JP2003100223A - 電子管装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 制御グリッドに負のバイアス電圧を与えるバ
イアス電源を不要とすること。 【構成】 アノード２、フィラメント３、制御グリッド
４を少なくとも有する電子管と、その制御グリッド４に
正のバイアス電圧を与える正バイアス電源７と、アノー
ド２とフィラメント３間に直流高電圧を印加する直流高
電圧電源６と、フィラメント３に加熱電流を供給する絶
縁トランス５とを備えた電子管装置において、フィラメ
ント３の一端と正バイアス電源７の負極との間に半導体
スイッチ８を接続し、この半導体スイッチ８をオン、オ
フさせることにより前記電子管をオン、カットオフさせ
ることを特徴とする電子管装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】 本発明は、フィラメントと
アノードとの間に制御グリドを有する３極電子管、ある
いはその他に遮蔽グリッド、抑制グリッドを有する４極
電子管、５極電子管などの電子管の制御装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】 半導体デバイスの出現以来、電子管の
利用分野は大幅に狭まって来たが、大電力の高周波発振
器や増幅器、あるいは比較的容量が大きくかつ高電圧の
高周波発振器や増幅器の分野には未だかなり利用されて
いる。図８により低い周波数で駆動される高電圧電子管
の制御装置について説明すると、１は３極電子管の管球
であり、その真空中にはアノード２、フィラメント３、
制御グリッド４が封入されている。５は図示しない交流
電源からフィラメント３に加熱用の電流を供給する第１
の絶縁トランス、６はアノード２に数十ｋＶの加速電
圧、即ち高電圧のアノード電圧を供給する直流高電圧電
源であり、普通はコッククロフト・ ウオルトン回路が使
用される。図示のようにアノード２が接地され、フィラ
メント３に負の高電圧が印加される場合には、第１の絶
縁トランス（フィラメントトランスという）５は負極性
の高電圧に耐えられる絶縁構造を持つ。

【０００３】 さらに図８により従来例の説明を続ける
と、７は制御グリッド４に正のバイアス電圧を与える正
バイアス電源であり、正バイアス電源７の正極はＦＥＴ
８１を通して制御グリッド４に接続され、負極は直流高
電圧電源６の負極と共通に接続される。それら負極にフ
ィラメント３の一端が接続されている。８２は負のバイ
アス電圧を与える負バイアス電源であり、負バイアス電
源８２は、抵抗８３を通して制御グリッド４に接続され
る。その負バイアス電圧は電子管のカットオフ電圧以上
であり、ここでカットオフ電圧とは電子管のアノード電
流を実質的にゼロにする負のグリッドバイアス電圧であ
る。正バイアス電源７と負バイアス電源８２は交互に動
作し、制御グリッド４に交互に正、負のバイアス電圧を
出力する。ＦＥＴ８１は、接地電位側にある図示しない
制御回路から、図示しない光ファイバ、又はパルストラ
ンスなどの信号絶縁手段を通して駆動信号を受けて制御
され、オフ動作を行う。

【０００４】 次に、この電子管装置の動作について簡
単に説明すると、ＦＥＴ８１がオフしているとき、制御
グリッド４は負バイアス電源８２から抵抗８３を通して
負極性のカットオフ電圧にバイアスされる。この結果、
フィラメント３から放出された熱電子はアノード２に実
質的に到達せず、電流が流れない。次に、ＦＥＴ８１が
オンすることにより制御グリッド４はＦＥＴ８１を介し
て正バイアス電源７に接続され、正バイアスされる。こ
の結果、フィラメント３から放出された熱電子は制御グ
リッド４を通過してアノード２に到達し、電流が流れ
る。その電流は正バイアス電源７の正バイアス電圧の大
きさで制御される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】 従来の電子管装置は
このような構成のため、正バイアス電源７の他に負バイ
アス電源８２が必要であったので、コストダウンするの
が非常に難しかった。特に、双方のバイアス電源ほかの
回路が高電位側にある場合は電気絶縁上のコストがかか
る。本発明は、負バイアス電源を省略する回路構成とし
て経済化を図ることを主目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】 この課題を解決するた
めに、請求項１の発明では、アノード、フィラメント、
制御グリッドを有する電子管と、その前記制御グリッド
に正バイアス電圧を与える正バイアス電源と、前記アノ
ードとフィラメント間に直流高電圧を印加する直流高電
圧電源と、前記フィラメントに加熱電流を供給するフィ
ラメントトランスとを備えた電子管装置において、直流
高電圧電源６の負極と正バイアス電源７の負極とが一緒
に共通に接続された基準電位点と前記フィラメントの一
端又は前記フィラメントトランスの２次側中間電圧点と
の間に半導体スイッチを接続し、この半導体スイッチを
オン、オフさせることにより、前記電子管をオン、カッ
トオフさせることを特徴とする電子管装置を提案するも
のである。

【０００７】 この課題を解決するために、請求項２で
は、請求項１において、前記正バイアス電源の正バイア
ス電圧を、前記フィラメントトランスの第３の巻線の電
圧から生成する電子管装置を提案するものである。

【０００８】 この課題を解決するために、請求項３で
は、請求項１又は請求項２において、前記半導体スイッ
チは、接地電位側にある制御回路から光ファイバ又は信
号絶縁トランスを通して得られる駆動信号によりオンし
て、電子管をオンさせる電子管装置を提案するものであ
る。

【０００９】 この課題を解決するために、請求項４で
は、請求項１において、前記正バイアス電源の正バイア
ス電圧を抵抗で分圧し、その分圧した電圧を前記半導体
スイッチの制御端子に印加してその半導体スイッチをオ
ンさせることにより、電子管をオンさせる電子管装置を
提案するものである。

【００１０】 この課題を解決するために、請求項５で
は、請求項１において、前記直流高電圧電源はコックク
ロフト・ウォルトン回路であり、前記正バイアス電圧は
前記コッククロフト・ウォルトン回路の最も電位の高い
コンデンサの両端の電圧から生成される電子管装置を提
案するものである。

【００１１】 この課題を解決するために、請求項６で
は、請求項１ないし請求項５のいずれかにおいて、前記
半導体スイッチと並列に、前記正バイアス電源の正バイ
アス電圧と同等以上のゼナー電圧又はアバランシェ電圧
のような定電圧を呈する電気特性を持つ定電圧素子を接
続した電子管装置を提案するものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】 図１は本発明の基本的な構成を
示す図である。この発明では、従来における制御グリッ
ド４用の負バイアス電源を除去すると共に、正バイアス
電源７と制御グリッド４との間に接続されていたＦＥＴ
を除去する代わりに、ＦＥＴ又はＩＧＢＴなどのような
半導体スイッチ８をフィラメント３の一端又はフィラメ
ントトランス５の２次側中間電圧点と正バイアス電源７
の負極との間に接続し、かつ半導体スイッチ８のオン、
オフにより、フィラメント３を直流高電圧電源６の負極
と正バイアス電源７の負極とに接続したり、あるいはそ
れら負極から遮断できるようにしたところに特徴があ
る。なお、直流高電圧電源６の負極と正バイアス電源７
の負極は一緒に共通の基準電位となり、通常、その基準
電位は接地電位、あるいは所定の負の電位、例えば−数
ｋＶから−１００数十ｋＶの範囲の電圧であり、本発明
では直流高電圧電源６と正バイアス電源７の正極は接地
電位にあり、負極は所定の負の高電位にあるものとして
説明する。

【００１３】 図１において、図６に示した記号と同一
の記号は相当する部材を示すものとする。正バイアス電
源７の負極は直流高電圧電源６の負極（基準電位）に接
続されており、電子管電流を制御できるように正バイア
ス電源７の出力電圧は可変できるようになっている。半
導体スイッチ８の主電流端子の一方は前記基準電位に接
続され、他方はフィラメント３の一端に接続されている
ので、半導体スイッチ８がオフの状態では、半導体スイ
ッチ８の両端は高インピーダンスであり、フィラメント
３の一端はその高インピーダンスを通して前記基準電位
に接続されていることになる。したがって、直流高電圧
電源６の直流高電圧によってアノード２からフィラメン
ト３、前記高インピーダンスを通して漏れ電流が流れ、
通常、その高インピーダンスの両端に発生する電圧は正
バイアス電圧Ｖｂとカットオフ電圧との和以上になる。
これによって、フィラメント３の電位は制御グリッド４
の電圧以上になり、フィラメント３と制御グリッド４と
の間はカットオフ電圧Ｖｃで逆バイアスとなる。つま
り、電子管は漏れ電流による半導体スイッチ８の電圧降
下とカットオフ電圧Ｖｃとがバランスした動作点で自己
逆バイアスされてカットオフとなる。

【００１４】 次に、図示しない信号源からの駆動信号
により半導体スイッチ８がターンオンすると、フィラメ
ント３は直流高電圧電源６の負極と正バイアス電源７の
負極の共通の電位である基準電位となる。これに伴い、
制御グリッド４とフィラメント３との間には正バイアス
電源７の正バイアス電圧Ｖｂにほぼ等しい電圧が印加さ
れ、正バイアス電圧Ｖｂに対応した電流が流れる。この
ように本発明では、半導体スイッチ８をオン、オフする
ことにより、電子管の電流を開閉制御できる。

【００１５】 次に、図２により本発明の一実施例につ
いて説明する。図２において、図１の記号と同じ記号に
ついては同一の部材を示すものとする。正バイアス電源
７は、フィラメントトランス５の第３の巻線２１とその
交流電圧を整流する整流回路２２と平滑用コンデンサ２
３とから構成される。平滑用コンデンサ２３と並列に、
互いに直列接続された抵抗２４、フォトトランジスタ２
５及び抵抗２６が接続されている。半導体スイッチ８の
制御端子は、フォトトランジスタ２５と抵抗２６との間
に接続され、半導体スイッチ８の制御端子と主端子の一
方との間には抵抗２６が存在することにより、フォトト
ランジスタ２５の漏れ電流で半導体スイッチ８が誤って
オンしないようになっている。フォトトランジスタ２５
は接地電位側にある制御回路２８からの駆動信号を鎖線
で示す光ファイバ２７を通して受けてオン、オフ制御さ
れる。半導体スイッチ８の主電流端子間には、電子管の
カットオフ時、又はアノード２とフィラメント３の放電
により半導体スイッチ８に過電圧がかかって破損するの
を防止する定電圧素子２９が接続される。ゼナーダイオ
ード、アバランシェダイード、あるいは酸化亜鉛を主成
分とする定電圧素子からなる。

【００１６】 図２に示した実施例における定電圧素子
２９は次のような電気特性をもつことが大切である。こ
れら実施例では電子管のカットオフ時でも制御グリッド
４に正バイアス電圧Ｖｂが印加されている。半導体スイ
ッチ８がオフのときには制御グリッド４とフィラメント
３間は逆バイアス状態にならなければ電子管をカットオ
フ状態にできないので、定電圧素子２９は正バイアス電
源７の正バイアス電圧Ｖｂと電子管のカットオフ電圧Ｖ
ｃとの和以上のゼナー電圧又はアバランシェ特性を呈す
る電気特性を持たなければならない。半導体スイッチ８
として耐圧の低いものを用いるためには、他の実施例に
おいても前記電気特性をもつ定電圧素子を備えることが
必要である。

【００１７】 ここで、半導体スイッチ８がオフすると
き、電子管のカットオフ時に発生する電圧と正バイアス
電圧Ｖｂとの和の電圧が半導体スイッチ８にかかるの
で、ゼナーダイオード、あるいはアバランシェダイード
などからなる定電圧素子２９が無ければそれ以上の耐圧
をもつ必要があるが、半導体スイッチ８の両端にかかる
電圧は定電圧素子２９が呈する定電圧に制限される。な
お、信号伝達回路として光ファイバ２７の代わりに絶縁
トランスを用い、その絶縁トランスの２次巻線の電圧を
整流してフォトトランジスタ２５の制御端子に駆動信号
として与えても良い。

【００１８】 次にこの回路の動作について説明する。
電子管のアノード２には直流高電圧電源６から所定の高
電圧が印加され、フィラメント３には絶縁トランス５を
通してフィラメント電圧が印加されることにより電流が
流れ、同時に制御グリッド４には正バイアス電源７から
正バイアス電圧Ｖｂが印加される。このとき、制御回路
２８からの光信号が光ファイバ２８を通してフォトトラ
ンジスタ２５に供給されてフォトトランジスタ２５がオ
ンし、半導体スイッチ８もオンすると、フィラメント３
は基準電位になり、制御グリッド４とフィラメント３と
の間の電位差は正バイアス電圧Ｖｂに等しくなり、正バ
イアス電圧Ｖｂの値に応じた電流が電子管を流れる。な
お、制御回路２８から駆動信号が供給されない区間で
は、フォトトランジスタ２５がオフであり、これに伴い
半導体スイッチ８もオフであるので、前述のように基準
電位に対するフィラメント３の電位は定電圧素子２９の
定電圧Ｖｚとなり、Ｖｚ＞Ｖｂ＞＋Ｖｃであるから制御
グリッド４は逆バイアス状態にあるので、制御グリッド
４には整流回路２２を通して正バイアス電圧Ｖｂが供給
されていても電子管はカットオフである。

【００１９】 図３に示す別の実施例では、正バイアス
電源７がインバータ回路３１、１次巻線３２ｐと２次巻
線３２ｓとを有する第２の絶縁トランス３２、その２次
巻線３２ｓに接続された全波整流回路３３と平滑用コン
デンサ３４とから構成され、正バイアス電圧Ｖｂを制御
グリッド４に供給する。平滑用コンデンサ３４には、直
列接続された抵抗３５と抵抗３６とが並列接続されてお
り、正バイアス電圧Ｖｂを抵抗３５と抵抗３６とで分割
した電圧が半導体スイッチ８の制御端子に印加される。
なお、図１又は図２に示した記号と同じ記号は相当する
部材を示す。

【００２０】 次に動作について説明する。図示しない
電子管オン指令がないとき、インバータ回路３１は高周
波動作を行わず、絶縁トランス３２の２次巻線３２ｓに
は高周波電圧が発生しない。基準電位（直流高電圧電源
６の負極）に対する制御グリッド４の電位差はほぼ０で
ある。したがって、半導体スイッチ８はそのゲート電位
が０Ｖのため、オフであり、前述のように半導体スイッ
チ８の高インピーダンス状態と電子管の漏れ電流とによ
り、基準電位に対するフィラメント３の電位は定電圧Ｖ
ｚとなり、バイアス電圧Ｖｂはゼロのため制御グリッド
４とフィラメント３間は逆バイアス状態になる。このた
め、電子管のアノード２とフィラメント３との間に直流
高電圧が印加されていても、電子管のアノード２とフィ
ラメント３との間には電流が流れず、電子管はカットオ
フである。この実施例では電子管がカットオフの状態で
はインバータ回路３１もオフで、制御グリッド４のバイ
アス電圧はほぼゼロであるので、定電圧素子２９の定電
圧Ｖｚは電子管のカットオフ電圧Ｖｃ以上であれば良
い。

【００２１】 次に、図示しない電子管オン指令により
インバータ回路３１が動作して高周波電圧を発生する
と、絶縁トランス３２の２次巻線３２ｓに高周波電圧が
発生し、整流されて数１０Ｖないし数１００Ｖの直流電
圧が正バイアス電圧Ｖｂとして生成され、制御グリッド
４に印加される。また、その正バイアス電圧Ｖｂは同時
に抵抗４５と４６の分圧回路を通して分割され、適当な
値の電圧が半導体スイッチ８の制御端子に印加され、半
導体スイッチ８をオンさせる。この結果、フィラメント
３は半導体スイッチ８を通して基準電位に接続されるの
で、制御グリッド４とフィラメント３との間には前記数
１０Ｖないし数１００Ｖの直流電圧の範囲内の正バイア
ス電圧Ｖｂがかかり、電子管を電流が流れる。この実施
例では、半導体スイッチ８を絶縁して駆動するための信
号絶縁駆動回路を別途必要とせず、正バイアス電源の起
動を利用して半導体スイッチ８をオンさせているので経
済性に優れる。

【００２２】 図４は他の実施例であり、図１の前記実
施例の高電圧電源６として、複数の平滑側コンデンサＣ
Ｄ１〜ＣＤｎと、交流側コンデンサＣＡ１〜ＣＡｎ、ダ
イオードＤ１〜Ｄｎ〜Ｄ２ｎで構成されたコッククロフ
ト・ウォルトン（以下、ＣＷという）回路４１及び昇圧
用トランス４２を用いている。このＣＷ回路４１は良く
知られた回路構成のものであるので、詳しい説明は省略
する。ＣＷ回路４１の最も電位の高い、つまり電子管の
フィラメント側のコンデンサＣＤｎと次に電位の高いコ
ンデンサＣＤｎ−１との接続点から抵抗４３を通して、
ゼナーダイオードのような定電圧ダイオード４４の両端
に数１００Ｖの正バイアス電圧Ｖｂが作られる。ＦＥＴ
又はＩＧＢＴのような半導体スイッチ８の制御について
は図２に示した実施例と同様である。例えば、ＣＷ回路
４１が−５０ｋＶを発生し、１０段であれば、最上段の
コンデンサＣＤｎには５ｋＶの電圧が発生する。この電
圧から抵抗４３を通して正バイアス電圧を作るが、制御
グリッド４に流れる電流は通常数μＡと非常に小さく、
ＣＷ回路４１への影響は小さい。正バイアス電圧Ｖｂは
定電圧ダイオード４４により数１００Ｖの定電圧に制限
されているので、ＣＷ回路４１への影響をより小さく
し、最上段のコンデンサＣＤｎの電圧を必要なレベルに
合わせる方法として、最上段の交流側のコンデンサＣＡ
ｎの容量を他のコンデンサＣＡ１〜ＣＡｎ−１の数分の
１ないし１／１０程度に小さくすることが考えられる。
この実施例では、僅かな部品を用いるだけで、アノード
２とフィラメント３間に直流高電圧を供給するための直
流高電圧電源から正バイアス電圧Ｖｂを得ており、より
経済性に優れている。

【００２３】 以上の実施例では、いずれも制御グリッ
ド４の正バイアス電圧を利用して半導体スイッチ８を駆
動したが、図５に示すように専用の駆動回路で駆動して
ももちろん良い。図５に従って簡単に説明すると、この
駆動回路は高周波発振器５１、１次巻線５２ｐと２次巻
線５２ｓ間の耐圧が大きい構造をもつ絶縁パルストラン
ス５２、その２次巻線５２ｓ間に接続された整流回路５
３、フィルタ用コンデンサ５４、コンデンサ放電用抵抗
器５５からなる。この駆動回路によれば、２次巻線５２
ｓに１０〜２０Ｖの高周波電圧が発生し、整流器５３と
フィルタ用コンデンサ５４で直流・平滑化されて半導体
スイッチ８のゲートに駆動信号として印加される。

【００２４】 また、以上の実施例では、いずれも半導
体スイッチ８の主電流端子の一方を前記基準電位に接続
し、他方をフィラメント３の一端に接続したが、図６に
示すように、半導体スイッチ８の主電流端子の他方をフ
ィラメントトランス３の２次巻線５ｓの中間タップ５
ａ、つまり２次側中間電圧点に接続しても良い。さら
に、図７に示すように、半導体スイッチ８の主電流端子
の他方をフィラメントトランス３の２次巻線５ｓに並列
接続した抵抗７１の中間電圧点、つまり２次巻線５ｓ間
の電圧を抵抗で等しく２分割した２次側中間電圧点に接
続しても良い。これら実施例では、半導体スイッチ８の
オフ時、前述したように電子管の漏れ電流による半導体
スイッチ８の両端間の高インピーダンスの電圧ドロップ
に、前記２次側中間電圧点の電圧、例えば１Ｖ弱の電圧
が加えられた電圧がフィラメント３の電圧となる。

【００２５】 図６の実施例の場合、半導体スイッチ８
がオフのときには半導体スイッチ８の両端間は高インピ
ーダンスであり、漏れ電流は直流高電圧電源６の正極か
らアノード２、制御グリッド４、フィラメント３、トラ
ンス５の２次巻線５ｓの中点５ａ、及び半導体スイッチ
８による高インピーダンスを通して直流高電圧電源６の
負極に流れる。この結果、前記高インピーダンスの電圧
ドロップは正バイアス電源７の正バイアス電圧以上にな
り、制御グリッド４とフィラメント３間は逆バイアス、
つまり自己逆バイアスされ、カットオフである。また、
半導体スイッチ８がオンのときには半導体スイッチ８を
通してトランス５の２次巻線５ｓの中点５ａは前記基準
電位に接続されるので、フィラメント３はほぼ基準電位
となり、制御グリッド４とフィラメント３間は順バイア
スされ、電子管はオンする。

【００２６】 図７の実施例の場合も図６の実施例とほ
ぼ同じであり、半導体スイッチ８がオフのときには半導
体スイッチ８の両端間は高インピーダンスであり、漏れ
電流は直流高電圧電源６の正極からアノード２、制御グ
リッド４、フィラメント３、抵抗７１の中間電圧点７１
ａ、及び前記高インピーダンスを通して直流高電圧電源
６の負極に流れる。この結果、前記高インピーダンスの
電圧ドロップは正バイアス電源７の正バイアス電圧以上
になり、制御グリッド４とフィラメント３間は逆バイア
ス、つまり自己逆バイアスされ、カットオフである。ま
た、半導体スイッチ８がオンのときには、半導体スイッ
チ８を通して抵抗７１の中間電圧点７１ａは前記基準電
位に接続されるので、フィラメント３はほぼ基準電位と
なり、制御グリッド４とフィラメント３間は順バイアス
され、電子管はオンする。

【００２７】 なお、以上の実施例では、いずれも制御
グリッド４だけを持つ３極電子管について述べたが、更
に遮蔽グリッドを有する４極電子管、４極電子管に更に
抑制グリッドを備えた５極電子管などの制御グリッドに
も同様に本発明を適用することができる。

【００２８】

【発明の効果】 以上述べたように本発明では、別途負
バイアス電源を用いることなく電子管をオンからオフに
し、そのオフ状態を維持できるので回路構成を簡単にで
きると同時に経済性に優れる。また、請求項２ないし５
によれば、半導体スイッチの駆動電源を用いることな
く、半導体スイッチのオンにより制御グリッドとフィラ
メント間に電圧を印加し、電子管をオンさせることがで
きるので、さらに経済性に優れる。さらに、請求項６に
よれば電子管のカットオフ電圧の影響を除去できるので
耐圧の低い半導体スイッチを用いることが可能になり、
より一層経済性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る電子管装置の実施の態様を示す
図である。

【図２】 本発明に係る電子管装置の一実施例を示す図
である。

【図３】 本発明に係る電子管装置の他の実施例を示す
図である。

【図４】 本発明に係る電子管装置の他の実施例を示す
図である。

【図５】 本発明に係る電子管装置に用いられる駆動回
路の例を示す図である。

【図６】 本発明に係る電子管装置の他の実施例を示す
図である。

【図７】 本発明に係る電子管装置の他の実施例を示す
図である。

【図８】 従来の電子管装置の一例を示す図である。

【符号の説明】 【符号の説明】

１・・・電子管の管球 ２・・・
アノード ３・・・フィラメント ４・・・
制御グリッド ５・・・フィラメントトランス ５ｓ・・フィラメントトランスの２次巻線 ５ａ・・
２次巻線５ｓの中点５ ６・・・直流高電圧電源 ７・・・正バイアス電源 ８・・・
半導体スイッチ ２１・・フィラメントトランス５の第３の巻線 ２２・・整流回路 ２３・・
コンデンサ ２４、２６・・抵抗器 ２５・・
フォトトランジスタ ２７・・光ファイバ ２８・・
制御回路 ２９・・定電圧ダイオード ３１・・高周波インバータ回路 ３２・・
パルストランス ３３・・整流回路 ３４・・
コンデンサ ３５、３６・・・抵抗器 ４１・・コッククロフト・ウォルトン回路 ４２・・昇圧用トランス ４３・・
抵抗器 ４４・・定電圧ダイオード ５１・・高周波発振器 ５２・・
絶縁パルストランス ７１・・抵抗器７１ ７１ａ・
・中間電圧点

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アノード、フィラメント、制御グリッド
   を有する電子管と、その前記制御グリッドに正のバイア
   ス電圧を与える正バイアス電源と、前記アノードとフィ
   ラメント間に直流高電圧を印加する直流高電圧電源と、
   前記フィラメントに加熱電流を供給するフィラメントト
   ランスとを備えた電子管装置において、 前記直流高電圧電源の負極と前記正バイアス電源の負極
   とが一緒に共通に接続された基準電位点と前記フィラメ
   ントの一端又は前記フィラメントトランスの２次側中間
   電圧点との間に半導体スイッチを接続し、この半導体ス
   イッチをオン、オフさせることにより、前記電子管をオ
   ン、カットオフさせることを特徴とする電子管装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記正バイアス電源の正バイアス電圧を、前記フィラメ
   ントトランスの第３の巻線の電圧から生成することを特
   徴とする電子管装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、 前記半導体スイッチは、接地電位側にある制御回路から
   光ファイバ又は信号絶縁トランスを通して得られる駆動
   信号によりオンして、前記電子管をオンさせることを特
   徴とする電子管装置。
4. 【請求項４】 請求項１において、 前記正バイアス電源を接地電位側からオンオフできるよ
   うにし、またその正バイアス電圧を抵抗で分圧し、その
   分圧した電圧を前記半導体スイッチの制御端子に印加し
   てその半導体スイッチをオンさせて、前記電子管をオン
   させることを特徴とする電子管装置。
5. 【請求項５】 請求項１において、 前記直流高電圧電源はコッククロフト・ウォルトン回路
   であり、前記正バイアス電圧は前記コッククロフト・ウ
   ォルトン回路における電子管のフィラメント側のコンデ
   ンサの両端の電圧から生成されたことを特徴とする電子
   管装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項３、請求項５のい
   ずれかにおいて、 前記半導体スイッチと並列に、前記正バイアス電源の正
   バイアス電圧と電子管のカットオフ電圧との和以上のゼ
   ナー電圧又はアバランシェ電圧のような定電圧を呈する
   電気特性を持つ定電圧素子を備えたことを特徴とする電
   子管装置。