JP2003069378A - Ｓａｗデバイス - Google Patents
ＳａｗデバイスInfo
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- JP2003069378A JP2003069378A JP2001259582A JP2001259582A JP2003069378A JP 2003069378 A JP2003069378 A JP 2003069378A JP 2001259582 A JP2001259582 A JP 2001259582A JP 2001259582 A JP2001259582 A JP 2001259582A JP 2003069378 A JP2003069378 A JP 2003069378A
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- Japan
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- saw device
- conductive adhesive
- hardness
- piezoelectric substrate
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気機械結合係数の大きな圧電基板を用いた
ＳＡＷデバイスの入出力間に発生する焦電気によるノイ
ズを低減する。 【解決手段】 圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向
に沿ってＩＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面
とパッケージの内底面に設けたグランド電極とを導電性
接着剤で接着固定したＳＡＷデバイスであって、前記導
電性接着剤の硬度を鉛筆硬度で３Ｂ以下とする。
ＳＡＷデバイスの入出力間に発生する焦電気によるノイ
ズを低減する。 【解決手段】 圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向
に沿ってＩＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面
とパッケージの内底面に設けたグランド電極とを導電性
接着剤で接着固定したＳＡＷデバイスであって、前記導
電性接着剤の硬度を鉛筆硬度で３Ｂ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＡＷデバイスに関
し、特に焦電効果によるノイズの発生を低減したＳＡＷ
デバイスに関する。
し、特に焦電効果によるノイズの発生を低減したＳＡＷ
デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話機等に多く用いられている。最
近、通信量の輻輳化、伝送するデータの増大に伴い搬送
周波数が高周波化すると共に、チャネル数を増やすため
に送受信の帯域幅が広帯域化されてきた。特に実用化試
験が開始された第三世代のＷ−ＣＤＭＡ方式では、高速
のデータを送受するためにさらに送受信帯域が拡大され
ている。このような通信方式に用いられる広い通過帯域
のフィルタを実現するには、圧電材料に固有である電気
機械結合係数（ｋ２で表される場合が多い）の大きな材
料、例えばニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の
圧電基板が必要となる。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話機等に多く用いられている。最
近、通信量の輻輳化、伝送するデータの増大に伴い搬送
周波数が高周波化すると共に、チャネル数を増やすため
に送受信の帯域幅が広帯域化されてきた。特に実用化試
験が開始された第三世代のＷ−ＣＤＭＡ方式では、高速
のデータを送受するためにさらに送受信帯域が拡大され
ている。このような通信方式に用いられる広い通過帯域
のフィルタを実現するには、圧電材料に固有である電気
機械結合係数（ｋ２で表される場合が多い）の大きな材
料、例えばニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の
圧電基板が必要となる。
【０００３】電機機械結合係数ｋ２の大きなニオブ酸リ
チウム、タンタル酸リチウム等には、圧電効果の他に焦
電効果がある。焦電効果とは圧電材料の温度をｄＴだけ
変化させたとき、発生する自発電気分極ｄＰは次式で表
される。 ｄＰ＝ｐｊ・ｄＴ （１） ここで、ｐｊは圧電材料の焦電係数である。従って温度
変化が大きいほど自発電気分極、即ち発生する電荷量は
大きくなる。
チウム、タンタル酸リチウム等には、圧電効果の他に焦
電効果がある。焦電効果とは圧電材料の温度をｄＴだけ
変化させたとき、発生する自発電気分極ｄＰは次式で表
される。 ｄＰ＝ｐｊ・ｄＴ （１） ここで、ｐｊは圧電材料の焦電係数である。従って温度
変化が大きいほど自発電気分極、即ち発生する電荷量は
大きくなる。
【０００４】ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等
のような電機機械結合係数ｋ２の大きな圧電基板を用い
てＳＡＷデバイスを製造する際に、温度変化が加わる工
程中では焦電効果によって圧電基板上に焦電効果による
電荷が発生し、該電荷がＩＤＴ電極間で放電することに
より、ＩＤＴ電極を破壊することがある。また、パッケ
ージに収容したＳＡＷデバイスの周波数温度特性を測定
するために、ＳＡＷデバイスに温度変化を加えると、焦
電効果によって発生した電荷がＩＤＴ電極を介して放電
し、入出力端子間にノイズとなって現れることがある。
この現象を改善するために、電機機械結合係数の大きな
圧電基板を用いたＳＡＷデバイスでは、発生した電荷を
放電させる手段が講じるのが一般的である。
のような電機機械結合係数ｋ２の大きな圧電基板を用い
てＳＡＷデバイスを製造する際に、温度変化が加わる工
程中では焦電効果によって圧電基板上に焦電効果による
電荷が発生し、該電荷がＩＤＴ電極間で放電することに
より、ＩＤＴ電極を破壊することがある。また、パッケ
ージに収容したＳＡＷデバイスの周波数温度特性を測定
するために、ＳＡＷデバイスに温度変化を加えると、焦
電効果によって発生した電荷がＩＤＴ電極を介して放電
し、入出力端子間にノイズとなって現れることがある。
この現象を改善するために、電機機械結合係数の大きな
圧電基板を用いたＳＡＷデバイスでは、発生した電荷を
放電させる手段が講じるのが一般的である。
【０００５】図４はＳＡＷデバイスの構成を示す断面図
であって、圧電基板１１の主表面上に表面波の伝搬方向
に沿ってＩＤＴ電極１２を配置したＳＡＷデバイス素子
の裏面と、パッケージ１３の内底面に設けられたグラン
ド電極とを導電性接着剤１４を用いて接着固定する。さ
らに、パッケージの上端周縁に焼成したメタライズ部１
５と金属性の蓋１６とを抵抗溶接等の手段にて密封して
ＳＡＷデバイスを構成する。導電性接着剤１４を用いる
ことにより、製造工程中、あるいは温度特性の測定時等
の温度変化で生ずる焦電気を、導電性接着剤を介してパ
ッケージのグランドに導き放電させることができる。図
５は焦電効果による影響をより確実に低減したＳＡＷデ
バイスの構成を示す図であって、圧電基板のＩＤＴ電極
１１と対向する面のほぼ全面に電極１２ｂを設け、温度
変化に応じて圧電基板に発生した焦電気を集め、放電を
確実にすることができる。
であって、圧電基板１１の主表面上に表面波の伝搬方向
に沿ってＩＤＴ電極１２を配置したＳＡＷデバイス素子
の裏面と、パッケージ１３の内底面に設けられたグラン
ド電極とを導電性接着剤１４を用いて接着固定する。さ
らに、パッケージの上端周縁に焼成したメタライズ部１
５と金属性の蓋１６とを抵抗溶接等の手段にて密封して
ＳＡＷデバイスを構成する。導電性接着剤１４を用いる
ことにより、製造工程中、あるいは温度特性の測定時等
の温度変化で生ずる焦電気を、導電性接着剤を介してパ
ッケージのグランドに導き放電させることができる。図
５は焦電効果による影響をより確実に低減したＳＡＷデ
バイスの構成を示す図であって、圧電基板のＩＤＴ電極
１１と対向する面のほぼ全面に電極１２ｂを設け、温度
変化に応じて圧電基板に発生した焦電気を集め、放電を
確実にすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のＳＡＷデバイスにおいては導電性接着剤
の接着強度に重点を置いていたため、硬度の高い導電性
接着剤を用いるのが一般的であった。そのため、接着剤
が硬化する際に圧電基板に歪みを生じさせることにな
り、焦電効果は低減するものの圧電効果が加わって、若
干の温度変化に対してもＳＡＷデバイスの入出力間にノ
イズが発生するという問題があった。本発明は上記問題
を解決するためになされたものであって、発生するノイ
ズを大幅に低減したＳＡＷデバイスを提供することを目
的とする。
たような従来のＳＡＷデバイスにおいては導電性接着剤
の接着強度に重点を置いていたため、硬度の高い導電性
接着剤を用いるのが一般的であった。そのため、接着剤
が硬化する際に圧電基板に歪みを生じさせることにな
り、焦電効果は低減するものの圧電効果が加わって、若
干の温度変化に対してもＳＡＷデバイスの入出力間にノ
イズが発生するという問題があった。本発明は上記問題
を解決するためになされたものであって、発生するノイ
ズを大幅に低減したＳＡＷデバイスを提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るＳＡＷデバイスの請求項１記載の発明
は、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩ
ＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面側とパッケ
ージの内底面に設けたグランド電極とを導電性接着剤で
接着固定したＳＡＷデバイスにおいて、前記導電性接着
剤の硬度を鉛筆硬度（ＪＩＳ−ｋ−５４００）で３Ｂ以
下としたことを特徴とするＳＡＷデバイスである。請求
項２記載の発明は、前記ＳＡＷデバイス素子の裏面側に
ほぼ全面に電極を設けたことを特徴とする請求項１に記
載のＳＡＷデバイスである。
に本発明に係るＳＡＷデバイスの請求項１記載の発明
は、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩ
ＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面側とパッケ
ージの内底面に設けたグランド電極とを導電性接着剤で
接着固定したＳＡＷデバイスにおいて、前記導電性接着
剤の硬度を鉛筆硬度（ＪＩＳ−ｋ−５４００）で３Ｂ以
下としたことを特徴とするＳＡＷデバイスである。請求
項２記載の発明は、前記ＳＡＷデバイス素子の裏面側に
ほぼ全面に電極を設けたことを特徴とする請求項１に記
載のＳＡＷデバイスである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＳ
ＡＷデバイスの構成を示す断面図であって、圧電基板１
の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２を
配置すると共に、該ＳＡＷデバイス素子の裏面と、パッ
ケージ３の内底面に設けられたグランド電極とを硬度の
低い導電性接着剤１４を用いて接着固定する。さらに、
パッケージ３の上端周縁に形成したメタライズ部５と金
属性の蓋６とを抵抗溶接等の手段を用いて密閉してＳＡ
Ｗデバイスを構成する。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＳ
ＡＷデバイスの構成を示す断面図であって、圧電基板１
の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２を
配置すると共に、該ＳＡＷデバイス素子の裏面と、パッ
ケージ３の内底面に設けられたグランド電極とを硬度の
低い導電性接着剤１４を用いて接着固定する。さらに、
パッケージ３の上端周縁に形成したメタライズ部５と金
属性の蓋６とを抵抗溶接等の手段を用いて密閉してＳＡ
Ｗデバイスを構成する。
【０００９】本願発明者はＳＡＷデバイス素子の裏面側
と、パッケージに設けたグランド電極とを導電性接着剤
を用い導通しても、また、ＩＤＴ電極の裏面側に放電用
電極を設けても、ＳＡＷデバイスに温度変化を加えると
ＳＡＷデバイスの入出力間にノイズが発生する。この要
因の１つに接着剤の硬度があると考えた。そこで、接着
剤の硬度を種々変えたＳＡＷデバイスを試作し、該ＳＡ
Ｗデバイスに温度勾配１℃／秒の割合で、２５℃から１
１０℃まで温度を変化させたとき、接着剤の硬度とＳＡ
Ｗデバイスの平均焦電ノイズ発生回数との関係を示した
ものが図２である。接着剤の硬度はＪＩＳ−ｋ−５４０
０の鉛筆硬度で表示している。
と、パッケージに設けたグランド電極とを導電性接着剤
を用い導通しても、また、ＩＤＴ電極の裏面側に放電用
電極を設けても、ＳＡＷデバイスに温度変化を加えると
ＳＡＷデバイスの入出力間にノイズが発生する。この要
因の１つに接着剤の硬度があると考えた。そこで、接着
剤の硬度を種々変えたＳＡＷデバイスを試作し、該ＳＡ
Ｗデバイスに温度勾配１℃／秒の割合で、２５℃から１
１０℃まで温度を変化させたとき、接着剤の硬度とＳＡ
Ｗデバイスの平均焦電ノイズ発生回数との関係を示した
ものが図２である。接着剤の硬度はＪＩＳ−ｋ−５４０
０の鉛筆硬度で表示している。
【００１０】図２より鉛筆硬度が低く、即ち柔らかくに
るにつれた平均ノイズ発生回数は減少し、鉛筆硬度３Ｂ
でほぼ発生しないことが実験的に判明した。ここで、鉛
筆硬度２Ｈに相当する導電性接着剤としてはエポキシ系
のＦＡ−７０５、４Ｂに相当するものとしてはシリコン
系Ｘ−３２−４４２１、６Ｂ相当するものとしては藤倉
化成のシリコン系ＸＡ−５９８６等がある。
るにつれた平均ノイズ発生回数は減少し、鉛筆硬度３Ｂ
でほぼ発生しないことが実験的に判明した。ここで、鉛
筆硬度２Ｈに相当する導電性接着剤としてはエポキシ系
のＦＡ−７０５、４Ｂに相当するものとしてはシリコン
系Ｘ−３２−４４２１、６Ｂ相当するものとしては藤倉
化成のシリコン系ＸＡ−５９８６等がある。
【００１１】以上説明したように、本発明の特徴はＳＡ
Ｗデバイス素子の裏面側と、パッケージ内底部に設けた
グランド電極とを接着導通する導電性接着剤の硬度にあ
る。硬度を低く、即ち柔らかくすることにより、焦電効
果と圧電効果とによる悪影響が小さくなり、ノイズの発
生が抑圧されるものと推測される。
Ｗデバイス素子の裏面側と、パッケージ内底部に設けた
グランド電極とを接着導通する導電性接着剤の硬度にあ
る。硬度を低く、即ち柔らかくすることにより、焦電効
果と圧電効果とによる悪影響が小さくなり、ノイズの発
生が抑圧されるものと推測される。
【００１２】図３は本発明の変形例であって、ＳＡＷデ
バイス素子の裏面側ほぼ全面に電極２ｂを設け、焦電気
の収集を確実にしたＳＡＷデバイスである。
バイス素子の裏面側ほぼ全面に電極２ｂを設け、焦電気
の収集を確実にしたＳＡＷデバイスである。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、請求項１に記載の発明は焦電効果と圧電効果とに
よる悪影響を低減し、ノイズの発生をほぼ抑圧できると
いう優れた効果を表す。請求項２に記載の発明は発生し
た焦電気および圧電気とを放電させる電極を設けたので
一層ノイズの発生を抑圧出来るという優れた効果を表
す。
ので、請求項１に記載の発明は焦電効果と圧電効果とに
よる悪影響を低減し、ノイズの発生をほぼ抑圧できると
いう優れた効果を表す。請求項２に記載の発明は発生し
た焦電気および圧電気とを放電させる電極を設けたので
一層ノイズの発生を抑圧出来るという優れた効果を表
す。
【図１】本発明に係るＳＡＷデバイスの構成を示す断面
図である。
図である。
【図２】導電性接着剤の硬度と平均ノイズ発生回数との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図３】本発明の変形例であるＳＡＷデバイスの構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】従来のＳＡＷデバイスの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来のＳＡＷデバイスの構成を示す断面図であ
る。
る。
１・・圧電基板
２・・ＩＤＴ電極
３・・パッケージ
４・・導電性接着剤
５・・メタライズ部
６・・金属蓋
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向
に沿ってＩＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面
側とパッケージの内底面に設けたグランド電極とを導電
性接着剤で接着固定したＳＡＷデバイスにおいて、 前記導電性接着剤の硬度を鉛筆硬度（ＪＩＳ−ｋ−５４
００）で３Ｂ以下としたことを特徴とするＳＡＷデバイ
ス。 - 【請求項２】 前記ＳＡＷデバイス素子の裏面側にほぼ
全面に電極を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
ＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259582A JP2003069378A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Ｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001259582A JP2003069378A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Ｓａｗデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003069378A true JP2003069378A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19086932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001259582A Pending JP2003069378A (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Ｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003069378A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009534651A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ヴェクトロン インターナショナル，インク | 高圧環境用の電気音響センサ |
| WO2012039374A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 焦電型赤外線検出装置及び焦電型赤外線検出装置における焦電素子の交換方法 |
| US10298204B2 (en) | 2016-02-17 | 2019-05-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, package to manufacture acoustic wave filter device, and method to manufacture acoustic wave filter device |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001259582A patent/JP2003069378A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009534651A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ヴェクトロン インターナショナル，インク | 高圧環境用の電気音響センサ |
| WO2012039374A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 焦電型赤外線検出装置及び焦電型赤外線検出装置における焦電素子の交換方法 |
| US9097581B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-08-04 | Nec Tokin Corporation | Pyroelectric infrared detecting device, and method for replacing pyroelectric element in pyroelectric infrared detecting device |
| US10298204B2 (en) | 2016-02-17 | 2019-05-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, package to manufacture acoustic wave filter device, and method to manufacture acoustic wave filter device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |