JP2003100829A - 半導体ウエーハの評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエー
ハのチャージングダメージを簡便に、また高精度で評価
できる半導体ウエーハの評価方法を提供する。 【解決手段】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウ
エーハのチャージングダメージを評価する方法であっ
て、シリコンウエーハ３表面に酸化膜１を形成した後、
形成した酸化膜１の一部を除去して開口部を形成し、形
成した開口部からシリコンウエーハ３にドーパントを導
入、拡散させてシリコンウエーハ３表面にｐｎ接合４を
形成し、ｐｎ接合４が形成されたシリコンウエーハ３上
に多結晶シリコン電極２を形成した後、シリコンウエー
ハ３表面上に形成した多結晶シリコン電極２に電圧を印
加してｐｎ接合４のリーク電流を測定することによりシ
リコンウエーハ３のチャージングダメージを評価する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハ及
び半導体プロセスの評価方法に関するもので、特にプラ
ズマを用いるドライエッチングやイオン注入等の際に生
じるチャージングダメージを評価する際に有効な技術に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化・高集積
化に伴い、半導体プロセスにおいてプラズマやイオン等
の荷電粒子を用いる工程の重要性がますます増加してき
ている。例えば、エッチング工程では、プラズマ等によ
るドライエッチングを施すことにより、薬液を利用する
ウエットエッチングに比べてより微細なパターンの加工
・エッチングが可能になる。

【０００３】しかしながら、このような荷電粒子による
処理ではウエーハが電位をもったプラズマやイオン等の
粒子に曝されるため、処理が施されたウエーハにはチャ
ージングダメージとよばれる電気的な悪影響が存在す
る。このチャージングダメージは、例えば酸化膜の絶縁
破壊やデバイス信頼性へ大きな影響を及ぼすことが知ら
れている。従って、このようなチャージングダメージの
影響を小さくするために、そのメカニズムを究明するこ
とは言うまでもなく、精度の優れたチャージングダメー
ジの測定・評価技術の開発も重要な課題の一つとなって
いる。

【０００４】従来行われているチャージングダメージの
評価方法として、ゲート酸化膜を模擬したキャパシタの
絶縁破壊率、あるいは絶縁破壊に至る電荷量（Ｑ_ｂｄ）
を測定することにより、実際に酸化膜が受けたチャージ
ングダメージを評価することができる。一般に、キャパ
シタとしてアンテナ比（＝電極面積／ゲート絶縁膜面
積）を大きくとったアンテナデバイスと呼ばれるＭＯＳ
型デバイスが用いられ、その絶縁破壊率あるいはＱ_ｂｄ
値からチャージングダメージの評価が行われる。

【０００５】しかしながら、この絶縁破壊率あるいはＱ
_ｂｄ値の測定による評価方法は測定感度が十分でなく、
そのため酸化膜が致命的なダメージを受けた場合、すな
わちチャージングダメージが激しいウエーハのみでしか
正確に評価することができないという問題があった。

【０００６】また、この他のチャージングダメージの評
価方法として、キャパシタのＣ−Ｖ特性の変化を測定し
て評価する方法、実際のアンテナの付いたトランジスタ
を用いて評価する方法等が知られている。しかしなが
ら、キャパシタのＣ−Ｖ特性の変化を測定してチャージ
ングダメージを評価する場合、上述した絶縁破壊率また
はＱ_ｂｄ値から評価する方法に比べて測定感度は高くな
るものの、正確な評価を行うには長時間の測定が必要と
なる。さらに実際に受けるチャージングダメージはウエ
ーハ面内での分布が大きく、ウエーハ上の数点を測定し
ただけでは正確な評価を行うことができないため、多数
点の測定が必要とされる。従って、Ｃ−Ｖ特性の変化か
らチャージングダメージを評価するには測定時間が長く
ならざるを得ず、一般的に行われる評価方法としては適
切でない。

【０００７】また、実際のトランジスタを用いてチャー
ジングダメージの評価を行う場合も測定感度は高くなる
ものの、トランジスタの作製には時間とコストが必要と
される。また、この評価方法は、最終的なラインの確認
には適しているが、個別のプロセスを評価する際や立ち
上げ時に適用することは不可能である。

【０００８】このように、従来の評価方法では測定時間
やコストの面で問題があったり、優れた測定感度でウエ
ーハのチャージングダメージを評価することが困難であ
り、チャージングダメージを正確にかつ簡便に評価でき
る方法の開発が望まれている。また、半導体プロセスの
最適化を行うことによってチャージングダメージを効率
的に低減することができると考えられるため、荷電粒子
を曝す処理でウエーハが受けるャージングダメージを各
工程ごとに評価できるような評価方法の確立が必要とさ
れている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、荷電粒子
に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダ
メージを簡便に、また高精度で評価できる半導体ウエー
ハの評価方法を提供することにある。さらには、半導体
プロセスにおいて半導体ウエーハが受けるチャージング
ダメージを各工程ごとに評価できる半導体ウエーハの評
価方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、荷電粒子に曝す処理が施された半
導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法で
あって、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成した
後、形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、
形成した開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを
導入、拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成
し、該ｐｎ接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を
形成する工程を行った後、半導体ウエーハ表面上に形成
した電極に電圧を印加して前記ｐｎ接合のリーク電流を
測定することにより半導体ウエーハのチャージングダメ
ージを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価
方法が提供される（請求項１）。

【００１１】このように半導体ウエーハ表面に酸化膜を
形成した後開口部を形成し、そこからドーパントを導
入、拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成
し、その上に電極を形成する工程を行った後、この形成
した電極に電圧を印加してｐｎ接合のリーク電流を測定
することによって、簡便に、また優れた測定感度で半導
体ウエーハのチャージングダメージを評価することがで
きる。

【００１２】この時、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜
を形成する工程から電極を形成する工程中に半導体ウエ
ーハに荷電粒子を曝す処理を施さないことが好ましい
（請求項２）。

【００１３】このように、半導体ウエーハのチャージン
グダメージを評価する際に施される工程中に荷電粒子を
曝す処理を行わないことによって、ウエーハが評価のた
めの処理中に新たにチャージングダメージを受けること
がないため、最初に半導体ウエーハが受けていたチャー
ジングダメージを正確に評価することができる。

【００１４】この場合、前記半導体ウエーハ表面に酸化
膜を形成する工程から電極を形成する工程において、パ
ターニングのために必要とされるエッチングは全てウエ
ットエッチングにて行うことが好ましい（請求項３）。
このように、半導体ウエーハのチャージングダメージを
評価する際に施される工程において、必要とされるエッ
チングが全てウエットエッチングにて行われることによ
って、半導体ウエーハが荷電粒子に曝されることなくエ
ッチング処理を行うことができ、評価の際にチャージン
グダメージを受けることもなく正確なチャージングダメ
ージの評価を行うことができる。

【００１５】また、本発明によれば、半導体ウエーハの
チャージングダメージを評価する方法であって、荷電粒
子に曝す処理が施されていない半導体ウエーハの表面に
酸化膜を形成した後、形成した酸化膜の一部を除去して
開口部を形成し、形成した開口部から前記半導体ウエー
ハにドーパントを導入、拡散させて半導体ウエーハ表面
にｐｎ接合を形成し、該ｐｎ接合が形成された半導体ウ
エーハ上に電極を形成する工程を行い、その際前記半導
体ウエーハ表面に酸化膜を形成する工程から電極を形成
する工程のうち少なくとも一つの工程において半導体ウ
エーハに荷電粒子を曝す処理を施し、その後、半導体ウ
エーハ表面上に形成した電極に電圧を印加して前記ｐｎ
接合のリーク電流を測定することにより半導体ウエーハ
のチャージングダメージを評価することを特徴とする半
導体ウエーハの評価方法が提供される（請求項４）。

【００１６】このように、半導体ウエーハ表面に酸化膜
を形成した後開口部を形成し、そこからドーパントを導
入、拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成
し、その上に電極を形成する工程を行い、その際これら
の工程のうち少なくとも一つの工程において半導体ウエ
ーハに荷電粒子を曝す処理を施し、その後、この形成し
た電極に電圧を印加してｐｎ接合のリーク電流を測定す
るようにすれば、これらの工程における各工程ごとの半
導体ウエーハが受けるチャージングダメージを評価する
ことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明について実施の形態
を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。従来行われているシリコンウエーハのチャージング
ダメージの評価方法は、測定感度が悪かったり、あるい
は測定時間やコストの面で問題があり、正確にかつ簡便
に半導体ウエーハのチャージングダメージを評価するこ
とが困難であった。また、チャージングダメージの低減
のため、半導体プロセスにおいて各工程ごとにウエーハ
が受けるチャージングダメージを評価できるような半導
体ウエーハの評価方法の確立が必要とされている。

【００１８】そこで、本発明者は、半導体ウエーハにｐ
ｎ接合を形成して電圧を印加したときに、半導体ウエー
ハにチャージングダメージがあると接合リーク電流が増
大することから、この作用を利用することにより半導体
ウエーハのチャージングダメージを評価できることに想
到し、鋭意検討を重ねることにより本発明を完成させる
に至った。

【００１９】すなわち、荷電粒子に曝す処理が施された
半導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法
であって、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成した
後、形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、
形成した開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを
導入、拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成
し、該ｐｎ接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を
形成する工程を行った後、半導体ウエーハ表面上に形成
した電極に電圧を印加して前記ｐｎ接合のリーク電流を
測定することにより、半導体ウエーハのチャージングダ
メージを評価することができる。

【００２０】ここで、本発明による半導体ウエーハの評
価方法について、ウエーハとしてシリコンウエーハを用
いた場合につき図１を参照しながら具体的に説明する。
先ず、評価対象となる荷電粒子に曝す処理が行われたウ
エーハ３（シリコン単結晶ウエーハ）の表面に熱酸化等
により酸化膜１を形成する。次に、その酸化膜表面にフ
ォトレジストを塗布してパターニングを行い、酸化膜の
表面に開口部を形成する領域を露出させる。そして、露
出した部分の酸化膜をエッチングして開口部を形成した
後、フォトレジストを除去する（分離酸化膜の形成）。

【００２１】次に、開口部が形成された酸化膜をマスク
として、シリコンウエーハに開口部から所定濃度のドー
パントを導入し、アニール処理等で拡散させることによ
りシリコンウエーハ表面にｐｎ接合４を形成する。

【００２２】続いて、シリコンウエーハ全面にアルミニ
ウムあるいは低抵抗率の多結晶シリコンを堆積し、フォ
トレジストを塗布してパターニングを行った後、不要な
部分を除去することによって前記開口部の表面に電極２
を形成する。その後、このシリコンウエーハ表面上に形
成した電極に電圧を印加し、ｐｎ接合４のリーク電流を
測定することによって、シリコンウエーハが受けたチャ
ージングダメージを評価することができる。

【００２３】このようにｐｎ接合を形成し、そこに電圧
を加えてそのリーク電流を測定することによって、測定
感度が高く、また比較的短時間で簡便にシリコンウエー
ハが受けたチャージングダメージを評価することができ
る。

【００２４】このとき、シリコンウエーハ表面に酸化膜
を形成する工程から電極を形成する工程中にシリコンウ
エーハに荷電粒子を曝す処理を施さないことが好まし
い。このようにシリコンウエーハの評価を行う工程中に
荷電粒子を曝す処理を施さないことによって、シリコン
ウエーハが新たにチャージングダメージを受けることも
ないので、最初にシリコンウエーハが受けていたチャー
ジングダメージの評価を正確に行うことができる。

【００２５】例えば、上述したシリコンウエーハ表面に
酸化膜を形成する工程から電極を形成する工程におい
て、パターニングのために必要とされるエッチングを全
てウエットエッチングにて行うことによって、ドライエ
ッチング工程で使用されるプラズマ等の荷電粒子による
チャージングダメージを受けることもない。さらには、
ドーパントの導入・拡散の際にイオン注入を用いること
なく、例えばｐ型のウエーハにＰＯＣｌ_３等を拡散源と
することにより、チャージングダメージを受けることな
く、ｐｎ接合を形成することができる。

【００２６】また、本発明によれば、荷電粒子に曝す処
理が施されていないシリコンウエーハを用い、ウエーハ
を評価する際に行われる工程の中で少なくとも一つの工
程でシリコンウエーハに荷電粒子を曝す処理を施すこと
によって、各工程でシリコンウエーハが受けるチャージ
ングダメージを工程ごとに評価することができる。

【００２７】すなわち、荷電粒子に曝す処理が施されて
いないシリコンウエーハの表面に酸化膜を形成した後、
形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、形成
した開口部から前記シリコンウエーハにドーパントを導
入、拡散させてシリコンウエーハ表面にｐｎ接合を形成
し、該ｐｎ接合が形成されたシリコンウエーハ上に電極
を形成する工程を行い、その際前記シリコンウエーハ表
面に酸化膜を形成する工程から電極を形成する工程のう
ち少なくとも一つの工程においてシリコンウエーハに荷
電粒子を曝す処理を施し、その後、シリコンウエーハ表
面上に形成した電極に電圧を印加して前記ｐｎ接合のリ
ーク電流を測定することによって、荷電粒子を曝す処理
を行った工程のみにおけるシリコンウエーハが受けたチ
ャージングダメージの評価を行うことができる。

【００２８】具体的に説明すると、例えば、上記の方法
において、開口部を形成する際に酸化膜のエッチングを
行うが、その際のチャージングダメージを評価する場合
であれば、エッチング工程において例えばＣＦ_４やＳＦ
_６などの荷電粒子を用いたドライエッチングを行えば良
い。また、フォトレジストを除去するアッシング工程を
プラズマアッシングのような荷電粒子を用いた工程とす
ることもできる。

【００２９】また、酸化膜に開口部を形成する工程以外
の工程におけるチャージングダメージの評価を行う場
合、例えばｐｎ接合を形成する際のチャージングダメー
ジを評価するのであれば、ドーパントの導入をイオン注
入により行えば良い。さらには、ｐｎ接合の形成後に電
極を形成するが、この工程において例えば電極材に多結
晶シリコンを選択した場合では、この多結晶シリコンの
エッチングをプラズマで行うドライエッチングにするか
どうかを選択できる。

【００３０】すなわち、上述のようなエッチング、拡
散、さらにはアッシング等の処理において、いずれかの
工程うちの少なくとも一つの工程において荷電粒子によ
る処理を用い、その他の全ての工程においては荷電粒子
を用いない処理にすることで、工程ごとでシリコンウエ
ーハが受けるチャージングダメージを評価することが可
能になる。但し、本発明において荷電粒子を用いた処理
は、一工程のみならず、複数で行う場合も有り得る。荷
電粒子による処理を行うか否かは目的に応じ適宜選択す
ることができる。

【００３１】尚、上述した方法においては、シリコンウ
エーハにｐｎ接合を形成する際、ウエーハに熱酸化処理
等により厚めの酸化膜を形成し、この酸化膜に開口部を
形成した後（分離酸化膜形成）、ドーパントを導入・拡
散させるが、このとき、分離酸化膜が形成されていない
とウエーハ全面にドーパントが拡散してしまい、ｐｎ接
合のリーク電流の測定が出来なくなる。さらに、この分
離酸化膜が存在することにより、評価を行う際に荷電粒
子を曝す処理が施されたときに荷電粒子がこの分離酸化
膜上に当たり、分離酸化膜周辺にはチャージングダメー
ジが蓄積されると考えられる。それによって、測定感度
が向上し、より精度の優れた評価ができると考えられ
る。

【００３２】

【実施例】以下、図２を参照しながら実施例及び比較例
を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。 （実施例）試料として、直径２００ｍｍ、伝導型として
はボロンをドープしたｐ型のシリコンウエーハ３（抵抗
率１０Ω・ｃｍ）を準備した。このシリコンウエーハに
９００℃のウエット雰囲気中で約２５０分間の熱処理を
行い、５００ｎｍの厚さの酸化膜１を形成した。その
後、このシリコンウエーハにリソグラフィ工程、エッチ
ング工程を行って酸化膜１に開口部を形成した（分離酸
化膜の形成）（）。

【００３３】次に、ＰＯＣｌ_３をリン拡散源として、開
口部よりシリコンウエーハに導入した後、１０００℃、
３０分のアニール処理を行い拡散させてｐｎ接合４を形
成した（）。その際、拡散層のシート抵抗値は、２０
Ω／□であった。

【００３４】その後、シリコンウエーハ全面に多結晶シ
リコンを堆積し、フォトレジストを塗布してパターニン
グを行った後、不要な部分をエッチングすることによっ
て開口部に厚さが３００ｎｍの多結晶シリコン電極２を
形成した（）。このとき多結晶シリコンに施されるエ
ッチングが、プラズマエッチング（エッチングガス：Ｃ
Ｆ_４／Ｏ_２＝１９０／１０ｓｃｃｍ、高周波出力Ｒｆ：
３００Ｗ）とウエットエッチング（フッ硝酸液）である
２種類のウエーハを作製した。

【００３５】その後、このようにシリコンウエーハ上に
形成した多結晶シリコン電極に２３℃で０〜１０Ｖの逆
バイアス電圧を印加して、その際のリーク電流の測定を
行い、１００ｐＡ以上のリーク電流をリーク過多と規定
して評価を行った。

【００３６】ウエットエッチングを行って多結晶シリコ
ン電極を形成した試料のリーク電流を測定した結果を図
３に、またプラズマエッチングを行って電極を形成した
試料のリーク電流を測定した結果を図４の（ａ）に示
す。尚、図４の（ｂ）において、０．００等の数字が記
載されているチップはリーク電流値が多かった（１００
ｐＡ以上）ものを示しており、空白部はリーク電流値が
１００ｐＡ未満であったものを示す。図３及び図４から
明らかなように、ウエットエッチングを行ったシリコン
ウエーハに比べて、プラズマエッチングを行ったシリコ
ンウエーハではウエーハ周辺部でリーク電流の増加が観
察され、ウエーハ周辺部でチャージングダメージを受け
ていることがわかる。

【００３７】（比較例）試料として、実施例と同様に直
径２００ｍｍ、ｐ型のシリコンウエーハ３（抵抗率１０
Ω・ｃｍ）を準備した。このシリコンウエーハに実施例
と同様の処理を行い、５００ｎｍの厚さの酸化膜１を形
成し、その後、この酸化膜１に開口部を形成した（分離
酸化膜の形成）（）。

【００３８】次に、このシリコンウエーハに乾燥酸素雰
囲気中で９００℃、約１００分間の熱処理を行い、開口
部に２５ｎｍのゲート酸化膜５を形成した（´）。そ
の後、シリコンウエーハ全面に多結晶シリコンを堆積
し、フォトレジストを塗布してパターニングを行った
後、不要な部分をエッチングすることによって、開口部
に厚さが３００ｎｍの多結晶シリコン電極２を形成した
（´）。このとき、多結晶シリコンに施されるエッチ
ングが、プラズマエッチング（ＣＦ_４／Ｏ_２＝１９０／
１０ｓｃｃｍ、Ｒｆ：３００Ｗ）とウエットエッチング
（フッ硝酸液）である２種類のウエーハを作製した。
尚、この際のアンテナ比は１０００とした。

【００３９】このように作製した２種類のシリコンウエ
ーハに対して、定電流ＴＤＤＢ評価によりＱ_ｂｄ値の比
較を行った。その結果を図５に示す。図５に示したよう
に、アンテナデバイスによるチャージングデバイスの評
価では、多結晶シリコンをエッチングする際にウエット
エッチングを行った試料の曲線６（破線）とプラズマエ
ッチングを行った試料の曲線７（実線）との違いを観察
することはできなかった。すなわち、実施例において観
察されたプラズマエッチングによるチャージングダメー
ジを測定することはできなかった。

【００４０】この結果より、本発明による半導体ウエー
ハの評価方法は、チャージングダメージをより高精度か
つ高感度で評価することができることがわかる。また、
上記例では、本発明の評価方法の中の工程でウエーハを
荷電粒子に曝す処理を行ったが、元々荷電粒子に曝され
た半導体ウエーハを本法により評価するようにすれば高
感度で評価できることがわかる。

【００４１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本
発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的
に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、
いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含され
る。

【００４２】例えば、本発明の実施例ではｐ型のシリコ
ンウエーハを用いた場合を例示して説明を行っている
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ｎ型のシ
リコンウエーハについても同様に適用することができる
し、ゲルマニウムや化合物半導体ウエーハにも適用可能
である。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャー
ジングダメージを簡便に、また高精度で評価することが
できる。また、半導体プロセスにおいて半導体ウエーハ
が受けるチャージングダメージを各工程ごとに評価する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるシリコンウエーハの評価方法を説
明するための断面図である。

【図２】実施例及び比較例における評価フローを示した
図である。

【図３】実施例における多結晶シリコンをウエットエッ
チングして得られた試料のリーク電流を測定した結果で
ある。

【図４】（ａ）は、実施例における多結晶シリコンをプ
ラズマエッチングして得られた試料のリーク電流を測定
した結果であり、（ｂ）は、シリコンウエーハにおいて
リーク電流過多のチップを示した図である。

【図５】アンテナデバイスによりチャージングダメージ
を評価した結果（Ｑ_ｂｄ値の累積度数プロット）を示し
た図である。

【符号の説明】

１…酸化膜（分離酸化膜）、 ２…多結晶シリコン電
極、３…シリコンウエーハ、 ４…ｐｎ接合部、５…ゲ
ート酸化膜、６…ウエットエッチングした試料の酸化膜
破壊電界累積度数曲線（破線）、７…プラズマエッチン
グした試料の酸化膜破壊電界累積度数曲線（実線）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウ
   エーハのチャージングダメージを評価する方法であっ
   て、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成した後、形
   成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、形成し
   た開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを導入、
   拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成し、該
   ｐｎ接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を形成す
   る工程を行った後、半導体ウエーハ表面上に形成した電
   極に電圧を印加して前記ｐｎ接合のリーク電流を測定す
   ることにより半導体ウエーハのチャージングダメージを
   評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
2. 【請求項２】 前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成
   する工程から電極を形成する工程中に半導体ウエーハに
   荷電粒子を曝す処理を施さないことを特徴とする請求項
   １に記載の半導体ウエーハの評価方法。
3. 【請求項３】 前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成
   する工程から電極を形成する工程において、パターニン
   グのために必要とされるエッチングは全てウエットエッ
   チングにて行うことを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載の半導体ウエーハの評価方法。
4. 【請求項４】 半導体ウエーハのチャージングダメージ
   を評価する方法であって、荷電粒子に曝す処理が施され
   ていない半導体ウエーハの表面に酸化膜を形成した後、
   形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、形成
   した開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを導
   入、拡散させて半導体ウエーハ表面にｐｎ接合を形成
   し、該ｐｎ接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を
   形成する工程を行い、その際前記半導体ウエーハ表面に
   酸化膜を形成する工程から電極を形成する工程のうち少
   なくとも一つの工程において半導体ウエーハに荷電粒子
   を曝す処理を施し、その後、半導体ウエーハ表面上に形
   成した電極に電圧を印加して前記ｐｎ接合のリーク電流
   を測定することにより半導体ウエーハのチャージングダ
   メージを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評
   価方法。