JP2003092050A - 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ - Google Patents
真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空インタラプタにおいて、高電圧大電流遮
断性能を可能とする。 【解決手段】 接触台１の周面にスリット５を形成して
あるカップ形の接触子において、前記接触台１の端面１
ａに前記スリット５につながる円周方向のスリット
（溝）６を形成してなる。
断性能を可能とする。 【解決手段】 接触台１の周面にスリット５を形成して
あるカップ形の接触子において、前記接触台１の端面１
ａに前記スリット５につながる円周方向のスリット
（溝）６を形成してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空インタラプタの
接触子及びそれを用いた真空インタラプタに関する。
接触子及びそれを用いた真空インタラプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】真空インタラプタの遮断性能を向上させ
るためには、遮断時に電極間に発生するアークを一個所
に集中させることなく、電極表面全体でアークを受け止
める必要がある。電極表面全体でアークを受け止めるも
のとして、電極間に縦磁界を形成する構造（縦磁界印加
方式）が採用されている。電極間に縦磁界を発生させる
ことにより、アークは磁界により閉じ込められ、荷電粒
子のアーク柱からの損失が少なくなり、アークが安定
し、電極部の温度上昇が抑制され、遮断性能が向上す
る。
るためには、遮断時に電極間に発生するアークを一個所
に集中させることなく、電極表面全体でアークを受け止
める必要がある。電極表面全体でアークを受け止めるも
のとして、電極間に縦磁界を形成する構造（縦磁界印加
方式）が採用されている。電極間に縦磁界を発生させる
ことにより、アークは磁界により閉じ込められ、荷電粒
子のアーク柱からの損失が少なくなり、アークが安定
し、電極部の温度上昇が抑制され、遮断性能が向上す
る。
【０００３】縦磁界印加方式を採用したものの一例とし
て、特公平３−５９５３１号公報には「真空スイッチの
接触子装置」が開示されている。これは、端面に接触板
が設けられた中空円筒状の接点台の周面にスリットを形
成したもので、接点台の外径に対し、接点台の深さ（つ
ぼ深さ）、スリット数、スリットの方位角が規定されて
いる。
て、特公平３−５９５３１号公報には「真空スイッチの
接触子装置」が開示されている。これは、端面に接触板
が設けられた中空円筒状の接点台の周面にスリットを形
成したもので、接点台の外径に対し、接点台の深さ（つ
ぼ深さ）、スリット数、スリットの方位角が規定されて
いる。
【０００４】特公平３−５９５３１号公報に記載の真空
インタラプタの接触子の構造を図９及び図１０に示す。
これらの図に示すように、接触子０１は、円筒状の接触
台０２の一端に接触子端板０３がろう付けされてカップ
形とされている。接触台０１の他端には接触板０４がろ
う付けされる。接触台０２の周面には、所定の角度傾斜
するスリット０５が複数形成されている。スリット０５
間がコイル部となる。また、接触板０４には、前記スリ
ット０５につながるスリット０６が、接触子０１の中心
に対し距離ｂの間隔を開けて形成されている。尚、図
８、９において、αは接触子０１の軸に対するスリット
０５の傾斜角、βは接触子０１の中心に対するスリット
０５の開き角度、つまり方位角である。
インタラプタの接触子の構造を図９及び図１０に示す。
これらの図に示すように、接触子０１は、円筒状の接触
台０２の一端に接触子端板０３がろう付けされてカップ
形とされている。接触台０１の他端には接触板０４がろ
う付けされる。接触台０２の周面には、所定の角度傾斜
するスリット０５が複数形成されている。スリット０５
間がコイル部となる。また、接触板０４には、前記スリ
ット０５につながるスリット０６が、接触子０１の中心
に対し距離ｂの間隔を開けて形成されている。尚、図
８、９において、αは接触子０１の軸に対するスリット
０５の傾斜角、βは接触子０１の中心に対するスリット
０５の開き角度、つまり方位角である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような接触子０１
を用いた真空インタラプタでは、電流の遮断時には、図
９に示すように接触台０１の円周方向を流れる電流ｉa
と、図１０に示すように接触子０４を流れ径方向と角度
を持った電流ｉb とで、電極間の磁束密度を確保してい
る。電流ｉb によって発生する磁束密度の分布は電極の
軸を中心に集中したものとなっている。そのため、遮断
時に中心部にアークが集中し、大きな短絡電流を遮断で
きない。
を用いた真空インタラプタでは、電流の遮断時には、図
９に示すように接触台０１の円周方向を流れる電流ｉa
と、図１０に示すように接触子０４を流れ径方向と角度
を持った電流ｉb とで、電極間の磁束密度を確保してい
る。電流ｉb によって発生する磁束密度の分布は電極の
軸を中心に集中したものとなっている。そのため、遮断
時に中心部にアークが集中し、大きな短絡電流を遮断で
きない。
【０００６】高電圧大電流遮断性能を実現するために
は、コイル径を大きく、接触子の解離距離を長くする必
要がある。この場合、電極間の磁束密度が不足して電極
間のアークが不安定となり、遮断不能となる。
は、コイル径を大きく、接触子の解離距離を長くする必
要がある。この場合、電極間の磁束密度が不足して電極
間のアークが不安定となり、遮断不能となる。
【０００７】また、発生磁界を確保するため、接点台に
形成するスリットの方位角を大きくすると、接触子自体
の強度が不足し、開閉操作力により変形して耐電圧性能
と遮断性能が悪くなる。
形成するスリットの方位角を大きくすると、接触子自体
の強度が不足し、開閉操作力により変形して耐電圧性能
と遮断性能が悪くなる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する第１
の発明に係る真空インタラプタの接触子は、接触台の端
面に接触板を設ける一方、この接触台の周面にスリット
を形成することによりコイル部を形成し、このコイル部
に流れる電流により前記接触台の軸方向に沿う縦磁界を
形成するようにした真空インタラプタの接触子におい
て、前記スリットにつながる円周方向のスリットを前記
接触台の前記接触板側端面に形成したことを特徴とす
る。この真空インタラプタの接触子を用いた真空インタ
ラプタにおいては、電流遮断時、電流は、接触台の端面
に絶縁層である円周方向スリットがあることから、円周
方向に流れる。よって、電流の経路が長くなり、より大
きな磁束密度が得られる。
の発明に係る真空インタラプタの接触子は、接触台の端
面に接触板を設ける一方、この接触台の周面にスリット
を形成することによりコイル部を形成し、このコイル部
に流れる電流により前記接触台の軸方向に沿う縦磁界を
形成するようにした真空インタラプタの接触子におい
て、前記スリットにつながる円周方向のスリットを前記
接触台の前記接触板側端面に形成したことを特徴とす
る。この真空インタラプタの接触子を用いた真空インタ
ラプタにおいては、電流遮断時、電流は、接触台の端面
に絶縁層である円周方向スリットがあることから、円周
方向に流れる。よって、電流の経路が長くなり、より大
きな磁束密度が得られる。
【０００９】上記課題を解決する第２の発明に係る真空
インタラプタの接触子は、上記第１の発明において、前
記円周方向のスリットにつながるスリットを前記接触板
に形成したことを特徴とする。
インタラプタの接触子は、上記第１の発明において、前
記円周方向のスリットにつながるスリットを前記接触板
に形成したことを特徴とする。
【００１０】上記課題を解決する第３の発明に係る真空
インタラプタの接触子は、上記第１又は第２の発明にお
いて、前記接触台の外径Ｄが、６０mm≦Ｄ≦２００mmで
あるとき、この接触台の外径Ｄに対し、前記接触台の長
さＬ、前記スリットの数Ｓが、 ０．１Ｄmm≦Ｌ≦０．５Ｄmm ０．０３Ｄ／mm≦Ｓ≦０．１Ｄ／mm と規定され、前記各スリットの前記接触台の軸線に対す
る傾斜角αが、 ６０°≦α≦８０° と規定され、前記接触台の周面に形成されるスリットの
方位角βが、 ４５°≦β≦１２０° と規定され、前記接触台の端面に形成されるスリットの
方位角γが、 （３０／Ｓ）°≦γ≦（２７０／Ｓ）° と規定されることを特徴とする真空インタラプタの接触
子。
インタラプタの接触子は、上記第１又は第２の発明にお
いて、前記接触台の外径Ｄが、６０mm≦Ｄ≦２００mmで
あるとき、この接触台の外径Ｄに対し、前記接触台の長
さＬ、前記スリットの数Ｓが、 ０．１Ｄmm≦Ｌ≦０．５Ｄmm ０．０３Ｄ／mm≦Ｓ≦０．１Ｄ／mm と規定され、前記各スリットの前記接触台の軸線に対す
る傾斜角αが、 ６０°≦α≦８０° と規定され、前記接触台の周面に形成されるスリットの
方位角βが、 ４５°≦β≦１２０° と規定され、前記接触台の端面に形成されるスリットの
方位角γが、 （３０／Ｓ）°≦γ≦（２７０／Ｓ）° と規定されることを特徴とする真空インタラプタの接触
子。
【００１１】上記課題を解決する第４の発明に係る真空
インタラプタの接触子は、上記第３の発明において、前
記接触台の板厚Ｗが、６mm≦Ｗ≦１２mmと規定されるこ
とを特徴とする。
インタラプタの接触子は、上記第３の発明において、前
記接触台の板厚Ｗが、６mm≦Ｗ≦１２mmと規定されるこ
とを特徴とする。
【００１２】上記課題を解決する第５の発明に係る真空
インタラプタは、上記第１乃至第４の発明に係る真空イ
ンタラプタの接触子を同一軸上に対向させて配置し、対
向する接触子間の距離Ｇを、１５mm≦Ｇ≦１００mmとし
たことを特徴とする。
インタラプタは、上記第１乃至第４の発明に係る真空イ
ンタラプタの接触子を同一軸上に対向させて配置し、対
向する接触子間の距離Ｇを、１５mm≦Ｇ≦１００mmとし
たことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る真空インタラ
プタ及び真空インタラプタ用接触子の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１には、実施の一形態に係る真空
インタラプタ用接触子の側面を示し、図２には、その平
面を示してある。
プタ及び真空インタラプタ用接触子の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１には、実施の一形態に係る真空
インタラプタ用接触子の側面を示し、図２には、その平
面を示してある。
【００１４】円筒状の接触台１の一方の端面１ａには接
触板２がろう付けされ、接触台１の他方の端面１ｂに
は、リード棒が接続される接触子端板３がろう付けされ
る。筒状の接触台１と接触子端板３とによりカップ状を
なすことから、このような接触子はカップ形と呼ばれて
いる。
触板２がろう付けされ、接触台１の他方の端面１ｂに
は、リード棒が接続される接触子端板３がろう付けされ
る。筒状の接触台１と接触子端板３とによりカップ状を
なすことから、このような接触子はカップ形と呼ばれて
いる。
【００１５】接触台１の直径Ｄは、遮断電流、電圧に応
じて、６０mm≦Ｄ≦２００mmの範囲で選択される。接触
台１の長さ（厚さ）Ｌは、０．１Ｄmm≦Ｌ≦０．５Ｄmm
の範囲で設定される。また、接触台１の厚さ（壁厚）Ｗ
は、６mm≦Ｗ≦１２mmの範囲で設定される。
じて、６０mm≦Ｄ≦２００mmの範囲で選択される。接触
台１の長さ（厚さ）Ｌは、０．１Ｄmm≦Ｌ≦０．５Ｄmm
の範囲で設定される。また、接触台１の厚さ（壁厚）Ｗ
は、６mm≦Ｗ≦１２mmの範囲で設定される。
【００１６】筒状の接触台１の全周面には、接点台１の
軸線に対し角度（傾斜角）α傾斜するスリット（以下、
傾斜スリット）５が形成されている。傾斜スリット５
は、接触台１の端面１ａに開口しており、接触台１の端
面１ａには、この傾斜スリット５につなげて、深さがＬ
1 で円周方向に延びるスリット（以下、円周スリット）
６が形成されている。隣り合う傾斜スリット５に挟まれ
た部分がコイル部７となる。
軸線に対し角度（傾斜角）α傾斜するスリット（以下、
傾斜スリット）５が形成されている。傾斜スリット５
は、接触台１の端面１ａに開口しており、接触台１の端
面１ａには、この傾斜スリット５につなげて、深さがＬ
1 で円周方向に延びるスリット（以下、円周スリット）
６が形成されている。隣り合う傾斜スリット５に挟まれ
た部分がコイル部７となる。
【００１７】傾斜スリット５の数は、０．０３Ｄ／mm≦
Ｓ≦０．１Ｄ／mmの範囲で設定される。傾斜スリット５
の傾斜角αは、６０°≦α≦８０°の範囲で設定され
る。これは、接触台１の機械的強度と抵抗の低減を考慮
したことによる。傾斜スリット５の方位角βは、４５°
≦β≦１２０°の範囲で設定される。下限値を４５°と
したのは、４５°以下では、磁束密度が不足するからで
あり、上限値を１２０°としたのは、これ以上だと抵抗
による発熱による問題が生じるからである。円周スリッ
ト６の方位角γは（３０／Ｓ）°≦γ≦（２７０／Ｓ）
°の範囲で設定される。接触台１、接触板２の機械的強
度を考慮したことによる。
Ｓ≦０．１Ｄ／mmの範囲で設定される。傾斜スリット５
の傾斜角αは、６０°≦α≦８０°の範囲で設定され
る。これは、接触台１の機械的強度と抵抗の低減を考慮
したことによる。傾斜スリット５の方位角βは、４５°
≦β≦１２０°の範囲で設定される。下限値を４５°と
したのは、４５°以下では、磁束密度が不足するからで
あり、上限値を１２０°としたのは、これ以上だと抵抗
による発熱による問題が生じるからである。円周スリッ
ト６の方位角γは（３０／Ｓ）°≦γ≦（２７０／Ｓ）
°の範囲で設定される。接触台１、接触板２の機械的強
度を考慮したことによる。
【００１８】前記接触板２には、図２に示すように直線
状のスリット８が放射状に形成されている。この例で
は、スリット８は、図１に示すように円周スリット６と
傾斜スリット５との接続部に接続されている。
状のスリット８が放射状に形成されている。この例で
は、スリット８は、図１に示すように円周スリット６と
傾斜スリット５との接続部に接続されている。
【００１９】尚、この実施の形態では、円筒状の接触台
１の端面に接触子端板３を接合してカップ形に形成して
いるが、この接触子端板３に相当する部分を接触台１と
一体に形成するようにしてもよい。この場合、カップ形
の一体品の深さ（つぼ深さ）が接触台１の長さＬに相当
する。
１の端面に接触子端板３を接合してカップ形に形成して
いるが、この接触子端板３に相当する部分を接触台１と
一体に形成するようにしてもよい。この場合、カップ形
の一体品の深さ（つぼ深さ）が接触台１の長さＬに相当
する。
【００２０】図３には、上記構成の真空インタラプタ用
接触子を用いて構成した真空インタラプタを概略的に示
す。図１、２に示した構造の二つの真空インタラプタ用
接触子１１、１２を、所定の間隔（接触子間距離）Ｇを
あけて同軸上で対向させて、真空容器１３の中に配置す
ることにより、真空インタラプタ１０は構成される。接
触子間距離Ｇは、１５mm≦Ｇ≦１００mmの範囲で設定さ
れる。
接触子を用いて構成した真空インタラプタを概略的に示
す。図１、２に示した構造の二つの真空インタラプタ用
接触子１１、１２を、所定の間隔（接触子間距離）Ｇを
あけて同軸上で対向させて、真空容器１３の中に配置す
ることにより、真空インタラプタ１０は構成される。接
触子間距離Ｇは、１５mm≦Ｇ≦１００mmの範囲で設定さ
れる。
【００２１】真空容器１３は、セラミック又はガラス等
からなる絶縁筒１４の両端を、金属からなる端板１５、
１６で塞ぎ、内部を高真空に排気して構成される。この
真空容器１３の一方の端板１５を通して固定された固定
ロッド１７の先端に一方の接触子１１が固定電極として
固定される。真空容器１３のもう一方の端板１６を通
し、かつベローズ１８により可動に設けられた可動ロッ
ド１９の先端にもう一方の接触子１２が可動電極として
固定される。真空容器１３内において、接触子１１、１
２の回りにはシールド２０が設けられる。
からなる絶縁筒１４の両端を、金属からなる端板１５、
１６で塞ぎ、内部を高真空に排気して構成される。この
真空容器１３の一方の端板１５を通して固定された固定
ロッド１７の先端に一方の接触子１１が固定電極として
固定される。真空容器１３のもう一方の端板１６を通
し、かつベローズ１８により可動に設けられた可動ロッ
ド１９の先端にもう一方の接触子１２が可動電極として
固定される。真空容器１３内において、接触子１１、１
２の回りにはシールド２０が設けられる。
【００２２】上記構成の真空インタラプタにおいて、電
流の遮断時、電極である接触子１１、１２間には、アー
クが発生する。一方、電流ｉは、接触板３と接触台１と
の間に絶縁層である円周スリット６があることから、接
触板３に沿って旋回移動した後、接触台１のスリット５
間のコイル部７に入る。コイル部７に電流が流れること
により、縦磁界Ｂが発生する。電流の経路が長くなるこ
とから、スリット５だけを設けた場合に比べて大きな磁
界が発生する。よって、アークを安定させることがで
き、良好な遮断性能を得ることができる。
流の遮断時、電極である接触子１１、１２間には、アー
クが発生する。一方、電流ｉは、接触板３と接触台１と
の間に絶縁層である円周スリット６があることから、接
触板３に沿って旋回移動した後、接触台１のスリット５
間のコイル部７に入る。コイル部７に電流が流れること
により、縦磁界Ｂが発生する。電流の経路が長くなるこ
とから、スリット５だけを設けた場合に比べて大きな磁
界が発生する。よって、アークを安定させることがで
き、良好な遮断性能を得ることができる。
【００２３】実施例として、上記構成の真空インタラプ
タにおいて、接触子１１、１２の各部の寸法を以下のよ
うに規定した。接触台１の外径Ｄ＝７０mm、接触台１の
長さＬ＝１７mm、スリットの数Ｓ＝６、スリットの傾斜
角α＝６８°、傾斜スリットの方位角β＝９０°、円周
スリット６の方位角γ＝１５°、接触台の壁厚Ｗ＝７．
５mm
タにおいて、接触子１１、１２の各部の寸法を以下のよ
うに規定した。接触台１の外径Ｄ＝７０mm、接触台１の
長さＬ＝１７mm、スリットの数Ｓ＝６、スリットの傾斜
角α＝６８°、傾斜スリットの方位角β＝９０°、円周
スリット６の方位角γ＝１５°、接触台の壁厚Ｗ＝７．
５mm
【００２４】この真空インタラプタにおいては、接触子
１１、１２を同一軸上に１６mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
４．０μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧３６ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断容
量が得られた。
１１、１２を同一軸上に１６mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
４．０μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧３６ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断容
量が得られた。
【００２５】図４、５には、他の実施の形態に係る真空
インタラプタの接触子を示す。図４は側面を示し、図５
は平面を示す。この実施の形態は、接触板２に設けるス
リット８を、円周スリット６と傾斜スリット５との接続
部ではなく円周スリット６の始端部（片端部）に接続し
たもので、他の構成は、先の第１の実施の形態と同じで
ある。
インタラプタの接触子を示す。図４は側面を示し、図５
は平面を示す。この実施の形態は、接触板２に設けるス
リット８を、円周スリット６と傾斜スリット５との接続
部ではなく円周スリット６の始端部（片端部）に接続し
たもので、他の構成は、先の第１の実施の形態と同じで
ある。
【００２６】この実施の形態に係る真空インタラプタの
接触子の各部の寸法を以下のように規定して真空インタ
ラプタ（図３参照）を構成した。接触台１の外径Ｄ＝８
０mm、接触台１の長さＬ＝２０mm、スリットの数Ｓ＝
６、スリットの傾斜角α＝７２°、傾斜スリットの方位
角β＝９０°、円周スリットの方位角γ＝１５°、接触
台の壁厚Ｗ＝８mm
接触子の各部の寸法を以下のように規定して真空インタ
ラプタ（図３参照）を構成した。接触台１の外径Ｄ＝８
０mm、接触台１の長さＬ＝２０mm、スリットの数Ｓ＝
６、スリットの傾斜角α＝７２°、傾斜スリットの方位
角β＝９０°、円周スリットの方位角γ＝１５°、接触
台の壁厚Ｗ＝８mm
【００２７】この真空インタラプタにおいては、接触子
１１、１２を同一軸上に２０mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
３．６μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧３６ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断容
量が得られた。
１１、１２を同一軸上に２０mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
３．６μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧３６ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断容
量が得られた。
【００２８】図６には、この実施例のように円周スリッ
ト６を設けた接触子を用いた真空インタラプタと、円周
スリットを設けていない接触子を用いた真空インタラプ
タとの磁束密度分布の違いを示す。図６において、横軸
は電極中心からの距離（mm）であり、縦軸は磁束密度
（μＴ／Ａ）である。この図からわかるように、円周ス
リットを設けた場合には、電極中心部から広い範囲にわ
たって平坦でかつ高い磁束密度が得られる。
ト６を設けた接触子を用いた真空インタラプタと、円周
スリットを設けていない接触子を用いた真空インタラプ
タとの磁束密度分布の違いを示す。図６において、横軸
は電極中心からの距離（mm）であり、縦軸は磁束密度
（μＴ／Ａ）である。この図からわかるように、円周ス
リットを設けた場合には、電極中心部から広い範囲にわ
たって平坦でかつ高い磁束密度が得られる。
【００２９】図７、８には、更に他の実施の形態に係る
真空インタラプタの接触子を示す。図７は側面を示し、
図８は平面を示す。この実施の形態は、接触板２に設け
るスリット８を、その延長線が接触板２の中心Ｏからず
れるようにしたもので、言い換えれば、図８に示すよう
に、接触板２の中心Ｏを通る線に対し距離ｂ離れて平行
となるようにしたものである。従って、スリット８は、
全体としてスパイラル状をなしている。スリット８の端
は、円周スリット６の始端部に接続されている。その他
の構成は、先の第１の実施の形態と同じである。
真空インタラプタの接触子を示す。図７は側面を示し、
図８は平面を示す。この実施の形態は、接触板２に設け
るスリット８を、その延長線が接触板２の中心Ｏからず
れるようにしたもので、言い換えれば、図８に示すよう
に、接触板２の中心Ｏを通る線に対し距離ｂ離れて平行
となるようにしたものである。従って、スリット８は、
全体としてスパイラル状をなしている。スリット８の端
は、円周スリット６の始端部に接続されている。その他
の構成は、先の第１の実施の形態と同じである。
【００３０】この実施の形態に係る真空インタラプタの
接触子の各部の寸法を以下のように規定して真空インタ
ラプタ（図３参照）を構成した。接触台１の外径Ｄ＝９
０mm、接触台１の長さＬ＝２１mm、スリットの数Ｓ＝
６、スリットの傾斜角α＝７５°、傾斜スリットの方位
角β＝１０２°、円周スリットの方位角γ＝１５°、接
触台の壁厚Ｗ＝８mm
接触子の各部の寸法を以下のように規定して真空インタ
ラプタ（図３参照）を構成した。接触台１の外径Ｄ＝９
０mm、接触台１の長さＬ＝２１mm、スリットの数Ｓ＝
６、スリットの傾斜角α＝７５°、傾斜スリットの方位
角β＝１０２°、円周スリットの方位角γ＝１５°、接
触台の壁厚Ｗ＝８mm
【００３１】この真空インタラプタにおいては、接触子
１１、１２を同一軸上に４０mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
３．５μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧７２ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断性
能を達成した。また、円周スリット６がないものに比べ
て、中心部の磁束密度は１．２５倍となった。
１１、１２を同一軸上に４０mmの距離（接触子間距離
Ｇ）で対向配置させたときの中心部での発生磁束密度は
３．５μＴ／Ａとなる。この真空インタラプタにより、
定格電圧７２ｋＶ−定格遮断電流３１．５ｋＡの遮断性
能を達成した。また、円周スリット６がないものに比べ
て、中心部の磁束密度は１．２５倍となった。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係る真空インタラプタ用接触子
及び真空インタラプタによれば、接触台の端面に接触板
を設ける一方、この接触台の周面にスリットを形成する
ことによりコイル部を形成し、このコイル部に流れる電
流により前記接触台の軸方向に沿う縦磁界を形成するよ
うにした真空インタラプタの接触子において、前記スリ
ットにつながる円周方向のスリットを前記接触台の前記
接触板側端面に形成したので、接触子間に発生する磁束
密度分布が軸中心に平坦となり、遮断時に発生するアー
クを均一に拡散させることができ、遮断容量が向上し
た。
及び真空インタラプタによれば、接触台の端面に接触板
を設ける一方、この接触台の周面にスリットを形成する
ことによりコイル部を形成し、このコイル部に流れる電
流により前記接触台の軸方向に沿う縦磁界を形成するよ
うにした真空インタラプタの接触子において、前記スリ
ットにつながる円周方向のスリットを前記接触台の前記
接触板側端面に形成したので、接触子間に発生する磁束
密度分布が軸中心に平坦となり、遮断時に発生するアー
クを均一に拡散させることができ、遮断容量が向上し
た。
【００３３】高電圧大電流遮断性能を確保するために、
接触子の径を大きく、解離距離（接触子間距離）を長く
した場合でも、接触子間に必要十分な磁界密度を確保で
きる。このことにより、大電流遮断時にアークが拡散
し、安定した安定した遮断容量が確保できる。
接触子の径を大きく、解離距離（接触子間距離）を長く
した場合でも、接触子間に必要十分な磁界密度を確保で
きる。このことにより、大電流遮断時にアークが拡散
し、安定した安定した遮断容量が確保できる。
【図１】本発明の一実施形態に係る真空インタラプタ用
接触子の側面図である。
接触子の側面図である。
【図２】図１に示した真空インタラプタ用接触子の平面
図である。
図である。
【図３】図１、２に示した真空インタラプタ用接触子を
用いた真空インタラプタの概略図である。
用いた真空インタラプタの概略図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る真空インタラプ
タ用接触子の側面図である。
タ用接触子の側面図である。
【図５】図４に示した真空インタラプタ用接触子の平面
図である。
図である。
【図６】図４、５に示した真空インタラプタ用接触子を
用いた真空インタラプタと円周スリットを有しない真空
インタラプタ用接触子を用いた真空インタラプタとの磁
束密度の比較を示すグラフである。
用いた真空インタラプタと円周スリットを有しない真空
インタラプタ用接触子を用いた真空インタラプタとの磁
束密度の比較を示すグラフである。
【図７】本発明の更に他の実施形態に係る真空インタラ
プタ用接触子の側面図である。
プタ用接触子の側面図である。
【図８】図７に示した真空インタラプタ用接触子の平面
図である。
図である。
【図９】従来の真空インタラプタ用接触子の一例の側面
図である。
図である。
【図１０】図９に示した真空インタラプタ用接触子の平
面図である。
面図である。
１ 接触台
２ 接触板
３ 接触子端板
５ 傾斜スリット
６ 円周スリット
７ コイル部
８ スリット
１０ 真空インタラプタ
１１ 接触子（固定電極）
１２ 接触子（可動電極）
フロントページの続き
(72)発明者 松井 芳彦
東京都品川区大崎二丁目１番17号 株式会
社明電舎内
(72)発明者 古畑 高明
東京都品川区大崎二丁目１番17号 株式会
社明電舎内
Ｆターム(参考） 5G026 CA01 CB08 DA07 DB06
Claims (5)
- 【請求項１】 接触台の端面に接触板を設ける一方、こ
の接触台の周面にスリットを形成することによりコイル
部を形成し、このコイル部に流れる電流により前記接触
台の軸方向に沿う縦磁界を形成するようにした真空イン
タラプタの接触子において、 前記スリットにつながる円周方向のスリットを前記接触
台の前記接触板側端面に形成したことを特徴とする真空
インタラプタ用接触子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の真空インタラプタ用接
触子において、前記円周方向のスリットにつながるスリ
ットを前記接触板に形成したことを特徴とする真空イン
タラプタ用接触子。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の真空インタラプ
タ用接触子において、 前記接触台の外径Ｄが、 ６０mm≦Ｄ≦２００mmであるとき、 この接触台の外径Ｄに対し、前記接触台の長さＬ、前記
スリットの数Ｓが、 ０．１Ｄmm≦Ｌ≦０．５Ｄmm ０．０３Ｄ／mm≦Ｓ≦０．１Ｄ／mm と規定され、 前記各スリットの前記接触台の軸線に対する傾斜角α
が、 ６０°≦α≦８０° と規定され、 前記接触台の周面に形成されるスリットの方位角βが、 ４５°≦β≦１２０° と規定され、 前記接触台の端面に形成されるスリットの方位角γが、 （３０／Ｓ）°≦γ≦（２７０／Ｓ）° と規定されることを特徴とする真空インタラプタの接触
子。 - 【請求項４】 請求項３に記載の真空インタラプタ用接
触子において、 前記接触台の板厚Ｗが、 ６mm≦Ｗ≦１２mm と規定されることを特徴とする真空インタラプタの接触
子。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の真空
インタラプタの接触子を同一軸上に対向させて配置し、
対向する接触子間の距離Ｇを、１５mm≦Ｇ≦１００mmと
したことを特徴とする真空インタラプタ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001281068A JP2003092050A (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ |
| DE60223975T DE60223975T2 (de) | 2001-09-12 | 2002-09-11 | Vakuumschalterkontakt und Vakuumschalter mit einem solchen Kontakt |
| KR10-2002-0054813A KR100496772B1 (ko) | 2001-09-12 | 2002-09-11 | 진공 차단기용 접촉자 및 이를 이용하는 진공 차단기 |
| CNB021315493A CN100442413C (zh) | 2001-09-12 | 2002-09-11 | 用于真空断路器的触点以及包括该触点的真空断路器 |
| US10/238,901 US6686552B2 (en) | 2001-09-12 | 2002-09-11 | Contact for vacuum interrupter, and vacuum interrupter using same |
| EP02020443A EP1294002B1 (en) | 2001-09-12 | 2002-09-11 | Contact for vacuum interrupter, and vacuum interrupter using same |
| US10/736,585 US6870118B2 (en) | 2001-09-12 | 2003-12-17 | Contact for vacuum interrupter, and vacuum interrupter using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001281068A JP2003092050A (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003092050A true JP2003092050A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=19104960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001281068A Pending JP2003092050A (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-17 | 真空インタラプタ用接触子及び真空インタラプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003092050A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011162398A1 (ja) | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 株式会社日本Ａｅパワーシステムズ | 真空遮断器用電極材料の製造方法、真空遮断器用電極材料及び真空遮断器用電極 |
| JP2012133988A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Japan Ae Power Systems Corp | 真空遮断器用電極 |
| JP2020027782A (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
| JP2020149780A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
-
2001
- 2001-09-17 JP JP2001281068A patent/JP2003092050A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011162398A1 (ja) | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 株式会社日本Ａｅパワーシステムズ | 真空遮断器用電極材料の製造方法、真空遮断器用電極材料及び真空遮断器用電極 |
| US9281136B2 (en) | 2010-06-24 | 2016-03-08 | Meidensha Corporation | Method for producing electrode material for vacuum circuit breaker, electrode material for vacuum circuit breaker and electrode for vacuum circuit breaker |
| US9570245B2 (en) | 2010-06-24 | 2017-02-14 | Meidensha Corporation | Method for producing electrode material for vacuum circuit breaker, electrode material for vacuum circuit breaker and electrode for vacuum circuit breaker |
| JP2012133988A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Japan Ae Power Systems Corp | 真空遮断器用電極 |
| JP2020027782A (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
| JP7110031B2 (ja) | 2018-08-16 | 2022-08-01 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
| JP2020149780A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
| JP7175802B2 (ja) | 2019-03-11 | 2022-11-21 | 富士電機株式会社 | 真空遮断器 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060718 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060919 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061003 |