JP2003075873A - 液晶表示装置及びその製造方法及びその駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法及びその駆動方法Info
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- JP2003075873A JP2003075873A JP2002172245A JP2002172245A JP2003075873A JP 2003075873 A JP2003075873 A JP 2003075873A JP 2002172245 A JP2002172245 A JP 2002172245A JP 2002172245 A JP2002172245 A JP 2002172245A JP 2003075873 A JP2003075873 A JP 2003075873A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】液晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向
に転移させる為の必要な電圧を低減し、かつ光の透過率
低減を防止することが可能な構造の転移の核となる構造
を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】互いの界面における液晶分子の配向方向が
平行となるように貼り合わせられた第１の基板６と第２
の基板７との間に液晶層８が挟持され、第１の基板上に
画素電極１２を有し、第２の基板上に共通電極１８を有
する液晶表示装置において、第１の基板および第２の基
板の液晶層に接する面に、連続した複数の傾斜面である
転移核領域２２が形成され、第１の基板に形成された第
１の転移核領域の傾斜面と、第２の基板に形成された第
２の転移核領域の傾斜面とが、ハの字状を成しているこ
とを特徴とする。
に転移させる為の必要な電圧を低減し、かつ光の透過率
低減を防止することが可能な構造の転移の核となる構造
を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】互いの界面における液晶分子の配向方向が
平行となるように貼り合わせられた第１の基板６と第２
の基板７との間に液晶層８が挟持され、第１の基板上に
画素電極１２を有し、第２の基板上に共通電極１８を有
する液晶表示装置において、第１の基板および第２の基
板の液晶層に接する面に、連続した複数の傾斜面である
転移核領域２２が形成され、第１の基板に形成された第
１の転移核領域の傾斜面と、第２の基板に形成された第
２の転移核領域の傾斜面とが、ハの字状を成しているこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＯＣＢ型液晶表
示装置のスプレイ配向からベンド配向への転移を促進す
るための、アクティブマトリクス基板の構造に関する。
示装置のスプレイ配向からベンド配向への転移を促進す
るための、アクティブマトリクス基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在液晶表示装置に広く用いられている
ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式は、高コ
ントラストである反面視角依存性が著しいという問題が
あったが、画素分割を中心として様々な特性の改善方法
が提案されてきた。しかし、応答速度が遅いというもう
一つの問題については解決していなかった。ネマティッ
ク液晶を使用した液晶表示装置は一般に応答速度は遅
く、階調間の応答時間が最大１００ｍ秒程度にもなり、
高速な動画表示に必要とされる応答時間１６．７ｍ秒に
は対応できない。動画対応ＬＣＤに適した広視野角かつ
高速応答である表示方式が求められている。
ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式は、高コ
ントラストである反面視角依存性が著しいという問題が
あったが、画素分割を中心として様々な特性の改善方法
が提案されてきた。しかし、応答速度が遅いというもう
一つの問題については解決していなかった。ネマティッ
ク液晶を使用した液晶表示装置は一般に応答速度は遅
く、階調間の応答時間が最大１００ｍ秒程度にもなり、
高速な動画表示に必要とされる応答時間１６．７ｍ秒に
は対応できない。動画対応ＬＣＤに適した広視野角かつ
高速応答である表示方式が求められている。
【０００３】Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔ
ｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ（以下、”ＯＣＢ”
と略記する）方式は、広視野角であることに加えて高速
応答であることが知られている（Ｙ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ，ｅｔ ａｌ．，ＳＩＤ’９３ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ
２７７−２８０、あるいは特開平０７−０８４２５４号
公報参照）。 ＯＣＢ方式で用いられる液晶セルはベン
ド配向になっており、πセルとも呼ばれている。 ま
た、πセルが高速応答を示すことも知られている（特開
昭５５−１４２３１６号公報参照）。
ｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ（以下、”ＯＣＢ”
と略記する）方式は、広視野角であることに加えて高速
応答であることが知られている（Ｙ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ，ｅｔ ａｌ．，ＳＩＤ’９３ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ
２７７−２８０、あるいは特開平０７−０８４２５４号
公報参照）。 ＯＣＢ方式で用いられる液晶セルはベン
ド配向になっており、πセルとも呼ばれている。 ま
た、πセルが高速応答を示すことも知られている（特開
昭５５−１４２３１６号公報参照）。
【０００４】図１３に、ＯＣＢ型液晶表示装置の基本構
成の一例を示す。互いのラビング方向が平行となるよう
に重ね合わされたアクティブマトリクス基板２６と対向
側基板２７に挟持されたベンド配向状態の液晶層２５
が、光学的に負であり層内で主軸の傾きが変化する構造
を有するディスコティック液晶を用いた負の複屈折補償
板２８によって挟まれ、さらに２枚の偏光板２９によっ
て挟まれている。その構造上、ベンド配向はラビング方
向において常に自己補償性を有し、光学的に対称な特性
を示す。ベンド配向における液晶分子の配向変化は、光
学軸方向、すなわち界面における液晶分子の配向方向に
平行かつ基板に垂直な面内で最大となる。したがって、
２枚の直交させた偏光板で挟んだ場合、複屈折が最大と
なるのは光学軸方向を偏光板の透過軸に対して４５度方
向に配置した場合となる。ラビング方向を水平方向に固
定すると、必然的に２枚の偏光板２９の透過軸は４５度
方向となる。
成の一例を示す。互いのラビング方向が平行となるよう
に重ね合わされたアクティブマトリクス基板２６と対向
側基板２７に挟持されたベンド配向状態の液晶層２５
が、光学的に負であり層内で主軸の傾きが変化する構造
を有するディスコティック液晶を用いた負の複屈折補償
板２８によって挟まれ、さらに２枚の偏光板２９によっ
て挟まれている。その構造上、ベンド配向はラビング方
向において常に自己補償性を有し、光学的に対称な特性
を示す。ベンド配向における液晶分子の配向変化は、光
学軸方向、すなわち界面における液晶分子の配向方向に
平行かつ基板に垂直な面内で最大となる。したがって、
２枚の直交させた偏光板で挟んだ場合、複屈折が最大と
なるのは光学軸方向を偏光板の透過軸に対して４５度方
向に配置した場合となる。ラビング方向を水平方向に固
定すると、必然的に２枚の偏光板２９の透過軸は４５度
方向となる。
【０００５】ＯＣＢ方式の駆動法は、低電圧側で黒表示
を行うノーマリーブラック駆動と、高電圧側で黒表示を
行うノーマリーホワイト駆動の２通りがあるが、補償す
る複屈折が大きいノーマリーブラック駆動は、波長分散
による光漏れが大きく、十分なコントラストを得るのが
困難である。したがって、図１３のような２枚の負の複
屈折補償板を用いたノーマリーホワイト駆動を行うこと
によってこの問題を解決している。すなわち、高電圧側
では界面付近を除くほとんどの液晶分子が垂直に配向し
ている。両界面の残留複屈折を、２枚の負の複屈折補償
板によってそれぞれ補償することにより、広視野角特性
を得ている。
を行うノーマリーブラック駆動と、高電圧側で黒表示を
行うノーマリーホワイト駆動の２通りがあるが、補償す
る複屈折が大きいノーマリーブラック駆動は、波長分散
による光漏れが大きく、十分なコントラストを得るのが
困難である。したがって、図１３のような２枚の負の複
屈折補償板を用いたノーマリーホワイト駆動を行うこと
によってこの問題を解決している。すなわち、高電圧側
では界面付近を除くほとんどの液晶分子が垂直に配向し
ている。両界面の残留複屈折を、２枚の負の複屈折補償
板によってそれぞれ補償することにより、広視野角特性
を得ている。
【０００６】このように広視野角かつ高速応答という優
れた特性を有するＯＣＢ方式であるが、大きな問題があ
る。ＯＣＢ方式で使用するベンド配向セルは、初期配向
状態ではスプレイ配向になっており、電源投入時に全画
素における液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベン
ド配向に転移させなければならない。また、表示動作中
もスプレイ配向よりもベンド配向が安定となる臨界電圧
Ｖｃ以上の電圧を常に印加し続ける必要がある。
れた特性を有するＯＣＢ方式であるが、大きな問題があ
る。ＯＣＢ方式で使用するベンド配向セルは、初期配向
状態ではスプレイ配向になっており、電源投入時に全画
素における液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベン
ド配向に転移させなければならない。また、表示動作中
もスプレイ配向よりもベンド配向が安定となる臨界電圧
Ｖｃ以上の電圧を常に印加し続ける必要がある。
【０００７】臨界電圧Ｖｃは、液晶材料の物性値、ギャ
ップ、プレチルト角などの各パラメータからスプレイ配
向及びベンド配向におけるギブスのエネルギーの電圧に
よる変化を計算し、両者を比較することから求められ
る。ギブスのエネルギーが小さい配向の方がより安定で
あるので、縦軸をギブスのエネルギー、横軸を印加電圧
としてプロットし、ベンド配向及びスプレイ配向におけ
るギブスのエネルギーの曲線が交差する点の印加電圧を
読み取れば良い。
ップ、プレチルト角などの各パラメータからスプレイ配
向及びベンド配向におけるギブスのエネルギーの電圧に
よる変化を計算し、両者を比較することから求められ
る。ギブスのエネルギーが小さい配向の方がより安定で
あるので、縦軸をギブスのエネルギー、横軸を印加電圧
としてプロットし、ベンド配向及びスプレイ配向におけ
るギブスのエネルギーの曲線が交差する点の印加電圧を
読み取れば良い。
【０００８】ギブスのエネルギーの計算例を図１４に示
す。横軸を印加電圧として、縦軸をギブスのエネルギー
の値とし、ベンド配向を実線で示しスプレイ配向を破線
で示している。スプレイ配向とベンド配向のエネルギー
が等しくなる印加電圧をＶｃとする。理論上は、臨界電
圧Ｖｃ以上の電圧を印加すれば、スプレイ配向よりもベ
ンド配向が安定となるが、スプレイ配向からベンド配向
に転移させるためには、Ｖｃよりもはるかに高い電圧を
印加することが必要になる。２０Ｖ程度の高電圧を印加
すれば数秒以下の短時間で転移が完了するが、アクティ
ブマトリクス駆動を前提にした場合、薄膜トランジスタ
の耐圧上最大５Ｖ程度しか印加できない。そのため、５
Ｖでは転移が全く進行しないか、ほとんど進行しないこ
とが実験的に明らかになっている。５Ｖ程度の電圧でも
初期転移が進むようにするために、転移の発生元である
転移の核を発生させて初期転移を促進する方法が各種提
案されている。
す。横軸を印加電圧として、縦軸をギブスのエネルギー
の値とし、ベンド配向を実線で示しスプレイ配向を破線
で示している。スプレイ配向とベンド配向のエネルギー
が等しくなる印加電圧をＶｃとする。理論上は、臨界電
圧Ｖｃ以上の電圧を印加すれば、スプレイ配向よりもベ
ンド配向が安定となるが、スプレイ配向からベンド配向
に転移させるためには、Ｖｃよりもはるかに高い電圧を
印加することが必要になる。２０Ｖ程度の高電圧を印加
すれば数秒以下の短時間で転移が完了するが、アクティ
ブマトリクス駆動を前提にした場合、薄膜トランジスタ
の耐圧上最大５Ｖ程度しか印加できない。そのため、５
Ｖでは転移が全く進行しないか、ほとんど進行しないこ
とが実験的に明らかになっている。５Ｖ程度の電圧でも
初期転移が進むようにするために、転移の発生元である
転移の核を発生させて初期転移を促進する方法が各種提
案されている。
【０００９】画素領域に核発生手段を設ける手段として
は、以下のようなものがある。特開平０９−２１８４１
１号公報では、表面において液晶分子が平行に配向する
性質を持つミクロパールをギャップ材と同時に核発生手
段として利用することにより、組立工程を通常と変える
ことなくベンド配向を安定に維持する方法が述べられて
いる。しかし、ベンド配向を安定に維持するために多数
のミクロパールを均一に散布する必要があるが、核発生
手段となるミクロパールの周囲では液晶分子の配向が歪
んでおり、黒表示における光漏れが起きるという問題が
あった。
は、以下のようなものがある。特開平０９−２１８４１
１号公報では、表面において液晶分子が平行に配向する
性質を持つミクロパールをギャップ材と同時に核発生手
段として利用することにより、組立工程を通常と変える
ことなくベンド配向を安定に維持する方法が述べられて
いる。しかし、ベンド配向を安定に維持するために多数
のミクロパールを均一に散布する必要があるが、核発生
手段となるミクロパールの周囲では液晶分子の配向が歪
んでおり、黒表示における光漏れが起きるという問題が
あった。
【００１０】特開平１０−１４２６３８号公報では、ギ
ャップより径が小さく、なおかつ表面において液晶分子
が垂直に配向する性質を持つミクロパールを使用するこ
とにより、ミクロパールの上部の液晶分子を基板に対し
て垂直に配向させて擬似的なハイブリッド配向とし、ス
プレイ配向からベンド配向への転移を促進させる方法が
述べられている。しかし、核発生手段となるミクロパー
ルの表面が垂直配向となるため、ミクロパール側面の液
晶分子は基板に対して平行に配向することになり、より
光漏れが大きい。さらに、ギャップ材の散布に加えて核
発生手段となるギャップより径の小さいミクロパールを
散布しなければならないが、ギャップより径の小さいミ
クロパールの固定が困難であるという問題があった。
ャップより径が小さく、なおかつ表面において液晶分子
が垂直に配向する性質を持つミクロパールを使用するこ
とにより、ミクロパールの上部の液晶分子を基板に対し
て垂直に配向させて擬似的なハイブリッド配向とし、ス
プレイ配向からベンド配向への転移を促進させる方法が
述べられている。しかし、核発生手段となるミクロパー
ルの表面が垂直配向となるため、ミクロパール側面の液
晶分子は基板に対して平行に配向することになり、より
光漏れが大きい。さらに、ギャップ材の散布に加えて核
発生手段となるギャップより径の小さいミクロパールを
散布しなければならないが、ギャップより径の小さいミ
クロパールの固定が困難であるという問題があった。
【００１１】特開平１０−０２０２８４号公報では、各
画素電極上に液晶よりも高誘電率の材質か導電性材質か
らなるテーパー形状を有する凸部を形成して部分的に強
電界とするか、高プレチルト角領域を設けて部分的に高
プレチルトとすることにより核発生手段とする方法が述
べられている。しかし、核発生手段の周囲で液晶分子の
配向が歪み黒表示における光漏れが起きるという問題に
加えて、核発生手段の形成のために工程が増加する、テ
ーパー形状の制御が困難であるなどの問題があった。
画素電極上に液晶よりも高誘電率の材質か導電性材質か
らなるテーパー形状を有する凸部を形成して部分的に強
電界とするか、高プレチルト角領域を設けて部分的に高
プレチルトとすることにより核発生手段とする方法が述
べられている。しかし、核発生手段の周囲で液晶分子の
配向が歪み黒表示における光漏れが起きるという問題に
加えて、核発生手段の形成のために工程が増加する、テ
ーパー形状の制御が困難であるなどの問題があった。
【００１２】画素領域外に核発生手段を設ける方法とし
ては、以下のようなものがある。特開２０００−３３０
１４１号公報では、水平配向成分と垂直配向成分からな
るハイブリッド型の配向膜を用いて電圧無印加状態でも
ベンド配向となるような高プレチルトとし、次に表示領
域のみに紫外線を照射して電圧無印加状態ではスプレイ
配向となるような低プレチルトとすることにより、画素
領域外を核発生手段とする方法が述べられている。しか
し、ハイブリッド型配向膜を用いて高プレチルト角を均
一かつ安定に制御するのは困難であるという問題があっ
た。
ては、以下のようなものがある。特開２０００−３３０
１４１号公報では、水平配向成分と垂直配向成分からな
るハイブリッド型の配向膜を用いて電圧無印加状態でも
ベンド配向となるような高プレチルトとし、次に表示領
域のみに紫外線を照射して電圧無印加状態ではスプレイ
配向となるような低プレチルトとすることにより、画素
領域外を核発生手段とする方法が述べられている。しか
し、ハイブリッド型配向膜を用いて高プレチルト角を均
一かつ安定に制御するのは困難であるという問題があっ
た。
【００１３】特開２０００−３２１５８８号公報では、
画素電極間の間隔を狭くした上で、共通電極に高電圧を
印加し、画素電極との間のみならず、画素電極間に位置
する走査信号電極、映像信号電極との間にも強電界を発
生させ、表示面全面を確実にスプレイ配向からベンド配
向に転移させる方法が述べられている。しかし、初期転
移の手段として有効であるが、共通電極に高電圧を印加
しているため、表示動作中にベンド配向を安定維持する
ことはできないという問題があった。
画素電極間の間隔を狭くした上で、共通電極に高電圧を
印加し、画素電極との間のみならず、画素電極間に位置
する走査信号電極、映像信号電極との間にも強電界を発
生させ、表示面全面を確実にスプレイ配向からベンド配
向に転移させる方法が述べられている。しかし、初期転
移の手段として有効であるが、共通電極に高電圧を印加
しているため、表示動作中にベンド配向を安定維持する
ことはできないという問題があった。
【００１４】特許第３０７４６４０号公報では、システ
ム側からパワーオンリセット信号を走査信号電極に送
り、走査信号電極と共通電極の間に強電界を発生させ、
同時に画素電極と共通電極間にベンド配向を継続させる
ために必要な臨界電圧Ｖｃ以上の電圧を印加して、短時
間でスプレイ配向からベンド配向に転移させ、また表示
動作中にも所定の時間間隔で同様の動作を行ってベンド
配向を維持する方法が述べられている。しかし、初期転
移の手段として有効であり、また表示動作中にも所定の
時間間隔でリセット動作を行うことにより、表示動作中
にベンド配向を安定維持するための対策も講じられてい
るが、表示動作を中断して黒書き込みをすることになる
ため、実質的な透過率の低下を招くという問題があっ
た。
ム側からパワーオンリセット信号を走査信号電極に送
り、走査信号電極と共通電極の間に強電界を発生させ、
同時に画素電極と共通電極間にベンド配向を継続させる
ために必要な臨界電圧Ｖｃ以上の電圧を印加して、短時
間でスプレイ配向からベンド配向に転移させ、また表示
動作中にも所定の時間間隔で同様の動作を行ってベンド
配向を維持する方法が述べられている。しかし、初期転
移の手段として有効であり、また表示動作中にも所定の
時間間隔でリセット動作を行うことにより、表示動作中
にベンド配向を安定維持するための対策も講じられてい
るが、表示動作を中断して黒書き込みをすることになる
ため、実質的な透過率の低下を招くという問題があっ
た。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従って本願発明は、液
晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向に転移させ
る為の必要な電圧を低減し、かつ光の透過率低減を防止
することが可能な構造の転移の核となる構造を有する液
晶表示装置及びその製造方法を提供することを課題とす
る。
晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向に転移させ
る為の必要な電圧を低減し、かつ光の透過率低減を防止
することが可能な構造の転移の核となる構造を有する液
晶表示装置及びその製造方法を提供することを課題とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本願発明の液晶表示装置は、互いの界面における液晶
分子の配向方向が前記界面に平行となるように貼り合わ
せられた第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持
され、前記第１の基板上に、複数の走査信号電極と、そ
れらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電極と、
これらの電極の各交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタとを有し、複数の前記走査信号電極及び前
記映像信号電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成さ
れ、各画素に対応する前記薄膜トランジスタに接続され
ている画素電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素
に渡って基準電位を与える共通電極を有する液晶表示装
置であって、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記
液晶層に接する面に、連続した複数の傾斜面である転移
核領域が形成され、前記第１の基板に形成された前記第
１の転移核領域の傾斜面と、前記第２の基板に形成され
た前記第２の転移核領域の傾斜面とが対向せしめられ、
それぞれの断面側縁が、ハの字状を成すように配置され
ていることを特徴とする。
の本願発明の液晶表示装置は、互いの界面における液晶
分子の配向方向が前記界面に平行となるように貼り合わ
せられた第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持
され、前記第１の基板上に、複数の走査信号電極と、そ
れらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電極と、
これらの電極の各交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタとを有し、複数の前記走査信号電極及び前
記映像信号電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成さ
れ、各画素に対応する前記薄膜トランジスタに接続され
ている画素電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素
に渡って基準電位を与える共通電極を有する液晶表示装
置であって、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記
液晶層に接する面に、連続した複数の傾斜面である転移
核領域が形成され、前記第１の基板に形成された前記第
１の転移核領域の傾斜面と、前記第２の基板に形成され
た前記第２の転移核領域の傾斜面とが対向せしめられ、
それぞれの断面側縁が、ハの字状を成すように配置され
ていることを特徴とする。
【００１７】両基板上に転移核領域の傾斜面がハの字状
を成して形成されていることにより、転移核領域の間に
挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電
圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転
移が発生しやすくなる。
を成して形成されていることにより、転移核領域の間に
挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電
圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転
移が発生しやすくなる。
【００１８】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、互いの界面における液晶分子の配向
方向が前記界面に平行となるように貼り合わせられた第
１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持され、前記
第１の基板上に、複数の走査信号電極と、それらにマト
リクス状に交差する複数の映像信号電極と、これらの電
極の各交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、複数の前記走査信号電極及び前記映像信号
電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成され、各画素
に対応する前記薄膜トランジスタに接続されている画素
電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素に渡って基
準電位を与える共通電極を有する液晶表示装置であっ
て、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に
接する面に、連続した複数の傾斜面である転移核領域が
形成され、前記第１の基板に形成された前記第１の転移
核領域の傾斜面の仮想延長面と、前記第２の基板に形成
された前記第２の転移核領域の傾斜面の仮想延長面と
が、前記液晶層内部で交差するように形成されているこ
とを特徴とする。
の液晶表示装置は、互いの界面における液晶分子の配向
方向が前記界面に平行となるように貼り合わせられた第
１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持され、前記
第１の基板上に、複数の走査信号電極と、それらにマト
リクス状に交差する複数の映像信号電極と、これらの電
極の各交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、複数の前記走査信号電極及び前記映像信号
電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成され、各画素
に対応する前記薄膜トランジスタに接続されている画素
電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素に渡って基
準電位を与える共通電極を有する液晶表示装置であっ
て、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に
接する面に、連続した複数の傾斜面である転移核領域が
形成され、前記第１の基板に形成された前記第１の転移
核領域の傾斜面の仮想延長面と、前記第２の基板に形成
された前記第２の転移核領域の傾斜面の仮想延長面と
が、前記液晶層内部で交差するように形成されているこ
とを特徴とする。
【００１９】両基板の転移核領域は、傾斜面の仮想延長
面が液晶層内部で交差するとは、図１５に示される様な
位置関係に形成された状態を指し、転移核領域の間に挟
み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電圧
を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転移
が発生しやすくなる。
面が液晶層内部で交差するとは、図１５に示される様な
位置関係に形成された状態を指し、転移核領域の間に挟
み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電圧
を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転移
が発生しやすくなる。
【００２０】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域は、前記第１
の基板の前記画素電極以外の非表示領域に形成されてい
ることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域は、前記第１
の基板の前記画素電極以外の非表示領域に形成されてい
ることを特徴とする。
【００２１】画素電極以外の領域に転移核領域の傾斜面
が形成されていることにより、表示領域内における液晶
分子の配向乱れが発生しないため、光の透過率の低下が
起こりにくい。
が形成されていることにより、表示領域内における液晶
分子の配向乱れが発生しないため、光の透過率の低下が
起こりにくい。
【００２２】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記非表示領域は、前記走査信号電
極及び／または前記映像信号電極が形成される領域であ
ることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記非表示領域は、前記走査信号電
極及び／または前記映像信号電極が形成される領域であ
ることを特徴とする。
【００２３】前記走査信号電極／前記映像信号電極が形
成される領域に転移核領域を形成することにより、転移
核領域に挟み込まれている液晶層はブラックマトリクス
によって覆われ、液晶の表示品質を向上させることが可
能となる。
成される領域に転移核領域を形成することにより、転移
核領域に挟み込まれている液晶層はブラックマトリクス
によって覆われ、液晶の表示品質を向上させることが可
能となる。
【００２４】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記非表示領域に対向する前記第２
の基板の領域に遮光層が形成され、前記非表示領域が前
記遮光層で覆われることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記非表示領域に対向する前記第２
の基板の領域に遮光層が形成され、前記非表示領域が前
記遮光層で覆われることを特徴とする。
【００２５】前記走査信号電極／前記映像信号電極が形
成される領域に転移核領域を形成し、転移核領域に挟み
込まれている液晶層がブラックマトリクスによって覆わ
れることにより、液晶の表示品質を向上させることが可
能となる。
成される領域に転移核領域を形成し、転移核領域に挟み
込まれている液晶層がブラックマトリクスによって覆わ
れることにより、液晶の表示品質を向上させることが可
能となる。
【００２６】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第２の基板に形成された前記第
２の転移核領域は、前記第１の基板に形成された前記第
１の転移核領域と対向する領域と略同一の位置に形成さ
れていることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第２の基板に形成された前記第
２の転移核領域は、前記第１の基板に形成された前記第
１の転移核領域と対向する領域と略同一の位置に形成さ
れていることを特徴とする。
【００２７】転移核領域がほぼ対向する位置に形成され
ることにより、転移核領域間の液晶配向の乱れが低減さ
れ、液晶の表示品質を向上させることが可能となる。
ることにより、転移核領域間の液晶配向の乱れが低減さ
れ、液晶の表示品質を向上させることが可能となる。
【００２８】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面は、表示面全体において一様な方
向となるように形成されていることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面は、表示面全体において一様な方
向となるように形成されていることを特徴とする。
【００２９】表示面全体において転移核領域の傾斜面が
一様な方向となっていることにより、全ての画素の配向
方向を統一することができ、表示面全体の液晶層を効果
的に配向させることが可能となる。
一様な方向となっていることにより、全ての画素の配向
方向を統一することができ、表示面全体の液晶層を効果
的に配向させることが可能となる。
【００３０】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面によって、前記転移核領域が基板
に対して実質的に高プレチルト角となり、前記画素電極
と前記共通電極間に電位差が生じていない状態でも前記
液晶層の配向がベンド配向となることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面によって、前記転移核領域が基板
に対して実質的に高プレチルト角となり、前記画素電極
と前記共通電極間に電位差が生じていない状態でも前記
液晶層の配向がベンド配向となることを特徴とする。
【００３１】両基板に電圧が印加されていない状態で
も、転移核領域の液晶層がベンド配向を取ることによ
り、電圧が印加されていない状態ではスプレイ配向を取
る液晶層は、電圧印加時に転移核領域のベンド配向に誘
発されてベンド配向となる。これにより、低電圧におい
ても安定してベンド配向の液晶層を維持することが可能
となる。
も、転移核領域の液晶層がベンド配向を取ることによ
り、電圧が印加されていない状態ではスプレイ配向を取
る液晶層は、電圧印加時に転移核領域のベンド配向に誘
発されてベンド配向となる。これにより、低電圧におい
ても安定してベンド配向の液晶層を維持することが可能
となる。
【００３２】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域の傾斜面が前
記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の
傾斜面が前記第２の基板と成す角度がそれぞれ４５度以
上であり、ベンド配向とスプレイ配向の弾性定数比ｋ
３３／ｋ１１が１以下であることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域の傾斜面が前
記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の
傾斜面が前記第２の基板と成す角度がそれぞれ４５度以
上であり、ベンド配向とスプレイ配向の弾性定数比ｋ
３３／ｋ１１が１以下であることを特徴とする。
【００３３】転移核領域の傾斜面が基板と成す角が４５
度以上であり、なおかつベンド配向とスプレイ配向の弾
性定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下である液晶材料を用い
れば、転移核領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベ
ンド配向とすることが可能である。転移核領域の液晶層
がベンド配向を取ることにより、電圧が印加されていな
い状態ではスプレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に
転移核領域のベンド配向に誘発されてベンド配向とな
る。これにより、低電圧においても安定してベンド配向
の液晶層を維持することが可能となる。
度以上であり、なおかつベンド配向とスプレイ配向の弾
性定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下である液晶材料を用い
れば、転移核領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベ
ンド配向とすることが可能である。転移核領域の液晶層
がベンド配向を取ることにより、電圧が印加されていな
い状態ではスプレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に
転移核領域のベンド配向に誘発されてベンド配向とな
る。これにより、低電圧においても安定してベンド配向
の液晶層を維持することが可能となる。
【００３４】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域の傾斜面が前
記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の
傾斜面が前記第２の基板と成す角度が、それぞれ６０度
以上であることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域の傾斜面が前
記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の
傾斜面が前記第２の基板と成す角度が、それぞれ６０度
以上であることを特徴とする。
【００３５】転移核領域の傾斜面が基板と成す角が６０
度以上であれば、理論的には全ての液晶材料で、転移核
領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベンド配向とす
ることが可能である。転移核領域の液晶層がベンド配向
を取ることにより、電圧が印加されていない状態ではス
プレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に転移核領域の
ベンド配向に誘発されてベンド配向となる。これによ
り、低電圧においても安定してベンド配向の液晶層を維
持することが可能となる。
度以上であれば、理論的には全ての液晶材料で、転移核
領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベンド配向とす
ることが可能である。転移核領域の液晶層がベンド配向
を取ることにより、電圧が印加されていない状態ではス
プレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に転移核領域の
ベンド配向に誘発されてベンド配向となる。これによ
り、低電圧においても安定してベンド配向の液晶層を維
持することが可能となる。
【００３６】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面の傾斜方向と、前記第１の基板及
び前記第２の基板と前記液晶層の界面における液晶分子
の配向方向が一致していることを特徴とする。
の液晶表示装置は、前記第１の転移核領域及び前記第２
の転移核領域の傾斜面の傾斜方向と、前記第１の基板及
び前記第２の基板と前記液晶層の界面における液晶分子
の配向方向が一致していることを特徴とする。
【００３７】転移核領域の傾斜面が基板と成す角度によ
って、転移核領域に挟み込まれた液晶層がベンド配向を
取るため、転移核領域表面のプレチルト角が０度であっ
てもベンド配向を維持することが可能であり、液晶層と
の界面にプレチルト角が小さい材料を用いることがで
き、コスト等の観点からの材料選択が容易になる。
って、転移核領域に挟み込まれた液晶層がベンド配向を
取るため、転移核領域表面のプレチルト角が０度であっ
てもベンド配向を維持することが可能であり、液晶層と
の界面にプレチルト角が小さい材料を用いることがで
き、コスト等の観点からの材料選択が容易になる。
【００３８】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の製造方法は、第１の基板または第２の
基板に感光性樹脂を塗布し、連続的に光の透過率が変化
するグラデーション部を有するマスクを用いて露光及び
現像を行うことにより、前記感光性樹脂に第１の転移核
領域または第２の転移核領域を形成する工程を含むこと
を特徴とする。
の液晶表示装置の製造方法は、第１の基板または第２の
基板に感光性樹脂を塗布し、連続的に光の透過率が変化
するグラデーション部を有するマスクを用いて露光及び
現像を行うことにより、前記感光性樹脂に第１の転移核
領域または第２の転移核領域を形成する工程を含むこと
を特徴とする。
【００３９】連続的に光の透過率が変化するグラデーシ
ョン部を有するマスクを用いて露光及び現像を行うこと
で、転移核領域の傾斜面を形成することが可能となる。
このため、製造工程の増加をせずに本願発明の液晶表示
装置を提供することが可能となる。
ョン部を有するマスクを用いて露光及び現像を行うこと
で、転移核領域の傾斜面を形成することが可能となる。
このため、製造工程の増加をせずに本願発明の液晶表示
装置を提供することが可能となる。
【００４０】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の製造方法は、第１の基板または第２の
基板に感光性樹脂を塗布し、スリット上のマスクをステ
ップ毎に移動させつつ、ステップ毎に露光強度を増加／
減少させて露光及び現像を行うことにより、前記感光性
樹脂に第１の転移核領域または第２の転移核領域を形成
する工程を含むことを特徴とする。
の液晶表示装置の製造方法は、第１の基板または第２の
基板に感光性樹脂を塗布し、スリット上のマスクをステ
ップ毎に移動させつつ、ステップ毎に露光強度を増加／
減少させて露光及び現像を行うことにより、前記感光性
樹脂に第１の転移核領域または第２の転移核領域を形成
する工程を含むことを特徴とする。
【００４１】スリット上のマスクをステップ毎に移動さ
せつつ、ステップ毎に露光強度を増加／減少させて露光
及び現像を行うことで、転移核領域の傾斜面を形成する
ことが可能となる。このため、製造工程の増加をせずに
本願発明の液晶表示装置を提供することが可能となる。
せつつ、ステップ毎に露光強度を増加／減少させて露光
及び現像を行うことで、転移核領域の傾斜面を形成する
ことが可能となる。このため、製造工程の増加をせずに
本願発明の液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００４２】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の駆動方法は、互いの界面における液晶
分子の配向方向が前記界面に平行となるように貼り合わ
せられた第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持
され、前記第１の基板上に、複数の走査信号電極と、そ
れらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電極と、
これらの電極の各交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタとを有し、複数の前記走査信号電極及び前
記映像信号電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成さ
れ、各画素に対応する前記薄膜トランジスタに接続され
ている画素電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素
に渡って基準電位を与える共通電極を有する液晶表示装
置において、前記画素電極周辺の非表示領域に転移核領
域を設けることによって、電圧を印加しない状態におい
ても前記転移核領域の前記液晶層がベンド配向となり、
前記画素の前記液晶層に電圧を印加することによって、
前記画素の表示領域における前記液晶層をスプレイ配向
からベンド配向へ転移させることを特徴とする。
の液晶表示装置の駆動方法は、互いの界面における液晶
分子の配向方向が前記界面に平行となるように貼り合わ
せられた第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持
され、前記第１の基板上に、複数の走査信号電極と、そ
れらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電極と、
これらの電極の各交点に対応して形成された複数の薄膜
トランジスタとを有し、複数の前記走査信号電極及び前
記映像信号電極で囲まれる各領域に１つの画素が構成さ
れ、各画素に対応する前記薄膜トランジスタに接続され
ている画素電極を有し、前記第２の基板上に複数の画素
に渡って基準電位を与える共通電極を有する液晶表示装
置において、前記画素電極周辺の非表示領域に転移核領
域を設けることによって、電圧を印加しない状態におい
ても前記転移核領域の前記液晶層がベンド配向となり、
前記画素の前記液晶層に電圧を印加することによって、
前記画素の表示領域における前記液晶層をスプレイ配向
からベンド配向へ転移させることを特徴とする。
【００４３】転移核領域を形成して、転移核領域の間に
挟み込まれた液晶層が電圧を印加しない状態でもベンド
配向とすることにより、両基板間に電圧を印加した場合
のスプレイ配向からベンド配向への転移が発生しやすく
なる。また、ベンド配向の維持を容易に行うことが可能
となる。
挟み込まれた液晶層が電圧を印加しない状態でもベンド
配向とすることにより、両基板間に電圧を印加した場合
のスプレイ配向からベンド配向への転移が発生しやすく
なる。また、ベンド配向の維持を容易に行うことが可能
となる。
【００４４】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の駆動方法は、前記転移核領域は、前記
第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に接する面
に形成された連続した複数の傾斜面であり、前記第１の
基板に形成された前記第１の転移核領域の傾斜面と、前
記第２の基板に形成された前記第２の転移核領域の傾斜
面とが対向せしめられ、それぞれの断面側縁が、ハの字
状を成すように配置されていることを特徴とする。
の液晶表示装置の駆動方法は、前記転移核領域は、前記
第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に接する面
に形成された連続した複数の傾斜面であり、前記第１の
基板に形成された前記第１の転移核領域の傾斜面と、前
記第２の基板に形成された前記第２の転移核領域の傾斜
面とが対向せしめられ、それぞれの断面側縁が、ハの字
状を成すように配置されていることを特徴とする。
【００４５】両基板上に転移核領域の傾斜面がハの字状
を成して形成されていることにより、転移核領域の間に
挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電
圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転
移が発生しやすくなる。
を成して形成されていることにより、転移核領域の間に
挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に電
圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への転
移が発生しやすくなる。
【００４６】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の駆動方法は、前記第１の転移核領域の
傾斜面が前記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転
移核領域の傾斜面が前記第２の基板と成す角度がそれぞ
れ４５度以上であり、ベンド配向とスプレイ配向の弾性
定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下であることを特徴とす
る。
の液晶表示装置の駆動方法は、前記第１の転移核領域の
傾斜面が前記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転
移核領域の傾斜面が前記第２の基板と成す角度がそれぞ
れ４５度以上であり、ベンド配向とスプレイ配向の弾性
定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下であることを特徴とす
る。
【００４７】転移核領域の傾斜面が基板と成す角が４５
度以上であり、なおかつベンド配向とスプレイ配向の弾
性定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下である液晶材料を用い
れば、転移核領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベ
ンド配向とすることが可能である。転移核領域の液晶層
がベンド配向を取ることにより、電圧が印加されていな
い状態ではスプレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に
転移核領域のベンド配向に誘発されてベンド配向とな
る。これにより、低電圧においても安定してベンド配向
の液晶層を維持することが可能となる。
度以上であり、なおかつベンド配向とスプレイ配向の弾
性定数比ｋ３３／ｋ１１が１以下である液晶材料を用い
れば、転移核領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベ
ンド配向とすることが可能である。転移核領域の液晶層
がベンド配向を取ることにより、電圧が印加されていな
い状態ではスプレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に
転移核領域のベンド配向に誘発されてベンド配向とな
る。これにより、低電圧においても安定してベンド配向
の液晶層を維持することが可能となる。
【００４８】また、前記課題を解決するための本願発明
の液晶表示装置の駆動方法は、前記第１の転移核領域の
傾斜面が前記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転
移核領域の傾斜面が前記第２の基板と成す角度が、それ
ぞれ６０度以上であることを特徴とする。
の液晶表示装置の駆動方法は、前記第１の転移核領域の
傾斜面が前記第１の基板と成す角度、及び前記第２の転
移核領域の傾斜面が前記第２の基板と成す角度が、それ
ぞれ６０度以上であることを特徴とする。
【００４９】転移核領域の傾斜面が基板と成す角が６０
度以上であれば、理論的には全ての液晶材料で、転移核
領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベンド配向とす
ることが可能である。転移核領域の液晶層がベンド配向
を取ることにより、電圧が印加されていない状態ではス
プレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に転移核領域の
ベンド配向に誘発されてベンド配向となる。これによ
り、低電圧においても安定してベンド配向の液晶層を維
持することが可能となる。
度以上であれば、理論的には全ての液晶材料で、転移核
領域での液晶層の配向を電圧無印加時にベンド配向とす
ることが可能である。転移核領域の液晶層がベンド配向
を取ることにより、電圧が印加されていない状態ではス
プレイ配向を取る液晶層は、電圧印加時に転移核領域の
ベンド配向に誘発されてベンド配向となる。これによ
り、低電圧においても安定してベンド配向の液晶層を維
持することが可能となる。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態につ
き図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態
であって本発明を限定するものではない。
き図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態
であって本発明を限定するものではない。
【００５１】
【実施の形態１】図１は本願発明のＯＣＢ型液晶表示装
置のアクティブマトリクス基板に形成された一画素を平
面的に示したものである。画素電極１の周囲を通り互い
に直交するようにゲート配線２とドレイン配線３が設け
られ、アクティブマトリクス基板のゲート配線２及びド
レイン配線の交差する位置にはスイッチング素子である
薄膜トランジスタ５（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴ）が設けられ、コンタクトホー
ル４を介してＴＦＴ５にゲート配線２及びドレイン配線
３が接続されている。画素電極１とＴＦＴ５の３つの組
み合わせがそれぞれ赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の表示を
行うことで一つの画素が形成される。
置のアクティブマトリクス基板に形成された一画素を平
面的に示したものである。画素電極１の周囲を通り互い
に直交するようにゲート配線２とドレイン配線３が設け
られ、アクティブマトリクス基板のゲート配線２及びド
レイン配線の交差する位置にはスイッチング素子である
薄膜トランジスタ５（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴ）が設けられ、コンタクトホー
ル４を介してＴＦＴ５にゲート配線２及びドレイン配線
３が接続されている。画素電極１とＴＦＴ５の３つの組
み合わせがそれぞれ赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の表示を
行うことで一つの画素が形成される。
【００５２】図１中のＡ線で示された部分のＯＣＢ型液
晶表示装置の断面図を図２に示す。本願発明のＯＣＢ型
液晶表示装置は下部側基板６、下部側基板６に対向して
配置された対向側基板７、及び下部側基板６と対向側基
板７の間に挟み込まれた液晶層８を有している。液晶層
８の厚さは５〜６μｍである。下部側基板６には、ゲー
ト絶縁膜９、ＴＦＴ１０、絶縁層１１、及び画素電極１
２を有している。下部側基板６の上には、ゲート絶縁膜
９が積層され、ゲート絶縁膜９の上には、ＴＦＴ１０が
形成されている。ＴＦＴ１０は、下部側基板６上のゲー
ト電極１３、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜９上の
ソース電極１４、及びドレイン電極１５を有している。
ゲート電極１３は図１に示されたゲート配線２と電気的
に接続され、ドレイン電極１５はドレイン配線３と電気
的に接続されている。
晶表示装置の断面図を図２に示す。本願発明のＯＣＢ型
液晶表示装置は下部側基板６、下部側基板６に対向して
配置された対向側基板７、及び下部側基板６と対向側基
板７の間に挟み込まれた液晶層８を有している。液晶層
８の厚さは５〜６μｍである。下部側基板６には、ゲー
ト絶縁膜９、ＴＦＴ１０、絶縁層１１、及び画素電極１
２を有している。下部側基板６の上には、ゲート絶縁膜
９が積層され、ゲート絶縁膜９の上には、ＴＦＴ１０が
形成されている。ＴＦＴ１０は、下部側基板６上のゲー
ト電極１３、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜９上の
ソース電極１４、及びドレイン電極１５を有している。
ゲート電極１３は図１に示されたゲート配線２と電気的
に接続され、ドレイン電極１５はドレイン配線３と電気
的に接続されている。
【００５３】ゲート絶縁膜９及びＴＦＴ１０の上には絶
縁層１１が積層され、絶縁層１１にはソース電極１４に
達するコンタクトホール１６が開けられている。更に、
コンタクトホール１６と共に絶縁層１１を覆って、画素
電極１２が積層されている。画素電極１２は、ＴＦＴ１
０のソース電極１４に接続され、液晶層８に電圧を印加
する電極としての機能を有する。
縁層１１が積層され、絶縁層１１にはソース電極１４に
達するコンタクトホール１６が開けられている。更に、
コンタクトホール１６と共に絶縁層１１を覆って、画素
電極１２が積層されている。画素電極１２は、ＴＦＴ１
０のソース電極１４に接続され、液晶層８に電圧を印加
する電極としての機能を有する。
【００５４】対向側基板７は、液晶層８側から順番に積
層された、配向膜１７、絶縁層１１、共通電極１８、カ
ラーフィルタ１９及び遮光膜２０を有している。遮光膜
２０はＴＦＴ１０、転移核領域２２を覆うように形成さ
れている。また、ここでは図示しないが遮光膜２０は下
部側基板６の絶縁層１１に形成されてもよい。配向膜１
７は液晶層８中の液晶分子２１の配向方向をラビングに
よって決定するための膜である。共通電極１８は画素電
極１２と共に液晶層８に電圧を印加する為の電極として
の機能を有する。カラーフィルタ１９は赤（Ｒ）緑
（Ｇ）青（Ｂ）の着色が施された光を透過する樹脂であ
る。遮光膜２０は下部側基板６のＴＦＴ１０やゲート配
線２、ドレイン配線３に対向する位置に形成されたブラ
ックマスクであり、該当領域での光の透過を防止する機
能を有する。
層された、配向膜１７、絶縁層１１、共通電極１８、カ
ラーフィルタ１９及び遮光膜２０を有している。遮光膜
２０はＴＦＴ１０、転移核領域２２を覆うように形成さ
れている。また、ここでは図示しないが遮光膜２０は下
部側基板６の絶縁層１１に形成されてもよい。配向膜１
７は液晶層８中の液晶分子２１の配向方向をラビングに
よって決定するための膜である。共通電極１８は画素電
極１２と共に液晶層８に電圧を印加する為の電極として
の機能を有する。カラーフィルタ１９は赤（Ｒ）緑
（Ｇ）青（Ｂ）の着色が施された光を透過する樹脂であ
る。遮光膜２０は下部側基板６のＴＦＴ１０やゲート配
線２、ドレイン配線３に対向する位置に形成されたブラ
ックマスクであり、該当領域での光の透過を防止する機
能を有する。
【００５５】下部側基板６と対向側基板７に積層された
絶縁層１１は、画素電極１２が形成された領域以外（以
下転移核領域２２とする）において、傾斜面が連続して
鋸の刃状の形状を形成している。絶縁層１１の傾斜面に
おいても液晶分子２１のプレチルト角及び配向方向が決
定されるが、プレチルト角が小さい樹脂を絶縁層１１の
材料として用いることにより、絶縁層１１近傍領域では
絶縁層１１と液晶層８との界面とほぼ平行方向に液晶分
子２１の長軸方向が向くことになる。図２に示したよう
に、両基板を対向させた状態において絶縁層１１の傾斜
がハの字となるように反対向きに傾斜を形成すると、液
晶分子２１は連続媒質であるために、転移核領域２２で
の液晶分子２１は常にベンド配向をとることになる。
絶縁層１１は、画素電極１２が形成された領域以外（以
下転移核領域２２とする）において、傾斜面が連続して
鋸の刃状の形状を形成している。絶縁層１１の傾斜面に
おいても液晶分子２１のプレチルト角及び配向方向が決
定されるが、プレチルト角が小さい樹脂を絶縁層１１の
材料として用いることにより、絶縁層１１近傍領域では
絶縁層１１と液晶層８との界面とほぼ平行方向に液晶分
子２１の長軸方向が向くことになる。図２に示したよう
に、両基板を対向させた状態において絶縁層１１の傾斜
がハの字となるように反対向きに傾斜を形成すると、液
晶分子２１は連続媒質であるために、転移核領域２２で
の液晶分子２１は常にベンド配向をとることになる。
【００５６】ここで、初期配向状態がベンド配向となる
ために必要な絶縁層１１の傾斜角度についての考察を記
述する。Ｏｓｅｅｎ，Ｚｏｃｈｅｒ，Ｆｒａｎｋらの解
析により、変形した液晶中における単位体積当たりの自
由エネルギー密度ｆを表す以下の方程式が導かれてお
り、現在でも最も広く用いられている。
ために必要な絶縁層１１の傾斜角度についての考察を記
述する。Ｏｓｅｅｎ，Ｚｏｃｈｅｒ，Ｆｒａｎｋらの解
析により、変形した液晶中における単位体積当たりの自
由エネルギー密度ｆを表す以下の方程式が導かれてお
り、現在でも最も広く用いられている。
【式１】
ここで、ｋ１１，ｋ２２，ｋ３３はそれぞれ広がり（ｓ
ｐｌａｙ）、ねじれ（ｔｗｉｓｔ）、曲がり（ｂｅｎ
ｄ）に対応したＯｓｅｅｎ−Ｆｒａｎｋの弾性定数であ
り、液晶材料に固有の物性値である。また、ｎは任意の
点における液晶分子の配向方向を表す無次元の単位ベク
トルである。電界などの外力が印加される場合は、さら
に外力を表す項が追加されるが、ここでは外力を印加し
ない初期配向状態について議論するので言及しない。式
（１）を用いて、初期配向状態でベンド配向がスプレイ
配向よりも安定になる条件を導出する。簡単のために、
図３のように理想的なスプレイ配向、ベンド配向を考え
る。この場合、ねじれの成分は存在しないため、位置ｚ
において液晶分子がｘ軸と成す角をθとすれば、以下の
ように表すことができる。θはｚのみの関数である。 これらを式（１）に代入して整理すると
ｐｌａｙ）、ねじれ（ｔｗｉｓｔ）、曲がり（ｂｅｎ
ｄ）に対応したＯｓｅｅｎ−Ｆｒａｎｋの弾性定数であ
り、液晶材料に固有の物性値である。また、ｎは任意の
点における液晶分子の配向方向を表す無次元の単位ベク
トルである。電界などの外力が印加される場合は、さら
に外力を表す項が追加されるが、ここでは外力を印加し
ない初期配向状態について議論するので言及しない。式
（１）を用いて、初期配向状態でベンド配向がスプレイ
配向よりも安定になる条件を導出する。簡単のために、
図３のように理想的なスプレイ配向、ベンド配向を考え
る。この場合、ねじれの成分は存在しないため、位置ｚ
において液晶分子がｘ軸と成す角をθとすれば、以下の
ように表すことができる。θはｚのみの関数である。 これらを式（１）に代入して整理すると
【式２】
となる。液晶層の厚さをｄとすると、単位面積当たりの
自由エネルギーＦは で与えられ、Ｆが最小のとき平衡状態となる。ｆが以下
のＥｕｌｅｒ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係式を満たすと
き、Ｆは最小となる。
自由エネルギーＦは で与えられ、Ｆが最小のとき平衡状態となる。ｆが以下
のＥｕｌｅｒ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係式を満たすと
き、Ｆは最小となる。
【式３】
ｆをｚ，θ，ｄθ／ｄｚに関する汎関数として、式
（３）に代入する。 両辺にｄθ／ｄｚをかけて変形すると、
（３）に代入する。 両辺にｄθ／ｄｚをかけて変形すると、
【式４】
となり、単位体積当たりの自由エネルギー密度は層内で
常に一定であることが導かれた。この結果を用いて、ス
プレイ配向、ベンド配向の単位体積当たりの自由エネル
ギー密度ｆを決定することができる。式（４）を と変形し、両辺を積分する。プレチルト角をθ０とすれ
ば、スプレイ配向、ベンド配向の境界条件はそれぞれ以
下のようになる。 スプレイ配向の場合、ｚ＝ｄ／２における対称性とｃｏ
ｓ（−θ）＝ｃｏｓθ、ｓｉｎ（−θ）＝−ｓｉｎθか
ら
常に一定であることが導かれた。この結果を用いて、ス
プレイ配向、ベンド配向の単位体積当たりの自由エネル
ギー密度ｆを決定することができる。式（４）を と変形し、両辺を積分する。プレチルト角をθ０とすれ
ば、スプレイ配向、ベンド配向の境界条件はそれぞれ以
下のようになる。 スプレイ配向の場合、ｚ＝ｄ／２における対称性とｃｏ
ｓ（−θ）＝ｃｏｓθ、ｓｉｎ（−θ）＝−ｓｉｎθか
ら
【式５】
同様にしてベンド配向の場合、ｚ＝ｄ／２における対称
性とｃｏｓ（π−θ）＝−ｃｏｓθ、ｓｉｎ（π−θ）
＝ｓｉｎθから
性とｃｏｓ（π−θ）＝−ｃｏｓθ、ｓｉｎ（π−θ）
＝ｓｉｎθから
【式６】
ベンド配向がスプレイ配向よりも安定になる条件はｆ
ＳＰＬＡＹ＞ｆＢＥＮＤであるので、
ＳＰＬＡＹ＞ｆＢＥＮＤであるので、
【式７】
参考文献
Ｓ．チャンドラセカール著；木村初男、山下護 共約；
「液晶の物理学」原書第２版 吉岡書店（物理学叢書７
２）
「液晶の物理学」原書第２版 吉岡書店（物理学叢書７
２）
【００５７】上述の弾性連続体理論による解析から求め
た式７に関して、横軸をκ、縦軸をθ０としてプロット
すると図４のようになる。横軸は対数プロットである。
図中の境界線は、κ＝１のときθ０は４５度となり、κ
が無限大に近づくとθ０は６０に漸近し、κが０に近づ
くとθ０は３０度に漸近する。κ＜１であるような液晶
材料を使用する場合、傾斜角度は４５度以上であればよ
い。傾斜角度が６０度以上であれば、必ず初期配向状態
はベンド配向となる。工業的に広く用いられているラビ
ング法によって安定かつ再現性良く得られるプレチルト
角は、最大で１０度程度であるが、傾斜形状を利用する
ことにより、ラビング法では得られない高プレチルト角
を実現し、初期配向状態でベンド配向となるようにする
ことができる。
た式７に関して、横軸をκ、縦軸をθ０としてプロット
すると図４のようになる。横軸は対数プロットである。
図中の境界線は、κ＝１のときθ０は４５度となり、κ
が無限大に近づくとθ０は６０に漸近し、κが０に近づ
くとθ０は３０度に漸近する。κ＜１であるような液晶
材料を使用する場合、傾斜角度は４５度以上であればよ
い。傾斜角度が６０度以上であれば、必ず初期配向状態
はベンド配向となる。工業的に広く用いられているラビ
ング法によって安定かつ再現性良く得られるプレチルト
角は、最大で１０度程度であるが、傾斜形状を利用する
ことにより、ラビング法では得られない高プレチルト角
を実現し、初期配向状態でベンド配向となるようにする
ことができる。
【００５８】図５は図２に示したＯＣＢ型液晶表示装置
の断面図を簡略化して、ＴＦＴ１０の電源がオンの場合
とオフの場合の液晶分子２１の配向状態を示したもので
ある。転移核領域２２の絶縁層１１の傾斜面によって挟
まれている液晶層８では、電源オン時においても電源オ
フ時においても液晶分子はベンド配向である。しかし、
画素電極１２が形成されている領域では、電源オフ時に
はスプレイ配向をとり、電源オン時にはベンド配向をと
る。
の断面図を簡略化して、ＴＦＴ１０の電源がオンの場合
とオフの場合の液晶分子２１の配向状態を示したもので
ある。転移核領域２２の絶縁層１１の傾斜面によって挟
まれている液晶層８では、電源オン時においても電源オ
フ時においても液晶分子はベンド配向である。しかし、
画素電極１２が形成されている領域では、電源オフ時に
はスプレイ配向をとり、電源オン時にはベンド配向をと
る。
【００５９】ここで、電源オフ時とは画素電極１２と共
通電極１８の間に電位差が生じていない状態であり、電
源オン時とは画素電極１２と共通電極１８の間に３〜５
Ｖ程度の電位差が生じている状態である。３〜５Ｖ程度
の電位差であれば、ＴＦＴ１０でも電圧の印加を行うこ
とが可能である。ＴＦＴ１０で印加可能な電圧で即座に
スプレイ配向からベンド配向に転移が起こることから、
転移核領域２２のベンド配向となっている液晶分子２１
が転移の核と成り得ることが示される。画素電極１２の
領域にある液晶層８がベンド配向となった後の白及び黒
表示の為の駆動方式に関しては、通常のＯＣＢ型液晶表
示装置において用いられる駆動方式を採用することがで
きる。
通電極１８の間に電位差が生じていない状態であり、電
源オン時とは画素電極１２と共通電極１８の間に３〜５
Ｖ程度の電位差が生じている状態である。３〜５Ｖ程度
の電位差であれば、ＴＦＴ１０でも電圧の印加を行うこ
とが可能である。ＴＦＴ１０で印加可能な電圧で即座に
スプレイ配向からベンド配向に転移が起こることから、
転移核領域２２のベンド配向となっている液晶分子２１
が転移の核と成り得ることが示される。画素電極１２の
領域にある液晶層８がベンド配向となった後の白及び黒
表示の為の駆動方式に関しては、通常のＯＣＢ型液晶表
示装置において用いられる駆動方式を採用することがで
きる。
【００６０】転移核領域２２が平面的に一画素中のどの
位置に形成されているかを図６に示す。図１においてゲ
ート配線２とドレイン配線３が形成されている領域に、
転移各領域２２として絶縁層１１に傾斜面が形成されて
いる。画素電極１が形成される領域には絶縁層１１の傾
斜面が形成されていないので、画素電極１の領域での液
晶分子２１の配向に乱れが生じず、黒表示時の光漏れが
起きることはない。また、転移各領域２２に基板に対し
て４５度以上の傾斜となる傾斜面が形成されていること
で、安定したベンド配向を形成することができる。
位置に形成されているかを図６に示す。図１においてゲ
ート配線２とドレイン配線３が形成されている領域に、
転移各領域２２として絶縁層１１に傾斜面が形成されて
いる。画素電極１が形成される領域には絶縁層１１の傾
斜面が形成されていないので、画素電極１の領域での液
晶分子２１の配向に乱れが生じず、黒表示時の光漏れが
起きることはない。また、転移各領域２２に基板に対し
て４５度以上の傾斜となる傾斜面が形成されていること
で、安定したベンド配向を形成することができる。
【００６１】図１乃至図６に示した本願発明のＯＣＢ型
液晶表示装置の製造方法を、図７を用いて説明する。下
部側基板の上６にゲート電極１３を形成してゲート絶縁
膜９を積層し、ゲート絶縁膜９の上に、ソース電極１４
及びドレイン電極１５をそれぞれ形成して、スイッチン
グ素子としてのＴＦＴ１０を備えたアクティブマトリク
ス基板を形成する（（ａ）参照）。なお、スイッチング
素子としてＴＦＴに限るものではなく、例えば、ダイオ
ード等、その他のスイッチング素子の基板を形成しても
良い。
液晶表示装置の製造方法を、図７を用いて説明する。下
部側基板の上６にゲート電極１３を形成してゲート絶縁
膜９を積層し、ゲート絶縁膜９の上に、ソース電極１４
及びドレイン電極１５をそれぞれ形成して、スイッチン
グ素子としてのＴＦＴ１０を備えたアクティブマトリク
ス基板を形成する（（ａ）参照）。なお、スイッチング
素子としてＴＦＴに限るものではなく、例えば、ダイオ
ード等、その他のスイッチング素子の基板を形成しても
良い。
【００６２】その後、ＴＦＴ１０及びゲート絶縁膜９を
覆って下部側基板６に、感光性アクリル樹脂である絶縁
層１１を積層する（（ｂ）参照）。絶縁層１１にマスキ
ングを施したのちに、露光及び現像作業を行い、絶縁層
１１上の所定の位置に、ソース電極１４まで到達する孔
であるコンタクトホール１６、及び転移核領域２２の鋸
の刃形状の傾斜面を形成する（（ｃ）参照）。この際、
転移核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜
１００％まで連続的または段階的に変化するグラデーシ
ョンが施されたマスクを用いる。もしくは、スリット状
のマスクを複数のステップで移動させつつ、露光強度を
ステップ毎に強くまたは弱くする方法を用いる。
覆って下部側基板６に、感光性アクリル樹脂である絶縁
層１１を積層する（（ｂ）参照）。絶縁層１１にマスキ
ングを施したのちに、露光及び現像作業を行い、絶縁層
１１上の所定の位置に、ソース電極１４まで到達する孔
であるコンタクトホール１６、及び転移核領域２２の鋸
の刃形状の傾斜面を形成する（（ｃ）参照）。この際、
転移核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜
１００％まで連続的または段階的に変化するグラデーシ
ョンが施されたマスクを用いる。もしくは、スリット状
のマスクを複数のステップで移動させつつ、露光強度を
ステップ毎に強くまたは弱くする方法を用いる。
【００６３】スパッタ法を用いて、絶縁層１１全面に画
素電極１２の材質であるＩＴＯ２３を積層する。このと
きコンタクトホール１６の内部がＩＴＯ２３で覆われる
ことにより、ソース電極１４と画素電極１２が電気的に
接触する（（ｄ）参照）。ここでは、透過型液晶表示装
置を想定しているために画素電極１２を透明なＩＴＯ２
３で形成する例を挙げているが、反射型液晶表示装置を
製造する場合にはアルミニウム等の金属で画素電極１２
を形成することも可能である。ＩＴＯを積層した後、ス
ピンコートによりＩＴＯ２３上にフォトレジスト２４を
塗布し（（ｅ）参照）、マスキングを施した後に露光及
び現像作業を行い、画素電極１２を残したい領域にのみ
フォトレジスト２４が残るようにする（（ｆ）参照）。
素電極１２の材質であるＩＴＯ２３を積層する。このと
きコンタクトホール１６の内部がＩＴＯ２３で覆われる
ことにより、ソース電極１４と画素電極１２が電気的に
接触する（（ｄ）参照）。ここでは、透過型液晶表示装
置を想定しているために画素電極１２を透明なＩＴＯ２
３で形成する例を挙げているが、反射型液晶表示装置を
製造する場合にはアルミニウム等の金属で画素電極１２
を形成することも可能である。ＩＴＯを積層した後、ス
ピンコートによりＩＴＯ２３上にフォトレジスト２４を
塗布し（（ｅ）参照）、マスキングを施した後に露光及
び現像作業を行い、画素電極１２を残したい領域にのみ
フォトレジスト２４が残るようにする（（ｆ）参照）。
【００６４】ＩＴＯ２３のエッチングを行って画素電極
１２を残してＩＴＯ２３除去する（（ｇ）参照）、その
後フォトレジスト２４の剥離を行い図２に示したＯＣＢ
型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を得る
（（ｈ）参照）。エッチング及びレジスト剥離には、画
素電極１２及びフォトレジスト２４の種類に応じた方法
を用いればよく、従来から提供されている技術を用いる
ことができる。ここでは図示していないが、液晶分子２
１の配向方向を決定するための配向膜を、画素電極１２
及び絶縁層１１上に塗布した後にラビングを行うことも
従来技術と同様にして行う。
１２を残してＩＴＯ２３除去する（（ｇ）参照）、その
後フォトレジスト２４の剥離を行い図２に示したＯＣＢ
型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を得る
（（ｈ）参照）。エッチング及びレジスト剥離には、画
素電極１２及びフォトレジスト２４の種類に応じた方法
を用いればよく、従来から提供されている技術を用いる
ことができる。ここでは図示していないが、液晶分子２
１の配向方向を決定するための配向膜を、画素電極１２
及び絶縁層１１上に塗布した後にラビングを行うことも
従来技術と同様にして行う。
【００６５】対向側基板７には、エッチング法等により
所定の領域にカラーフィルタ１９及び遮光膜２０を積層
し、配向膜１７及び共通電極１８及び感光性アクリル樹
脂である絶縁層１１を積層した後に、図７（ｃ）と同様
に絶縁層１１にマスキングを施したのちに、露光及び現
像作業を行い、絶縁層１１上の所定の位置に、転移核領
域２２の鋸の刃形状の傾斜面を形成する。この際、転移
核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜１０
０％まで連続的または段階的に変化するグラデーション
が施されたマスクを用いる。液晶分子２１の配向方向を
決定するための配向膜を、絶縁層１１上に塗布した後に
ラビングを行うことも従来技術と同様にして行う。
所定の領域にカラーフィルタ１９及び遮光膜２０を積層
し、配向膜１７及び共通電極１８及び感光性アクリル樹
脂である絶縁層１１を積層した後に、図７（ｃ）と同様
に絶縁層１１にマスキングを施したのちに、露光及び現
像作業を行い、絶縁層１１上の所定の位置に、転移核領
域２２の鋸の刃形状の傾斜面を形成する。この際、転移
核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜１０
０％まで連続的または段階的に変化するグラデーション
が施されたマスクを用いる。液晶分子２１の配向方向を
決定するための配向膜を、絶縁層１１上に塗布した後に
ラビングを行うことも従来技術と同様にして行う。
【００６６】上述した方法で製造した下部側基板６及び
対向側基板７を、枠部材を介して対向させて組み合わ
せ、両基板間に液晶分子２１を充填して、図２に示され
たＯＣＢ型液晶表示装置を製造する。ＯＣＢ型液晶表示
装置は図１３に示した従来例と同様に、２枚の偏光板及
びディスコティック液晶を用いた負の複屈折補償板によ
って挟まれる。
対向側基板７を、枠部材を介して対向させて組み合わ
せ、両基板間に液晶分子２１を充填して、図２に示され
たＯＣＢ型液晶表示装置を製造する。ＯＣＢ型液晶表示
装置は図１３に示した従来例と同様に、２枚の偏光板及
びディスコティック液晶を用いた負の複屈折補償板によ
って挟まれる。
【００６７】
【実施の形態２】本願発明の他の実施の形態であるＯＣ
Ｂ型液晶表示装置の画素部分の断面図を図８に示す、図
２と同様に、図１中のＡ線で示された部分の断面図であ
る。本実施の形態のＯＣＢ型液晶表示装置は下部側基板
６、下部側基板６に対向して配置された対向側基板７、
及び下部側基板６と対向側基板７の間に挟み込まれた液
晶層８を有している。液晶層８の厚さは５〜６μｍであ
る。下部側基板６は、ゲート絶縁膜９、ＴＦＴ１０、絶
縁層１１、画素電極１２、カラーフィルタ１９及び遮光
膜２０を有している。下部側基板６の上には、ゲート絶
縁膜９が積層され、ゲート絶縁膜９の上には、ＴＦＴ１
０が形成されている。ＴＦＴ１０は、下部側基板６上の
ゲート電極１３、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜９
上のソース電極１４、及びドレイン電極１５を有してい
る。ゲート電極１３は図１に示されたゲート配線２と電
気的に接続され、ドレイン電極１５はドレイン配線３と
電気的に接続されている。
Ｂ型液晶表示装置の画素部分の断面図を図８に示す、図
２と同様に、図１中のＡ線で示された部分の断面図であ
る。本実施の形態のＯＣＢ型液晶表示装置は下部側基板
６、下部側基板６に対向して配置された対向側基板７、
及び下部側基板６と対向側基板７の間に挟み込まれた液
晶層８を有している。液晶層８の厚さは５〜６μｍであ
る。下部側基板６は、ゲート絶縁膜９、ＴＦＴ１０、絶
縁層１１、画素電極１２、カラーフィルタ１９及び遮光
膜２０を有している。下部側基板６の上には、ゲート絶
縁膜９が積層され、ゲート絶縁膜９の上には、ＴＦＴ１
０が形成されている。ＴＦＴ１０は、下部側基板６上の
ゲート電極１３、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜９
上のソース電極１４、及びドレイン電極１５を有してい
る。ゲート電極１３は図１に示されたゲート配線２と電
気的に接続され、ドレイン電極１５はドレイン配線３と
電気的に接続されている。
【００６８】ゲート絶縁膜９及びＴＦＴ１０の上にはオ
ーバーコート膜１１ａ及び絶縁層１１が積層され、オー
バーコート膜１１ａ及び絶縁層１１にはソース電極１４
に達するコンタクトホール１６が開けられている。更
に、コンタクトホール１６と共にオーバーコート膜１１
ａ及び絶縁層１１を覆って、画素電極１２が積層されて
いる。画素電極１２は、ＴＦＴ１０のソース電極１４に
接続され、液晶層８に電圧を印加する電極としての機能
を有する。カラーフィルタ１９は赤（Ｒ）緑（Ｇ）青
（Ｂ）の着色が施された光を透過する樹脂である。遮光
膜２０は下部側基板６のＴＦＴ１０やゲート配線２、ド
レイン配線３に対向する位置に形成されたブラックマス
クであり、該当領域での光の透過を防止する機能を有す
る。
ーバーコート膜１１ａ及び絶縁層１１が積層され、オー
バーコート膜１１ａ及び絶縁層１１にはソース電極１４
に達するコンタクトホール１６が開けられている。更
に、コンタクトホール１６と共にオーバーコート膜１１
ａ及び絶縁層１１を覆って、画素電極１２が積層されて
いる。画素電極１２は、ＴＦＴ１０のソース電極１４に
接続され、液晶層８に電圧を印加する電極としての機能
を有する。カラーフィルタ１９は赤（Ｒ）緑（Ｇ）青
（Ｂ）の着色が施された光を透過する樹脂である。遮光
膜２０は下部側基板６のＴＦＴ１０やゲート配線２、ド
レイン配線３に対向する位置に形成されたブラックマス
クであり、該当領域での光の透過を防止する機能を有す
る。
【００６９】対向側基板７は、液晶層８側から順番に積
層された、配向膜１７、絶縁層１１、共通電極１８及び
遮光膜２０を有している。遮光膜２０は転位核領域２２
を覆うように形成されている。また、ここでは図示しな
いが遮光膜２０は下部側基板６の絶縁層１１に形成され
てもよい。配向膜１７は液晶層８中の液晶分子２１の配
向方向をラビングによって決定するための膜である。共
通電極１８は画素電極１２と共に液晶層８に電圧を印加
する為の電極としての機能を有する。
層された、配向膜１７、絶縁層１１、共通電極１８及び
遮光膜２０を有している。遮光膜２０は転位核領域２２
を覆うように形成されている。また、ここでは図示しな
いが遮光膜２０は下部側基板６の絶縁層１１に形成され
てもよい。配向膜１７は液晶層８中の液晶分子２１の配
向方向をラビングによって決定するための膜である。共
通電極１８は画素電極１２と共に液晶層８に電圧を印加
する為の電極としての機能を有する。
【００７０】下部側基板６と対向側基板７に積層された
絶縁層１１は、転移核領域２２において、傾斜面が連続
して鋸の刃状の形状を形成している。絶縁層１１の傾斜
面においても液晶分子２１のプレチルト角及び配向方向
が決定されるが、プレチルト角が小さい樹脂を絶縁層１
１の材料として用いることにより、絶縁層１１近傍領域
では絶縁層１１面とほぼ平行方向に液晶分子２１の長軸
方向が向くことになる。図８に示したように、両基板を
対向させた状態において絶縁層１１の傾斜がハの字とな
るように反対向きに傾斜を形成すると、液晶分子２１は
連続媒質であるために、転移核領域２２での液晶分子２
１は常にベンド配向をとることになる。
絶縁層１１は、転移核領域２２において、傾斜面が連続
して鋸の刃状の形状を形成している。絶縁層１１の傾斜
面においても液晶分子２１のプレチルト角及び配向方向
が決定されるが、プレチルト角が小さい樹脂を絶縁層１
１の材料として用いることにより、絶縁層１１近傍領域
では絶縁層１１面とほぼ平行方向に液晶分子２１の長軸
方向が向くことになる。図８に示したように、両基板を
対向させた状態において絶縁層１１の傾斜がハの字とな
るように反対向きに傾斜を形成すると、液晶分子２１は
連続媒質であるために、転移核領域２２での液晶分子２
１は常にベンド配向をとることになる。
【００７１】図８に示したＯＣＢ型液晶表示装置を製造
する方法は、図７に示した実施の形態１のＯＣＢ型液晶
表示装置の製造方法と類似しているが、図７（ａ）にお
いてＴＦＴ１０及びゲート絶縁膜９の上にオーバーコー
ト膜１１ａを形成した後に、ＴＦＴ１０に重畳するよう
に遮光膜２０を形成し、画素電極１２を形成する領域の
オーバーコート膜１１ａ上にカラーフィルタ１９を形成
しておく部分のみが異なる。以後の絶縁層１１、画素電
極１２、コンタクトホール１６及び転移核領域２２の鋸
の刃形状の傾斜面の形成方法は図７（ｂ）乃至（ｈ）と
同様である。
する方法は、図７に示した実施の形態１のＯＣＢ型液晶
表示装置の製造方法と類似しているが、図７（ａ）にお
いてＴＦＴ１０及びゲート絶縁膜９の上にオーバーコー
ト膜１１ａを形成した後に、ＴＦＴ１０に重畳するよう
に遮光膜２０を形成し、画素電極１２を形成する領域の
オーバーコート膜１１ａ上にカラーフィルタ１９を形成
しておく部分のみが異なる。以後の絶縁層１１、画素電
極１２、コンタクトホール１６及び転移核領域２２の鋸
の刃形状の傾斜面の形成方法は図７（ｂ）乃至（ｈ）と
同様である。
【００７２】
【実施の形態３】本願発明のＯＣＢ型液晶表示装置に用
いるアクティブマトリクス基板の、他の製造方法を図９
及び図１０を用いて説明する。以下に述べるアクティブ
マトリクス基板の製造方法以外に関しては実施の形態１
と同様である。下部側基板の上６にゲート電極１３を形
成してゲート絶縁膜９を積層し、ゲート絶縁膜９の上
に、ソース電極１４及びドレイン電極１５をそれぞれ形
成して、スイッチング素子としてのＴＦＴ１０を備えた
アクティブマトリクス基板を形成する（図９（ａ）参
照）。なお、スイッチング素子としてＴＦＴに限るもの
ではなく、例えば、ダイオード等、その他のスイッチン
グ素子の基板を形成しても良い。
いるアクティブマトリクス基板の、他の製造方法を図９
及び図１０を用いて説明する。以下に述べるアクティブ
マトリクス基板の製造方法以外に関しては実施の形態１
と同様である。下部側基板の上６にゲート電極１３を形
成してゲート絶縁膜９を積層し、ゲート絶縁膜９の上
に、ソース電極１４及びドレイン電極１５をそれぞれ形
成して、スイッチング素子としてのＴＦＴ１０を備えた
アクティブマトリクス基板を形成する（図９（ａ）参
照）。なお、スイッチング素子としてＴＦＴに限るもの
ではなく、例えば、ダイオード等、その他のスイッチン
グ素子の基板を形成しても良い。
【００７３】その後下部側基板６に、ＴＦＴ１０及びゲ
ート絶縁膜９を覆ってスパッタ法またはＣＶＤ法を用い
てＳｉＯ２等の絶縁層１１を積層し（図９（ｂ）参
照）、更にその上にフォトレジスト２４をスピンコート
により塗布する（図９（ｃ）参照）。フォトレジスト２
４にマスキングを施したのちに露光及び現像作業を行い
（図９（ｄ）参照）、絶縁層１１上の所定の位置にソー
ス電極１４まで到達する孔であるコンタクトホール１６
をエッチングにより形成する（図９（ｅ）参照）。フォ
トレジスト２４の剥離をした後（図９（ｆ）参照）、ス
パッタ法を用いて、絶縁層１１全面に画素電極１２の材
質であるＩＴＯ２３を積層する。このときコンタクトホ
ール１６の内部がＩＴＯ２３で覆われることにより、ソ
ース電極１４と画素電極１２が電気的に接触する（図９
（ｇ）参照）。
ート絶縁膜９を覆ってスパッタ法またはＣＶＤ法を用い
てＳｉＯ２等の絶縁層１１を積層し（図９（ｂ）参
照）、更にその上にフォトレジスト２４をスピンコート
により塗布する（図９（ｃ）参照）。フォトレジスト２
４にマスキングを施したのちに露光及び現像作業を行い
（図９（ｄ）参照）、絶縁層１１上の所定の位置にソー
ス電極１４まで到達する孔であるコンタクトホール１６
をエッチングにより形成する（図９（ｅ）参照）。フォ
トレジスト２４の剥離をした後（図９（ｆ）参照）、ス
パッタ法を用いて、絶縁層１１全面に画素電極１２の材
質であるＩＴＯ２３を積層する。このときコンタクトホ
ール１６の内部がＩＴＯ２３で覆われることにより、ソ
ース電極１４と画素電極１２が電気的に接触する（図９
（ｇ）参照）。
【００７４】ＩＴＯ２３上に再度フォトレジスト２４を
スピンコートにより塗布し（図１０（ａ）参照）、マス
キングを施した後に再び露光及び現像作業を行い、画素
電極１２を残したい領域にのみフォトレジスト２４が残
るようにする（図１０（ｂ）参照）。その後、ＩＴＯ２
３のエッチングを行って画素電極１２を残してＩＴＯ２
３除去し（図１０（ｃ）参照）、フォトレジスト２４の
剥離を画素電極１２を形成する（図１０（ｄ）参照）。
その後、感光性アクリル樹脂である絶縁層１１をスピン
コートにより積層し（図１０（ｅ）参照）、絶縁層１１
にマスキングを施したのちに露光及び現像作業を行い、
絶縁層１１上の所定の位置に転移核領域２２の鋸の刃形
状の傾斜面を形成する（図１０（ｆ）参照）。この際、
転移核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜
１００％まで連続的または段階的に変化するグラデーシ
ョンが施されたマスクを用いる。
スピンコートにより塗布し（図１０（ａ）参照）、マス
キングを施した後に再び露光及び現像作業を行い、画素
電極１２を残したい領域にのみフォトレジスト２４が残
るようにする（図１０（ｂ）参照）。その後、ＩＴＯ２
３のエッチングを行って画素電極１２を残してＩＴＯ２
３除去し（図１０（ｃ）参照）、フォトレジスト２４の
剥離を画素電極１２を形成する（図１０（ｄ）参照）。
その後、感光性アクリル樹脂である絶縁層１１をスピン
コートにより積層し（図１０（ｅ）参照）、絶縁層１１
にマスキングを施したのちに露光及び現像作業を行い、
絶縁層１１上の所定の位置に転移核領域２２の鋸の刃形
状の傾斜面を形成する（図１０（ｆ）参照）。この際、
転移核領域２２の傾斜面の形成には、光の透過率が０〜
１００％まで連続的または段階的に変化するグラデーシ
ョンが施されたマスクを用いる。
【００７５】エッチング及びレジスト剥離には、画素電
極１２及びフォトレジスト２４の種類に応じた方法を用
いればよく、従来から提供されている技術を用いること
ができる。ここでは図示していないが、液晶分子２１の
配向方向を決定するための配向膜を、画素電極１２及び
絶縁層１１上に塗布した後にラビングを行うことも従来
技術と同様にして行う。
極１２及びフォトレジスト２４の種類に応じた方法を用
いればよく、従来から提供されている技術を用いること
ができる。ここでは図示していないが、液晶分子２１の
配向方向を決定するための配向膜を、画素電極１２及び
絶縁層１１上に塗布した後にラビングを行うことも従来
技術と同様にして行う。
【００７６】
【実施の形態４】他の実施の形態としてＯＣＢ型液晶表
示装置の断面図を簡略化して図１１及び図１２に示す。
実施の形態１及び実施の形態２との相違点は、画素電極
１２の形成される領域と転移核領域２２との段差の有無
である。画素電極１２よりも転移核領域２２の絶縁層１
１の傾斜面が液晶層８に突出している形態であっても、
実施の形態１及び実施の形態２と同様に電源オフ時には
スプレイ配向をとり、電源オン時にはベンド配向をと
る。
示装置の断面図を簡略化して図１１及び図１２に示す。
実施の形態１及び実施の形態２との相違点は、画素電極
１２の形成される領域と転移核領域２２との段差の有無
である。画素電極１２よりも転移核領域２２の絶縁層１
１の傾斜面が液晶層８に突出している形態であっても、
実施の形態１及び実施の形態２と同様に電源オフ時には
スプレイ配向をとり、電源オン時にはベンド配向をと
る。
【００７７】ここで、電源オフ時とは画素電極１２と共
通電極１８の間に電位差が生じていない状態であり、電
源オン時とは画素電極１２と共通電極１８の間に３〜５
Ｖ程度の電位差が生じている状態である。３〜５Ｖ程度
の電位差であれば、ＴＦＴ１０でも電圧の印加を行うこ
とが可能である。ＴＦＴ１０で印加可能な電圧で即座に
スプレイ配向からベンド配向に転移が起こることから、
転移核領域２２のベンド配向となっている液晶分子２１
が転移の核と成り得ることが示される。画素電極１２の
領域にある液晶層８がベンド配向となった後の白及び黒
表示の為の駆動方式に関しては、通常のＯＣＢ型液晶表
示装置において用いられる駆動方式を採用することがで
きる。
通電極１８の間に電位差が生じていない状態であり、電
源オン時とは画素電極１２と共通電極１８の間に３〜５
Ｖ程度の電位差が生じている状態である。３〜５Ｖ程度
の電位差であれば、ＴＦＴ１０でも電圧の印加を行うこ
とが可能である。ＴＦＴ１０で印加可能な電圧で即座に
スプレイ配向からベンド配向に転移が起こることから、
転移核領域２２のベンド配向となっている液晶分子２１
が転移の核と成り得ることが示される。画素電極１２の
領域にある液晶層８がベンド配向となった後の白及び黒
表示の為の駆動方式に関しては、通常のＯＣＢ型液晶表
示装置において用いられる駆動方式を採用することがで
きる。
【００７８】
【発明の効果】両基板上に転移核領域の傾斜面がハの字
状を成して形成されていることにより、転移核領域の間
に挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に
電圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への
転移が発生しやすくなる。画素電極以外の領域に転移核
領域の傾斜面が形成されていることにより、表示領域内
における液晶分子の配向乱れが発生しないため、光の透
過率の低下が起こりにくい。前記走査信号電極／前記映
像信号電極が形成される領域に転移核領域を形成するこ
とにより、転移核領域に挟み込まれている液晶層はブラ
ックマトリクスによって覆われ、転移核領域がほぼ対向
する位置に形成されることにより、転移核領域間の液晶
配向の乱れが低減され、液晶の表示品質を向上させるこ
とが可能となる。表示面全体において転移核領域の傾斜
面が一様な方向となっていることにより、全ての画素の
配向方向を統一することができ、表示面全体の液晶層を
効果的に配向させることが可能となる。
状を成して形成されていることにより、転移核領域の間
に挟み込まれた液晶層がベンド配向となり、両基板間に
電圧を印加した場合のスプレイ配向からベンド配向への
転移が発生しやすくなる。画素電極以外の領域に転移核
領域の傾斜面が形成されていることにより、表示領域内
における液晶分子の配向乱れが発生しないため、光の透
過率の低下が起こりにくい。前記走査信号電極／前記映
像信号電極が形成される領域に転移核領域を形成するこ
とにより、転移核領域に挟み込まれている液晶層はブラ
ックマトリクスによって覆われ、転移核領域がほぼ対向
する位置に形成されることにより、転移核領域間の液晶
配向の乱れが低減され、液晶の表示品質を向上させるこ
とが可能となる。表示面全体において転移核領域の傾斜
面が一様な方向となっていることにより、全ての画素の
配向方向を統一することができ、表示面全体の液晶層を
効果的に配向させることが可能となる。
【００７９】両基板に電圧が印加されていない状態で
も、転移核領域の液晶層がベンド配向を取ることによ
り、電圧が印加されていない状態ではスプレイ配向を取
る液晶層は、電圧印加時に転移核領域のベンド配向に誘
発されてベンド配向となる。転移核領域に挟み込まれた
液晶層がベンド配向となっていることにより、画素電極
の領域の液晶層で転移が誘発されるため、転移核領域が
画素電極や共通電極よりも凸状もしくは溝状に形成され
ていても、低電圧においても安定してベンド配向の液晶
層を維持することが可能となる。転移核領域の傾斜面が
基板と成す角度によって、転移核領域に挟み込まれた液
晶層がベンド配向を取るため、転移核領域表面のプレチ
ルト角が０度であってもベンド配向を維持することが可
能であり、液晶層との界面にプレチルト角が小さい材料
を用いることができ、コスト等の観点からの材料選択が
容易になる。
も、転移核領域の液晶層がベンド配向を取ることによ
り、電圧が印加されていない状態ではスプレイ配向を取
る液晶層は、電圧印加時に転移核領域のベンド配向に誘
発されてベンド配向となる。転移核領域に挟み込まれた
液晶層がベンド配向となっていることにより、画素電極
の領域の液晶層で転移が誘発されるため、転移核領域が
画素電極や共通電極よりも凸状もしくは溝状に形成され
ていても、低電圧においても安定してベンド配向の液晶
層を維持することが可能となる。転移核領域の傾斜面が
基板と成す角度によって、転移核領域に挟み込まれた液
晶層がベンド配向を取るため、転移核領域表面のプレチ
ルト角が０度であってもベンド配向を維持することが可
能であり、液晶層との界面にプレチルト角が小さい材料
を用いることができ、コスト等の観点からの材料選択が
容易になる。
【００８０】連続的に光の透過率が変化するグラデーシ
ョン部を有するマスクを用いて露光及び現像を行うこと
や、スリット状のマスクをステップ毎に移動させつつ、
ステップ毎に露光強度を増加／減少させて露光及び現像
を行うことで、転移核領域の傾斜面を形成することが可
能となる。このため、製造工程の増加をせずに本願発明
の液晶表示装置を提供することが可能となる。
ョン部を有するマスクを用いて露光及び現像を行うこと
や、スリット状のマスクをステップ毎に移動させつつ、
ステップ毎に露光強度を増加／減少させて露光及び現像
を行うことで、転移核領域の傾斜面を形成することが可
能となる。このため、製造工程の増加をせずに本願発明
の液晶表示装置を提供することが可能となる。
【図１】実施の形態１のＯＣＢ型液晶表示装置の画素平
面図
面図
【図２】図１Ａ線部分の断面図
【図３】スプレイ配向及びベンド配向における配向ベク
トル分布
トル分布
【図４】プレチルト角とベンド配向及びスプレイ配向の
安定性の関係を示す図
安定性の関係を示す図
【図５】電源オン時とオフ時の液晶分子の配向状態
【図６】転移核領域の形成位置を画素中に平面的に示す
図
図
【図７】本願発明のＯＣＢ型液晶表示装置の製造方法
【図８】実施の形態２のＯＣＢ型液晶表示装置の部分断
面図
面図
【図９】実施の形態３のＯＣＢ型液晶表示装置の製造方
法前半
法前半
【図１０】実施の形態３のＯＣＢ型液晶表示装置の製造
方法後半
方法後半
【図１１】実施の形態４のＯＣＢ型液晶表示装置の簡略
化した断面図
化した断面図
【図１２】実施の形態４のＯＣＢ型液晶表示装置の簡略
化した断面図
化した断面図
【図１３】ＯＣＢ型液晶表示装置の基本構成
【図１４】ギブスのエネルギーの計算例
【図１５】両基板での転移核領域の傾斜面の位置関係
１…画素電極
２…ゲート配線
３…ドレイン配線
４…コンタクトホール
５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
６…下部側基板
７…対向側基板
８…液晶層
９…ゲート絶縁膜
１０…ＴＦＴ
１１…絶縁層
１１ａ…オーバーコート膜
１２…画素電極
１３…ゲート電極
１４…ソース電極
１５…ドレイン電極
１６…コンタクトホール
１７…配向膜
１８…共通電極
１９…カラーフィルタ
２０…遮光膜
２１…液晶分子
２２…転移核領域
２３…ＩＴＯ
２４…フォトレジスト
２５…ベンド配向になっている液晶層
２６…アクティブマトリクス基板
２７…対向側基板
２８…複屈折補償板
２９…偏光板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368
(72)発明者 鈴木 成嘉
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株
式会社内
(72)発明者 渡辺 誠
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株
式会社内
Ｆターム(参考） 2H088 GA02 HA03 HA04 JA04 JA09
KA08 KA14 LA02 LA08 MA07
MA10
2H090 HA11 HB01Y HC02 HD01
HD11 JA05 KA07 LA01 LA05
MA06 MA10 MA15 MB01
2H091 FA35Y GA06 GA07 HA09
KA05 LA19 LA30
2H092 GA11 HA04 JA24 JB52 JB56
MA16 MA18 NA05 NA25 PA02
PA09 QA09
2H093 NA16 NC34 ND13 ND32 NE02
NE04 NE06 NF09 NH01
Claims (17)
- 【請求項１】互いの界面における液晶分子の配向方向が
前記界面に平行となるように貼り合わせられた第１の基
板と第２の基板との間に液晶層が挟持され、前記第１の
基板上に、複数の走査信号電極と、それらにマトリクス
状に交差する複数の映像信号電極と、これらの電極の各
交点に対応して形成された複数の薄膜トランジスタとを
有し、複数の前記走査信号電極及び前記映像信号電極で
囲まれる各領域に１つの画素が構成され、各画素に対応
する前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を
有し、前記第２の基板上に複数の画素に渡って基準電位
を与える共通電極を有する液晶表示装置であって、前記
第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に接する面
に、連続した複数の傾斜面である転移核領域が形成さ
れ、前記第１の基板に形成された前記第１の転移核領域
の傾斜面と、前記第２の基板に形成された前記第２の転
移核領域の傾斜面とが対向せしめられ、それぞれの断面
側縁が、ハの字状を成すように配置されていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】互いの界面における液晶分子の配向方向が
前記界面に平行となるように貼り合わせられた第１の基
板と第２の基板との間に液晶層が挟持され、前記第１の
基板上に、複数の走査信号電極と、それらにマトリクス
状に交差する複数の映像信号電極と、これらの電極の各
交点に対応して形成された複数の薄膜トランジスタとを
有し、複数の前記走査信号電極及び前記映像信号電極で
囲まれる各領域に１つの画素が構成され、各画素に対応
する前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を
有し、前記第２の基板上に複数の画素に渡って基準電位
を与える共通電極を有する液晶表示装置であって、前記
第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶層に接する面
に、連続した複数の傾斜面である転移核領域が形成さ
れ、前記第１の基板に形成された前記第１の転移核領域
の傾斜面の仮想延長面と、前記第２の基板に形成された
前記第２の転移核領域の傾斜面の仮想延長面とが、前記
液晶層内部で交差するように形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項３】前記第１の転移核領域は、前記第１の基板
の前記画素電極以外の非表示領域に形成されていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載された液晶
表示装置。 - 【請求項４】前記非表示領域は、前記走査信号電極及び
／または前記映像信号電極が形成される領域であること
を特徴とする請求項３に記載された液晶表示装置。 - 【請求項５】前記非表示領域に対向する前記第２の基板
の領域に遮光層が形成され、前記非表示領域が前記遮光
層で覆われることを特徴とする請求項３に記載された液
晶表示装置。 - 【請求項６】前記第２の基板に形成された前記第２の転
移核領域は、前記第１の基板に形成された前記第１の転
移核領域と対向する領域と略同一の位置に形成されてい
ることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一に
記載された液晶表示装置。 - 【請求項７】前記第１の転移核領域及び前記第２の転移
核領域の傾斜面は、表示面全体において一様な方向とな
るように形成されていることを特徴とする請求項１乃至
請求項６の何れか一に記載された液晶表示装置。 - 【請求項８】前記第１の転移核領域及び前記第２の転移
核領域の傾斜面によって、前記転移核領域が基板に対し
て実質的に高プレチルト角となり、前記画素電極と前記
共通電極間に電位差が生じていない状態でも前記転移核
領域の前記液晶層の配向がベンド配向となることを特徴
とする請求項１乃至請求項７の何れか一に記載された液
晶表示装置。 - 【請求項９】前記第１の転移核領域の傾斜面が前記第１
の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の傾斜面
が前記第２の基板と成す角度がそれぞれ４５度以上であ
り、ベンド配向とスプレイ配向の弾性定数比ｋ３３／ｋ
１１が１以下であることを特徴とする請求項１乃至請求
項８の何れか一に記載された液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記第１の転移核領域の傾斜面が前記第
１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の傾斜
面が前記第２の基板と成す角度が、それぞれ６０度以上
であることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか
一に記載された液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記第１の転移核領域及び前記第２の転
移核領域の傾斜面の傾斜方向と、前記第１の基板及び前
記第２の基板と前記液晶層の界面における液晶分子の配
向方向が一致していることを特徴とする請求項１乃至請
求項１０の何れか一に記載された液晶表示装置。 - 【請求項１２】第１の基板または第２の基板に感光性樹
脂を塗布し、連続的に光の透過率が変化するグラデーシ
ョン部を有するマスクを用いて露光及び現像を行うこと
により、前記感光性樹脂に第１の転移核領域または第２
の転移核領域を形成する工程を含むことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】第１の基板または第２の基板に感光性樹
脂を塗布し、スリット状のマスクをステップ毎に移動さ
せつつ、ステップ毎に露光強度を増加／減少させて露光
及び現像を行うことにより、前記感光性樹脂に第１の転
移核領域または第２の転移核領域を形成する工程を含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】互いの界面における液晶分子の配向方向
が前記界面に平行となるように貼り合わせられた第１の
基板と第２の基板との間に液晶層が挟持され、前記第１
の基板上に、複数の走査信号電極と、それらにマトリク
ス状に交差する複数の映像信号電極と、これらの電極の
各交点に対応して形成された複数の薄膜トランジスタと
を有し、複数の前記走査信号電極及び前記映像信号電極
で囲まれる各領域に１つの画素が構成され、各画素に対
応する前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極
を有し、前記第２の基板上に複数の画素に渡って基準電
位を与える共通電極を有する液晶表示装置において、前
記画素電極周辺の非表示領域に転移核領域を設けること
によって、電圧を印加しない状態においても前記転移核
領域の前記液晶層の配向がベンド配向となり、前記画素
の前記液晶層に電圧を印加することによって、前記画素
の表示領域における前記液晶層をスプレイ配向からベン
ド配向へ転移させることを特徴とする液晶表示装置の駆
動方法。 - 【請求項１５】前記転移核領域は、前記第１の基板及び
前記第２の基板の前記液晶層に接する面に形成された連
続した複数の傾斜面であり、前記第１の基板に形成され
た前記第１の転移核領域の傾斜面と、前記第２の基板に
形成された前記第２の転移核領域の傾斜面とが対向せし
められ、それぞれの断面側縁が、ハの字状を成すように
配置されていることを特徴とする請求項１４に記載され
た液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項１６】前記第１の転移核領域の傾斜面が前記第
１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の傾斜
面が前記第２の基板と成す角度がそれぞれ４５度以上で
あり、ベンド配向とスプレイ配向の弾性定数比ｋ３３／
ｋ１１が１以下であることを特徴とする請求項１乃至請
求項８の何れか一に記載された液晶表示装置の駆動方
法。 - 【請求項１７】前記第１の転移核領域の傾斜面が前記第
１の基板と成す角度、及び前記第２の転移核領域の傾斜
面が前記第２の基板と成す角度が、それぞれ６０度以上
であることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか
一に記載された液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002172245A JP3730940B2 (ja) | 2001-06-20 | 2002-06-13 | 液晶表示装置及びその製造方法及びその駆動方法 |
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|---|---|---|---|
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| JP2001186355 | 2001-06-20 | ||
| JP2002172245A JP3730940B2 (ja) | 2001-06-20 | 2002-06-13 | 液晶表示装置及びその製造方法及びその駆動方法 |
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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