JP2003085708A - パターン化薄膜形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微小な幅のパターン化薄膜を精度よく形成す
る。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドのトラック幅規定層は次
のように形成される。まず、記録ギャップ層９の上に、
下地膜３０、第１の膜、剥離膜、第２の膜が順に形成さ
れる。次に、形成すべきフレームに対応する位置に開口
部が形成されるように、第２の膜がパターニングされ
る。次に、パターニング後の第２の膜および剥離膜を覆
うように第３の膜が形成され、リフトオフ法によって第
３の膜がパターニングされる。次に、パターニング後の
第３の膜３３Ｐをマスクとして、剥離層および第１の膜
が選択的にエッチングされ、エッチング後の第１の膜に
よってフレーム３４が形成される。次に、フレーム３４
を用い、フレームめっき法により、トラック幅規定層と
なるめっき層３５Ａが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フレームを用いて
パターン化薄膜を形成するパターン化薄膜形成方法およ
びフレームを用いてトラック幅規定層を形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）素子と
も記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合
型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】記録ヘッドは、それぞれエアベアリング面
側において互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層お
よび上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層
の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少な
くとも一部が下部磁極層および上部磁極層に対して絶縁
された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。

【０００４】ところで、高記録密度化のために記録ヘッ
ドに要求されることの一つに、記録トラック幅を規定す
る磁極幅の縮小がある。記録トラック幅を規定する磁極
を形成する方法としては、例えば、特開平７−２６２５
１９号公報に示されるように、フレームめっき法が用い
られる。

【０００５】ここで、図２２ないし図２７を参照して、
フレームめっき法を用いて、記録トラック幅を規定する
トラック幅規定層を形成する方法の一例について説明す
る。図２２ないし図２７は、磁極部分のエアベアリング
面に平行な断面を示している。トラック幅規定層は、上
部磁極層の全体であってもよいし、上部磁極層の磁極部
分を含み、上部磁極層の一部を構成する層であってもよ
い。

【０００６】この方法では、まず、図２２に示したよう
に、記録ギャップ層１０９の上に、例えばスパッタリン
グ法によって、めっき用の電極となる下地膜１３０を形
成する。なお、図２２において、記録ギャップ層１０９
の下に存在しているものは下部磁極層１０８である。次
に、下地膜１３０の上にフォトレジスト層を形成し、こ
のフォトレジスト層をフォトリソグラフィ工程によりパ
ターニングして、めっき用のフレーム（外枠）１３１を
形成する。このフレーム１３１は、トラック幅規定層を
形成すべき位置に開口部を有する。

【０００７】次に、図２３に示したように、フレーム１
３１を用い、先に形成した下地膜１３０を電極として電
解めっきを行って、下地膜１３０の上に、トラック幅規
定層となるめっき層１３２Ａと、後に除去されるめっき
層１３２Ｂとを形成する。次に、図２４に示したよう
に、フレーム１３１を除去する。

【０００８】次に、図２５に示したように、めっき層１
３２Ａと、下地膜１３０のうち、めっき層１３２Ａの下
に存在する部分１３０Ａとが残るように、不要なめっき
層１３２Ｂと、下地膜１３０のうちの部分１３０Ａ以外
の部分をエッチングによって除去する。めっき層１３２
Ａはトラック幅規定層１３３となる。

【０００９】次に、図２６に示したように、トラック幅
規定層１３３の磁極部分をマスクとして記録ギャップ層
１０９をエッチングして、記録ギャップ層１０９のうち
のトラック幅規定層１３３の磁極部分の周辺の部分を除
去する。

【００１０】次に、図２７に示したように、ドライエッ
チングによって、トラック幅規定層１３３の磁極部分の
周辺において、下部磁極層１０８の記録ギャップ層１０
９側の少なくとも一部を除去する。図２７に示したよう
に、トラック幅規定層１３３の磁極部分、記録ギャップ
層１０９および下部磁極層１０８の磁極部分の少なくと
も一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造
は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１１】フレームめっき法によって幅の小さな磁極
を形成するためには、幅の小さな開口部を有するフレー
ムを形成する必要がある。しかしながら、ＫｒＦエキシ
マレーザステッパを用いてフォトレジスト層をパターニ
ングしてフレームを形成したとしても、このフレームを
用いることによって得られる磁極の幅は０．３５μｍよ
りも大きくなってしまう。

【００１２】特開２０００−１０５９０６号公報には、
フォトリソグラフィによるパターニング工程を含む工程
によって形成された磁極部の両側面に対してドライエッ
チングを施して、磁極部の幅を小さくする技術が開示さ
れている。以下、この技術を、磁極幅狭小化技術と呼
ぶ。

【００１３】また、特開平８−６９９５９号公報には、
微細なパターン化レジスト層を形成する技術として、ド
ライ現像方法が開示されている。このドライ現像方法
は、下層レジスト層の上に上層レジスト層を形成し、上
層レジスト層を露光してパターニングし、このパターニ
ングされた上層レジスト層をマスクにして、下層レジス
ト層を、プラズマエッチング等でパターニングするとい
う方法である。このドライ現像方法によって形成された
パターン化レジスト層をフレームとして用い、フレーム
めっき法によって幅の小さな磁極を形成することも考え
られる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開２
０００−１０５９０６号公報に示されたような磁極幅狭
小化技術を用いても、幅の小さな磁極を精度よく形成す
るには、以下のような２つの問題点があった。第１の問
題点は、特開２０００−１０５９０６号公報に示される
ように、トラック幅規定層のうちの磁極部分と他の部分
との境界の近傍部分が、斜面上に配置される磁気ヘッド
では、この部分の形状を正確に制御することが難しいこ
とである。これは、以下のような理由による。すなわ
ち、トラック幅規定層を形成する際には、トラック幅規
定層の下地の上にめっき用の下地膜とフォトレジスト層
とが順に形成され、その後、フォトレジスト層の露光が
行われる。その際、斜面上に形成された下地膜によって
露光用の光が反射され、この反射光によってもフォトレ
ジスト層が感光する。その結果、正確な形状のパターン
化レジスト層が得られなくなる。

【００１５】第２の問題点は、以下の通りである。すな
わち、磁極幅狭小化技術を用いる場合であっても、磁極
部の両側面に対してドライエッチングを施す前の磁極部
の幅としては、０．３５μｍ以下のような小さな幅は得
ることはできない。そのため、磁極幅狭小化技術を用い
て、磁極幅を０．３５μｍ以下のような小さな値にする
ためには、磁極部の両側面のエッチング量を多くする必
要がある。しかし、磁極部の両側面のエッチング量を多
くすると、磁極幅のばらつきが大きくなると共に、エッ
チングによって除去された物質が磁極部の両側面に付着
することによって磁気ヘッドの特性の劣化する等の不具
合が生じる。

【００１６】一方、特開平８−６９９５９号公報に示さ
れたようなドライ現像方法によって形成されたフレーム
を用いて、幅の小さな磁極を精度よく形成する場合に
は、以下のような２つの問題点があった。第１の問題点
は、下層レジスト層と上層レジスト層とが混ざることで
ある。フレームとして用いられるのは下層レジスト層だ
けであるので、めっきを行う際には上層レジスト層を下
層レジスト層から分離するのが好ましい。しかし、上述
のように、下層レジスト層と上層レジスト層とが混ざる
と、上層レジスト層を下層レジスト層から分離しにくく
なる。

【００１７】第２の問題点は、パターニングされた上層
レジスト層よりなるマスクが厚くなると共に、下層レジ
スト層のエッチング時にマスクの形状が劣化しやすいた
め、下層レジスト層を正確な寸法にパターニングするこ
とが困難なことである。

【００１８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、微小な幅のパターン化薄膜を精度よ
く形成することができるようにしたパターン化薄膜形成
方法、および微小な幅の磁極を精度よく形成することが
できるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のパターン化薄膜
形成方法は、フレームを用いてパターン化薄膜を形成す
る方法であって、下地の上に第１の膜を形成する工程
と、第１の膜の上に、直接または他の膜を介して、第２
の膜を選択的に形成する工程と、第２の膜を覆うよう
に、第３の膜を形成する工程と、第２の膜、および第３
の膜のうちの第２の膜の上に存在する部分を除去するこ
とによって、第３の膜をパターニングする工程と、パタ
ーニング後の第３の膜をマスクとして、第１の膜を選択
的にエッチングして、エッチング後の第１の膜によっ
て、開口部を有するフレームを形成する工程と、フレー
ムの開口部内にパターン化薄膜を形成する工程とを備え
たものである。

【００２０】本発明のパターン化薄膜形成方法では、パ
ターン化薄膜は以下のようにして形成される。すなわ
ち、まず、下地の上に第１の膜が形成され、この第１の
膜の上に選択的に第２の膜が形成される。次に、第２の
膜を覆うように、第３の膜が形成される。次に、第２の
膜、および第３の膜のうちの第２の膜の上に存在する部
分を除去することによって、第３の膜がパターニングさ
れる。次に、パターニング後の第３の膜をマスクとし
て、第１の膜が選択的にエッチングされ、エッチング後
の第１の膜によって、開口部を有するフレームが形成さ
れる。次に、フレームの開口部内にパターン化薄膜が形
成される。

【００２１】本発明のパターン化薄膜形成方法は、更
に、第１の膜を形成する工程と第２の膜を形成する工程
との間において、第１の膜の上に、剥離膜を形成する工
程を備え、第２の膜は剥離膜の上に形成されることが好
ましい。このような工程を備えることにより、第１の膜
と第２の膜のミキシングが起こらず、第２の膜を第１の
膜から確実に剥離できる。

【００２２】また、本発明のパターン化薄膜形成方法
は、更に、第２の膜をパターニングする工程と第３の膜
を形成する工程との間において、パターニング後の第２
の膜の幅を狭小化する工程を備えていることが好まし
い。このような工程を備えることにより、第１の膜（フ
レーム）の開口部を狭小化することができ、より微細な
パターン化薄膜を得ることができる。また、これによ
り、例えば、得られたパターン化薄膜を更に微細なもの
とすべく、得られたパターン化薄膜に対してイオンミリ
ング等によりトリム処理を行う場合でも、トリム量を少
なくできるので、再付着が少なく、ばらつきの少ない微
細なパターン化薄膜の加工を行うことができる。

【００２３】また、本発明のパターン化薄膜形成方法に
おいて、第２の膜をパターニングする工程は、フォトリ
ソグラフィを用いてもよい。

【００２４】また、本発明のパターン化薄膜形成方法に
おいて、フレームを形成する工程は、反応性イオンエッ
チングを用いて第１の膜をエッチングしてもよい。

【００２５】また、本発明のパターン化薄膜形成方法に
おいて、第１の膜のエッチング時における第３の膜のエ
ッチングレートは、第１の膜のエッチングレートよりも
小さいことが好ましい。このような膜の組み合わせを用
いることにより、第３の膜として薄いものを用いること
ができる。

【００２６】また、本発明のパターン化薄膜形成方法に
おいて、パターン化薄膜を形成する工程は、めっき法を
用いてもよい。

【００２７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを備え、第１の磁性層と第２の磁性層の少なくとも
一方は、記録トラック幅を規定する磁極部分を含むトラ
ック幅規定層を有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
ある。

【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッド製造方法は、第１
の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャッ
プ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層
を形成する工程と、薄膜コイルを形成する工程とを備
え、第１の磁性層を形成する工程と第２の磁性層を形成
する工程の少なくとも一方は、フレームを用いてトラッ
ク幅規定層を形成する工程を含み、トラック幅規定層を
形成する工程は、トラック幅規定層の下地の上に第１の
膜を形成する工程と、第１の膜の上に、直接または他の
膜を介して、第２の膜を選択的に形成する工程と、第２
の膜を覆うように、第３の膜を形成する工程と、第２の
膜、および第３の膜のうちの第２の膜の上に存在する部
分を除去することによって、第３の膜をパターニングす
る工程と、パターニング後の第３の膜をマスクとして、
第１の膜を選択的にエッチングして、エッチング後の第
１の膜によって、開口部を有するフレームを形成する工
程と、フレームの開口部内にトラック幅規定層を形成す
る工程とを含むものである。

【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッド製造方法では、ト
ラック幅規定層は以下のようにして形成される。すなわ
ち、まず、下地の上に第１の膜が形成され、この第１の
膜の上に選択的に第２の膜が形成される。次に、第２の
膜を覆うように、第３の膜が形成される。次に、第２の
膜、および第３の膜のうちの第２の膜の上に存在する部
分を除去することによって、第３の膜がパターニングさ
れる。次に、パターニング後の第３の膜をマスクとし
て、第１の膜が選択的にエッチングされ、エッチング後
の第１の膜によって、開口部を有するフレームが形成さ
れる。次に、フレームの開口部内にトラック幅規定層が
形成される。

【００３０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、トラック幅規定層を形成する工程は、更に、第１の
膜を形成する工程と第２の膜を形成する工程との間にお
いて、第１の膜の上に、剥離膜を形成する工程を含み、
第２の膜は剥離膜の上に形成されてもよい。

【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程は、更に、
第２の膜を選択的に形成する工程と第３の膜を形成する
工程との間において、第２の膜の幅を狭小化する工程を
含んでいてもよい。

【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の膜をパターニングする工程は、フォト
リソグラフィを用いてもよい。

【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、フレームを形成する工程は、反応性イオンエ
ッチングを用いて第１の膜をエッチングしてもよい。

【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第１の膜のエッチング時における第３の膜の
エッチングレートは、第１の膜のエッチングレートより
も小さくてもよい。

【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程は、めっき
法を用いてもよい。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、図１ないし図
６を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の概略について説明する。なお、図１な
いし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平
行な断面を示している。

【００３７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、アルティック
（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板
１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜
５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２の上に、スパ
ッタリング法またはめっき法等によって、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部
シールド層３を、例えば約３μｍの厚みに形成する。

【００３８】次に、下部シールド層３の上に、スパッタ
リング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる下
部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎｍの
厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上
に、スパッタリング法等によって、再生用のＭＲ素子５
を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗
効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子
を用いることができる。

【００３９】次に、下部シールドギャップ膜４の上に、
スパッタリング法等によって、ＭＲ素子５に電気的に接
続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５
の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶
縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１
０〜２００ｎｍの厚みに形成する。

【００４０】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。

【００４１】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば３〜４μｍの厚みに形成す
る。なお、下部磁極層８に用いる磁性材料は、ＮｉＦ
ｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料で
ある。下部磁極層８は、スパッタリング法またはめっき
法等によって形成される。

【００４２】なお、下部磁極層８の代わりに、上部シー
ルド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング法
等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりなる
分離層と、この分離層の上に形成された下部磁性層とを
設けてもよい。

【００４３】次に、図２に示したように、下部磁極層８
の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶
縁材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば５０〜３０
０ｎｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、後
述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギャップ層
９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形
成する。

【００４４】次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例え
ば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図２（ａ）にお
いて、符号１０ａは、第１層部分１０のうち、後述する
薄膜コイルの第２層部分１５に接続される接続部を表し
ている。第１層部分１０は、コンタクトホール９ａの周
囲に巻回される。

【００４５】次に、図３に示したように、薄膜コイルの
第１層部分１０およびその周辺の記録ギャップ層９を覆
うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有す
る有機絶縁材料よりなる絶縁層１１を所定のパターンに
形成する。次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために
所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１
１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面
形状となる。

【００４６】次に、絶縁層１１のうちの後述するエアベ
アリング面２０側（図３（ａ）における左側）の斜面部
分からエアベアリング面２０にかけての領域において、
記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録ヘッド
用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規
定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラッ
ク幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよび
ヨーク部分層１２ｃとで構成される。トラック幅規定層
１２ａは、後で詳しく説明するように、めっき法によっ
て形成される。

【００４７】トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ
層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる
先端部１２ａ₁と、絶縁層１１のエアベアリング面２０
側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層１２ｃに接
続される接続部１２ａ₂とを有している。先端部１２ａ₁
の幅は記録トラック幅と等しくなっている。すなわち、
先端部１２ａ₁は記録トラック幅を規定している。接続
部１２ａ₂の幅は、先端部１２ａ₁の幅よりも大きくなっ
ている。

【００４８】トラック幅規定層１２ａを形成する際に
は、同時に、コンタクトホール９ａの上に磁性材料より
なる連結部分層１２ｂを形成すると共に、接続部１０ａ
の上に磁性材料よりなる接続層１３を形成する。連結部
分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、下部磁極層８に
磁気的に連結される部分を構成する。

【００４９】次に、トラック幅規定層１２ａの周辺にお
いて、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギ
ャップ層９および下部磁極層８の磁極部分における記録
ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。記
録ギャップ層９のエッチングには例えば反応性イオンエ
ッチングが用いられ、下部磁極層８のエッチングには例
えばイオンミリングが用いられる。図３（ｂ）に示した
ように、上部磁極層１２の磁極部分（トラック幅規定層
１２ａの先端部１２ａ₁）、記録ギャップ層９および下
部磁極層８の磁極部分の少なくとも一部の各側壁が垂直
に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造
と呼ばれる。

【００５０】次に、図４に示したように、全体に、アル
ミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層１４を、例えば３
〜４μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１４を、
例えば化学機械研磨によって、トラック幅規定層１２
ａ、連結部分層１２ｂおよび接続層１３の表面に至るま
で研磨して平坦化する。

【００５１】次に、図５に示したように、平坦化された
絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイ
ルの第２層部分１５を、例えば２〜３μｍの厚みに形成
する。なお、図５（ａ）において、符号１５ａは、第２
層部分１５のうち、接続層１３を介して薄膜コイルの第
１層部分１０の接続部１０ａに接続される接続部を表し
ている。第２層部分１５は、連結部分層１２ｂの周囲に
巻回される。

【００５２】次に、薄膜コイルの第２層部分１５および
その周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等
の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁
層１６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１６
の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。こ
の熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁
部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。

【００５３】次に、図６に示したように、トラック幅規
定層１２ａ、絶縁層１４，１６および連結部分層１２ｂ
の上に、パーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によっ
て、上部磁極層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分
層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃのエアベアリ
ング面２０側の端部は、エアベアリング面２０から離れ
た位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃ
は、連結部分層１２ｂを介して下部磁極層８に接続され
ている。

【００５４】次に、全体を覆うように、例えばアルミナ
よりなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、上
記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッド
および再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリン
グ面２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００５５】このようにして製造される本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面
（エアベアリング面２０）と再生ヘッドと記録ヘッド
（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッド
は、ＭＲ素子５と、エアベアリング面２０側の一部がＭ
Ｒ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子
５をシールドするための下部シールド層３および上部シ
ールド層（下部磁極層８）とを有している。

【００５６】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面２０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層８および上部磁極層１２と、この下部磁極層８の磁極
部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記
録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層８およ
び上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状
態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、図６（ａ）に
示したように、エアベアリング面２０から、絶縁層１１
のエアベアリング面２０側の端部までの長さが、スロー
トハイトＴＨとなる。なお、スロートハイトとは、２つ
の磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エ
アベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ
（高さ）をいう。

【００５７】本実施の形態において、下部磁極層８は本
発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１２は
本発明における第２の磁性層に対応する。また、トラッ
ク幅規定層１２ａは本発明におけるパターン化薄膜に対
応する。

【００５８】次に、図７ないし図１７を参照して、本実
施の形態における上部磁極層１２のトラック幅規定層１
２ａの形成方法、すなわち本実施の形態に係るパターン
化薄膜形成方法について詳しく説明する。図７ないし図
１７は、磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。

【００５９】この方法では、まず、図７に示したよう
に、記録ギャップ層９の上に、例えばスパッタリング法
によって、めっき用の電極となる下地膜３０を形成す
る。次に、下地膜３０の上に、第１の膜３１と剥離膜４
０と第２の膜３２を、この順に形成する。第１の膜３１
は、めっき用のフレームとなるようにパターニングされ
る膜である。剥離膜４０は、第２の膜３２の第１の膜３
１からの分離を容易にするための膜である。第２の膜３
２が第１の膜３１の上に直接形成されても、第２の膜３
２を第１の膜３１から容易に分離できる場合には、剥離
膜４０を設けずに、第１の膜３１の上に直接、第２の膜
３２を形成してもよい。第２の膜３２は、形成すべきフ
レームに対応する位置に開口部が形成されるようにパタ
ーニングされる膜である。

【００６０】第１の膜３１の材料としては、例えば、フ
ォトレジスト、ポリイミド等の有機材料が用いられる。
第１の膜３１の厚みは、１〜１０μｍが好ましい。剥離
膜４０の材料としては、例えば、金を主成分とする金
属、またはＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ等の酸化物
が用いられる。剥離膜４０の厚みは、２〜３０ｎｍが好
ましい。第２の膜３２の材料としては、フォトレジスト
が用いられる。第２の膜３２の厚みは、０．１〜１μｍ
が好ましい。

【００６１】次に、図８に示したように、フォトリソグ
ラフィを用いて、形成すべきフレームに対応する位置に
開口部が形成されるように、第２の膜３２をパターニン
グする。パターニング後の第２の膜３２を符号３２Ｐで
表す。

【００６２】次に、図９に示したように、パターニング
後の第２の膜３２Ｐの幅を狭小化する。この狭小化は、
例えば、膜３２Ｐをアッシングすることで行われる。膜
３２Ｐのアッシングは、例えば、Ｏ_２＋ＣＦ_４のプラズ
マを利用して行われる。

【００６３】次に、図１０に示したように、パターニン
グ後の第２の膜３２Ｐおよび剥離膜４０を覆うように、
第３の膜３３を形成する。第３の膜３３の材料として
は、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、またはＡｌ_２Ｏ_３、Ｓ
ｉＯｘ、ＴｉＯｘ等の酸化物が用いられる。第３の膜３
３の厚みは、２〜３０ｎｍが好ましい。また、後述する
第１の膜３１のエッチング時における第３の膜３３のエ
ッチングレートは、第１の膜３１のエッチングレートよ
りも十分小さい。

【００６４】次に、図１１に示したように、パターニン
グ後の第２の膜３２Ｐ、および第３の膜３３のうちのパ
ターニング後の第２の膜３２Ｐの上に存在する部分を除
去することによって、第３の膜３３をパターニングす
る。パターニング後の第３の膜３３を符号３３Ｐで表
す。このようにして、リフトオフ法によって、パターニ
ング後の第３の膜３３Ｐが形成される。

【００６５】次に、図１２に示したように、パターニン
グ後の第３の膜３３Ｐをマスクとして、例えば反応性イ
オンエッチングを用いて、剥離層４０および第１の膜３
１を選択的にエッチングする。反応性イオンエッチング
では、反応性ガスとして、例えばＡｒ＋Ｏ_２またはこれ
にＣＦ_４を混合したガスを用いる。第１の膜３１のエッ
チングでは、下地膜３０がストッパーとなるため、エッ
チングの終点を制御することができる。エッチング後の
剥離層４０を符号４０Ｐで表す。エッチング後の第１の
膜３１によって、形成すべきトラック幅規定層１２ａに
対応する位置に開口部３４Ａを有するフレーム３４が形
成される。

【００６６】次に、図１３に示したように、フレーム３
４を用い、先に形成した下地膜３０を電極として電解め
っきを行って、下地膜３０の上に、トラック幅規定層１
２ａとなるめっき層３５Ａと、後に除去されるめっき層
３５Ｂとを形成する。めっき層３５Ａはフレーム３４の
開口部３４Ａ内に形成されためっき層であり、めっき層
３５Ｂは他の部分に形成されためっき層である。次に、
図１４に示したように、フレーム３４を除去する。

【００６７】次に、図１５に示したように、めっき層３
５Ａと、下地膜３０のうち、めっき層３５Ａの下に存在
する部分３０Ａとが残るように、不要なめっき層３５Ｂ
と、下地膜３０のうちの部分３０Ａ以外の部分をエッチ
ングによって除去する。めっき層３５Ａはトラック幅規
定層１２ａとなる。

【００６８】次に、図１６に示したように、トラック幅
規定層１２ａの磁極部分をマスクとして記録ギャップ層
９をエッチングして、記録ギャップ層９のうちのトラッ
ク幅規定層１２ａの磁極部分の周辺の部分を除去する。

【００６９】次に、図１７に示したように、ドライエッ
チングによって、トラック幅規定層１２ａの磁極部分の
周辺において、下部磁極層８の記録ギャップ層９側の少
なくとも一部を除去して、トリム構造を形成する。

【００７０】以上説明したように、本実施の形態では、
第１の膜３１の上に剥離層４０を介して第２の膜３２を
形成し、形成すべきフレームに対応する位置に開口部が
形成されるように、第２の膜３２をパターニングする。
そして、パターニング後の第２の膜３２Ｐおよび剥離膜
４０を覆うように第３の膜３３を形成し、リフトオフ法
によって第３の膜３３をパターニングする。パターニン
グ後の第３の膜３３Ｐは、第１の膜３１をエッチングに
よってパターニングするためのマスクとなる。

【００７１】従来のドライ現像方法によってフレームを
形成し、このフレームを用いてトラック幅規定層１２ａ
を形成する場合には、トラック幅規定層１２ａの磁極部
分の幅は、上層レジスト層の開口部の幅で決定される。
これに対し、本実施の形態では、トラック幅規定層１２
ａの磁極部分の幅は、パターニング後の第２の膜３２Ｐ
の幅で決定される。上層レジスト層の開口部の幅を小さ
くすることはフォトリソグラフィ技術の限界から難しい
が、パターニング後の第２の膜３２Ｐの幅を小さくする
ことは、比較的容易である。実際、本実施の形態では、
アッシングによって、パターニング後の第２の膜３２Ｐ
の幅を小さくしている。

【００７２】また、本実施の形態では、第１の膜３１を
エッチングによってパターニングするためのマスクは、
第３の膜３３Ｐによって形成される。この第３の層３３
Ｐは、従来のドライ現像方法における上層レジスト層に
よるマスクに比べて十分に薄くできる。また、第３の膜
３３Ｐは、例えば金属または酸化物で形成される。そし
て、第１の膜３１のエッチング時における第３の膜３３
のエッチングレートは、第１の膜３１のエッチングレー
トよりも十分小さい。そのため、エッチング時における
マスクの形状の劣化は少ない。これらのことから、本実
施の形態によれば、フレームとなる第１の膜３１を精度
よくパターニングすることが可能になる。また、本実施
の形態によれば、第１の膜３１のエッチング時における
第３の膜３３のエッチングレートは、第１の膜３１のエ
ッチングレートよりも十分小さいことから、第３の膜３
３として薄いものを用いることができる。

【００７３】以上のことから、本実施の形態によれば、
微小な幅のトラック幅規定層１２ａすなわち上部磁極層
１２の磁極部分を、精度よく形成することが可能にな
る。

【００７４】また、本実施の形態では、第１の膜３１と
第２の膜３２との間に剥離膜４０を形成するようにして
いる。これにより、第１の膜３１と第２の膜３２のミキ
シングが起こらず、第２の膜３２を第１の膜３１から確
実に剥離できる。従って、第３の膜３３の形成後に、第
２の膜３２Ｐのリフトオフを容易に行うことが可能にな
る。

【００７５】また、本実施の形態によれば、パターニン
グ後の第２の膜３２Ｐの幅を狭小化するようにしたの
で、第２の膜３２Ｐの幅を、例えば０．１μｍのような
微小な幅にすることが可能になる。従って、本実施の形
態によれば、フレーム３４の開口部３４Ａを狭小化する
ことができ、その結果、より微小な幅の磁極を形成する
ことが可能になる。また、本実施の形態によれば、例え
ば、得られた磁極を更に微細なものとすべく、得られた
磁極に対してイオンミリング等によりトリム処理を行う
場合でも、トリム量を少なくできるので、再付着が少な
く、ばらつきの少ない微細な磁極の加工を行うことがで
きる。

【００７６】以下、本実施の形態における薄膜磁気ヘッ
ドが適用されるヘッドジンバルアセンブリおよびハード
ディスク装置について説明する。まず、図１８を参照し
て、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１
０について説明する。ハードディスク装置において、ス
ライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であ
るハードディスクに対向するように配置される。このス
ライダ２１０は、主に図６における基板１およびオーバ
ーコート層１７からなる基体２１１を備えている。基体
２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の
六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するように
なっている。この一面には、表面がエアベアリング面と
なるレール部２１２が形成されている。レール部２１２
の空気流入側の端部（図１８における右上の端部）の近
傍にはテーパ部またはステップ部が形成されている。ハ
ードディスクが図１８におけるｚ方向に回転すると、テ
ーパ部またはステップ部より流入し、ハードディスクと
スライダ２１０との間を通過する空気流によって、スラ
イダ２１０に、図１８におけるｙ方向の下方に揚力が生
じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディ
スクの表面から浮上するようになっている。なお、図１
８におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方
向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図１８
における左下の端部）の近傍には、本実施の形態におけ
る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。

【００７７】次に、図１９を参照して、本実施の形態に
おけるヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明す
る。ヘッド・ジンバル・アセンブリ２２０は、スライダ
２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサス
ペンション２２１とを備えている。サスペンション２２
１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状
のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端
部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スラ
イダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３
と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプ
レート２２４とを有している。ベースプレート２２４
は、スライダ２１０をハードディスク３００のトラック
横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム
２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエ
ータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動する
ボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３
において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、
スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が
設けられている。

【００７８】ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アク
チュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのア
ーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付
けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、
複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジ
ンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタ
ックアセンブリと呼ばれる。

【００７９】図１９は、ヘッドアームアセンブリの一例
を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アー
ム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が
取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイ
スコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けら
れている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を
回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸
受け部２３３が設けられている。

【００８０】次に、図２０および図２１を参照して、ヘ
ッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態における
ハードディスク装置について説明する。図２０はハード
ディスク装置の要部を示す説明図、図２１はハードディ
スク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２
５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１
を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッド
ジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直
方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５
１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイル
モータの一部となるコイル２５３が取り付けられてい
る。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディス
ク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピン
ドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディ
スク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎
に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つ
のスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモ
ータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５
３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を
有している。

【００８１】スライダ２１０を除くヘッドスタックアセ
ンブリ２５０およびアクチュエータは、スライダ２１０
を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決
めする。

【００８２】本実施の形態におけるハードディスク装置
では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハー
ドディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、ス
ライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決め
する。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記
録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録
し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録
されている情報を再生する。

【００８３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態で
は、上部磁極層１２のみがトラック幅規定層１２ａを有
しているが、下部磁極層８のみがトラック幅規定層を有
していてもよいし、下部磁極層８と上部磁極層１２の双
方がトラック幅規定層を有していてもよい。

【００８４】また、実施の形態では、上部磁極層１２
が、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂおよび
ヨーク部分層１２ｃで構成されているが、本発明は、上
部磁極層１２が１つの層で構成される場合にも適用する
ことができる。この場合には、上部磁極層１２を構成す
る１つの層が、本発明におけるトラック幅規定層とな
る。

【００８５】また、上記実施の形態では、基体側に読み
取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘
導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

【００８６】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。

【００８７】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。また、本発明は、ハードディスク装
置に用いられる薄膜磁気ヘッドに限らず、フロッピィデ
ィスク装置等の他の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気
ヘッドにも適用することができる。

【００８８】また、本発明のパターン化薄膜形成方法
は、薄膜磁気ヘッドにおけるトラック幅規定層以外の層
の形成にも適用することができる。また、本発明のパタ
ーン化薄膜形成方法は、薄膜磁気ヘッド以外のマイクロ
デバイスにおけるパターン化薄膜の形成にも適用するこ
とができる。なお、マイクロデバイスとは、薄膜形成技
術を利用して製造される小型のデバイスを言う。マイク
ロデバイスの例としては、半導体デバイスや、薄膜磁気
ヘッドや、薄膜を用いたセンサやアクチュエータ等があ
る。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし７
のいずれかに記載のパターン化薄膜形成方法では、パタ
ーン化薄膜の幅は、第２の膜の幅で決定される。第２の
膜の幅を小さくすることは比較的容易である。また、本
発明では、リフトオフ法によってパターニングされた第
３の膜よりなるマスクを用いて、第１の膜をエッチング
するので、フレームとなる第１の膜を精度よくパターニ
ングすることが可能である。以上のことから、本発明に
よれば、微小な幅のパターン化薄膜を精度よく形成する
ことが可能になるという効果を奏する。

【００９０】また、請求項２記載のパターン化薄膜形成
方法によれば、第１の膜と第２の膜との間に剥離膜を形
成するようにしたので、第３の膜の形成後に第２の膜の
リフトオフを容易に行うことが可能になるという効果を
奏する。

【００９１】また、請求項３記載のパターン化薄膜形成
方法によれば、第２の膜の幅を狭小化するようにしたの
で、第２の膜の幅をより微小な幅にすることが可能にな
る。従って、本発明によれば、より微小な幅のパターン
化薄膜を形成することが可能になるという効果を奏す
る。

【００９２】また、請求項８ないし１４のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、トラック幅規定層
の幅は、第２の膜の幅で決定される。第２の膜の幅を小
さくすることは比較的容易である。また、本発明では、
リフトオフ法によってパターニングされた第３の膜より
なるマスクを用いて、第１の膜をエッチングするので、
フレームとなる第１の膜を精度よくパターニングするこ
とが可能である。以上のことから、本発明によれば、微
小な幅のトラック幅規定層を精度よく形成することが可
能になるという効果を奏する。

【００９３】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の膜と第２の膜との間に剥離膜を
形成するようにしたので、第３の膜の形成後に第２の膜
のリフトオフを容易に行うことが可能になるという効果
を奏する。

【００９４】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の膜の幅を狭小化するようにし
たので、第２の膜の幅をより微小な幅にすることが可能
になる。従って、本発明によれば、より微小な幅のトラ
ック幅規定層を形成することが可能になるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法の概略を説明するための断面図である。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】本発明の一実施の形態におけるトラック幅規定
層の形成方法の一工程中の積層体の断面図である。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバ
ルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。

【図１９】本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバ
ルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視
図である。

【図２０】本発明の一実施の形態におけるハードディス
ク装置の要部を示す説明図である。

【図２１】本発明の一実施の形態におけるハードディス
ク装置の平面図である。

【図２２】フレームめっき法を用いてトラック幅規定層
を形成する方法の一例における一工程中の積層体の断面
図である。

【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１０…薄
膜コイルの第１層部分、１２…上部磁極層、１２ａ…ト
ラック幅規定層、１２ｂ…連結部分層、１２ｃ…ヨーク
部分層、１５…薄膜コイルの第２層部分、３０…下地
膜、３１…第１の膜、３２…第２の膜、３３…第３の
膜、３４…フレーム、３５Ａ，３５Ｂ…めっき層、４０
…剥離膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｇ１１Ｂ 5/39 // Ｇ１１Ｂ 5/39 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆターム(参考） 2H097 GB00 LA20 4K024 AB01 AB08 AB15 BA15 BB14 BC10 FA23 GA16 5D033 BA13 BB03 CA00 DA02 DA07 DA31 5D034 AA02 BA02 BA18 BB01 CA00 DA07 5F004 AA16 BA09 DB08 DB14 DB25 DB26 DB29 EB01 EB02 EB03

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フレームを用いてパターン化薄膜を形成
   する方法であって、 下地の上に第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜の上に、直接または他の膜を介して、第２
   の膜を選択的に形成する工程と、 前記第２の膜を覆うように、第３の膜を形成する工程
   と、 前記第２の膜、および前記第３の膜のうちの前記第２の
   膜の上に存在する部分を除去することによって、前記第
   ３の膜をパターニングする工程と、 パターニング後の第３の膜をマスクとして、前記第１の
   膜を選択的にエッチングして、エッチング後の第１の膜
   によって、開口部を有するフレームを形成する工程と、 前記フレームの前記開口部内にパターン化薄膜を形成す
   る工程とを備えたことを特徴とするパターン化薄膜形成
   方法。
2. 【請求項２】 更に、前記第１の膜を形成する工程と前
   記第２の膜を形成する工程との間において、前記第１の
   膜の上に、剥離膜を形成する工程を備え、 前記第２の膜は前記剥離膜の上に形成されることを特徴
   とする請求項１記載のパターン化薄膜形成方法。
3. 【請求項３】 更に、前記第２の膜を選択的に形成する
   工程と前記第３の膜を形成する工程との間において、前
   記第２の膜の幅を狭小化する工程を備えたことを特徴と
   する請求項１または２記載のパターン化薄膜形成方法。
4. 【請求項４】 第２の膜をパターニングする工程は、フ
   ォトリソグラフィを用いることを特徴とする請求項１な
   いし３のいずれかに記載のパターン化薄膜形成方法。
5. 【請求項５】 前記フレームを形成する工程は、反応性
   イオンエッチングを用いて前記第１の膜をエッチングす
   ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載
   のパターン化薄膜形成方法。
6. 【請求項６】 前記第１の膜のエッチング時における前
   記第３の膜のエッチングレートは、前記第１の膜のエッ
   チングレートよりも小さいことを特徴とする請求項１な
   いし５のいずれかに記載のパターン化薄膜形成方法。
7. 【請求項７】 前記パターン化薄膜を形成する工程は、
   めっき法を用いることを特徴とする請求項１ないし６の
   いずれかに記載のパターン化薄膜形成方法。
8. 【請求項８】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
   に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
   対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
   を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
   磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
   れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
   ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
   て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、前
   記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくとも一方
   は、記録トラック幅を規定する磁極部分を含むトラック
   幅規定層を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
   と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
   と、 前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、 前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を
   形成する工程の少なくとも一方は、フレームを用いて前
   記トラック幅規定層を形成する工程を含み、 前記トラック幅規定層を形成する工程は、 前記トラック幅規定層の下地の上に第１の膜を形成する
   工程と、 前記第１の膜の上に、直接または他の膜を介して、第２
   の膜を選択的に形成する工程と、 前記第２の膜を覆うように、第３の膜を形成する工程
   と、 前記第２の膜、および前記第３の膜のうちの前記第２の
   膜の上に存在する部分を除去することによって、前記第
   ３の膜をパターニングする工程と、 パターニング後の第３の膜をマスクとして、前記第１の
   膜を選択的にエッチングして、エッチング後の第１の膜
   によって、開口部を有するフレームを形成する工程と、 前記フレームの前記開口部内にトラック幅規定層を形成
   する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。
9. 【請求項９】 前記トラック幅規定層を形成する工程
   は、更に、前記第１の膜を形成する工程と前記第２の膜
   を形成する工程との間において、前記第１の膜の上に、
   第２の膜の第１の膜からの分離を容易にするための剥離
   膜を形成する工程を含み、 前記第２の膜は前記剥離膜の上に形成されることを特徴
   とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    は、更に、前記第２の膜を選択的に形成する工程と前記
    第３の膜を形成する工程との間において、前記第２の膜
    の幅を狭小化する工程を含むことを特徴とする請求項８
    または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】 第２の膜をパターニングする工程は、
    フォトリソグラフィを用いることを特徴とする請求項８
    ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 前記フレームを形成する工程は、反応
    性イオンエッチングを用いて前記第１の膜をエッチング
    することを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１の膜のエッチング時における
    前記第３の膜のエッチングレートは、前記第１の膜のエ
    ッチングレートよりも小さいことを特徴とする請求項８
    ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
14. 【請求項１４】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    は、めっき法を用いることを特徴とする請求項８ないし
    １３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。