JP2003077682A - エレクトロルミネッセント表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセント表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型のＥＬ表示装置を比較的安価に提供す
る。 【解決手段】 エレクトロルミネッセント表示装置は、
第１および第２電極と、第１および第２電極間に設けら
れた電界発光体と、第２電極に対して電界発光体の反対
側に設けられた励起光発光手段と、を具備しており、第
２電極は、発光手段が発光した光によって励起され電界
発光体へ電子を放出するフォトカソード層を含んでお
り、電界発光体は、フォトカソード層から放出された電
子が第１電極から輸送されてきた正孔と結合することに
よって発光する。
る。 【解決手段】 エレクトロルミネッセント表示装置は、
第１および第２電極と、第１および第２電極間に設けら
れた電界発光体と、第２電極に対して電界発光体の反対
側に設けられた励起光発光手段と、を具備しており、第
２電極は、発光手段が発光した光によって励起され電界
発光体へ電子を放出するフォトカソード層を含んでお
り、電界発光体は、フォトカソード層から放出された電
子が第１電極から輸送されてきた正孔と結合することに
よって発光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネッ
セント（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ：以
下ＥＬとも表記する）表示装置に関し、特に大面積かつ
高精細な画像を表示するためのフラットパネルディスプ
レイとして好適なエレクトロルミネッセント表示装置に
関する。
セント（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ：以
下ＥＬとも表記する）表示装置に関し、特に大面積かつ
高精細な画像を表示するためのフラットパネルディスプ
レイとして好適なエレクトロルミネッセント表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電気信号に応答して多色表示するカラー
表示装置としては、ブラウン管が広く利用されている。
また、カラー表示装置の薄型化のために液晶型素子も開
発されている。さらに、高輝度の発光を得ることができ
るＥＬを用いた素子が開発されている。
表示装置としては、ブラウン管が広く利用されている。
また、カラー表示装置の薄型化のために液晶型素子も開
発されている。さらに、高輝度の発光を得ることができ
るＥＬを用いた素子が開発されている。
【０００３】特開平３−２３３８９１号公報には、この
ＥＬ素子を用いたＥＬ表示装置が開示されている。この
ＥＬ表示装置は、Ｘ−Ｙ単純マトリクス電極によってＥ
Ｌ素子を単純駆動させて画像を表示する。この単純駆動
を行なう有機ＥＬ表示装置は、明るく、広い視野角を持
つと言う長所を持ち、さらに比較的安価な表示装置とし
て広く用いる事が出来る。しかしながら、このようにＥ
Ｌ素子を単純駆動する有機ＥＬ表示装置は、パソコンモ
ニター、ＴＶ受像機等のように、走査線数が比較的多い
表示装置に適用する場合には、走査線１本あたりに割り
当てられる発光時間（デューティ比）が短くなると言う
問題が生じる。この問題をＥＬ素子の瞬間的な発光輝度
の増加によって補おうとすると、消費電力が増加し、そ
れに伴って発光層の寿命低下が著しくなり、実用的な表
示装置として用いることができない。
ＥＬ素子を用いたＥＬ表示装置が開示されている。この
ＥＬ表示装置は、Ｘ−Ｙ単純マトリクス電極によってＥ
Ｌ素子を単純駆動させて画像を表示する。この単純駆動
を行なう有機ＥＬ表示装置は、明るく、広い視野角を持
つと言う長所を持ち、さらに比較的安価な表示装置とし
て広く用いる事が出来る。しかしながら、このようにＥ
Ｌ素子を単純駆動する有機ＥＬ表示装置は、パソコンモ
ニター、ＴＶ受像機等のように、走査線数が比較的多い
表示装置に適用する場合には、走査線１本あたりに割り
当てられる発光時間（デューティ比）が短くなると言う
問題が生じる。この問題をＥＬ素子の瞬間的な発光輝度
の増加によって補おうとすると、消費電力が増加し、そ
れに伴って発光層の寿命低下が著しくなり、実用的な表
示装置として用いることができない。
【０００４】特開平８−２４１０４７号公報には、アク
ティブマトリクス駆動を行なうＥＬ表示装置が開示され
ている。このＥＬ表示装置は、ＴＦＴ等のアクティブ素
子を用いてＥＬ素子をアクティブマトリックス駆動させ
る。このＥＬ表示装置によれば、各画素を構成するＥＬ
素子の発光を１画面表示期間中ＴＦＴをオンすることに
よって持続する事が出来るので（メモリー機能と言
う）、発光輝度を瞬間的に増加させる必要が無く、発光
層の寿命低下を回避する事が出来る。
ティブマトリクス駆動を行なうＥＬ表示装置が開示され
ている。このＥＬ表示装置は、ＴＦＴ等のアクティブ素
子を用いてＥＬ素子をアクティブマトリックス駆動させ
る。このＥＬ表示装置によれば、各画素を構成するＥＬ
素子の発光を１画面表示期間中ＴＦＴをオンすることに
よって持続する事が出来るので（メモリー機能と言
う）、発光輝度を瞬間的に増加させる必要が無く、発光
層の寿命低下を回避する事が出来る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＦＴ
素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置にお
いては、例えば対角４０インチの大画面においてＶＧ
Ａ，ＸＧＡと言った大量の画素数を有する高精細な画像
を表示しようとすると、欠陥の無いＴＦＴ素子を大量に
作り込む事は容易でないため、極めてコスト高な表示装
置となる。従って、現状では対角３０インチ程度がアク
ティブマトリックス型表示装置における実用的な大きさ
の限界となっている。
素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置にお
いては、例えば対角４０インチの大画面においてＶＧ
Ａ，ＸＧＡと言った大量の画素数を有する高精細な画像
を表示しようとすると、欠陥の無いＴＦＴ素子を大量に
作り込む事は容易でないため、極めてコスト高な表示装
置となる。従って、現状では対角３０インチ程度がアク
ティブマトリックス型表示装置における実用的な大きさ
の限界となっている。
【０００６】本発明はこの従来の問題を解決するもの
で、大型画面において高精細な画像を表示することがで
きるＥＬ表示装置を比較的安価に提供することを目的と
している。
で、大型画面において高精細な画像を表示することがで
きるＥＬ表示装置を比較的安価に提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明に係るエレクトロル
ミネッセント表示装置は、第１および第２電極と、該第
１および第２電極間に設けられた電界発光体と、該第２
電極に対して該電界発光体の反対側に設けられ励起光を
発光する発光手段と、を具備しており、該第２電極は、
該発光手段が発光した該励起光によって励起され該電界
発光体へ電子を放出するフォトカソード層を含んでお
り、該電界発光体は、該フォトカソード層から放出され
た該電子が該第１電極から輸送されてきた正孔と結合す
ることによって、画像を表示するための表示光を発光す
ることを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。
ミネッセント表示装置は、第１および第２電極と、該第
１および第２電極間に設けられた電界発光体と、該第２
電極に対して該電界発光体の反対側に設けられ励起光を
発光する発光手段と、を具備しており、該第２電極は、
該発光手段が発光した該励起光によって励起され該電界
発光体へ電子を放出するフォトカソード層を含んでお
り、該電界発光体は、該フォトカソード層から放出され
た該電子が該第１電極から輸送されてきた正孔と結合す
ることによって、画像を表示するための表示光を発光す
ることを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。
【０００８】前記電界発光体は、少なくとも一層の有機
薄膜を含んでいてもよい。
薄膜を含んでいてもよい。
【０００９】前記発光手段は、該フォトカソード層に対
して該電界発光体の反対側に設けられた第１基板と、該
第１基板に対して該フォトカソード層の反対側に設けら
れた第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に所定
の空間であるプラズマチャネルを形成するように設けら
れたリブ隔壁と、該プラズマチャネルに設けられたプラ
ズマ放電用電極と、を含んでおり、該プラズマチャネル
には、プラズマ化可能なガスが封入されており、該プラ
ズマ放電用電極に印加された電圧によって、該ガスはプ
ラズマ化して該励起光を発光してもよい。
して該電界発光体の反対側に設けられた第１基板と、該
第１基板に対して該フォトカソード層の反対側に設けら
れた第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に所定
の空間であるプラズマチャネルを形成するように設けら
れたリブ隔壁と、該プラズマチャネルに設けられたプラ
ズマ放電用電極と、を含んでおり、該プラズマチャネル
には、プラズマ化可能なガスが封入されており、該プラ
ズマ放電用電極に印加された電圧によって、該ガスはプ
ラズマ化して該励起光を発光してもよい。
【００１０】前記第２電極と前記プラズマチャネルとの
いずれかに該プラズマ光の波長を変換するための蛍光体
が設けられていてもよい。
いずれかに該プラズマ光の波長を変換するための蛍光体
が設けられていてもよい。
【００１１】該発光手段は、該励起光を発光するバック
ライトと、該バックライトが発光した該励起光の透過／
非透過を切り替えるためのスイッチング部とを含んでい
てもよい。
ライトと、該バックライトが発光した該励起光の透過／
非透過を切り替えるためのスイッチング部とを含んでい
てもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】図１は、本実施の形態における有機ＥＬ表
示装置１００の一例を示す概略図である。この有機ＥＬ
表示装置１００は、対角４０インチ以上の大画面におい
て高精細な画像を表示することができる装置である。図
１（ａ）は、この有機ＥＬ表示装置１００の断面図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるプラズマチャネ
ル部（第１基板６と第２基板９とに挟まれた部分）の構
造例を示す図である。
示装置１００の一例を示す概略図である。この有機ＥＬ
表示装置１００は、対角４０インチ以上の大画面におい
て高精細な画像を表示することができる装置である。図
１（ａ）は、この有機ＥＬ表示装置１００の断面図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるプラズマチャネ
ル部（第１基板６と第２基板９とに挟まれた部分）の構
造例を示す図である。
【００１４】有機ＥＬ表示装置１００は、第１基板６を
備えている。この第１基板６は、透明性かつ絶縁性を有
するガラス等の材料によって形成されている。この第１
基板６には、第２電極１０３が設けられ、この第２電極
１０３上に有機ＥＬ素子１０１を介して第１電極１０２
が積層されている。第１電極１０２にはプラスの電圧が
印加され、第２電極１０３にはマイナスの電圧が印加さ
れるか、またはグランド電位になるようにされている。
備えている。この第１基板６は、透明性かつ絶縁性を有
するガラス等の材料によって形成されている。この第１
基板６には、第２電極１０３が設けられ、この第２電極
１０３上に有機ＥＬ素子１０１を介して第１電極１０２
が積層されている。第１電極１０２にはプラスの電圧が
印加され、第２電極１０３にはマイナスの電圧が印加さ
れるか、またはグランド電位になるようにされている。
【００１５】第２電極１０３は、第１基板６上に設けら
れた電極１０３Ｂと電極１０３Ｂ上に積層されたフォト
カソード層１０３Ａとを有している。有機ＥＬ素子１０
１は、フォトカソード層１０３Ａ上に積層された電子輸
送層兼発光層１０１Ｂと電子輸送層兼発光層１０１Ｂ上
に積層された正孔輸送層１０１Ａとを有している。そし
て、正孔輸送層１０１Ａ上に第１電極１０２が積層され
ている。第１電極１０２は、有機ＥＬ素子１０１および
第２電極１０３の側面を覆って第１基板６上に積層され
ている。
れた電極１０３Ｂと電極１０３Ｂ上に積層されたフォト
カソード層１０３Ａとを有している。有機ＥＬ素子１０
１は、フォトカソード層１０３Ａ上に積層された電子輸
送層兼発光層１０１Ｂと電子輸送層兼発光層１０１Ｂ上
に積層された正孔輸送層１０１Ａとを有している。そし
て、正孔輸送層１０１Ａ上に第１電極１０２が積層され
ている。第１電極１０２は、有機ＥＬ素子１０１および
第２電極１０３の側面を覆って第１基板６上に積層され
ている。
【００１６】第１電極１０２は、ＩＴＯ（インジウム・
錫酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛等の透明導電体によって
構成されている。有機ＥＬ素子１０１の正孔輸送層１０
１ＡはＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）等によって構
成されており、電子輸送層兼発光層１０１ＢはＡｌｑ3
（アルミキノリノール錯体）等によって構成されてい
る。第２電極１０３のフォトカソード層１０３Ａは貴金
属薄膜によって構成されており、電極１０３ＢはＩＴＯ
によって構成されている。フォトカソード層１０３Ａ自
体が有為な電気伝導度を持つ場合には、ＩＴＯによって
構成されている電極１０３Ｂは省略することができ、フ
ォトカソード層１０３Ａそのものが第２電極１０３とな
る。
錫酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛等の透明導電体によって
構成されている。有機ＥＬ素子１０１の正孔輸送層１０
１ＡはＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）等によって構
成されており、電子輸送層兼発光層１０１ＢはＡｌｑ3
（アルミキノリノール錯体）等によって構成されてい
る。第２電極１０３のフォトカソード層１０３Ａは貴金
属薄膜によって構成されており、電極１０３ＢはＩＴＯ
によって構成されている。フォトカソード層１０３Ａ自
体が有為な電気伝導度を持つ場合には、ＩＴＯによって
構成されている電極１０３Ｂは省略することができ、フ
ォトカソード層１０３Ａそのものが第２電極１０３とな
る。
【００１７】第１基板６に対して有機ＥＬ素子１０１の
反対側には、第２基板９が設けられている。この第２基
板９は、絶縁性を有する材料によって構成されている。
第１基板１と第２基板９との間には、格子状に形成され
たリブ隔壁８が設けられている。このリブ隔壁８と第１
基板１と第２基板９とによって囲まれたそれぞれの空間
は、プラズマチャネル１０４を形成している。マトリッ
クス状に配置された各プラズマチャネル１０４は、第１
基板６と第２基板９との間隙に相当する一定の高さ（１
００〜５００μｍ）を有している。このプラズマチャネ
ル１０４には、Ｘｅ、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガス等のイオン化
可能なガスが封入されている。第１基板６におけるプラ
ズマチャネル１０４側の表面には、それぞれがストライ
プ状になった複数の放電電極７Ａが適当な間隔をあけて
平行に形成されており、各放電電極７Ａは、所定方向に
沿って各プラズマチャネル１０４の中央部に対向してい
る。また、第２基板９におけるプラズマチャネル１０４
側の表面には、各放電電極７Ａと各プラズマチャネル１
０４の中央部において直交するようにそれぞれがストラ
イプ状に形成された複数の放電電極７Ｂが設けられてい
る。なお、放電電極７Ａと放電電極７Ｂとのいずれか一
方のみが形成されていてもよい。
反対側には、第２基板９が設けられている。この第２基
板９は、絶縁性を有する材料によって構成されている。
第１基板１と第２基板９との間には、格子状に形成され
たリブ隔壁８が設けられている。このリブ隔壁８と第１
基板１と第２基板９とによって囲まれたそれぞれの空間
は、プラズマチャネル１０４を形成している。マトリッ
クス状に配置された各プラズマチャネル１０４は、第１
基板６と第２基板９との間隙に相当する一定の高さ（１
００〜５００μｍ）を有している。このプラズマチャネ
ル１０４には、Ｘｅ、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガス等のイオン化
可能なガスが封入されている。第１基板６におけるプラ
ズマチャネル１０４側の表面には、それぞれがストライ
プ状になった複数の放電電極７Ａが適当な間隔をあけて
平行に形成されており、各放電電極７Ａは、所定方向に
沿って各プラズマチャネル１０４の中央部に対向してい
る。また、第２基板９におけるプラズマチャネル１０４
側の表面には、各放電電極７Ａと各プラズマチャネル１
０４の中央部において直交するようにそれぞれがストラ
イプ状に形成された複数の放電電極７Ｂが設けられてい
る。なお、放電電極７Ａと放電電極７Ｂとのいずれか一
方のみが形成されていてもよい。
【００１８】このような構成の有機ＥＬ表示装置では、
第１電極１０２と第２電極１０３との間に、第２電極１
０３側から有機ＥＬ素子１０１への電子の注入が起きな
い程度の電圧が印加される。そして、放電電極７Ａおよ
び７Ｂに所定の電圧を印加すると、プラズマチャネル１
０４内に封入されたガスがイオン化（プラズマ化）す
る。封入されたガスがイオン化（プラズマ化）すると、
各ガス種、ガス圧および印加された電圧に特有の波長を
有するプラズマ光を発光する。
第１電極１０２と第２電極１０３との間に、第２電極１
０３側から有機ＥＬ素子１０１への電子の注入が起きな
い程度の電圧が印加される。そして、放電電極７Ａおよ
び７Ｂに所定の電圧を印加すると、プラズマチャネル１
０４内に封入されたガスがイオン化（プラズマ化）す
る。封入されたガスがイオン化（プラズマ化）すると、
各ガス種、ガス圧および印加された電圧に特有の波長を
有するプラズマ光を発光する。
【００１９】このプラズマ光が第２電極１０３のフォト
カソード層１０３Ａに入射すると、入射光励起によりこ
のフォトカソード層１０３Ａは電子を放出する。第１電
極１０２と第２電極１０３との間に印加された電圧によ
りこの電子が有機ＥＬ素子１０１に流れ込み、第１電極
１０２側から輸送されてきた正孔と結合して画像を表示
するための表示光を発光する。この表示光を有機ＥＬ表
示装置として利用することが出来る。
カソード層１０３Ａに入射すると、入射光励起によりこ
のフォトカソード層１０３Ａは電子を放出する。第１電
極１０２と第２電極１０３との間に印加された電圧によ
りこの電子が有機ＥＬ素子１０１に流れ込み、第１電極
１０２側から輸送されてきた正孔と結合して画像を表示
するための表示光を発光する。この表示光を有機ＥＬ表
示装置として利用することが出来る。
【００２０】プラズマチャネル１０４においては、パル
スメモリ駆動、壁電荷利用メモリ駆動等の駆動方法を用
いる事により、前述したＴＦＴ等のアクティブ素子を用
いた従来のＥＬ表示装置と同様に、各画素の発光を１画
面表示期間中において維持させるメモリー機能を持たせ
ることが出来る。１画面表示期間中に放電電極７Ａと放
電電極７Ｂとの間に印加する放電パルス数を調整するこ
とにより、階調表示を行なうことも出来る。このように
本実施の形態によれば、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用
いなくても、ＥＬ表示装置１００のアクティブ駆動およ
び階調表示を実現することが出来る。このため、ＴＦＴ
素子を無欠陥状態で作製する必要が無く、コストを著し
く低減させることができる。その結果、ＴＶ画像表示可
能な（ＶＧＡ、ＸＧＡレベルの）対角４０インチ以上の
大型表示装置を比較的安価に作製することが出来る。
スメモリ駆動、壁電荷利用メモリ駆動等の駆動方法を用
いる事により、前述したＴＦＴ等のアクティブ素子を用
いた従来のＥＬ表示装置と同様に、各画素の発光を１画
面表示期間中において維持させるメモリー機能を持たせ
ることが出来る。１画面表示期間中に放電電極７Ａと放
電電極７Ｂとの間に印加する放電パルス数を調整するこ
とにより、階調表示を行なうことも出来る。このように
本実施の形態によれば、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用
いなくても、ＥＬ表示装置１００のアクティブ駆動およ
び階調表示を実現することが出来る。このため、ＴＦＴ
素子を無欠陥状態で作製する必要が無く、コストを著し
く低減させることができる。その結果、ＴＶ画像表示可
能な（ＶＧＡ、ＸＧＡレベルの）対角４０インチ以上の
大型表示装置を比較的安価に作製することが出来る。
【００２１】以上のように本実施の形態によれば、プラ
ズマチャネル１０４において発光したプラズマ光をフォ
トカソード層１０３Ａの光源として用いているために、
ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ表示装置
に比べて駆動回路をより簡単にすることができる。従っ
て、大画面において高精細な画像を表示することができ
るＥＬ表示装置を安価に実現することができる。
ズマチャネル１０４において発光したプラズマ光をフォ
トカソード層１０３Ａの光源として用いているために、
ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ表示装置
に比べて駆動回路をより簡単にすることができる。従っ
て、大画面において高精細な画像を表示することができ
るＥＬ表示装置を安価に実現することができる。
【００２２】なお、特開平８−３０４７６８号公報等に
開示されるプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）
に用いられるプラズマスイッチは、プラズマが生成して
いる空間は導電体と見なされるという性質を利用して、
液晶層に電圧を印加するスイッチング素子である。その
ため、ＰＡＬＣにおいてプラズマチャネルと液晶層との
間に設けられる薄板ガラスは絶縁物であり、電子移動、
即ち、電流は生じない。これに対して本願発明のＥＬ表
示装置では、プラズマ放電による光によってフォトカソ
ード層１０３Ａから電子が放出されて有機ＥＬ素子１０
１が発光するようになっており、ＰＡＬＣとはその原理
が異なっている。
開示されるプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）
に用いられるプラズマスイッチは、プラズマが生成して
いる空間は導電体と見なされるという性質を利用して、
液晶層に電圧を印加するスイッチング素子である。その
ため、ＰＡＬＣにおいてプラズマチャネルと液晶層との
間に設けられる薄板ガラスは絶縁物であり、電子移動、
即ち、電流は生じない。これに対して本願発明のＥＬ表
示装置では、プラズマ放電による光によってフォトカソ
ード層１０３Ａから電子が放出されて有機ＥＬ素子１０
１が発光するようになっており、ＰＡＬＣとはその原理
が異なっている。
【００２３】図２は、本実施の形態に係る他の有機ＥＬ
表示装置２００の断面図であり、図１に示す有機ＥＬ表
示装置１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参
照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は
省略する。プラズマチャネル１０４の１つ１つは、表示
装置の１画素に対応する。従って、有機ＥＬ素子を、Ｒ
ＧＢの３原色のそれぞれを発光する材料により、分割し
て形成すれば、カラー表示を行う有機ＥＬ表示装置を得
ることができる。
表示装置２００の断面図であり、図１に示す有機ＥＬ表
示装置１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参
照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は
省略する。プラズマチャネル１０４の１つ１つは、表示
装置の１画素に対応する。従って、有機ＥＬ素子を、Ｒ
ＧＢの３原色のそれぞれを発光する材料により、分割し
て形成すれば、カラー表示を行う有機ＥＬ表示装置を得
ることができる。
【００２４】図２を参照すると、有機ＥＬ表示装置２０
０は、第１基板６を備えている。この第１基板６には、
フォトカソード兼第２電極１０３Ｃが設けられており、
このフォトカソード兼第２電極１０３Ｃ上には、各プラ
ズマチャネル１０４に対応する位置に青発光有機ＥＬ素
子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１Ｂおよび緑発光
有機ＥＬ素子２０１Ｃがそれぞれ設けられている。各青
発光有機ＥＬ素子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１
Ｂおよび緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃ上には第１電極１
０２Ａが設けられている。
０は、第１基板６を備えている。この第１基板６には、
フォトカソード兼第２電極１０３Ｃが設けられており、
このフォトカソード兼第２電極１０３Ｃ上には、各プラ
ズマチャネル１０４に対応する位置に青発光有機ＥＬ素
子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１Ｂおよび緑発光
有機ＥＬ素子２０１Ｃがそれぞれ設けられている。各青
発光有機ＥＬ素子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１
Ｂおよび緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃ上には第１電極１
０２Ａが設けられている。
【００２５】第１基板６に対して第１電極１０２Ａの反
対側には、第２基板９が設けられている。第１基板６と
第２基板９との間には、格子状に形成されたリブ隔壁８
が設けられている。このリブ隔壁８と第１基板６と第２
基板９とによって囲まれたそれぞれの空間は、青発光有
機ＥＬ素子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１Ｂおよ
び緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃのそれぞれに対応するプ
ラズマチャネル１０４を形成している。
対側には、第２基板９が設けられている。第１基板６と
第２基板９との間には、格子状に形成されたリブ隔壁８
が設けられている。このリブ隔壁８と第１基板６と第２
基板９とによって囲まれたそれぞれの空間は、青発光有
機ＥＬ素子２０１Ａ、赤発光有機ＥＬ素子２０１Ｂおよ
び緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃのそれぞれに対応するプ
ラズマチャネル１０４を形成している。
【００２６】このように、各第１電極１０２Ａと第２電
極１０３Ｃとの間に設けられる有機ＥＬ素子を、ＲＧＢ
の３原色のそれぞれを発光する材料である、赤発光有機
ＥＬ素子２０１Ｂ、緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃおよび
青発光有機ＥＬ素子２０１Ａとして形成すると、カラー
表示を行う有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
極１０３Ｃとの間に設けられる有機ＥＬ素子を、ＲＧＢ
の３原色のそれぞれを発光する材料である、赤発光有機
ＥＬ素子２０１Ｂ、緑発光有機ＥＬ素子２０１Ｃおよび
青発光有機ＥＬ素子２０１Ａとして形成すると、カラー
表示を行う有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２７】図３は、本実施の形態に係るさらに他の有
機ＥＬ表示装置３００の断面図である。有機ＥＬ素子を
白色発光する材料によって形成した上でカラーフィルタ
を設けることによっても、カラー表示を行う有機ＥＬ表
示装置を得ることができる。
機ＥＬ表示装置３００の断面図である。有機ＥＬ素子を
白色発光する材料によって形成した上でカラーフィルタ
を設けることによっても、カラー表示を行う有機ＥＬ表
示装置を得ることができる。
【００２８】図３を参照すると、有機ＥＬ表示装置３０
０は、第１基板６を備えている。この第１基板６には、
フォトカソード兼第２電極１０３Ｄが設けられており、
このフォトカソード兼第２電極１０３Ｄ上の各プラズマ
チャネルに対応する位置には、白色光有機ＥＬ素子３０
１が設けられている。各白色光有機ＥＬ素子３０１上に
は第１電極１０２Ｂが積層されており、各第１電極１０
２Ｂ上には、青カラーフィルタ１８、赤カラーフィルタ
１９および緑カラーフィルタ２０がそれぞれ設けられて
いる。
０は、第１基板６を備えている。この第１基板６には、
フォトカソード兼第２電極１０３Ｄが設けられており、
このフォトカソード兼第２電極１０３Ｄ上の各プラズマ
チャネルに対応する位置には、白色光有機ＥＬ素子３０
１が設けられている。各白色光有機ＥＬ素子３０１上に
は第１電極１０２Ｂが積層されており、各第１電極１０
２Ｂ上には、青カラーフィルタ１８、赤カラーフィルタ
１９および緑カラーフィルタ２０がそれぞれ設けられて
いる。
【００２９】このように、有機ＥＬ素子を白色光有機Ｅ
Ｌ素子３０１によって形成した上で、各第１電極１０２
Ｂ上にカラーフィルタを設けることによっても、カラー
表示を行う有機ＥＬ表示装置を得ることができる。白色
光有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ以外に
も、青色光有機ＥＬ素子と色変換層（青→緑と青→赤）
の組み合わせによってもカラー表示を行うことができ
る。
Ｌ素子３０１によって形成した上で、各第１電極１０２
Ｂ上にカラーフィルタを設けることによっても、カラー
表示を行う有機ＥＬ表示装置を得ることができる。白色
光有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ以外に
も、青色光有機ＥＬ素子と色変換層（青→緑と青→赤）
の組み合わせによってもカラー表示を行うことができ
る。
【００３０】図４〜図７は、本実施の形態に係るさらに
他の有機ＥＬ表示装置４００の製造方法の説明図であ
る。この有機ＥＬ表示装置４００は、有機ＥＬ素子を第
３基板に形成し、この第３基板を第１基板ならびに第２
基板によって作製したプラズマチャネルと貼り合わせる
という製造方法によって製造される。以下この製造方法
を詳細に説明する。
他の有機ＥＬ表示装置４００の製造方法の説明図であ
る。この有機ＥＬ表示装置４００は、有機ＥＬ素子を第
３基板に形成し、この第３基板を第１基板ならびに第２
基板によって作製したプラズマチャネルと貼り合わせる
という製造方法によって製造される。以下この製造方法
を詳細に説明する。
【００３１】図４（ａ）および図４（ｂ）は、この有機
ＥＬ表示装置４００の第３基板に第１電極を作成する工
程の説明図であり、図５（ａ）および図５（ｂ）は、有
機ＥＬ素子を第３基板に作成する工程の説明図である。
図６（ａ）および図６（ｂ）は、この有機ＥＬ表示装置
４００の第３基板に第２電極を作成する工程の説明図で
あり、図７（ａ）および図７（ｂ）は、この第３基板を
プラズマチャンネルに貼り合わせる工程の説明図であ
る。
ＥＬ表示装置４００の第３基板に第１電極を作成する工
程の説明図であり、図５（ａ）および図５（ｂ）は、有
機ＥＬ素子を第３基板に作成する工程の説明図である。
図６（ａ）および図６（ｂ）は、この有機ＥＬ表示装置
４００の第３基板に第２電極を作成する工程の説明図で
あり、図７（ａ）および図７（ｂ）は、この第３基板を
プラズマチャンネルに貼り合わせる工程の説明図であ
る。
【００３２】図４（ａ）および図４（ｂ）を参照する
と、ガラス基板によって構成されている第３基板２４上
にＩＴＯ等によって構成されている第１電極（陽極）１
０２Ｃを形成する。次に図５（ａ）および図５（ｂ）を
参照すると、その第１電極１０２Ｃの上に有機ＥＬ素子
４０１を形成する。例えば図５（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、正孔注入層４０１Ｃ、正孔輸送層４０１Ａおよび
電子輸送層兼発光層４０１Ｂをこの順に蒸着する。正孔
注入層４０１Ｃは、銅フタロシアニンによって構成され
ており、正孔輸送層４０１Ａは、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’
−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベン
ジジン）によって構成されており、電子輸送層兼発光層
４０１Ｂは、Ａｌｑ3によって構成されている。
と、ガラス基板によって構成されている第３基板２４上
にＩＴＯ等によって構成されている第１電極（陽極）１
０２Ｃを形成する。次に図５（ａ）および図５（ｂ）を
参照すると、その第１電極１０２Ｃの上に有機ＥＬ素子
４０１を形成する。例えば図５（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、正孔注入層４０１Ｃ、正孔輸送層４０１Ａおよび
電子輸送層兼発光層４０１Ｂをこの順に蒸着する。正孔
注入層４０１Ｃは、銅フタロシアニンによって構成され
ており、正孔輸送層４０１Ａは、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’
−ビス−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベン
ジジン）によって構成されており、電子輸送層兼発光層
４０１Ｂは、Ａｌｑ3によって構成されている。
【００３３】次に図６（ａ）および図６（ｂ）に示すよ
うに、電子輸送層兼発光層４０１Ｂ上にフォトカソード
層兼第２電極１０３Ｅを形成する。このフォトカソード
層兼第２電極１０３Ｅは、正孔注入層４０１Ｃ、正孔輸
送層４０１Ａおよび電子輸送層兼発光層４０１Ｂの側面
を覆って第３基板２４上に形成されている。このフォト
カソード層兼第２電極１０３Ｅの材料としては、例えば
Ａｇ−Ｏ−Ｃｓ、ＧａＡｓ（Ｃｓ）、ＩｎＧａＡｓ（Ｃ
ｓ）、Ｓｂ−Ｃｓ、Ｓｂ−Ｒｂ−Ｃｓ、Ｓｂ−Ｋ−Ｃ
ｓ、Ｎａ−Ｋ−Ｓｂ、Ｎａ−Ｋ−Ｓｂ−Ｃｓ、Ｃｓ−Ｔ
ｅ、Ｃｓ−Ｉを挙げることができるが、もちろんこれら
に限らず、いかなる公知の材料を用いてもよい。
うに、電子輸送層兼発光層４０１Ｂ上にフォトカソード
層兼第２電極１０３Ｅを形成する。このフォトカソード
層兼第２電極１０３Ｅは、正孔注入層４０１Ｃ、正孔輸
送層４０１Ａおよび電子輸送層兼発光層４０１Ｂの側面
を覆って第３基板２４上に形成されている。このフォト
カソード層兼第２電極１０３Ｅの材料としては、例えば
Ａｇ−Ｏ−Ｃｓ、ＧａＡｓ（Ｃｓ）、ＩｎＧａＡｓ（Ｃ
ｓ）、Ｓｂ−Ｃｓ、Ｓｂ−Ｒｂ−Ｃｓ、Ｓｂ−Ｋ−Ｃ
ｓ、Ｎａ−Ｋ−Ｓｂ、Ｎａ−Ｋ−Ｓｂ−Ｃｓ、Ｃｓ−Ｔ
ｅ、Ｃｓ−Ｉを挙げることができるが、もちろんこれら
に限らず、いかなる公知の材料を用いてもよい。
【００３４】このフォトカソード層兼第２電極１０３Ｅ
は、第２電極（陰極）としても作用する。このフォトカ
ソード層兼第２電極１０３Ｅ上に、電気抵抗値の低下を
目的として、ＩＴＯ等によって構成されている透明電極
を形成しても良いし、ストライプ状もしくはメッシュ状
の金属電極（バス電極）を形成しても良い。さらに、こ
のフォトカソード層１０３Ｅと電子輸送層兼発光層４０
１Ｂとの間に、一般的な有機ＥＬ素子の陰極材料として
広く用いられているＡｌ，Ｌｉ，Ｍｇ等の金属材料、ま
たはそれらの合金を含んでいる層を画素の位置に合わせ
て配置しても良い。これはフォトカソード層兼第２電極
１０３Ｅから発生する電子を効率的に電子輸送層兼発光
層４０１Ｂに注入することができる効果が期待できるか
らである。
は、第２電極（陰極）としても作用する。このフォトカ
ソード層兼第２電極１０３Ｅ上に、電気抵抗値の低下を
目的として、ＩＴＯ等によって構成されている透明電極
を形成しても良いし、ストライプ状もしくはメッシュ状
の金属電極（バス電極）を形成しても良い。さらに、こ
のフォトカソード層１０３Ｅと電子輸送層兼発光層４０
１Ｂとの間に、一般的な有機ＥＬ素子の陰極材料として
広く用いられているＡｌ，Ｌｉ，Ｍｇ等の金属材料、ま
たはそれらの合金を含んでいる層を画素の位置に合わせ
て配置しても良い。これはフォトカソード層兼第２電極
１０３Ｅから発生する電子を効率的に電子輸送層兼発光
層４０１Ｂに注入することができる効果が期待できるか
らである。
【００３５】上記第１電極１０２Ｃとフォトカソード層
兼第２電極１０３Ｅとは基本的に一体形成できるが、必
要に応じて（例えば、クロストーク防止を目的として）
これらをストライプ状に形成しても構わない。
兼第２電極１０３Ｅとは基本的に一体形成できるが、必
要に応じて（例えば、クロストーク防止を目的として）
これらをストライプ状に形成しても構わない。
【００３６】図７（ａ）および図７（ｂ）を参照する
と、第３基板２４への第１電極１０２Ｃ、有機ＥＬ素子
４０１およびフォトカソード層兼第２電極１０３Ｅの形
成とは別個に、第１基板（中間基板）３０と第２基板
（背面基板）３４とを用いてプラズマチャネル４０４を
作製する。これら中間基板３０と背面基板３４と格子状
に設けられたリブ隔壁３３とで形成されるプラズマチャ
ネル４０４は、３原色の蛍光体を省略したカラーＰＤＰ
の構造と同様であり、いわゆるＡＣ型ＰＤＰ，ＤＣ型Ｐ
ＤＰのいずれの構造であっても良いが、ここではＡＣ型
ＰＤＰに類似の構造について説明する。即ち、中間基板
３０と背面基板３４とにはそれぞれストライプ状の図示
しない放電電極と誘電体３１とＭｇＯ薄膜３２とが配置
されており、図示しない両放電電極は互いに直交するよ
うに配置されている。
と、第３基板２４への第１電極１０２Ｃ、有機ＥＬ素子
４０１およびフォトカソード層兼第２電極１０３Ｅの形
成とは別個に、第１基板（中間基板）３０と第２基板
（背面基板）３４とを用いてプラズマチャネル４０４を
作製する。これら中間基板３０と背面基板３４と格子状
に設けられたリブ隔壁３３とで形成されるプラズマチャ
ネル４０４は、３原色の蛍光体を省略したカラーＰＤＰ
の構造と同様であり、いわゆるＡＣ型ＰＤＰ，ＤＣ型Ｐ
ＤＰのいずれの構造であっても良いが、ここではＡＣ型
ＰＤＰに類似の構造について説明する。即ち、中間基板
３０と背面基板３４とにはそれぞれストライプ状の図示
しない放電電極と誘電体３１とＭｇＯ薄膜３２とが配置
されており、図示しない両放電電極は互いに直交するよ
うに配置されている。
【００３７】さらに、このプラズマチャネル４０４の内
壁、もしくはフォトカソード層兼第２電極１０３Ｅのプ
ラズマチャネル４０４側の界面には、プラズマ光を波長
変換するための蛍光体を配置しても良い。この蛍光体の
配置の有無は、フォトカソード層兼第２電極１０３Ｅの
感度波長とプラズマチャネル４０４内に封入されたガス
の圧力および種類を考慮して選択すれば良い（ここでは
図の簡略化のために蛍光体の無い場合を示す）。
壁、もしくはフォトカソード層兼第２電極１０３Ｅのプ
ラズマチャネル４０４側の界面には、プラズマ光を波長
変換するための蛍光体を配置しても良い。この蛍光体の
配置の有無は、フォトカソード層兼第２電極１０３Ｅの
感度波長とプラズマチャネル４０４内に封入されたガス
の圧力および種類を考慮して選択すれば良い（ここでは
図の簡略化のために蛍光体の無い場合を示す）。
【００３８】このプラズマチャネル４０４内に封入する
ガスの圧力および種類は、フォトカソード層兼第２電極
１０３Ｅの感度波長、放電電極に印加される電圧等を考
慮して適時選択すれば良い。このガスの圧力および種類
の一例として２００ＴｏｒｒのＮｅ−Ｘｅ混合ガスを挙
げる事が出来る。
ガスの圧力および種類は、フォトカソード層兼第２電極
１０３Ｅの感度波長、放電電極に印加される電圧等を考
慮して適時選択すれば良い。このガスの圧力および種類
の一例として２００ＴｏｒｒのＮｅ−Ｘｅ混合ガスを挙
げる事が出来る。
【００３９】図７（ａ）に示すように、中間基板３０に
第３基板２４を接着剤３６によって貼り合わせると、有
機ＥＬ表示装置４００が完成する。
第３基板２４を接着剤３６によって貼り合わせると、有
機ＥＬ表示装置４００が完成する。
【００４０】このような構成の有機ＥＬ表示装置４００
では、プラズマチャネル４０４のうちの所定のプラズマ
チャネルを選択し、図示しない放電電極に電圧を印加す
ると、そのプラズマチャネル４０４内に封入されたガス
がイオン化（プラズマ化）する。封入されたガスがイオ
ン化（プラズマ化）すると、各ガス種、ガス圧および印
加された電圧に特有の波長を有するプラズマ光を発光す
る。このプラズマ光がフォトカソード兼第２電極１０３
Ｅに入射すると、入射光励起によりフォトカソード兼第
２電極１０３Ｅは電子を放出する。第１電極１０２Ｃと
フォトカソード兼第２電極１０３Ｅとの間に印加された
電圧によりこの電子が有機ＥＬ素子４０１に流れ込み、
第１電極１０２Ｃ側から輸送されてきた正孔と結合して
画像を表示する表示光を発光する。この表示光を有機Ｅ
Ｌ表示装置として利用することが出来る。
では、プラズマチャネル４０４のうちの所定のプラズマ
チャネルを選択し、図示しない放電電極に電圧を印加す
ると、そのプラズマチャネル４０４内に封入されたガス
がイオン化（プラズマ化）する。封入されたガスがイオ
ン化（プラズマ化）すると、各ガス種、ガス圧および印
加された電圧に特有の波長を有するプラズマ光を発光す
る。このプラズマ光がフォトカソード兼第２電極１０３
Ｅに入射すると、入射光励起によりフォトカソード兼第
２電極１０３Ｅは電子を放出する。第１電極１０２Ｃと
フォトカソード兼第２電極１０３Ｅとの間に印加された
電圧によりこの電子が有機ＥＬ素子４０１に流れ込み、
第１電極１０２Ｃ側から輸送されてきた正孔と結合して
画像を表示する表示光を発光する。この表示光を有機Ｅ
Ｌ表示装置として利用することが出来る。
【００４１】プラズマチャネル４０４における発光には
前述したようにメモリー機能を持たせることが出来るの
で、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いなくても１画面表
示期間中各画素の発光を維持する事が出来、発光効率上
の利点が生じる。
前述したようにメモリー機能を持たせることが出来るの
で、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いなくても１画面表
示期間中各画素の発光を維持する事が出来、発光効率上
の利点が生じる。
【００４２】以上のように本実施の形態によれば、プラ
ズマチャネル４０４において発光したプラズマ光をフォ
トカソード兼第２電極１０３Ｅの光源として用いている
ために、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ
表示装置に比べて駆動回路をより簡単にすることができ
る。従って、大画面において高精細な画像を表示するこ
とができるＥＬ表示装置を安価に実現することができ
る。
ズマチャネル４０４において発光したプラズマ光をフォ
トカソード兼第２電極１０３Ｅの光源として用いている
ために、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ
表示装置に比べて駆動回路をより簡単にすることができ
る。従って、大画面において高精細な画像を表示するこ
とができるＥＬ表示装置を安価に実現することができ
る。
【００４３】さらに、プラズマチャネル４０４において
発生するプラズマ光はフォトカソード兼第２電極１０３
Ｅおよび有機ＥＬ素子４０１によって完全に遮られるの
で、利用者に視認される事が無い。従って、ＰＤＰで問
題になっているプラズマ光そのものによるコントラスト
の低下が起きない事も利点として挙げる事が出来る。
発生するプラズマ光はフォトカソード兼第２電極１０３
Ｅおよび有機ＥＬ素子４０１によって完全に遮られるの
で、利用者に視認される事が無い。従って、ＰＤＰで問
題になっているプラズマ光そのものによるコントラスト
の低下が起きない事も利点として挙げる事が出来る。
【００４４】さらに、この有機ＥＬ表示装置において
は、第３基板２４を第１基板３０と貼り合わせる構成を
有しているので、この第３基板２４が、有機ＥＬ素子４
０１および電極（第１電極１０２Ｃ）を物理的な傷、水
分による劣化などから保護するという効果を得ることが
できる。
は、第３基板２４を第１基板３０と貼り合わせる構成を
有しているので、この第３基板２４が、有機ＥＬ素子４
０１および電極（第１電極１０２Ｃ）を物理的な傷、水
分による劣化などから保護するという効果を得ることが
できる。
【００４５】以上のように本実施の形態によれば、イオ
ン化可能なガスからプラズマ光を発光するプラズマチャ
ネルをフォトカソード層を励起する光の光源とする事に
より、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ表
示装置よりも駆動回路が簡単で、比較的安価なＥＬ表示
装置を作製することができる。
ン化可能なガスからプラズマ光を発光するプラズマチャ
ネルをフォトカソード層を励起する光の光源とする事に
より、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いた従来のＥＬ表
示装置よりも駆動回路が簡単で、比較的安価なＥＬ表示
装置を作製することができる。
【００４６】また本実施の形態によれば、プラズマ発光
のメモリー性を用いる事により、ＴＦＴなどのアクティ
ブ素子を作り込まなくても発光にメモリー性を付与する
ことができるので、画素数を増やしても明るいＥＬ表示
装置とする事が出来る。
のメモリー性を用いる事により、ＴＦＴなどのアクティ
ブ素子を作り込まなくても発光にメモリー性を付与する
ことができるので、画素数を増やしても明るいＥＬ表示
装置とする事が出来る。
【００４７】前述した実施の形態においてはフォトカソ
ード層を励起する励起光を発光する発光手段としてプラ
ズマチャネルを用いた例を説明した。しかしながら、本
発明はこれに限定されない。発光手段はフォトカソード
層を励起する励起光を発光するものであればよい。例え
ば、バックライトと、このバックライトが発光したバッ
クライト光を選択的にオンオフするスイッチング部とを
用いてフォトカソード層の励起光源とした例を挙げるこ
とができる。このバックライトとしては通常のＬＣＤに
用いられている冷陰極管が好ましい。励起光として紫外
光を用いる場合には、蛍光体を用いない冷陰極管、ＬＥ
Ｄ等を用いても良い。このスイッチング部としては強誘
電性液晶素子、反誘電性液晶素子、双安定性ネマティッ
ク液晶素子等の双安定性または三安定性を有する液晶素
子が、その高速性ならびにメモリ性の点で好ましい。即
ち、これらの液晶素子は双安定性または三安定性を有し
ているため、前述したプラズマスイッチと同様にＸ−Ｙ
単純マトリックスを用いてメモリ性ならびに階調性を有
するスイッチング素子を作製することができるからであ
る。
ード層を励起する励起光を発光する発光手段としてプラ
ズマチャネルを用いた例を説明した。しかしながら、本
発明はこれに限定されない。発光手段はフォトカソード
層を励起する励起光を発光するものであればよい。例え
ば、バックライトと、このバックライトが発光したバッ
クライト光を選択的にオンオフするスイッチング部とを
用いてフォトカソード層の励起光源とした例を挙げるこ
とができる。このバックライトとしては通常のＬＣＤに
用いられている冷陰極管が好ましい。励起光として紫外
光を用いる場合には、蛍光体を用いない冷陰極管、ＬＥ
Ｄ等を用いても良い。このスイッチング部としては強誘
電性液晶素子、反誘電性液晶素子、双安定性ネマティッ
ク液晶素子等の双安定性または三安定性を有する液晶素
子が、その高速性ならびにメモリ性の点で好ましい。即
ち、これらの液晶素子は双安定性または三安定性を有し
ているため、前述したプラズマスイッチと同様にＸ−Ｙ
単純マトリックスを用いてメモリ性ならびに階調性を有
するスイッチング素子を作製することができるからであ
る。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、大画面に
おいて高精細な画像を表示することができるＥＬ表示装
置を比較的安価に提供することができる。
おいて高精細な画像を表示することができるＥＬ表示装
置を比較的安価に提供することができる。
【図１】（ａ）本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の
断面図である。 （ｂ）図１（ａ）におけるプラズマチャネル部の構造例
を示す図である。
断面図である。 （ｂ）図１（ａ）におけるプラズマチャネル部の構造例
を示す図である。
【図２】本実施の形態に係る他の有機ＥＬ表示装置の断
面図である。
面図である。
【図３】本実施の形態に係るさらに他の有機ＥＬ表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図４】本実施の形態に係るさらに他の有機ＥＬ表示装
置の製造方法における第１電極を作成する工程の説明図
である。 （ａ）第１電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）第１電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の平面図である。
置の製造方法における第１電極を作成する工程の説明図
である。 （ａ）第１電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）第１電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の平面図である。
【図５】本実施の形態に係るさらに他の有機ＥＬ表示装
置の製造方法における有機ＥＬ素子を作成する工程の説
明図である。 （ａ）有機ＥＬ素子を作成する工程におけるさらに他の
有機ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）有機ＥＬ素子を作成する工程におけるさらに他の
有機ＥＬ表示装置の平面図である。
置の製造方法における有機ＥＬ素子を作成する工程の説
明図である。 （ａ）有機ＥＬ素子を作成する工程におけるさらに他の
有機ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）有機ＥＬ素子を作成する工程におけるさらに他の
有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図６】本実施の形態に係るさらに他の有機ＥＬ表示装
置の製造方法における第２電極を作成する工程の説明図
である。 （ａ）第２電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）第２電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の平面図である。
置の製造方法における第２電極を作成する工程の説明図
である。 （ａ）第２電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）第２電極を作成する工程におけるさらに他の有機
ＥＬ表示装置の平面図である。
【図７】本実施の形態に係るさらに他の有機ＥＬ表示装
置の製造方法におけるプラズマチャンネルを貼り合わせ
る工程の説明図である。 （ａ）プラズマチャンネルを貼り合わせる工程における
さらに他の有機ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）プラズマチャンネルを貼り合わせる工程における
さらに他の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
置の製造方法におけるプラズマチャンネルを貼り合わせ
る工程の説明図である。 （ａ）プラズマチャンネルを貼り合わせる工程における
さらに他の有機ＥＬ表示装置の断面図である。 （ｂ）プラズマチャンネルを貼り合わせる工程における
さらに他の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【符号の説明】
１ 第１電極（陽極）
６ 第１基板
７Ａ、７Ｂ 放電電極
８ リブ隔壁
９ 第２基板
１８ 青カラーフィルタ
１９ 赤カラーフィルタ
２０ 緑カラーフィルタ
２４ 第３基板
３０ 第１基板
３１ 誘電体層
３２ ＭｇＯ薄膜
３３ リブ隔壁
３４ 第２基板
３６ 接着剤
１００、２００、３００、４００ 有機ＥＬ表示装置
１０１ 有機ＥＬ素子
１０１Ａ 正孔輸送層
１０１Ｂ 電子輸送層兼発光層
１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ 第１電極（陽極）
１０３Ａ フォトカソード
１０３Ｂ 電極
１０３Ｃ、１０３Ｄ、１０３Ｅ フォトカソード兼第２
電極（陰極） ２０１Ａ 青発光有機ＥＬ素子 ２０１Ｂ 赤発光有機ＥＬ素子 ２０１Ｃ 緑発光有機ＥＬ素子 ３０１ 白発光有機ＥＬ素子 ４０１ 有機ＥＬ素子 ４０１Ａ 正孔輸送層 ４０１Ｂ 電子輸送層兼発光層 ４０１Ｃ 正孔注入層
電極（陰極） ２０１Ａ 青発光有機ＥＬ素子 ２０１Ｂ 赤発光有機ＥＬ素子 ２０１Ｃ 緑発光有機ＥＬ素子 ３０１ 白発光有機ＥＬ素子 ４０１ 有機ＥＬ素子 ４０１Ａ 正孔輸送層 ４０１Ｂ 電子輸送層兼発光層 ４０１Ｃ 正孔注入層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/22 33/22 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB04 AB11 AB16 AB17
BA06 BB00 CC00 DA01 DB03
EB00 GA02
5C094 AA05 AA14 AA31 AA43 AA44
BA27 CA19 DA02 DA03 DA12
DA13 EA05 EA10 EB02 FA01
FA02 FB01 FB20 GA10 GB10
Claims (5)
- 【請求項１】 第１および第２電極と、 該第１および第２電極間に設けられた電界発光体と、 該第２電極に対して該電界発光体の反対側に設けられ励
起光を発光する発光手段と、 を具備しており、 該第２電極は、該発光手段が発光した該励起光によって
励起され該電界発光体へ電子を放出するフォトカソード
層を含んでおり、 該電界発光体は、該フォトカソード層から放出された該
電子が該第１電極から輸送されてきた正孔と結合するこ
とによって、画像を表示するための表示光を発光するこ
とを特徴とするエレクトロルミネッセント表示装置。 - 【請求項２】 前記電界発光体は、少なくとも一層の有
機薄膜を含んでいる、請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセント表示装置。 - 【請求項３】 前記発光手段は、該フォトカソード層に
対して該電界発光体の反対側に設けられた第１基板と、 該第１基板に対して該フォトカソード層の反対側に設け
られた第２基板と、 該第１基板と該第２基板との間に所定の空間であるプラ
ズマチャンネルを形成するように設けられたリブ隔壁
と、 該プラズマチャネルに設けられたプラズマ放電用電極
と、 を含んでおり、 該プラズマチャネルには、プラズマ化可能なガスが封入
されており、該プラズマ放電用電極に印加された電圧に
よって、該ガスはプラズマ化して該励起光を発光する、
請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセ
ント表示装置。 - 【請求項４】 前記第２電極と前記プラズマチャネルと
のいずれかに該プラズマ光の波長を変換するための蛍光
体が設けられている、請求項３に記載のエレクトロルミ
ネッセント表示装置。 - 【請求項５】 該発光手段は、該励起光を発光するバッ
クライトと、 該バックライトが発光した該励起光の透過／非透過を切
り替えるためのスイッチング部とを含んでいる、請求項
１または２に記載のエレクトロルミネッセント表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001266445A JP2003077682A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | エレクトロルミネッセント表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001266445A JP2003077682A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | エレクトロルミネッセント表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077682A true JP2003077682A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19092734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001266445A Withdrawn JP2003077682A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | エレクトロルミネッセント表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006048052A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ放電スイッチ及びそれを備えた電流駆動素子 |
-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001266445A patent/JP2003077682A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006048052A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ放電スイッチ及びそれを備えた電流駆動素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081104 |