JP2003085833A

JP2003085833A - 光ディスクの製造方法

Info

Publication number: JP2003085833A
Application number: JP2001277665A
Authority: JP
Inventors: 寛史 ▲高▼▲崎▼; Hiroshi Takasaki; Hideki Ishizaki; 秀樹石▲崎▼; Hiroyasu Inoue; 弘康井上
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-09-13
Filing date: 2001-09-13
Publication date: 2003-03-20

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に、反射層、記録層及び光透過層をこ
の順に形成するタイプの光ディスクの製造方法におい
て、記録層の成膜条件が適切に設定された光ディスクの
製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、反射層１２、記録層１４及び
光透過層１６をこの順に形成する光ディスクの製造方法
であって、記録層１６の成膜速度を５ｎｍ／ｓｅｃ以上
に設定する。これにより、ジッタの低い光ディスクを製
造することが可能となる。特に、記録層１４の成膜速度
を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下に設定することが好ましく、反
射層１２の成膜速度を１５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定する
ことがさらに好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの製造
方法に関し、特に、反射膜を形成した後に記録膜を形成
するタイプの光ディスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量のデジタルデータを記録す
るための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光
ディスクが広く用いられている。一般的な光ディスク
は、光入射面側から、光透過層、記録層、反射層、保護
層の順に各層が積層されてなり、データの読み出しに際
しては、光透過層側からレーザが照射されてその反射光
が検出される。

【０００３】図５は、一般的な光ディスクの一種である
ＤＶＤ−ＲＷの構造を概略的に示す部分断面図である。

【０００４】図５に示されるように、ＤＶＤ−ＲＷは、
厚さが約０．６ｍｍの光透過層１と、厚さが５０〜８０
ｎｍの第１の誘電体層２と、厚さが約１０〜３０ｎｍの
記録層３と、厚さが１０〜３０ｎｍの第２の誘電体層４
と、厚さが約９０〜１５０ｎｍの反射層５と、厚さが約
５μｍの保護層６によって構成される。また、ディスク
の中心部分には孔７が設けられている。一般に、光透過
層１はポリカーボネートからなり、第１の誘電体層２は
ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなり、記録層３はＡｇＩｎＳｂＴ
ｅＧｅ等の相変化化合物からなり、第２の誘電体層４は
ＺｎＳ−ＳｉＯ _２からなり、反射層５はアルミニウム合
金からなり、保護層６は紫外線硬化性樹脂からなる。こ
のような構成を有するＤＶＤ−ＲＷの作製においては、
まず、スタンパを用いてプリグルーブを有する光透過層
１を射出成形し、次に、光透過層１のうち、プリグルー
ブが形成されている面にスパッタリング法によって第１
の誘電体層２、記録層３、第２の誘電体層４、反射層５
をこの順に成膜する。そして、反射層５の表面に紫外線
硬化性樹脂をスピンコート法により形成することによっ
て、保護層６を形成する。これにより、光透過層１、第
１の誘電体層２、記録層３、第２の誘電体層４、反射層
５及び保護層６からなるＤＶＤ−ＲＷが作製される。

【０００５】記録層３を構成する相変化化合物は、結晶
相である場合とアモルファス相である場合とで光学定数
が異なっており、これを利用してデジタルデータの記録
を行うことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年における情報技術
の進歩に伴い、記録媒体の一つである光ディスクは高速
化・大容量化の必要に迫られている。光ディスクを高速
化・大容量化するためには、記録・再生レーザの短波長
化や光ディスク用ヘッドの高開口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａ
ｌＡｐｅｒｔｕｒｅ：ＮＡ）化を行うことが有効であ
る。

【０００７】しかしながら、光ディスク用ヘッドが高Ｎ
Ａ化すると、チルトマージンが小さくなるという問題が
生じてしまう。チルトマージンＴは、記録・再生レーザ
の波長をλ、記録・再生レーザが入射する光透過層の厚
さをｄとすると、次式によって表すことができる。

【０００８】

【数１】式（１）から明らかなように、チルトマージンは光ディ
スク用ヘッドのＮＡが大きいほど小さくなってしまう。
また、波面収差（コマ収差）が発生する光透過層の屈折
率をｎ、傾き角をθとすると、波面収差係数Ｗは、次式
によって表すことができる。

【０００９】

【数２】式（１）及び式（２）から明らかなように、チルトマー
ジンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるために
は、記録・再生レーザが入射する光透過層の厚さｄを小
さくすればよい。例えば、ＣＤ（ＮＡ＝０．４５）に代
表される従来の光ディスクに使用されている光透過層の
厚みが約１．２ｍｍであるのに対し、ＤＶＤ（ＮＡ＝
０．６）においてはこれよりも薄い約０．６ｍｍの厚み
の光透過層を用いるのはこのためである。

【００１０】近年、光ディスクの高速化・大容量化を実
現するために、光ディスク用ヘッドのＮＡを約０．８５
程度まで大きくする提案がなされているが、この場合、
チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑
えるためには、透明基体の厚さとしては約０．１ｍｍ程
度まで薄くする必要がある。

【００１１】ところが、現在光透過層の材料として一般
的に用いられているポリカーボネート等を射出成形法を
用いて、膜厚が０．１ｍｍ程度となるように薄く成形す
ると、十分な機械的強度が確保できなくなるという問題
が生じる。

【００１２】これを解決するために、ポリカーボネート
等からなる基板上に、反射層、誘電体層、記録層、誘電
体層及び光透過層をこの順に形成することにより、光透
過層が薄膜化された光ディスクが提案されている。この
ようなタイプの光ディスクにおいては、基板の反対側か
ら記録・再生レーザが入射するため、基板の厚みを十分
に厚くすることができる。したがって、このようなタイ
プの光ディスクを用いれば、基板の機械的強度を十分に
確保しつつ、高ＮＡの光ディスク用ヘッドを利用するこ
とが可能となる。高ＮＡの光ディスク用ヘッドを利用す
ると、記録・再生レーザのビームスポットを非常に小さ
く絞ることができるため、光ディスクのトラックピッチ
やグルーブ幅を上述した一般的なＤＶＤ−ＲＷに比べて
大幅に狭くすることが可能となる。

【００１３】このようなタイプの光ディスクにおいて
も、反射層や誘電体層、記録層等の成膜方法は、基本的
に、従来より用いられているスパッタリング法をそのま
ま用いることが可能であるが、上述した一般的なＤＶＤ
−ＲＷとは成膜順序が異なること、並びに、上述した一
般的なＤＶＤ−ＲＷよりもトラックピッチやグルーブ幅
がかなり狭いことから、適切な成膜条件は、従来の一般
的なＤＶＤ−ＲＷにおける成膜条件と異なるものと考え
られる。

【００１４】したがって、本発明の目的は、成膜条件が
適切に設定された光ディスクの製造方法を提供すること
である。

【００１５】また、本発明の他の目的は、基板上に、反
射層、記録層及び光透過層をこの順に形成するタイプの
光ディスクの改良された製造方法を提供することであ
る。

【００１６】また、本発明のさらに他の目的は、基板上
に、反射層、記録層及び光透過層をこの順に形成するタ
イプの光ディスクの製造方法において、記録層の成膜条
件が適切に設定された光ディスクの製造方法を提供する
ことである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
基板上に、反射層、記録層及び光透過層をこの順に形成
する光ディスクの製造方法であって、前記記録層の成膜
速度を５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定したことを特徴とする
光ディスクの製造方法によって達成される。

【００１８】本発明によれば、記録層の成膜速度が適切
に設定されていることから、ジッタの低い光ディスクを
製造することが可能となる。

【００１９】本発明の好ましい実施態様においては、前
記記録層の成膜速度が５０ｎｍ／ｓｅｃ以下に設定され
ている。

【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記反射層の成膜速度が１５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設
定されている。

【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記反射層及び前記記録層をスパッタリング法によ
り形成し、前記光透過層をスピンコート法により形成す
る。

【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、スパッタリング法によって前記反射層と前記記録層
との間に第２の誘電体層を形成し、スパッタリング法に
よって前記記録層と前記光透過層との間に第１の誘電体
層を形成する。

【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記反射層の形成から前記第１の誘電体層の形成ま
での各スパッタリング工程を、減圧状態を維持しながら
連続的に実行する。

【００２４】尚、本明細書において「この順に」とは、
「対象となる層についてこの順に」の意であり、対象と
なる各層間におけるその他の層の存在を排除するもので
はない。したがって、対象となる各層の間にその他の層
が介在している場合であっても、対象となる層に関して
当該順序が保たれている限り、「この順に」に含まれ
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。

【００２６】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る方法により製造されるべき光ディスク１０の構造を概
略的に示す部分断面図である。

【００２７】図１に示されるように、光ディスク１０
は、厚さが約１．１ｍｍの基板１１と、厚さが約１００
ｎｍの反射層１２と、厚さが約２０ｎｍの第２の誘電体
層１３と、厚さが約１２ｎｍの記録層１４と、厚さが約
１３５ｎｍの第１の誘電体層１５と、厚さが約１００μ
ｍの光透過層１６とによって構成される。また、光ディ
スク１０の中心部分には孔１７が設けられている。基板
１１はポリカーボネートやポリオレフィンからなり、反
射層１２は銀を主成分とする合金からなり、第２の誘電
体層１３はＡｌ_２Ｏ_３からなり、記録層１４はＡｇＩｎ
ＳｂＴｅＧｅからなり、第１の誘電体層１５はＺｎＳ−
ＳｉＯ_２からなり、光透過層１６は紫外線硬化性樹脂
や、ポリカーボネートやポリオレフィン等の樹脂性シー
トからなる。

【００２８】このような構造を有する光ディスク１０か
らのデータの読み出しに際しては、光透過層１６側から
例えば約４０５ｎｍの波長を持つ読み出し用レーザが照
射される。照射された読み出し用レーザは、記録層１４
を通って反射膜１２によって反射し、再び記録層１４を
通って光透過層１６から戻る。ここで、記録層１４を構
成するＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅは相変化化合物であり、結
晶相である場合とアモルファス相である場合とで光学定
数が異なっていることから、読み出し用レーザの反射光
量を検出することにより、読み出し用レーザが照射され
た部分における記録層１４が結晶相であるかアモルファ
ス相であるかを判別することができる。記録層１４が結
晶相であるかアモルファス相であるかは、記録されてい
るデジタルデータに対応していることから、これを判別
することにより、記録されているデジタルデータを読み
出すことが可能となる。

【００２９】一方、光ディスク１０へのデータの書き込
みに際しては、光透過層１４側から例えば３８０〜４５
０ｎｍの波長を持つ書き込み用レーザが照射され、これ
により当該部分における記録層１４の状態が、結晶相及
びアモルファス相のいずれか一方とされる。これによ
り、所望のデジタルデータを記録層１４に記録すること
が可能となる。

【００３０】また、記録層１４を挟むように設けられた
第２の誘電体層１３及び第１の誘電体層１５は、記録層
１４に対する保護膜として機能する。

【００３１】次に、光ディスク１０の製造方法について
説明する。

【００３２】図２は、光ディスク１０の製造方法を示す
フローチャートである。上述のとおり、光ディスク１０
の光透過層１６は厚さが約１００μｍと非常に薄く、こ
のため、従来の一般的なＤＶＤ−ＲＷとは逆の順序で成
膜が行われる。

【００３３】まず、スタンパを用いて、グルーブ幅が
０．１〜０．２μｍ、トラックピッチが約０．３μｍ、
グルーブの深さが約２０ｎｍであるプリグルーブを有す
る厚さが約１．１ｍｍの基板１１を射出成形する（ステ
ップＳ１）。

【００３４】次に、基板１１のうち、プリグルーブが形
成されている面（情報領域）にスパッタリング法によっ
て、銀を主成分とする合金を成膜することにより、厚さ
が約１００ｎｍの反射層１２を形成する（ステップＳ
２）。反射層１２の成膜速度としては、１５ｎｍ／ｓｅ
ｃ〜１５０ｎｍ／ｓｅｃに設定することが好ましい。

【００３５】次に、反射層１２の上面にスパッタリング
法によってＡｌ_２Ｏ_３を成膜することにより、厚さが約
２０ｎｍの第２の誘電体層１３を形成する（ステップＳ
３）。第２の誘電体層１３の成膜速度としては、１ｎｍ
／ｓｅｃ〜２０ｎｍ／ｓｅｃに設定することが好まし
い。

【００３６】次に、第２の誘電体層１３の上面にスパッ
タリング法によってＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅを成膜するこ
とにより、厚さが約１２ｎｍの記録層１４を形成する
（ステップＳ４）。記録層１４の形成における好ましい
成膜条件については後述する。

【００３７】次に、記録層１４の上面にスパッタリング
法によってＺｎＳ−ＳｉＯ_２を成膜することにより、厚
さが約１３０ｎｍの第１の誘電体層１５を形成する（ス
テップＳ５）。第１の誘電体層１５の成膜速度として
は、１ｎｍ／ｓｅｃ〜２０ｎｍ／ｓｅｃに設定すること
が好ましい。

【００３８】そして、第１の誘電体層１５の表面に紫外
線硬化性樹脂をスピンコート法により成膜することによ
って、厚さが約１００μｍの光透過層１６を形成する
（ステップＳ６）。以上により、光ディスク１０が作製
される。尚、光透過層１６の形成については、あらかじ
め成形されたポリカーボネートやポリオレフィン等の樹
脂性シート材を第１の誘電体層１５の表面に接着するこ
とによって行っても構わない。

【００３９】このように、反射層１２の形成から第１の
誘電体層１５の形成までの工程には、全てスパッタリン
グ法が用いられている。このため、反射層１２の形成か
ら第１の誘電体層１５の形成までの各工程は、マルチチ
ャンバー型のスパッタリング装置を用いることにより、
反射層１２の形成から第１の誘電体層１５の形成までの
各工程を、減圧状態を維持しながら連続的に実行するこ
とが好ましい。このように、減圧状態を維持しながらこ
れら各スパッタリング工程を連続的に実行すれば、生産
性が向上するとともに、光ディスク１０への異物の混入
を抑制することができる。

【００４０】次に、記録層１４の形成（ステップＳ４）
における好ましい条件について説明する。

【００４１】図３は、記録層１４の成膜速度と、作製さ
れた光ディスク１０のジッタとの関係を示すグラフであ
る。

【００４２】図３に示されるように、作製された光ディ
スク１０のジッタは、記録層１４の成膜速度が速いほど
低下する傾向にあることが分かる。かかるジッタの低下
は、記録層１４の成膜速度が約５ｎｍ／ｓｅｃ未満であ
る領域において顕著であり、約５ｎｍ／ｓｅｃ以上の領
域においては大きく変化していない。このことから、記
録層１４の成膜速度としては、約５ｎｍ／ｓｅｃ以上に
設定することが好ましいと言える。

【００４３】このように、作製された光ディスク１０の
ジッタが記録層１４の成膜速度に依存する理由は、反射
層１２が形成されている基板１１に対して、スパッタリ
ングによる各種成膜を行っていることに起因していると
考えられる。つまり、反射層１２の表面に第２の誘電体
層１３をスパッタリングにより形成する際、下地となる
反射層１２が金属であることから、これが第２の誘電体
層１３の膜質に影響を与え、ひいては、その表面に形成
される記録層１４の膜質に影響を与えているものと考え
られる。また、光ディスク１０においては、従来の一般
的なＤＶＤと比べて狭グルーブ化、狭トラックピッチ化
されていることから、上記影響が顕在化したものである
と考えられる。

【００４４】尚、生産性を考慮すれば、記録層１４の成
膜速度としては、速ければ速いほど好ましい。かかる観
点より、記録層１４の成膜速度としては、約５ｎｍ／ｓ
ｅｃ以上の領域において、より速く設定することが好ま
しい。記録層１４の成膜速度を速くするためには、スパ
ッタリング時に印加する電力を高くしたり、ターゲット
と基板１１との距離を狭くすればよい。しかし、スパッ
タリング時の電力を過度に高くしたりターゲットと基板
１１との距離を過度に狭くすると、基板１１の温度上昇
が著しくなり、基板１１の材料として好適に用いること
ができるポリカーボネートが使用できなくなってしま
う。さらに、記録層１４の成膜速度を過度に速く設定す
ると、成膜時間が非常に短くなることから膜厚の正確な
制御が困難となってしまう。かかる観点をも考慮すれ
ば、記録層１４の成膜速度として、約５０ｎｍ／ｓｅｃ
を越える速度に設定することは好ましくない。

【００４５】以上を総合すれば、記録層１４の成膜速度
としては、約５〜５０ｎｍ／ｓｅｃの範囲に設定するこ
とがより好ましいと言える。

【００４６】図４は、反射層１２の成膜速度と、作製さ
れた光ディスク１０のジッタとの関係を示すグラフであ
る。

【００４７】図４に示されるように、作製された光ディ
スク１０のジッタは、反射層１２の成膜速度が速いほど
低下する傾向にあることが分かる。かかるジッタの低下
は、反射層１２の成膜速度が約１５ｎｍ／ｓｅｃ未満で
ある領域において顕著であり、約１５ｎｍ／ｓｅｃ以上
の領域においては大きく変化していない。このことか
ら、反射層１２の成膜速度としては、約１５ｎｍ／ｓｅ
ｃ以上に設定することが好ましいと言える。

【００４８】尚、生産性を考慮すれば、反射層１２の成
膜速度としては、速ければ速いほど好ましい。かかる観
点より、反射層１２の成膜速度としては、約１５ｎｍ／
ｓｅｃ以上の領域において、より速く設定することが好
ましい。但し、スパッタリングによる成膜速度を過度に
速く設定した場合には、上述した問題が発生することか
ら、反射層１２の成膜速度として、約５０ｎｍ／ｓｅｃ
を越える速度に設定することは好ましくない。

【００４９】以上を総合すれば、反射層１２の成膜速度
としては、約１５〜５０ｎｍ／ｓｅｃの範囲に設定する
ことがより好ましいと言える。

【００５０】このように、本実施態様による光ディスク
の製造方法においては、基板１１上に、反射層１２、第
２の誘電体層１３、記録層１４、第１の誘電体層１５及
び光透過層１６を順次成膜し、記録層１４の成膜におい
て、その成膜速度を約５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定し、反
射層１２の成膜において、その成膜速度を約１５ｎｍ／
ｓｅｃ以上に設定していることから、ジッタの低い光デ
ィスク１０を作製することが可能となる。

【００５１】

【実施例】実施例１まず、スタンパを用いて、グルーブ幅が約０．１５μ
ｍ、トラックピッチが約０．３μｍ、グルーブの深さが
約２０ｎｍであるプリグルーブを有する厚さが約１．１
ｍｍの基板１１を射出成形した。

【００５２】次に、バルザス社製スパッタリング装置
（ビッグスプリンター）の第１のチャンバー内のステー
ジに、プリグルーブが形成されている面が露出するよう
に基板１１を載置するとともに、Ａｇ合金のターゲット
をセットし、同チャンバー内のアルゴンガス圧を約０．
５Ｐａに設定した。この状態において、ターゲットに
３．０ＫＷの電力を印加してグロー放電を発生させ、こ
れによって、基板１１のうちプリグルーブが形成されて
いる面に、約３０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で、銀を主成
分とする合金を成膜させた。かかる成膜は膜厚が約１０
０ｎｍになるまで行い、これによって、基板１１の表面
に、銀を主成分とする合金からなる反射層１２を形成し
た。

【００５３】次に、減圧状態を維持しつつ、同スパッタ
リング装置の第２のチャンバーに基板１１を移動させ、
同チャンバー内のステージに反射層１２が形成されてい
る面が露出するように基板１１を載置するとともに、Ａ
ｌ_２Ｏ_３のターゲットをセットし、同チャンバー内のア
ルゴンガス圧を約０．６Ｐａに設定した。この状態にお
いて、ターゲットに３．０ＫＷの電力を印加してグロー
放電を発生させ、これによって、反射層１２の表面に、
約１．２ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で、Ａｌ_２Ｏ _３を成膜
させた。かかる成膜は膜厚が約２０ｎｍになるまで行
い、これによって、反射層１２の表面に、Ａｌ_２Ｏ_３か
らなる第２の誘電体層１３を形成した。

【００５４】次に、減圧状態を維持しつつ、同スパッタ
リング装置の第３のチャンバーに基板１１を移動させ、
同チャンバー内のステージに第２の誘電体層１３が形成
されている面が露出するように基板１１を載置するとと
もに、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの混合ターゲッ
トをセットし、同チャンバー内のアルゴンガス圧を約
０．５Ｐａに設定した。この状態において、ターゲット
に０．３ＫＷの電力を印加してグロー放電を発生させ、
これによって、第２の誘電体層１３の表面に、約６ｎｍ
／ｓｅｃの成膜速度で、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ膜を成膜
させた。かかる成膜は膜厚が約１２ｎｍになるまで行
い、これによって、第２の誘電体層１３の表面に、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅＧｅからなる記録層１４を形成した。

【００５５】次に、減圧状態を維持しつつ、同スパッタ
リング装置の第４のチャンバーに基板１１を移動させ、
同チャンバー内のステージに記録層１４が形成されてい
る面が露出するように基板１１を載置するとともに、Ｚ
ｎＳ及びＳｉＯ_２の混合ターゲットをセットし、同チャ
ンバー内のアルゴンガス圧を約０．４Ｐａに設定した。
この状態において、ターゲットに４．５ＫＷの電力を印
加してグロー放電を発生させ、これによって、記録層１
４の表面に、約１０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で、ＺｎＳ
−ＳｉＯ_２を成膜させた。かかる成膜は膜厚が約１３０
ｎｍになるまで行い、これによって、記録層１４の表面
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体層１５を形
成した。

【００５６】次に、同スパッタリング装置から基板１１
を取り出し、スピンコート法により第１の誘電体層１５
の表面に厚さが約１００μｍとなるように紫外線硬化性
樹脂を塗布した。次いで、紫外線を照射して紫外線硬化
性樹脂を硬化させ、これにより、厚さが約１００μｍの
光透過層１６を形成した。

【００５７】このようにして作製した光ディスク１０に
ついてジッタを測定した。ジッタの測定においては、パ
ルステック工業社製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０
００：λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）と横河電機社
製ＴｉｍｅＩｎｔｅｒｖａｌＡｎａｌｙｚｅｒ（Ｔ
Ａ−５２０）を用い、記録／再生時の線速度を５．３ｍ
／ｓｅｃに設定し、ビット長を０．１２μｍ／ビットに
設定した。その結果、ジッタは６．８％であり、良好な
結果が得られた。

【００５８】実施例２記録層１４の成膜条件として、アルゴンガス圧を約０．
５Ｐａ、ターゲットへの印加電力を０．６ＫＷ、成膜速
度を約１１．２ｎｍ／ｓｅｃとし、その他の各層の成膜
条件を上記実施例１と同じ条件に設定して光ディスク１
０を作製した。

【００５９】このようにして作製した光ディスク１０に
ついて、実施例１と同じ条件でジッタを測定した。その
結果、ジッタは６．７％であり、実施例１よりもさらに
良好な結果が得られた。

【００６０】実施例３反射層１２の成膜条件として、アルゴンガス圧を約０．
５Ｐａ、ターゲットへの印加電力を１．５ＫＷ、成膜速
度を約１５ｎｍ／ｓｅｃとし、その他の各層の成膜条件
を上記実施例１と同じ条件に設定して光ディスク１０を
作製した。

【００６１】このようにして作製した光ディスク１０に
ついて、実施例１と同じ条件でジッタを測定した。その
結果、ジッタは６．８％であり、実施例１と同じ結果が
得られた。

【００６２】実施例４反射層１２の成膜条件として、アルゴンガス圧を約０．
５Ｐａ、ターゲットへの印加電力を４．５ＫＷ、成膜速
度を約４５ｎｍ／ｓｅｃとし、その他の各層の成膜条件
を上記実施例１と同じ条件に設定して光ディスク１０を
作製した。

【００６３】このようにして作製した光ディスク１０に
ついて、実施例１と同じ条件でジッタを測定した。その
結果、ジッタは６．８％であり、実施例１と同じ結果が
得られた。

【００６４】比較例１記録層１４の成膜条件として、アルゴンガス圧を約０．
５Ｐａ、ターゲットへの印加電力を０．１５ＫＷ、成膜
速度を約３ｎｍ／ｓｅｃとし、その他の各層の成膜条件
を上記実施例１と同じ条件に設定して光ディスク１０を
作製した。

【００６５】このようにして作製した光ディスク１０に
ついて、実施例１と同じ条件でジッタを測定した。その
結果、ジッタは７．２％であり、各実施例１〜４よりも
高い数値を示した。

【００６６】比較例２記録層１４の成膜条件として、アルゴンガス圧を約０．
２Ｐａ、ターゲットへの印加電力を０．１ＫＷ、成膜速
度を約０．２５ｎｍ／ｓｅｃとし、その他の各層の成膜
条件を上記実施例１と同じ条件に設定して光ディスク１
０を作製した。

【００６７】このようにして作製した光ディスク１０に
ついて、実施例１と同じ条件でジッタを測定した。その
結果、ジッタは７．８％であり、各実施例１〜４よりも
高い数値を示した。

【００６８】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。

【００６９】また、上記実施態様においては、反射層１
２の材料として銀を主成分とする合金を用いているが、
反射層１２の材料としてはこれに限定されず、レーザ光
に対する反射率が十分高ければ、アルミニウムを主成分
とする合金等、他の材料を用いて反射層１２を構成して
も構わない。但し、レーザ光に対する反射率、成膜時に
おける平坦性、並びに、熱伝導性を考慮すれば、銀を主
成分とする合金を用いることが最も好ましい。

【００７０】さらに、上記実施態様においては、基板１
１の表面に反射層１２を直接成膜しているが、これらの
間に誘電体層を介在させても構わない。かかる誘電体層
は、反射層１２に対する防湿層として機能するため、作
製される光ディスク１０の信頼性を高めることが可能と
なる。このような誘電体層の成膜には、スパッタリング
法を用いることができる。

【００７１】また、上記実施態様においては、記録層１
４をＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ膜によって構成しているが、
これ以外の材料（例えば、ＩｎＳｂＴｅＧｅ膜）によっ
て構成してもよく、また、これを多層構造としても構わ
ない。

【００７２】さらに、上記実施態様においては、第１の
誘電体層１５をＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜からなる一層構造と
しているが、これを多層構造としても構わない。この場
合、第１の誘電体層１５を、ＺｎＳとＳｉＯ_２の比率が
異なる複数のＺｎＳ−ＳｉＯ _２膜によって構成しても構
わないし、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜とこれ以外の誘電体膜か
らなる多層構造であっても構わない。また、第１の誘電
体層１５をＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜以外の誘電体膜からなる
一層構造または多層構造としても構わない。

【００７３】同様に、上記実施態様においては、第２の
誘電体層１３をＡｌ_２Ｏ_３膜からなる一層構造としてい
るが、これをＡｌ_２Ｏ_３膜とこれ以外の誘電体膜からな
る多層構造としても構わない。また、第２の誘電体層１
３をＡｌ_２Ｏ_３膜以外の誘電体膜からなる一層構造また
は多層構造としても構わない。

【００７４】また、本実施態様により成膜される基板１
１、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１４、第
１の誘電体層１５及び光透過層１６の上記膜厚は本発明
における一例であり、本発明がこれに限定されるもので
はない。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録膜１４の成膜速度を適切に設定していることから、
ジッタの低い光ディスク１０を製造することが可能とな
る。特に、本発明による効果は、グルーブ幅、トラック
ピッチ及びグルーブの深さが小さいほど顕著である。し
たがって、本発明は、ＮＡ＞０．８といった高ＮＡレン
ズ及び波長λ＜４５０ｎｍといった短い波長のレーザビ
ームを用いることによって、ビット長＜０．２μｍ／ｂ
ｉｔに設定されたシステムに用いられる光ディスクの製
造に特に好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる方法により
製造されるべき光ディスク１０の構造を概略的に示す部
分断面図である。

【図２】光ディスク１０の製造方法を示すフローチャー
トである。

【図３】記録層１４の成膜速度と作製された光ディスク
１０のジッタとの関係を示すグラフである。

【図４】反射層１２の成膜速度と作製された光ディスク
１０のジッタとの関係を示すグラフである。

【図５】一般的な光ディスクの一種であるＤＶＤ−ＲＷ
の構造を概略的に示す部分断面図である。

【符号の説明】

１光透過層２第１の誘電体層３記録層４第２の誘電体層５反射層６保護層７孔１０光ディスク１１基板１２反射層１３第２の誘電体層１４記録層１５第１の誘電体層１６光透過層１７孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井上弘康東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5D121 AA01 AA05 EE03 EE18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、反射層、記録層及び光透過層
をこの順に形成する光ディスクの製造方法であって、前
記記録層の成膜速度を５ｎｍ／ｓｅｃ以上に設定したこ
とを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項２】前記記録層の成膜速度を５０ｎｍ／ｓｅ
ｃ以下に設定したことを特徴とする請求項１に記載の光
ディスクの製造方法。
【請求項３】前記反射層の成膜速度を１５ｎｍ／ｓｅ
ｃ以上に設定したことを特徴とする請求項１または２に
記載の光ディスクの製造方法。
【請求項４】スパッタリング法によって前記反射層と
前記記録層との間に第２の誘電体層を形成し、スパッタ
リング法によって前記記録層と前記光透過層との間に第
１の誘電体層を形成することを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の光ディスクの製造方法。
【請求項５】前記反射層の形成から前記第１の誘電体
層の形成までの各スパッタリング工程を、減圧状態を維
持しながら連続的に実行することを特徴とする請求項４
に記載の光ディスクの製造方法。