JP2003073556A - 封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体装置Info
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- resin
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特にＰｄ、Ｐｄ−Ａｕ等のプレプレーティン
グフレームと封止用樹脂組成物との接着力を向上させ、
半導体装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で平
均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である無機充填剤、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリ
ン、（Ｄ）ブタジエンゴムを必須成分とし、樹脂組成物
全体に対して、（Ａ）無機充填剤を５０〜９５重量％、
（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリンを０．００１〜０．
５重量％および（Ｄ）ブタジエンゴムを０．０１〜５重
量％の割合で含有してなる封止用樹脂組成物、および該
封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止
されてなる半導体装置。
グフレームと封止用樹脂組成物との接着力を向上させ、
半導体装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で平
均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である無機充填剤、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリ
ン、（Ｄ）ブタジエンゴムを必須成分とし、樹脂組成物
全体に対して、（Ａ）無機充填剤を５０〜９５重量％、
（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリンを０．００１〜０．
５重量％および（Ｄ）ブタジエンゴムを０．０１〜５重
量％の割合で含有してなる封止用樹脂組成物、および該
封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止
されてなる半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体構体の封止に用いられる、耐リフロークラック性等の
信頼性に優れた封止用樹脂組成物および半導体装置に関
する。
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体構体の封止に用いられる、耐リフロークラック性等の
信頼性に優れた封止用樹脂組成物および半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置では、半田メッキに換
えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングを施し
たフレームを熱硬化性樹脂および無機充填剤からなる樹
脂組成物によって封止した半導体装置が多用されるよう
になってきている。
えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングを施し
たフレームを熱硬化性樹脂および無機充填剤からなる樹
脂組成物によって封止した半導体装置が多用されるよう
になってきている。
【０００３】しかるに、従来の熱硬化性樹脂および無機
充填剤からなる樹脂組成物によってＰｄやＰｄ−Ａｕ等
のプレプレーティングフレーム等のインサートが封止さ
れた半導体装置においては、インサートと樹脂組成物と
の接着性が著しく悪いという欠点があった。
充填剤からなる樹脂組成物によってＰｄやＰｄ−Ａｕ等
のプレプレーティングフレーム等のインサートが封止さ
れた半導体装置においては、インサートと樹脂組成物と
の接着性が著しく悪いという欠点があった。
【０００４】特に、半導体装置が吸湿している場合、こ
れを表面実装すると、樹脂組成物とリードフレーム、あ
るいは樹脂組成物と半導体チップとの間に剥がれが生じ
て著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線や水
分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、
長期間の信頼性を保証することができないという課題が
あった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿性劣化の
少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されていた。
れを表面実装すると、樹脂組成物とリードフレーム、あ
るいは樹脂組成物と半導体チップとの間に剥がれが生じ
て著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線や水
分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、
長期間の信頼性を保証することができないという課題が
あった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿性劣化の
少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解消し、上記要望にこたえるためになされたもので、Ｐ
ｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームと樹脂
組成物との接着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー
後の信頼性に優れた、成形性の良い、封止用樹脂組成物
および半導体装置を提供しようとするものである。
解消し、上記要望にこたえるためになされたもので、Ｐ
ｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームと樹脂
組成物との接着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー
後の信頼性に優れた、成形性の良い、封止用樹脂組成物
および半導体装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に
（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリンと（Ｄ）ブタジエン
ゴムを適当に組み合わせることによって、これらを単独
で使用したときよりも大幅にＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレ
プレーティングフレームと樹脂組成物との接着性を向上
し、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成
させたものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に
（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリンと（Ｄ）ブタジエン
ゴムを適当に組み合わせることによって、これらを単独
で使用したときよりも大幅にＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレ
プレーティングフレームと樹脂組成物との接着性を向上
し、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成
させたものである。
【０００７】即ち、本発明の封止用樹脂組成物は、
（Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が１μ
ｍ以上６０μｍ以下である無機充填剤、（Ｂ）熱硬化性
樹脂、（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリン、（Ｄ）ブタ
ジエンゴムを必須成分として含有する樹脂組成物におい
て、前記樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）無機充填
剤を５０〜９５重量％、前記（Ｃ）４，４−ジチオジモ
ルホリンを０．００１〜０．５重量％および前記（Ｄ）
ブタジエンゴムを０．０１〜５重量％の割合で含有する
ことを特徴とするものである。
（Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が１μ
ｍ以上６０μｍ以下である無機充填剤、（Ｂ）熱硬化性
樹脂、（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリン、（Ｄ）ブタ
ジエンゴムを必須成分として含有する樹脂組成物におい
て、前記樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）無機充填
剤を５０〜９５重量％、前記（Ｃ）４，４−ジチオジモ
ルホリンを０．００１〜０．５重量％および前記（Ｄ）
ブタジエンゴムを０．０１〜５重量％の割合で含有する
ことを特徴とするものである。
【０００８】前記（Ａ）無機充填剤は、シリカ、窒化ケ
イ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン
およびガラス繊維から選択される１種、又は２種以上か
らなるものであることが好ましく、前記（Ｂ）熱硬化性
樹脂はエポキシ樹脂を含有するものであることが好まし
い。
イ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン
およびガラス繊維から選択される１種、又は２種以上か
らなるものであることが好ましく、前記（Ｂ）熱硬化性
樹脂はエポキシ樹脂を含有するものであることが好まし
い。
【０００９】また、本発明の半導体装置は、上記したよ
うな封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが
封止されてなることを特徴とするものである。
うな封止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが
封止されてなることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いる（Ａ）無機充填剤としては、シリカ、窒
化ケイ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チ
タンおよびガラス繊維等からなるものが挙げられ、これ
らは、単独もしくは２種類以上混合して用いることがで
きる。
本発明に用いる（Ａ）無機充填剤としては、シリカ、窒
化ケイ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チ
タンおよびガラス繊維等からなるものが挙げられ、これ
らは、単独もしくは２種類以上混合して用いることがで
きる。
【００１１】これらの中でも特にシリカやアルミナから
なる粉末を用いることが好ましい。シリカ粉末を用いた
場合、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという
利点がある。シリカ粉末としては溶融シリカ粉末、結晶
性シリカ粉末が挙げられるが、高充填、高流動性という
点から溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。この溶
融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融
シリカ粉末があるが、流動性と強靱性を共立するという
観点から、両者を併用することが好ましい。
なる粉末を用いることが好ましい。シリカ粉末を用いた
場合、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという
利点がある。シリカ粉末としては溶融シリカ粉末、結晶
性シリカ粉末が挙げられるが、高充填、高流動性という
点から溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。この溶
融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融
シリカ粉末があるが、流動性と強靱性を共立するという
観点から、両者を併用することが好ましい。
【００１２】無機充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成
物に対して５０〜９５重量％とする。好ましくは、全体
の樹脂組成物に対して６０〜９０重量％の割合とする。
その割合が５０重量％未満では、耐熱性、耐湿性、半田
耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、また、９
５重量％を越えると、かさばりが大きくなり成形性に劣
り実用に適さない。
物に対して５０〜９５重量％とする。好ましくは、全体
の樹脂組成物に対して６０〜９０重量％の割合とする。
その割合が５０重量％未満では、耐熱性、耐湿性、半田
耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、また、９
５重量％を越えると、かさばりが大きくなり成形性に劣
り実用に適さない。
【００１３】無機充填剤は、最大粒子径が２００μｍ以
下のものが好ましく、平均粒子径が１μｍ以上６０μｍ
以下であることが好ましい。最大粒子径が２００μｍを
越える場合、または平均粒子径が１μｍ未満または６０
μｍを越える場合には、かさばりが大きくなるなどして
成形性に劣り実用に適さない。なお、上記平均粒径は、
例えばレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測
定することができる。
下のものが好ましく、平均粒子径が１μｍ以上６０μｍ
以下であることが好ましい。最大粒子径が２００μｍを
越える場合、または平均粒子径が１μｍ未満または６０
μｍを越える場合には、かさばりが大きくなるなどして
成形性に劣り実用に適さない。なお、上記平均粒径は、
例えばレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測
定することができる。
【００１４】本発明に用いる(Ｂ)熱硬化性樹脂として
は、例えば、ユリア樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹
脂，レゾルシノール樹脂，エポキシ樹脂，ポリウレタン
樹脂，酢酸ビニル樹脂，ポリビニルアルコール樹脂，ア
クリル樹脂，ビニルウレタン樹脂，シリコーン樹脂，α
−オレフィン無水マレイン酸樹脂，シリコーン樹脂，ポ
リアミド樹脂，ポリイミド樹脂等が挙げられ、これら
は、単独または２種以上混合して使用することができ
る。この中でもエポキシ樹脂が工業的に有利に用いるこ
とができる。
は、例えば、ユリア樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹
脂，レゾルシノール樹脂，エポキシ樹脂，ポリウレタン
樹脂，酢酸ビニル樹脂，ポリビニルアルコール樹脂，ア
クリル樹脂，ビニルウレタン樹脂，シリコーン樹脂，α
−オレフィン無水マレイン酸樹脂，シリコーン樹脂，ポ
リアミド樹脂，ポリイミド樹脂等が挙げられ、これら
は、単独または２種以上混合して使用することができ
る。この中でもエポキシ樹脂が工業的に有利に用いるこ
とができる。
【００１５】エポキシ樹脂としては、特に限定されるも
のではなく、ジシクロペンタジエン型、クレゾールノボ
ラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノール
型、ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を用いること
ができる。
のではなく、ジシクロペンタジエン型、クレゾールノボ
ラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノール
型、ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を用いること
ができる。
【００１６】本発明に用いる（Ｃ）４，４−ジチオジモ
ルホリンとしては、次の構造式で示される化合物であ
る。
ルホリンとしては、次の構造式で示される化合物であ
る。
【００１７】
【化１】
【００１８】４，４−ジチオジモルホリンの配合割合
は、全体の樹脂組成物に対して０．００１〜０．５重量
％含有することが望ましい。この割合が０．００１重量
％未満では、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティング
フレームとの接着力の向上に効果がなく、また、０．５
重量％を越えると封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実
用に適さず好ましくない。４，４−ジチオジモルホリン
のより好ましい配合割合は、０．０１〜０．１重量％で
ある。
は、全体の樹脂組成物に対して０．００１〜０．５重量
％含有することが望ましい。この割合が０．００１重量
％未満では、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティング
フレームとの接着力の向上に効果がなく、また、０．５
重量％を越えると封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実
用に適さず好ましくない。４，４−ジチオジモルホリン
のより好ましい配合割合は、０．０１〜０．１重量％で
ある。
【００１９】本発明に用いる（Ｄ）ブタジエンゴムとし
ては、次の構造式に示されるものである。
ては、次の構造式に示されるものである。
【００２０】
【化２】
【００２１】ブタジエンゴムの配合割合は、全体の樹脂
組成物に対して０．０１〜５重量％含有することが望ま
しい。この割合が０．０１重量％未満では、ＰｄやＰｄ
−Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接着力の向
上に効果がなく、また、５重量％を越えると封止樹脂の
硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。ブ
タジエンゴムのより好ましい配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して０．１〜２重量％である。
組成物に対して０．０１〜５重量％含有することが望ま
しい。この割合が０．０１重量％未満では、ＰｄやＰｄ
−Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接着力の向
上に効果がなく、また、５重量％を越えると封止樹脂の
硬化等に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。ブ
タジエンゴムのより好ましい配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して０．１〜２重量％である。
【００２２】本発明の封止用樹脂組成物は、４，４−ジ
チオジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂およ
び無機充填剤を主成分とするが、本発明の目的に反しな
い限度において、また必要に応じて、例えば、天然ワッ
クス類、合成ワックス類、直鎖脂肪族の金属塩、酸アミ
ド類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、エラスト
マー等の低応力化成分、カーボンブラック等の着色剤、
シランカップリング剤等の無機充填剤の処理剤、種々の
効果促進剤などを適宜、添加配合することができる。
チオジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂およ
び無機充填剤を主成分とするが、本発明の目的に反しな
い限度において、また必要に応じて、例えば、天然ワッ
クス類、合成ワックス類、直鎖脂肪族の金属塩、酸アミ
ド類、エステル類、パラフィン系等の離型剤、エラスト
マー等の低応力化成分、カーボンブラック等の着色剤、
シランカップリング剤等の無機充填剤の処理剤、種々の
効果促進剤などを適宜、添加配合することができる。
【００２３】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、４，４−ジチ
オジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂、無機
充填剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によっ
て十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して封止用樹脂組成
物とすることができる。こうして得られた封止用樹脂組
成物は、半導体をはじめとする電子部品の封止、被膜、
絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させる
ことができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、４，４−ジチ
オジモルホリン、ブタジエンゴム、熱硬化性樹脂、無機
充填剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によっ
て十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して封止用樹脂組成
物とすることができる。こうして得られた封止用樹脂組
成物は、半導体をはじめとする電子部品の封止、被膜、
絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させる
ことができる。
【００２４】本発明の封止用樹脂組成物は、樹脂成分と
して４，４−ジチオジモルホリンおよびブタジエンゴム
を用いたことにより、目的とする特性が得られるもので
ある。すなわち、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティ
ングフレーム等のインサートと封止用樹脂組成物との接
着力を向上させ、表面実装後のインサートと封止用樹脂
組成物との接着性の劣化を防止することができ、長期の
信頼性が保証される。
して４，４−ジチオジモルホリンおよびブタジエンゴム
を用いたことにより、目的とする特性が得られるもので
ある。すなわち、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティ
ングフレーム等のインサートと封止用樹脂組成物との接
着力を向上させ、表面実装後のインサートと封止用樹脂
組成物との接着性の劣化を防止することができ、長期の
信頼性が保証される。
【００２５】また、本発明の半導体装置は、上記のよう
にして得られた封止用樹脂組成物を用いて、ＰｄやＰｄ
−Ａｕ等のプレプレーティングフレームや半導体チップ
等のインサートを封止することにより得られる。本発明
の半導体装置は、例えば低圧トランスファー成形法を用
いて、インサートを封止用樹脂組成物で封止することに
より得られる。この他にも、射出成形、圧縮成形または
注型などによる作製も可能である。このような場合、封
止用樹脂組成物を加熱して硬化させることにより、最終
的に封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された半導
体装置を得ることができる。加熱による封止用樹脂組成
物の硬化は、１５０℃以上に加熱して行うことが望まし
い。本発明の半導体装置としては、例えば集積回路、大
型集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオー
ドなどで特に限定されるものではない。
にして得られた封止用樹脂組成物を用いて、ＰｄやＰｄ
−Ａｕ等のプレプレーティングフレームや半導体チップ
等のインサートを封止することにより得られる。本発明
の半導体装置は、例えば低圧トランスファー成形法を用
いて、インサートを封止用樹脂組成物で封止することに
より得られる。この他にも、射出成形、圧縮成形または
注型などによる作製も可能である。このような場合、封
止用樹脂組成物を加熱して硬化させることにより、最終
的に封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された半導
体装置を得ることができる。加熱による封止用樹脂組成
物の硬化は、１５０℃以上に加熱して行うことが望まし
い。本発明の半導体装置としては、例えば集積回路、大
型集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオー
ドなどで特に限定されるものではない。
【００２６】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例および比較例において「％」
とは「重量％」を意味する。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例および比較例において「％」
とは「重量％」を意味する。
【００２７】実施例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）１３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０５）５．５％、４，４−ジチオジモルホリ
ン ０．０３％、ブタジエンゴム ０．５％、硬化触媒
（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エステル系
ワックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）
およびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６
９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森
製、ＭＲＳ−２２１２、７９．９７％）からなるものを
常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷
却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。
００）１３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０５）５．５％、４，４−ジチオジモルホリ
ン ０．０３％、ブタジエンゴム ０．５％、硬化触媒
（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エステル系
ワックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）
およびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６
９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森
製、ＭＲＳ−２２１２、７９．９７％）からなるものを
常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷
却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。
【００２８】この封止用樹脂組成物を１７５℃に加熱し
た金型内にトランスファー注入し、硬化させて半導体装
置を作製した。この半導体装置について接着強さおよび
耐湿性を測定した。その結果を表１に示す。
た金型内にトランスファー注入し、硬化させて半導体装
置を作製した。この半導体装置について接着強さおよび
耐湿性を測定した。その結果を表１に示す。
【００２９】なお、接着強さは、トランスファー成形に
よって接着面積４ｍｍ２の半導体装置を作成し、１７５
℃、８時間放置した後のせん断接着力で表した。
よって接着面積４ｍｍ２の半導体装置を作成し、１７５
℃、８時間放置した後のせん断接着力で表した。
【００３０】耐湿性は、次のようにして測定した。すな
わち、２本のアルミニウム配線を有するシリコン製チッ
プ（テスト用素子）をＰｄプレプレーティングフレーム
に接着し、封止用樹脂組成物により１７５℃で２分間ト
ランスファー成形して、ＱＦＰ-２０８Ｐ、２．８ｍｍ
ｔの半導体装置を作製し、１７５℃において８時間硬化
させた。こうして得た半導体装置を予め、８５℃、４０
％ＲＨ、１６８時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ２４０℃
のＩＲリフロー炉を４回通した。その後、１２７℃、
２．５気圧の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウ
ムの腐食による断線を不良として評価した。
わち、２本のアルミニウム配線を有するシリコン製チッ
プ（テスト用素子）をＰｄプレプレーティングフレーム
に接着し、封止用樹脂組成物により１７５℃で２分間ト
ランスファー成形して、ＱＦＰ-２０８Ｐ、２．８ｍｍ
ｔの半導体装置を作製し、１７５℃において８時間硬化
させた。こうして得た半導体装置を予め、８５℃、４０
％ＲＨ、１６８時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ２４０℃
のＩＲリフロー炉を４回通した。その後、１２７℃、
２．５気圧の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウ
ムの腐食による断線を不良として評価した。
【００３１】実施例２
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）１０．５％に、ノボラック型フェノールアラルキ
ル樹脂（フェノール当量１７５）８％、４，４−ジチオ
ジモルホリン ０．０３％、ブタジエンゴム ０．５
％、硬化触媒（北興化学製、ＰＰ−２００） ０．２
％、エステル系ワックス類（北興ファインケミカル製、
カルバナ１号）、カップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ
−９６６９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末
（龍森製、ＭＲＳ−２２１２、７９．９７％）からなる
ものを常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこ
れを冷却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封
止用樹脂組成物について、実施例１と同様にして半導体
装置を得るとともに各試験をおこなった。試験結果を表
１に示す。
００）１０．５％に、ノボラック型フェノールアラルキ
ル樹脂（フェノール当量１７５）８％、４，４−ジチオ
ジモルホリン ０．０３％、ブタジエンゴム ０．５
％、硬化触媒（北興化学製、ＰＰ−２００） ０．２
％、エステル系ワックス類（北興ファインケミカル製、
カルバナ１号）、カップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ
−９６６９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末
（龍森製、ＭＲＳ−２２１２、７９．９７％）からなる
ものを常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこ
れを冷却粉砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封
止用樹脂組成物について、実施例１と同様にして半導体
装置を得るとともに各試験をおこなった。試験結果を表
１に示す。
【００３２】実施例３
ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１３）５％
に、ノボラック型フェノールアラルキル樹脂（フェノー
ル当量１７５）４％、４，４−ジチオジモルホリン
０．０２％、ブタジエンゴム ０．２％、硬化触媒
（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エステル系ワ
ックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）お
よびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）
０．６％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森製、Ｍ
ＲＳ−２２１２、８９．９８％）からなるものを常温で
混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕
して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組成
物について、実施例１と同様にして半導体装置を得ると
ともに各試験をおこなった。試験結果を表１に示す。
に、ノボラック型フェノールアラルキル樹脂（フェノー
ル当量１７５）４％、４，４−ジチオジモルホリン
０．０２％、ブタジエンゴム ０．２％、硬化触媒
（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エステル系ワ
ックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）お
よびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）
０．６％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森製、Ｍ
ＲＳ−２２１２、８９．９８％）からなるものを常温で
混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕
して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組成
物について、実施例１と同様にして半導体装置を得ると
ともに各試験をおこなった。試験結果を表１に示す。
【００３３】比較例１
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）１３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０５）５．５％、ブタジエンゴム０．５％、
硬化触媒（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エス
テル系ワックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ
１号）およびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９
６６９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍
森製、ＭＲＳ−２２１２、８０％）からなるものを常温
で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉
砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組
成物について、実施例１と同様にして半導体装置を得る
とともに各試験をおこなった。その結果を表２に示す。
００）１３％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０５）５．５％、ブタジエンゴム０．５％、
硬化触媒（北興化学製、ＰＰ−２００）０．２％、エス
テル系ワックス類（北興ファインケミカル製、カルバナ
１号）およびカップリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９
６６９）０．８％を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍
森製、ＭＲＳ−２２１２、８０％）からなるものを常温
で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉
砕して封止用樹脂組成物を製造した。この封止用樹脂組
成物について、実施例１と同様にして半導体装置を得る
とともに各試験をおこなった。その結果を表２に示す。
【００３４】比較例２
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）１３．４％に、ノボラック型フェノール樹脂（フ
ェノール当量１０５）５．６％、４，４−ジチオジモル
ホリン ０．０３％、硬化触媒 （北興化学製、ＰＰ−
２００）０．２％、エステル系ワックス類（北興ファイ
ンケミカル製、カルバナ１号）およびカップリング剤
（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）０．８％を含有し、
残部が溶融シリカ粉末（龍森製、ＭＲＳ−２２１２、７
９．９７％）からなるものを常温で混合し、さらに９０
〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂組成
物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実施例
１と同様にして半導体装置を得るとともに各試験をおこ
なった。試験結果を表２に示す。
００）１３．４％に、ノボラック型フェノール樹脂（フ
ェノール当量１０５）５．６％、４，４−ジチオジモル
ホリン ０．０３％、硬化触媒 （北興化学製、ＰＰ−
２００）０．２％、エステル系ワックス類（北興ファイ
ンケミカル製、カルバナ１号）およびカップリング剤
（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）０．８％を含有し、
残部が溶融シリカ粉末（龍森製、ＭＲＳ−２２１２、７
９．９７％）からなるものを常温で混合し、さらに９０
〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂組成
物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実施例
１と同様にして半導体装置を得るとともに各試験をおこ
なった。試験結果を表２に示す。
【００３５】比較例３
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）１３．４％に、ノボラック型フェノール樹脂（フ
ェノール当量１０５）５．６％、硬化触媒 （龍森製、
ＭＲＳ−２２１２）０．２％、エステル系ワックス類
（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）およびカッ
プリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）０．８％
を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森製、ＭＲＳ−２
２１２、８０％）からなるものを常温で混合し、さらに
９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂
組成物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実
施例１と同様にして半導体装置を得るとともに各試験を
おこなった。試験結果を表２に示す。
００）１３．４％に、ノボラック型フェノール樹脂（フ
ェノール当量１０５）５．６％、硬化触媒 （龍森製、
ＭＲＳ−２２１２）０．２％、エステル系ワックス類
（北興ファインケミカル製、カルバナ１号）およびカッ
プリング剤（日本ユニカー製、Ｙ−９６６９）０．８％
を含有し、残部が溶融シリカ粉末（龍森製、ＭＲＳ−２
２１２、８０％）からなるものを常温で混合し、さらに
９０〜９５℃で混練してこれを冷却粉砕して封止用樹脂
組成物を製造した。この封止用樹脂組成物について、実
施例１と同様にして半導体装置を得るとともに各試験を
おこなった。試験結果を表２に示す。
【表１】
【表２】
【００３６】
【発明の効果】本発明の封止用樹脂組成物および半導体
装置は、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等のプレプレーティングが施
されたインサートとの接着性に優れ、ＩＲリフロー後に
おいても剥離することなく、耐湿性に優れ、その結果、
電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生等
を著しく低減することができ、しかも長期間にわたって
信頼性を保証することができる。
装置は、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等のプレプレーティングが施
されたインサートとの接着性に優れ、ＩＲリフロー後に
おいても剥離することなく、耐湿性に優れ、その結果、
電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生等
を著しく低減することができ、しかも長期間にわたって
信頼性を保証することができる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
Ｆターム(参考） 4J002 AA02W AC03X AC11X BE02W
BF02W BG00W BH02W CC03W
CC06W CC16W CC18W CD00W
CD02W CD05W CD06W CK02W
CK05W CL00W CM04W CP03W
DE136 DE146 DE236 DJ006
DJ016 DJ046 DL006 EV347
FA046 FD016 GJ02 GQ05
4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EA10
EA11 EB12 EB13 EB18
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）最大粒子径が２００μｍ以下で平
均粒子径が１μｍ以上６０μｍ以下である無機充填剤、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）４，４−ジチオジモルホリ
ンおよび（Ｄ）ブタジエンゴムを必須成分として含有す
る樹脂組成物において、前記樹脂組成物全体に対して、
前記（Ａ）無機充填剤を５０〜９５重量％、前記（Ｃ）
４，４−ジチオジモルホリンを０．００１〜０．５重量
％および前記（Ｄ）ブタジエンゴムを０．０１〜５重量
％の割合で含有することを特徴とする封止用樹脂組成
物。 - 【請求項２】 前記（Ａ）無機充填剤が、シリカ、窒化
ケイ素、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタ
ンおよびガラス繊維から選択される１種、又は２種以上
からなるものであることを特徴とする請求項１記載の封
止用樹脂組成物。 - 【請求項３】 前記（Ｂ）熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂
を含有するものであることを特徴とする請求項１または
２記載の封止用樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項記載の封
止用樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止さ
れてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264420A JP4804673B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264420A JP4804673B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003073556A true JP2003073556A (ja) | 2003-03-12 |
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|---|---|---|---|
| JP2001264420A Expired - Fee Related JP4804673B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008239983A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276653A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH1112442A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
| JPH1197588A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-04-09 | Toshiba Chem Corp | 液状封止用樹脂組成物 |
| JP2000226497A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001220499A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用シール材組成物及びそれを用いた液晶表示素子 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264420A patent/JP4804673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276653A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
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| JP2000226497A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001220499A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用シール材組成物及びそれを用いた液晶表示素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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