JP2003098396A - 光実装基板の製造方法および光伝送体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の高密度化に対応することができ、配線
の自由度を向上させることができ、コストのかからない
光実装基板の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 プリント基板１０に信号光Ｌを発光する
発光素子２０および信号光Ｌを受光する受光素子２１を
実装する実装工程と、光伝送体１１をプリント基板に装
着する装着工程とを有する光実装基板１の製造方法は、
光伝送体１１に変向光学素子３０、３１を設ける素子形
成工程を備えており、前記素子形成工程は、所定形状を
有する押圧部１３ａを備えたスタンプ部材１３を加熱
し、光伝送体１１に押圧するスタンピング工程等を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各集積回路間のデ
ータ伝送に際して光伝送を用いる光実装基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＣＰＵ（Central Processing
Unit）やメモリなどの各種集積回路（ＩＣ）やシステ
ムＬＳＩ等が実装される回路基板においては、ＣＰＵや
メモリなどの動作周波数（ないしは処理速度）等の性能
や回路機能の向上に伴い、各ＩＣ間をバス構造で接続す
るデータバスなどの電気配線中の電気信号を、高速で伝
送する必要性が生じてきている。

【０００３】このため、電気配線長の短縮化や作動伝送
などを進めることにより、各ＩＣ間を接続するバスの動
作速度の向上を図っている。しかし配線距離を短くする
手法では、インピーダンスの不整合やクロストークなど
種々の問題が発生するとともに、システムの変更や追加
などによって配線距離を長くしなければならない場合に
は高速伝送できない部分が生じてしまう。このような信
号遅延により、システム全体の処理速度がバスの動作速
度によって制限されてしまうことになる。すなわち、Ｃ
ＰＵの動作周波数に応じた各ＩＣの離間距離が限界に達
し、高速のＣＰＵを基板に実装しつつ、電気配線で信号
の伝送速度を高速に行おうとすると、配線の長さや形状
まで決められた形でしか達成できない。また、バス接続
配線の高密度化ならびにシステムの高速化による電磁ノ
イズ（ＥＭＩ：Electromagnetic Interferece）の問題
も、システムの処理速度向上に対しては大きな制約にな
る。特に、高密度実装（ＭＣＭ：マルチチップモジュー
ル）やシステムＬＳＩなどの基板では、データ転送速度
（電気信号の伝送速度）が高速化するために、さらに、
ＥＭＩ対策が困難となる。

【０００４】そこで、このような問題を解決しバスの動
作速度の向上を図るために、基板内に光伝送技術を用
い、基板内の高速で伝送する部分を、電気信号から光信
号に換えて伝送することが試みられている。例えば、光
ファイバーで各ＩＣ間を繋ぐ伝送方式をデータバスに適
用する手法や導光路（光導波路）などを用いた手法な
ど、基板の構成内容により様々な形態が提案されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光ファイバ
ーを用いる手法では、配線レイアウトに制限があるた
め、高密度化が困難であり、また精密性を極めているた
めに製造コストが膨大にかかってしまうという問題があ
った。導光路を用いた手法では、配線が交差する場合な
どには利用が困難であり、配線の自由度が低いという問
題があった。さらに、石英などの部材を使用する場合に
は、大型基板に用いることができないという問題があっ
た。また、光学素子等を使って光を反射させながら伝達
する空間伝送という手法も考えられるが、この手法では
発光素子／受光素子を光学的に精度よく結合させ、位置
合わせを行う必要がある。このような位置合わせの精度
を上げようとすると、コストアップとなってしまう。

【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、基板の高密度
化に対応することができ、配線の自由度を向上させるこ
とができる、光実装基板の製造方法をコストをかけずに
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、電気配線がなされたプリ
ント基板に、信号光を発光する発光部を備えた第１の回
路と、前記信号光を受光する受光部を備えた第２の回路
とのうちの少なくとも一方を含む回路を、前記電気配線
に電気的に接続して、前記プリント基板上に実装する実
装工程と、前記発光部から出射された信号光を前記受光
部に伝播する光バスとして機能する光伝送体を、前記プ
リント基板に沿って装着する装着工程と、前記光伝送体
に、前記発光部から出射された信号光を前記受光部に伝
播する光バスの経路上に信号光を反射させる変向光学素
子を設ける素子形成工程と、実装工程および装着工程の
後に素子形成工程を行うことを特徴とする。

【０００８】請求項１に記載の発明によれば、実装工程
および装着工程後に素子形成工程を行うので、光伝送路
を後から形成することになる。従って各基板ごとに自由
な形成を行うことができ、修正や変更が生じた場合にも
早急に対応する事が可能であり、少量生産を行う場合や
試作する場合などにも適している。また、素子形成を行
う前の光伝送体をプリント基板に装着するため、光伝送
体を装着する際に、発光部および受光部と変向光学素子
との微妙な位置あわせなどをする必要がなく、装着が容
易になる。よって、アライメントの精度を向上させるた
めの種々の部材を設ける必要もないので、コストダウン
をも図ることができる。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光実装基板の製造方法において、前記装着工程は、前
記実装工程の後に行うことを特徴とする。

【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の光実装基板の製造方法において、前記装着工
程において、光伝送体は前記プリント基板とは所定の間
隔を保ちつつ、プリント基板に対して前記回路が実装さ
れていない側の面に装着され、前記素子形成工程におい
て、前記プリント基板が設けられている側とは反対側の
前記光伝送体の下面から、前記変向光学素子を形成する
ことを特徴とする。

【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の光実装基板の製造方法において、前記素子形成工程
は、所定形状を有する押圧部を備えたスタンプ部材を加
熱する加熱工程と、加熱した前記スタンプ部材を前記光
伝送体に押圧するスタンピング工程と、押圧した前記ス
タンプ部材を、前記光伝送体に押圧した状態のまま冷却
する冷却工程と、冷却した前記スタンプ部材を引き抜く
引き抜き工程とを有することを特徴とする。

【００１２】請求項５に記載の発明は、プリント基板上
に実装される信号光を発光する発光部および前記信号光
を受光する受光部をそれぞれ備え、複数の回路の間で信
号光を伝播するプリント基板に装着される光伝送体の製
造方法において、信号光を反射させる変向光学素子を形
成する際に、所定形状を有する押圧部を備えたスタンプ
部材を加熱して前記光伝送体に押圧し、押圧した状態の
まま該スタンプ部材を冷却した後、引き抜くことを特徴
とする。

【００１３】請求項５に記載の発明によれば、所定形状
を有する押圧部を備えたスタンプ部材を加熱し、光伝送
体に押圧した後冷却し、スタンプ部材を引き抜くことに
より変向光学素子を光伝送体に形成する。つまり、押圧
部の所定形状と対になった形状を容易に光伝送体に転写
することができる。

【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の光伝送体の製造方法において、前記所定形状は、変向
光学素子の形状と対になった形状であることを特徴とす
る。

【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項５または
６に記載の光伝送体の製造方法において、前記加熱工程
における温度は、前記光伝送体のガラス転移温度以上の
温度であり、前記冷却工程における温度は、前記光伝送
体のガラス転移温度以下の温度であることを特徴とす
る。

【００１６】請求項８に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれか一つに記載の光実装基板の製造方法において、
前記素子形成工程において、変向光学素子を形成する際
に発光部から出射された信号光の、所定位置における受
光量に基づいて変向光学素子の位置を補正することを特
徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
から図３に基づいて詳細に説明する。光実装基板１は、
平板状の光伝送体１１と、信号光Ｌを発光する発光部を
有した集積回路である発光素子２０と、前記信号光Ｌを
受光する受光部を有した集積回路である受光素子２１
と、これら発光素子２０と受光素子２１とが上面に装着
され電気配線がなされたプリント基板１０と、発光素子
２０および受光素子２１に各々対応して設けられた変向
光学素子３０、３１等から構成される。光伝送体１１は
光データバスとしての機能を果たすものであり、この光
伝送体１１内を信号光Ｌが伝播することによって、発光
素子２０と受光素子２１相互間の光データ伝送が行われ
る。

【００１８】信号光Ｌを出射する発光素子２０の発光部
は、所定の発振波長、出力強度の半導体レーザ等により
形成されている。発光素子２０から出射された信号光Ｌ
が入射される受光素子２１の受光部は、信号光Ｌが受光
可能な受光径を有するフォトランジスタ等により形成さ
れる。

【００１９】プリント基板１０は発光素子２０、受光素
子２１等を装着するための電気配線が全面に施されてお
り、このプリント基板１０の裏面に沿って、プリント基
板１０とは空間的に離間した状態で発光素子２０から出
射された信号光Ｌを受光素子２１に伝播する光データバ
スとしての機能する光伝送体１１が装着されている。プ
リント基板１０と光伝送体１１との間には、互いが接触
しないようにスペーサ１２、１２が、それぞれの左右両
縁部に位置するように設けられている（図１（ａ）参
照）。

【００２０】プリント基板１０の所定箇所には、発光素
子２０から発せられる信号光Ｌが光伝送体１１に向けて
透過する為の貫通孔４０と、前記信号光Ｌが透過して受
光素子２１に入射するための貫通孔４１が穿設されてい
る。

【００２１】光伝送体１１は、発光素子２０から発せら
れた信号光Ｌの伝播を担うものであり、光学部材として
使用可能な樹脂やガラスにより形成される。例えば、本
実施の形態では光伝送体１１として、光透過性の高いア
クリル樹脂から形成されている。

【００２２】発光素子２０の下方に位置する光伝送体１
１内の所定箇所には、発光素子２０から出射された信号
光Ｌを光伝送体１１内の面方向に向けて反射する変向光
学素子３０が形成されている。同様に、受光素子２１の
下方の光伝送体１１内には、光伝送体１１内を伝播して
きた信号光Ｌを反射して、受光素子２１方向に変向させ
る変向光学素子３１が形成されている。図１（ａ）の破
線円の中には変向光学素子３１の拡大図を示した。これ
ら変向光学素子３０、３１は、後に詳述するスタンピン
グを含む一連の作業によって、光伝送体１１の裏面１１
ｂ側から形成されている。信号光Ｌが反射する反射面３
０ａ、３１ａの角度は信号光Ｌが全反射するような角度
となっている。

【００２３】また、本実施の形態において、発光素子２
０ないし受光素子２１は、発光部ないしは受光部を含む
集積回路であってもよい。ここに、「集積回路」とは、
字義通り解釈すれば、いわゆる半導体集積回路もしくは
ＩＣチップに相当するものを意味するが、本発明もしく
は本明細書においては、複数の集積回路からなるモジュ
ール（ＣＰＵモジュールやメモリモジュール等）、又は
複数の発光素子用ＩＣと種々の各ＩＣとを備えたモジュ
ール、又は複数の受光素子用ＩＣと種々の各ＩＣとを備
えたモジュール、半導体レーザー等の発光素子と種々の
各ＩＣとがプロセス上（例えばＳｉ基板上）一体形成さ
れた光集積回路、受光素子と種々の各ＩＣとがプロセス
上一体形成された光集積回路、発光素子と受光素子と光
電変換手段などと種々の各ＩＣとがプロセス上一体形成
された光集積回路、ＶＬＳＩやシステムＬＳＩなどを含
む。

【００２４】ここで、発光素子２０から受光素子２１に
至るまでの基板１４内部の信号光Ｌの挙動について説明
する。図１に示すように、プリント基板１０の上面に設
置された発光素子２０から信号光Ｌがほぼ垂直に発せら
れると、プリント基板１０に設けられた貫通孔４０を介
して光データバスである光伝送体１１に入射し、発光素
子２０の下方に設けられている変向光学素子３０の反射
面３０ａに入射する。信号光Ｌは変向光学素子３０の反
射面３０ａにより全反射した後、光伝送体１１の下面で
全反射する。その全反射した信号光Ｌが光伝送体１１の
上面で全反射した後、再び光伝送体１１の下面で全反射
するというように、光伝送体１１内をジグザグに進み、
受光素子２１に対応した位置に設けられた変向光学素子
３１に到達する。そして、光伝送体１１内を進んできた
信号光Ｌは、変向光学素子３１の反射面３１ａにて反射
され、プリント基板１０に設けられた貫通孔４１を透過
してほぼ垂直に受光素子２１に入射する。この際、反射
面３０ａ、３１ａおよび光伝送体１１の上面および下面
は、光伝送体１１より屈折率の小さい空気と接している
ため、所定の入射角以上の信号光Ｌは全反射する。この
ようにして、発光素子２０と受光素子２１は、各々に対
応する変向光学素子３０、３１および光データバスとし
て機能する光伝送体１１を介して、光学的に結合してい
る。

【００２５】前述のような構造を有する光実装基板１の
製造方法を図２、図３に基づいて説明する。なお、説明
を簡略化する為、図２、図３には光実装基板１の発光素
子２０側のみを示した。まず、図２（ａ）に示すように
プリント基板１０の表面全体に電気配線を施し、所定箇
所に貫通孔４０を穿設する。次に図２（ｂ）に示すよう
に、電気配線がなされたプリント基板１０の表面上に発
光素子２０と受光素子２１を含む多数の回路素子を電気
的に接続する（図２（ｂ）では発光素子２０のみ図
示）。この際、発光素子２０は貫通孔４０の上方に位置
するよう設置する。

【００２６】次に、プリント基板１０の裏側に、プリン
ト基板１０の面と平行になるように光伝送体１１を装着
する（図２（ｃ）参照）。この際、光伝送体１１とプリ
ント基板１０との間隔を適度に保つ為に、両者の間にス
ペーサ１２を挟む。従って、光伝送体１１とプリント基
板１０は互いに接することはなく、それぞれスペーサ１
２を介して固着されている。また、実際には図１に示す
とおり、受光素子２１側にもスペーサ１２が設けられて
いる為、光伝送体１１とプリント基板１０は互いに平行
に間隔を保っている。よって、光伝送体１１の界面は、
光伝送体１１と光伝送体１１より屈折率の低い空気との
界面となるため、所定の入射角以上の信号光Ｌは全反射
する。以上、光実装基板１の発光素子２０側について説
明したが、実際には受光素子２１側でも同様に貫通孔４
１が設けられ、その上方に受光素子２１が設置されてい
る。

【００２７】次に、変向光学素子３０、３１を形成する
工程について説明する。なお、ここでも説明を簡略化す
る為、発光素子２０に対応した変向光学素子３０につい
てのみ説明するが、実際には同様の手法を用いて受光素
子２１に対応した変向光学素子３１も形成される。ま
ず、図２（ｄ）に示すように、所望する変向光学素子３
０の形状と対になる形状を有したスタンプ部材１３を用
意する。このスタンプ部材１３は、図示しない外部の電
流供給源に接続されており、通電することによりスタン
プ部材１３の先端に設けられた押圧部１３ａの温度は制
御されている。次に、図３（ａ）に示すようにスタンプ
部材１３の押圧部１３ａを、光伝送体１１のガラス転移
温度以上の所定の温度に加熱する。加熱したスタンプ部
材１３を、その押圧部１３ａが完全に光伝送体１１に入
り込むまで、光伝送体１１の裏面１１ｂの貫通孔４０に
対応した所定箇所に押圧する（図３（ｂ）参照）。な
お、光伝送体１１のスタンプ部材１３によって押圧され
る部分には予め穿孔が形成されているので、光伝送体１
１は容易に押圧されるとともに、押圧に伴う余分な樹脂
が少なくなり、光学性能に悪影響を与えることが少なく
なる。また、この穿孔は、スタンプ部材１３の押圧部１
３ａよりも僅かに小さい程度のサイズとなっている。

【００２８】スタンプ部材１３の押圧部１３ａが押し当
てられた穿孔の表面は、押圧部１３ａの熱により一旦融
解し、押圧部１３ａに沿った形状となる。この押圧は所
定時間維持される。次に、図３（ｃ）に示すようにスタ
ンプ部材１３を光伝送体１１に押圧したまま前記ガラス
転移温度以下の温度になるまで冷却すると、穿孔の表面
には押圧部１３ａに沿った形状が定着する。完全に冷却
しきった後、図３（ｄ）に示すようにスタンプ部材１３
を光伝送体１１から引き抜くと、スタンプ部材１３の押
圧部１３ａの形状と対になった形状の変向光学素子３０
が、光伝送体１１に形成される。なお、スタンプ部材１
３を押圧する際に、スタンプ部材１３の表面と光伝送体
１１に形成された穿孔に離型剤層を塗布することによ
り、スタンプ部材１３は光伝送体１１から容易に引き抜
くことができる。

【００２９】また、以上の変向光学素子３０、３１を形
成する工程において、次のような手法を用いればさらに
アライメントの精度を向上させることができる。例え
ば、加熱したスタンプ部材１３の押圧部１３ａを、光伝
送体１１の発光素子２０に対応した位置に押しつける。
光伝送体１１の受光素子２１側の端面に光センサー等を
あらかじめ設置しておき、押圧部１３ａを押しつけた状
態のまま発光素子２０から信号光Ｌを出射する。信号光
Ｌは光伝送体１１と押圧部１３ａの界面で反射し、光伝
送体１１内を伝播して光センサーに入射する。従って、
この光センサーの受光量が最大になるように押圧部１３
ａを動かしてその位置を決めれば、精度の高い変向光学
素子３０、３１を形成することができる。なお、押圧部
１３ａは加熱したまま動かすため、容易に位置を変える
ことができる。その後、位置を決めた後に冷却、引き抜
きをすることにより正確な位置決めが可能となる。

【００３０】また、光伝送体１１の発光素子２０および
受光素子２１に対応した位置に、それぞれ加熱した押圧
部１３ａ、１３ａを押しつけ、発光素子２０から信号光
Ｌを出射する。信号光Ｌは光伝送体１１内を伝播し、光
伝送体１１と押圧部１３ａの界面で反射して受光素子２
１に入射する。従って、受光素子２１における受光量が
最大になるように押圧部１３ａ、１３ａを動かし、その
位置を定着させることにより精度の高い変向光学素子３
０、３１を形成することができる。なお、発光素子２
０、受光素子２１の形成に際し、受光量が最大でなくて
も所定の許容範囲内ならばよい。

【００３１】以上の本発明における光実装基板１の製造
方法によれば、まず電気配線が施されたプリント基板１
０に発光素子２０および受光素子２１を実装した後に光
伝送体１１を装着するため、発光素子２０等の実装が容
易である。つまり、光伝送体１１の装着後に発光素子２
０等を実装する場合は、その実装が狭い空間で行われる
ので作業しにくいが、本実施の形態の場合は発光素子２
０等の実装を先に行うので、作業が行いやすい。また、
光伝送体１１を装着した後に、発光素子２０から出射さ
れた信号光Ｌを受光素子２１で受光した結果に基づい
て、変向光学素子３０、３１を設けることにより光伝送
路を形成する。従って、個々の発光素子２０および受光
素子２１の実装ばらつきや光伝送体１１の装着誤差など
を排除することができ、正確な光伝送路を形成すること
ができる。加えて、光伝送路を後から形成するので、各
基板毎に自由な形成を行うことができ、また、修正や変
更が生じた場合でも早急に対応することができる。従っ
て、少量生産や試作にも適している。

【００３２】また、本実施の形態においては、光伝送体
１１に変向光学素子３０、３１を形成する際には、スタ
ンプ部材１３の押圧部１３ａを光伝送体１１のガラス転
移温度以上の温度に加熱し、光伝送体１１に押し当て
る。その後、ガラス転移温度以下に押圧部１３ａを冷却
し、スタンプ部材１３を引き抜く。上述のように、押圧
部１３ａをガラス転移温度以上に加熱して押圧した後に
ガラス転移温度以下に冷却するので、押圧部１３ａの形
状が正確に光伝送体１１に転写されることとなり、思い
通りの形状の変向光学素子３０、３１を形成することが
できる。

【００３３】さらに、上記方法によれば、発光素子２０
および受光素子２１をプリント基板に実装してから光伝
送体１１を装着し変向光学素子３０、３１を形成するの
で、発光素子２０および受光素子２１の実装の際に、変
向光学素子３０、３１に対するアライメント作業を行う
ことを要せず、またアライメントの精度を向上させるた
めの種々の部材を設ける必要もないのでコストダウンに
もつながる。また、プリント基板１０に光伝送体１１を
取り付ける際にもアライメントの必要がない。

【００３４】また、各半導体ＩＣ間は、発光素子２０、
受光素子２１による光伝送体１１を介在させた光結合を
用い、光伝送体１１を利用して信号光Ｌを伝送する。そ
の為、例えば光ファイバーやミラーを使用した手法と比
較して、光データバスのバスラインなどの自由度や拡張
性が高くなると共に高密度化が容易であり、全ての半導
体ＩＣ間を網羅的に光接続できる。従って、本発明にお
ける光実装基板１を用いることで、光実装基板１上のロ
ーカルバスや画像バスでの高速伝送が可能となり、加え
てＥＭＩのノイズ問題も解決できる。

【００３５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることはない。例えば上記実施の形態における、変向光
学素子３０、３１の形状に対応したスタンプ部材１３の
押圧部１３ａの形状は三角柱状であるが、これに限った
ものではなく、押圧部１３ａの形状を種々揃えることに
より、必要な箇所に必要な形状の変向光学素子を形成す
る事ができる。さらに、変向光学素子３０、３１とし
て、本実施の形態の如く、角柱形状ではなく、回折光学
素子やグレーティング素子を用いてもよい。その場合は
押圧部１３ａを押圧する前に穿孔をする必要が無く、製
造が容易になるばかりでなく、光伝送体１１自体の厚さ
も薄くすることが可能となる。

【００３６】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、実装工
程および装着工程後に素子形成工程を行うので、光伝送
路を後から形成することになる。従って各基板ごとに自
由な形成を行うことができ、修正や変更が生じた場合に
も早急に対応する事が可能であり、少量生産を行う場合
や試作する場合などにも適している。また、素子形成を
行う前の光伝送体をプリント基板に装着するため、光伝
送体を装着する際に、発光部および受光部と変向光学素
子との微妙な位置あわせなどをする必要がなく、装着が
容易になる。よって、アライメントの精度を向上させる
ための種々の部材を設ける必要もないので、コストダウ
ンをも図ることができる。

【００３７】さらに、各集積回路間のデータ伝送におい
ては、発光部および受光部が光伝送体を利用して信号光
を伝送するので、例えば、光ファイバーやミラーを利用
した手法と比較して光バスのバスラインのレイアウトな
どの自由度や拡張性が高くなると共に高密度化が容易と
なり、すべての集積回路間を網羅的に光接続できる。ま
た、光伝送体を利用して伝送する際に、光が全反射する
ように変向光学素子を設けているため光の損失が少な
く、データの伝送不良などが発生しない。従って、光実
装基板上のローカルバスや画像バスでの高速伝送が可能
となり、加えて、ＥＭＩノイズの問題も解決できる。こ
れにより、高速、高解像度の画像形成装置、画像処理装
置を実現できる。

【００３８】また、請求項２に記載の発明によれば、光
伝送体を装着する前に、発光部を備えた第１の回路およ
び受光部を備えた第２の回路をプリント基板に実装する
ので、狭い空間で作業を行う必要がなく、容易に実装す
ることができる。さらに、後から光伝送路を形成する
為、発光部および受光部をプリント基板に実装する際に
アライメント作業を必要としない。従って、実装を簡単
に行うことができコストを抑えることもできる。

【００３９】請求項５に記載の発明によれば、所定形状
を有する押圧部を備えたスタンプ部材を加熱し、光伝送
体に押圧した後冷却し、スタンプ部材を引き抜くことに
より変向光学素子を光伝送体に形成する。つまり、押圧
部の所定形状と対になった形状を容易に光伝送体に転写
することができる。

【００４０】請求項６に記載の発明によれば、押圧部の
形状を、所望する変向光学素子の形状と対にすることに
より、容易に変向光学素子を光伝送体に形成することが
できる。また、変向光学素子の形状によって、プリント
基板に取り付ける半導体素子の数や取り付け位置を自由
に変更することができるので、拡張性に富んだ自由度の
高いシステムを構築することができる。

【００４１】請求項７に記載の発明によれば、押圧部を
加熱するときは光伝送体のガラス転移温度以上の温度に
加熱するので、光伝送体の押圧部が接触する箇所は完全
に融解し、押圧部の形状に沿ったものとなる。さらに、
押圧部を引き抜く際はガラス転移温度以下に冷却するた
め、押圧部の形状が正確に光伝送体に転写される。よっ
て、押圧部の形状を必要に応じて変更することにより、
所望通りの変向光学素子を容易に、かつ正確に形成する
ことができる。

【００４２】請求項８に記載の発明によれば、光伝送体
の装着後に発光部から出射された信号光を受光部で受光
した結果に基づいて変向光学素子を設けることにより、
光伝送路を形成する。そのため、各々の実装ばらつきや
光伝送体の装着誤差などを排除することができ、正確な
光伝送路を形成することが可能である。つまり、精密な
光学的位置合わせなどを行わずに、発光部と受光部を確
実に光結合させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明を適用した光実装基板の縦断面
図であり、（ｂ）は横断面図である。

【図２】光実装基板の組み立て方を模式的に示す図であ
る。

【図３】変向光学素子の加工方法を説明する為の図であ
る。

【符号の説明】

１ 光実装基板 １０ プリント基板 １１ 光伝送体 １２ スペーサ １３ スタンプ部材 １３ａ 押圧部 ２０ 発光素子 ２１ 受光素子 ３０、３１ 変向光学素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 正志 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 (72)発明者 鎌田 隆史 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 Ｆターム(参考） 2H037 BA02 BA11 CA10 DA04 DA20 4E353 AA07 AA11 AA16 BB05 GG01 5E338 AA01 BB02 BB13 BB71 BB80 CC01 CD10 CD40

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電気配線がなされたプリント基板に、信号
   光を発光する発光部を備えた第１の回路と、前記信号光
   を受光する受光部を備えた第２の回路とのうちの少なく
   とも一方を含む回路を、前記電気配線に電気的に接続し
   て、前記プリント基板上に実装する実装工程と、 前記発光部から出射された信号光を前記受光部に伝播す
   る光バスとして機能する光伝送体を、前記プリント基板
   に沿って装着する装着工程と、 前記光伝送体に、前記発光部から出射された信号光を前
   記受光部に伝播する光バスの経路上に信号光を反射させ
   る変向光学素子を設ける素子形成工程と、 実装工程および装着工程の後に素子形成工程を行うこと
   を特徴とする光実装基板の製造方法。
2. 【請求項２】前記装着工程は、前記実装工程の後に行う
   ことを特徴とする請求項１に記載の光実装基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】前記装着工程において、光伝送体は前記プ
   リント基板とは所定の間隔を保ちつつ、プリント基板に
   対して前記回路が実装されていない側の面に装着され、 前記素子形成工程において、前記プリント基板が設けら
   れている側とは反対側の前記光伝送体の下面から、前記
   変向光学素子を形成することを特徴とする請求項１また
   は２に記載の光実装基板の製造方法。
4. 【請求項４】前記素子形成工程は、 所定形状を有する押圧部を備えたスタンプ部材を加熱す
   る加熱工程と、 加熱した前記スタンプ部材を前記光伝送体に押圧するス
   タンピング工程と、 押圧した前記スタンプ部材を、前記光伝送体に押圧した
   状態のまま冷却する冷却工程と、 冷却した前記スタンプ部材を引き抜く引き抜き工程とを
   有することを特徴とする請求項３に記載の光実装基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】プリント基板上に実装される信号光を発光
   する発光部および前記信号光を受光する受光部をそれぞ
   れ備え、複数の回路の間で信号光を伝播するプリント基
   板に装着される光伝送体の製造方法において、 信号光を反射させる変向光学素子を形成する際に、 所定形状を有する押圧部を備えたスタンプ部材を加熱し
   て前記光伝送体に押圧し、押圧した状態のまま該スタン
   プ部材を冷却した後、引き抜くことを特徴とする光伝送
   体の製造方法。
6. 【請求項６】前記所定形状は、変向光学素子の形状と対
   になった形状であることを特徴とする請求項５に記載の
   光伝送体の製造方法。
7. 【請求項７】前記加熱工程における温度は、前記光伝送
   体のガラス転移温度以上の温度であり、前記冷却工程に
   おける温度は、前記光伝送体のガラス転移温度以下の温
   度であることを特徴とする請求項５または６に記載の光
   伝送体の製造方法。
8. 【請求項８】前記素子形成工程において、変向光学素子
   を形成する際に発光部から出射された信号光の、所定位
   置における受光量に基づいて変向光学素子の位置を補正
   することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記
   載の光実装基板の製造方法。