選択される少なくとも1つの情報より自動決定す
る。事により、計測条件自動決定を実現する。The measurement conditions for the autofocus measurement are as follows: The measurement execution timing of the auto focus measurement is set as follows: (a) the number of processed wafers under the wafer exposure conditions, (b) the exposure amount under the wafer exposure conditions, (c) the number of exposure shots under the wafer exposure conditions, and (d) the setting of the wafer exposure conditions. It is automatically determined by at least one information selected from the values. 2. The measurement marks for the autofocus measurement are as follows: (a) the pattern shape of the base printing information, (b) the pattern line width of the base printing information, (c) the pattern shape of the reticle information, (iv) the pattern line width of the reticle information, This is automatically determined from at least one information selected from the following: exposure conditions of the wafer exposure conditions, exposure shot size of the wafer exposure conditions, and autofocus measurement mark setting of the wafer exposure conditions. 3. The measurement field of view of the autofocus measurement is as follows: (a) the pattern shape of the base printing information, (b) the pattern position of the base printing information, (c) the pattern shape of the reticle information, (d) the pattern position of the reticle information, and (e) the wafer. It is automatically determined from at least one information selected from the exposure shot size of the exposure condition and the setting of the autofocus measurement visual field of the wafer exposure condition. 4. The measurement positions of the autofocus measurement are as follows: (a) the pattern shape of the background printing information, (b) the pattern position of the background printing information, (c) the pattern line width of the background printing information, (d) the pattern shape of the reticle information, and (e) ) Pattern position of reticle information, (f) pattern line width of reticle information, (g) illumination condition at the time of wafer exposure condition, (h) exposure shot size of wafer exposure condition, and (iii) auto of wafer exposure condition Automatically determined from at least one piece of information selected from the focus measurement position setting. 5. The measurement value correction method of the autofocus measurement is as follows: (a) the pattern position of the background printing information, (b) the pattern position of the reticle information, (c) the illumination condition at the time of the wafer exposure condition, and (d) the wafer exposure condition. Automatically determined based on at least one information selected from the exposure shot size and (e) measurement value correction setting of wafer exposure conditions. As a result, automatic determination of measurement conditions is realized.
【0023】また、下地焼き付け情報は、重ね合わせ露
光時に既にウエハ上に焼き付けられているパターンに関
する情報を表し、通常、レイヤ単位で、 ・パターン形状、 ・パターンの大きさ、 ・パターン位置、 ・露光装置タイプ、 ・露光時の方向、 ・レチクル識別子、および ・アライメント計測値 の各情報をもっている。The underlay printing information indicates information on a pattern already printed on the wafer at the time of the overlay exposure, and is usually in units of layers: pattern shape, pattern size, pattern position, exposure It has the following information: device type, exposure direction, reticle identifier, and alignment measurement value.
【0024】本発明の実施形態では、パターン形状とし
て特に下地に焼き付けられている計測用マークに着目
し、その計測目的(プリアライメント用、オートフォー
カス用等)で表している。また、パターンの大きさを、
各計測用マークの大きさ、パターン位置を、ウエハ上で
の絶対座標位置、露光装置タイプを、各レイヤに用いた
露光装置の種類(ステッパー、スキャナ等)として表
し、露光時の方向を、ステッパーで露光した場合には露
光前のステップ方向、スキャナで露光した場合にはスキ
ャン方向として表す。しかし、パターン位置に関して
は、絶対座標位置ではなく、相対座標位置としても良
い。In the embodiment of the present invention, attention is paid to a measurement mark printed on a base as a pattern shape, and the pattern is expressed for the purpose of measurement (for pre-alignment, auto focus, etc.). Also, the size of the pattern
The size and pattern position of each measurement mark are represented by the absolute coordinate position on the wafer, the exposure device type is represented by the type of exposure device (stepper, scanner, etc.) used for each layer, and the direction at the time of exposure is represented by a stepper. When the exposure is performed by the scanner, the step direction before the exposure is expressed, and when the exposure is performed by the scanner, the scan direction is expressed. However, the pattern position may be a relative coordinate position instead of an absolute coordinate position.
【0025】また、レチクル識別子は、下地に焼き付け
られている当該レイヤを露光する際に使用したレチクル
がどのレチクルであるかを識別できれば良く、例えば、
後述するようなレチクル情報に含まれる「識別子」と同
じであっても良い。レチクル情報に含まれる「識別子」
と下地焼き付け情報に含まれる「識別子」を同じ識別子
として扱った場合には、下地焼き付け情報とレチクル情
報を露光装置内で同時に扱う事が可能となる。The reticle identifier only needs to be able to identify which reticle is the reticle used when exposing the layer printed on the base.
It may be the same as the “identifier” included in the reticle information as described later. "Identifier" included in reticle information
When the “identifier” included in the underprinting information and the “identifier” included in the underprinting information are handled as the same identifier, the underprinting information and the reticle information can be handled simultaneously in the exposure apparatus.
【0026】また、アライメント計測値に関しては、露
光装置が複数台有り、複数台の露光装置で1枚のウエハ
に対して露光処理を実施する所謂「ミックスアンドマッ
チ」に対応するために、予めホストコンピュータなどで
複数台の露光装置の装置固有のオフセットを管理し、基
準オフセットを設定し、この基準オフセットから各露光
装置の装置固有のオフセットの差分を取り、アライメン
ト計測値として管理する。さらに、各装置でアライメン
ト計測を実施するときには、装置固有のオフセットに前
記基準オフセットからの差分を加算した位置を原点とし
て計測を実施し、原点からのずれ量をアライメント計測
値として管理する。In addition, regarding the alignment measurement value, in order to cope with a so-called “mix and match” in which a plurality of exposure apparatuses are provided and one wafer is subjected to exposure processing by a plurality of exposure apparatuses, a host apparatus is required. A computer or the like manages device-specific offsets of a plurality of exposure devices, sets a reference offset, obtains a difference between device-specific offsets of each exposure device from the reference offset, and manages the difference as an alignment measurement value. Further, when the alignment measurement is performed in each device, the measurement is performed with the position obtained by adding the difference from the reference offset to the offset unique to the device as the origin, and the deviation amount from the origin is managed as the alignment measurement value.
【0027】図1は、アライメント計測値の中に含まれ
る「基準オフセットからの差分」と「ずれ量」の関係を
示す。図1中では、左側に装置1を、真ん中に基準オフ
セットを、右側に装置2を夫々示す。図1中の装置固有
のオフセットは、装置1および装置2が装置のオフセッ
トとして保持しているオフセット量を表す。FIG. 1 shows the relationship between the “difference from the reference offset” and the “shift amount” included in the alignment measurement value. In FIG. 1, the device 1 is shown on the left, the reference offset is shown in the middle, and the device 2 is shown on the right. The device-specific offset in FIG. 1 indicates the offset amount held by the device 1 and the device 2 as the device offset.
【0028】図1中の基準オフセットからの差分は、基
準オフセットと装置固有のオフセットの差分を表す。図
1中のずれ量は、各装置において、装置固有のオフセッ
トに基準オフセットからの差分を加算した位置を原点と
した場合の、アライメント計測により測定した計測値を
表す。これにより、アライメント計測値中のずれ量は複
数装置間で共通に使用する事が可能となる。基準オフセ
ットに関しては、前述のようにホストコンピュータが管
理しても良いし、露光装置が管理しても良い。露光装置
が基準オフセットを管理する場合には、下地焼き付け情
報で基準オフセットからの差分を管理する必要はない。The difference from the reference offset in FIG. 1 indicates the difference between the reference offset and the offset unique to the apparatus. The deviation amount in FIG. 1 represents a measured value measured by alignment measurement when a position obtained by adding a difference from a reference offset to a device-specific offset is used as an origin in each device. As a result, the deviation amount in the alignment measurement value can be used in common among a plurality of apparatuses. The reference offset may be managed by the host computer as described above, or may be managed by the exposure apparatus. When the exposure apparatus manages the reference offset, it is not necessary to manage the difference from the reference offset in the base printing information.
【0029】下地を焼き付けた各々の露光装置が下地焼
き付け情報を作成し、ネットワーク等を介してホストコ
ンピュータ等に転送する事により、ホストコンピュータ
で1枚のウエハに対する全ての下地焼き付け情報を管理
する事が可能となる。さらに、ホストコンピュータ等よ
りネットワーク等を介して転送することにより、露光を
実施するウエハに対する全ての下地焼き付け情報を露光
装置にもたせる事が可能となる。下地焼き付け情報に関
しては、ウエハ1枚毎に作成しても良いし、プロセス単
位で処理したウエハの全データの平均値等からデータを
作成しても良い。Each exposure apparatus that has printed a base creates base printing information and transfers it to a host computer or the like via a network or the like, so that the host computer manages all base printing information for one wafer. Becomes possible. Further, by transferring the data from a host computer or the like via a network or the like, it is possible to provide the exposure apparatus with all the underlying printing information for the wafer to be exposed. The underlayer printing information may be created for each wafer, or data may be created from an average value of all data of wafers processed in process units.
【0030】また、レチクル情報は、レチクル設計時の
CADデータ等を基に ・識別子(レチクルID) ・パターン形状 ・パターンの位置 ・パターンの大きさ ・パターン線幅、および ・焦点位置 の各情報をもっている。The reticle information is based on CAD data or the like at the time of reticle design, and includes information such as an identifier (reticle ID), a pattern shape, a pattern position, a pattern size, a pattern line width, and a focal position. I have.
【0031】本発明の実施形態では、識別子を複数のレ
チクル情報を識別するためのレチクルIDとして表す。
レチクル情報は、ホストコンピュータで管理する事が望
ましい。この場合、レチクル情報は、露光処理の前に予
めホストコンピュータから露光装置に対してネットワー
ク等を介して転送する事が可能となる。勿論、レチクル
情報はFD、MO、CD−ROM等の記憶媒体に記憶さ
せ、露光装置に読み込む事も可能である。In the embodiment of the present invention, the identifier is represented as a reticle ID for identifying a plurality of pieces of reticle information.
It is desirable that the reticle information be managed by the host computer. In this case, the reticle information can be transferred from the host computer to the exposure apparatus via a network or the like before the exposure processing. Of course, the reticle information can be stored in a storage medium such as an FD, an MO, and a CD-ROM, and can be read by an exposure apparatus.
【0032】本発明の実施形態では、アライメント計測
およびオートフォーカス計測の計測条件を ・下地焼き付け情報 ・レチクル情報 ・ウエハ露光条件 を基に自動的に決定する場合は、従来通りウエハ露光条
件に含まれる「アライメント計測マーク設定」「アライ
メント計測マーク位置設定」「アライメント計測ショッ
ト設定」「オートフォーカス計測マーク設定」「オート
フォーカス計測マーク位置設定」「オートフォーカス計
測視野設定」の各パラメータに基づき計測条件を判定し
ても良い。In the embodiment of the present invention, when the measurement conditions of the alignment measurement and the auto-focus measurement are automatically determined on the basis of the following conditions: Determines measurement conditions based on the parameters of "alignment measurement mark setting", "alignment measurement mark position setting", "alignment measurement shot setting", "autofocus measurement mark setting", "autofocus measurement mark position setting", and "autofocus measurement visual field setting" You may.
【0033】本発明では、通常、レチクル基準プレート
およびステージ基準プレート上のマークに関する情報
(マークの形状、マークの線幅、マークの位置、マーク
の大きさ、マークの種類、焦点位置)は、予め装置に登
録されている。レチクルまたは、レチクル基準プレート
を通して計測(所謂TTR計測)時の観察スコープのレ
チクル面に対する焦点位置は、レチクル情報または、レ
チクル基準プレートの「焦点位置」を読み出し、駆動す
る事で焦点を合わせる。アライメント計測時のウエハス
テージ面の焦点位置は、下地の焼き付け情報または、ス
テージ基準プレートの「焦点位置」を読み出し、駆動す
る事で焦点を合わせる。オートフォーカス計測時は、下
地の焼き付け情報または、ステージ基準プレートの「焦
点位置」を読み出し、焦点位置のずれを計測する。表1
の下地の焼き付け情報で「サイズ」(露光ショットサイ
ズ)は“22*22”とショットの大きさとして記述し
てあるが、露光の際の“開口絞り”の位置としても良
い。In the present invention, information on the marks on the reticle reference plate and the stage reference plate (mark shape, mark line width, mark position, mark size, mark type, focus position) is usually stored in advance. Registered in the device. At the time of measurement (so-called TTR measurement) through the reticle or reticle reference plate, the focal position of the observation scope with respect to the reticle surface is adjusted by reading out and driving the reticle information or the “focal position” of the reticle reference plate. The focal position of the wafer stage surface at the time of the alignment measurement is adjusted by reading the printing information of the base or the “focal position” of the stage reference plate and driving the same. At the time of the autofocus measurement, the printing information of the base or the “focal position” of the stage reference plate is read, and the shift of the focal position is measured. Table 1
The "size" (exposure shot size) is described as "22 * 22" in the printing information of the base under "shot size", but it may be the position of the "aperture stop" at the time of exposure.
【0034】<実施形態1>本実施形態では、アライメ
ント計測時の計測条件を下地焼き付け情報に基づいて自
動的に決定する計測条件決定手段に関して説明する。実
施形態1の露光装置には、予めウエハを露光した時の下
地焼き付け情報を表1に示すような形式で記憶してい
る。<Embodiment 1> In this embodiment, a description will be given of a measurement condition determining means for automatically determining a measurement condition at the time of alignment measurement based on base printing information. The exposure apparatus according to the first embodiment stores in advance the underprinting information when a wafer is exposed in a format as shown in Table 1.
【0035】[0035]
【表1】 [Table 1]
【0036】アライメント計測のためには、 計測マークの選定、および 計測マークの座標 が必要となる。For alignment measurement, it is necessary to select a measurement mark and to determine the coordinates of the measurement mark.
【0037】計測マークの選定は、下地焼き付け情報に
含まれる「パターン形状」で選別する。プリアライメン
トを実施する際には表1中のパターン形状が「PA」で
示されるマーク(「PA」マーク)を、グローバルアラ
イメントを実施する際には表1中のパターン形状が「W
X」または「WY」のマーク(「WX」「WY」マー
ク)を夫々選定する。Measurement marks are selected based on the “pattern shape” included in the background printing information. When performing pre-alignment, the pattern shape in Table 1 is marked with “PA” (“PA” mark), and when performing global alignment, the pattern shape in Table 1 is changed to “W”.
Marks “X” or “WY” (“WX” and “WY” marks) are selected, respectively.
【0038】次に、計測マークの位置は、下地焼き付け
情報に含まれる「パターン位置」で選別する。選別基準
は、「出来るだけ外側のパターン位置」を選択しても良い
し、下地焼き付け情報に含まれる「方向」により「焼き
付け方向別」に選別しても良い。下地焼き付け情報に基
づき、ウエハ上にアライメントマークを配置したイメー
ジ図を図2に示す。図2において、大きな円はウエハを
表し、黒塗り四角(■)はプリアライメント用の「P
A」マークを、白抜き四角(□)はグローバルアライメ
ント用の「WX」「WY」マークを表す。本実施形態に
よれば、重ね合わせ露光時に各種の計測マークやその座
標等を作業者が設定することが不要となる。Next, the position of the measurement mark is selected based on the "pattern position" included in the background printing information. As the selection criterion, “a pattern position as far as possible outside” may be selected, or “selection by printing direction” may be selected based on “direction” included in the background printing information. FIG. 2 shows an image diagram in which alignment marks are arranged on the wafer based on the underlay printing information. In FIG. 2, a large circle represents a wafer, and a black square (■) represents “P” for pre-alignment.
The “A” mark and the open squares (□) represent the “WX” and “WY” marks for global alignment. According to the present embodiment, it is not necessary for the operator to set various measurement marks and their coordinates at the time of the overlay exposure.
【0039】<実施形態2>本実施形態では、アライメ
ント計測時の計測条件を下地焼き付け情報とウエハ露光
条件の露光ショット配置より自動的に決定する計測条件
決定手段に関して説明する。実施形態2の露光装置に
は、予めウエハを露光した時の下地焼き付け情報を表1
に示すような形式で記憶している。<Embodiment 2> In the present embodiment, a description will be given of a measurement condition determining means for automatically determining measurement conditions at the time of alignment measurement based on underprinting information and exposure shot arrangement of wafer exposure conditions. The exposure apparatus according to the second embodiment stores base printing information when a wafer is exposed in advance.
Is stored in a format as shown in FIG.
【0040】下地焼き付け情報に基づいたウエハイメー
ジは、実施形態1と同様、図2に示してある。下地焼き
付け情報にウエハ露光条件の露光ショット配置を重ねた
イメージ図を図3、図4および図5に示す。図3は、プ
リアライメント用「PA」マークとグローバルアライメ
ント用「WX」「WY」マークの1セットに対して1露
光ショット(下地の1ショットに対して1ショットを露
光する)を設定した場合のイメージ図である。FIG. 2 shows a wafer image based on the underlay printing information, as in the first embodiment. FIGS. 3, 4, and 5 are image diagrams in which the exposure shot arrangement of the wafer exposure condition is superimposed on the base printing information. FIG. 3 shows a case where one exposure shot (one shot is exposed for one base shot) is set for one set of “PA” mark for pre-alignment and “WX” and “WY” marks for global alignment. It is an image figure.
【0041】本実施形態の計測マークの選定は、実施形
態1と同様に下地焼き付け情報に含まれる「パターン形
状」で選別する。プリアライメントを実施する際には表
1中のパターン形状が「PA」で示されるマークを、グ
ローバルアライメントを実施する際には表1中のパター
ン形状が「WX」または「WY」で示されるマークを選
定する。As in the first embodiment, the selection of the measurement marks in the present embodiment is made based on the “pattern shape” included in the background printing information. When the pre-alignment is performed, the mark whose pattern shape is indicated by “PA” in Table 1 is used. When the global alignment is performed, the mark whose pattern shape is indicated by “WX” or “WY” is used. Is selected.
【0042】次に、計測マークの位置は、下地焼き付け
情報に含まれる「パターン位置」で選別しても良いし、
ウエハ露光条件で指定される「露光ショット配置」よ
り、プリアライメント時は図3におけるショット1内の
「PA」マークの位置を計測マークの位置とし、グロー
バルアライメント時はショット2内の「WX」「WY」
マークの位置を計測マークの位置とすれば良い。なお、
ウエハ露光条件の露光ショット配置よりアライメント計
測を実施するショットを決定する決定方法に関してはこ
こでは特に限定しない。Next, the position of the measurement mark may be selected based on the “pattern position” included in the background printing information,
From the “exposure shot arrangement” specified by the wafer exposure conditions, the position of the “PA” mark in shot 1 in FIG. 3 is used as the measurement mark position in pre-alignment, and the “WX” “ WY "
The position of the mark may be used as the position of the measurement mark. In addition,
There is no particular limitation on a method for determining a shot for which alignment measurement is to be performed based on the arrangement of exposure shots under wafer exposure conditions.
【0043】図4は、プリアライメント用の「PA」マ
ークとグローバルアライメント用の「WX」「WY」マ
ークの2セットに対して1露光ショット(下地の2ショ
ットに対して1ショットを露光する)を設定した場合の
イメージ図である。FIG. 4 shows one exposure shot for two sets of a "PA" mark for pre-alignment and "WX" and "WY" marks for global alignment (one shot is exposed for two base shots). FIG. 7 is an image diagram when “” is set.
【0044】計測マークの選定は、実施形態1と同様に
下地焼き付け情報に含まれる「パターン形状」で選別す
る場合は、プリアライメントを実施する際には表1中の
パターン形状が「PA」で示されるマークを、グローバ
ルアライメントを実施する際には表1中のパターン形状
が「WX」または「WY」で示されるマークを選定す
る。As in the first embodiment, when selecting a measurement mark based on the “pattern shape” included in the background printing information, when performing pre-alignment, the pattern shape in Table 1 is set to “PA”. When the global alignment is performed, a mark whose pattern shape is indicated by “WX” or “WY” in Table 1 is selected.
【0045】また、下地焼き付け情報に含まれる「焼き
付け方向」から計測マークの選定を行う場合に、例え
ば、下地の焼き付けを走査型露光装置で行った場合は、
これから焼き付ける1ショット領域中で下地の焼き付け
方向が逆のとき(上方向で焼き付けたショットと下方向
で焼き付けたショットが混在するとき)がある。When a measurement mark is selected from the “print direction” included in the base printing information, for example, when the base printing is performed by a scanning type exposure apparatus,
There is a case where the direction of printing of the base is reversed in one shot area to be printed from now on (a shot printed in the upward direction and a shot printed in the downward direction are mixed).
【0046】このようなときには、プリアライメント用
「PA」マークの選定をウエハ露光条件で指定される1
ショット内に存在する2つの「PA」マークに設定した
場合には、1ショットのプリアライメント計測で上方向
で焼き付けた下地のプリアライメント用「PA」マーク
と下方向で焼き付けた下地のプリアライメント用「P
A」マークとで焼き付け方向別に計測値を求める事が可
能となる。In such a case, the selection of the pre-alignment “PA” mark is specified by the wafer exposure condition.
When two "PA" marks existing in a shot are set, the "PA" mark for pre-alignment of the base printed in the upward direction and the pre-alignment of the base printed in the downward direction in one shot pre-alignment measurement "P
With the "A" mark, it is possible to obtain a measured value for each printing direction.
【0047】一方、プリアライメント用「PA」マーク
の選定をウエハ露光条件で指定される1ショット内に存
在する2つの「PA」マークのどちらか一方に設定した
場合には、焼き付け方向が上方向の「PA」マークのみ
選択する事も、焼き付け方向が下方向の「PA」マーク
のみ選択する事も、焼き付け方向が上方向と下方向の
「PA」マークを混在させて選択する事も可能となる。On the other hand, when the selection of the pre-alignment “PA” mark is set to one of the two “PA” marks existing in one shot specified by the wafer exposure condition, the printing direction is upward. It is possible to select only the “PA” mark, the “PA” mark with the burning direction down, or the “PA” mark with the burning direction up and down. Become.
【0048】同様に、グローバルアライメント用「W
X」「WY」マークの選定もウエハ露光条件の1ショッ
ト内に存在する2セットの「WX」「WY」マークに設
定した場合には、1ショットのグローバルアライメント
計測で上方向で焼き付けた下地のグローバルアライメン
ト用「WX」「WY」マークと下方向で焼き付けた下地
のグローバルアライメント用「WX」「WY」マークと
で焼き付け方向別に計測値を求める事が可能となる。Similarly, “W
When the X and WY marks are also set to two sets of “WX” and “WY” marks existing in one shot of the wafer exposure condition, the base of the base printed in the upward direction by one shot global alignment measurement is set. It is possible to obtain a measurement value for each printing direction by using the global alignment “WX” and “WY” marks and the global alignment “WX” and “WY” marks printed in the lower direction.
【0049】これに対して、グローバルアライメント用
「WX」「WY」マークの選定をウエハ露光条件で指定
される1ショット内に存在する2セットの「WX」「W
Y」マークのどちらか一方に設定した場合には、焼き付
け方向が上方向のマークのみ選択する事も、焼き付け方
向が下方向のマークのみ選択する事も、焼き付け方向が
上方向と下方向のマークを混在させて選択する事も可能
となる。On the other hand, “WX” and “WY” marks for global alignment are selected by two sets of “WX” and “W” existing in one shot specified by the wafer exposure conditions.
When set to either of the “Y” marks, you can select only the mark with the burning direction up, the mark with the burning direction down, or the mark with the burning direction up and down. Can be selected together.
【0050】次に、計測マークの位置は、下地焼き付け
情報に含まれる「パターン位置」で選別しても良いし、
ウエハ露光条件の露光ショット配置より、プリアライメ
ント時はショット3内の「PA」マークの位置を計測マ
ークの位置とし、グローバルアライメント時はショット
4内の「WX」「WY」マークの位置を計測マークの位
置とすれば良い。Next, the position of the measurement mark may be selected based on the “pattern position” included in the background printing information,
From the exposure shot arrangement under the wafer exposure conditions, the position of the “PA” mark in shot 3 is set as the measurement mark position during pre-alignment, and the position of the “WX” and “WY” marks in shot 4 is set as the measurement mark during global alignment. The position should be.
【0051】図5は、プリアライメント用「PA」マー
クとグローバルアライメント用「WX」「WY」マーク
の4セットに対して1露光ショット(下地の4ショット
に対して1ショットを露光する)を設定した場合のイメ
ージ図である。FIG. 5 shows one exposure shot (one shot is exposed for four base shots) for four sets of “PA” marks for pre-alignment and “WX” and “WY” marks for global alignment. It is an image figure in the case of having done.
【0052】計測マークの選定は、実施形態1と同様に
下地焼き付け情報に含まれる「パターン形状」で選別す
る場合は、プリアライメントを実施する際には表1中の
パターン形状が「PA」で示されるマークを、グローバ
ルアライメントを実施する際には表1中のパターン形状
が「WX」または「WY」で示されるマークを選定す
る。When selecting the measurement marks by the “pattern shape” included in the background printing information as in the first embodiment, when performing pre-alignment, the pattern shape in Table 1 is set to “PA”. When the global alignment is performed, a mark whose pattern shape is indicated by “WX” or “WY” in Table 1 is selected.
【0053】また、下地焼き付け情報に含まれる「焼き
付け方向」から計測マークの選定を行う場合に、例え
ば、下地の焼き付けを走査型露光装置で行った場合は、
これから焼き付ける1ショット領域中で下地の焼き付け
方向が逆のとき(上方向で焼き付けたショットと下方向
で焼き付けたショットが混在するとき)がある。When the measurement mark is selected from the “print direction” included in the base printing information, for example, when the base printing is performed by a scanning type exposure apparatus,
There is a case where the direction of printing of the base is reversed in one shot area to be printed from now on (a shot printed in the upward direction and a shot printed in the downward direction are mixed).
【0054】このようなときは、プリアライメント用マ
ークの選定をウエハ露光条件で指定される1ショット内
に存在する4つの「PA」マークに設定した場合には、
1ショットのプリアライメント計測で上方向で焼き付け
た下地のプリアライメント用マークと下方向で焼き付け
た下地のプリアライメント用「PA」マークとで焼き付
け方向別に計測値を求める事が可能となる。In such a case, when the selection of the pre-alignment mark is set to four “PA” marks existing in one shot specified by the wafer exposure condition,
In the pre-alignment measurement of one shot, it is possible to obtain a measurement value for each printing direction by using the pre-alignment mark of the base printed in the upward direction and the “PA” mark for pre-alignment of the base printed in the downward direction.
【0055】プリアライメント用「PA」マークの選定
をウエハ露光条件で指定される1ショット内に存在する
4つの「PA」マークの内、下地の焼き付けを上方向で
焼き付けた1マークと、下方向で焼き付けた1マークを
選定した場合には、1ショットのプリアライメント計測
で下地の焼き付けの上方向および下方向のマークに対す
る計測値を夫々求める事が可能となる。The pre-alignment “PA” mark is selected from among four “PA” marks existing in one shot specified by the wafer exposure conditions, one mark obtained by printing the base in the upward direction, and one mark obtained in the downward direction. When one mark printed in step (1) is selected, it is possible to obtain the measurement values for the upward and downward marks of the printing of the base by pre-alignment measurement of one shot.
【0056】さらに、ウエハ露光条件で指定される1シ
ョット内に存在する4つの「PA」マークの内、1つの
マークのみを計測実施用に選定する場合には、「下地の
焼き付け方向が上方向のマークのみ」、「下地の焼き付
け方向が下方向のマークのみ」および「下地の焼き付け
方向が上下方向混在」の3つのパターンを選択可能とな
る。Further, when only one of the four “PA” marks existing in one shot specified by the wafer exposure condition is selected for measurement, the “printing direction of base is upward The following three patterns can be selected: "only the mark of the mark", "only the mark where the background printing direction is downward", and "the mixture of the background printing direction in the vertical direction".
【0057】同様に、グローバルアライメント用マーク
の選定もウエハ露光条件で指定される1ショット内に存
在する4セットの「WX」「WY」マークに設定した場
合には、1ショットのグローバルアライメント計測で上
方向で焼き付けた下地のグローバルアライメント用マー
クと下方向で焼き付けた下地のグローバルアライメント
用マークとで焼き付け方向別に計測値を求める事が可能
となる。Similarly, when the selection of the global alignment mark is set to four sets of “WX” and “WY” marks existing in one shot specified by the wafer exposure condition, the global alignment measurement of one shot is performed. It is possible to obtain a measurement value for each printing direction using the base global alignment mark printed in the upward direction and the base global alignment mark printed in the downward direction.
【0058】グローバルアライメント用「WX」「W
Y」マークの選定を、ウエハ露光条件で指定される1シ
ョット内に存在する4セットのマークの内、下地の焼き
付けを上方向で焼き付けた1マークと、下方向で焼き付
けた1マークを選定した場合には、1ショットのグロー
バルアライメント計測で下地の焼き付けの上下方向のマ
ークに対する計測値を求める事が可能となる。"WX""W" for global alignment
The "Y" mark was selected from among four sets of marks existing in one shot specified by the wafer exposure condition, one mark where the base was baked upward and one mark where the base was baked downward. In this case, it is possible to obtain a measurement value for the mark in the vertical direction of the printing of the base by one-shot global alignment measurement.
【0059】さらに、ウエハ露光条件で指定される1シ
ョット内に存在する4セットの「WX」「WY」マーク
の内、1セットのマークのみ計測を実施するように選定
する場合には、「下地の焼き付け方向が上方向のみ」
「下地の焼き付け方向が下方向のみ」「下地の焼き付け
方向が上下方向混在」の3つのパターンを選択可能とな
る。Further, when it is selected that only one set of marks is to be measured out of four sets of “WX” and “WY” marks existing in one shot specified by the wafer exposure conditions, Only the printing direction is upward. "
It is possible to select three patterns of “the base printing direction is only downward” and “the base printing direction is mixed in the vertical direction”.
【0060】<実施形態3>本実施形態の露光装置に
は、予めウエハ露光に使用するレチクル情報を表2に示
すような形式で記憶している。<Embodiment 3> In the exposure apparatus of this embodiment, reticle information used for wafer exposure is stored in advance in a format as shown in Table 2.
【0061】[0061]
【表2】 [Table 2]
【0062】本実施形態では、オートフォーカス計測時
の計測条件をレチクル情報より自動的に決定する計測条
件決定手段に関し説明する。オートフォーカス計測のた
めには、 計測マークの選定 計測位置の選定 計測視野の選定 が必要となる。計測マークの選定は、レチクル情報に含
まれる「パターン形状」「パターン線幅」または、レチ
クル基準プレートの「マークの形状」「マークの線幅」
で選別する。レチクル上のマークを通して、オートフォ
ーカス計測を実施する際には表2中のパターン形状が
「FOCUS」であるマーク(「FOCUS」マーク)
を選定する。レチクル基準プレート上のマークを通し
て、オートフォーカス計測を実施する際には、レチクル
基準プレート上の「FOCUS」マークを選定する。In the present embodiment, a description will be given of a measurement condition determining means for automatically determining measurement conditions at the time of autofocus measurement from reticle information. For autofocus measurement, it is necessary to select a measurement mark, select a measurement position, and select a measurement field of view. The measurement mark can be selected using the “pattern shape” and “pattern line width” included in the reticle information or the “mark shape” and “mark line width” on the reticle reference plate.
Sort by. When performing autofocus measurement through a mark on the reticle, a mark in which the pattern shape in Table 2 is “FOCUS” (“FOCUS” mark)
Is selected. When performing autofocus measurement through a mark on the reticle reference plate, a “FOCUS” mark on the reticle reference plate is selected.
【0063】この場合、レチクル情報の「パターン形
状」で実際に焼きつけるパターンの「パターン線幅」と
同じ線幅または一番近い線幅をもつ「FOCUS」マー
クを選択する事が望ましい。In this case, it is desirable to select a “FOCUS” mark having the same line width or the closest line width as the “pattern line width” of the pattern actually printed in the “pattern shape” of the reticle information.
【0064】次に、計測位置は、レチクル情報に含まれ
る「パターン位置」または、レチクル基準プレートの
「マークの位置」に基づいて選別する。選別基準は、レ
チクルに関しては、「FOCUS」マークの一番外側の
位置を選択しても良いし、「FOCUS」マークの一番
内側のものを選択しても良いし、全ての「FOCUS」
マークを選択しても良い。レチクル基準プレートに関し
ては、最外像高の位置を選択しても良いし、最内像高の
位置を選択しても良いし、全ての像高位置を選択しても
良い。Next, the measurement position is selected based on the “pattern position” included in the reticle information or the “mark position” of the reticle reference plate. As for the sorting criterion, for the reticle, the outermost position of the “FOCUS” mark may be selected, the innermost position of the “FOCUS” mark may be selected, or all the “FOCUS” marks may be selected.
A mark may be selected. As for the reticle reference plate, the position of the outermost image height may be selected, the position of the innermost image height may be selected, or all image height positions may be selected.
【0065】TTR計測時の計測視野は、レチクル情報
の「パターン位置」または、レチクル基準プレートの
「マークの位置」と下地の焼き付け情報の「パターン位
置」または、ステージ基準プレートの「マークの位置」
により、観察スコープとステージの位置関係から、左右
の観察スコープで同時にレチクル側、ウエハステージ側
のマークが観察可能な場合は左右の計測視野を設定し、
同時に観察できない場合は、右側または左側に観察視野
を設定する。The measurement field of view at the time of TTR measurement is the “pattern position” of the reticle information, the “mark position” of the reticle reference plate and the “pattern position” of the base printing information, or the “mark position” of the stage reference plate.
According to the positional relationship between the observation scope and the stage, if the marks on the reticle side and the wafer stage side can be observed simultaneously by the left and right observation scopes, set the left and right measurement fields of view,
If observation is not possible at the same time, an observation field is set on the right or left side.
【0066】<実施形態4>本実施形態の露光装置は、
予めウエハ露光に使用する表2に示すようなレチクル情
報を記憶している。本実施形態では、オートフォーカス
計測時の計測条件をレチクル情報とウエハ露光条件より
自動的に決定する計測条件決定手段に関し説明する。計
測マークの選定は、レチクル情報に含まれる「パターン
形状」「パターン線幅」または、レチクル基準プレート
の「マークの形状」「マークの線幅」とウエハ露光条件
に含まれる「露光ショットサイズ」で選別する。<Embodiment 4> The exposure apparatus of the present embodiment
Reticle information as shown in Table 2 used for wafer exposure is stored in advance. In the present embodiment, a description will be given of a measurement condition determination unit that automatically determines measurement conditions at the time of autofocus measurement from reticle information and wafer exposure conditions. The measurement mark is selected based on the "pattern shape" and "pattern line width" included in the reticle information, or the "mark shape" and "mark line width" of the reticle reference plate and the "exposure shot size" included in the wafer exposure conditions. Sort out.
【0067】この場合、ウエハ露光条件の「露光ショッ
トサイズ」で指定されたショットの内側に相当するレチ
クル上の「FOCUS」マークまたは、レチクル基準プ
レート上の「FOCUS」マークのどちらを選択しても
良いし、「露光ショットサイズ」で指定されたショット
の外側に相当するレチクル上の「FOCUS」マークま
たはレチクル基準プレート上の「FOCUS」マークの
どちらを選択しても良い。In this case, whether the “FOCUS” mark on the reticle or the “FOCUS” mark on the reticle reference plate corresponding to the inside of the shot specified by the “exposure shot size” of the wafer exposure condition is selected. Either the “FOCUS” mark on the reticle or the “FOCUS” mark on the reticle reference plate corresponding to the outside of the shot specified by the “exposure shot size” may be selected.
【0068】また、「露光ショットサイズ」で指定され
たショットの内側にある、レチクル情報の実素子パター
ンの「パターン線幅」と同じ線幅または一番近い線幅を
もつ「FOCUS」マークを選択する事が望ましい。Further, a “FOCUS” mark having the same line width as the “pattern line width” of the actual element pattern of the reticle information or the closest line width inside the shot designated by the “exposure shot size” is selected. It is desirable to do.
【0069】次に、計測位置は、計測マークの選定で決
定した「FOCUS」マークの「パターン位置」とな
る。Next, the measurement position is the “pattern position” of the “FOCUS” mark determined by selecting the measurement mark.
【0070】TTR計測時の計測視野は、レチクル情報
の「パターン位置」または、レチクル基準プレートの
「マークの位置」と下地の焼き付け情報の「パターン位
置」または、ステージ基準プレートの「マークの位置」
により、観察スコープとステージの位置関係から、左右
の観察スコープで同時にレチクル側、ステージ側のマー
クが観察可能な場合は左右の計測視野を設定し、同時に
観察できない場合は、右側または左側に観察視野を設定
する。The measurement field of view at the time of TTR measurement is the “pattern position” of the reticle information, the “mark position” of the reticle reference plate and the “pattern position” of the base printing information, or the “mark position” of the stage reference plate.
Depending on the positional relationship between the observation scope and the stage, the left and right observation scopes can set the left and right measurement fields if the marks on the reticle and stage sides can be observed at the same time. Set.
【0071】<半導体生産システムの実施形態>本発明
の「レチクル情報」「下地の焼き付け情報」「ウエハ露
光条件」の各情報は、ネットワーク回線等を介してホス
トコンピュータ、他の露光装置、露光装置以外の半導体
製造装置とのデータ送受信が可能となっている。<Embodiment of Semiconductor Production System> Each information of "reticle information", "underlay printing information", and "wafer exposure condition" of the present invention can be stored in a host computer, another exposure apparatus, and an exposure apparatus via a network line or the like. It is possible to transmit and receive data to and from other semiconductor manufacturing apparatuses.
【0072】次に、半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の生産システムの例を説明する。こ
れは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対
応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供など
の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワ
ークを利用して行うものである。Next, semiconductor devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads,
An example of a production system such as a micromachine will be described. In this system, maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory or provision of software are performed using a computer network outside the manufacturing factory.
【0073】図6は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク(LAN)109を備える。ホスト管理システム10
8は、LAN109を事業所の外部ネットワークである
インタネット105に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。FIG. 6 shows the whole system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business establishment of a vendor (apparatus supply maker) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. As an example of a manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus for various processes used in a semiconductor manufacturing plant, for example,
Pre-process equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment,
It is assumed that flattening equipment and the like and post-processing equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.) are used. In the business office 101, a host management system 10 for providing a maintenance database of manufacturing equipment
8. It has a plurality of operation terminal computers 110 and a local area network (LAN) 109 connecting these to construct an intranet. Host management system 10
8 is a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105 which is an external network of the business office;
Equipped with a security function to restrict external access.
【0074】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製
造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム107とが設けられている。各工場10
2〜104に設けられたホスト管理システム107は、
各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであ
るインタネット105に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のLAN111からインタネ
ット105を介してベンダー101側のホスト管理シス
テム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を
示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状)を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場10
2〜104とベンダー101との間のデータ通信および
各工場内のLAN111でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP
/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク(ISDNなど)を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of a semiconductor manufacturer as users of the manufacturing apparatus. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet, and a host management unit as a monitoring apparatus for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106. A system 107 is provided. Each factory 10
The host management systems 107 provided in 2 to 104 are:
A gateway is provided for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, access to the host management system 108 on the vendor 101 side from the LAN 111 of each factory via the Internet 105 is possible, and access is limited to only users limited by the security function of the host management system 108. More specifically, the factory notifies the vendor of status information indicating the operating status of each manufacturing apparatus 106 (for example, the symptom of the manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) via the Internet 105, and responds to the notification. Response information (for example, information instructing a coping method for a trouble, software and data for coping), and maintenance information such as the latest software and help information can be received from the vendor. Each factory 10
The data communication between the vendors 2 to 104 and the vendor 101 and the data communication on the LAN 111 in each factory are performed using a communication protocol (TCP) generally used on the Internet.
/ IP) is used. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a dedicated line network (such as ISDN) that cannot be accessed by a third party and has high security. Further, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place the database on an external network, and permit a plurality of factories of the user to access the database.
【0075】さて、図7は本実施形態の全体システムを
図6とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、201は製造装置ユ
ーザ(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置202、レジスト処理装置20
3、成膜処理装置204が導入されている。なお図7で
は製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はLAN206で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ210、レジスト
処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベン
ダー(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
211,221,231を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム205と、各装置のベンダーの管理シス
テム211,221,231とは、外部ネットワーク2
00であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット200を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。FIG. 7 is a conceptual diagram showing the entire system according to the present embodiment cut out from an angle different from that of FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. The data of the manufacturing apparatus was communicated. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors and a management system of each vendor of the plurality of manufacturing apparatuses are connected via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing factory of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer);
A manufacturing apparatus for performing various processes, for example, an exposure apparatus 202 and a resist processing apparatus 20 are provided on a manufacturing line of a factory.
Third, a film forming apparatus 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 7, a plurality of factories are actually networked similarly. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, each business establishment of a vendor (apparatus maker) such as an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, and a film forming apparatus maker 230 has a host management system 211, 221 for performing remote maintenance of the supplied apparatus. 231 which comprise a maintenance database and an external network gateway as described above. The host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing factory and the management systems 211, 221, and 231 of the vendors of each device are connected to the external network 2
00 is connected by the Internet or a dedicated line network. In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment on the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is stopped, but remote maintenance is performed via the Internet 200 from a vendor of the troubled equipment. As a result, quick response is possible, and downtime of the production line can be minimized.
【0076】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
(401)、シリアルナンバー(402)、トラブルの
件名(403)、発生日(404)、緊急度(40
5)、症状(406)、対処法(407)、経過(40
8)等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能(410〜412)を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。ここ
で、保守データベースが提供する保守情報には、必要に
応じて上記説明した下地焼き付け情報、レチクル情報、
ウエハ露光条件等も含まれ、また前記ソフトウエアライ
ブラリは計測条件の自動決定を行うための最新のソフト
ウエアも提供する。Each manufacturing apparatus installed in the semiconductor manufacturing factory has a display, a network interface, and a computer for executing network access software and apparatus operation software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 8 on a display. The operator who manages the manufacturing equipment at each factory refers to the screen and refers to the manufacturing equipment model (401), serial number (402), trouble subject (403), date of occurrence (404), and urgency (40).
5), symptom (406), coping method (407), course (40)
8) Input information such as in the input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. Further, the user interface provided by the web browser further realizes a hyperlink function (410 to 412) as shown in the figure, so that the operator can access more detailed information of each item or use the software library provided by the vendor for the manufacturing apparatus. The latest version of software to be extracted can be extracted, and an operation guide (help information) can be extracted for reference by a factory operator. Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the underprinting information, the reticle information,
The software library also provides the latest software for automatically determining measurement conditions, including wafer exposure conditions and the like.
【0077】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。Next, a manufacturing process of a semiconductor device using the above-described production system will be described. FIG. 9 shows a flow of the whole semiconductor device manufacturing process. In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. Step 3
In (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and assembly such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). Process. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Also, information for production management and equipment maintenance is communicated between the pre-process factory and the post-process factory via the Internet or a dedicated line network.
【0078】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Productivity can be improved.
【0079】[0079]
【発明の効果】以上のように、本発明によると、アライ
メント計測およびオートフォーカス計測時の計測条件の
設定を自動的に選別、決定する事が可能となるため、従
来のようにオペレーターがエディタを使用したパラメー
タ設定を行う必要がなくなり、オペレーターの負担を軽
減する事が可能となる。As described above, according to the present invention, it is possible to automatically select and determine the setting of the measurement conditions at the time of alignment measurement and autofocus measurement. There is no need to set the used parameters, and the burden on the operator can be reduced.
【0080】また、パラメータの入力ミスを防ぐと共
に、最適な条件でアライメント計測やオートフォース計
測を実施する事が可能となるため、計測精度の向上も期
待できる。In addition, it is possible to prevent parameter input errors and to perform alignment measurement and auto force measurement under optimal conditions, so that improvement in measurement accuracy can be expected.
【図1】 下地焼き付け情報のアライメント計測値に含
まれる「基準オフセットからの差分」と「ずれ量」を表
すイメージ図。FIG. 1 is an image diagram showing “difference from reference offset” and “displacement amount” included in an alignment measurement value of background printing information.
【図2】 下地焼き付け情報に基づくウエハイメージ
図。FIG. 2 is a wafer image diagram based on underlay printing information.
【図3】 下地焼き付け情報と露光ショット配置のウエ
ハイメージ図。FIG. 3 is a wafer image diagram of underlay printing information and exposure shot arrangement.
【図4】 下地焼き付け情報と露光ショット配置のウエ
ハイメージ図。FIG. 4 is a wafer image diagram of underlay printing information and exposure shot arrangement.
【図5】 下地焼き付け情報と露光ショット配置のウエ
ハイメージ図。FIG. 5 is a wafer image diagram of underlay printing information and an exposure shot arrangement.
【図6】 半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図。FIG. 6 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from a certain angle.
【図7】 半導体デバイスの生産システムを別の角度か
ら見た概念図。FIG. 7 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from another angle.
【図8】 ユーザインタフェースの具体例。FIG. 8 is a specific example of a user interface.
【図9】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図。FIG. 9 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process.
【図10】 ウエハプロセスを説明する図。FIG. 10 is a diagram illustrating a wafer process.
1,3:プリアライメント指定ショット、2,4:グロ
ーバルアライメント指定ショット。1,3: pre-alignment specified shot, 2, 4: global alignment specified shot.
Claims (43)
可動のステージ上に載置した感光基板上に投影露光する
露光装置において、前記原板上のパターンに関するレチ
クル情報および前記感光基板上に既に焼き付けられてい
るパターンに関する下地焼き付け情報から選択される少
なくとも1つの情報を参照して前記投影露光を行う際の
計測条件を決定する計測条件決定手段を有することを特
徴とする露光装置。1. An exposure apparatus for projecting and exposing a pattern on an original plate onto a photosensitive substrate mounted on a movable stage via a projection optical system, wherein the reticle information on the pattern on the original plate and the reticle information on the photosensitive substrate An exposure apparatus, comprising: a measurement condition determining unit that determines a measurement condition when performing the projection exposure with reference to at least one piece of information selected from background printing information regarding a pattern to be printed.
上に繰り返し露光して複数レイヤを設ける際に、下地焼
き付け情報、レチクル情報およびこの露光処理のために
予め設定されるウエハ露光条件から選択される少なくと
も1つの情報に基づき、前記感光基板のアライメント計
測を行う際の計測条件を決定するものであることを特徴
とする請求項1に記載の露光装置。2. A method according to claim 1, wherein said measuring condition determining means selects from underprinting information, reticle information and wafer exposure conditions preset for said exposure processing when providing a plurality of layers by repeatedly exposing said photosensitive substrate. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a measurement condition for performing alignment measurement of the photosensitive substrate is determined based on at least one piece of information obtained.
上に投影露光する際に、下地焼き付け情報、レチクル情
報およびウエハ露光条件から選択される少なくとも1つ
の情報に基づき、オートフォーカス計測の計測条件を決
定するものであることを特徴とする請求項1または2に
記載の露光装置。3. The measurement condition determination means according to claim 2, wherein said measurement condition determination means is configured to perform a measurement condition of an autofocus measurement based on at least one information selected from underprinting information, reticle information and wafer exposure condition when performing projection exposure on said photosensitive substrate. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus determines:
表形式で記憶されており、下地として焼き付けられてい
る各パターンの形状、位置、大きさ、焼き付け方向およ
び線幅、並びに下地露光時のアライメント計測値、露光
装置タイプおよび露光サイズから選択される少なくとも
1つの情報を含むことを特徴とする請求項1〜3のいず
れか1項に記載の露光装置。4. The underlay printing information is stored in a table format for each layer, and includes the shape, position, size, printing direction and line width of each pattern printed as the underlayer, and information on the under exposure. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising at least one information selected from an alignment measurement value, an exposure apparatus type, and an exposure size.
ライメント計測を実施した露光装置により情報の更新が
可能であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1
項に記載の露光装置。5. The information according to claim 1, wherein the underprinting information can be updated by an exposure apparatus that has performed exposure or alignment measurement.
Exposure apparatus according to Item.
ずれ量および、基準オフセットと装置固有オフセットと
の差分が含まれていることを特徴とする請求項4または
5に記載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the alignment measurement value includes a measured shift amount and a difference between a reference offset and an apparatus-specific offset.
ーンの形状、位置、大きさおよび線幅、並びに前記原板
を特定するための識別子および焦点位置から選択される
少なくとも1つの情報を含むことを特徴とする請求項1
〜6のいずれか1項に記載の露光装置。7. The reticle information includes at least one information selected from a shape, a position, a size and a line width of a pattern at the time of designing a master, and an identifier and a focus position for specifying the master. Claim 1.
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6.
記レチクル情報は、ネットワーク回線に接続された別の
露光装置との情報の送受信が可能であることを特徴とす
る請求項1〜7のいずれか1項に記載の露光装置。8. The apparatus according to claim 1, wherein the underprinting information and / or the reticle information can be transmitted / received to / from another exposure apparatus connected to a network line. Exposure apparatus according to Item.
記レチクル情報は、ネットワーク回線に接続されたコン
ピュータ機器との情報の送受信が可能であることを特徴
とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の露光装置。9. The apparatus according to claim 1, wherein the underprinting information and / or the reticle information can be transmitted / received to / from a computer device connected to a network line. Exposure apparatus according to the above.
前記レチクル情報は、持ち運びが可能な記憶媒体に記憶
することが可能であることを特徴とする請求項1〜9の
いずれか1項に記載の露光装置。10. The exposure according to claim 1, wherein the underprinting information and / or the reticle information can be stored in a portable storage medium. apparatus.
板上に設けられる複数の計測マークからアライメント計
測時に用いる計測マークを決定するものであることを特
徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の露光装
置。11. The method according to claim 1, wherein said measurement condition determination means determines a measurement mark used at the time of alignment measurement from a plurality of measurement marks provided on said photosensitive substrate. Exposure apparatus according to Item.
ト計測時に前記感光基板上のマーク計測位置を決定する
ものであることを特徴とする請求項1〜11のいずれか
1項に記載の露光装置。12. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measurement condition determination means determines a mark measurement position on the photosensitive substrate at the time of alignment measurement.
ーカス計測時の計測実行タイミングをウエハ露光条件に
より決定することを特徴とする請求項1〜12のいずれ
か1項に記載の露光装置。13. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measurement condition determination unit determines measurement execution timing at the time of autofocus measurement based on a wafer exposure condition.
または基準プレートに設けられる複数の計測マークから
オートフォーカス計測時の計測マークを決定することを
特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の露光
装置。14. The method according to claim 1, wherein said measurement condition determining means determines a measurement mark at the time of autofocus measurement from a plurality of measurement marks provided on said original plate or on a reference plate. Exposure apparatus according to Item.
ーカス計測時の計測視野を決定することを特徴とする請
求項1〜14のいずれか1項に記載の露光装置。15. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measurement condition determination unit determines a measurement visual field at the time of autofocus measurement.
ーカス計測時の計測位置を決定することを特徴とする請
求項1〜15のいずれか1項に記載の露光装置。16. The exposure apparatus according to claim 1, wherein said measurement condition determination means determines a measurement position at the time of autofocus measurement.
ォーカス計測時の計測値の補正方法をウエハ露光条件、
計測位置により決定していることを特徴とする請求項1
〜16のいずれか1項に記載の露光装置。17. The method according to claim 17, wherein the measurement condition determination unit determines a method of correcting a measurement value at the time of autofocus measurement by using a wafer exposure condition,
2. The method according to claim 1, wherein the determination is made based on a measurement position.
The exposure apparatus according to any one of claims 16 to 16.
て可動のステージ上に載置した感光基板上に投影露光す
る露光方法において、前記原板上のパターンに関するレ
チクル情報および前記感光基板上に既に焼き付けられて
いるパターンに関する下地焼き付け情報から選択される
少なくとも1つの情報を参照して前記投影露光を行う際
の計測条件を決定する計測条件決定工程を有することを
特徴とする露光方法。18. An exposure method for projecting and exposing a pattern on an original plate onto a photosensitive substrate mounted on a movable stage via a projection optical system, the reticle information relating to the pattern on the original plate and the reticle information already on the photosensitive substrate. An exposure method, comprising: a measurement condition determining step of determining a measurement condition when performing the projection exposure by referring to at least one piece of information selected from underlay printing information on a printed pattern.
光基板上に繰り返し露光して複数レイヤを設ける際に、
下地焼き付け情報、レチクル情報およびウエハ露光条件
から選択される少なくとも1つの情報に基づき、前記感
光基板のアライメント計測を行う際の計測条件を決定す
るものであることを特徴とする請求項18に記載の露光
方法。19. The method according to claim 19, wherein the step of determining the measurement conditions comprises the steps of:
19. The measurement condition for performing alignment measurement of the photosensitive substrate based on at least one information selected from underlay printing information, reticle information, and wafer exposure conditions. Exposure method.
光基板上に投影露光する際に、下地焼き付け情報、レチ
クル情報およびウエハ露光条件から選択される少なくと
も1つの情報に基づき、オートフォーカス計測の計測条
件を決定するものであることを特徴とする請求項18ま
たは19に記載の露光方法。20. The step of deciding the measurement and measurement condition, wherein the projection and exposure are performed on the photosensitive substrate based on at least one information selected from underprinting information, reticle information and wafer exposure condition. 20. The exposure method according to claim 18, wherein conditions are determined.
に表形式で記憶されており、下地として焼き付けられて
いる各パターンの形状、位置、大きさ、焼き付け方向お
よび線幅、並びに下地露光時のアライメント計測値、露
光装置タイプおよび露光サイズから選択される少なくと
も1つの情報を含むことを特徴とする請求項18〜20
のいずれか1項に記載の露光方法。21. The base printing information is stored in a table format for each layer, and the shape, position, size, printing direction and line width of each pattern printed as a base, and the base exposure information at the time of base exposure. 21. At least one information selected from an alignment measurement value, an exposure apparatus type, and an exposure size is included.
The exposure method according to any one of the above.
アライメント計測を実施した露光装置により情報の更新
が可能であることを特徴とする請求項18〜21のいず
れか1項に記載の露光方法。22. The exposure method according to claim 18, wherein the underprinting information can be updated by an exposure apparatus that has performed exposure or alignment measurement.
たずれ量および、基準オフセットと装置固有オフセット
との差分が含まれていることを特徴とする請求項21ま
たは22に記載の露光方法。23. The exposure method according to claim 21, wherein the alignment measurement value includes a measured shift amount and a difference between a reference offset and an apparatus-specific offset.
ターンの形状、位置、大きさおよび線幅、並びに前記原
板を特定するための識別子および焦点位置から選択され
る少なくとも1つの情報を含むことを特徴とする請求項
18〜23のいずれか1項に記載の露光方法。24. The reticle information includes at least one information selected from a shape, a position, a size and a line width of a pattern at the time of designing a master, and an identifier and a focus position for specifying the master. The exposure method according to any one of claims 18 to 23, wherein:
前記レチクル情報は、ネットワーク回線に接続された別
の露光装置から受信することを特徴とする請求項18〜
24のいずれか1項に記載の露光方法。25. The apparatus according to claim 18, wherein the underprinting information and / or the reticle information are received from another exposure apparatus connected to a network line.
25. The exposure method according to any one of 24.
前記レチクル情報は、ネットワーク回線に接続されたコ
ンピュータ機器から受信することを特徴とする請求項1
8〜25のいずれか1項に記載の露光方法。26. The apparatus according to claim 1, wherein the underprinting information and / or the reticle information are received from a computer device connected to a network line.
The exposure method according to any one of items 8 to 25.
前記レチクル情報は、持ち運びが可能な記憶媒体から読
み取ることを特徴とする請求項18〜26のいずれか1
項に記載の露光方法。27. The apparatus according to claim 18, wherein the underprinting information and / or the reticle information are read from a portable storage medium.
Exposure method according to item.
板に設けられる複数の計測マークからアライメント計測
時に用いる計測マークを決定するものであることを特徴
とする請求項18〜27のいずれか1項に記載の露光方
法。28. The method according to claim 18, wherein the measurement condition determination step is to determine a measurement mark used for alignment measurement from a plurality of measurement marks provided on the photosensitive substrate. Exposure method according to 1.
ト計測時に前記感光基板のマーク計測位置を決定するも
のであることを特徴とする請求項18〜28のいずれか
1項に記載の露光方法。29. The exposure method according to claim 18, wherein the measurement condition determining step determines a mark measurement position on the photosensitive substrate at the time of alignment measurement.
ーカス計測時の計測実行タイミングをウエハ露光条件に
より決定することを特徴とする請求項18〜29のいず
れか1項に記載の露光方法。30. The exposure method according to claim 18, wherein in the measurement condition determination step, measurement execution timing at the time of autofocus measurement is determined based on a wafer exposure condition.
ーカス計測時の計測マークを決定することを特徴とする
請求項18〜30のいずれか1項に記載の露光方法。31. The exposure method according to claim 18, wherein the measurement condition determining step determines a measurement mark at the time of autofocus measurement.
ーカス計測時の計測視野を決定することを特徴とする請
求項18〜31のいずれか1項に記載の露光方法。32. The exposure method according to claim 18, wherein the measurement condition determination step determines a measurement visual field at the time of autofocus measurement.
ーカス計測時の計測位置を下地焼き付け情報、レチクル
情報およびウエハ露光条件から選択される少なくとも1
つの情報により決定することを特徴とする請求項18〜
32のいずれか1項に記載の露光方法。33. The measurement condition determination step, wherein the measurement position at the time of autofocus measurement is at least one selected from underprint printing information, reticle information, and wafer exposure conditions.
The information is determined based on two pieces of information.
33. The exposure method according to any one of items 32.
ーカス計測時の計測値の補正方法をウエハ露光条件、計
測位置により決定していることを特徴とする請求項18
〜33のいずれか1項に記載の露光方法。34. The method according to claim 18, wherein in the measurement condition determining step, a method of correcting a measurement value at the time of autofocus measurement is determined based on a wafer exposure condition and a measurement position.
35. The exposure method according to any one of items 33 to 33.
検出し、この計測基準点に基づき露光し、半導体チップ
を前記感光基板上の各領域に形成するようにした投影露
光装置のアライメント計測を実行するプログラムを記録
した記録媒体であって、 該プログラムが、 アライメント計測時のマーク計測位置を下地焼き付け情
報、レチクル情報およびウエハ露光条件から選択される
少なくとも1つの情報に基づいて決定する第1ステッ
プ、およびアライメント計測時の計測マークを下地焼き
付け情報、レチクル情報およびウエハ露光条件から選択
される少なくとも1つの情報に基づいて決定する第2ス
テップ、 を含むことを特徴とする記録媒体。35. An alignment measurement of a projection exposure apparatus configured to detect a measurement reference point formed on a photosensitive substrate, perform exposure based on the measurement reference point, and form a semiconductor chip in each region on the photosensitive substrate. A program for determining a mark measurement position at the time of alignment measurement based on at least one information selected from underlay printing information, reticle information, and wafer exposure conditions. And a second step of determining a measurement mark at the time of alignment measurement based on at least one information selected from base printing information, reticle information, and wafer exposure conditions.
この最適焦点位置に基づき露光する投影露光装置のオー
トフォーカス計測を実行するプログラムを記録した記録
媒体であって、 該プログラムが、 オートフォーカス計測時の計測実行タイミングをウエハ
露光条件により決定する第1ステップ、 オートフォーカス計測時のマーク計測位置を下地焼き付
け情報、レチクル情報、ウエハ露光条件の内、少なくと
も1つ以上の情報により決定する第2ステップ、 オートフォーカス計測時の計測視野を下地焼き付け情
報、レチクル情報、ウエハ露光条件の内、少なくとも1
つ以上の情報により決定する第3ステップ、 オートフォーカス計測時の計測マークを下地焼き付け情
報、レチクル情報、ウエハ露光条件の内、少なくとも1
つ以上の情報より決定する第4ステップ、およびオート
フォーカス計測時の計測値の補正方法を計測位置、ウエ
ハ露光条件により決定する第5ステップ、を含むことを
特徴とする記録媒体。36. Detecting an optimum focus position on a photosensitive substrate surface,
A recording medium recording a program for executing autofocus measurement of a projection exposure apparatus that performs exposure based on the optimum focus position, the program determining a measurement execution timing at the time of autofocus measurement based on a wafer exposure condition. A second step of determining a mark measurement position at the time of autofocus measurement based on at least one of information of underprinting information, reticle information, and wafer exposure conditions; a measurement visual field at the time of autofocus measurement; underprinting information; reticle information; , At least one of the wafer exposure conditions
A third step of determining the measurement mark at the time of autofocus measurement, at least one of base printing information, reticle information, and wafer exposure conditions;
A recording medium comprising: a fourth step of determining from at least one piece of information; and a fifth step of determining a method of correcting a measurement value during autofocus measurement based on a measurement position and wafer exposure conditions.
各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置す
る工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによっ
て半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴
とするデバイス製造方法。37. A step of installing a group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus according to claim 1 in a semiconductor manufacturing factory, and a step of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using the group of manufacturing apparatuses. A device manufacturing method comprising:
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項37に記載
の方法。38. A step of connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network, and data communication between at least one of the group of manufacturing apparatuses between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant. 38. The method of claim 37, further comprising the step of:
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行う請求項37記載の方法。39. A semiconductor manufacturing factory different from the semiconductor manufacturing factory by accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 38. The method according to claim 37, wherein the production management is performed by data communication with the external network via the external network.
各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続す
るローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネ
ットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可
能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なく
とも1台に関する情報をデータ通信することを可能にし
た半導体製造工場。40. A group of manufacturing apparatuses for various processes including the exposure apparatus according to claim 1, a local area network connecting the group of manufacturing apparatuses, and an external network outside the factory can be accessed from the local area network. A semiconductor manufacturing plant having a gateway for performing data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
〜17記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装
置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワー
クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送
信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守
方法。41. The semiconductor device according to claim 1, which is installed in a semiconductor manufacturing plant.
18. The maintenance method for an exposure apparatus according to any one of claims 17 to 17, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing plant; and A step of permitting access to the maintenance database via the external device, and a step of transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing plant via the external network. Method.
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にした露光
装置。42. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a display, a network interface,
An exposure apparatus, further comprising: a computer that executes network software, and capable of performing data communication of maintenance information of the exposure apparatus via a computer network.
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザが提供す
る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にする請求項42記載の装置。43. The network software,
Provided on the display is a user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and from the database via the external network. 43. The device according to claim 42, which makes it possible to obtain information.
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WO2004034448A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure system, recipe generation system, and device manufacturing method |
JP2008058797A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | Drawing device and drawing method |
JP2009003074A (en) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | Exposure method and manufacturing method of image sensor |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000338001A patent/JP2002141276A/en active Pending
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