JP2003080715A - ノズル穴の加工方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
ノズル穴の加工方法及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インクジェット記録装置の構成部品であるノ
ズルプレートのノズル穴や半導体装置の貫通穴が、安定
して製造できない。 【解決手段】 ノズルプレートとなる板厚２００ミクロ
ンの（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板１１
へ、ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として窒化シ
リコン膜１３、１４を形成し、窒化シリコン膜１４をド
ライエッチング法によって除去後、窒化シリコン膜１３
にフォトエッチングを施し、ノズル穴に対応する部分１
２の窒化シリコン膜をエッチングした。続いてノズル穴
に対応する部分１２を陽極処理で穴明け加工し、ノズル
プレートを完成させた。
ズルプレートのノズル穴や半導体装置の貫通穴が、安定
して製造できない。 【解決手段】 ノズルプレートとなる板厚２００ミクロ
ンの（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板１１
へ、ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として窒化シ
リコン膜１３、１４を形成し、窒化シリコン膜１４をド
ライエッチング法によって除去後、窒化シリコン膜１３
にフォトエッチングを施し、ノズル穴に対応する部分１
２の窒化シリコン膜をエッチングした。続いてノズル穴
に対応する部分１２を陽極処理で穴明け加工し、ノズル
プレートを完成させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインク滴を紙等に吐
出し印字するインクジェット記録装置に用いられるノズ
ル穴や半導体装置の電気配線に用いる貫通穴の製造方法
に関する。
出し印字するインクジェット記録装置に用いられるノズ
ル穴や半導体装置の電気配線に用いる貫通穴の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、インクジェット記録装置には、ま
すます高解像度で高速な印刷が要求されている。この要
求に応えるため、ヘッド基板の面部に形成されたノズル
を有するノズルプレートよりインク滴を吐出する形式が
考案された。この形式は、構造上ノズルを多数配設する
ことができるため、高密度化が可能となり、高解像・高
速印刷の要求に応えられるものである。
すます高解像度で高速な印刷が要求されている。この要
求に応えるため、ヘッド基板の面部に形成されたノズル
を有するノズルプレートよりインク滴を吐出する形式が
考案された。この形式は、構造上ノズルを多数配設する
ことができるため、高密度化が可能となり、高解像・高
速印刷の要求に応えられるものである。
【０００３】このインクジェット記録装置は、印字品質
確保のため、ノズルプレートのノズル内部が垂直形状で
あることを要求され、シリコンを構成材料とした場合、
発明者が出願した特開平１１−２６８２８１号報、特開
平１１−２６８２８２号報、特開平１１−２６８２８３
号報に記載されている通り、光照射環境下でｎ型シリコ
ン基板の一面をふっ酸水溶液中で陽極電解する方法（以
下、陽極処理とする）が製造方法として挙げられる。
確保のため、ノズルプレートのノズル内部が垂直形状で
あることを要求され、シリコンを構成材料とした場合、
発明者が出願した特開平１１−２６８２８１号報、特開
平１１−２６８２８２号報、特開平１１−２６８２８３
号報に記載されている通り、光照射環境下でｎ型シリコ
ン基板の一面をふっ酸水溶液中で陽極電解する方法（以
下、陽極処理とする）が製造方法として挙げられる。
【０００４】また半導体装置の実装分野では、高密度実
装の一つの方法として、半導体素子を３次元に配列する
方法(以下、３次元実装と記す)が有り、上記貫通穴あけ
方法を活用した例が考案されている。
装の一つの方法として、半導体素子を３次元に配列する
方法(以下、３次元実装と記す)が有り、上記貫通穴あけ
方法を活用した例が考案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の陽極処理
は、安価な電解槽を複数用意するだけで多数枚処理が可
能なため、ノズルプレートや半導体装置の３次元実装の
製造コストダウンが期待される。しかしながら従来技術
は、次のような課題を有した。（１）ｎ型シリコン基板
の一面の裏側の面に光を照射して電解するため、多数の
貫通穴を有するノズルプレートや半導体装置では、シリ
コン基板内部の光散乱などの原因によって、開口部を予
定しているシリコン基板内のホール生成が不安定とな
り、ノズル穴や貫通穴の加工深さのばらつきが十分に低
減できない課題を有した。
は、安価な電解槽を複数用意するだけで多数枚処理が可
能なため、ノズルプレートや半導体装置の３次元実装の
製造コストダウンが期待される。しかしながら従来技術
は、次のような課題を有した。（１）ｎ型シリコン基板
の一面の裏側の面に光を照射して電解するため、多数の
貫通穴を有するノズルプレートや半導体装置では、シリ
コン基板内部の光散乱などの原因によって、開口部を予
定しているシリコン基板内のホール生成が不安定とな
り、ノズル穴や貫通穴の加工深さのばらつきが十分に低
減できない課題を有した。
【０００６】本発明は、以上の課題を解決するものでそ
の目的は、穴加工深さのばらつきが少ないノズルを有す
るノズルプレートや貫通穴を有する半導体装置を低価格
で製造し、それを用いたインクジェット記録装置及び半
導体装置を提供することである。
の目的は、穴加工深さのばらつきが少ないノズルを有す
るノズルプレートや貫通穴を有する半導体装置を低価格
で製造し、それを用いたインクジェット記録装置及び半
導体装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のノズル穴の加工
方法は、結晶方位（１００）のｎ型シリコン基板を構成
部材とし、（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の面へ耐
エッチング皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エッチン
グ皮膜にノズル穴となる開口部を形成する工程と、
（ｃ）前記ｎ型シリコン基板とオーミック接続する遮光
性導電皮膜を前記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形成す
る工程と、（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応した
該遮光性導電皮膜に開口部を形成する工程と、（ｅ）前
記導電皮膜を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前記一方の
面を接触させた状態で、前記他方の面より光を照射しな
がら電解し、前記開口部に対応して前記ｎ型シリコン基
板に穴明け加工を行う工程と、を有することを特徴とす
る。
方法は、結晶方位（１００）のｎ型シリコン基板を構成
部材とし、（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の面へ耐
エッチング皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エッチン
グ皮膜にノズル穴となる開口部を形成する工程と、
（ｃ）前記ｎ型シリコン基板とオーミック接続する遮光
性導電皮膜を前記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形成す
る工程と、（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応した
該遮光性導電皮膜に開口部を形成する工程と、（ｅ）前
記導電皮膜を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前記一方の
面を接触させた状態で、前記他方の面より光を照射しな
がら電解し、前記開口部に対応して前記ｎ型シリコン基
板に穴明け加工を行う工程と、を有することを特徴とす
る。
【０００８】本発明の半導体装置の製造方法は、結晶方
位（１００）のｎ型シリコン基板を構成部材とし、
（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の面へ耐エッチング
皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エッチング皮膜にノ
ズル穴となる開口部を形成する工程と、（ｃ）前記ｎ型
シリコン基板とオーミック接続する遮光性導電皮膜を前
記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形成する工程と、
（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応した該遮光性導
電皮膜に開口部を形成する工程と、（ｅ）前記導電皮膜
を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前記一方の面を接触さ
せた状態で、前記他方の面より光を照射しながら電解
し、前記開口部に対応して前記ｎ型シリコン基板に穴明
け加工を行う工程と、を有することを特徴とする。
位（１００）のｎ型シリコン基板を構成部材とし、
（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の面へ耐エッチング
皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エッチング皮膜にノ
ズル穴となる開口部を形成する工程と、（ｃ）前記ｎ型
シリコン基板とオーミック接続する遮光性導電皮膜を前
記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形成する工程と、
（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応した該遮光性導
電皮膜に開口部を形成する工程と、（ｅ）前記導電皮膜
を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前記一方の面を接触さ
せた状態で、前記他方の面より光を照射しながら電解
し、前記開口部に対応して前記ｎ型シリコン基板に穴明
け加工を行う工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】本発明は、ｎ型シリコン基板の一面の裏側
の面に光透過性導電皮膜を形成した従来の陽極処理の課
題であるノズル穴や貫通穴の加工深さばらつき課題を解
決するため、ｎ型シリコン基板の裏側へ遮光性皮膜を形
成して、全ノズル穴予定部分の直下に光を照射し、化成
反応に供されるホールの生成を均一にした。なお遮光性
皮膜は、光を遮断する膜であれば良く、例えばクロム、
チタンなどが挙げられる。
の面に光透過性導電皮膜を形成した従来の陽極処理の課
題であるノズル穴や貫通穴の加工深さばらつき課題を解
決するため、ｎ型シリコン基板の裏側へ遮光性皮膜を形
成して、全ノズル穴予定部分の直下に光を照射し、化成
反応に供されるホールの生成を均一にした。なお遮光性
皮膜は、光を遮断する膜であれば良く、例えばクロム、
チタンなどが挙げられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
【００１１】（実施の形態１）図１は、本発明における
ノズルプレートを用いたインクジェット記録装置の斜視
図である。この図１の通り本発明のインクジェット記録
装置は、インクの供給部３とＰＺＴなどの振動によりイ
ンクを吐出する圧力室４とインクが通過する流路５を形
成した第一プレート１と、流路５と垂直方向にノズル穴
６を形成したノズルプレート２を接合した構造である。
インクは、インク供給管７からインク供給部３へ供給さ
れ、最終的にインク滴としてノズル穴６から吐出され
る。
ノズルプレートを用いたインクジェット記録装置の斜視
図である。この図１の通り本発明のインクジェット記録
装置は、インクの供給部３とＰＺＴなどの振動によりイ
ンクを吐出する圧力室４とインクが通過する流路５を形
成した第一プレート１と、流路５と垂直方向にノズル穴
６を形成したノズルプレート２を接合した構造である。
インクは、インク供給管７からインク供給部３へ供給さ
れ、最終的にインク滴としてノズル穴６から吐出され
る。
【００１２】図２はノズルプレートの製造工程別断面図
であり、その製造工程について詳細に説明する。
であり、その製造工程について詳細に説明する。
【００１３】ノズルプレートとなる板厚２００ミクロン
の（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板１１へ、
ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として０．６ミク
ロン厚の窒化シリコン膜１３、１４を形成し（図２
（ａ））、ついで、窒化シリコン膜１４をドライエッチ
ング法によって除去後、窒化シリコン膜１３にフォトエ
ッチングを施し、直径２０ミクロンのノズル穴に対応す
る部分１２の窒化シリコン膜を１０００ヶ所エッチング
した（図２（ｂ））。
の（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板１１へ、
ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として０．６ミク
ロン厚の窒化シリコン膜１３、１４を形成し（図２
（ａ））、ついで、窒化シリコン膜１４をドライエッチ
ング法によって除去後、窒化シリコン膜１３にフォトエ
ッチングを施し、直径２０ミクロンのノズル穴に対応す
る部分１２の窒化シリコン膜を１０００ヶ所エッチング
した（図２（ｂ））。
【００１４】次に窒化シリコン膜１３が形成された面の
裏側に、クロム遮光皮膜１６を約０．２ミクロン形成
し、ノズル穴に対応した部分のクロム遮光皮膜を取り除
いた（図２（ｃ））。
裏側に、クロム遮光皮膜１６を約０．２ミクロン形成
し、ノズル穴に対応した部分のクロム遮光皮膜を取り除
いた（図２（ｃ））。
【００１５】続いて、上記窒化シリコン膜１３が形成さ
れた面が電解液に接するように電解セルを組み立て、表
１の条件で窒化シリコン膜１３が形成された面の裏側よ
り光を照射しながら、２００ミクロンの深さのノズル穴
１７を加工した（図２（ｄ））。
れた面が電解液に接するように電解セルを組み立て、表
１の条件で窒化シリコン膜１３が形成された面の裏側よ
り光を照射しながら、２００ミクロンの深さのノズル穴
１７を加工した（図２（ｄ））。
【００１６】
【表１】
最後に窒化シリコン膜１３及びクロム遮光皮膜１６を研
磨法によって除去し（図２（ｅ））、ノズルプレートの
形状に切断した。
磨法によって除去し（図２（ｅ））、ノズルプレートの
形状に切断した。
【００１７】本発明の比較例としてシリコン基板の裏側
にインジウム・錫膜を０．１ミクロン形成し、試料１の
陽極処理条件で比較試料１を製造した。
にインジウム・錫膜を０．１ミクロン形成し、試料１の
陽極処理条件で比較試料１を製造した。
【００１８】以上製造したノズルプレートを用いて、イ
ンクジェット記録装置を製造した。表２は試料１から試
料６及び比較試料１のノズルプレートにおいて、ノズル
穴の貫通性およびノズル穴の垂直性を評価した結果であ
る。ノズル穴の貫通性の「良好」は全ノズル貫通、「不
良」は１ノズル以上未貫通であり、ノズル穴断面の垂直
性の「良好」は、ノズル面と断面の成す角度が９０±１
度未満、「不良」はノズル面と断面の成す角度が９０±
１度以上、「最良」はノズル面と断面の成す角度が９０
±０．５度以内である。
ンクジェット記録装置を製造した。表２は試料１から試
料６及び比較試料１のノズルプレートにおいて、ノズル
穴の貫通性およびノズル穴の垂直性を評価した結果であ
る。ノズル穴の貫通性の「良好」は全ノズル貫通、「不
良」は１ノズル以上未貫通であり、ノズル穴断面の垂直
性の「良好」は、ノズル面と断面の成す角度が９０±１
度未満、「不良」はノズル面と断面の成す角度が９０±
１度以上、「最良」はノズル面と断面の成す角度が９０
±０．５度以内である。
【００１９】
【表２】
この表の通り、本発明の試料１から試料６及び比較試料
１のノズルプレートは、１０００個のノズル穴の貫通性
および垂直性が良好で、中でも試料２の陽極処理条件
が、ノズル穴の垂直性が最良であった。
１のノズルプレートは、１０００個のノズル穴の貫通性
および垂直性が良好で、中でも試料２の陽極処理条件
が、ノズル穴の垂直性が最良であった。
【００２０】一方、比較試料１はノズル穴の加工ばらつ
きが発生したため、未貫通のノズル生じ、インク吐出可
能な１０００個のノズル穴を有するインクジェット記録
装置を製造することができなかった。
きが発生したため、未貫通のノズル生じ、インク吐出可
能な１０００個のノズル穴を有するインクジェット記録
装置を製造することができなかった。
【００２１】なお本試料は本発明の一部であり、濃度、
電圧等陽極処理条件が本試料範囲外においても、印字特
性は良好であった。さらに本実施の形態ではインクジェ
ット装置のノズルプレート（ノズルプレート）について
説明をしたが、シリコン基材であれば垂直性の良好な穴
の加工が可能であった。
電圧等陽極処理条件が本試料範囲外においても、印字特
性は良好であった。さらに本実施の形態ではインクジェ
ット装置のノズルプレート（ノズルプレート）について
説明をしたが、シリコン基材であれば垂直性の良好な穴
の加工が可能であった。
【００２２】（実施の形態２）図３は、本発明における
複数の半導体装置を用いた実装構造の断面図である。こ
の図３の通り本発明の貫通穴に絶縁層２０を介して導電
層２８を形成した半導体装置２９を３次元的に積み重ね
た構造である。
複数の半導体装置を用いた実装構造の断面図である。こ
の図３の通り本発明の貫通穴に絶縁層２０を介して導電
層２８を形成した半導体装置２９を３次元的に積み重ね
た構造である。
【００２３】図４は半導体装置の製造工程別断面図であ
り、その製造工程を詳細に説明する。
り、その製造工程を詳細に説明する。
【００２４】半導体素子が形成された板厚２００ミクロ
ンの（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板２１
へ、ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として０．６
ミクロン厚の窒化シリコン膜２３、２４を形成し（図４
（ａ））、ついで、窒化シリコン膜２４をドライエッチ
ング法によって除去後、窒化シリコン膜１３にフォトエ
ッチングを施し、直径３０ミクロンの穴に対応する部分
２２の窒化シリコン膜をエッチングした（図４
（ｂ））。
ンの（１００）面方位のｎ型単結晶シリコン基板２１
へ、ＣＶＤ装置によって耐エッチング皮膜として０．６
ミクロン厚の窒化シリコン膜２３、２４を形成し（図４
（ａ））、ついで、窒化シリコン膜２４をドライエッチ
ング法によって除去後、窒化シリコン膜１３にフォトエ
ッチングを施し、直径３０ミクロンの穴に対応する部分
２２の窒化シリコン膜をエッチングした（図４
（ｂ））。
【００２５】次に窒化シリコン膜２３が形成された面の
裏側に、クロム遮光皮膜２６を約０．２ミクロン形成
し、穴に対応した部分のクロム遮光皮膜を取り除いた
（図４（ｃ））。
裏側に、クロム遮光皮膜２６を約０．２ミクロン形成
し、穴に対応した部分のクロム遮光皮膜を取り除いた
（図４（ｃ））。
【００２６】続いて、上記窒化シリコン膜２３が形成さ
れた面が電解液に接するように電解セルを組み立て、表
３の条件で窒化シリコン膜２３が形成された面の裏側よ
り光を照射しながら、２００ミクロンの深さの貫通穴２
７を加工した（図４（ｄ））。
れた面が電解液に接するように電解セルを組み立て、表
３の条件で窒化シリコン膜２３が形成された面の裏側よ
り光を照射しながら、２００ミクロンの深さの貫通穴２
７を加工した（図４（ｄ））。
【００２７】
【表３】
最後に窒化シリコン膜２３及びクロム遮光皮膜２６を研
磨法によって除去し（図４（ｅ））、半導体装置の形状
に切断した。
磨法によって除去し（図４（ｅ））、半導体装置の形状
に切断した。
【００２８】本発明の比較例としてシリコン基板の裏側
にインジウム・錫膜を０．１ミクロン形成し、試料１１
の陽極処理条件で比較試料２を製造した。
にインジウム・錫膜を０．１ミクロン形成し、試料１１
の陽極処理条件で比較試料２を製造した。
【００２９】表４は試料１１から試料１６の半導体装置
において、ノズル穴の貫通性を評価した結果である。
「良好」は全穴が貫通、「不良」は１以上未貫通であ
る。
において、ノズル穴の貫通性を評価した結果である。
「良好」は全穴が貫通、「不良」は１以上未貫通であ
る。
【００３０】
【表４】
この表の通り、本発明の試料１１から試料１６の半導体
装置は、貫通性が良好であった。しかし比較試料２は未
貫通の穴が生じ、半導体装置が製造できなかった。
装置は、貫通性が良好であった。しかし比較試料２は未
貫通の穴が生じ、半導体装置が製造できなかった。
【００３１】なお本試料は本発明の一部であり、濃度、
電圧等陽極処理条件が本試料範囲外においても、貫通穴
は良好に形成できた。
電圧等陽極処理条件が本試料範囲外においても、貫通穴
は良好に形成できた。
【００３２】以上本発明の方法によって製造した半導体
装置の貫通穴の中に導電膜を形成したところ、半導体装
置同士を３次元的に電気的に接続することができた。
装置の貫通穴の中に導電膜を形成したところ、半導体装
置同士を３次元的に電気的に接続することができた。
【００３３】
【発明の効果】以上に記したように本発明によれば、ノ
ズルが形成されたシリコン基板を構成材料とするノズル
プレートを用いたインクジェット記録装置は、高精度な
ノズルを低価格で製造できるため、高解像度かつ高速印
字が可能なインクジェット記録装置を安価に提供するこ
とができる。また半導体装置に高精度な貫通穴が形成で
きたため、３次元に半導体装置を配列した高密度実装が
実現できる。
ズルが形成されたシリコン基板を構成材料とするノズル
プレートを用いたインクジェット記録装置は、高精度な
ノズルを低価格で製造できるため、高解像度かつ高速印
字が可能なインクジェット記録装置を安価に提供するこ
とができる。また半導体装置に高精度な貫通穴が形成で
きたため、３次元に半導体装置を配列した高密度実装が
実現できる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるインクジェット
記録装置の斜視図。
記録装置の斜視図。
【図２】本発明の実施の形態１におけるノズルプレート
の製造工程別断面図。
の製造工程別断面図。
【図３】本発明の実施の形態２における半導体装置の実
装断面図。
装断面図。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体装置の製
造工程別断面図。
造工程別断面図。
１ 第一プレート
２ ノズルプレート
３ 供給部
４ 圧力室
５ 流路
６ ノズル穴
７ インク供給管
１１ ｎ型単結晶シリコン基板
１２ ノズル穴に対応する部分
１３ 窒化シリコン膜
１４ 窒化シリコン膜
１５ エッチングピラミッド
１６ クロム遮光皮膜
１７ ノズル穴
２０ 絶縁層
２１ ｎ型単結晶シリコン基板
２２ 穴に対応する部分
２３ 窒化シリコン膜
２４ 窒化シリコン膜
２５ エッチングピラミッド
２６ クロム遮光皮膜
２７ 貫通穴
２８ 導電層
２９ 半導体装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG12 AP13 AP35 AP53
AQ02
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶方位（１００）のｎ型シリコン基板
を構成部材とし、（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の
面へ耐エッチング皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エ
ッチング皮膜にノズル穴となる開口部を形成する工程
と、（ｃ）前記ｎ型シリコン基板とオーミック接続する
遮光性導電皮膜を前記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形
成する工程と、（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応
した該遮光性導電皮膜に開口部を形成する工程と、
（ｅ）前記導電皮膜を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前
記一方の面を接触させた状態で、前記他方の面より光を
照射しながら電解し、前記開口部に対応して前記ｎ型シ
リコン基板に穴明け加工を行う工程と、を有することを
特徴とするノズル穴の加工方法。 - 【請求項２】 結晶方位（１００）のｎ型シリコン基板
を構成部材とし、（ａ）前記ｎ型シリコン基板の一方の
面へ耐エッチング皮膜を形成する工程と、（ｂ）該耐エ
ッチング皮膜にノズル穴となる開口部を形成する工程
と、（ｃ）前記ｎ型シリコン基板とオーミック接続する
遮光性導電皮膜を前記ｎ型シリコン基板の他方の面へ形
成する工程と、（ｄ）前記他方の面の前記開口部に対応
した該遮光性導電皮膜に開口部を形成する工程と、
（ｅ）前記導電皮膜を陽極とし、ふっ酸を含む溶液に前
記一方の面を接触させた状態で、前記他方の面より光を
照射しながら電解し、前記開口部に対応して前記ｎ型シ
リコン基板に穴明け加工を行う工程と、を有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274030A JP2003080715A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | ノズル穴の加工方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274030A JP2003080715A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | ノズル穴の加工方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003080715A true JP2003080715A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19099147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001274030A Withdrawn JP2003080715A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | ノズル穴の加工方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003080715A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013230698A (ja) * | 2002-07-03 | 2013-11-14 | Fujifilm Dimatix Inc | プリントヘッド |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001274030A patent/JP2003080715A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013230698A (ja) * | 2002-07-03 | 2013-11-14 | Fujifilm Dimatix Inc | プリントヘッド |
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