JP2003093957A - 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置 - Google Patents
金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基板に形成されているアスペクト比の大きい
孔又は溝にシード層を連続的、かつ均等な厚さで形成す
ること。 【解決手段】 表面に孔又は溝を有し、支持台（スピン
チャック２７）に載置させた基板２８を、前記支持台２
７に対し垂直な回転軸２６により回転させながら、前記
表面の上に供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝
を含む表面に形成するようにした金属薄膜の形成方法に
おいて、前記支持台２７を水平に対し、傾斜させるよう
にしたこと。
孔又は溝にシード層を連続的、かつ均等な厚さで形成す
ること。 【解決手段】 表面に孔又は溝を有し、支持台（スピン
チャック２７）に載置させた基板２８を、前記支持台２
７に対し垂直な回転軸２６により回転させながら、前記
表面の上に供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝
を含む表面に形成するようにした金属薄膜の形成方法に
おいて、前記支持台２７を水平に対し、傾斜させるよう
にしたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属薄膜の形成方法
及び金属薄膜形成装置に関し、特別には孔または溝を有
する基板の表面上に金属薄膜を形成する金属薄膜の形成
方法及び金属薄膜形成装置に関する。
及び金属薄膜形成装置に関し、特別には孔または溝を有
する基板の表面上に金属薄膜を形成する金属薄膜の形成
方法及び金属薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体基板にＣｕ配線を行うのに
種々の方法が開発されている。例えば、電解メッキ法が
あるが、この場合、半導体基板に形成されている孔や溝
の内壁に予めシード層と呼ばれるＣｕ膜を形成しておか
ねばならない。従来は、このためにスパッタ法が用いら
れているが、プロセスが複雑化するばかりでなく、高ア
スペクト比の孔や溝へのシード層形成が困難であるとい
う欠点がある。このプロセスを簡略化することが現在、
鋭意検討されている。そこで、特開２０００−１５７９
１号公報に開示されているような塗布装置が着目され
た。図４に示すようにこれはいわゆるスピンコータと言
われる装置であるが、基板Ｇはスピンチャック１に真空
吸着されており、この外周囲には回転カップ２が配設さ
れている。上方から基板Ｇの中央部に塗布液が供給され
ると共に図示しない駆動装置により矢印Ｐ方向に高速回
転される。これにより、中央部から外周部へと塗布液が
広がる。この現象を利用して、本願発明者は半導体基板
に形成されているアスペクト比の大きい孔や溝に銅分散
液の薄膜を形成する実験を行った。すなわち、このよう
な装置を用いて銅配線を行うことが考えられる。この配
線基板Ｇには公知のように孔や溝が形成されているので
あるが、これらに銅を埋め込まなくてはならない。これ
に上述した電解メッキ法が用いられる。この場合には、
予め溝に銅のシード層が形成されなければならない。基
板Ｇの中央部の上方から、銅の超微粒子分散液Ｌが供給
される。基板Ｇの高速回転により、これは外方へと遠心
力で広がっていくのであるが、この時に孔や溝にシード
層形成のための銅分散液の薄膜Ｌａが図６Ａ、Ｂ、Ｃで
示すように形成される。Ａは銅分散液Ｌが比較的低粘
度、Ｂは中程度、Ｃは比較的高粘度の場合である。低粘
度においては、銅分散液は孔の底部に近い周壁には図示
するように塗布されるが、その上方部では塗布されな
い。Ｂは中程度の粘性の場合であるが、孔の深さの約半
分までは銅分散液が塗布されるのであるが、その上端部
では内壁面に形成された銅膜の間でブリッジを形成し、
よって中空部Ｑが形成される。
種々の方法が開発されている。例えば、電解メッキ法が
あるが、この場合、半導体基板に形成されている孔や溝
の内壁に予めシード層と呼ばれるＣｕ膜を形成しておか
ねばならない。従来は、このためにスパッタ法が用いら
れているが、プロセスが複雑化するばかりでなく、高ア
スペクト比の孔や溝へのシード層形成が困難であるとい
う欠点がある。このプロセスを簡略化することが現在、
鋭意検討されている。そこで、特開２０００−１５７９
１号公報に開示されているような塗布装置が着目され
た。図４に示すようにこれはいわゆるスピンコータと言
われる装置であるが、基板Ｇはスピンチャック１に真空
吸着されており、この外周囲には回転カップ２が配設さ
れている。上方から基板Ｇの中央部に塗布液が供給され
ると共に図示しない駆動装置により矢印Ｐ方向に高速回
転される。これにより、中央部から外周部へと塗布液が
広がる。この現象を利用して、本願発明者は半導体基板
に形成されているアスペクト比の大きい孔や溝に銅分散
液の薄膜を形成する実験を行った。すなわち、このよう
な装置を用いて銅配線を行うことが考えられる。この配
線基板Ｇには公知のように孔や溝が形成されているので
あるが、これらに銅を埋め込まなくてはならない。これ
に上述した電解メッキ法が用いられる。この場合には、
予め溝に銅のシード層が形成されなければならない。基
板Ｇの中央部の上方から、銅の超微粒子分散液Ｌが供給
される。基板Ｇの高速回転により、これは外方へと遠心
力で広がっていくのであるが、この時に孔や溝にシード
層形成のための銅分散液の薄膜Ｌａが図６Ａ、Ｂ、Ｃで
示すように形成される。Ａは銅分散液Ｌが比較的低粘
度、Ｂは中程度、Ｃは比較的高粘度の場合である。低粘
度においては、銅分散液は孔の底部に近い周壁には図示
するように塗布されるが、その上方部では塗布されな
い。Ｂは中程度の粘性の場合であるが、孔の深さの約半
分までは銅分散液が塗布されるのであるが、その上端部
では内壁面に形成された銅膜の間でブリッジを形成し、
よって中空部Ｑが形成される。
【０００３】比較的高粘度の銅分散液を供給した場合に
は、Ｃで示すように孔の全域に亘って内周壁面に薄膜Ｌ
ａを形成させることができるが、その開口部で粘性が高
いためにブリッジをおこしＢと同様にし中空部を形成す
る。これも不良品である。
は、Ｃで示すように孔の全域に亘って内周壁面に薄膜Ｌ
ａを形成させることができるが、その開口部で粘性が高
いためにブリッジをおこしＢと同様にし中空部を形成す
る。これも不良品である。
【０００４】そこで、これを改善すべく本願発明者は図
７で示すように装置全体をある角度傾斜させて、上記と
同様な実験を行った。その結果、ある程度改善はみられ
たが、分散液の粘度により孔や溝への分散液の進入が図
８Ａ、Ｂ、Ｃのように変化した。すなわち、Ａで示すよ
うに低粘度では滴状に内壁面に付着するのみで、焼成後
は不連続となる。Ｂで示すように中程度の粘性では、Ａ
よりは連続的になるが、やはり不充分であり、到底、銅
配線として用いることができない。高粘度では、図Ｃに
示すように、連続性は得られるが、底部近く及び中間部
においブリッジを形成し、シード層を形成することがで
きない。
７で示すように装置全体をある角度傾斜させて、上記と
同様な実験を行った。その結果、ある程度改善はみられ
たが、分散液の粘度により孔や溝への分散液の進入が図
８Ａ、Ｂ、Ｃのように変化した。すなわち、Ａで示すよ
うに低粘度では滴状に内壁面に付着するのみで、焼成後
は不連続となる。Ｂで示すように中程度の粘性では、Ａ
よりは連続的になるが、やはり不充分であり、到底、銅
配線として用いることができない。高粘度では、図Ｃに
示すように、連続性は得られるが、底部近く及び中間部
においブリッジを形成し、シード層を形成することがで
きない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、金属分散液を用いてアスペクト比の大き
い孔や溝へのシード層形成や、一括埋め込み（バリヤレ
ス、シードレス）による配線形成に適する金属薄膜の形
成方法及び金属薄膜形成装置を提供することを課題とす
る。
鑑みてなされ、金属分散液を用いてアスペクト比の大き
い孔や溝へのシード層形成や、一括埋め込み（バリヤレ
ス、シードレス）による配線形成に適する金属薄膜の形
成方法及び金属薄膜形成装置を提供することを課題とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題は、表面に孔
又は溝を有し、支持台に載置させた基板を、前記支持台
に対し垂直な回転軸により回転させながら、前記表面の
上に供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝を含む
表面に形成するようにした金属薄膜の形成方法におい
て、前記支持台を水平に対し、傾斜させるようにしたこ
とを特徴とする金属薄膜の形成方法、によって解決され
る。
又は溝を有し、支持台に載置させた基板を、前記支持台
に対し垂直な回転軸により回転させながら、前記表面の
上に供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝を含む
表面に形成するようにした金属薄膜の形成方法におい
て、前記支持台を水平に対し、傾斜させるようにしたこ
とを特徴とする金属薄膜の形成方法、によって解決され
る。
【０００７】又は、表面に孔又は溝を有し、支持台に載
置させた基板を、前記支持台に対し垂直な回転軸を有す
るスピンコータにより回転させながら、前記表面の上に
供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝を含む表面
に形成するようにした金属薄膜の形成装置において、前
記支持台を水平に対し、傾斜させるようにしたことを特
徴とする金属薄膜の形成装置、によって解決される。
置させた基板を、前記支持台に対し垂直な回転軸を有す
るスピンコータにより回転させながら、前記表面の上に
供給した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝を含む表面
に形成するようにした金属薄膜の形成装置において、前
記支持台を水平に対し、傾斜させるようにしたことを特
徴とする金属薄膜の形成装置、によって解決される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
金属薄膜形成装置について図１乃至図３を参照して説明
する。本実施の形態による金属薄膜形成装置２０におい
ては、従来例の回転カップ２に代えてケース状の遮蔽体
２１（これは回転しない）が設けられ、この底部の中央
孔に第２の回転軸２２が挿通されていて、図示しない下
方に配設されたモータにより図１において矢印Ａの方向
に高速で回転する。この第２の回転軸２２の上端部に
は、図２で示すようにほぼ水平に配設された連結ロット
２３が取り付けられており、この端部にはリンク２９を
介して基板支持機構Ｑを支持するためのロッド２４が図
示するような傾斜角αで固定されており、この上端部に
モータ２５が取り付けられており、この回転軸（第１の
回転軸）２６にスピンチャック２７が取り付けられてい
る。スピンチャック２７には、従来技術と同様に回転軸
２６と同心的に真空吸着するための排気管が通ってお
り、これは図示せずとも排気装置に接続される。以上の
ようにして、半導体基板２８には図示せずとも銅配線の
ための孔や溝が複数個形成されている。これらは図２か
ら明らかなように、第２回転軸２２の方を向いている
（もしくは装置２０の内方側に向いている）。第１回転
軸２６は、モータ２５により、図１に示すように矢印Ｂ
方向に高速回転する。このようにして基板２８は第２回
転軸２２の周りを公転すると共に、第１回転軸２６の軸
心の周りの自転を行うように構成されている。
金属薄膜形成装置について図１乃至図３を参照して説明
する。本実施の形態による金属薄膜形成装置２０におい
ては、従来例の回転カップ２に代えてケース状の遮蔽体
２１（これは回転しない）が設けられ、この底部の中央
孔に第２の回転軸２２が挿通されていて、図示しない下
方に配設されたモータにより図１において矢印Ａの方向
に高速で回転する。この第２の回転軸２２の上端部に
は、図２で示すようにほぼ水平に配設された連結ロット
２３が取り付けられており、この端部にはリンク２９を
介して基板支持機構Ｑを支持するためのロッド２４が図
示するような傾斜角αで固定されており、この上端部に
モータ２５が取り付けられており、この回転軸（第１の
回転軸）２６にスピンチャック２７が取り付けられてい
る。スピンチャック２７には、従来技術と同様に回転軸
２６と同心的に真空吸着するための排気管が通ってお
り、これは図示せずとも排気装置に接続される。以上の
ようにして、半導体基板２８には図示せずとも銅配線の
ための孔や溝が複数個形成されている。これらは図２か
ら明らかなように、第２回転軸２２の方を向いている
（もしくは装置２０の内方側に向いている）。第１回転
軸２６は、モータ２５により、図１に示すように矢印Ｂ
方向に高速回転する。このようにして基板２８は第２回
転軸２２の周りを公転すると共に、第１回転軸２６の軸
心の周りの自転を行うように構成されている。
【０００９】本発明の実施の形態は以上のように構成さ
れるが、次にこの作用について説明する。
れるが、次にこの作用について説明する。
【００１０】図１又は図２で示す静止位置で、図示せず
とも例えば銅分散液を貯蔵する供給器から基板２８の中
央部に有機溶媒に混合された銅超微粒子分散液を滴下さ
せる。これと同時に、第２回転軸２２は回転せずとも第
１回転軸２６は矢印Ｂ方向に高速で回転する。よって従
来技術と同様にこの分散液は基板２８の表面全体に遠心
力により塗布される。所定時間第１回転軸２６を回転さ
せると、図示しない供給機からの供給を停止し、第２回
転軸２２も回転開始する。よって、図１において第２回
転軸２２の周りに基板２８は矢印Ａ方向に高速で回転す
る。よって、基板２８に形成されている孔又は溝へと基
板２８の表面上に塗布された分散液が第２回転軸２２よ
る回転の遠心力及び第１回転軸２６による回転の遠心力
により、図３Ａで示すように分散液Ｌが孔ｈ内に進入
し、図示した状態で孔ｈの内周壁に塗布される。この状
態では、内周壁上で分散液Ｌは一応、連続的ではある
が、その膜厚に大きな変動がある。
とも例えば銅分散液を貯蔵する供給器から基板２８の中
央部に有機溶媒に混合された銅超微粒子分散液を滴下さ
せる。これと同時に、第２回転軸２２は回転せずとも第
１回転軸２６は矢印Ｂ方向に高速で回転する。よって従
来技術と同様にこの分散液は基板２８の表面全体に遠心
力により塗布される。所定時間第１回転軸２６を回転さ
せると、図示しない供給機からの供給を停止し、第２回
転軸２２も回転開始する。よって、図１において第２回
転軸２２の周りに基板２８は矢印Ａ方向に高速で回転す
る。よって、基板２８に形成されている孔又は溝へと基
板２８の表面上に塗布された分散液が第２回転軸２２よ
る回転の遠心力及び第１回転軸２６による回転の遠心力
により、図３Ａで示すように分散液Ｌが孔ｈ内に進入
し、図示した状態で孔ｈの内周壁に塗布される。この状
態では、内周壁上で分散液Ｌは一応、連続的ではある
が、その膜厚に大きな変動がある。
【００１１】本実施の形態では、第２の回転軸２２の回
転速度を所定時間後、低速に切り替える。これにより図
３Ａで示すような状態で塗布されていた分散液は、図３
Ｂで示すように重力作用も大きく寄与して、基板表面か
ら孔ｈの内周壁に沿って、分散液が一様な膜厚で進入す
るようになる。
転速度を所定時間後、低速に切り替える。これにより図
３Ａで示すような状態で塗布されていた分散液は、図３
Ｂで示すように重力作用も大きく寄与して、基板表面か
ら孔ｈの内周壁に沿って、分散液が一様な膜厚で進入す
るようになる。
【００１２】この図３Ｂの状態で、基板２８はスピンチ
ャック２８から取り外され、所定の雰囲気下で所定温度
でこの分散液を焼成する。よって、連続的で一様な厚さ
の銅のシード層Ｌａが形成される。その後、電解メッキ
法により、このシード層と同じ材質の銅をメッキさせ
る。よって、この孔ｈは銅で充填される。
ャック２８から取り外され、所定の雰囲気下で所定温度
でこの分散液を焼成する。よって、連続的で一様な厚さ
の銅のシード層Ｌａが形成される。その後、電解メッキ
法により、このシード層と同じ材質の銅をメッキさせ
る。よって、この孔ｈは銅で充填される。
【００１３】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００１４】例えば以上の実施の形態では、基板２８に
形成される孔ｈにシード層Ｌａが形成されるものとして
説明したが、これにバリヤ層、例えばＴｉＮの層を形成
しておき、この上に上述のようにしてシード層を形成す
るようにしてもよい。また、銅の超微粒子分散液を用い
たが、銀や金など導電性のある金属超微粒子分散液を用
いてもよい。
形成される孔ｈにシード層Ｌａが形成されるものとして
説明したが、これにバリヤ層、例えばＴｉＮの層を形成
しておき、この上に上述のようにしてシード層を形成す
るようにしてもよい。また、銅の超微粒子分散液を用い
たが、銀や金など導電性のある金属超微粒子分散液を用
いてもよい。
【００１５】また以上の実施の形態では、第２の回転軸
２２は１本の連結ロッド２３を介して１個の支持台とし
てのスピンチャック２７を設けたが、図１において第２
の回転軸２２の周りに等角度間隔で複数の、例えば１２
０度おきに３個のスピンチャックを同様にして設け、そ
れぞれに基板を取り付けるようにしてもよい。
２２は１本の連結ロッド２３を介して１個の支持台とし
てのスピンチャック２７を設けたが、図１において第２
の回転軸２２の周りに等角度間隔で複数の、例えば１２
０度おきに３個のスピンチャックを同様にして設け、そ
れぞれに基板を取り付けるようにしてもよい。
【００１６】また以上の実施の形態では、第２の回転軸
２２を所定時間、高速回転し、その後、低速回転に切り
替えたが、この切り替えをすることなく薄膜形成を行う
ようにしてもよい。また別の所定時間で多段階に速度を
切り替えるようにしてもよく、あるいは分散液の粘度、
又は第１回転軸２６の連結ロッド２３に対する傾斜角に
よっては、最初から所定の回転速度で回転させるように
してもよい。
２２を所定時間、高速回転し、その後、低速回転に切り
替えたが、この切り替えをすることなく薄膜形成を行う
ようにしてもよい。また別の所定時間で多段階に速度を
切り替えるようにしてもよく、あるいは分散液の粘度、
又は第１回転軸２６の連結ロッド２３に対する傾斜角に
よっては、最初から所定の回転速度で回転させるように
してもよい。
【００１７】また以上の実施の形態では、銅の分散液を
適用する場合について説明したが、近年、溝幅や孔径は
更に小さくなって、０．０７μｍにもならんとしてい
る。この場合には、孔の内壁に予めバリヤ層を形成して
おれば、この分、厚みが大きくなる。よって、バリヤ層
なしで配線を形成させたい。これに対し、例えばマグネ
シウムと銅との混合分散液を用いた場合には、これをア
ニールすることによりマグネシウムは界面に析出し、こ
れが銅と孔の内壁との間に介在してバリヤ効果を呈す
る。よって、バリヤの層の厚みをなくして、より配線密
度を大きくすることができる。また、図２で示す角度
α、すなわち水平状態の連結ロッド２３と軸２４とのな
す角αは、リンク２９の周りで変更可能とするようにし
てもよい。これによって上述の第２回転軸２２の回転の
制御をより簡単にして基板２８上に形成させた孔又は溝
の配線の形成を容易とすることができる。そして配線プ
ロセスを簡略化できる。
適用する場合について説明したが、近年、溝幅や孔径は
更に小さくなって、０．０７μｍにもならんとしてい
る。この場合には、孔の内壁に予めバリヤ層を形成して
おれば、この分、厚みが大きくなる。よって、バリヤ層
なしで配線を形成させたい。これに対し、例えばマグネ
シウムと銅との混合分散液を用いた場合には、これをア
ニールすることによりマグネシウムは界面に析出し、こ
れが銅と孔の内壁との間に介在してバリヤ効果を呈す
る。よって、バリヤの層の厚みをなくして、より配線密
度を大きくすることができる。また、図２で示す角度
α、すなわち水平状態の連結ロッド２３と軸２４とのな
す角αは、リンク２９の周りで変更可能とするようにし
てもよい。これによって上述の第２回転軸２２の回転の
制御をより簡単にして基板２８上に形成させた孔又は溝
の配線の形成を容易とすることができる。そして配線プ
ロセスを簡略化できる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明の金属薄膜の形
成方法及び金属薄膜形成装置によれば、基板の表面に形
成されたアスペクト比の大きい孔や溝にシード層を一様
な厚さで連続的に形成することができ、よって、良質の
配線を行うことができる。
成方法及び金属薄膜形成装置によれば、基板の表面に形
成されたアスペクト比の大きい孔や溝にシード層を一様
な厚さで連続的に形成することができ、よって、良質の
配線を行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態による金属薄膜形成装置の
平面図である。
平面図である。
【図２】横断面図である。
【図３】同実施の形態による作用を示す基板一部の断面
で、孔にシード層が形成される状況を示し、Ａは前段
階、Ｂは後段階を示す。
で、孔にシード層が形成される状況を示し、Ａは前段
階、Ｂは後段階を示す。
【図４】従来例の塗膜装置の断面図である。
【図５】同平面図である。
【図６】同基板における孔の拡大断面図で、シード層を
形成するための分散液の塗布状況を示し、Ａは分散液が
低粘度、Ｂは中程度の粘度、Ｃは高粘度の場合を示す。
形成するための分散液の塗布状況を示し、Ａは分散液が
低粘度、Ｂは中程度の粘度、Ｃは高粘度の場合を示す。
【図７】本発明者が従来例に対して改良した塗布装置の
側面図である。
側面図である。
【図８】図７による塗布装置により得られる基板の孔に
おける分散液の塗布状況を示す図で、Ａは分散液が比較
的低粘度、Ｂは中程度の粘度、Ｃは高粘度の場合を示
す。
おける分散液の塗布状況を示す図で、Ａは分散液が比較
的低粘度、Ｂは中程度の粘度、Ｃは高粘度の場合を示
す。
２０ 薄膜形成装置
２５ モータ
２６ 第１回転軸
２７ スピンチャック
２８ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ
Ｚ
Ｆターム(参考） 4D075 AC64 AC66 BB14Z CA22
CA47 DA07 DA08 DA32 DC22
EA10 EC10
4F042 AA02 AA07 EB09 EB12 EB14
EB29
4K024 AA09 AB01 AB15 BA11 BB12
BC10 DA01 DA10 GA16
4K044 AA11 AB05 BA06 BB03 BC14
CA07 CA18 CA53 CA59 CA71
4M104 BB04 BB08 BB09 BB30 DD51
DD52 FF13 FF18 FF22 HH20
Claims (12)
- 【請求項１】 表面に孔又は溝を有し、支持台に載置さ
せた基板を、前記支持台に対し垂直な回転軸により回転
させながら、前記表面の上に供給した金属分散液の薄膜
を、前記孔又は溝を含む表面に形成するようにした金属
薄膜の形成方法において、前記支持台を水平に対し、傾
斜させるようにしたことを特徴とする金属薄膜の形成方
法。 - 【請求項２】 前記支持台を前記回転軸とは別の第２の
回転軸の回転により、この第２の回転軸のまわりに公転
させるようにし、前記支持台は前記第２の回転軸側に前
記孔又は溝を向けるように傾斜させて前記基板を載置さ
せていることを特徴とする請求項１に記載の金属薄膜の
形成方法。 - 【請求項３】 前記基板は半導体基板であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の金属薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記金属分散液は超微粒子分散液である
ことを特徴とする請求項３に記載の金属薄膜の形成方
法。 - 【請求項５】 前記傾斜の角度は調整可能であることを
特徴とする請求項４に記載の金属薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記回転軸及び前記第２の回転軸の回転
速度は調整可能であることを特徴とする請求項４又は５
に記載の金属薄膜の形成方法。 - 【請求項７】 表面に孔又は溝を有し、支持台に載置さ
せた基板を、前記支持台に対し垂直な回転軸を有するス
ピンコータにより回転させながら、前記表面の上に供給
した金属分散液の薄膜を、前記孔又は溝を含む表面に形
成するようにした金属薄膜の形成装置において、前記支
持台を水平に対し、傾斜させるようにしたことを特徴と
する金属薄膜の形成装置。 - 【請求項８】 前記支持台を前記回転軸とは別の第２の
回転軸の回転により、この第２の回転軸のまわりに公転
させるようにし、前記支持台は前記第２の回転軸側に前
記孔又は溝を向けるように傾斜させて前記基板を載置さ
せていることを特徴とする請求項７に記載の金属薄膜の
形成装置。 - 【請求項９】 前記基板は半導体基板であることを特徴
とする請求項７又は８に記載の金属薄膜の形成装置。 - 【請求項１０】 前記金属分散液は超微粒子分散液であ
ることを特徴とする請求項９に記載の金属薄膜の形成装
置。 - 【請求項１１】 前記傾斜の角度は調整可能であること
を特徴とする請求項１０に記載の金属薄膜の形成装置。 - 【請求項１２】 前記回転軸及び前記第２の回転軸の回
転速度は調整可能であることを特徴とする請求項１０又
は１１に記載の金属薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001291905A JP2003093957A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001291905A JP2003093957A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003093957A true JP2003093957A (ja) | 2003-04-02 |
Family
ID=19113972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001291905A Pending JP2003093957A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003093957A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013136023A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Koa Glass Kk | 被処理物搬送装置および静電塗装方法 |
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| WO2024125405A1 (zh) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | 中能创光电科技(常州)有限公司 | 旋涂方法及装置、薄膜电池的制备方法 |
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-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001291905A patent/JP2003093957A/ja active Pending
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