JP2003073556A - 封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体装置Info
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Abstract
グフレームと封止用樹脂組成物との接着力を向上させ、
半導体装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 (A)最大粒子径が200μm以下で平
均粒子径が1μm以上60μm以下である無機充填剤、
(B)熱硬化性樹脂、(C)4,4−ジチオジモルホリ
ン、(D)ブタジエンゴムを必須成分とし、樹脂組成物
全体に対して、(A)無機充填剤を50〜95重量%、
(C)4,4−ジチオジモルホリンを0.001〜0.
5重量%および(D)ブタジエンゴムを0.01〜5重
量%の割合で含有してなる封止用樹脂組成物、および該
封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止
されてなる半導体装置。
Description
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体構体の封止に用いられる、耐リフロークラック性等の
信頼性に優れた封止用樹脂組成物および半導体装置に関
する。
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを熱硬化性樹脂および無機充填剤からなる樹
脂組成物によって封止した半導体装置が多用されるよう
になってきている。
充填剤からなる樹脂組成物によってPdやPd−Au等
のプレプレーティングフレーム等のインサートが封止さ
れた半導体装置においては、インサートと樹脂組成物と
の接着性が著しく悪いという欠点があった。
れを表面実装すると、樹脂組成物とリードフレーム、あ
るいは樹脂組成物と半導体チップとの間に剥がれが生じ
て著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線や水
分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、
長期間の信頼性を保証することができないという課題が
あった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿性劣化の
少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されていた。
解消し、上記要望にこたえるためになされたもので、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームと樹脂
組成物との接着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー
後の信頼性に優れた、成形性の良い、封止用樹脂組成物
および半導体装置を提供しようとするものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に
(C)4,4−ジチオジモルホリンと(D)ブタジエン
ゴムを適当に組み合わせることによって、これらを単独
で使用したときよりも大幅にPdやPd−Au等のプレ
プレーティングフレームと樹脂組成物との接着性を向上
し、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成
させたものである。
(A)最大粒子径が200μm以下で平均粒子径が1μ
m以上60μm以下である無機充填剤、(B)熱硬化性
樹脂、(C)4,4−ジチオジモルホリン、(D)ブタ
ジエンゴムを必須成分として含有する樹脂組成物におい
て、前記樹脂組成物全体に対して、前記(A)無機充填
剤を50〜95重量%、前記(C)4,4−ジチオジモ
ルホリンを0.001〜0.5重量%および前記(D)
ブタジエンゴムを0.01〜5重量%の割合で含有する
ことを特徴とするものである。
イ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン
およびガラス繊維から選択される1種、又は2種以上か
らなるものであることが好ましく、前記(B)熱硬化性
樹脂はエポキシ樹脂を含有するものであることが好まし
い。
うな封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが
封止されてなることを特徴とするものである。
本発明に用いる(A)無機充填剤としては、シリカ、窒
化ケイ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チ
タンおよびガラス繊維等からなるものが挙げられ、これ
らは、単独もしくは2種類以上混合して用いることがで
きる。
なる粉末を用いることが好ましい。シリカ粉末を用いた
場合、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという
利点がある。シリカ粉末としては溶融シリカ粉末、結晶
性シリカ粉末が挙げられるが、高充填、高流動性という
点から溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。この溶
融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融
シリカ粉末があるが、流動性と強靱性を共立するという
観点から、両者を併用することが好ましい。
物に対して50〜95重量%とする。好ましくは、全体
の樹脂組成物に対して60〜90重量%の割合とする。
その割合が50重量%未満では、耐熱性、耐湿性、半田
耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、また、9
5重量%を越えると、かさばりが大きくなり成形性に劣
り実用に適さない。
下のものが好ましく、平均粒子径が1μm以上60μm
以下であることが好ましい。最大粒子径が200μmを
越える場合、または平均粒子径が1μm未満または60
μmを越える場合には、かさばりが大きくなるなどして
成形性に劣り実用に適さない。なお、上記平均粒径は、
例えばレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測
定することができる。
は、例えば、ユリア樹脂,メラミン樹脂,フェノール樹
脂,レゾルシノール樹脂,エポキシ樹脂,ポリウレタン
樹脂,酢酸ビニル樹脂,ポリビニルアルコール樹脂,ア
クリル樹脂,ビニルウレタン樹脂,シリコーン樹脂,α
−オレフィン無水マレイン酸樹脂,シリコーン樹脂,ポ
リアミド樹脂,ポリイミド樹脂等が挙げられ、これら
は、単独または2種以上混合して使用することができ
る。この中でもエポキシ樹脂が工業的に有利に用いるこ
とができる。
のではなく、ジシクロペンタジエン型、クレゾールノボ
ラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノール
型、ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を用いること
ができる。
ルホリンとしては、次の構造式で示される化合物であ
る。
は、全体の樹脂組成物に対して0.001〜0.5重量
%含有することが望ましい。この割合が0.001重量
%未満では、PdやPd−Au等のプレプレーティング
フレームとの接着力の向上に効果がなく、また、0.5
重量%を越えると封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実
用に適さず好ましくない。4,4−ジチオジモルホリン
のより好ましい配合割合は、0.01〜0.1重量%で
ある。
ては、次の構造式に示されるものである。
組成物に対して0.01〜5重量%含有することが望ま
しい。この割合が0.01重量%未満では、PdやPd
−Au等のプレプレーティングフレームとの接着力の向
上に効果がなく、また、5重量%を越えると封止樹脂の
硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。ブ
タジエンゴムのより好ましい配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して0.1〜2重量%である。
チオジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂およ
び無機充填剤を主成分とするが、本発明の目的に反しな
い限度において、また必要に応じて、例えば、天然ワッ
クス類、合成ワックス類、直鎖脂肪族の金属塩、酸アミ
ド類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、エラスト
マー等の低応力化成分、カーボンブラック等の着色剤、
シランカップリング剤等の無機充填剤の処理剤、種々の
効果促進剤などを適宜、添加配合することができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、4,4−ジチ
オジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂、無機
充填剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によっ
て十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して封止用樹脂組成
物とすることができる。こうして得られた封止用樹脂組
成物は、半導体をはじめとする電子部品の封止、被膜、
絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させる
ことができる。
して4,4−ジチオジモルホリンおよびブタジエンゴム
を用いたことにより、目的とする特性が得られるもので
ある。すなわち、PdやPd−Au等のプレプレーティ
ングフレーム等のインサートと封止用樹脂組成物との接
着力を向上させ、表面実装後のインサートと封止用樹脂
組成物との接着性の劣化を防止することができ、長期の
信頼性が保証される。
にして得られた封止用樹脂組成物を用いて、PdやPd
−Au等のプレプレーティングフレームや半導体チップ
等のインサートを封止することにより得られる。本発明
の半導体装置は、例えば低圧トランスファー成形法を用
いて、インサートを封止用樹脂組成物で封止することに
より得られる。この他にも、射出成形、圧縮成形または
注型などによる作製も可能である。このような場合、封
止用樹脂組成物を加熱して硬化させることにより、最終
的に封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された半導
体装置を得ることができる。加熱による封止用樹脂組成
物の硬化は、150℃以上に加熱して行うことが望まし
い。本発明の半導体装置としては、例えば集積回路、大
型集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオー
ドなどで特に限定されるものではない。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例および比較例において「%」
とは「重量%」を意味する。
00)13%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)5.5%、4,4−ジチオジモルホリ
ン 0.03%、ブタジエンゴム 0.5%、硬化触媒
(北興化学製、PP−200)0.2%、エステル系
ワックス類(北興ファインケミカル製、カルバナ1号)
およびカップリング剤(日本ユニカー製、Y−966
9)0.8%を含有し、残部が溶融シリカ粉末(龍森
製、MRS−2212、79.97%)からなるものを
常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷
却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。
た金型内にトランスファー注入し、硬化させて半導体装
置を作製した。この半導体装置について接着強さおよび
耐湿性を測定した。その結果を表1に示す。
よって接着面積4mm2の半導体装置を作成し、175
℃、8時間放置した後のせん断接着力で表した。
わち、2本のアルミニウム配線を有するシリコン製チッ
プ(テスト用素子)をPdプレプレーティングフレーム
に接着し、封止用樹脂組成物により175℃で2分間ト
ランスファー成形して、QFP-208P、2.8mm
tの半導体装置を作製し、175℃において8時間硬化
させた。こうして得た半導体装置を予め、85℃、40
%RH、168時間の吸湿処理した後、Max240℃
のIRリフロー炉を4回通した。その後、127℃、
2.5気圧の飽和水蒸気中でPCTを行い、アルミニウ
ムの腐食による断線を不良として評価した。
00)10.5%に、ノボラック型フェノールアラルキ
ル樹脂(フェノール当量175)8%、4,4−ジチオ
ジモルホリン 0.03%、ブタジエンゴム 0.5
%、硬化触媒(北興化学製、PP−200) 0.2
%、エステル系ワックス類(北興ファインケミカル製、
カルバナ1号)、カップリング剤(日本ユニカー製、Y
−9669)0.8%を含有し、残部が溶融シリカ粉末
(龍森製、MRS−2212、79.97%)からなる
ものを常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封
止用樹脂組成物について、実施例1と同様にして半導体
装置を得るとともに各試験をおこなった。試験結果を表
1に示す。
に、ノボラック型フェノールアラルキル樹脂(フェノー
ル当量175)4%、4,4−ジチオジモルホリン
0.02%、ブタジエンゴム 0.2%、硬化触媒
(北興化学製、PP−200)0.2%、エステル系ワ
ックス類(北興ファインケミカル製、カルバナ1号)お
よびカップリング剤(日本ユニカー製、Y−9669)
0.6%を含有し、残部が溶融シリカ粉末(龍森製、M
RS−2212、89.98%)からなるものを常温で
混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組成
物について、実施例1と同様にして半導体装置を得ると
ともに各試験をおこなった。試験結果を表1に示す。
00)13%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)5.5%、ブタジエンゴム0.5%、
硬化触媒(北興化学製、PP−200)0.2%、エス
テル系ワックス類(北興ファインケミカル製、カルバナ
1号)およびカップリング剤(日本ユニカー製、Y−9
669)0.8%を含有し、残部が溶融シリカ粉末(龍
森製、MRS−2212、80%)からなるものを常温
で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉
砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組
成物について、実施例1と同様にして半導体装置を得る
とともに各試験をおこなった。その結果を表2に示す。
00)13.4%に、ノボラック型フェノール樹脂(フ
ェノール当量105)5.6%、4,4−ジチオジモル
ホリン 0.03%、硬化触媒 (北興化学製、PP−
200)0.2%、エステル系ワックス類(北興ファイ
ンケミカル製、カルバナ1号)およびカップリング剤
(日本ユニカー製、Y−9669)0.8%を含有し、
残部が溶融シリカ粉末(龍森製、MRS−2212、7
9.97%)からなるものを常温で混合し、さらに90
〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂組成
物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実施例
1と同様にして半導体装置を得るとともに各試験をおこ
なった。試験結果を表2に示す。
00)13.4%に、ノボラック型フェノール樹脂(フ
ェノール当量105)5.6%、硬化触媒 (龍森製、
MRS−2212)0.2%、エステル系ワックス類
(北興ファインケミカル製、カルバナ1号)およびカッ
プリング剤(日本ユニカー製、Y−9669)0.8%
を含有し、残部が溶融シリカ粉末(龍森製、MRS−2
212、80%)からなるものを常温で混合し、さらに
90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂
組成物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実
施例1と同様にして半導体装置を得るとともに各試験を
おこなった。試験結果を表2に示す。
装置は、Pd、Pd−Au等のプレプレーティングが施
されたインサートとの接着性に優れ、IRリフロー後に
おいても剥離することなく、耐湿性に優れ、その結果、
電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生等
を著しく低減することができ、しかも長期間にわたって
信頼性を保証することができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)最大粒子径が200μm以下で平
均粒子径が1μm以上60μm以下である無機充填剤、
(B)熱硬化性樹脂、(C)4,4−ジチオジモルホリ
ンおよび(D)ブタジエンゴムを必須成分として含有す
る樹脂組成物において、前記樹脂組成物全体に対して、
前記(A)無機充填剤を50〜95重量%、前記(C)
4,4−ジチオジモルホリンを0.001〜0.5重量
%および前記(D)ブタジエンゴムを0.01〜5重量
%の割合で含有することを特徴とする封止用樹脂組成
物。 - 【請求項2】 前記(A)無機充填剤が、シリカ、窒化
ケイ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタ
ンおよびガラス繊維から選択される1種、又は2種以上
からなるものであることを特徴とする請求項1記載の封
止用樹脂組成物。 - 【請求項3】 前記(B)熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂
を含有するものであることを特徴とする請求項1または
2記載の封止用樹脂組成物。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項記載の封
止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止さ
れてなることを特徴とする半導体装置。
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JP2001264420A JP4804673B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
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---|---|---|---|---|
JP2008239983A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
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JP2001220499A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用シール材組成物及びそれを用いた液晶表示素子 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264420A patent/JP4804673B2/ja not_active Expired - Fee Related
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