JP2003068783A - 無鉛クラッドワイヤ - Google Patents

無鉛クラッドワイヤ

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JP2003068783A JP2001253244A JP2001253244A JP2003068783A JP 2003068783 A JP2003068783 A JP 2003068783A JP 2001253244 A JP2001253244 A JP 2001253244A JP 2001253244 A JP2001253244 A JP 2001253244A JP 2003068783 A JP2003068783 A JP 2003068783A
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JP
Japan
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wire
clad wire
clad
temperature
alloy
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Takatoshi Arikawa
孝俊 有川
Shin Takaura
伸 高浦
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高温半田材料として、液相線温度が４００℃以
下で、且つ溶解・凝固した材料を加熱する時の固相線温
度が２６０℃以上のワイヤでありながら、接合性に優れ
ていると共に伸線加工性に優れた無鉛のワイヤを提供す
る。 【解決手段】高純度Ｓｎ又はＳｎ合金からなる芯材の外
周面に、高純度Ａｕ又はＡｕ合金からなる被覆材を被覆
したクラッドワイヤであって、該クラッドワイヤを溶解
して凝固した時のＳｎ含有量が１７．５〜３０質量％で
ある無鉛クラッドワイヤとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無鉛クラッドワイヤ
に関し、詳しくは、無鉛ワイヤでありながら液相線温度
が４００℃以下、固相線温度が２６０℃以上であって、
鉛合金ワイヤの代替えとして有用な無鉛クラッドワイヤ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品等の実装工程では、一度
半田付けされた箇所が二度目の加熱を受けている。すな
わち、一度目の半田付けは、ＩＣチップをリードフレー
ムに半田付けするダイボンディングや、ＩＣチップと回
路基板の接合において何れかの接合面に複数の半田バン
プを格子状等に形成しこれらを重ね合わせた後に加熱し
て接合するフリップチップ接合等がある。また、二度目
の半田付けは、前述した一度目の半田付けをされたＩＣ
チップを含む電子部品を、プリント基板等に接合する工
程である。
【０００３】ここで、一般に使用されているプリント基
板はガラスエポキシ製であり、その耐熱温度は通常２５
０℃〜２６０℃である。この為、二度目の半田付け材料
としては、リフロー温度を２５０℃未満として作業出来
るものが選ばれ、一度目の半田付け材料としては液相線
温度が４００℃以下、固相線温度２６０℃以上のものが
用いられている。液相線温度の要求は、一度目の半田付
けをする時の電子部品保護の為にリフロー温度を制限す
るためのものであり、固相線温度の要求は、一度目の半
田付けした電子部品の接合が二度目の半田付けリフロー
温度に耐えるために必要なものである。
【０００４】尚、ＪＩＳ Ｚ３００１の規定では、４５
０℃以上の高い融点をもつろう接用溶加材を「ろう」、
４５０℃未満の低い融点をもつろう接用溶加材を「はん
だ」と定義している。本発明ではこれをふまえて「半
田」の用語を用いて一度目の半田付け材料を高温半田材
料、二度目の半田付け材料を低温半田材料という。従
来、高温半田材料としては、５質量％Ｓｎ−Ｐｂ：固相
線温度３０７℃，液相線温度３２７℃のものや、１０質
量％Ｓｎ−Ｐｂ：固相線温度２７０℃，液相線温度３０
１℃のものが用いられ、低温半田材料としては、６３質
量％Ｓｎ−Ｐｂ：固相線温度，液相線温度共に１８３℃
近辺の共晶組成のものが用いられている。
【０００５】以上のように、Ｐｂは半田材料として不可
欠な金属であり、Ｐｂ含有半田は電子部品の接合プロセ
スにおいて長い年月を経て最も有効な半田材料として用
いられており、またその信頼性も確立されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＰｂが使用されている電子機器製品の自然界への廃
棄等によってＰｂが徐々に溶出し、地下水の汚染等を招
くことから、半田材料としてＰｂフリーの半田材料（無
鉛半田材料）への要求が高まっている。このような要求
に対応するべく、低温半田材料としてはＳｎ−Ａｇ合
金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金等が提案され、中
でもＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金等はＰｂフリー半田材料とし
て使用の見通しがついてきた。
【０００７】しかしながら、高温半田材料としてのＰｂ
フリー半田材料は、未だ使用の見通しがついていない現
状にある。これは、従来の高温半田材料を構成する主成
分であるＰｂに相当する有用金属が、溶融温度３００℃
前後に存在しないことが解決を困難としている。例え
ば、溶融温度３２１℃のＣｄが存在するが、ＣｄはＰｂ
同様有害金属である為、Ｐｂフリー半田材料としては使
用出来ない。そこで、本発明者等が鋭意検討した結果、
Ａｕ−Ｓｎ合金が、３００℃前後の温度で溶融すると共
にダイボンディングやフリップチップ接合した時の接合
性に優れている為、高温半田材料の候補として適してい
るとの知見を得た。
【０００８】一方、高温半田材料を電子部品の実装用に
用いる際、実装加工性を向上させる為にワイヤ状の半田
材料であることが求められている。しかしながら、上記
Ａｕ−Ｓｎ合金は加工性が悪く、直径１ｍｍの細線、更
には直径２００μｍ以下に伸線加工することが困難であ
る。とりわけ、バンプ用ワイヤが主として用いられる直
径１００μｍ以下の細線、更には直径２５〜３０μｍの
細線に伸線加工する際、断線が多発して長尺ワイヤが作
製出来ないという欠点を有している。この断線が生じや
すい理由は、Ａｕ−Ｓｎ合金は脆化して加工性が悪くな
ることに起因していると考えられる。
【０００９】本発明はこのような従来事情に鑑みなされ
たものであり、その目的とするところは、高温半田材料
として、液相線温度が４００℃以下で、且つ溶解・凝固
した材料を加熱する時の固相線温度が２６０℃以上のワ
イヤでありながら、接合性に優れていると共に伸線加工
性に優れた無鉛ワイヤを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】以上の目的を達成するべ
く、本発明者等はさらに鋭意検討を重ねた結果、溶解・
凝固してＡｕ−Ｓｎ合金となる半田材料に注目し、高純
度Ｓｎ又はＳｎ合金からなる芯材の外周面に、高純度Ａ
ｕ又はＡｕ合金からなる被覆材を被覆したクラッドワイ
ヤとすることによって、伸線加工が容易に出来るという
知見を得て、本発明を完成するに至った。
【００１１】すなわち本発明は、高純度Ｓｎ又はＳｎ合
金からなる芯材の外周面に、高純度Ａｕ又はＡｕ合金か
らなる被覆材を被覆したクラッドワイヤであって、該ク
ラッドワイヤを溶解して凝固した時のＳｎ含有量が１
７．５〜３０質量％であることを特徴とする無鉛クラッ
ドワイヤである。
【００１２】上記構成において、芯材と外周面の間に、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる材料
が間着されていることが好ましい。
【００１３】また、本発明に係る無鉛クラッドワイヤ
は、電子部品の接合用として好適に用いることが出来
る。
【００１４】尚、本発明において、クラッドワイヤを溶
解して凝固した時のＳｎ含有量とは、例えば図１に示す
ように、ワイヤの先端にボンディング用のボールを形成
する為にワイヤ先端を加熱して溶融し、凝固させた時の
ボールにおけるＳｎ含有量をいう。またこのＳｎ含有量
は、ワイヤの任意部分を溶解して凝固させた時のＳｎ含
有量と同一であることはいうまでもない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明を詳述する。
【００１６】本発明に係る無鉛クラッドワイヤは、芯材
として高純度Ｓｎ又はＳｎ合金を用い、被覆材には高純
度Ａｕ又はＡｕ合金を用いることを特徴とする。このよ
うな構成にすることにより、所定の液相線温度および固
相線温度でありながら、伸線加工性に優れていると共
に、ワイヤ先端を溶解・凝固させてバンプ用ボールを形
成した時やワイヤ先端を溶解してダイボンディング用に
使用した時、接合性の良いＡｕ−Ｓｎ合金として、電子
部品等の半田接合に用いることが出来る。
【００１７】芯材として用いる高純度Ｓｎとは、不可避
不純物を含む９９．９質量％以上のものをいい、該芯材
の外周面に高純度Ａｕ又はＡｕ合金からなる被覆材を形
成した場合でも、伸線加工性に優れると共に、優れた接
合性を有している。この効果は、芯材に他の元素を添加
したＳｎ合金であっても維持される。
【００１８】ここで、Ｓｎ合金とはＳｎを主成分とする
合金であり、添加元素としては、機械的強さを向上させ
る為に添加するＭｇ，Ｃａ等のアルカリ土類金属（添加
量５質量％以下）、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ等の遷移金属（添
加量５質量％以下），Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等の貴金属（添
加量５質量％以下）、Ｌａ，Ｅｕ等の希土類元素（添加
量５質量％以下）などが例示出来る。
【００１９】被覆材として用いる高純度Ａｕとは、不可
避不純物を含む９９．９質量％以上のものをいい、上記
した芯材に高純度Ｓｎ又はＳｎ合金を用いた場合でも、
伸線加工性に優れると共に優れた接合性を有している。
この効果は、被覆材に他の元素を添加したＡｕ合金であ
っても維持される。
【００２０】ここで、Ａｕ合金とはＡｕを主成分とする
合金であり、添加元素としては、常温及び高温での機械
的強さを向上させる為に添加するＭｇ，Ｃａ等のアルカ
リ土類金属（添加量１質量％以下）、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ
等の遷移金属（添加量５質量％以下），Ａｇ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ等の貴金属（添加量２０質量％以下）、Ｌａ，Ｅｕ等
の希土類元素（添加量１質量％以下）などが例示出来
る。
【００２１】また本発明においては、クラッドワイヤに
占める芯材の量（Ｓｎ含有量）を制御することが必要で
あり、クラッドワイヤを溶解して凝固した時のＳｎ含有
量が１７．５〜３０質量％であることを特徴とする。該
Ｓｎ含有量が１７．５質量％未満の時、クラッドワイヤ
の液相線温度は４００℃を超える為、本発明に要求され
る高温半田材料としては高すぎて不適当である。また、
該Ｓｎ含有量が３０質量％を超えると伸線加工性能が低
下してくる。
【００２２】本発明におけるさらに好ましいＳｎ含有量
は１７．５〜２４質量％であり、この範囲の時、伸線加
工性は更に向上する。
【００２３】また、高温半田材料を用いて電子部品を接
合するとき、液相線温度は４００℃以下の中でも、低い
方が好ましい。この為、本発明における更に好ましいＳ
ｎ含有量は、１８〜２４質量％である、最も好ましくは
２０質量％である。Ｓｎ含有量がこの範囲である時、ク
ラッドワイヤの液相線温度、固相線温度は共に２８０℃
程度になる。
【００２４】また本発明に係るクラッドワイヤは、芯材
と被覆材の間に間着材を用いることが好ましい。圧延加
工や伸線加工中にクラッドワイヤが温度上昇することに
より、ＡｕとＳｎが拡散してクラッドワイヤが脆くなっ
てくる場合がある。これを防止する為に、材料を冷却し
ながら伸線したりＡｕとＳｎの拡散を防止するために、
間着材を用いると良い。
【００２５】間着材としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｒｈが好ましく用いられる。またこれらの間
着材は、芯材である高純度Ｓｎ又はＳｎ合金の外周にめ
っきし被覆して用いることが好ましい。
【００２６】本発明に係るクラッドワイヤは、直径２０
〜２００μｍで用いることが好ましい。バンプ形成用ワ
イヤとして用いる時は、直径２０〜１００μｍで用いる
ことが好ましく、更には直径２０〜４０μｍが最も好ま
しい。但し、電子回路の小型化に対応するため直径１０
μｍ、更には直径５μｍとして用いても良い。ダイボン
ディング等の部品接合用に用いる時は、直径１００〜２
００μｍ程度として用いることが好ましい。
【００２７】本発明に係るクラッドワイヤの製造方法に
ついて説明すれば、まず、被覆材に使用する高純度Ａｕ
又はＡｕ合金のインゴットを製造する。直径１０〜３０
ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍのものが好ましい。次い
で、そのインゴットの中心に孔を穿孔し、該孔に芯材を
挿入する。芯材は高純度Ｓｎ又はＳｎ合金を用い、その
表面にＣｕ等の間着材をめっきしておくことが好まし
い。芯材の直径は伸線加工した後のクラッドワイヤを溶
解し凝固した時のＳｎ含有量が所定量になるように計算
値を基準にして定め、インゴットの直径に対応して直径
５〜２３ｍｍとすることが好ましい。間着材のめっき厚
さとしては０．１〜１０μｍの範囲で用い、好ましくは
１〜３μｍである。次に、芯材を挿入したインゴットを
溝ロ−ルで圧延加工した後、伸線加工を施して仕上げ線
径にする。この時、芯材の外周に間着材を被覆しない場
合は伸線加工の都度クラッドワイヤを室温以下迄冷却し
てＡｕとＳｎの拡散を防止することが好ましい。芯材に
０．１〜１０μｍ厚さの間着材を被覆した場合は、特段
の冷却処理を施すことなく伸線加工が出来る。このよう
にして所定の直径の無鉛クラッドワイヤに仕上げる。
【００２８】以下、本発明に係る無鉛クラッドワイヤに
よる接合方法を、図面を参照して説明する。
【００２９】図１〜図３はバンプ接合用のバンプ形成方
法を示す。図１において、符号１はキャピラリー、２は
電気トーチ、３は本発明に係るクラッドワイヤ、４は電
気トーチ２の加熱によりワイヤ３の先端に溶融・凝固し
て形成されたボールである。図示は省略したが、トーチ
とボールに覆いをかけ、内部を非酸化性雰囲気としてボ
ール４を形成することが好ましい。雰囲気ガスとしては
Ａｒ又はＮ２を用いるか、それに加えて最大１５％まで
のＨ２を加えたものを用いる。
【００３０】このようにしてボール４を形成した後、基
板５上の電極６上に前記ボール４をキャピラリー１によ
り加圧して、圧着ボール７を形成する（図２）。
【００３１】次いで、クラッドワイヤ３をクランパ８で
クランプしたままキャピラリー１と共に上方へ引き上げ
ることにより、電極６上にバンプ９を形成する（図
３）。ここで、バンプ９上面にワイヤ残部が生じた時
は、別途加圧板を用いてワイヤ残部を押しつけることが
好ましい。このようにして、本発明に係るクラッドワイ
ヤ３を用いて基板５上の電極６上に形成されたバンプ９
は、無鉛の高温半田材料として使用することができる。
【００３２】図４には、図１〜３で形成されたバンプ９
を用いてフリップチップ接合する状態を示す。図中の符
号１１は半導体素子１０上の電極である。図３で形成し
たバンプ９はリフローされて電極６と半導体素子１０を
接合し、高温半田材料９によるフリップチップ接合が行
われる。尚、図３ではバンプ形成は基板上に行っている
が、半導体素子電極上に形成することも出来る。
【００３３】また、図示は省略するが、半導体素子をダ
イに接合するダイボンディングや、半導体素子，コンデ
ンサー等を基板に接合する際も、本発明に係るクラッド
ワイヤからなる高温半田材料を使用出来ることは言うま
でもない。この場合は、連続的にワイヤ先端から必要量
を溶融して用いたり、ワイヤ先端の所定長さを切断しリ
フローする方法が利用出来る。後者の方法として、ウエ
ッジボンディング法による所定長さの切断法が例示出来
る。
【００３４】前述したように、高温半田材料を用いて組
立てられた電子部品をプリント基板に接合する際には、
リフロー温度が２２０℃以下の低温半田材料を用いる
為、固相線温度が２８０℃以上である本発明のクラッド
ワイヤを用いて接合された電子部品は、その接合が充分
維持される。また本発明に係るクラッドワイヤは、ヒュ
ーズ用として用いることも出来る。
【００３５】
【実施例】以下、実施例について説明する。
【００３６】（実施例１）クラッドワイヤを得る為の被
覆材組成として、純度９９．９９質量％の高純度きＮを
直径３０ｍｍ，長さ１００ｍｍのインゴットに鋳造し、
その中心に、芯材を挿入する為の孔を穿孔した。芯材
は、芯材組成として純度９９．９質量％の高純度Ｓｎ線
を用い、その直径は伸線加工後のクラッドワイヤを溶解
・凝固した時のＳｎ含有量が１７．５質量％になるよう
に加工した。更にその芯材外周に、厚さ１μｍを目標に
Ｃｕめっきを施して、ＡｕとＳｎの間の間着材とした。
該芯材を前記インゴットの中心孔に挿入してクラッドワ
イヤ用インゴットを作成した。次いで、該インゴットを
圧延加工した後に伸線加工して、直径２５μｍのクラッ
ドワイヤに加工した。
【００３７】間着材の含有量は表１に示すようにした。
また、クラッドワイヤに対する液相線温度、クラッドワ
イヤを溶解・凝固した材料に対する固相線温度を表２に
示した。該クラッドワイヤを直径３ｍｍから直径２５μ
ｍまでに伸線加工した時の破断回数をカウントし、その
結果を表２に示した。また、該クラッドワイヤを用い
て、図１〜図３に示す方法で基板上のＡｌ電極上にバン
プを形成した。ボール形成はボールを覆いで囲い、Ａｒ
−１０％Ｈ２ガスを用いて無酸化雰囲気中で行った。得
られたバンプの剪断試験を行い、１０点の平均値を接合
強度として表２に示した。
【００３８】（実施例２〜１２／比較例１〜２）被覆材
の組成、Ｓｎを主成分とした芯材の組成、間着材の材
質、クラッドワイヤを溶解・凝固した時のＳｎ含有量及
び間着材の含有量を表１のようにしたこと以外は、実施
例１と同様にしてクラッドグワイヤに仕上げた。これら
実施例２〜１２、比較例１〜２のクラッドワイヤに対す
る液相線温度、クラッドワイヤを溶解・凝固した材料に
対する固相線温度を表２に示した。また、伸線加工時の
破断回数及び接合強度を実施例１と同様にして測定し、
その結果を表２に示した。
【００３９】但し、比較例１，２については、接合強度
の試験は実施しなかった。比較例１はクラッドワイヤを
溶解・凝固する時の液相線温度が７００℃以上であり、
高温半田材料として不適当であり、比較例２については
直径３ｍｍ以降の伸線加工時の破断回数が３０回を超
え、実用的な長尺ワイヤの製造ができない為試験を中止
した。
【００４０】（実施例１３）間着材を用いなかったこと
以外は実施例３と同様にしてクラッドワイヤ用インゴッ
トを作成した。次いで、該インゴットを圧延、伸線加工
して直径２５μｍのクラッドワイヤに加工する際、圧延
加工、伸線加工の１パス毎にクラッドワイヤを室温以下
迄冷却して加工を行ったこと以外は、実施例３と同様に
してクラッドワイヤに仕上げた。該クラッドワイヤの液
相線温度、固相線温度、伸線加工時の破断回数及び接合
強度を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に
示した。
【００４１】（比較例３〜５）クラッドワイヤとするこ
となく、表３に示す組成のインゴットを作成したこと以
外は、実施例１と同様にしてワイヤに加工した。比較例
３については、直径３ｍｍ以降の伸線加工時の破断回数
が３０回を超え、実用的な長尺ワイヤの製造ができない
為、試験を中止した比較例４はワイヤに対する液相線温
度が１０００℃以上であり、比較例５はワイヤを溶解・
凝固した材料に対する固相線温度が２２７℃であり、何
れも高温半田材料として不適当である為、接合強度の試
験は実施しなかった。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】以上の結果から、実施例１〜実施例１３に
おいては、クラッドワイヤに対する液相線温度が４００
℃以下、クラッドワイヤを溶解・凝固した材料に対する
固相線温度２６０℃以上の無鉛ワイヤでありながら、伸
線加工時の破断回数が１回以下と優れた伸線加工性を示
し、接合強度も１５０ＭＰａ以上と優れた効果を示し
た。このことから、溶解・凝固した時のＳｎ含有量が１
７．５〜３０質量％である本発明のクラッドワイヤが、
優れた効果を示すことが判る。
【００４６】この中でも、実施例５以外のものは、伸線
加工時の破断回数が０回と更に優れた効果を示した。こ
のことから、溶解・凝固した時のＳｎ含有量が１７．５
〜２４質量％であるクラッドワイヤが、更に優れた効果
を示すことが判る。
【００４７】また、実施例２，３，４のものは、クラッ
ドワイヤを溶解する時の液相線温度が３６０℃以下と更
に優れた効果を示した。このことから、溶解・凝固した
時のＳｎの含有量が１８〜２４質量％であるクラッドワ
イヤが、更に優れた効果を示すことが判る。
【００４８】一方、本発明に規定するクラッドワイヤを
溶解・凝固した時のＳｎ含有量が１７．５質量％未満で
ある比較例１のものは、液相線温度が７００℃以上と高
いものであり、高温半田材料として不適当であることが
判る。
【００４９】また、本発明に規定するクラッドワイヤを
溶解・凝固した時のＳｎ含有量が４０質量％である比較
例２のものは、液相線温度が４００℃以上になると共に
伸線加工時の破断回数が３０回以上と悪いものであり、
本願の課題に対して不適当であることが判る。
【００５０】クラッドワイヤにすることなく、本発明に
規定するクラッドワイヤを溶解・凝固した時のＳｎ含有
量を合金成分とする比較例３のものは、伸線加工時の破
断回数が３０回以上と悪いものであり、本願の課題に対
して不適当であることが判る。すなわち、クラッドワイ
ヤとしないＡｕ−Ｓｎ合金材料は、伸線加工に対して脆
い材料であることが判る。
【００５１】クラッドワイヤにすることなく、本発明に
おける被覆材を用いた比較例４は液相線温度が１０６３
℃と高く、本発明における芯材を用いた比較例５は固相
線温度が２２７℃と低すぎるため、何れも高温半田材料
として不適当であることが判る。
【００５２】
【発明の効果】本発明に係る無鉛クラッドワイヤは以上
説明したように構成したので、液相線温度４００℃以
下、固相線温度２６０℃以上の無鉛の高温半田材料であ
って、ワイヤ加工する際の伸線加工性に優れ、且つ半田
接合強度にも優れた効果を示す。従って、環境に優しい
無鉛の材料であって、液相線温度４００℃以下、固相線
温度２６０℃以上である高温半田材料であり、伸線加工
性、接合強度特性にも優れた、電子部品の接合に用いる
に好適な無鉛クラッドワイヤを提供できた。
【００５３】また、芯材と外周面の間に間着材を設けた
場合は、クラッドワイヤに加工する際の圧延，伸線加工
中のワイヤの温度上昇や、Ａｕ，Ｓｎの拡散を防止し
て、製造コストを低減し得ると共に、信頼性の高いワイ
ヤを提供することが出来る等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のクラッドワイヤによるバンプ形成方法
を示す簡略図。
【図２】本発明のクラッドワイヤによるバンプ形成方法
を示す簡略図。
【図３】本発明のクラッドワイヤによるバンプ形成方法
を示す簡略図。
【図４】本発明のクラッドワイヤからなる高温半田材料
をフリップチップ接合の例を示す簡略図。
【符号の説明】
１：キャピラリー ２：電気トーチ ３：クラッドワイヤ ４：ボール ５：基板 ６：電極 ７：圧着ボール ８：クランパ ９：バンプ １０：半導体素子 １１：電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高純度Ｓｎ又はＳｎ合金からなる芯材の
    外周面に、高純度Ａｕ又はＡｕ合金からなる被覆材を被
    覆したクラッドワイヤであって、該クラッドワイヤを溶
    解して凝固した時のＳｎ含有量が１７．５〜３０質量％
    であることを特徴とする無鉛クラッドワイヤ。
  2. 【請求項２】 芯材と外周面の間に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
    ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる材料が間着されてい
    ることを特徴とする請求項１記載の無鉛クラッドワイ
    ヤ。
  3. 【請求項３】 電子部品接合用に用いられることを特徴
    とする請求項１又は２記載の無鉛クラッドワイヤ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006520103A (ja) * 2003-03-10 2006-08-31 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 被覆ワイヤーで形成された、フリップチップ用被覆金属のスタッドバンプ
WO2012138042A1 (ko) * 2011-04-08 2012-10-11 한국기계연구원 박판 주조된 알루미늄 합금을 이용한 브레이징용 고강도 클래드 판재 및 이의 제조 방법

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