JP2003107505A - Liquid crystal display device and electronic equipment - Google Patents

Liquid crystal display device and electronic equipment

Info

Publication number
JP2003107505A
JP2003107505A JP2001305885A JP2001305885A JP2003107505A JP 2003107505 A JP2003107505 A JP 2003107505A JP 2001305885 A JP2001305885 A JP 2001305885A JP 2001305885 A JP2001305885 A JP 2001305885A JP 2003107505 A JP2003107505 A JP 2003107505A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
light
display device
crystal display
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001305885A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003107505A5 (en
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Hajime Kimura
肇 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2001305885A priority Critical patent/JP2003107505A/en
Publication of JP2003107505A publication Critical patent/JP2003107505A/en
Publication of JP2003107505A5 publication Critical patent/JP2003107505A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the use efficiency of light in transmission mode as for a transflective liquid crystal display device. SOLUTION: The transflective liquid crystal display device 4 is provided with a means which converges light from a light source represented by a back light 1, concretely, a microlens array 3. Further, light which has high directivity needs to be made incident on the microlens array 3. A diffusion plate which is used before is therefore no used.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
(以下、TFTという)で構成された回路を有する半導
体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示
パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光
学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a circuit composed of thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) and a method for manufacturing the semiconductor device. For example, the present invention relates to an electro-optical device represented by a liquid crystal display panel and an electronic device in which such an electro-optical device is mounted as a component.

【0002】なお、本明細書中において半導体装置と
は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を
指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て
半導体装置である。
[0002] In this specification, a semiconductor device refers to all devices that can function by utilizing semiconductor characteristics, and electro-optical devices, semiconductor circuits, and electronic equipment are all semiconductor devices.

【0003】[0003]

【従来の技術】近年、絶縁表面を有する基板上に形成さ
れた半導体薄膜(厚さ数〜数百nm程度)を用いて薄膜
トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されてい
る。薄膜トランジスタはICや電気光学装置のような電
子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッ
チング素子として開発が急がれている。
2. Description of the Related Art In recent years, a technique for forming a thin film transistor (TFT) using a semiconductor thin film (having a thickness of several to several hundreds nm) formed on a substrate having an insulating surface has been receiving attention. Thin film transistors are widely applied to electronic devices such as ICs and electro-optical devices, and their development is urgently needed especially as a switching element for image display devices.

【0004】液晶表示装置において、高品位な画像を得
るために、画素電極をマトリクス状に配置し、画素電極
の各々に接続するスイッチング素子としてTFTを用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めて
いる。
In a liquid crystal display device, in order to obtain a high-quality image, an active matrix liquid crystal display device in which pixel electrodes are arranged in a matrix and TFTs are used as switching elements connected to each pixel electrode has attracted attention. ing.

【0005】アクティブマトリクス型液晶表示装置には
大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイプが知られ
ている。
The active matrix type liquid crystal display device is roughly classified into two types, a transmission type and a reflection type.

【0006】特に、反射型の液晶表示装置は、透過型の
液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないた
め、消費電力が少ないといった長所を有しており、モバ
イルコンピュータやビデオカメラ用の直視型表示ディス
プレイとしての需要が高まっている。
In particular, the reflective liquid crystal display device has an advantage that it consumes less power than a transmissive liquid crystal display device because it does not use a backlight, and thus has a merit that it is used for mobile computers and video cameras. Demand as a direct-view display is increasing.

【0007】なお、反射型の液晶表示装置は、液晶の光
学変調作用を利用して、入射光が画素電極で反射して装
置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力さ
れない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらに
それらを組み合わせることで、画像表示を行うものであ
る。一般に反射型の液晶表示装置における画素電極は、
アルミニウム等の光反射率の高い金属材料からなり、薄
膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)等のスイッチン
グ素子に電気的に接続している。
The reflective liquid crystal display device utilizes the optical modulation effect of liquid crystal to reflect the incident light to the outside of the device by being reflected by the pixel electrode, and to prevent the incident light from being output to the outside of the device. By selecting and, light and dark are displayed, and by combining them, an image is displayed. Generally, a pixel electrode in a reflective liquid crystal display device is
It is made of a metal material having a high light reflectance such as aluminum, and is electrically connected to a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT).

【0008】また、液晶表示装置においては、アモルフ
ァスシリコンまたはポリシリコンを半導体としたTFT
をマトリクス状に配置して、各TFTに接続された画素
電極とソース線とゲート線とがそれぞれ形成された素子
基板と、これに対向配置された対向電極を有する対向基
板との間に液晶材料が挟持されている。また、カラー表
示するためのカラーフィルタは対向基板に貼りつけられ
ている。そして、素子基板と対向基板にそれぞれ光シャ
ッタとして偏光板を配置し、カラー画像を表示してい
る。
Further, in a liquid crystal display device, a TFT using amorphous silicon or polysilicon as a semiconductor
Are arranged in a matrix, and a liquid crystal material is provided between an element substrate on which pixel electrodes connected to each TFT, source lines, and gate lines are formed, and an opposite substrate having opposite electrodes arranged opposite to the element substrate. Are pinched. A color filter for displaying in color is attached to the counter substrate. Then, a polarizing plate is arranged as an optical shutter on each of the element substrate and the counter substrate to display a color image.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】近年、反射型の液晶表
示装置を応用し、外光のある明るい場合と外光のない暗
い場合を兼用できるものとして半透過型の液晶表示装置
が提案されている。このような半透過型の液晶表示装置
は、バックライトを用いた場合に反射層の一部に透過部
を設け、この透過部を画素中央に四角形状で設けるよう
な構造であった。
In recent years, a semi-transmissive liquid crystal display device has been proposed as an application of a reflection type liquid crystal display device, which can be used both in a bright case with external light and in a dark case without external light. There is. Such a semi-transmissive liquid crystal display device has a structure in which a transmissive portion is provided in a part of the reflective layer when a backlight is used, and the transmissive portion is provided in a rectangular shape in the center of the pixel.

【0010】しかしながら、このような半透過型の液晶
表示装置は、画素を2つの領域に分ける、即ち、反射性
を有する金属電極からなる反射部と透光性を有する導電
膜からなる透過部とで分けられる。
However, such a semi-transmissive liquid crystal display device divides a pixel into two regions, that is, a reflective part made of a reflective metal electrode and a transmissive part made of a transparent conductive film. Divided by.

【0011】例えば、半透過型の液晶表示装置におい
て、反射部の面積を増やそうとすると、透過部の面積を
減らす必要があった。この場合、反射型の液晶表示装置
として使用する場合(反射モードと呼ぶ)、開口率が増
加する一方、透過型の液晶表示装置として使用する場合
(透過モードと呼ぶ)、開口率が低下してしまってい
た。即ち、双方のモードでトレードオフの関係にあっ
た。
For example, in a semi-transmissive liquid crystal display device, it is necessary to reduce the area of the transmissive part in order to increase the area of the reflective part. In this case, when used as a reflective liquid crystal display device (referred to as a reflective mode), the aperture ratio increases, while when used as a transmissive liquid crystal display device (referred to as a transmissive mode), the aperture ratio decreases. I was sick. That is, there was a trade-off relationship between both modes.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、図1
に示すように、半透過型の液晶表示装置(LCDとも呼
ぶ)4にバックライト1で代表される光源からの光を集
光する手段、具体的にはマイクロレンズアレイ3を設け
る構成とする。なお、図1では、端面部に設けられたバ
ックライト1からの光を導光板で導いて光源とした例を
示しているが、特にこの構成に限定されず、導光板を用
いずに面状のバックライトを設けてもよい。
Therefore, according to the present invention, FIG.
As shown in FIG. 3, a transflective liquid crystal display device (also referred to as an LCD) 4 is provided with a means for condensing light from a light source represented by the backlight 1, specifically, a microlens array 3. Although FIG. 1 shows an example in which light from the backlight 1 provided on the end face portion is guided by a light guide plate to be a light source, the light source is not particularly limited to this configuration, and a planar shape can be obtained without using the light guide plate. A backlight may be provided.

【0013】また、マイクロレンズアレイ3には強い指
向性を持った光を入射させる必要がある。従って、従来
用いていた拡散板を用いない。もし、拡散板を用いた場
合、マイクロレンズアレイによって集光させ、透過部か
ら光を通過させることが困難になる。従って、図10に
示すようにプリズムシートのみを用い、導光板2とマイ
クロレンズアレイ3との間にプリズムシート5(図1で
は図示しない)を設けることが好ましい。
Further, it is necessary to make light having a strong directivity incident on the microlens array 3. Therefore, the conventionally used diffuser plate is not used. If a diffusing plate is used, it becomes difficult to collect light by the microlens array and allow light to pass through from the transmitting part. Therefore, as shown in FIG. 10, it is preferable to use only the prism sheet and provide the prism sheet 5 (not shown in FIG. 1) between the light guide plate 2 and the microlens array 3.

【0014】本明細書で開示する発明の構成は、ソース
信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動回路と、複数のソ
ース信号線と複数のゲート信号線が交差する各領域に画
素電極と、前記画素電極を駆動するためのスイッチング
素子と、を有する液晶表示装置において、前記画素電極
は、光源からの光を通過する透過部と外光からの光を反
射する反射部とを有し、前記画素電極と光源との間に光
源からの光を集光する手段が設けられていることを特徴
とする液晶表示装置である。
According to the configuration of the invention disclosed in this specification, a source signal line drive circuit, a gate signal line drive circuit, a pixel electrode in each region where a plurality of source signal lines and a plurality of gate signal lines intersect, and In a liquid crystal display device having a switching element for driving a pixel electrode, the pixel electrode has a transmissive portion that transmits light from a light source and a reflective portion that reflects light from external light, The liquid crystal display device is characterized in that means for collecting light from the light source is provided between the electrode and the light source.

【0015】また、上記構成において、前記光を集光す
る手段は、マイクロレンズアレイであることを特徴とし
ている。
Further, in the above structure, the means for condensing the light is a microlens array.

【0016】また、他の発明の構成は、絶縁表面を有す
る基板上にソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆動
回路と、複数のソース信号線と複数のゲート信号線が交
差する各領域に画素電極と、対向基板と、該対向基板と
前記基板との間に液晶材料とを有する液晶表示装置であ
って、前記画素電極は、光源からの光を通過する透過部
と外光からの光を反射する反射部とを有し、前記基板ま
たは前記対向基板と光源との間に光源からの光を集光す
る手段が設けられていることを特徴とする液晶表示装置
である。
According to another aspect of the invention, the source signal line drive circuit, the gate signal line drive circuit, and the regions where the plurality of source signal lines and the plurality of gate signal lines intersect each other are formed on the substrate having an insulating surface. A liquid crystal display device comprising a pixel electrode, a counter substrate, and a liquid crystal material between the counter substrate and the substrate, wherein the pixel electrode is a transmissive portion that transmits light from a light source and light from external light. And a means for condensing light from the light source is provided between the substrate or the counter substrate and the light source.

【0017】また、上記構成において、前記光を集光す
る手段は、マイクロレンズアレイであることを特徴とし
ている。
Further, in the above structure, the means for condensing the light is a microlens array.

【0018】また、他の発明の構成は、図8(D)にそ
の一例を示したように、マイクロレンズアレイと、透光
性を有する基板と、該基板と前記マイクロレンズアレイ
基板との間に画素電極と、液晶材料とを有し、且つ、前
記画素電極は、光源からの光を通過する透過部と外光か
らの光を反射する反射部とを有していることを特徴とす
る液晶表示装置である。
Further, in another structure of the invention, as shown in the example in FIG. 8D, a microlens array, a light-transmitting substrate, and a space between the substrate and the microlens array substrate are provided. A pixel electrode and a liquid crystal material, and the pixel electrode has a transmissive portion that transmits light from a light source and a reflective portion that reflects light from outside light. It is a liquid crystal display device.

【0019】また、上記各構成において、前記画素電極
の透過部は、透明導電膜からなることを特徴としてい
る。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズと
の化合物(ITOと呼ばれる)、酸化インジウムと酸化
亜鉛との化合物、酸化スズまたは酸化亜鉛などを用いる
ことが可能である。
Further, in each of the above structures, the transparent portion of the pixel electrode is formed of a transparent conductive film. As the transparent conductive film, a compound of indium oxide and tin oxide (called ITO), a compound of indium oxide and zinc oxide, tin oxide, zinc oxide, or the like can be used.

【0020】また、上記各構成において、前記画素電極
の反射部は、透明導電膜と反射性を有する導電膜との積
層であることを特徴としている。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, the reflection portion of the pixel electrode is characterized by being a laminated layer of a transparent conductive film and a conductive film having reflectivity.

【0021】また、上記各構成において、図3に示すよ
うに前記画素電極の反射部は、透明導電膜を下層とし、
反射性を有する導電膜を上層とする積層、或いは、図2
に示すように前記画素電極の反射部は、透明導電膜を上
層とし、反射性を有する導電膜を下層とする積層である
ことを特徴としている。
Further, in each of the above structures, as shown in FIG. 3, the reflective portion of the pixel electrode has a transparent conductive film as a lower layer,
A laminated film having a reflective conductive film as an upper layer, or FIG.
As shown in, the reflective portion of the pixel electrode is characterized by being a laminated layer having a transparent conductive film as an upper layer and a reflective conductive film as a lower layer.

【0022】また、上記各構成において、前記画素電極
の反射部は、反射性を有する導電膜であって、Alまた
はAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜である
ことを特徴としている。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, the reflection portion of the pixel electrode is a conductive film having reflectivity, which is a film containing Al or Ag as a main component or a laminated film thereof. .

【0023】本発明により、半透過型の液晶表示装置に
おいて、透過モードにおける光の利用効率を高めること
ができる。従って、反射電極のサイズを拡大することが
でき、さらに、反射電極の下層にCMOS回路などの基
本論理回路や、複雑なロジック回路(信号分割回路、D
/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など)をも構
成することができ、さらにはメモリ(記憶回路(SRA
MやDRAMなど))やマイクロプロセッサをも作り込
むことができる。
According to the present invention, in a transflective liquid crystal display device, it is possible to improve the light utilization efficiency in the transmissive mode. Therefore, the size of the reflective electrode can be increased, and further, a basic logic circuit such as a CMOS circuit or a complicated logic circuit (signal division circuit, D
A / A converter, operational amplifier, γ correction circuit, etc. can also be configured, and further memory (storage circuit (SRA
M, DRAM, etc.)) and a microprocessor can also be incorporated.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.

【0025】(実施の形態1)ここでは、図1に示した
構成とし、図2に示すように画素電極の反射部は、透明
導電膜を上層とし、反射性を有する導電膜を下層とする
積層とした例を示す。
(Embodiment 1) Here, the structure shown in FIG. 1 is used, and as shown in FIG. 2, the reflective portion of the pixel electrode has a transparent conductive film as an upper layer and a reflective conductive film as a lower layer. An example of stacking is shown.

【0026】図1中、1はバックライト、2は導光板、
3はマイクロレンズアレイ、4は半透過型LCD(ここ
では液晶を一対の基板に挟んだ状態のものを指してい
る)である。ここでは図示しないが、導光板2とマイク
ロレンズアレイ3との間にプリズムシートを設ける。
In FIG. 1, 1 is a backlight, 2 is a light guide plate,
Reference numeral 3 is a microlens array, and 4 is a semi-transmissive LCD (here, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates). Although not shown here, a prism sheet is provided between the light guide plate 2 and the microlens array 3.

【0027】図1における半透過型LCD4を拡大し、
透過モードの時と、反射モードの時でのバックライトか
らの光(平行光)と画素電極との関係を示した図が図2
(A)、図2(B)である。ここでは簡略化のため、画
素電極のみを図示し、TFTを含む素子形成層22の詳
細な説明を省略する。画素電極は、透明導電膜23と反
射電極24とで形成されている。
Enlarging the semi-transmissive LCD 4 in FIG. 1,
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the light (parallel light) from the backlight and the pixel electrode in the transmissive mode and the reflective mode.
(A) and FIG. 2 (B). Here, for simplification, only the pixel electrode is shown, and the detailed description of the element forming layer 22 including the TFT is omitted. The pixel electrode is formed of the transparent conductive film 23 and the reflective electrode 24.

【0028】図2(A)に示す透過モードにおいて、バ
ックライトからの光は、マイクロレンズアレイ21によ
って集光され、透明導電膜23が反射電極24と重なっ
ていない領域(透過部)を通過する。一方、図2(B)
に示す反射モードにおいて、外光は、反射電極24(反
射部)で反射される。なお、画素電極の反射部は、透明
導電膜を上層とし、反射性を有する導電膜を下層とする
積層である。
In the transmissive mode shown in FIG. 2A, the light from the backlight is condensed by the microlens array 21, and passes through the region (transmissive portion) where the transparent conductive film 23 does not overlap the reflective electrode 24. . On the other hand, FIG. 2 (B)
In the reflection mode shown in (1), external light is reflected by the reflection electrode 24 (reflection portion). Note that the reflective portion of the pixel electrode is a stack in which the transparent conductive film is an upper layer and the conductive film having reflectivity is a lower layer.

【0029】なお、反射性を有する導電膜としてアルミ
ニウムを主成分とする材料を用い、透明導電膜としてI
TOを用いた場合、腐食反応を起こしやすいので注意が
必要である。好ましくは、チタンを含む膜などからなる
バッファ層を透明導電膜と反射性を有する導電膜との間
に設ける。
A material containing aluminum as a main component is used as the conductive film having reflectivity, and I is used as the transparent conductive film.
Care must be taken when TO is used because it is apt to cause a corrosion reaction. Preferably, a buffer layer formed of a film containing titanium or the like is provided between the transparent conductive film and the conductive film having reflectivity.

【0030】また、マイクロレンズアレイ21は、構成
される複数のレンズのうち、一つのレンズと一つの画素
の透過部とを対応させればよい。ここでは図示しない
が、レンズをフレネルレンズのような形状にしてもよ
い。
In the microlens array 21, one of the plurality of configured lenses may correspond to the transmissive portion of one pixel. Although not shown here, the lens may be shaped like a Fresnel lens.

【0031】また、図2中、25は液晶材料であり、2
6は対向電極となる透明導電膜、27は対向基板であ
る。なお、ここでは図示しないが、基板20と対向基板
27とはスペーサなどにより一定の距離を保ってシール
材などで貼り合わされている。
Further, in FIG. 2, 25 is a liquid crystal material, and 2
Reference numeral 6 is a transparent conductive film which will be a counter electrode, and 27 is a counter substrate. Although not shown here, the substrate 20 and the counter substrate 27 are bonded to each other with a sealing material or the like with a certain distance maintained by a spacer or the like.

【0032】本発明により、半透過型の液晶表示装置に
おいて、透過モードにおける光の利用効率を高めること
ができる。従って、反射電極24のサイズを拡大するこ
とができ、さらに、反射電極24の下方にCMOS回路
などの基本論理回路や、複雑なロジック回路(信号分割
回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路な
ど)をも構成することができ、さらにはメモリ(記憶回
路(SRAMやDRAMなど))やマイクロプロセッサ
をも作り込むことができる。
According to the present invention, in a transflective liquid crystal display device, it is possible to improve the light utilization efficiency in the transmissive mode. Therefore, the size of the reflection electrode 24 can be increased, and further, a basic logic circuit such as a CMOS circuit or a complicated logic circuit (a signal division circuit, a D / A converter, an operational amplifier, a γ correction circuit) can be provided below the reflection electrode 24. Etc.) can be configured, and further, a memory (storage circuit (SRAM, DRAM, etc.)) or a microprocessor can be built.

【0033】(実施の形態2)ここでは、図2に示した
構成と異なる例を示し、図3に示すように画素電極の反
射部は、透明導電膜を下層とし、反射性を有する導電膜
を上層とする積層とした例を示す。
(Embodiment 2) Here, an example different from the structure shown in FIG. 2 is shown. As shown in FIG. 3, the reflective portion of the pixel electrode has a transparent conductive film as a lower layer and a conductive film having reflectivity. An example is shown in which the upper layer is a laminated layer.

【0034】図3(A)に示す透過モードにおいて、バ
ックライトからの光は、マイクロレンズアレイ31によ
って集光され、透明導電膜33が反射電極34bと重な
っていない領域(透過部)を通過する。一方、図3
(B)に示す反射モードにおいて、外光は、反射電極3
4b(反射部)で反射される。なお、画素電極の反射部
は、透明導電膜を下層とし、反射性を有する導電膜を上
層とする積層である。
In the transmission mode shown in FIG. 3A, the light from the backlight is collected by the microlens array 31 and passes through the region (transmission part) where the transparent conductive film 33 does not overlap the reflection electrode 34b. . On the other hand, FIG.
In the reflection mode shown in (B), external light is reflected by the reflection electrode 3
It is reflected by 4b (reflecting portion). Note that the reflective portion of the pixel electrode is a stack in which the transparent conductive film is a lower layer and the reflective conductive film is an upper layer.

【0035】なお、反射性を有する導電膜としてアルミ
ニウムを主成分とする材料を用い、透明導電膜としてI
TOを用いた場合、腐食反応を起こしやすいので注意が
必要である。好ましくは、チタンを含む膜などからなる
バッファ層34aを透明導電膜と反射性を有する導電膜
との間に設ける。
A material containing aluminum as a main component is used as the conductive film having reflectivity, and I is used as the transparent conductive film.
Care must be taken when TO is used because it is apt to cause a corrosion reaction. Preferably, the buffer layer 34a made of a film containing titanium or the like is provided between the transparent conductive film and the reflective conductive film.

【0036】また、マイクロレンズアレイ31は、構成
される複数のレンズのうち、一つのレンズと一つの画素
の透過部とを対応させればよい。ここでは図示しない
が、レンズをフレネルレンズのような形状にしてもよ
い。
Further, in the microlens array 31, one of the plurality of lenses configured may correspond to one lens and the transmissive portion of one pixel. Although not shown here, the lens may be shaped like a Fresnel lens.

【0037】また、図3中、35は液晶材料であり、3
6は対向電極となる透明導電膜、37は対向基板であ
る。なお、ここでは図示しないが、基板30と対向基板
37とはスペーサなどにより一定の距離を保ってシール
材などで貼り合わされている。
In FIG. 3, 35 is a liquid crystal material, and 3
Reference numeral 6 is a transparent conductive film to be a counter electrode, and 37 is a counter substrate. Although not shown here, the substrate 30 and the counter substrate 37 are attached to each other with a sealing material or the like with a certain distance maintained by a spacer or the like.

【0038】本発明により、半透過型の液晶表示装置に
おいて、透過モードにおける光の利用効率を高めること
ができる。従って、反射電極34bのサイズを拡大する
ことができ、さらに、反射電極34bの下方にCMOS
回路などの基本論理回路や、複雑なロジック回路(信号
分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路
など)をも構成することができ、さらにはメモリ(記憶
回路(SRAMやDRAMなど))やマイクロプロセッ
サをも作り込むことができる。
According to the present invention, in a transflective liquid crystal display device, it is possible to improve the light utilization efficiency in the transmissive mode. Therefore, the size of the reflective electrode 34b can be increased, and the CMOS can be formed below the reflective electrode 34b.
A basic logic circuit such as a circuit, a complicated logic circuit (a signal dividing circuit, a D / A converter, an operational amplifier, a γ correction circuit, or the like) can be configured, and a memory (a memory circuit (SRAM, DRAM, or the like)). You can also build a microprocessor.

【0039】以上の構成でなる本発明について、以下に
示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。
The present invention having the above structure will be described in more detail with reference to the following embodiments.

【0040】(実施例) [実施例1]本実施例では、本発明で用いられる半透過
型の液晶表示装置が有する画素部の詳しい構成について
説明する。本発明により、半透過型の液晶表示装置にお
いて、透過モードにおける光の利用効率を高めることが
できる。従って、反射電極のサイズを拡大することがで
き、さらに、反射電極の下方にメモリを作り込むことが
できる。
(Example) [Example 1] In this example, a detailed structure of a pixel portion included in a transflective liquid crystal display device used in the present invention will be described. According to the present invention, in a semi-transmissive liquid crystal display device, it is possible to improve the light utilization efficiency in the transmissive mode. Therefore, the size of the reflective electrode can be increased, and a memory can be formed below the reflective electrode.

【0041】画素部にはマトリクス状に複数の画素20
4が配列される。画素204の拡大図を図4に示す。画
素204には、画素TFT205と、SRAM207
と、対向電極と画素電極の間に液晶を挟んだ液晶セル2
08とが設けられている。
A plurality of pixels 20 are arranged in a matrix in the pixel portion.
4 are arranged. An enlarged view of the pixel 204 is shown in FIG. The pixel 204 includes a pixel TFT 205 and an SRAM 207.
And a liquid crystal cell 2 in which liquid crystal is sandwiched between the counter electrode and the pixel electrode.
08 and are provided.

【0042】画素TFT205のゲート電極は、ゲート
信号線209に接続されている。また、画素TFT20
5のソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号線
210に、もう一方はSRAM207の入力側に接続さ
れている。
The gate electrode of the pixel TFT 205 is connected to the gate signal line 209. In addition, the pixel TFT 20
One of the source region and the drain region of 5 is connected to the source signal line 210, and the other is connected to the input side of the SRAM 207.

【0043】SRAM207はpチャネル型TFTとn
チャネル型TFTを2つづつ有しており、pチャネル型
TFTのソース領域は高電圧側電源線211に接続さ
れ、電圧Vddhに保たれている。またnチャネル型T
FTのソース領域は低電圧側電源線212に接続されて
おり、電圧Vssに保たれている。なおVddh>Vs
sである。1つのpチャネル型TFTと1つのnチャネ
ル型TFTとが対になっており、1つのSRAMの中に
pチャネル型TFTとnチャネル型TFTとの対が2組
存在することになる。
The SRAM 207 is a p-channel type TFT and an n-type.
It has two channel type TFTs, and the source region of the p channel type TFT is connected to the high voltage side power source line 211 and is kept at the voltage Vddh. N channel type T
The source region of the FT is connected to the low voltage side power supply line 212 and is maintained at the voltage Vss. Note that Vddh> Vs
s. One p-channel type TFT and one n-channel type TFT are paired, and one SRAM has two pairs of the p-channel type TFT and the n-channel type TFT.

【0044】対になったpチャネル型TFTとnチャネ
ル型TFTは、そのドレイン領域が互いに接続されてい
る。また対になったpチャネル型TFTとnチャネル型
TFTは、そのゲート電極が互いに接続されている。そ
して互いに一方の対のpチャネル型及びnチャネル型T
FTのドレイン領域が、もう一方の対のpチャネル型及
びnチャネル型TFTのゲート電極と同じ電位に保たれ
ている。そして一方の対のpチャネル型及びnチャネル
型TFTのドレイン領域は入力の信号(Vin)が入る
入力側であり、もう一方の対のpチャネル型及びnチャ
ネル型TFTのドレイン領域は出力の信号(Vout)
が出力される出力側である。
The drain regions of the paired p-channel TFT and n-channel TFT are connected to each other. The gate electrodes of the p-channel TFT and the n-channel TFT which are paired are connected to each other. And one pair of p-channel type and n-channel type T
The drain region of the FT is kept at the same potential as the gate electrodes of the other pair of p-channel and n-channel TFTs. The drain regions of the pair of p-channel type and n-channel type TFTs are the input side where the input signal (Vin) is input, and the drain regions of the other pair of p-channel type and n-channel type TFTs are the output signals. (Vout)
Is the output side where is output.

【0045】SRAMはVinを保持し、Vinを反転
させた信号であるVoutを出力するように設計されて
いる。つまり、VinがHiだとVoutはVss相当
のLoの信号となり、VinがLoだとVoutはVd
dh相当のHiの信号となる。
The SRAM is designed to hold Vin and output Vout which is a signal obtained by inverting Vin. That is, when Vin is Hi, Vout becomes a Lo signal corresponding to Vss, and when Vin is Lo, Vout is Vd.
It becomes a Hi signal corresponding to dh.

【0046】SRAM207の出力側は、液晶セル20
8が有する画素電極に接続されている。画素電極は、実
施の形態1または実施の形態2に示したように反射部と
透過部とを有している。
The output side of the SRAM 207 is connected to the liquid crystal cell 20.
8 is connected to the pixel electrode. The pixel electrode has a reflective portion and a transmissive portion as described in Embodiment 1 or 2.

【0047】ゲート信号線209に入力される選択信号
により、画素TFT205はオンの状態になる。そして
ソース信号線210に入力されたデジタルビデオ信号
は、画素TFT205を介してSRAM207の入力側
にVinとして入力される。
The pixel TFT 205 is turned on by the selection signal input to the gate signal line 209. Then, the digital video signal input to the source signal line 210 is input as Vin to the input side of the SRAM 207 via the pixel TFT 205.

【0048】入力されたデジタルビデオ信号は、次のデ
ジタルビデオ信号が入力されるまで保持される。またS
RAMはDRAMに比べてデジタルビデオ信号の書き込
みにかかる時間が短く、高速でデータの書き込みを行う
ことが可能である。
The input digital video signal is held until the next digital video signal is input. Also S
A RAM takes a shorter time to write a digital video signal than a DRAM, and data can be written at high speed.

【0049】デジタルビデオ信号は、1または0の情報
を有しており、SRAM707に入力されたデジタルビ
デオ信号は、その情報が反転して出力される。例えば1
の情報を有するデジタルビデオ信号がSRAM207に
入力されると、0の情報を有するデジタルビデオ信号が
SRAM207の出力側からVoutとして出力され
る。逆に0の情報を有するデジタルビデオ信号がSRA
M207に入力されると、1の情報を有するデジタルビ
デオ信号がSRAM207の出力側からVoutとして
出力される。
The digital video signal has 1 or 0 information, and the digital video signal input to the SRAM 707 has its information inverted and output. Eg 1
When the digital video signal having the information of 1 is input to the SRAM 207, the digital video signal having the information of 0 is output as Vout from the output side of the SRAM 207. Conversely, a digital video signal having 0 information is SRA
When input to M207, the digital video signal having the information of 1 is output as Vout from the output side of the SRAM 207.

【0050】SRAM207の出力側から出力されたデ
ジタルビデオ信号は、液晶セル208が有する画素電極
に入力される。そしてデジタルビデオ信号が有する1ま
たは0の情報に従って液晶が駆動し、透過光量または反
射光量が制御される。
The digital video signal output from the output side of the SRAM 207 is input to the pixel electrode of the liquid crystal cell 208. Then, the liquid crystal is driven according to the information of 1 or 0 included in the digital video signal, and the amount of transmitted light or the amount of reflected light is controlled.

【0051】そして同様に、全ての画素にデジタルビデ
オ信号が入力されることによって、各画素の有する液晶
セルが遮光するかしないかが選択される。
Similarly, by inputting the digital video signal to all the pixels, it is selected whether or not the liquid crystal cell of each pixel shields light.

【0052】さらに全てのビットのデジタルビデオ信号
が全ての画素に入力されると、1つの画像が表示され
る。1フレーム期間中に、各画素の液晶セルが光を透過
している期間の長さを制御することによって階調表示を
行ってもよいし、複数の画素を1つの単位とし、光を透
過または反射している液晶セルを有する画素の面積を制
御することで階調表示を行っても良い。
Further, when the digital video signals of all the bits are input to all the pixels, one image is displayed. Grayscale display may be performed by controlling the length of the period during which the liquid crystal cell of each pixel transmits light during one frame period, or a plurality of pixels may be used as one unit to transmit light or Grayscale display may be performed by controlling the area of a pixel having a reflective liquid crystal cell.

【0053】本発明においてSRAMを画素中に設ける
ことで、画素に入力されたデジタルビデオ信号を、次の
デジタルビデオ信号が入力されるまでより確実に保持す
ることが可能になる。すなわち、液晶セル208の画素
電極において保持される電荷が画素TFTのリーク電流
によって減少するのを防ぎ、液晶セルの透過光量または
反射光量が変化することを防ぐことが可能になる。
By providing the SRAM in the pixel in the present invention, the digital video signal input to the pixel can be held more reliably until the next digital video signal is input. That is, it is possible to prevent the charge held in the pixel electrode of the liquid crystal cell 208 from decreasing due to the leak current of the pixel TFT, and prevent the amount of transmitted light or the amount of reflected light of the liquid crystal cell from changing.

【0054】なお揮発性のメモリはTFTを用いて形成
することが可能なため、画素TFTと同時に形成するこ
とが可能である。
Since the volatile memory can be formed by using TFTs, it can be formed at the same time as the pixel TFTs.

【0055】なお本発明において、保持容量は積極的に
設けなくとも良い。保持容量を設けない場合、デジタル
ビデオ信号を画素に入力する時間を短くすることが可能
になる。そのため液晶表示装置の画素数が増加しても、
書き込み期間の長さを抑えることができる。
In the present invention, the storage capacitor does not have to be positively provided. When the storage capacitor is not provided, the time for inputting the digital video signal to the pixel can be shortened. Therefore, even if the number of pixels of the liquid crystal display device increases,
The length of the writing period can be suppressed.

【0056】[実施例2]本実施例では、本発明で用い
られる半透過型の液晶表示装置が有する画素部の他の構
成について説明する。
[Embodiment 2] In this embodiment, another structure of the pixel portion included in the transflective liquid crystal display device used in the present invention will be described.

【0057】図5は、画素における回路構成を詳細に示
したものである。この画素は、3ビットデジタル階調に
対応したものであり、液晶素子(LC)、保持容量(C
s)、記憶回路(505〜507)及びD/A(D/A
コンバータ:511)等を有している。501はソース
信号線、502〜504は書き込み用ゲート信号線、5
08〜510は書き込み用TFTである。
FIG. 5 shows in detail the circuit configuration of the pixel. This pixel corresponds to a 3-bit digital gradation, and includes a liquid crystal element (LC) and a storage capacitor (C
s), storage circuits (505 to 507) and D / A (D / A
It has a converter: 511) and the like. Reference numeral 501 is a source signal line, 502 to 504 are write gate signal lines, 5
Reference numerals 08 to 510 are writing TFTs.

【0058】D/Aコンバータ511の具体例は本実施
例にて記述するが、本実施例に記述された以外の方式を
用いてD/Aコンバータを構成してもかまわない。
Although a specific example of the D / A converter 511 will be described in this embodiment, the D / A converter may be configured using a method other than that described in this embodiment.

【0059】まず、各フレーム期間をα、β、γと表記
して区間αにおける回路動作について説明する。
First, the circuit operation in the section α will be described by representing each frame period as α, β, γ.

【0060】従来のデジタル方式の駆動回路の場合と同
様に、シフトレジスタ回路にクロック信号(S−CL
K、S−CLKb)およびスタートパルス(S−SP)
が入力され、順次サンプリングパルスが出力される。続
いて、サンプリングパルスは第1のラッチ回路(LAT
1)に入力され、同じく第1のラッチ回路に入力された
デジタル映像信号(Digital Data)をそれ
ぞれ保持していく。この期間を、本明細書においてはド
ットデータサンプリング期間と表記する。1水平期間分
のドットデータサンプリング期間は、1〜480で示す
各期間である。デジタル映像信号は3ビットである。第
1のラッチ回路において、1水平周期分のデジタル映像
信号の保持が完了すると、帰線期間中に、第1のラッチ
回路で保持されているデジタル映像信号は、ラッチ信号
(Latch Pulse)の入力に従い、一斉に第2
のラッチ回路(LAT2)へと転送される。
As in the case of the conventional digital drive circuit, the clock signal (S-CL
K, S-CLKb) and start pulse (S-SP)
Are input, and sampling pulses are sequentially output. Then, the sampling pulse is applied to the first latch circuit (LAT
The digital video signals (Digital Data) input to 1) and also input to the first latch circuit are held respectively. This period is referred to as a dot data sampling period in this specification. The dot data sampling period for one horizontal period is each period indicated by 1 to 480. The digital video signal has 3 bits. When the holding of the digital video signal for one horizontal period is completed in the first latch circuit, the digital video signal held in the first latch circuit is input with the latch signal (Latch Pulse) during the blanking period. According to the second
Is transferred to the latch circuit (LAT2).

【0061】続いて、再びシフトレジスタ回路から出力
されるサンプリングパルスに従い、次水平周期分のデジ
タル映像信号の保持動作が行われる。
Subsequently, the holding operation of the digital video signal for the next horizontal period is performed in accordance with the sampling pulse output from the shift register circuit again.

【0062】一方、第2のラッチ回路に転送されたデジ
タル映像信号は、画素内に配置された記憶回路に書き込
まれる。次列のドットデータサンプリング期間をI、II
およびIIIと3分割し、第2のラッチ回路に保持されて
いるデジタル映像信号をソース信号線に出力する。この
とき、ビット信号選択スイッチによって、各ビットの信
号が順番にソース信号線に出力されるように選択的に接
続される。
On the other hand, the digital video signal transferred to the second latch circuit is written in the memory circuit arranged in the pixel. Set the dot data sampling period for the next row to I, II
And III divided into three, and the digital video signal held in the second latch circuit is output to the source signal line. At this time, the bit signal selection switch selectively connects the signals of each bit so as to be sequentially output to the source signal line.

【0063】期間Iでは、書き込み用ゲート信号線50
2にパルスが入力されてTFT508が導通し、記憶回
路505にデジタル映像信号が書き込まれる。続いて、
期間IIでは、書き込み用ゲート信号線503にパルスが
入力されてTFT509が導通し、記憶回路506にデ
ジタル映像信号が書き込まれる。最後に、期間IIIで
は、書き込み用ゲート信号線504にパルスが入力され
てTFT510が導通し、記憶回路507にデジタル映
像信号が書き込まれる。
In the period I, the writing gate signal line 50
A pulse is input to 2 to turn on the TFT 508, and the digital video signal is written to the memory circuit 505. continue,
In the period II, a pulse is input to the writing gate signal line 503, the TFT 509 becomes conductive, and a digital video signal is written in the memory circuit 506. Finally, in the period III, a pulse is input to the writing gate signal line 504, the TFT 510 is turned on, and a digital video signal is written to the memory circuit 507.

【0064】以上で、1水平期間分のデジタル映像信号
の処理が終了する。以上の動作を最終段まで行うことに
より、1フレーム分のデジタル映像信号が記憶回路50
5に書き込まれる。
Thus, the processing of the digital video signal for one horizontal period is completed. By performing the above operation to the final stage, a digital video signal for one frame is stored in the storage circuit 50.
Written to 5.

【0065】書き込まれたデジタル映像信号は、D/A
511によってアナログ信号に変換され、液晶素子に入
力される。本実施例において、液晶素子の画素電極は、
実施の形態1または実施の形態2に示したように反射部
と透過部とを有している。このアナログ信号に応じて液
晶素子の透過率または反射率が変化し、階調を表現す
る。ここでは、3ビットであるから、輝度は0〜7まで
の8段階が得られる。
The written digital video signal is D / A
The signal is converted into an analog signal by 511 and input to the liquid crystal element. In this embodiment, the pixel electrode of the liquid crystal element is
As shown in Embodiment 1 or 2, it has a reflection portion and a transmission portion. The transmissivity or the reflectivity of the liquid crystal element changes according to the analog signal to express a gradation. Here, since it is 3 bits, 8 levels of brightness from 0 to 7 can be obtained.

【0066】以上の動作を繰り返して、映像の表示が継
続的に行われる。ここで、静止画を表示する場合には、
最初の動作で記憶回路505〜507にいったんデジタ
ル映像信号が記憶されてからは、各フレーム期間で記憶
回路505〜507に記憶されたデジタル映像信号を反
復して読み出せば良い。したがってこの静止画が表示さ
れている期間中は、ソース信号線駆動回路の駆動を停止
させることが出来る。
By repeating the above operation, the image is continuously displayed. Here, when displaying a still image,
After the digital video signals are once stored in the storage circuits 505 to 507 in the first operation, the digital video signals stored in the storage circuits 505 to 507 may be repeatedly read out in each frame period. Therefore, the drive of the source signal line drive circuit can be stopped while the still image is displayed.

【0067】さらに、記憶回路へのデジタル映像信号の
書き込み、あるいは記憶回路からのデジタル映像信号の
読み出しは、ゲート信号線1本単位で行うことが可能で
ある。すなわち、ソース信号線駆動回路を短期間のみ動
作させ、画面の一部のみを書き換えるなどといった表示
方法をとることも出来る。
Further, writing of the digital video signal to the storage circuit or reading of the digital video signal from the storage circuit can be performed in units of one gate signal line. That is, it is possible to adopt a display method in which the source signal line drive circuit is operated for a short period of time and only part of the screen is rewritten.

【0068】この場合は、ゲート信号線駆動回路とし
て、デコーダを使うのが望ましい。デコーダを使用する
場合には、特開平8−101609号公報に開示された
回路を用いればよい。また、ソース信号線駆動回路にも
デコーダを用いて部分書き換えを行うことも可能であ
る。
In this case, it is desirable to use a decoder as the gate signal line drive circuit. When using a decoder, the circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-101609 may be used. It is also possible to partially rewrite the source signal line driver circuit by using a decoder.

【0069】また、本実施例においては、1画素内に3
つの記憶回路を有し、3ビットのデジタル映像信号を1
フレーム分だけ記憶する機能を有しているが、本発明は
この数に限定しない。つまり、nビットのデジタル映像
信号をmフレーム分だけ記憶するには、1画素内にn×
m個の記憶回路を有していれば良い。
Further, in this embodiment, 3 pixels are included in one pixel.
It has three memory circuits and can output 1-bit digital video signal
Although it has a function of storing only the frames, the present invention is not limited to this number. That is, to store an n-bit digital video signal for m frames, n ×
It suffices to have m memory circuits.

【0070】以上の方法により、画素内に実装された記
憶回路を用いてデジタル映像信号の記憶を行うことによ
り、静止画を表示する際に各フレーム期間で記憶回路に
記憶されたデジタル映像信号を反復して用い、外部回
路、ソース信号線駆動回路などを駆動することなく、継
続的に静止画表示が可能となる。よって、液晶表示装置
の低消費電力化に大きく貢献することが出来る。
By storing the digital video signal by using the storage circuit mounted in the pixel by the above method, the digital video signal stored in the storage circuit in each frame period when a still image is displayed is stored. It can be used repeatedly, and still images can be continuously displayed without driving an external circuit, a source signal line driver circuit, or the like. Therefore, it can greatly contribute to the reduction of power consumption of the liquid crystal display device.

【0071】また、ソース信号線駆動回路に関しては、
ビット数に応じて増加するラッチ回路等の配置の問題か
ら、必ずしも絶縁体上に一体形成する必要はなく、その
一部あるいは全部を外付けで構成しても良い。
Regarding the source signal line drive circuit,
Due to the problem of the layout of the latch circuit and the like which increases depending on the number of bits, it is not always necessary to integrally form it on the insulator, and part or all of it may be externally attached.

【0072】さらに、本実施例にて示したソース信号線
駆動回路においては、ビット数に応じたラッチ回路を配
置しているが、1ビット分のみ配置して動作させること
も可能である。この場合、上位ビットから下位ビットの
デジタル映像信号を直列にラッチ回路に入力すれば良
い。
Further, in the source signal line drive circuit shown in this embodiment, the latch circuit corresponding to the number of bits is arranged, but it is also possible to arrange and operate only one bit. In this case, the digital video signals of higher bits to lower bits may be input to the latch circuit in series.

【0073】図6に携帯情報端末に本実施例を実施した
例を示す。図6は、携帯情報端末のブロック図である。
この例では静止画を表示する場合には、CPU406の
映像信号処理回路407、VRAM411などの機能を
停止させ、消費電力の低減を図ることができる。図6で
は動作を行う部分を点線で表示してある。また、コント
ローラ412はCOGで表示装置413に装着してもよ
いし、表示装置内部に一体形成してもよい。
FIG. 6 shows an example in which this embodiment is applied to a portable information terminal. FIG. 6 is a block diagram of a mobile information terminal.
In this example, when displaying a still image, the functions of the video signal processing circuit 407 of the CPU 406, the VRAM 411, and the like can be stopped to reduce power consumption. In FIG. 6, the portion that performs the operation is indicated by a dotted line. Further, the controller 412 may be attached to the display device 413 by COG, or may be integrally formed inside the display device.

【0074】[実施例3]本実施例では、図1よりもさ
らに詳細な断面構造を図7に示す。
[Embodiment 3] In this embodiment, FIG. 7 shows a more detailed sectional structure than that of FIG.

【0075】画素部のTFTは、公知の技術を用いて基
板710上にTFTを形成し、アクティブマトリクス基
板を形成すればよい。画素部においてTFTのソース領
域またはドレイン領域と接する電極の一方を反射性を有
する金属材料で形成し、画素電極(反射部)712を形
成する。次いで、画素電極(反射部)712と一部重な
るように、透光性を有する導電膜からなる画素電極(透
過部)711を形成する。透光性を有する導電膜として
は、ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化イン
ジウム酸化亜鉛合金(In23―ZnO)、酸化亜鉛
(ZnO)等を用いればよい。
The TFT of the pixel portion may be formed by forming a TFT on the substrate 710 by using a known technique to form an active matrix substrate. In the pixel portion, one of the electrodes which is in contact with the source region or the drain region of the TFT is formed using a reflective metal material to form a pixel electrode (reflection portion) 712. Next, a pixel electrode (transmissive portion) 711 made of a conductive film having a light-transmitting property is formed so as to partially overlap with the pixel electrode (reflective portion) 712. As the light-transmitting conductive film, ITO (indium oxide-tin oxide alloy), indium oxide-zinc oxide alloy (In 2 O 3 —ZnO), zinc oxide (ZnO), or the like may be used.

【0076】アクティブマトリクス基板と、接着剤によ
って対向基板を貼り合わせて液晶モジュールを作製す
る。そして、得られた液晶モジュールにバックライト7
14、導光板715を設け、導光板715上にプリズム
シート(図示しない)を設け、プリズムシート上に1つ
のレンズが1つの画素の透過部に対応するようにマイク
ロレンズアレイ718を設け、カバー716で覆えば、
図7にその断面図の一部を示したようなアクティブマト
リクス型液晶表示装置が完成する。なお、マイクロレン
ズアレイ718と液晶モジュールはマイクロレンズアレ
イ718の材料よりも屈折率が低い材料からなる接着層
718を用いて貼り合わせる。こうすることによってバ
ックライトからマイクロレンズアレイ718を通過した
光を透過部へ集光させることができる。なお、カバーと
液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせ
る。また、アクティブマトリクス基板と対向基板を貼り
合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充
填して接着してもよい。また、半透過型であるので偏光
板713a、713bは、基板710と対向基板の両方
に貼り付ける。
A liquid crystal module is manufactured by bonding the active matrix substrate and the counter substrate with an adhesive. Then, a backlight 7 is provided on the obtained liquid crystal module.
14, a light guide plate 715 is provided, a prism sheet (not shown) is provided on the light guide plate 715, a microlens array 718 is provided on the prism sheet so that one lens corresponds to a transmissive portion of one pixel, and a cover 716 is provided. If covered with
An active matrix type liquid crystal display device as shown in FIG. 7 is partially completed. The microlens array 718 and the liquid crystal module are attached to each other by using an adhesive layer 718 made of a material having a lower refractive index than the material of the microlens array 718. By doing so, the light that has passed through the microlens array 718 from the backlight can be focused on the transmissive portion. The cover and the liquid crystal module are attached to each other with an adhesive or an organic resin. When the active matrix substrate and the counter substrate are attached to each other, they may be surrounded by a frame and filled with an organic resin between the frame and the substrate for adhesion. Since it is a semi-transmissive type, the polarizing plates 713a and 713b are attached to both the substrate 710 and the counter substrate.

【0077】[実施例4]本実施例では、作製したアク
ティブマトリクス基板から、基板800を剥離してマイ
クロレンズアレイ812を貼り合わせてアクティブマト
リクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明す
る。説明には図8を用いる。
[Embodiment 4] In this embodiment, a process of manufacturing an active matrix type liquid crystal display device by separating the substrate 800 from the manufactured active matrix substrate and adhering the microlens array 812 will be described below. FIG. 8 is used for the description.

【0078】図8(A)において、800は基板、80
1は第1の材料層、802は第2の材料層、803は下
地絶縁層、804aは駆動回路813の素子、804b
は画素部814の素子804b、805a、805bは
画素電極である。画素電極は、実施の形態1または実施
の形態2に示したように反射部805aと透過部805
bとを有している。ここで素子とは、アクティブマトリ
クス型の液晶表示装置において、画素のスイッチング素
子として用いる半導体素子(典型的にはTFT)もしく
はMIM素子等を指す。
In FIG. 8A, reference numeral 800 denotes a substrate, and 80
Reference numeral 1 is a first material layer, 802 is a second material layer, 803 is a base insulating layer, 804a is an element of the driver circuit 813, and 804b.
The elements 804b, 805a, and 805b of the pixel portion 814 are pixel electrodes. The pixel electrode has a reflective portion 805 a and a transmissive portion 805 as described in Embodiment 1 or Embodiment 2.
b. Here, the element refers to a semiconductor element (typically a TFT) or a MIM element used as a switching element of a pixel in an active matrix type liquid crystal display device.

【0079】まず、基板上に50nmのタングステン膜
からなる引張応力を有する第1の材料層801とスパッ
タ法で得られる酸化シリコンからなる圧縮応力を有する
第2の材料層802を形成した後、下地絶縁膜を形成
し、該下地絶縁膜上に公知の技術を用いて各素子を作製
し、アクティブマトリクス基板を得た後、アクティブマ
トリクス基板上に配向膜806aを形成しラビング処理
を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、ア
クリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることに
よって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ(図示
しない)を所望の位置に形成した。また、柱状のスペー
サに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよ
い。
First, a first material layer 801 having a tensile stress formed of a 50 nm tungsten film and a second material layer 802 having a compressive stress formed of silicon oxide obtained by a sputtering method are formed on a substrate, and then a base layer is formed. An insulating film is formed, each element is manufactured on the base insulating film by a known technique to obtain an active matrix substrate, and then an alignment film 806a is formed over the active matrix substrate and rubbing treatment is performed. In this example, before forming the alignment film, a columnar spacer (not shown) for holding the space between the substrates was formed at a desired position by patterning an organic resin film such as an acrylic resin film. Further, spherical spacers may be dispersed over the entire surface of the substrate instead of the columnar spacers.

【0080】次いで、支持体807となる対向基板を用
意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に
対応して配置されたカラーフィルタ(図示しない)が設
けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設け
た。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜(図
示しない)を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜
からなる対向電極808を画素部に形成し、対向基板の
全面に配向膜806bを形成し、ラビング処理を施し
た。
Next, a counter substrate to be the support 807 is prepared. The counter substrate is provided with a color filter (not shown) in which a colored layer and a light shielding layer are arranged corresponding to each pixel. Further, a light-shielding layer was also provided in the drive circuit portion. A flattening film (not shown) covering the color filter and the light shielding layer was provided. Next, a counter electrode 808 made of a transparent conductive film was formed on the flattening film in the pixel portion, an alignment film 806b was formed over the entire surface of the counter substrate, and rubbing treatment was performed.

【0081】そして、画素部と駆動回路が形成されたア
クティブマトリクス基板800と支持体807とを接着
層809となるシール材で貼り合わせる。シール材には
フィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペー
サによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせ
られる。その後、両基板の間に液晶材料810を注入
し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。(図
8(B))液晶材料810には公知の液晶材料を用いれ
ば良い。
Then, the active matrix substrate 800 on which the pixel portion and the driving circuit are formed and the support 807 are attached to each other with a sealing material which becomes an adhesive layer 809. A filler is mixed in the sealing material, and the two substrates are bonded to each other with a uniform interval by the filler and the columnar spacer. After that, a liquid crystal material 810 is injected between both substrates and completely sealed with a sealant (not shown). (FIG. 8B) As the liquid crystal material 810, a known liquid crystal material may be used.

【0082】次いで、第1の材料層801が設けられて
いる基板800を物理的手段により引き剥がす。(図8
(C))第2の材料層802が圧縮応力を有し、第1の
材料層801が引張応力を有するため、比較的小さな力
で引き剥がすことができる。
Next, the substrate 800 provided with the first material layer 801 is peeled off by physical means. (Fig. 8
(C) Since the second material layer 802 has a compressive stress and the first material layer 801 has a tensile stress, it can be peeled off with a relatively small force.

【0083】次いで、エポキシ樹脂などの接着層811
により転写体であるマイクロレンズアレイ812に貼り
付ける。なお、マイクロレンズアレイ812の一つのレ
ンズと、一つの透過部805bとの位置をそれぞれ合わ
せて貼りつける。本実施例では、マイクロレンズアレイ
812とすることで、軽量化を図る。
Next, an adhesive layer 811 made of epoxy resin or the like.
Then, it is attached to the microlens array 812 which is a transfer body. It should be noted that one lens of the microlens array 812 and one transmissive part 805b are aligned and attached. In this embodiment, the weight is reduced by using the microlens array 812.

【0084】このようにして軽量化された半透過型の液
晶表示装置が完成する。さらに、公知の技術を用いて偏
光板(図示しない)等を適宜設けた。そして、公知の技
術を用いてFPC(図示しない)を貼りつけた。
Thus, the light-weight transflective liquid crystal display device is completed. Further, a polarizing plate (not shown) and the like are appropriately provided by using a known technique. Then, an FPC (not shown) was attached using a known technique.

【0085】また、本実施例は、実施の形態1または実
施の形態2、実施例1乃至3のいずれか一と組み合わせ
ることができる。
This embodiment can be combined with any one of Embodiment Mode 1 or Embodiment Mode 2 and Embodiments 1 to 3.

【0086】[実施例5]本発明を実施して形成された
半透過型の液晶表示装置は、様々な電子機器を完成させ
ることができる。即ち、本発明を実施することによっ
て、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
[Embodiment 5] A semi-transmissive liquid crystal display device formed by implementing the present invention can complete various electronic devices. That is, by implementing the present invention, all electronic devices incorporating them are completed.

【0087】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッド
マウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音
響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、
ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情
報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲー
ム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装
置(具体的にはDVD:Digital Versatile Disc)等の
記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備
えた装置)などが挙げられる。それらの一例を図9に示
す。
Examples of such electronic equipment include video cameras, digital cameras, goggle type displays (head mount displays), navigation systems, sound reproduction devices (car audio systems, audio components, etc.),
Recording of notebook type personal computers, game machines, portable information terminals (mobile computers, cell phones, portable game machines, electronic books, etc.), image reproducing devices equipped with recording media (specifically, DVD: Digital Versatile Discs), etc. An apparatus including a display device capable of reproducing a medium and displaying an image thereof is included. Examples of those are shown in FIG.

【0088】図9(A)は表示装置であり、筐体200
1、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2
004、ビデオ入力端子2005等を含む。なお、表示
装置は、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用など
の全ての情報表示用表示装置が含まれる。ちなみに図9
(A)に示すディスプレイは中小型または大型のもの、
例えば5〜20インチの画面サイズのものである。ま
た、このようなサイズの表示部を形成するためには、基
板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産す
ることが好ましい。
FIG. 9A shows a display device, which is a housing 200.
1, support base 2002, display unit 2003, speaker unit 2
004, a video input terminal 2005 and the like. The display device includes all display devices for displaying information, such as those for personal computers, those for receiving TV broadcasting, and those for displaying advertisements. By the way, Figure 9
The display shown in (A) is of a small, medium or large size,
For example, the screen size is 5 to 20 inches. Further, in order to form a display portion having such a size, it is preferable to use a substrate whose one side is 1 m and perform multi-chambering for mass production.

【0089】図9(B)はデジタルスチルカメラであ
り、本体2101、表示部2102、受像部2103、
操作キー2104、外部接続ポート2105、シャッタ
ー2106等を含む。本
FIG. 9B shows a digital still camera including a main body 2101, a display section 2102, an image receiving section 2103,
An operation key 2104, an external connection port 2105, a shutter 2106 and the like are included. Book

【0090】図9(C)はノート型パーソナルコンピュ
ータであり、本体2201、筐体2202、表示部22
03、キーボード2204、外部接続ポート2205、
ポインティングマウス2206等を含む。
FIG. 9C shows a laptop personal computer, which has a main body 2201, a housing 2202, and a display section 22.
03, keyboard 2204, external connection port 2205,
A pointing mouse 2206 and the like are included.

【0091】図9(D)はモバイルコンピュータであ
り、本体2301、表示部2302、スイッチ230
3、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含
む。
FIG. 9D shows a mobile computer, which has a main body 2301, a display portion 2302, and a switch 230.
3, an operation key 2304, an infrared port 2305 and the like.

【0092】図9(E)は記録媒体を備えた携帯型の画
像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体
2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B
2404、記録媒体(DVD等)読み込み部2405、
操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。な
お、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機
器なども含まれる。
FIG. 9E shows a portable image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which includes a main body 2401, a casing 2402, a display portion A2403, and a display portion B.
2404, a recording medium (DVD or the like) reading unit 2405,
An operation key 2406, a speaker portion 2407, and the like are included. Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.

【0093】図9(F)はゴーグル型ディスプレイ(ヘ
ッドマウントディスプレイ)であり、本体2501、表
示部2502、アーム部2503を含む。
FIG. 9F shows a goggle type display (head mount display), which includes a main body 2501, a display section 2502 and an arm section 2503.

【0094】図9(G)はビデオカメラであり、本体2
601、表示部2602、筐体2603、外部接続ポー
ト2604、リモコン受信部2605、受像部260
6、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キ
ー2609等を含む。
FIG. 9G shows a video camera, which is the main body 2
601, display unit 2602, housing 2603, external connection port 2604, remote control receiving unit 2605, image receiving unit 260
6, a battery 2607, a voice input unit 2608, operation keys 2609, and the like.

【0095】ここで図7(H)は携帯電話であり、本体
2701、筐体2702、表示部2703、音声入力部
2704、音声出力部2705、操作キー2706、外
部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。な
お、表示部2703は黒色の背景に白色の文字を表示す
ることで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
FIG. 7H shows a mobile phone, which includes a main body 2701, a housing 2702, a display portion 2703, a voice input portion 2704, a voice output portion 2705, operation keys 2706, an external connection port 2707, an antenna 2708, and the like. Including. Note that the display portion 2703 can suppress power consumption of the mobile phone by displaying white characters on a black background.

【0096】また、本実施例により、透過モードにおけ
る光の利用効率を高めることができる。従って、反射電
極のサイズを拡大することができ、さらに、反射電極の
下層にCMOS回路などの基本論理回路や、複雑なロジ
ック回路(信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアン
プ、γ補正回路など)をも構成することができ、さらに
はメモリ(記憶回路(SRAMやDRAMなど))やマ
イクロプロセッサをも作り込むことができる。実施例1
や実施例2にその一例を示したように、メモリ(記憶回
路(SRAMやDRAMなど))などを作り込めば上記
電子機器のトータル消費電力を大幅に低減することがで
きる。
Further, according to this embodiment, it is possible to improve the light use efficiency in the transmission mode. Therefore, the size of the reflection electrode can be increased, and further, a basic logic circuit such as a CMOS circuit or a complicated logic circuit (a signal division circuit, a D / A converter, an operational amplifier, a γ correction circuit, etc.) is provided under the reflection electrode. Can also be configured, and further, a memory (storage circuit (SRAM, DRAM, etc.)) or a microprocessor can be incorporated. Example 1
As shown in one example thereof in Embodiment 2 and Embodiment 2, if a memory (storage circuit (SRAM, DRAM, etc.)) is built in, the total power consumption of the electronic device can be greatly reduced.

【0097】以上の様に、本発明により作製された装置
の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気機器に用
いることが可能である。
As described above, the application range of the device manufactured by the present invention is extremely wide, and it can be used for electric appliances in all fields.

【0098】[0098]

【発明の効果】本発明により、半透過型の液晶表示装置
において、透過モードにおける光の利用効率を高めるこ
とができる。従って、反射電極のサイズを拡大すること
ができ、さらに、反射電極の下層にCMOS回路などの
基本論理回路や、複雑なロジック回路(信号分割回路、
D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など)をも
構成することができ、さらにはメモリ(記憶回路(SR
AMやDRAMなど))やマイクロプロセッサをも作り
込むことができる。反射電極の下層にメモリ(記憶回路
(SRAMやDRAMなど))などを作り込めば電子機
器のトータル消費電力を大幅に低減することができる。
According to the present invention, in a transflective liquid crystal display device, the light utilization efficiency in the transmissive mode can be improved. Therefore, the size of the reflection electrode can be increased, and further, a basic logic circuit such as a CMOS circuit or a complicated logic circuit (signal division circuit,
A D / A converter, an operational amplifier, a γ correction circuit, etc. can also be configured, and a memory (storage circuit (SR
AM, DRAM, etc.) and microprocessors can also be built. If a memory (memory circuit (SRAM, DRAM, etc.)) is built in the lower layer of the reflective electrode, the total power consumption of the electronic device can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の模式図を示す図である。(実施の
形態1)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic view of the present invention. (Embodiment 1)

【図2】 本発明の模式拡大図を示す図である。(実
施の形態1)
FIG. 2 is a diagram showing a schematic enlarged view of the present invention. (Embodiment 1)

【図3】 本発明の模式拡大図を示す図である。(実
施の形態2)
FIG. 3 is a diagram showing a schematic enlarged view of the present invention. (Embodiment 2)

【図4】 実施例1を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a first embodiment.

【図5】 実施例2を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment.

【図6】 携帯情報端末のブロック図。(実施例2)FIG. 6 is a block diagram of a mobile information terminal. (Example 2)

【図7】 本発明の断面図を示す図である。(実施例
3)
FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional view of the present invention. (Example 3)

【図8】 本発明の工程断面図を示す図である。(実
施例4)
FIG. 8 is a diagram showing a process cross-sectional view of the present invention. (Example 4)

【図9】 電子機器の一例を示す図。FIG. 9 illustrates an example of an electronic device.

【図10】 プリズムシートを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a prism sheet.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1368 G02F 1/1368 G09F 9/00 348 G09F 9/00 348C 9/30 338 9/30 338 349 349D 9/35 9/35 Fターム(参考) 2H042 DA02 DA04 DA18 DA22 DB08 DE00 2H091 FA15Y FA29Y FA29Z FD06 GA03 GA11 LA13 2H092 GA20 HA04 HA05 NA01 NA07 5C094 AA10 AA22 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 ED01 ED11 5G435 AA00 AA03 BB12 BB15 BB16 CC09 DD09 DD13 EE27 EE33 EE37 FF03 FF08 GG02 GG24─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/1368 G02F 1/1368 G09F 9/00 348 G09F 9/00 348C 9/30 338 9/30 338 349 349D 9/35 9/35 F-term (reference) 2H042 DA02 DA04 DA18 DA22 DB08 DE00 2H091 FA15Y FA29Y FA29Z FD06 GA03 GA11 LA13 2H092 GA20 HA04 HA05 NA01 NA07 5C094 AA10 AA22 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 ED01 ED11 5G435 AA00 AA03 BB12 BB15 BB16 CC09 DD09 DD13 EE27 EE33 EE37 FF03 FF08 GG02 GG24

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ソース信号線駆動回路と、ゲート信号線駆
動回路と、複数のソース信号線と複数のゲート信号線が
交差する各領域に画素電極と、前記画素電極を駆動する
ためのスイッチング素子と、を有する液晶表示装置にお
いて、 前記画素電極は、光源からの光を通過する透過部と外光
からの光を反射する反射部とを有し、 前記画素電極と光源との間に光源からの光を集光する手
段が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A source signal line drive circuit, a gate signal line drive circuit, a pixel electrode in each region where a plurality of source signal lines and a plurality of gate signal lines intersect, and a switching element for driving the pixel electrode. In the liquid crystal display device having, the pixel electrode has a transmissive portion that transmits light from the light source and a reflective portion that reflects light from external light, and the pixel electrode and the light source from the light source. A liquid crystal display device, characterized in that a means for collecting the light is provided.
【請求項2】請求項1において、前記光を集光する手段
は、マイクロレンズアレイであることを特徴とする液晶
表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the means for condensing the light is a microlens array.
【請求項3】絶縁表面を有する基板上にソース信号線駆
動回路と、ゲート信号線駆動回路と、複数のソース信号
線と複数のゲート信号線が交差する各領域に画素電極
と、対向基板と、該対向基板と前記基板との間に液晶材
料とを有する液晶表示装置であって、 前記画素電極は、光源からの光を通過する透過部と外光
からの光を反射する反射部とを有し、 前記基板または前記対向基板と光源との間に光源からの
光を集光する手段が設けられていることを特徴とする液
晶表示装置。
3. A source signal line driver circuit, a gate signal line driver circuit, a pixel electrode in each region where a plurality of source signal lines and a plurality of gate signal lines intersect, and a counter substrate on a substrate having an insulating surface. A liquid crystal display device having a liquid crystal material between the counter substrate and the substrate, wherein the pixel electrode has a transmissive portion that transmits light from a light source and a reflective portion that reflects light from external light. A liquid crystal display device, comprising means for condensing light from a light source between the substrate or the counter substrate and the light source.
【請求項4】請求項3において、前記光を集光する手段
は、マイクロレンズアレイであることを特徴とする液晶
表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the means for condensing the light is a microlens array.
【請求項5】マイクロレンズアレイと、透光性を有する
基板と、該基板と前記マイクロレンズアレイ基板との間
に画素電極と、液晶材料とを有し、且つ、前記画素電極
は、光源からの光を通過する透過部と外光からの光を反
射する反射部とを有していることを特徴とする液晶表示
装置。
5. A microlens array, a transparent substrate, a pixel electrode and a liquid crystal material between the substrate and the microlens array substrate, and the pixel electrode is connected to a light source. 2. A liquid crystal display device, comprising: a transmissive portion that transmits the light and a reflective portion that reflects the light from the outside light.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一において、前
記画素電極の透過部は、透明導電膜からなることを特徴
とする液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transmissive portion of the pixel electrode is made of a transparent conductive film.
【請求項7】請求項1乃至6のいずれか一において、前
記画素電極の反射部は、透明導電膜と反射性を有する導
電膜との積層であることを特徴とする液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective portion of the pixel electrode is a laminated layer of a transparent conductive film and a conductive film having reflectivity.
【請求項8】請求項1乃至7のいずれか一において、前
記画素電極の反射部は、透明導電膜を下層とし、反射性
を有する導電膜を上層とする積層であることを特徴とす
る液晶表示装置。
8. The liquid crystal according to claim 1, wherein the reflective portion of the pixel electrode is a laminated layer having a transparent conductive film as a lower layer and a reflective conductive film as an upper layer. Display device.
【請求項9】請求項1乃至7のいずれか一において、前
記画素電極の反射部は、透明導電膜を上層とし、反射性
を有する導電膜を下層とする積層であることを特徴とす
る液晶表示装置。
9. The liquid crystal according to claim 1, wherein the reflective portion of the pixel electrode is a laminated layer including a transparent conductive film as an upper layer and a reflective conductive film as a lower layer. Display device.
【請求項10】請求項1乃至9のいずれか一において、
前記画素電極の反射部は、反射性を有する導電膜であっ
て、AlまたはAgを主成分とする膜、またはそれらの
積層膜であることを特徴とする液晶表示装置。
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
The liquid crystal display device, wherein the reflective portion of the pixel electrode is a conductive film having reflectivity and is a film containing Al or Ag as a main component or a laminated film thereof.
【請求項11】請求項1乃至10のいずれか一におい
て、前記液晶表示装置は、ビデオカメラ、デジタルカメ
ラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パ
ーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを
特徴とする電子機器。
11. The electronic device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is a video camera, a digital camera, a goggle type display, a car navigation system, a personal computer or a personal digital assistant. .
JP2001305885A 2001-10-01 2001-10-01 Liquid crystal display device and electronic equipment Withdrawn JP2003107505A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001305885A JP2003107505A (en) 2001-10-01 2001-10-01 Liquid crystal display device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001305885A JP2003107505A (en) 2001-10-01 2001-10-01 Liquid crystal display device and electronic equipment

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004241942A Division JP2004341557A (en) 2004-08-23 2004-08-23 Method for manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003107505A true JP2003107505A (en) 2003-04-09
JP2003107505A5 JP2003107505A5 (en) 2005-06-09

Family

ID=19125607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001305885A Withdrawn JP2003107505A (en) 2001-10-01 2001-10-01 Liquid crystal display device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003107505A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006309182A (en) * 2005-03-31 2006-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display and electronic equipment using the same
KR100769506B1 (en) 2005-07-14 2007-10-23 알프스 덴키 가부시키가이샤 Display device and fabricating method thereof and electronic equipment with the same
JPWO2007072600A1 (en) * 2005-12-20 2009-05-28 シャープ株式会社 Display device and liquid crystal display device
JP2012194592A (en) * 2005-12-28 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, display module, and electronic appliance
US8866707B2 (en) 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
WO2021241127A1 (en) * 2020-05-25 2021-12-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Electrooptical substrate, liquid crystal display device, and electronic apparatus

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006309182A (en) * 2005-03-31 2006-11-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display and electronic equipment using the same
US8866707B2 (en) 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
KR100769506B1 (en) 2005-07-14 2007-10-23 알프스 덴키 가부시키가이샤 Display device and fabricating method thereof and electronic equipment with the same
JPWO2007072600A1 (en) * 2005-12-20 2009-05-28 シャープ株式会社 Display device and liquid crystal display device
JP4668281B2 (en) * 2005-12-20 2011-04-13 シャープ株式会社 Display device and liquid crystal display device
US7982821B2 (en) 2005-12-20 2011-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and liquid crystal display device
JP2012194592A (en) * 2005-12-28 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device, display module, and electronic appliance
US9703140B2 (en) 2005-12-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10444564B1 (en) 2005-12-28 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10739637B2 (en) 2005-12-28 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US11269214B2 (en) 2005-12-28 2022-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2021241127A1 (en) * 2020-05-25 2021-12-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Electrooptical substrate, liquid crystal display device, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7268756B2 (en) Liquid crystal display device and method of driving a liquid crystal display device
US7193593B2 (en) Liquid crystal display device and method of driving a liquid crystal display device
JP4123711B2 (en) Electro-optical panel driving method, electro-optical device, and electronic apparatus
US6778163B2 (en) Liquid crystal display device, driving circuit, driving method, and electronic apparatus
KR101275259B1 (en) A display device
US6897845B2 (en) Liquid crystal display device, driving circuit, driving method, and electronic devices
US8681163B2 (en) Display device, control method of display device and electronic apparatus
JP4196999B2 (en) Liquid crystal display device drive circuit, liquid crystal display device, liquid crystal display device drive method, and electronic apparatus
KR20010062655A (en) Display device
JP2002236472A (en) Liquid crystal display device and its driving method
JP2012145926A (en) Pixel structure, display device, and electronic apparatus
TWI286238B (en) Driving method for liquid crystal display, liquid crystal display, and portable electronic machine
JP3659103B2 (en) Electro-optical device, driving circuit and driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
US8508516B2 (en) Active matrix type display device and portable machine comprising the same
JP3767315B2 (en) ELECTRO-OPTICAL PANEL DRIVING METHOD, DATA LINE DRIVING CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP2004191574A (en) Electro-optical panel, scanning line driving circuit, data line driving circuit, electronic equipment and method for driving electro-optical panel
JP4432694B2 (en) Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
JP2002244157A (en) Electro-optical panel and electronic instrument
US20060125813A1 (en) Active matrix liquid crystal display with black-inserting circuit
JP4709532B2 (en) Liquid crystal display device
JP3975633B2 (en) ELECTRO-OPTICAL PANEL, ELECTRO-OPTICAL PANEL DATA LINE DRIVING METHOD, DATA LINE DRIVING CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP2003107505A (en) Liquid crystal display device and electronic equipment
JP4115099B2 (en) Display device
JP2003177717A (en) Display device
JP2002140051A (en) Liquid crystal display device, its driving method and driving method for portable information device using the display device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040824

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070417

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070614

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071009

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20071029