JP2003071705A - 化学機械研磨装置 - Google Patents

化学機械研磨装置

Info

Publication number
JP2003071705A
JP2003071705A JP2001256762A JP2001256762A JP2003071705A JP 2003071705 A JP2003071705 A JP 2003071705A JP 2001256762 A JP2001256762 A JP 2001256762A JP 2001256762 A JP2001256762 A JP 2001256762A JP 2003071705 A JP2003071705 A JP 2003071705A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
gas
head
polishing head
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001256762A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Yasuhara
元 安原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to JP2001256762A priority Critical patent/JP2003071705A/ja
Publication of JP2003071705A publication Critical patent/JP2003071705A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数系統からのガス圧を受ける研磨ヘッドを
その種類に拘わらず容易に交換することのできる化学機
械研磨装置を提供すること。 【解決手段】 複数種の研磨ヘッド26A,26Bの任
意の一つが脱着可能に取り付けられるヘッド取付台であ
って、研磨ヘッドのうち最大数のガスポートを有するも
のが取り付けられた場合に当該研磨ヘッドのガスポート
とそれぞれ連通するガスライン110〜116を有する
ヘッド取付台24と、ヘッド取付台のガスラインと同数
のガス圧制御系120〜126と、ガス圧制御系とヘッ
ド取付台のガスラインとの間の接続を切り換える切換手
段128とを備える化学機械研磨CMP装置10を特徴
とする。この構成では、研磨ヘッドを交換した際、配管
の繋ぎ換えの作業は不要である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造等に用いられる化学機械研磨(Chemical Mechanica
l Polishing。以下「CMP」という)装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造の分野においては、近年の半
導体デバイスの微細化や多層化、或いは銅を配線材料と
して用いた半導体デバイスの実用化等に伴い、ウェハ表
面の凹凸を平坦化する装置としてCMP装置の重要性が
著しく増大している。
【0003】従来一般のCMP装置は、上面に研磨パッ
ドが貼り付けられたプラテンと称される回転台と、下面
にて半導体ウェハを支持する研磨ヘッドと、研磨ヘッド
を回転可能に取り付けるスピンドルとを備えている。こ
のようなCMP装置を用いて半導体ウェハの表面を研磨
する場合、プラテン上の研磨パッドに研磨液を供給しな
がら、プラテンを回転させると共に、研磨ヘッドにより
支持された半導体ウェハを研磨パッドに接触させて研磨
ヘッドを回転させる。これにより、ウェハの表面は化学
的に且つ機械的に研磨されるのである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、CMPプロ
セスは、銅配線形成を初めとして、層間膜平坦化やシャ
ロートレンチ平坦化等の種々の用途に採用されることが
予想されている。勿論、各用途毎にCMP装置を用意す
ることが望ましいが、設置スペースの問題や製品の多様
化によりプロセス変更が頻繁に行われるであろうこと等
の理由から、1台のCMP装置を複数の用途に用いたい
という要請が生ずることが考えられる。かかる場合、用
途に応じて研磨パッドに対する半導体ウェハの接触圧や
研磨液、プラテン及び/又は研磨ヘッドの回転速度等が
選択、変更されることになる。また、このような研磨液
の変更等に合わせて、研磨ヘッドについてもタイプない
しは種類の異なるものに適宜交換したいという要請が出
てくるものと考えられる。
【0005】現在、研磨ヘッドには、半導体ウェハの全
面を均一な圧力で研磨パッドに接触させるものや、中央
部と外周部とで研磨パッドに対する接触圧を調整するこ
とのできるもの等がある。接触圧の調整は、研磨ヘッド
にガス圧制御系からガスを給排して、そのガス圧を制御
することで可能となっているが、研磨ヘッドの種類毎に
必要なガス圧制御系の数や、研磨ヘッドのガスポートに
接続すべきガス圧制御系が異なっている。従って、研磨
ヘッドを別の種類のものに交換する際には、各ガス圧制
御系とそのガス圧制御系に対応する研磨ヘッドのガスポ
ートとの間の配管の組み換えを行う必要があった。
【0006】しかしながら、従来一般のCMP装置にお
いては、研磨ヘッドを頻繁に交換することは考慮されて
いない構造であるため、配管の組み換えはそれ自体容易
ではない。また、配管がCMP装置の内部に配設されて
いるため、CMP装置のカバーの脱着も必要となるの
で、研磨ヘッドの交換は相当に手間のかかる作業とな
る。
【0007】そこで、本発明の目的は、研磨ヘッドをそ
の種類に拘わらず容易に交換することのできるCMP装
置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体ウェハのような基板を支持すると
共に圧力ガスの給排口となる1個以上のガスポートを有
する種々の研磨ヘッドの任意の一つが、脱着可能に取り
付けられるヘッド取付台であって、種々の研磨ヘッドの
うち最大数のガスポートを有するものが取り付けられた
場合に当該研磨ヘッドのガスポートとそれぞれ連通する
ガスラインを有する前記ヘッド取付台と、ヘッド取付台
のガスラインと同数のガス圧制御系と、ガス圧制御系と
ヘッド取付台のガスラインとの間の接続を切り換える切
換手段と、ヘッド取付台に取り付けられた研磨ヘッドに
より支持された基板を研磨する研磨パッドとを備えるC
MP装置を特徴としている。
【0009】この構成においては、ヘッド取付台に取り
付けられた研磨ヘッドの種類に応じて、適宜、切換手段
によってガス圧制御系とヘッド取付台のガスラインとの
間の接続を切り換えることができるので、研磨ヘッドの
交換に際し、従来のような配管の組換え作業が不要とな
る。
【0010】切換手段としてはソレノイド式の方向切換
弁の組合せからなるものが考えられる。
【0011】また、本発明によるCMP装置は、ヘッド
取付台に取り付けられた研磨ヘッドの種類に応じて切換
手段を制御する制御手段を備えることが好ましい。すな
わち、切換手段を制御する制御手段を設けることで、研
磨ヘッドの種類を制御手段に入力するだけでガス圧制御
系とヘッド取付台のガスラインとの間の接続状態を自動
的に適正なものに変更することができる。
【0012】更に、ヘッド取付台に取り付けられた研磨
ヘッドの種類を識別する識別手段を設け、識別手段によ
る識別結果に応じて切換手段を自動制御することが、よ
り有効である。
【0013】識別手段としては、ヘッド取付台のガスラ
インの一つの内部圧力を検出する圧力検出手段からなる
ものが考えられる。すなわち、研磨ヘッド取付時にその
ガスラインに通ずることになる研磨ヘッドのガスポート
から延びるガスラインに、研磨ヘッド毎に異なる流れ抵
抗を持たせておけば、その流れ抵抗の違いに起因するガ
スラインの内部圧力の相違から、研磨ヘッドの種類を識
別することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説
明において、上、下等の方向を表す語は図面に示した状
態での方向を示すものとする。
【0015】図1は、本発明に係るCMP装置の外観を
示す斜視図である。図1において、CMP装置10は、
装置本体部12と、この装置本体部12を上方から覆う
カバー部14とを備えている。装置本体部12は、上面
部に研磨テーブル16を有し、この研磨テーブル16上
には、複数(例えば3つ)の研磨パッド18が回転可能
なプラテン20を介して配設されている。また、研磨テ
ーブル16上には、図示はしないが、研磨パッド18の
表面に研磨液(スラリ)を供給するための研磨液供給部
と、研磨パッド18に押し付けられた半導体ウェハ(基
板)を効果的に研磨するよう研磨パッド18を調整する
パッド調整部とが設けられている。
【0016】装置本体部12の上部には、スピンドル2
2がカバー部14に回転可能に支持されている。このス
ピンドル22は、複数本(例えば3本)の垂直方向に延
びる回転シャフト(ヘッド取付台)24を備えており、
各回転シャフト24の下端には研磨ヘッド26が取り付
けられている。この研磨ヘッド26は、半導体ウェハを
保持して研磨パッド18に押し付けるものである。
【0017】研磨ヘッド26としては図2や図3に概略
的に示すように種々のタイプがあるが、そのいずれもガ
ス圧を利用して、研磨パッド18に対する半導体ウェハ
の接触圧の大きさや接触圧の分布を調整できるよう構成
されている。
【0018】図2に示す研磨ヘッド26(図3の研磨ヘ
ッドと区別するため、以下、符号に「A」を付す)は、
回転シャフト24の下端に着脱可能に取り付けられるハ
ウジング28と、このハウジング28の下面側に配置さ
れ、ハウジング28の貫通孔30に摺動可能に支持され
た支持チューブ32を有するベース34とを備えてい
る。また、ベース34の外周部の上面とハウジング28
の外周部の下面との間にはシリコンゴム等のダイヤフラ
ム36が設けられている。ベース34の外周部の下面に
は保持リング38が固定されている。保持リング38と
ベース34との間には、シリコンゴム等の弾性リング4
0の上縁部が挟持されている。弾性リング40の下縁部
は、保持リング40の内側に配置されるメンブレンサポ
ート42と称される円板の外周部に固着されている。メ
ンブレンサポート42には小孔44が複数形成されてい
る。更に、メンブレンサポート42の外周部とベース3
4との間に環状の可撓性チューブ46が配設されてい
る。また、メンブレンサポート42の下面側にはその全
面を覆うように、シリコンゴム等の薄い可撓膜、いわゆ
るメンブレン48が配置されている。メンブレン48は
多数の微小孔を有している。このメンブレン48は、そ
の外周縁をメンブレンサポート42の上面の外周面にて
固着することで取り付けられている。
【0019】このような構成の研磨ヘッド26Aでは、
ベース34とメンブレンサポート42との間の空間を支
持チューブ32及びベース34のガスライン50を介し
て減圧することで、多孔のメンブレン48の下面に吸着
力が生じ、これにより半導体ウェハWを支持することが
可能となる。
【0020】また、半導体ウェハWをメンブレン48の
下面に吸着したまま、研磨パッド18上に半導体ウェハ
Wを載置すると、保持リング38の存在により、メンブ
レン48の吸着力を解除しても半導体ウェハWは研磨ヘ
ッド26Aにより保持された状態を維持する。保持リン
グ38の研磨パッド18に対する位置は、ハウジング2
8に形成されたガスライン52を介してハウジング28
とベース34との間の空間のガス圧を調整し、ベース3
4及び保持リング38をハウジング28に対して上下動
させることによって調整することができる。更に、可撓
性チューブ46に対してハウジング28、接続チューブ
54及びベース34のガスライン56を介してガス圧を
調整することで、可撓性チューブ46を膨張・収縮さ
せ、メンブレンサポート42の研磨パッド18に対する
位置を調整することができる。支持チューブ32及びベ
ース34からガスライン50を通して圧力ガスを導入す
ると、そのガスはメンブレンサポ―ト42の小孔44を
通してメンブレン48を下方に膨張させる。従って、メ
ンブレンサポート42の位置とメンブレン48の膨張度
を調整することで、半導体ウェハWの研磨パッド18へ
の接触圧を調整することができる。
【0021】図2に示すタイプの研磨ヘッド26Aは、
半導体ウェハWの全面をほぼ均一な力で研磨パッド18
に接触させることができる。これに対して、図3に示す
研磨ヘッド26(図2の研磨ヘッド26Aと区別するた
め、以下、符号に「B」を付す)は、半導体ウェハWの
外周部と中央部とで研磨パッド18に対する接触圧を変
えることができるタイプである。
【0022】図3において、符号60は、スピンドル2
2の回転シャフト24の下端に着脱可能に接続されるイ
ンナハウジングである。また、符号62は、インナハウ
ジング60の下面側に配置され、インナハウジング60
の貫通孔64に摺動可能に支持された支持チューブ66
を有するベースである。インナハウジング60及びヘベ
ース62の周囲にはアウタハウジング68が配置されて
おり、このアウタハウジング68に対してインナハウジ
ング60及びベース62はそれぞれ垂直方向に摺動可能
な関係となっている。また、インナハウジング60、ベ
ース62及びアウタハウジング68の相互間をシールす
るための弾性変形可能なシール材70が設けられてい
る。
【0023】アウタハウジング68の外周部の下面には
保持リング72が固定されている。また、ベース62の
下面側には、小孔74を有するメンブレンサポート76
が配置されている。メンブレンサポート76は、その外
周部の外向きフランジが環状部材78とベース62との
間にて挟持されると共に、その外周部の内向きフランジ
がベース62の一部に固着されることで、ベース62に
取り付けられている。
【0024】ベース62の下面側には多孔のメンブレン
80が配設されているが、メンブレン80の外周縁は、
メンブレンサポート76ではなく、環状部材78に固着
されている。また、メンブレンサポート76と保持リン
グ72との間には案内リング82がある。更に、案内リ
ング82とメンブレンサポート76との間にはエッジリ
ング84が上下に摺動可能に配置されている。メンブレ
ン80の外周部はこのエッジリング84と案内リング8
2との間を通っている。
【0025】このような構成において、図2の構成と同
様に、ベース62とメンブレンサポート76との間の空
間を支持チューブ66及びベース62のガスライン86
を介して減圧すると、多孔のメンブレン80の下面に吸
着力が生じ、これにより半導体ウェハWを支持すること
が可能となる。また、保持リング72の研磨パッド18
に対する接触圧は、ガスライン88を通してインナハウ
ジング60とベース62との間の空間のガス圧を調整
し、ベース62及び保持リング72をインナハウジング
60に対して上下動させることによって調整することが
できる。
【0026】この構成では、図2の研磨ヘッド26Aに
おけるような可撓性チューブはないが、ベース62の外
周部とメンブレンサポート76の外周部との間の空間
に、インナハウジング60、接続チューブ90及びベー
ス60のガスライン92を介して圧力ガスを給排するこ
とで、メンブレンサポート76の位置を調整することが
できる。
【0027】また、ガスライン86を通して圧力ガスを
導入すると、そのガスはメンブレンサポ―ト76の小孔
74を通してメンブレン80を下方に膨張させることが
できる。更に、インナハウジング60、接続チューブ9
4及びベース62のガスライン96を介して圧力ガスを
給排することで、エッジリング84を案内リング82に
沿って上下動可能とすることができるので、メンブレン
80の外周部の位置調整も行うことができる。よって、
メンブレン80の下面に配置されている半導体ウェハW
の研磨パッド18に対する接触圧を外周部においても調
整することができる。
【0028】ここで、図2及び図3から理解される通
り、研磨ヘッド26Aは、その内部の3カ所にガス圧が
与えられるため、3つのガス圧制御系を必要とするのに
対し、研磨ヘッド26Bは、4つのガス圧制御系を必要
とする。従って、これらの研磨ヘッド26A,26Bを
相互に交換可能とするためには4つのガス圧制御系が必
要となる。勿論、本実施形態では扱っていないが、5つ
以上のガス圧制御系が必要な研磨ヘッドを回転シャフト
24に接続することが予想される場合には、5つ以上の
ガス圧制御系を予め装備させておく必要がある。
【0029】図4は、4つのガス圧制御系100,10
2,104,106を備える圧力ユニット108を示し
ており、この圧力ユニット108はCMP装置10の装
置本体部12内に設置されている。各ガス圧制御系10
0〜106はそれぞれの所定の圧力範囲内で圧力ガスの
給排が可能となっている。各ガス圧制御系100〜10
6は、図4から理解される通り、回転シャフト24内に
設けられたガスライン110,112,114,116
に接続されるようになっている。なお、回転シャフト2
4はスピンドル22内で回転駆動されるため、スピンド
ル22にはロータリユニオン118と称される回転管継
手が設けられており、このロータリユニオン118によ
って固定側のガス圧制御系100〜106と回転駆動さ
れる回転シャフト24内のガスライン110〜116と
の間の接続が可能とされている。
【0030】回転シャフト24内のガスライン110〜
116は、当該回転シャフト24の下端面にて開口され
ている。このガスライン110〜116の開口位置は、
図2及び図3に示すように、研磨ヘッド26A,26B
を回転シャフト24の下端に適正な取付方向で固定した
場合における、研磨ヘッド26A,26Bのハウジング
28,60の上端面に設けられたガスポート50P,5
2P,56P;86P,88P,92P,96Pと連通
される位置となっている。各ガスポートからは前述した
研磨ヘッド26A,26Bのガスライン50,52,5
6;86,88,92,96が延びている。具体的に述
べるならば、図2に示す研磨ヘッド26Aのガスライン
50,52,56の出入口であるガスポート50P,5
2P,56Pはそれぞれ回転シャフト24内のガスライ
ン114,116,112に接続され、図3に示す研磨
ヘッド26Bのガスライン86,88,92,96の出
入口であるガスポート86P,88P,92P,96P
はそれぞれ回転シャフト24内のガスライン114,1
12,116,110と接続されるようになっている。
なお、研磨ヘッド26Aを回転シャフト24に取り付け
た場合、半導体ウェハの接触圧の調整用としてはガスラ
イン110は用いられない。
【0031】更に、回転シャフト24内のガスライン1
10,112,114,116とそれぞれ連通している
ロータリユニオン118のガスポート120,122,
124,126と圧力ユニット108におけるガス圧制
御系100,102,104,106との間にはライン
切換ユニット(切換手段)128が配設されている。こ
のライン切換ユニット128は2個の方向切換弁13
0,132を組み合わせて構成されている。方向切換弁
130,132はソレノイド式の3ポート2ポジジョン
のスプール弁である。本実施形態では、方向切換弁13
0,132のポジションを適宜切り換えることにより、
ガス圧制御系102,106とロータリユニット118
のガスポート122,126との間の接続を切り換える
ことが可能となっている。
【0032】方向切換弁130,132のポジションの
切換えはソレノイドへの通電を制御することで可能であ
り、その通電制御はコントローラ(制御手段)134に
より行われる。コントローラ134は、回転シャフト2
4に取り付けられる研磨ヘッド26A,26Bの種類の
情報が適当な入力機器136によって入力されたなら
ば、その入力情報に応じて方向切換弁130,132の
ポジションを切り換えるようソレノイドに対する通電制
御を行う。
【0033】具体的に述べるならば、図2に示す研磨ヘ
ッド26Aの場合、ガスライン112(56)にはガス
圧制御系102、ガスライン114(50)にはガス圧
制御系104、ガスライン116(52)にはガス圧制
御系106がそれぞれ接続される必要があり、図4に示
すポジションにあればよいので、コントローラ134
は、研磨ヘッド26Aが取り付けられている旨の情報が
入力機器136から入力されたならば、各方向切換弁1
30,132のソレノイドへの通電は行わないよう制御
する。一方、図3に示す研磨ヘッド26Bの場合、ガス
ライン110(96)にはガス圧制御系100、ガスラ
イン112(88)にはガス圧制御系102、ガスライ
ン114(86)にはガス圧制御系104、ガスライン
116(92)にはガス圧制御系116がそれぞれ接続
される必要があるので、図4に示す方向切換弁130,
132のポジションを切り換える必要がある。そこで、
コントローラ134は、入力機器136から研磨ヘッド
26Bが取り付けられたという情報を受けると、方向切
換弁130,132のソレノイドに通電を行わせ、その
ポジションを切り換える。これにより、ロータリユニッ
ト118のガスポート122,126に接続されていた
ガス圧制御系102,104(図4の状態)はそれぞれ
ガスポート126,122に接続が切り換えられ、取り
付けられた研磨ヘッド26Bに対応したガスライン構成
となる。
【0034】従来においては、ライン切換ユニット12
8は設けられておらず、配管により圧力ユニット108
のガス圧制御系100〜106とロータリユニオン11
8のガスポート120〜126が直接接続されていたた
め、配管の繋ぎ換えが必要で、その作業には非常に手間
がかかっていたが、図示実施形態の如きライン切換ユニ
ット128を設けることで、研磨ヘッド26A,26B
の種類を入力するだけで自動的にガスラインの組み換え
が行われる。
【0035】上記実施形態では、作業者が研磨ヘッド2
6A,26Bの種類をコントローラ134に入力するこ
ととしているが、CMP装置10の回転シャフト24或
いはその他の部分に研磨ヘッド26A,26Bの種類を
自動的に識別する手段を設けておけば、コントローラ1
34はその識別手段からの信号で、取り付けられた研磨
ヘッド26A,26Bに適合するよう方向切換弁13
0,132のポジションを切り換えることができる。
【0036】かかる研磨ヘッド26A,26Bの種類の
自動識別手段としては、種々考えられる。例えば、図2
の点線で示すように、研磨ヘッド26Aのハウジング2
8に、一端が回転シャフト24内のガスライン110と
接続され他端が大気側に開放されているガスライン14
0を形成すると共に、回転シャフト24内のガスライン
110に連通するラインに圧力計(圧力検出手段)14
2を設けるという手段が考えられる。この構成では、研
磨ヘッド26Aを回転シャフト24に接続すると、ガス
ライン110はハウジング28のガスライン140を通
じて大気に開放され、このガスラインの流れ抵抗は殆ど
ないてので、圧力計142の指示値は大気圧を示す。一
方、研磨ヘッド26Bを回転シャフト24に接続する
と、ガスライン110はガスライン96を通じて研磨ヘ
ッド26Bの内部空間に連通し、当該ガスライン96の
流れ抵抗はいわば無限大となるので、ガス圧制御系10
0によるガス圧が加えられた際、圧力計142の指示値
はそのガス圧を示すことになる。従って、圧力計142
の指示値をコントローラ134に入力することで、コン
トローラ134は指示値の違いから、回転シャフト24
に取り付けられている研磨ヘッド26A,26Bの種類
を自動的に識別することができ、その結果から上述した
ようにライン切換ユニット128の各方向切換弁13
0,132を制御することが可能となる。勿論、更に別
の研磨ヘッドを使用する場合には、ガスライン110と
通じる当該研磨ヘッド内のガスラインの流れ抵抗を、前
述の研磨ヘッドとは異なるよう設定すればよい。
【0037】また、図示しないが、一方の研磨ヘッド2
6Aに切欠きを形成し、他方の研磨ヘッド26Bには切
欠きを形成しないでおき、回転シャフト24側にリミッ
トスイッチ等の切欠きの有無を検出する手段を設けると
いうものが考えられる。この構成では、研磨ヘッド26
A,26Bを回転シャフト24に取り付けた際、リミッ
トスイッチが当該研磨ヘッド26A,26Bに切欠きが
あるか否かを検出し、その信号から研磨ヘッド26A,
26Bの種類を自動識別することが可能となる。
【0038】更に、ヘッド識別手段としては、種類別に
バーコード(図示しない)を研磨ヘッド26A,26B
に貼り付けておき、そのバーコードをCMP装置10の
装置本体部12からのリーダ(図示しない)で読み取ら
せるというものも適用可能である。
【0039】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことはいうまでもない。
【0040】例えば、上記実施形態では、2種類の研磨
ヘッドが交換可能なように2系統のガス圧制御系と2本
のガスラインとの組み換えを可能とする構成を示した
が、取り付けられる研磨ヘッドによっては、3系統以上
のガス圧制御系と3本以上のガスラインとの間の相互切
換えを行う必要が生ずる場合もあり、かかる場合には、
ライン切換ユニットで使用される方向切換弁の数やタイ
プ、配列等は種々変更されるものである。
【0041】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるCMP
装置は、種々の研磨ヘッドを容易に交換して使用するこ
とができる。従って、研磨ヘッドを交換する際のCMP
装置の停止時間を短くすることができ、半導体デバイス
の製造効率を向上させる。また、1台のCMP装置によ
って多種多様な半導体デバイスの製造に対応することが
可能となり、設備コスト、製造コストの低減にも寄与す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用可能なCMP装置を示す斜視図で
ある。
【図2】図1のCMP装置に取り付けられる研磨ヘッド
の構成を概略的に示す断面図である。
【図3】図1のCMP装置に取り付けられる別の研磨ヘ
ッドの構成を概略的に示す断面図である。
【図4】CMP装置の内部に設けられた圧力ユニットと
ガスラインとの間の構成を示す概略説明図である。
【符号の説明】
10…CMP装置(化学機械研磨装置)、18…研磨パ
ッド、24…回転シャフト(ヘッド取付台)、26A,
26B…研磨ヘッド、50,52,56;86,88,
92,96:研磨ヘッド内のガスライン、50P,52
P,56P;86P,88P,92P,96P…研磨ヘ
ッドのガスポート、100,102,104,106…
ガス圧制御系、108…圧力ユニット、110,11
2,114,116…回転シャフト内のガスライン、1
18…ロータリユニット、128…ライン切換ユニット
(切換手段)、130,132…方向切換弁、134…
コントローラ(制御手段)、136…入力機器、140
…研磨ヘッド内のガスライン(識別手段)、142…圧
力計(圧力検出手段:識別手段)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安原 元 千葉県成田市新泉14−3野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB04 CB03 CB04 DA17

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を支持すると共に圧力ガスの給排口
    となる1個以上のガスポートを有する種々の研磨ヘッド
    の任意の一つが着脱可能に取り付けられるヘッド取付台
    であって、前記種々の研磨ヘッドのうち最大数のガスポ
    ートを有するものが取り付けられた場合に当該研磨ヘッ
    ドのガスポートとそれぞれ連通するガスラインを有する
    前記ヘッド取付台と、 前記ヘッド取付台の前記ガスラインと同数のガス圧制御
    系と、 前記ガス圧制御系と前記ヘッド取付台の前記ガスライン
    との間の接続を切り換える切換手段と、 前記ヘッド取付台に取り付けられた研磨ヘッドにより支
    持された基板を研磨する研磨パッドと、を備える化学機
    械研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記切換手段はソレノイド式の方向切換
    弁の組合せからなる請求項1に記載の化学機械研磨装
    置。
  3. 【請求項3】 前記ヘッド取付台に取り付けられた研磨
    ヘッドの種類に応じて前記切換手段を制御する制御手段
    を備える請求項1又は2に記載の化学機械研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記ヘッド取付台に取り付けられた研磨
    ヘッドの種類を識別する識別手段を備え、 前記制御手段は、前記識別手段による識別結果に応じて
    前記切換手段を制御するようになっている請求項1又は
    2に記載の化学機械研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記識別手段は、前記ヘッド取付台の前
    記ガスラインの一つの内部圧力を検出する圧力検出手段
    を備えており、前記ヘッド取付台に研磨ヘッドが取り付
    けられた状態において当該ガスラインと連通される研磨
    ヘッドのガスラインの流れ抵抗に応じた圧力を検出する
    ことで研磨ヘッドの種類を識別するようになっている請
    求項4に記載の化学機械研磨装置。
JP2001256762A 2001-08-27 2001-08-27 化学機械研磨装置 Withdrawn JP2003071705A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001256762A JP2003071705A (ja) 2001-08-27 2001-08-27 化学機械研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001256762A JP2003071705A (ja) 2001-08-27 2001-08-27 化学機械研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003071705A true JP2003071705A (ja) 2003-03-12

Family

ID=19084534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001256762A Withdrawn JP2003071705A (ja) 2001-08-27 2001-08-27 化学機械研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003071705A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005313313A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
US7007822B2 (en) 1998-12-30 2006-03-07 The Boc Group, Inc. Chemical mix and delivery systems and methods thereof
WO2006106790A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Nikon Corporation 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
CN102133729A (zh) * 2011-01-06 2011-07-27 清华大学 一种用于cmp抛光头的压力控制系统
EP2289668A3 (en) * 2009-08-31 2014-01-22 Fujikoshi Machinery Corp. Polishing apparatus
KR20160103791A (ko) * 2015-02-25 2016-09-02 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템
CN115256218A (zh) * 2022-06-20 2022-11-01 北京烁科精微电子装备有限公司 一种用于抛光头的气控装置及其抛光设备

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7007822B2 (en) 1998-12-30 2006-03-07 The Boc Group, Inc. Chemical mix and delivery systems and methods thereof
JP2005313313A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JP4583207B2 (ja) * 2004-03-31 2010-11-17 不二越機械工業株式会社 研磨装置
WO2006106790A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Nikon Corporation 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
US8412370B2 (en) 2005-04-01 2013-04-02 Nikon Corporation Polishing apparatus with dressing position setting means
KR101297931B1 (ko) 2005-04-01 2013-08-19 가부시키가이샤 니콘 연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 디바이스 제조방법, 및 이 반도체 디바이스 제조 방법에 의해 제조된반도체 디바이스
EP2289668A3 (en) * 2009-08-31 2014-01-22 Fujikoshi Machinery Corp. Polishing apparatus
CN102133729A (zh) * 2011-01-06 2011-07-27 清华大学 一种用于cmp抛光头的压力控制系统
KR20160103791A (ko) * 2015-02-25 2016-09-02 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템
KR102437268B1 (ko) * 2015-02-25 2022-08-29 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템
CN115256218A (zh) * 2022-06-20 2022-11-01 北京烁科精微电子装备有限公司 一种用于抛光头的气控装置及其抛光设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4660505B2 (ja) 基板キャリアシステムおよび基板を研磨する方法
US5957751A (en) Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
JP4108023B2 (ja) 圧力コントロールシステム及び研磨装置
US6056632A (en) Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US6957998B2 (en) Polishing apparatus
JP2002187060A (ja) 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法
JP4718107B2 (ja) 基板保持装置及び研磨装置
JP2008137103A (ja) 基板保持装置、基板研磨装置、及び基板研磨方法
US10926374B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102309223B1 (ko) 다중 구역 화학 기계적 평탄화 연마 헤드를 위한 구성가능한 압력 설계
JP2003071705A (ja) 化学機械研磨装置
JP2007103730A (ja) スピン処理装置
JP2006507691A (ja) 化学機械的研磨装置のキャリアヘッド
US7175508B2 (en) Polishing apparatus, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device manufactured by this method
JP5408788B2 (ja) フロートガラス研磨システム
KR20200031955A (ko) 연마 헤드 및 이를 갖는 연마 캐리어 장치
KR20040023228A (ko) 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드
JP2007507079A (ja) 平坦な作業物、詳細には半導体ウェーハの化学的機械研磨のための保持具
JP2003175455A (ja) 基板保持装置及びポリッシング装置
JP2008204995A (ja) 半導体ウエハの研磨方法
JP2008188767A (ja) 基板保持装置
US20080305717A1 (en) Platen assembly and work piece carrier head employing flexible circuit sensor
JPH07231033A (ja) 基板保持装置
JPH08150558A (ja) 研磨装置
JP2001260011A (ja) ウェーハ研磨用ヘッド及びこれを用いた研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081104