JP2003101406A - Signal transmission circuit, solid-state imaging apparatus, camera and liquid crystal display device - Google Patents

Signal transmission circuit, solid-state imaging apparatus, camera and liquid crystal display device

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JP2003101406A
JP2003101406A JP2001287683A JP2001287683A JP2003101406A JP 2003101406 A JP2003101406 A JP 2003101406A JP 2001287683 A JP2001287683 A JP 2001287683A JP 2001287683 A JP2001287683 A JP 2001287683A JP 2003101406 A JP2003101406 A JP 2003101406A
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signal transmission
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gate
stage
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琢己 山口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a signal transmission circuit as a shift register, with which stable operation is enabled even when the voltage of a circuit power source is lowered. SOLUTION: The plus side terminal (node N11) of a capacitor (C1) for boot strap is connected to the gate of a capacitance charging transistor (T21) for boot strap on the next stage. Thus, since the boosted voltage of the plus side terminal of the capacitor for boot strap on the preceding stage is applied to the gate of the capacitance charging transistor for boot strap on the next stage at all the time, even when a power supply voltage VDD is lowered, a capacitor (C2) for boot strap on the next stage can be surely charged to the power supply voltage VDD.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶デイスプレ
イ、MOS型撮像装置を駆動するためのシフトレジスタ
に適用され、低電圧で駆動できる信号伝送回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal transmission circuit which is applied to a shift register for driving a liquid crystal display or a MOS type image pickup device and can be driven at a low voltage.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来の信号伝送回路の一構成例
を示す回路図である。なお、図5には、説明の便宜上、
多数段構成のうち4段部分のみを示している。この信号
伝送回路は、次段への出力トランジスタT12、T2
2、T32、T42と、ブートストラップ用容量C1、
C2、C3、C4と、ブートストラップ用容量充電トラ
ンジスタT11、T21、T31、T41と、放電トラ
ンジスタT13、T14、T23、T24、T33、T
34、T43、T44とで構成され、電源電圧VDD、
駆動パルスV1、V2、およびスタートパルスVSTが
供給される。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional signal transmission circuit. In FIG. 5, for convenience of explanation,
Only the four-stage portion of the multi-stage configuration is shown. This signal transmission circuit includes output transistors T12 and T2 for the next stage.
2, T32, T42 and bootstrap capacitance C1,
C2, C3, C4, bootstrap capacitance charging transistors T11, T21, T31, T41, and discharging transistors T13, T14, T23, T24, T33, T.
34, T43, and T44, the power supply voltage VDD,
The drive pulses V1 and V2 and the start pulse VST are supplied.

【0003】次に、このように構成された従来の信号伝
送回路の動作について説明する。
Next, the operation of the conventional signal transmission circuit thus constructed will be described.

【0004】スタートパルスVSTが論理「High」
レベルになると、初段のブートストラップ用容量充電ト
ランジスタT11がオンになり、ブートストラップ用容
量C1が電源電圧VDDへと充電され、ブートストラッ
プ用容量C1の充電電圧が出力トランジスタT12の閾
値電圧レベルを超えると、初段の出力トランジスタT1
2がオンする。
The start pulse VST is logic "High".
When the voltage reaches the level, the first stage bootstrap capacitor charging transistor T11 is turned on, the bootstrap capacitor C1 is charged to the power supply voltage VDD, and the charging voltage of the bootstrap capacitor C1 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T12. And the output transistor T1 of the first stage
2 turns on.

【0005】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT12のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT12のゲートには、駆動パル
スV1の電圧とブートストラップ用容量C1両端の電位
差とが足されて印加されることとなり、出力トランジス
タT12のゲート電位が駆動パルスV1の電位よりも上
昇すると、駆動パルスV1がノードN12から出力パル
スOUT1として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T12, the voltage of the drive pulse V1 and the potential difference across the bootstrap capacitor C1 are added to the gate of the output transistor T12. When the gate potential of the output transistor T12 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is used as the output pulse OUT1 from the node N12.

【0006】また同時に、ノードN12の電圧が、2段
目のブートストラップ用容量充電トランジスタT21の
ゲートに印加されて、トランジスタT21がオンにな
り、ブートストラップ用容量C2が電源電圧VDDへと
充電され、ブートストラップ用容量C2の充電電圧が出
力トランジスタT22の閾値電圧レベルを超えると、2
段目の出力トランジスタT22がオンする。
At the same time, the voltage of the node N12 is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T21 in the second stage, the transistor T21 is turned on, and the bootstrap capacitance C2 is charged to the power supply voltage VDD. , When the charging voltage of the bootstrap capacitor C2 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T22, 2
The output transistor T22 of the stage turns on.

【0007】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV2が出力トランジスタT22のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT22のゲートには、駆動パル
スV2の電位とブートストラップ用容量C2両端の電位
差とが足されて印加されることとなり、出力トランジス
タT22のゲート電位が駆動パルスV2の電位よりも上
昇すると、駆動パルスV2がノードN22から出力パル
スOUT2として利用される。
After that, when the drive pulse V2 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T22, the potential of the drive pulse V2 and the potential difference between both ends of the bootstrap capacitor C2 are added to the gate of the output transistor T22. When the gate potential of the output transistor T22 rises above the potential of the drive pulse V2, the drive pulse V2 is used as the output pulse OUT2 from the node N22.

【0008】また同時に、ノードN22の電圧が、3段
目のブートストラップ用容量充電トランジスタT31の
ゲートに印加されて、トランジスタT31がオンにな
り、ブートストラップ用容量C3が電源電圧VDDへと
充電され、ブートストラップ用容量C3の充電電圧が出
力トランジスタT32の閾値電圧レベルを超えると、3
段目の出力トランジスタT22がオンする。
At the same time, the voltage of the node N22 is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T31 of the third stage, the transistor T31 is turned on, and the bootstrap capacitance C3 is charged to the power supply voltage VDD. , If the charging voltage of the bootstrap capacitor C3 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T32, 3
The output transistor T22 of the stage turns on.

【0009】このような動作が繰り返されることで、信
号伝送回路は、さらに出力パルスOUT3、OUT4と
順次出力することになる。
By repeating such an operation, the signal transmission circuit further sequentially outputs the output pulses OUT3 and OUT4.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の信号伝送回
路の問題点について、図6を参照して説明する。
Problems of the conventional signal transmission circuit will be described with reference to FIG.

【0011】図6は、NMOSのみを用いた従来の信号
伝送回路における各部のパルス電圧を示すタイミングチ
ャートである。この回路は5V系の回路であり、駆動パ
ルスV1、V2の電圧振幅、および電源電圧VDDが5
Vの場合を示す。
FIG. 6 is a timing chart showing the pulse voltage of each part in the conventional signal transmission circuit using only NMOS. This circuit is a 5V system circuit, and the voltage amplitudes of the drive pulses V1 and V2 and the power supply voltage VDD are 5V.
The case of V is shown.

【0012】図5において、時刻t0において、スター
トパルスVSTが5Vに立ち上がると、初段のブートス
トラップ用容量充電トランジスタT11がオンになり、
ブートストラップ用容量C1が電源電圧VDDである5
Vに向かって充電されていくが、ここでブートストラッ
プ用容量充電トランジスタT11がエンハンスメント型
のNMOSの場合には、トランジスタT11の閾値電圧
Vtの影響で、出力トランジスタT12のゲートが接続
されたノードN11の電圧VN11は、電源電圧VDD
である5VからΔH0だけ低い電圧(5V−ΔH0)と
なり、この状態で出力トランジスタT12がオンする。
In FIG. 5, when the start pulse VST rises to 5V at time t0, the bootstrap capacitance charging transistor T11 in the first stage is turned on,
Bootstrap capacitance C1 is power supply voltage VDD 5
However, when the bootstrap capacitance charging transistor T11 is an enhancement type NMOS, the threshold voltage Vt of the transistor T11 affects the node N11 to which the gate of the output transistor T12 is connected. Of the power supply voltage VDD
(5V-ΔH0), which is lower than 5V, which is 5V, by which the output transistor T12 is turned on.

【0013】次に、時刻t1において、5Vの駆動パル
スV1が出力トランジスタT12のドレインに入力する
と、出力トランジスタT12のゲート(ノードN11)
には、駆動パルスV1の電圧5Vとブートストラップ用
容量C1両端の電位差(5V−ΔH0)が加算された電
圧HB1が印加され、ノードN12から振幅H1のパル
スが出力されることとなる。
Next, at time t1, when a drive pulse V1 of 5V is input to the drain of the output transistor T12, the gate of the output transistor T12 (node N11).
Is applied with a voltage HB1 obtained by adding the voltage 5V of the drive pulse V1 and the potential difference (5V-ΔH0) across the bootstrap capacitor C1 to each other, and a pulse of amplitude H1 is output from the node N12.

【0014】また同時に、ノードN12の振幅H1のパ
ルス電圧が、2段目のブートストラップ用容量充電トラ
ンジスタT21のゲートに印加されて、トランジスタT
21がオンになるが、トランジスタT21の閾値電圧V
Tの影響により、出力トランジスタT22のゲートが接
続されたノード21の電圧は、電圧H1からΔH1だけ
低い電圧(H1−ΔH1)となり、ブートストラップ用
容量C2が電圧(H1−ΔH1)へと充電されることと
なる。
At the same time, the pulse voltage of the amplitude H1 of the node N12 is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T21 of the second stage, and the transistor T2 is applied.
21 turns on, but the threshold voltage V of the transistor T21
Due to the influence of T, the voltage of the node 21 to which the gate of the output transistor T22 is connected becomes a voltage (H1-ΔH1) lower than the voltage H1 by ΔH1, and the bootstrap capacitance C2 is charged to the voltage (H1-ΔH1). The Rukoto.

【0015】同様に、時刻t2、t3、t4の場合も、
時刻t1の動作を繰り返すこととなる。
Similarly, at times t2, t3, and t4,
The operation at time t1 is repeated.

【0016】このように、従来の信号伝送回路の場合、
ブートストラップ用容量充電トランジスタのゲートには
最大でも5V未満の電圧しか加わらないため、ブートス
トラップ用容量は、電源電圧VDDである5Vよりも低
い電圧にしか充電できないこととなる。したがって、ノ
ードN21、N31、N41の電圧が次第に降下して、
信号伝送回路は、何段か先では出力パルスを生成するこ
とができなくなる。
Thus, in the case of the conventional signal transmission circuit,
Since a voltage of less than 5V is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor at the maximum, the bootstrap capacitance can be charged only to a voltage lower than the power supply voltage VDD of 5V. Therefore, the voltages of the nodes N21, N31, and N41 gradually drop,
The signal transmission circuit cannot generate the output pulse after several stages.

【0017】特に、回路の電源系の低電圧化、たとえば
3V系の回路などになると動作がより難しくなる。
In particular, the operation becomes more difficult when the voltage of the power supply system of the circuit is lowered, for example, in the case of a 3V system circuit.

【0018】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、回路電源を低電圧化しても安
定な動作が可能で、低消費電力化に適した信号伝送回
路、およびかかる信号伝送回路が適用される固体撮像装
置、かかる固体撮像装置を搭載したカメラ、および上記
信号伝送回路が適用される液晶表示装置を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a signal transmission circuit which is capable of performing stable operation even when the circuit power supply has a low voltage, and which is suitable for low power consumption, Another object of the present invention is to provide a solid-state imaging device to which the signal transmission circuit is applied, a camera equipped with the solid-state imaging device, and a liquid crystal display device to which the signal transmission circuit is applied.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る信号伝送回路は、複数段回路で構成さ
れ、各段回路から駆動パルスに従ったパルス電圧が順次
出力される信号伝送回路であって、各段回路は、駆動パ
ルスをパルス電圧としてソースに出力する出力トランジ
スタと、出力トランジスタのゲートとソースとの間に接
続されたブートストラップ用容量と、ブートストラップ
用容量を充電するために、ドレインが電源または接地線
に接続され、ソースが出力トランジスタのゲートに接続
され、初段の場合はゲートにスタートパルスが供給さ
れ、2段目以降の場合はゲートが前段の出力トランジス
タのゲートに接続された充電トランジスタとを備えたこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a signal transmission circuit according to the present invention comprises a multi-stage circuit, and a signal in which a pulse voltage according to a drive pulse is sequentially output from each stage circuit. In the transmission circuit, each stage circuit has an output transistor that outputs a drive pulse as a pulse voltage to the source, a bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the output transistor, and a bootstrap capacitor. To do this, the drain is connected to the power supply or ground line, the source is connected to the gate of the output transistor, the start pulse is supplied to the gate in the first stage, and the gate is connected to the output transistor in the previous stage in the second and subsequent stages. And a charging transistor connected to the gate.

【0020】この構成によれば、次段のブートストラッ
プ用容量充電トランジスタのゲートには、従来よりも高
い電圧が加わることになり、ブートストラップ用容量充
電トランジスタのゲート電位を電源電圧VDDよりも高
くすることができる。これにより、次段のブートストラ
ップ用容量を電源電圧VDDに充電することができ、ブ
ートストラップ用容量への充電電圧の降下を防ぐことが
できる。したがって、伝送段数が増えることにより、出
力パルス電圧が次第に低下したり、何段か先で出力パル
スが出なくなることを防止することができる。
According to this structure, a voltage higher than the conventional voltage is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor at the next stage, so that the gate potential of the bootstrap capacitance charging transistor is higher than the power supply voltage VDD. can do. As a result, the bootstrap capacitor in the next stage can be charged to the power supply voltage VDD, and a drop in the charging voltage to the bootstrap capacitor can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the output pulse voltage from gradually decreasing and the output pulse from being stopped at some stages after the number of transmission stages increases.

【0021】本発明に係る信号伝送回路は、ドレインが
ブートストラップ用容量の一端に接続された第1の放電
トランジスタと、ドレインがブートストラップ用容量の
他端に接続された第2の放電トランジスタとを備え、第
1および第2の放電トランジスタのゲートに共通のパル
ス電圧が印加されることが好ましい。この場合、共通の
パルス電圧は、次段の出力トランジスタのソースから供
給されることが好ましい。
A signal transmission circuit according to the present invention includes a first discharge transistor whose drain is connected to one end of a bootstrap capacitor and a second discharge transistor whose drain is connected to the other end of a bootstrap capacitor. And a common pulse voltage is applied to the gates of the first and second discharge transistors. In this case, the common pulse voltage is preferably supplied from the source of the output transistor of the next stage.

【0022】この構成によれば、放電トランジスタを2
個追加するだけで、ブートストラップ用容量の放電がで
き、他の外部入力パルスなどが無い規模の小さい回路構
成にも本発明を適用することができる。
According to this structure, two discharge transistors are provided.
The present invention can be applied to a small-scale circuit configuration in which the bootstrap capacitor can be discharged by adding only one and there is no external input pulse.

【0023】また、本発明に係る信号伝送回路は、ドレ
インが3段目以降の出力トランジスタのゲートに接続さ
れた誤動作防止用トランジスタを備えることが好まし
い。
Further, the signal transmission circuit according to the present invention preferably comprises a malfunction preventing transistor whose drain is connected to the gates of the output transistors in the third and subsequent stages.

【0024】この構成によれば、出力トランジスタの閾
値電圧が低い場合でも誤動作を防止でき、閾値電圧の範
囲を広くとることができる。
According to this structure, malfunction can be prevented even when the threshold voltage of the output transistor is low, and the threshold voltage range can be widened.

【0025】また、本発明に係る信号伝送回路は、3段
目以降の各段回路において、誤動作防止用トランジスタ
は、ドレインが出力トランジスタのゲートに接続され、
ゲートが前々段の出力トランジスタのソースに接続され
た誤動作防止用トランジスタを備えることが好ましい。
Further, in the signal transmission circuit according to the present invention, in each of the third and subsequent stages, the malfunction preventing transistor has a drain connected to the gate of the output transistor,
It is preferable to provide a malfunction prevention transistor whose gate is connected to the source of the output transistor of the previous stage.

【0026】この構成によれば、誤動作防止用トランジ
スタのゲートに前々段の出力トランジスタのソースを接
続するように構成したことで、他の外部入力パルスなど
が無い規模の小さい回路構成にも本発明を適用すること
ができる。
According to this structure, the source of the output transistor in the previous stage is connected to the gate of the malfunction preventing transistor, which is suitable for a small-scale circuit structure without other external input pulses. The invention can be applied.

【0027】また、充電トランジスタのコンダクタンス
が、誤動作防止用トランジスタのコンダクタンスよりも
小さいことが好ましい。
Further, it is preferable that the conductance of the charging transistor is smaller than that of the malfunction preventing transistor.

【0028】この構成によれば、ブートストラップ用容
量のプラス端子側をより0Vに近づけることができ、誤
動作をより確実に防止することができる。
According to this structure, the plus terminal side of the bootstrap capacitor can be brought closer to 0 V, and the malfunction can be more surely prevented.

【0029】または、本発明に係る信号伝送回路におい
て、ある段の出力トランジスタのソースにパルス電圧が
出力されている期間、次段の充電トランジスタを動作可
能とし、次次段の充電トランジスタを動作禁止にするよ
うな電源電圧パルスがドレインに供給されることが好ま
しい。例えば、充電トランジスタがNMOSからなる場
合、電源電圧パルスとして、「High」レベル電圧を
次段の充電トランジスタのドレインに供給し、「Lo
w」レベル電圧を次次段の充電トランジスタのドレイン
に供給する。また、充電トランジスタがPMOSからな
る場合、電源電圧パルスとして、「Low」レベル電圧
を次段の充電トランジスタのドレインに供給し、「Hi
gh」レベル電圧を次次段の充電トランジスタのドレイ
ンに供給する。
Alternatively, in the signal transmission circuit according to the present invention, the charging transistor of the next stage is enabled and the charging transistor of the next stage is disabled while the pulse voltage is being output to the source of the output transistor of a certain stage. It is preferred that a power supply voltage pulse such as For example, when the charging transistor is composed of an NMOS, a “High” level voltage is supplied to the drain of the charging transistor of the next stage as a power supply voltage pulse, and “Lo” is supplied.
The w "level voltage is supplied to the drain of the next-stage charging transistor. When the charging transistor is composed of a PMOS, a “Low” level voltage is supplied to the drain of the charging transistor of the next stage as a power supply voltage pulse, and “Hi” is supplied.
The gh "level voltage is supplied to the drain of the next-stage charging transistor.

【0030】この構成によれば、誤動作防止用トランジ
スタを省略することができ、回路規模を縮小することが
できる。
According to this structure, the malfunction preventing transistor can be omitted, and the circuit scale can be reduced.

【0031】本発明に係る信号伝送回路において、初段
の充電トランジスタのゲートに供給されるスタートパル
スの電圧振幅は、駆動パルスの電圧振幅よりも大きいこ
とが好ましい。
In the signal transmission circuit according to the present invention, the voltage amplitude of the start pulse supplied to the gate of the first-stage charging transistor is preferably larger than the voltage amplitude of the drive pulse.

【0032】この構成によれば、初段の充電トランジス
タによる電圧降下を防止し、初段のブートストラップ用
容量を電源電圧VDDに充電することができる。
According to this structure, it is possible to prevent the voltage drop due to the charging transistor in the first stage and charge the bootstrap capacitor in the first stage to the power supply voltage VDD.

【0033】本発明に係る信号伝送回路において、トラ
ンジスタが全てNMOSトランジスタである場合、第1
および第2の放電トランジスタのソースおよび誤動作防
止用トランジスタのソースのうち少なくとも一方には、
接地電位が供給される。
In the signal transmission circuit according to the present invention, when all the transistors are NMOS transistors, the first
And at least one of the source of the second discharge transistor and the source of the malfunction prevention transistor,
Ground potential is supplied.

【0034】または、本発明に係る信号伝送回路におい
て、トランジスタが全てNMOSトランジスタである場
合、第1および第2の放電トランジスタのソースおよび
誤動作防止用トランジスタのソースには、出力トランジ
スタの閾値電圧よりも低い電圧が供給される。
Alternatively, in the signal transmission circuit according to the present invention, when all the transistors are NMOS transistors, the sources of the first and second discharge transistors and the source of the malfunction prevention transistor are higher than the threshold voltage of the output transistor. Low voltage is supplied.

【0035】本発明に係る信号伝送回路において、トラ
ンジスタが全てPMOSトランジスタである場合、第1
および第2の放電トランジスタのソースおよび誤動作防
止用トランジスタのソースのうち少なくとも一方には、
電源電圧が供給される。
In the signal transmission circuit according to the present invention, when all the transistors are PMOS transistors, the first
And at least one of the source of the second discharge transistor and the source of the malfunction prevention transistor,
Power supply voltage is supplied.

【0036】または、本発明に係る信号伝送回路におい
て、トランジスタが全てPMOSトランジスタである場
合、第1および第2の放電トランジスタのソースおよび
誤動作防止用トランジスタのソースには、出力トランジ
スタの閾値電圧よりも高い電圧が供給される。
Alternatively, in the signal transmission circuit according to the present invention, when all the transistors are PMOS transistors, the sources of the first and second discharge transistors and the sources of the malfunction prevention transistors are higher than the threshold voltage of the output transistor. High voltage is supplied.

【0037】前記の目的を達成するため、本発明に係る
固体撮像装置は、複数段回路で構成され、各段回路から
駆動パルスに従った走査パルス電圧が順次出力される信
号伝送回路を有する固体撮像装置であって、信号伝送回
路の各段回路は、駆動パルスを走査パルス電圧としてソ
ースに出力する出力トランジスタと、出力トランジスタ
のゲートとソースとの間に接続されたブートストラップ
用容量と、ブートストラップ用容量を充電するために、
ドレインが電源または接地線に接続され、ソースが出力
トランジスタのゲートに接続され、初段の場合はゲート
にスタートパルスが供給され、2段目以降の場合はゲー
トが前段の出力トランジスタのゲートに接続された充電
トランジスタとを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a solid-state image pickup device according to the present invention comprises a multi-stage circuit, and a solid-state image pickup device having a signal transmission circuit for sequentially outputting a scanning pulse voltage according to a drive pulse from each stage circuit. In the imaging device, each stage circuit of the signal transmission circuit includes an output transistor that outputs a driving pulse as a scan pulse voltage to a source, a bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the output transistor, and a boot circuit. To charge the strap capacity,
The drain is connected to the power supply or ground line, the source is connected to the gate of the output transistor, the start pulse is supplied to the gate in the first stage, and the gate is connected to the gate of the output transistor in the previous stage in the second and subsequent stages. And a charging transistor.

【0038】前記の目的を達成するため、本発明に係る
カメラは、本発明に係る固体撮像装置を搭載したことを
特徴とする。
In order to achieve the above object, a camera according to the present invention is equipped with the solid-state image pickup device according to the present invention.

【0039】前記の目的を達成するため、本発明に係る
液晶表示装置は、複数段回路で構成され、各段回路から
駆動パルスに従った走査パルス電圧が順次出力される信
号伝送回路を有する液晶表示装置であって、信号伝送回
路の各段回路は、駆動パルスを走査パルス電圧としてソ
ースに出力する出力トランジスタと、出力トランジスタ
のゲートとソースとの間に接続されたブートストラップ
用容量と、ブートストラップ用容量を充電するために、
ドレインが電源または接地線に接続され、ソースが出力
トランジスタのゲートに接続され、初段の場合はゲート
にスタートパルスが供給され、2段目以降の場合はゲー
トが前段の出力トランジスタのゲートに接続された充電
トランジスタとを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal device having a signal transmission circuit which is composed of a multi-stage circuit and sequentially outputs a scanning pulse voltage according to a drive pulse from each stage circuit. In the display device, each stage circuit of the signal transmission circuit includes an output transistor that outputs a drive pulse as a scan pulse voltage to a source, a bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the output transistor, and a boot transistor. To charge the strap capacity,
The drain is connected to the power supply or ground line, the source is connected to the gate of the output transistor, the start pulse is supplied to the gate in the first stage, and the gate is connected to the gate of the output transistor in the previous stage in the second and subsequent stages. And a charging transistor.

【0040】上記の構成によれば、回路電源を低電圧化
しても安定な動作を保証することができ、特に低消費電
力化を図る必要のある携帯用機器に適用される、固体撮
像装置、それを搭載したカメラ、および液晶表示装置に
おいて効果を発揮することができる。
According to the above structure, a stable operation can be guaranteed even when the voltage of the circuit power supply is lowered, and the solid-state image pickup device, which is particularly applied to a portable device which requires low power consumption, The effect can be exhibited in a camera equipped with it and a liquid crystal display device.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0042】図1は、本発明の第1の実施形態に係る信
号伝送回路の一構成例を示す回路図である。なお、本実
施形態が図5に示す従来例と異なる点は、前段の出力ト
ランジスタのゲートが次段のブートストラップ用容量充
電トランジスタのゲートに接続されている点にある。そ
の他の構成については、図5の従来例と同じであり、図
1において同一の符号を付す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to the first embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the conventional example shown in FIG. 5 in that the gate of the output transistor in the previous stage is connected to the gate of the capacitance charging transistor for bootstrap in the next stage. Other configurations are the same as those of the conventional example of FIG. 5, and are denoted by the same reference numerals in FIG.

【0043】図1において、スタートパルスVSTが論
理「High」レベルになると、初段のブートストラッ
プ用容量充電トランジスタT11がオンになり、ブート
ストラップ用容量C1が電源電圧VDDへと充電され、
ブートストラップ用容量C1の充電電圧が出力トランジ
スタT12の閾値電圧レベルを超えると、初段の出力ト
ランジスタT12がオンする。
In FIG. 1, when the start pulse VST becomes the logic "High" level, the bootstrap capacitor charging transistor T11 in the first stage is turned on, and the bootstrap capacitor C1 is charged to the power supply voltage VDD.
When the charging voltage of the bootstrap capacitor C1 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T12, the first stage output transistor T12 is turned on.

【0044】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT12のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT12のゲートには、駆動パル
スV1の電圧とブートストラップ用容量C1両端の電位
差とが足されて印加されることとなり、出力トランジス
タT12のゲート電位が駆動パルスV1の電位よりも上
昇すると、駆動パルスV1が初段の出力ノードN12か
ら出力パルスOUT1として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T12, the voltage of the drive pulse V1 and the potential difference across the bootstrap capacitor C1 are added to the gate of the output transistor T12. When the gate potential of the output transistor T12 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is used as the output pulse OUT1 from the output node N12 in the first stage.

【0045】ここで、本実施形態による信号伝送回路の
利点は、ブートストラップ用容量C1のプラス側の端子
に接続されたノードN11の電圧が、2段目のブートス
トラップ用容量充電トランジスタT21のゲートに印加
されるため、トランジスタT21のゲートに高い電圧を
印加することができる点にある。これによって、2段目
のブートストラップ用容量充電トランジスタT21が、
たとえエンハンスメント型のNMOSであっても、ブー
トストラップ用容量C21を電源電圧VDDに確実に充
電でき、出力トランジスタT22をオンにすることがで
きる。
Here, the advantage of the signal transmission circuit according to the present embodiment is that the voltage of the node N11 connected to the positive terminal of the bootstrap capacitance C1 is the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T21 of the second stage. Therefore, a high voltage can be applied to the gate of the transistor T21. As a result, the second-stage bootstrap capacitance charging transistor T21 is
Even if the enhancement type NMOS is used, the bootstrap capacitance C21 can be reliably charged to the power supply voltage VDD and the output transistor T22 can be turned on.

【0046】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV2が出力トランジスタT22のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT22のゲートには、駆動パル
スV2の電位とブートストラップ用容量C2両端の電位
差とが足されて印加されることとなり、出力トランジス
タT22のゲート電位が駆動パルスV2の電位よりも上
昇すると、駆動パルスV2が2段目の出力ノードN22
から出力パルスOUT2として利用される。
After that, when the drive pulse V2 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T22, the gate of the output transistor T22 is added with the potential of the drive pulse V2 and the potential difference between both ends of the bootstrap capacitor C2. When the gate potential of the output transistor T22 rises above the potential of the drive pulse V2, the drive pulse V2 is applied to the output node N22 of the second stage.
Is used as the output pulse OUT2.

【0047】また同時に、ブートストラップ用容量C2
のプラス側の端子に接続されたノードN21の高い電圧
が、3段目のブートストラップ用容量充電トランジスタ
T31のゲートに印加され、トランジスタT31がオン
になり、ブートストラップ用容量C3が電源電圧VDD
に確実に充電され、出力トランジスタT32がオンす
る。
At the same time, the bootstrap capacitance C2
The high voltage of the node N21 connected to the plus side terminal of is applied to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T31 of the third stage, the transistor T31 is turned on, and the bootstrap capacitance C3 is supplied to the power supply voltage VDD.
Is reliably charged and the output transistor T32 is turned on.

【0048】このような動作が繰り返されることで、信
号伝送回路は、さらに出力パルスOUT3、OUT4と
順次出力することになる。
By repeating such an operation, the signal transmission circuit further sequentially outputs the output pulses OUT3 and OUT4.

【0049】このようにして、全ての信号伝送段におい
て、ブートストラップ用容量のプラス側の端子電圧が、
次段のブートストラップ用容量充電トランジスタのゲー
トに加わるため、次段のブートストラップ用容量を確実
に電源電圧VDDに充電できることとなり、電圧降下の
無い低電圧の出力パルスを生成可能な信号伝送回路を実
現できる。
In this way, in all the signal transmission stages, the terminal voltage on the positive side of the bootstrap capacitor is
Since it is added to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor of the next stage, the bootstrap capacitance of the next stage can be reliably charged to the power supply voltage VDD, and a signal transmission circuit that can generate a low-voltage output pulse without voltage drop is provided. realizable.

【0050】また、ブートストラップ用容量に充電した
電圧を放電する手段として、回路のトランジスタや電源
を少なくするために、ブートストラップ用容量C1の場
合は、放電トランジスタT13のドレインをブートスト
ラップ用容量C1のプラス側端子に接続し、放電トラン
ジスタT14のドレインをブートストラップ用容量C1
のマイナス側端子に接続し、放電トランジスタT13お
よびT14のゲートに、2段目の出力トランジスタT2
2のソースに接続された出力ノードN22を接続する。
これにより、2段目の出力ノードN22に駆動パルスV
2が出力された時に、ブートストラップ用容量C1が放
電されることになる。
As a means for discharging the voltage charged in the bootstrap capacitor, in order to reduce the number of transistors and power supply in the circuit, in the case of the bootstrap capacitor C1, the drain of the discharge transistor T13 is connected to the bootstrap capacitor C1. Of the discharge transistor T14 connected to the positive terminal of the bootstrap capacitor C1.
Of the second output transistor T2 to the gates of the discharge transistors T13 and T14.
The output node N22 which is connected to the source of No. 2 is connected.
As a result, the drive pulse V is applied to the output node N22 of the second stage.
When 2 is output, the bootstrap capacitance C1 is discharged.

【0051】この構成により、放電トランジスタを2個
追加するだけで、ブートストラップ用容量の放電がで
き、他の外部入力パルスなどが無い規模の小さい回路構
成でも、本実施形態の信号伝送回路を実現することがで
きる。
With this structure, the bootstrap capacitor can be discharged by adding two discharge transistors, and the signal transmission circuit of this embodiment can be realized even with a small-scale circuit structure having no other external input pulse. can do.

【0052】なお、図2に示すように、ブートストラッ
プ用容量のマイナス側の放電は、従来と同様に、駆動パ
ルスV1またはV2を用いて行ってもよい。
As shown in FIG. 2, the negative side discharge of the bootstrap capacitor may be performed using the drive pulse V1 or V2 as in the conventional case.

【0053】図3は、NMOSのみを用いた図1の信号
伝送回路における各部のパルス電圧を示すタイミングチ
ャートである。この回路は3V系の回路であり、駆動パ
ルスV1、V2の電圧振幅、および電源電圧VDDが3
Vの場合を示す。ただし、スタートパルスVSTの電圧
振幅は5Vとする。ここで、スタートパルスVSTの電
圧振幅のみ5Vとするのは、スタートパルスVSTが入
力される初段のブートストラップ用容量充電トランジス
タT11の場合のみ、前段からの高い電圧が供給できな
いため、スタートパルスVSTのみ駆動パルスV1、V
2の電圧振幅である3Vよりも高い5Vでトランジスタ
T11を駆動することにより、トランジスタT11によ
る電圧降下を防止し、ブートストラップ用容量C1を電
源電圧VDDである3Vに充電可能にするためである。
FIG. 3 is a timing chart showing the pulse voltage of each part in the signal transmission circuit of FIG. 1 using only NMOS. This circuit is a 3V system circuit, and the voltage amplitudes of the drive pulses V1 and V2 and the power supply voltage VDD are 3V.
The case of V is shown. However, the voltage amplitude of the start pulse VST is 5V. Here, the voltage amplitude of the start pulse VST is set to 5 V only in the case of the bootstrap capacitance charging transistor T11 in the first stage to which the start pulse VST is input, since the high voltage from the previous stage cannot be supplied, only the start pulse VST Drive pulse V1, V
This is because by driving the transistor T11 with 5V which is higher than 3V which is the voltage amplitude of 2, the voltage drop due to the transistor T11 is prevented and the bootstrap capacitance C1 can be charged to 3V which is the power supply voltage VDD.

【0054】図3において、時刻t0において、スター
トパルスVSTの電圧が5Vに立ち上がり、エンハンス
メント型のNMOSであるブートストラップ用容量充電
トランジスタT11の閾値電圧Vtがあった場合でも、
トランジスタT11を介してブートストラップ用容量C
1が電源電圧VDDである3Vに充電され、出力トラン
ジスタT12がオンする。
In FIG. 3, even if the voltage of the start pulse VST rises to 5V at time t0 and there is the threshold voltage Vt of the bootstrap capacitance charging transistor T11 which is an enhancement type NMOS,
Bootstrap capacitance C via transistor T11
1 is charged to 3V which is the power supply voltage VDD, and the output transistor T12 is turned on.

【0055】次に、時刻t1において、駆動パルスV1
が3Vに立ち上がり、出力トランジスタT12のドレイ
ンに入力すると、出力トランジスタT12のゲートに
は、駆動パルスV1の電圧3Vとブートストラップ用容
量C1両端の電位差3Vとが足された高い電圧HB1電
圧が印加されるめ、出力ノードN12から3V振幅の駆
動パルスV1が出力パルスOUT1として確実に出力さ
れることになる。
Next, at time t1, drive pulse V1
Rises to 3V and is input to the drain of the output transistor T12, a high voltage HB1 voltage obtained by adding the voltage 3V of the drive pulse V1 and the potential difference 3V across the bootstrap capacitor C1 is applied to the gate of the output transistor T12. Therefore, the drive pulse V1 having an amplitude of 3V is surely output from the output node N12 as the output pulse OUT1.

【0056】また同時に、ブートストラップ用容量C1
のプラス側の端子に接続されたノードN11の高電圧H
B1が、2段目のブートストラップ用容量充電トランジ
スタT21のゲートに入力され、トランジスタT21が
オンして、ブートストラップ用容量C2が確実に電源電
圧VDDである3Vに充電されることになる。
At the same time, the bootstrap capacitance C1
High voltage H of node N11 connected to the positive terminal of
B1 is input to the gate of the bootstrap capacitance charging transistor T21 of the second stage, the transistor T21 is turned on, and the bootstrap capacitance C2 is reliably charged to the power supply voltage VDD of 3V.

【0057】同様にして、時刻t2、t3、t4の場合
も、時刻t1の動作を繰り返すこととなる。
Similarly, at times t2, t3, and t4, the operation at time t1 is repeated.

【0058】以上のように、本実施形態によれば、次段
のブートストラップ用容量充電トランジスタのゲートに
は常に、前段のブートストラップ用容量のプラス側の端
子電圧が加わるため、次段のブートストラップ用容量を
確実に電源電圧3Vに充電できることとなり、電圧降下
の無い、3Vの低電圧の出力パルスを生成可能な信号伝
送回路を実現できる。
As described above, according to this embodiment, the gate voltage of the bootstrap capacitance charging transistor of the next stage is always applied with the positive terminal voltage of the bootstrap capacitance of the previous stage, so that the boot of the next stage is booted. Since the strap capacitance can be reliably charged to the power supply voltage of 3V, it is possible to realize a signal transmission circuit that can generate a low-voltage output pulse of 3V without a voltage drop.

【0059】(第2の実施形態)図4は、本発明の第2
の実施形態に係る信号伝送回路の一構成例を示す回路図
である。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点
は、ブートストラップ用容量のプラス側端子に誤動作防
止用トランジスタ(T35、T45)を追加した点にあ
る。以下、この相違点についてのみ説明する。
(Second Embodiment) FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to the embodiment of FIG. The second embodiment is different from the first embodiment in that malfunction preventing transistors (T35, T45) are added to the plus side terminal of the bootstrap capacitor. Hereinafter, only this difference will be described.

【0060】2段目のブートストラップ用容量C2が3
Vに充電された時、エンハンスメント型のNMOSであ
るブートストラップ用容量充電トランジスタT31の閾
値電圧が低い場合には、ブートストラップ用容量C2の
プラス側の端子に接続されたノードN21(3V)がゲ
ートに接続されているブートストラップ用容量充電トラ
ンジスタT31がオンして、3段目のブートストラップ
用容量C3が3V以下の低い電圧に充電される可能性が
ある。この状態では、駆動パルスV1が論理「Hig
h」レベルである3Vの場合、初段の出力ノードN12
に駆動パルスV1が出力されている時に、同時に3段目
の出力ノードN32にも駆動パルスV1が出力される可
能性がある。
The bootstrap capacitance C2 of the second stage is 3
When the threshold voltage of the bootstrap capacitance charging transistor T31, which is an enhancement type NMOS, is low when charged to V, the node N21 (3V) connected to the positive side terminal of the bootstrap capacitance C2 is the gate. There is a possibility that the bootstrap capacitance charging transistor T31 connected to is turned on and the bootstrap capacitance C3 in the third stage is charged to a low voltage of 3 V or less. In this state, the drive pulse V1 is logically "High".
In the case of 3V which is the "h" level, the output node N12 of the first stage
While the drive pulse V1 is being output to the second stage, the drive pulse V1 may be simultaneously output to the output node N32 of the third stage.

【0061】そのため、図4に示すように、ブートスト
ラップ用容量C3のプラス端子側を接地電位に近づけ
て、3段目の出力トランジスタT32がオフするよう
に、ブートストラップ用容量C3のプラス端子側と接地
電位との間に、誤動作防止用トランジスタT35を接続
した。すなわち、誤動作防止用トランジスタT35のド
レインをブートストラップ用容量C3のプラス側に、ソ
ースを接地電位に、ゲートを初段の出力ノードN12に
接続し、初段の出力ノードN12に駆動パルスV1が出
ている時に誤動作防止用トランジスタをオンして、ノー
ドN31を0V付近にして、3段目の出力ノードN32
に駆動パルスV1が出ないようにする。
Therefore, as shown in FIG. 4, the plus terminal side of the bootstrap capacitor C3 is brought closer to the ground potential so that the output transistor T32 of the third stage is turned off so that the plus terminal side of the bootstrap capacitor C3 is turned off. A malfunction preventing transistor T35 was connected between the ground potential and the ground potential. That is, the drain of the malfunction prevention transistor T35 is connected to the plus side of the bootstrap capacitance C3, the source is connected to the ground potential, and the gate is connected to the output node N12 of the first stage, and the drive pulse V1 is output to the output node N12 of the first stage. Occasionally, the malfunction prevention transistor is turned on to bring the node N31 near 0 V and the output node N32 of the third stage.
The drive pulse V1 is prevented from being output.

【0062】このとき、ブートストラップ用容量充電ト
ランジスタT31のコンダクタンスを誤動作防止用トラ
ンジスタT35のコンダクタンスよりも小さくすること
で、ブートストラップ用容量C3のプラス端子側をより
0Vに近づけることができ、誤動作をより確実に防止す
ることができる。
At this time, by making the conductance of the bootstrap capacitance charging transistor T31 smaller than the conductance of the malfunction prevention transistor T35, the plus terminal side of the bootstrap capacitance C3 can be brought closer to 0 V, and malfunction occurs. It can be prevented more reliably.

【0063】同様に、後段のブートストラップ用容量C
4のプラス端子側と接地電位との間にも、それぞれ、誤
動作防止用トランジスタT45のドレインとソースを接
続し、ゲートには前々段の出力ノードN22を接続する
ことで、全段にわたって誤動作を防止することができ
る。
Similarly, the bootstrap capacitance C in the subsequent stage
The drain and the source of the malfunction prevention transistor T45 are respectively connected between the positive terminal side of 4 and the ground potential, and the output node N22 of the previous stage is connected to the gate to prevent malfunction in all stages. Can be prevented.

【0064】以上のように、本実施形態によれば、誤動
作防止用トランジスタを設けることで、出力トランジス
タの閾値電圧が低い場合でも誤動作を防止でき、閾値電
圧の範囲を広くとることができる。
As described above, according to this embodiment, by providing the malfunction prevention transistor, malfunction can be prevented even when the threshold voltage of the output transistor is low, and the range of the threshold voltage can be widened.

【0065】また、誤動作防止用トランジスタのゲート
に前々段の出力トランジスタのソースを接続するように
構成したことで、他の外部入力パルスなどが無い規模の
小さい回路構成の場合でも、本実施形態による信号伝送
回路を実現することができる。
Further, since the source of the output transistor in the previous stage is connected to the gate of the malfunction preventing transistor, the present embodiment is realized even in the case of a small-scale circuit configuration without other external input pulses. The signal transmission circuit can be realized.

【0066】なお、第1および第2の実施形態では、放
電トランジスタおよび誤動作防止用トランジスタのそれ
ぞれのソースは接地電位(0V)としているが、各ソー
ス電圧は、出力トランジスタの閾値電圧よりも小さい値
であれば、0Vでなくても同様の効果が得られる。
In the first and second embodiments, the sources of the discharge transistor and the malfunction prevention transistor are set to the ground potential (0V), but the source voltage is smaller than the threshold voltage of the output transistor. If so, the same effect can be obtained even if it is not 0V.

【0067】また、第1および第2の実施形態では、ブ
ートストラップ用容量充電トランジスタのドレインに
は、電源電圧VDDとしてDC電圧が印加されるため、
誤動作が起こる可能性が発生し、誤動作防止用トランジ
スタを組み込む必要があるが、ブートストラップ用容量
充電トランジスタのドレインに、電源電圧VDDとして
パルス電圧を印加することで誤動作を防止することがで
きる。すなわち、出力トランジスタのソースに出力電圧
が発生している期間、次段のブートストラップ容量充電
トランジスタのドレインを「High」レベルとし、次
次段のブートストラップ容量充電トランジスタのドレイ
ンを「Low」レベルにすることで、誤動作防止用トラ
ンジスタを省略することができる。
Further, in the first and second embodiments, since the DC voltage is applied as the power supply voltage VDD to the drain of the bootstrap capacitance charging transistor,
Although a malfunction may occur and it is necessary to incorporate a malfunction prevention transistor, the malfunction can be prevented by applying a pulse voltage as the power supply voltage VDD to the drain of the bootstrap capacitance charging transistor. That is, while the output voltage is being generated at the source of the output transistor, the drain of the bootstrap capacitance charging transistor of the next stage is set to “High” level, and the drain of the bootstrap capacitance charging transistor of the next stage is set to “Low” level. By doing so, the malfunction prevention transistor can be omitted.

【0068】また、第1および第2の実施形態では、N
MOSトランジスタの場合について例示および説明した
が、全てPMOSトランジスタである場合についても、
同様な効果を得ることができる。
In the first and second embodiments, N
Although the case of MOS transistors has been illustrated and described, the case where all are PMOS transistors
Similar effects can be obtained.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次段のブートストラップ用容量を電源電圧VDDに充電
することができ、ブートストラップ用容量への充電電圧
の降下を防ぐことができる。したがって、伝送段数が増
えることにより、出力パルス電圧が次第に低下したり、
何段か先で出力パルスが出なくなることを防止すること
ができる。これによって、安定な低電圧駆動が可能な信
号伝送回路を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
The bootstrap capacitor in the next stage can be charged to the power supply voltage VDD, and a drop in the charging voltage to the bootstrap capacitor can be prevented. Therefore, as the number of transmission stages increases, the output pulse voltage gradually decreases,
It is possible to prevent the output pulse from being stopped after several steps. As a result, it is possible to realize a signal transmission circuit capable of stable low voltage driving.

【0070】また、かかる信号伝送回路は、液晶デイス
プレイ、MOS型撮像装置の低電圧駆動実現の要請に沿
いながら、信号伝送回路をシフトレジスタに使用して、
低電圧化を実現とするものであって、産業上極めて有用
である。
In addition, the signal transmission circuit uses the signal transmission circuit as a shift register while meeting the demand for realizing low voltage driving of the liquid crystal display and the MOS type image pickup device.
It realizes low voltage and is extremely useful industrially.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路
の一構成例を示す回路図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路
の他の構成例を示す回路図
FIG. 2 is a circuit diagram showing another configuration example of the signal transmission circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路
における各部のパルス電圧を示すタイミングチャート
FIG. 3 is a timing chart showing pulse voltages of respective parts in the signal transmission circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第2の実施形態に係る信号伝送回路
の一構成例を示す回路図
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 従来の信号伝送回路の一構成例を示す回路図FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional signal transmission circuit.

【図6】 従来の信号伝送回路における各部のパルス電
圧を示すタイミングチャート
FIG. 6 is a timing chart showing pulse voltages of various parts in a conventional signal transmission circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C1、C2、C3、C4 ブートストラップ用容量 OUT1、OUT2、OUT3、OUT4 出力パルス
(走査パルス) T11、T21、T31、T41 ブートストラップ用
容量充電トランジスタ(充電トランジスタ) T12、T22、T32、T42 出力トランジスタ T13、T23、T33、T43 放電トランジスタ
(第1の放電トランジスタ) T14、T24、T34、T44 放電トランジスタ
(第2の放電トランジスタ) T35、T45 誤動作防止用トランジスタ V1、V2 駆動パルス VDD 電源電圧 VST スタートパルス
C1, C2, C3, C4 Bootstrap capacitance OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 Output pulse (scan pulse) T11, T21, T31, T41 Bootstrap capacitance charging transistor (charging transistor) T12, T22, T32, T42 Output transistor T13, T23, T33, T43 Discharge transistor (first discharge transistor) T14, T24, T34, T44 Discharge transistor (second discharge transistor) T35, T45 Malfunction prevention transistor V1, V2 Drive pulse VDD Power supply voltage VST Start pulse

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 623 G09G 3/36 5J055 3/36 H04N 5/335 Z 5J056 H03K 17/687 5/66 102B H04N 5/335 H03K 19/094 B 5/66 102 17/687 G Fターム(参考) 2H093 NC22 ND38 ND39 5C006 BC03 BC11 BF03 BF34 BF37 FA46 FA47 5C024 BX01 HX02 5C058 AA06 BA01 5C080 AA10 DD09 DD26 DD30 JJ03 JJ04 5J055 AX14 BX17 CX30 DX13 DX22 EY10 EY21 EZ18 FX05 FX12 FX27 GX01 5J056 AA00 BB17 BB18 CC18 CC29 DD28 DD51 FF08 GG10 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 623 G09G 3/36 5J055 3/36 H04N 5/335 Z 5J056 H03K 17/687 5/66 102B H04N 5 / 335 H03K 19/094 B 5/66 102 17/687 G F Term (reference) 2H093 NC22 ND38 ND39 5C006 BC03 BC11 BF03 BF34 BF37 FA46 FA47 5C024 BX01 HX02 5C058 AA06 BA01 5C080 AA10 DD09 DD26 DD30J22X22 DX0 JJ03 JJ04 JJ04 JJ04 EY10 EY21 EZ18 FX05 FX12 FX27 GX01 5J056 AA00 BB17 BB18 CC18 CC29 DD28 DD51 FF08 GG10

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数段回路で構成され、各段回路から駆
動パルスに従ったパルス電圧が順次出力される信号伝送
回路であって、前記各段回路は、 前記駆動パルスを前記パルス電圧としてソースに出力す
る出力トランジスタと、 前記出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続さ
れたブートストラップ用容量と、 前記ブートストラップ用容量を充電するために、ドレイ
ンが電源または接地線に接続され、ソースが前記出力ト
ランジスタのゲートに接続され、初段の場合はゲートに
スタートパルスが供給され、2段目以降の場合はゲート
が前段の出力トランジスタのゲートに接続された充電ト
ランジスタとを備えたことを特徴とする信号伝送回路。
1. A signal transmission circuit comprising a multi-stage circuit, wherein each stage circuit sequentially outputs a pulse voltage according to a drive pulse, wherein each stage circuit uses the drive pulse as the pulse voltage as a source. An output transistor for outputting to, a bootstrap capacitance connected between the gate and the source of the output transistor, and a drain connected to a power supply or a ground line to charge the bootstrap capacitance, and the source is A charging transistor connected to the gate of the output transistor, the start pulse being supplied to the gate in the case of the first stage, and the gate being connected to the gate of the output transistor in the stage in the second and subsequent stages. Signal transmission circuit.
【請求項2】 前記信号伝送回路は、 ドレインが前記ブートストラップ用容量の一端に接続さ
れた第1の放電トランジスタと、 ドレインが前記ブートストラップ用容量の他端に接続さ
れた第2の放電トランジスタとを備え、 前記第1および第2の放電トランジスタのゲートに共通
のパルス電圧が印加されることを特徴とする請求項1記
載の信号伝送回路。
2. The signal transmission circuit includes: a first discharge transistor having a drain connected to one end of the bootstrap capacitor, and a second discharge transistor having a drain connected to the other end of the bootstrap capacitor. 2. The signal transmission circuit according to claim 1, further comprising: a common pulse voltage applied to the gates of the first and second discharge transistors.
【請求項3】 前記共通のパルス電圧は、次段の出力ト
ランジスタのソースから供給されることを特徴とする請
求項2記載の信号伝送回路。
3. The signal transmission circuit according to claim 2, wherein the common pulse voltage is supplied from the source of the output transistor of the next stage.
【請求項4】 前記信号伝送回路は、ドレインが3段目
以降の前記出力トランジスタのゲートに接続された誤動
作防止用トランジスタを備えたことを特徴とする請求項
1から3のいずれか一項記載の信号伝送回路。
4. The signal transmission circuit according to claim 1, further comprising a malfunction preventing transistor having a drain connected to a gate of the output transistor in the third and subsequent stages. Signal transmission circuit.
【請求項5】 前記信号伝送回路は、3段目以降の各段
回路において、ドレインが前記出力トランジスタのゲー
トに接続され、ゲートが前々段の前記出力トランジスタ
のソースに接続された誤動作防止用トランジスタを備え
たことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載
の信号伝送回路。
5. The signal transmission circuit according to claim 3, wherein, in each of the third and subsequent stages, the drain is connected to the gate of the output transistor and the gate is connected to the source of the output transistor in the previous stage. The signal transmission circuit according to any one of claims 1 to 3, further comprising a transistor.
【請求項6】 ある段の前記出力トランジスタのソース
にパルス電圧が出力されている期間、次段の前記充電ト
ランジスタを動作可能とし、次次段の前記充電トランジ
スタを動作禁止にするような電源電圧パルスがドレイン
に供給されることを特徴とする請求項1から3のいずれ
か一項記載の信号伝送回路。
6. A power supply voltage that enables the charging transistor of the next stage to operate and disables the charging transistor of the next stage while a pulse voltage is being output to the source of the output transistor of a certain stage. 4. The signal transmission circuit according to claim 1, wherein the pulse is supplied to the drain.
【請求項7】 前記充電トランジスタのコンダクタンス
が、前記誤動作防止用トランジスタのコンダクタンスよ
りも小さいことを特徴とする請求項4または5記載の信
号伝送回路。
7. The signal transmission circuit according to claim 4, wherein a conductance of the charging transistor is smaller than a conductance of the malfunction prevention transistor.
【請求項8】 初段の前記充電トランジスタのゲートに
供給される前記スタートパルスの電圧振幅は、前記駆動
パルスの電圧振幅よりも大きいことを特徴とする請求項
1から7のいずれか一項記載の信号伝送回路。
8. The voltage amplitude of the start pulse supplied to the gate of the charging transistor in the first stage is larger than the voltage amplitude of the drive pulse, according to any one of claims 1 to 7. Signal transmission circuit.
【請求項9】 前記トランジスタは全てNMOSトラン
ジスタであり、前記第1および第2の放電トランジスタ
のソースには、接地電位が供給されることを特徴とする
請求項2または3記載の信号伝送回路。
9. The signal transmission circuit according to claim 2, wherein the transistors are all NMOS transistors, and the ground potential is supplied to the sources of the first and second discharge transistors.
【請求項10】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記第1および第2の放電トランジス
タのソースには、前記出力トランジスタの閾値電圧より
も低い電圧が供給されることを特徴とする請求項2また
は3記載の信号伝送回路。
10. The transistor according to claim 2, wherein the transistors are all NMOS transistors, and the sources of the first and second discharge transistors are supplied with a voltage lower than a threshold voltage of the output transistor. Alternatively, the signal transmission circuit according to item 3.
【請求項11】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、接地電位が供給されることを特徴とする請求項
4または5記載の信号伝送回路。
11. The signal transmission circuit according to claim 4, wherein all the transistors are NMOS transistors, and a ground potential is supplied to a source of the malfunction prevention transistor.
【請求項12】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、前記出力トランジスタの閾値電圧よりも低い電
圧が供給されることを特徴とする請求項4または5記載
の信号伝送回路。
12. The transistor according to claim 4, wherein the transistors are all NMOS transistors, and a voltage lower than a threshold voltage of the output transistor is supplied to a source of the malfunction prevention transistor. Signal transmission circuit.
【請求項13】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記第1および第2の放電トランジス
タのソースには、電源電圧が供給されることを特徴とす
る請求項2または3記載の信号伝送回路。
13. The signal transmission circuit according to claim 2, wherein all the transistors are PMOS transistors, and a power supply voltage is supplied to the sources of the first and second discharge transistors.
【請求項14】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記第1および第2の放電トランジス
タのソースには、前記出力トランジスタの閾値電圧より
も高い電圧が供給されることを特徴とする請求項2また
は3記載の信号伝送回路。
14. The transistors are all PMOS transistors, and the sources of the first and second discharge transistors are supplied with a voltage higher than a threshold voltage of the output transistor. Alternatively, the signal transmission circuit according to item 3.
【請求項15】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、電源電圧が供給されることを特徴とする請求項
4または5記載の信号伝送回路。
15. The signal transmission circuit according to claim 4, wherein all the transistors are PMOS transistors, and a power supply voltage is supplied to a source of the malfunction prevention transistor.
【請求項16】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、前記出力トランジスタの閾値電圧よりも高い電
圧が供給されることを特徴とする請求項4または5記載
の信号伝送回路。
16. The transistor according to claim 4, wherein the transistors are all PMOS transistors, and a voltage higher than a threshold voltage of the output transistor is supplied to a source of the malfunction prevention transistor. Signal transmission circuit.
【請求項17】 複数段回路で構成され、各段回路から
駆動パルスに従った走査パルス電圧が順次出力される信
号伝送回路を有する固体撮像装置であって、 前記信号伝送回路の各段回路は、 前記駆動パルスを前記走査パルス電圧としてソースに出
力する出力トランジスタと、 前記出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続さ
れたブートストラップ用容量と、 前記ブートストラップ用容量を充電するために、ドレイ
ンが電源または接地線に接続され、ソースが前記出力ト
ランジスタのゲートに接続され、初段の場合はゲートに
スタートパルスが供給され、2段目以降の場合はゲート
が前段の出力トランジスタのゲートに接続された充電ト
ランジスタとを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
17. A solid-state imaging device comprising a signal transmission circuit configured by a plurality of stage circuits, in which scanning pulse voltages according to drive pulses are sequentially output from each stage circuit, wherein each stage circuit of the signal transmission circuit is An output transistor for outputting the drive pulse to the source as the scan pulse voltage, a bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the output transistor, and a drain for charging the bootstrap capacitor. Is connected to the power supply or ground line, the source is connected to the gate of the output transistor, the start pulse is supplied to the gate in the first stage, and the gate is connected to the gate of the output transistor in the previous stage in the second and subsequent stages. A solid-state image pickup device, comprising:
【請求項18】 請求項17記載の固体撮像装置を搭載
したことを特徴とするカメラ。
18. A camera equipped with the solid-state imaging device according to claim 17.
【請求項19】 複数段回路で構成され、各段回路から
駆動パルスに従った走査パルス電圧が順次出力される信
号伝送回路を有する液晶表示装置であって、 前記信号伝送回路の各段回路は、 前記駆動パルスを前記走査パルス電圧としてソースに出
力する出力トランジスタと、 前記出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続さ
れたブートストラップ用容量と、 前記ブートストラップ用容量を充電するために、ドレイ
ンが電源または接地線に接続され、ソースが前記出力ト
ランジスタのゲートに接続され、初段の場合はゲートに
スタートパルスが供給され、2段目以降の場合はゲート
が前段の出力トランジスタのゲートに接続された充電ト
ランジスタとを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
19. A liquid crystal display device comprising a signal transmission circuit configured by a plurality of stage circuits, in which scanning pulse voltages according to drive pulses are sequentially output from each stage circuit, wherein each stage circuit of the signal transmission circuit is An output transistor for outputting the drive pulse to the source as the scan pulse voltage, a bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the output transistor, and a drain for charging the bootstrap capacitor. Is connected to the power supply or ground line, the source is connected to the gate of the output transistor, the start pulse is supplied to the gate in the first stage, and the gate is connected to the gate of the output transistor in the previous stage in the second and subsequent stages. And a charging transistor.
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