JP2003078438A

JP2003078438A - 複合高周波回路部品

Info

Publication number: JP2003078438A
Application number: JP2001262454A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Saito; 利之齋藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-08-30
Filing date: 2001-08-30
Publication date: 2003-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、送信信号の周波数帯が拡大しても、
その高調波成分の悪影響を及ぼすことがなく、安定した
通話が達成できる高周波スイッチ回路を有する複合高周
波回路部品を提供することにある。【解決手段】本発明は複数の誘電体層を積層して成る
多層回路基板に、アンテナスと受信回路／送信回路を切
り換える高周波スイッチ回路を配置した複合高周波回路
部品において、前記アンテナ端子１と受信回路３との間
に、受信信号を通過させ、且つ送信信号を遮断する第１
のインダクタ素子８と容量素子９、１１とからなるπ型
フィルタ７を配置するとともに、前記π型フィルタ７の
容量素子の１つ９と直列接続し、送信信号の周波数の略
２倍を共振周波数とする直列共振回路２０を構成する第
２のインダクタ素子１１を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器の
アンテナ部分に用いられ、多層回路基板からなり、アン
テナか受信される所定受信信号を、また、アンテナより
送信される送信信号を夫々送受信選択制御を行うアンテ
ナスイッチ回路を含む高周波回路部品に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この高周波回路部品は、図６に示
すように、送信回路Ｔｘの一部または全部と、受信回路
Ｒｘの一部または全部を含むものであり、さらに、アン
テナと接続するアンテナ端子ＡＮＴを有するものであ
る。そして、アンテナスイッチ回路ＳＷは、アンテナと
受信回路Ｒｘとの接続、送信回路Ｔｘとアンテナとの接
続を切換えるものである。

【０００３】さらに、アンテナに接続される高周波回路
部品は、ダイプレクサ、高周波フィルタ、高周波スイッ
チ回路ＳＷを含んで構成され、例えば、１つの高周波部
品で、２つの通信シンテスム（送受信周波数帯が互いに
相違する）に対応するため、例えば、ダイプレクサから
２つの系統の高周波フィルタ、スイッチ回路ＳＷから構
成し、例えばダイプレクサによってどちらかの通信シス
テムに対応する送受信周波数が一方の系統が利用され
る。

【０００４】例えば、欧州で多く採用されているデュア
ルバンド携帯通信端末では、900MHz帯を使用したGSM(Gl
obal System for Mobile communication)と1800MHz帯を
使用したDCS(Digital Cellular System)とを高周波部品
で対応させる必要がある。

【０００５】まず、GSM信号の送信の場合、GSM送信端子
から入力された信号は高周波スイッチＳＷｇ、高周波フ
ィルタを通り、ダイプレクサから出力されアンテナから
送信される。このとき、高周波スイッチＳＷｇでは、GS
M受信端子Rxgへの信号の回り込みを阻止し、高周波フィ
ルタＦＩｇでは、送信信号の高調波成分を減衰させ、ダ
イプレクサでは、DCS送受信回路（高周波フィルタ、高
周波スイッチＳＷｄ）側への信号の回り込みを阻止して
いる。

【０００６】GSM信号の受信の場合、アンテナから受信
した信号は、ダイプレクサによりGSM送受信回路（高周
波フィルタ、高周波スイッチＳＷｇ）側へ分配し、高周
波フィルタ、高周波スイッチＳＷｇを通り、GSM受信端
子Rxgへ出力される。このとき、高周波スイッチＳＷｇ
はGSM受信信号をGSM受信端子Rxgへ切り替える機能を有
している。

【０００７】尚、DCS信号についてもGSM信号と同様の動
作原理であり、この説明は割愛する。

【０００８】このスイッチ回路ＳＷは、送信信号の中心
的な周波数（単に送信周波数）に対してインピーダンス
が無限大となり、また、受信信号の中心的な周波数（単
に受信周波数）に対してインピーダンスが略ゼロで動作
するストリップ線路とスイッチングダイオードとを組み
合わせたものが多用されている。図７において、符号５
２は送信回路Ｔｘに接続する送信端子であり、５３は受
信回路Ｒｘに接続される受信端子であり、５１はアンテ
ナに接続するアンテナ端子であり、５４は送受信を切り
換える制御信号ＶＣが供給される制御端子である。ま
た、５５は上述の機能を行うストリップ線路であり、５
６、５７は、制御信号によりオン／オフ動作をする第１
のスイッチングダイオード、第２のスイッチングダイオ
ードである。さらに、５８〜６２は、制御信号ＶＣが安
定的に第１のスイッチングダイオード５６、第２のスイ
ッチングダイオード５７に供給されるようにするための
コンデンサであり、６３は高周波信号成分が制御端子５
４側に漏れないようにするインダクタ成分であり、６４
は第２のスイッチングダイオード５７に印加される制御
信号ＶＣの電位を調整する抵抗である。

【０００９】そして、送信端子５２からアンテナ端子５
１までの送信ラインには、コンデンサ６０、第１のスイ
ッチングダイオード５６、コンデンサ５８から構成され
ている。具体的には、第１のスイッチングダイオード５
６のアノードがコンデンサ６０を介して送信回路Ｔｘの
送信端子５２に接続され、このダイオード５６のカソー
ド側がコンデンサ５８を介してアンテナ端子５１に接続
されている。また、スイッチングダイオード５６のアノ
ード側と接地との間には、コイル６３、コンデンサ６１
が配置されており、このコイル６３とコンデンサ６１と
の間には、制御端子５４が設けられている。

【００１０】また、アンテナ端子５１から受信端子５３
までの受信ラインには、コンデンサ５８、送信周波数の
波長に対して１／４の電気長となるストリップ線路５
５、コンデンサ５９から構成されている。そして、スト
リップ線路５５の受信端子５３側の端部と接地との間と
の間には、第２のスイッチングダイオード５７、コンデ
ンサ６２が配置されている。具体的には、ストリップ線
路５５の受信端子５３側の端部には、第２のスイッチン
グダイオード５７のアノードと接続され、カソードはコ
ンデンサ６２を介して接地されている。また、第２のス
イッチングダイオード５７とコンデンサ６２との間には
抵抗６４が接続され、さらに接地されている。

【００１１】上記の高周波複合回路を構成する高周波ス
イッチ回路ＳＷにおいて、送信時には、図８（ａ）に示
す等価回路で動作する。送信時においては、制御端子５
４に、第１のスイッチングダイオード５６、第２のスイ
ッチングダイオード５７をオン状態となる信号、例えば
＋３Ｖの正電圧を印加する。これにより、第１のスイッ
チングダイオード５６、第２のスイッチングダイオード
５７は、オン状態となり、夫々のスイッチングダイオー
ド５６、５７は、インダクタンス成分ＬＳ、抵抗成分Ｒ
Ｓを有することになる。

【００１２】このとき、送信端子５２から供給された送
信信号は、オン状態の第１のスイッチングダイオード５
６、コンデンサ５８を介して、アンテナ端子５１へ出力
される。このとき、オン状態の第２のスイッチングダイ
オード５７とコンデンサ６２およびストリップ線路５５
は、送信信号の周波数に対してλ/4共振し、送信信号が
受信端子５３に回り込むことを阻止している。

【００１３】次に、受信時には、図８（ｂ）に示す等価
回路で動作する。受信時においては、制御端子５４に、
第１のスイッチングダイオード５６、第２のスイッチン
グダイオード５７をオフ状態となる信号、例えば、0Vが
印加される。これにより、第１のスイッチングダイオー
ド５６、第２のスイッチングダイオード５７は、オフ状
態となり、オフ状態の容量成分Csを有することになる。
このとき、アンテナ端子５１から入力された受信信号
は、オフ状態の第１のスイッチングダイオード５６によ
り送信端子５２に送られることがなく、受信端子５３の
みに送られることになる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な複合高周波回路部品において、高周波スイッチ回路Ｓ
Ｗに使用されるスイッチングダイオードには、オン状態
で低い抵抗成分Rsと、オフ状態で低い容量成分Csが要求
される。

【００１５】例えば、オン状態の抵抗Rsが大きい場合に
は、送信時の送信信号を減衰させてしまうためである。
また、オフ状態で容量成分Csが大きい場合は、受信時の
受診信号を減衰させてしまう。ここで、上記のオン抵抗
成分Rsとオフ容量成分Csは、トレードオフの関係であ
り、送信信号の低損失化と受信信号の低損失化を両立す
ることが困難であった。

【００１６】また、送信時の高調波成分をフィルタなど
で減数させていたが、高周波スイッチ回路の多機能化、
送信信号の周波数範囲が広がっている。さらに、高周波
スイックをダイプレクサによって複数の高周波スイッチ
回路を並列接続して、デュアルバンド化に対応させるな
ど、複雑化しつつある。

【００１７】このような状況では、送信信号の高調波成
分の範囲も拡大し、これらの拡大した高調成分をフィル
タで阻止することが困難となってきた。

【００１８】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、送信信号の周波数帯が拡大
し、同時にその高調波成分も拡大しても、例えば受信端
子や他のスイッチ回路に悪影響を及ぼすことがない高周
波スイッチ回路を有する複合高周波回路部品を提供する
ことにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の誘電体
層を積層して成る多層回路基板に、アンテナスイッチ回
路、該アンテナ回路に接続する受信回路及び送信回路を
配置するとともに、多層回路基板の端面に少なくともア
ンテナと接続する端子電極を備えた複合高周波回路部品
において、前記アンテナ端子と受信回路との間に、受信
信号を通過させ、且つ送信信号を遮断する第１のインダ
クタ素子と容量素子とからなるπ型フィルタを配置する
とともに、前記π型フィルタの容量素子の１つと直列接
続し、送信信号の周波数の略２倍を共振周波数とする直
列共振回路を構成する第２のインダクタ素子を配置した
ことを特徴とする複合高周波回路部品である。

【００２０】また、前記第１のインダクタ素子及び第２
のインダクタ素子が前記多層回路基板の表面に被着され
たインダクタ導体膜である。

【００２１】さらに、前記第１のインダクタ素子及び第
２のインダクタ素子が、前記多層回路基板の表面に実装
されたチップインダクタ部品である。

【００２２】さらに、容量素子が、前記多層回路基板の
表面に実装されたチップコンデンサ部品である。

【作用】本発明は上記のような構成により、次のような
作用がある。

【００２３】高周波スイッチ回路を、第１のインダクタ
素子と容量素子とからなるπ型フィルタで形成すること
により、受信時に、例えば第２のスイッチングダイオー
ドがオフ状態では、このスイッチングダイオードのオフ
容量成分Ｃｓをπ型フィルタの容量成分の一部として用
いることにより、オフ容量成分Ｃｓが大きいスイッチン
グダイオードを用いた場合でも受信時の信号損失を抑え
ることができる。また、オフ容量成分の制約が低減され
るため、オン抵抗の少ないスイッチングダイオードを用
いることができ、その結果、送信時の送信信号の損失を
抑えることができる。

【００２４】また、π型フィルタの前段（アンテナ端子
側）に、一方の信号、例えば送信信号の略２倍の高調成
分の周波数を共振周波数となるように、π型フィルタの
容量素子と直列接続された第２のインダクタ素子を配置
しているため、高調波成分の減衰領域を幅広く、また、
大きな減衰が得られ高調波成分のノイズに対して有効と
なる。

【００２５】これは特に、多くの種類の送受信周波数を
取り扱うデュアルバンドに特に有効となり、他の通信シ
ステムとのノイズを受けることが少なくなり、複合高周
波回路部品に特に有効である。

【００２６】また、π型フィルタを構成する第１のイン
ダクタ素子及び第２のインダクタ素子は、多層回路基板
の内装に形成してもよいが、前記第１のインダクタ素子
及び第２のインダクタ素子が前記多層回路基板の表面に
被着されたインダクタ導体膜であってもかまわない。こ
の場合、インダクタ素子が主に集中定数的な動作させる
ことができるため、フィルタの設計が容易になるためで
ある。

【００２７】さらに、第１のインダクタ素子及び第２の
インダクタ素子が、前記多層回路基板の表面に実装され
たチップインダクタ部品とすることにより、チップ部品
の選択により、他の周波数帯域、他の通信システムに容
易に対応する複合高周波回路部品となる。また、容量素
子が、前記多層回路基板の表面に実装されたチップコン
デンサ部品とすることにより、多層回路基板の誘電率に
依存されなくなり、より一層回路設計が容易になる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の複合高周波回路部
品について説明する。図１は、本発明の複合高周波回路
部品の外観斜視図であり、図２は、この複合高周波回路
部品に具備される高周波スイッチ回路の回路図を示し、
図３はその等価回路図である。

【００２９】図１は、本発明の高周波スイッチ回路を組
み込んだ複合高周波回路部品は、図２に示す高周波スイ
ッチ回路を中心に、そのアンテナ端子にフィルタやダイ
プレクサなどのフィルタ手段を接続した状態で多層回路
基板に形成する。このような複合高周波回路部品はアン
テナスイッチ部品という。また、図６に示し高周波スイ
ッチ回路ＳＷの受信端子側に受信回路ＲＸを接続した状
態で多層回路基板に形成する。このような複合高周波回
路部品はＲＸモジュールという。また、図６に示し高周
波スイッチ回路ＳＷの送信端子側に送信受信回路ＴＸを
接続した状態で多層回路基板に形成する。このような複
合高周波回路部品はＴＸモジュールという。さらに、高
周波スイッチ回路ＳＷの受信端子側に受信回路ＲＸを接
続し、送信端子側に送信受信回路ＴＸを接続した状態で
多層回路基板に形成する。このような複合高周波回路部
品はアンテナインターフェースモジュールという。

【００３０】以上のように、本発明の複合高周波回路部
品は、少なくとも高周波スイッチ回路ＳＷを中心に各種
フィルタや受信回路ＲＸの一部または全部、送信回路Ｔ
Ｘの一部または全部が具備されて構成されている。さら
に、受信回路ＲＸにおいて通信チャンネルを特定するた
めのＰＬＬや局発信回路（電圧制御発振回路）などをこ
の多層回路基板に一体化形成する場合もある。

【００３１】図１において、多層回路基板３０は、複数
の誘電体層が積層してなり、その表面に表面配線パター
ン３１、少なくとも高周波スイッチ回路を構成するスイ
ッチングダイオード、チップコンデンサ、チップ抵抗な
どの各種回路部品３２が配置されている。高周波スイッ
チ回路を構成するインダクタ素子として、多層回路基板
３０上にチップインダクタ部品を配置してもよいし、ま
た、厚膜技法でインダク導体膜を形成してもよい。

【００３２】多層回路基板３０の各誘電体層の層間に
は、図示していないが、所定配線を構成する内部配線パ
ターンが配置され、また、誘電体層間には各配線パター
ン間を接続するビアホール導体が形成されている。尚、
内部配線パターンとは、高周波スイッチ回路を構成する
容量を形成するための容量電極であってもよい。

【００３３】多層回路基板３０の端面には、基板の厚み
方向に配置された端子電極３３が形成されている。この
端面電極３３は、複合高周波回路部品の入出力端子の機
能よって種々の端子が形成されている。例えば、図６の
高周波スイッチＳＷを多層回路基板３０に形成した場
合、端子電極３３はアンテナと接続する端子電極、グラ
ンド電位に接続する端子電極などは必須端子電極であ
り、その他、プリント配線基板上に形成された受信回路
ＲＸと接続する受信端子電極、プリント配線基板上に形
成された送信回路ＴＸと接続する送信端子電極、さらに
送受信を切り換えの制御信号を供給する制御端子電極を
有することになる。

【００３４】次に、本発明の複合高周波回路部品に用い
られている高周波スイッチ回路について説明する。この
高周波スイッチ回路は図６のブロック回路中の符号ＳＷ
に相当する。この高周波スイッチ回路ＳＷは、アンテナ
ＡＮＴが接続されるアンテナ端子１と、送信回路ＴＸが
接続される送信端子２と、受信回路ＲＸが接続される受
信端子ＲＸと有している。

【００３５】アンテナ端子１と送信端子２との間、即
ち、送信信号ラインには、コンデンサ１６、第１のスイ
ッチングダイオード５、コンデンサ１７が配置されてい
る。尚、第１のスイッチングダイオード５のアノード
は、送信端子２側となるようになっている。

【００３６】また、第１のスイッチングダイオード５の
アノードとグランド電位との間には、コイル１２、コン
デンサ１３が配置されており、このコイル１２、コンデ
ンサ１３の接続部には、制御端子４を備えている。

【００３７】また、受信端子３とアンテナ端子１との
間、即ち、受信信号ラインには、コンデンサ１８、第１
のインダクタ素子８、第２のインダクタ素子１１が配置
され、コンデンサ１６に接続されている。また、第１の
インダクタ素子８の両端とグランド電位との間には容量
素子９、１０が配置されている。そして、このインダク
タ素子８、容量素子９、１０によってπ型フィルタ７を
構成している。

【００３８】また、π型フィルタ７とコンデンサ１８と
の接続部とグランド電位との間に、第２のスイッチング
ダイオード６、コンデンサ１４が配置されている。この
第２のスイッチングダイオード６のアノードがπ型フィ
ルタ７側に接続され、カソードがコンデンサ１４を介し
て接地されている。また、このコンデンサ１４並列的に
抵抗１５配置されている。

【００３９】π型フィルタは、第２のスイッチングダイ
オード６がオフ状態では、第２のスイッチングダイオー
ド６のＯＦＦ容量成分とともに、全体として、受信信号
の中心周波数に対して伝送線路として動作するように設
定されている。また、第２のスイッチングダイオード６
がオン状態では、第２のスイッチングダイオード６のオ
ンインダクタ成分とともに、全体として、送信信号の中
心周波数に対してインピーダンス無限大となるように、
インダクタ素子８、容量素子９、１０を設定している。

【００４０】このような高周波スイッチ回路において、
送信時には、制御端子４に第１及び第２のスイッチング
ダイオード５、６をオンとする信号、例えば、３Ｖの直
流信号を供給する。これにより、この制御信号は、第１
のスイッチングダイオード５、π型フィルタ７、第２の
スイッチングダイオード６を介してグランド電位に流れ
込む。

【００４１】これにより、第１のスイッチングダイオー
ド５、第２のスイッチングダイオード６はオン状態とな
る。これにより、図３に示す等価回路の第２のスイッチ
ングダイオード６のオンインダクタ成分ＬＳと相まっ
て、π型フィルタ７と第２のダイプレクサ６とによっ
て、送信信号の中心周波数の周波数帯を阻止（インピー
ダンス無限大）とするフィルタ回路１９を構成する。こ
れにより、送信信号が受信端子３に漏れることを防止し
ている。

【００４２】さらに、送信時において、図３の符号２０
に示すうよに、第２のインダクタ素子１１とπ型フィル
タ７の容量素子９とで、直列共振回路を構成している。
この直列共振回路２０は、その共振周波数が送信信号の
中心周波数の略２倍の周波数となるように設定されてい
る。ここで、直列共振回路２０を構成する容量素子９
は、π型フィルタ７をも構成しており、このπ型フィル
タ７の要求特性によって容量値が先に決定される。従っ
て、直列共振回路２０の共振周波数は、容量素子９の容
量値を考慮して、第２のインダクタ素子１１のインダク
タ値によって、共振周波数を決定する。これにより、こ
の共振周波数に対応する周波数成分は、グランド電位と
の間で、インピーダンスが略０となり、グランド電位に
安定的に流し込むことができる。

【００４３】本発明者は、送信信号を１７１０〜１９１
０ＭＨｚ（ＤＣＳ、ＰＣＳ通信方式に想定）とし、次の
回路定数で高周波スイッチング回路を構成した。例え
ば、コンデンサ１３を２２ＰＦ、コンデンサ１４を６Ｐ
Ｆ、コンデンサ９を１．８ｐＦ、コンデンサ１０を１．
２ｐＦ、コイル１２を３３Ｈ、インダクタ素子８を幅W=
0.1mm、長さL=7.5mmとして、スイッチングダイオード
５、６をオンＲｓ=１．０Ω、オンＬｓ=１．２nH、オフ
Ｃｓ=０．６ｐＦの特性のものを採用、抵抗１５を１３
０Ωとした。第２のインダクタ素子１１を幅W=０．１ｍ
ｍ、長さＬ=１．５ｍｍとして構成した。即ち、第２の
インダクタ素子１１、コンデンサ９とからなる直列共振
回路２０を付加した。この結果、図４に示すように、送
信信号を１７１０〜１９１０ＭＨｚの２倍の周波数帯域
である３４２０〜３８２０ＭＨｚでは、−３５ｄＢ〜−
３２ｄＢと良好な減数量を得られた。

【００４４】即ち、送信信号である周波数１７１０〜１
９１０ＭＨｚの信号成分はフィルタ回路１９で減衰させ
るとともに、その２倍の周波数３４２０〜３８２０ＭＨ
ｚ帯の高調波成分は、第２のインダクタ素子１１と容量
素子９とで構成される直列共振回路２０でグランド電位
に引き込んでしまう。結局、本発明は、送信信号である
周波数１７１０〜１９１０ＭＨｚの信号成分をフィルタ
回路１９で遮断して受信端子３側に漏れることをなくし
（アンテナ端子１から安定的に出力する）、同時に、２
倍の高調波成分を直列共振回路２０でグランド電位に流
し、同じく受信端子３やアンテナ端子１に漏れることが
防止し、２倍の高調波成分による悪影響を実施的に無く
すことができる。

【００４５】また、このような高周波スイッチ回路にお
いて、送信時には、制御端子４に第１及び第２のスイッ
チングダイオード５、６をオフとする信号、例えば、０
Ｖの信号を供給する。これにより、第１のスイッチング
ダイオード５はオフとなり、アンテナから受信された受
信信号が送信信号に流れることがない。また、π型は、
第２のスイッチングダイオード６のオフ容量成分が付加
され、π型フィルタの通過帯域がオン時の時かち変化し
て、受信信号の中心周波数の信号成分を安定して通過さ
せることができる。これにより、受信信号を安定的に受
信端子３に出力することができる。

【００４６】以上のように、本発明の複合高周波回路部
品に用いられる高周波スイッチ回路は、π型フィルタ７
を構成する１つの容量素子９を利用して、第２のインダ
クタ素子１１を付加して、直列共振回路２０を構成して
いる。そして、送信信号の２倍の周波数となるように共
振周波数を設定し、２倍の高調波成分を除去している。

【００４７】このため、特に、送信信号の高調波成分
（主に送信回路中のパワーアンプからのノイズ）を高周
波スイッチ回路内で除去し、送信動作、受信動作が非常
に安定することになる。しかも、部品点数的には、第２
のインダクタ素子を１つだけ付加するというだけで簡単
に達成することができる。

【００４８】これに対して、本発明者は、従来の高周波
スイッチ回路の回路定数として、ストリップ線路を、
幅W=０．１ｍｍ、長さＬ=１５ｍｍとして形成した。
尚、その他の回路構成部品の回路定数は、本発明の回路
定数と同一とした。その結果、図９に示すように、送信
信号を１７１０〜１９１０ＭＨｚの２倍の周波数帯域で
ある３４２０〜３８２０ＭＨｚでは、−３５ｄＢ〜−１
８ｄＢとであった。

【００４９】即ち、本発明の複合高周波回路部品に用い
る高周波スイッチ回路によれば、送信信号の高調波成分
を除去することができ、これにより、安定した通話が可
能となる。しかも、第２のインダクタ素子１１のみを追
加するという非常に簡単な回路構成で達成できる。

【００５０】このような複合高周波回路部品は以下のよ
うに形成される。まず、多層回路基板１０を構成する誘
電体層となるグリーンーシートを形成する。具体的に、
多層回路基板１０の内部形成する容量素子の容量を考慮
して、また、内部または表面に形成するインダクタ導体
の特性を考慮して、所定誘電率の誘電体セラミックを主
成分とするグリーンシートをドクターブレード法や引き
上げ法等を用いて作成する。このグリーンシートを所定
寸法に切断した後、配線パターン間を接続するビアホー
ル導体となる貫通孔を打ち抜きにより形成し、この貫通
孔に導電性ペーストを充填する。その後、各グリーンシ
ート上に内部配線パターンや表面配線パターンとなる導
体膜、容量素子を構成する容量電極、インダクタ素子や
コイルを形成するストリップラインパターン、コイルパ
ターンを導電性ペーストの印刷により形成する。

【００５１】このよう内部配線パターン、ビアホール導
体、表面配線パターンなどとなる導体膜が形成されたグ
リーンシートを、多層回路基板基体の積層順序に応じ
て、積層して、未焼成状態の基体を形成する。このよう
な未焼成状態の積層体に各端子電極１３となる貫通穴を
形成し、その内面に導電性ベーストにより導体膜を形成
し、さらに、必要応じて分割溝を形成する。

【００５２】そして、この積層体を、焼成条件、例え
ば、ピーク温度８００〜１０００℃、例えば９５０℃３
０分の大気雰囲気、または、中性雰囲気で焼成する。

【００５３】その後、焼成された基体に、表面配線層に
接続するように厚膜抵抗膜を焼き付けたり、また、絶縁
保護膜を被覆したりして、最後に、少なくとも高周波ス
イッチ回路ＳＷを構成する回路構成部品１２を実装す
る。

【００５４】その後、必要応じて、焼成した積層基板か
ら、分割溝を形成し、個々の多層回路基板に分割また
は、切断することにより、複合高周波回路部品が達成で
きる。

【００５５】尚、上述の製造方法は、グリーンシートを
利用した多層方法であるが、誘電体磁器層となるスラリ
ーや内部配線、表面配線層となる導電性ペーストを順次
印刷した印刷多層を行ってもよい。この時、スラリーに
光硬化可能なモノマーを添加しておき、グリーンシー
ト、または、塗布印刷した誘電体塗布膜を選択的な露光
・現像処理しても構わない。

【００５６】本発明の複合高周波回路部品において、少
なくとも高周波スイッチ回路ＳＷのπ型フィルタを構成
するインダクタ素子８及び直列共振回路２０を構成する
第２のインダクタ素子１１を、多層回路基板３０の表面
に実装するインダクタ導体膜や回路構成部品３２である
チップインダクタ部品で構成している。

【００５７】特に、インダクク素子８、１１を多層回路
基板３０の表面に形成することにより、厚膜技法で形成
した時の導電性ペースト印刷にじみ、印刷ずれなどの物
理的な誤差をレーザートリミングなどにより簡単に調整
することができる。また、チップインダクタ部品で構成
することにより、上述のように固定的な値に設定するこ
とができ、製造誤差が発生しない。また、高周波スイッ
チ回路の多層回路基板３０を共用しておき、要求特性に
応じて用いるチップインダクタ部品のみを選択実装する
だけで対応できることになる。

【００５８】尚、上述の実施例では１つの通信システム
の送受信信号を切り換える高周波スイッチ回路を例にし
ているが、例えば、例えば、ＧＳＭ通信方式（送受信周
波数に９００ＭＨｚ帯を利用）とＰＣＳ通信方式（同じ
く１．８ＧＨｚ帯）及びまたはＤＣＳ通信方式（同じく
１．９ＧＨｚ帯）のスイッチ回路を構成した場合、図５
に示すように、アンテナＡＮＴにローパスフィルタ、ハ
イパスフィルタ（バンドパスフィルタ）を具備するダイ
プレクサＤＩＰＸを接続し、このダイプレクサＤＩＰＸ
の例えば約１．３ＧＨｚのローパスフィルタでＧＳＭ通
信方式の送受信信号を高周波スイッチ回路ＳＷｇで処理
するようにして、同じく１．３ＧＨｚのハイパスにて、
ＰＣＳ通信方式、ＤＣＳ通信方式の送受信信号を高周波
スイッチ回路ＳＷp/dで処理するようにしてもよい。
尚、図５では、ＰＣＳ通信方式、ＤＣＳ通信方式の周波
数帯が近接しているため、高周波スイッチ回路ＳＷp/d
の送信ライン系は共用している。こらに、受信系ライン
に対しては、ＰＣＳ通信方式、ＤＣＳ通信方式の受信信
号を切り換える高周波スイッチ回路ＳＷRを配置してい
る。

【００５９】本発明では、一方の通信方式、例えばＧＳ
Ｍ通信方式（９００ＭＨｚ）と、他方の通信方式、例え
ばＰＣＳ通信方式、ＤＣＳ通信方式が、その一方の通信
方式の２倍である約１．８ＧＨｚで用いられている。こ
のような場合、ＰＣＳ通信方式、ＤＣＳ通信方式に送信
信号に対して不要なＧＳＭ通信方式（９００ＭＨｚ）の
送信信号の２倍の高調波成分を除去できるため、この高
調波成分が高周波スイッチ回路ＳＷp/d側にノイズとし
てリークして、ダイプレクサＤＩＰＸのハイパスフィル
タ機能を介してアンテナＡＮＴから出力されることが一
切ない。

【００６０】

【発明の効果】以上のように、本発明の複合高周波回路
部品では、この部品に形成される高周波水チ回路が、送
信信号の通過を阻止し、受信信号を通過させるπ型フル
タを用いる。これにより、送信、受信時の信号損失を同
じに低減することができる複合高周波回路部品となる。
また、送信信号の２倍の高調波成分の周波数帯域が拡大
しても、この高調波成分を直列共振回路からグランド電
位に安定的に逃がすことができる。これにより、高調波
成分が他の信号または他のスイッチ回路や他の高周波回
路に悪影響を与えることがなく、安定した送受信が可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合高周波回路部品の外観斜視図であ
る。

【図２】本発明の複合高周波回路部品に用いられる高周
波スイッチ回路を示す回路図である。

【図３】本発明に係る高周波スイッチ回路の送信時の等
価回路図である。

【図４】本発明に係る高周波スイッチ回路の送信時の直
列共振回路部分の減衰特性を示す特性図である。

【図５】他の高周波スイッチ回路のブロック回路図であ
る。

【図６】複合高周波回路部品を構成する高周波スイッチ
回路を含むブロック回路図である。

【図７】従来の高周波スイッチ回路の回路図である。

【図８】（ａ）は、従来の高周波スイッチ回路の送信時
の等価回路図、（ｂ）は受信時の等価回路図である。

【図９】従来の高周波スイッチ回路の送信時の高調波成
分の減衰特性を示す特性図である。

【符号の説明】

３０多層回路基板３２回路構成部品１アンテナ端子２送信端子３受信端子４制御端子５第１のスイッチングダイオード６第２のスイッチングダイオード７ π型フィルタ８第１のインダクタ素子９、１０容量素子１１第２のインダクタ素子１９フィルタ回路２０直列共振回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の誘電体層を積層して成る多層回路基
板に、アンテナと受信回路との接続、送信回路と前記ア
ンテナとの接続を切り換えるスイッチ回路を備え、多層
回路基板の端面に少なくともアンテナと接続する端子電
極を備えた複合高周波回路部品において、前記アンテナ端子と前記受信回路との間に、受信信号を
通過させ且つ送信信号を遮断する第１のインダクタ素子
と容量素子とからなるπ型フィルタを配置するととも
に、前記π型フィルタの１つの容量素子と直列接続し、且つ
送信信号の周波数の略２倍の周波数を共振周波数とする
直列共振回路を構成する第２のインダクタ素子を配置し
たことを特徴とする複合高周波回路部品。
【請求項２】前記第１のインダクタ素子及び第２のイ
ンダクタ素子が前記多層回路基板の表面に被着させたイ
ンダクタ導体膜で形成されていることを特徴とする請求
項１記載の複合高周波回路部品。
【請求項３】前記第１のインダクタ素子及び第２のイ
ンダクタ素子が、前記多層回路基板の表面に実装された
チップインダクタ部品であることを特徴とする請求項１
記載の複合高周波回路部品。
【請求項４】前記容量素子が、前記多層回路基板の表
面に実装されたチップコンデンサ部品であることを特徴
とする請求項１記載の複合高周波回路部品。