JP2003068664A - 液相成長装置及びそれを使用する液相成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 同一ロット内において不純物濃度のばらつき
の少ないエピタキシャル層が形成できる液相成長装置及
びそれを使用した液相成長方法を提供する。 【解決手段】 本発明の液相成長装置１は、反応管３
と、不純物を含むプロセスガスＧを成長反応室９内に流
出させるガス供給部２と、プロセスガスＧの成長反応室
９内における流量を規制する通口１０が形成されている
バッフル４とを有する。バッフル４における通口形成面
４ｂの上下方向の長さを二等分する水平基準線を設定し
たとき、該通口形成面４ｂの該水平基準線よりも上方の
領域を第一領域とし、下方の領域を第二領域とする。通
口１０は、第二領域における総面積よりも第一領域にお
ける総面積の方が大きくなるように、もしくは第一領域
のみに形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体単結晶基
板上にエピタキシャル層を形成するための液相成長装置
及びそれを使用した液相成長方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液相エピタキシャル成長法（以下、液相
成長方法ともいう）とは、成長させたい成長層（エピタ
キシャル層）の結晶成分を溶質として、Ｇａ（ガリウ
ム）等の溶媒に溶かし、温度又は温度勾配を変化させる
ことにより、半導体単結晶基板上に結晶成分を析出成長
させる方法である。

【０００３】例えば、ＧａＰ（燐化ガリウム）単結晶に
より構成される発光素子等を製造する場合、ｎ型のＧａ
Ｐ基板上にｎ型のＧａＰエピタキシャル層を液相成長さ
せた後、ｐ型のＧａＰエピタキシャル層を同様に液相成
長させる。このエピタキシャル成長において、不純物を
添加するには、不純物が既に溶け込んでいる別の成長溶
液に取り替えて成長させる手法や、キャリアガス中に不
純物を混入させたガスを流しながら成長させる手法を用
いるのが一般的である。

【０００４】キャリアガス中に不純物を混入させたガス
から不純物を取り込むように構成された液相成長装置と
して、従来図６に示すような装置１’が使用されてい
る。液相成長装置１’は、反応管３を有し、該反応管３
内には、ガスを供給するためのガス供給部２と石英製の
バッフル４とによって、成長反応室９が形成される。そ
して、半導体単結晶基板Ｗと成長溶液１６とをセットし
たボート８を、その成長反応室９内に配置する仕組みで
ある。ガス供給部２内には、例えばｐ型の不純物源１７
として、Ｚｎ（亜鉛）が配置される。そして、反応管３
の外側に位置するサブヒータ６にて加熱して、不純物を
蒸発・気化させ、Ｈ_２やＡｒ等のキャリアガスととも
に、整流部材２ｄに形成されたガス供給口２ｈを通過さ
せて、成長反応室９内に供給する（キャリアガスと不純
物ガスが混ざり合ったガスを以後、プロセスガスともい
う）。

【０００５】ガス供給口２ｈから成長反応室９内に供給
されたプロセスガスＧは、成長反応室９内に配置された
各ボート間を流通した後、バッフル４の下部に形成され
た通口１０’に流入する形にてバッフル４の内側に導か
れる。バッフル４には、図示しない排気口が通口１０’
の反対側に形成されており、それが反応管３の排気口へ
とつながって、ガスが反応管３の外部へと排気される仕
組みである。なお、若干ではあるが、バッフル４と反応
管３との間に形成された隙間を流通する形にて、反応管
３の排気口へ向うガスもある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法を採用した場合、プロセスガスＧの流れが不
均一になりがちであり、同じ反応室内であっても場所に
よって成長溶液に取り込まれる不純物の量に差異が生じ
てしまうという問題がある。結果として、形成されたエ
ピタキシャル層における不純物濃度がばらついてしまう
という不具合が生じる。そして、このようにして作製さ
れたエピタキシャルウェーハを使用して例えば発光素子
を作製すると、発光出力にばらつきが生じてしまう。

【０００７】本発明の課題は、不純物濃度のばらつきの
少ないエピタキシャル層を半導体単結晶基板上に形成す
ることができる液相成長装置及び、それを使用した液相
成長方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用効果】上記課題を
解決するために、本発明の液相成長装置は、反応管内に
設置された成長用ボートに、半導体単結晶基板をその主
表面に成長溶液が接する状態で複数配置するように構成
され、さらに、前記反応管の長手方向の一方にガス供給
部が設けられ、他方に排気ガスの流量を規制するために
ガス流通方向に通口の形成されたバッフルが配置される
とともに、前記通口は、その通口が形成されている通口
形成面を上下方向に二等分したとき、該通口形成面の下
部に形成された通口の総面積よりも、上部に形成された
通口の総面積のほうが大きくなるように調整されている
ことを特徴とする。

【０００９】同じく課題を解決するために、本発明の液
相成長装置は、反応管内に設置された成長用ボートに、
半導体単結晶基板をその主表面に成長溶液が接する状態
で複数配置するように構成され、さらに、前記反応管の
長手方向の一方にガス供給部が設けられ、他方に排気ガ
スの流量を規制するためにガス流通方向に通口の形成さ
れたバッフルが配置されるとともに、前記通口は、その
通口が形成されている通口形成面を上下方向に二等分し
たとき、その上部にのみ形成されていることを特徴とす
る。

【００１０】さらに、本発明の液相成長方法は、反応管
内に、主表面上に成長溶液が接する状態で半導体単結晶
基板が載置された成長用ボートを配置し、前記反応管内
にキャリアガス及びドーピングガスを流入させながら、
前記半導体単結晶基板の主表面上にエピタキシャル層を
形成する液相成長方法において、前記エピタキシャル層
の形成は、本発明の液相成長装置を使用して行われるこ
とを特徴とする。

【００１１】本発明者らは、反応管内にガスを供給する
ような液相成長装置において、反応管の一端からガス供
給部によりガスを流入させると、ガスは反応管の下流で
バッフルの端面に当たってボート上部の空間を逆流し、
再び上流側から流れる形で循環することを見出した。さ
らにガスは、結晶の成長が行なわれる成長反応管で熱せ
られるため、反応管内の上方に移動する傾向が強く、過
剰な対流がバッフルの近傍における成長反応室の上方に
形成されることを突き止めた。

【００１２】そこで、本発明者らは、液相成長装置にお
いて、成長用ボートに関してガス供給部とは反対側に設
けられるバッフルに通口を設ける際、バッフルの通口形
成面を上下方向に二等分したとき、該通口形成面の下部
に形成される通口の総面積よりも上部に形成される通口
の総面積のほうが大きくなるように設定した。これによ
りバッフルの近傍においてガスの過剰な対流が抑制さ
れ、その結果、成長反応室内に導入されたガスの流れの
均一化を図ることができる。すなわち、上記通口は整流
作用を備える。

【００１３】また、通口形成面の上部にのみ通口が形成
されている形態も採用できる。バッフルはガスの流れを
できるだけ乱さず、かつ放熱を十分に抑制できる形態で
設けられるのが望ましい。通口を設けすぎると、遮熱効
果を発揮できない恐れもある。反応管内を流れてきたガ
スは、バッフルの近傍においては反応管の上方に向って
流れやすい傾向にあるので、通口形成面の上部にのみ通
口を形成しておいても、過剰な対流を抑制する効果は十
分に望める。なお、通口の面積とは、通口形成面におけ
る開口面積をいう。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。図１は、本発明の液相成長装
置１を示す概略図である。以下、該装置においてＧａＰ
単結晶基板上にＧａＰエピタキシャル層を形成する場合
について説明する。液相成長装置１は、該装置１を主に
構成する反応管３と、該反応管３に接続されてプロセス
ガスＧを供給するガス供給部２と、反応管３の長手方向
においてガス供給部２と反対方向に位置するバッフル４
とを有する。さらに、反応管３とガス供給部２及びバッ
フル４の端面にて囲まれる形で、成長反応室９が形成さ
れている。

【００１５】バッフル４は、反応管３の長手方向におい
て、成長用ボート８に関してガス供給部２と反対側に反
応管３内の放熱を抑制するための断熱部材として設けら
れる。液相成長においては、成長反応室９内の温度を所
定の温度に維持することが重要だからである。さらに、
バッフル４には、プロセスガスＧの排出量を調節する通
口が形成される。これにより、成長反応室９内での放熱
を抑制しつつ、反応管３内におけるプロセスガスＧの流
れの均一化を図ることが可能になる。図１に示すよう
に、成長反応室９を形成するバッフル４の端面におい
て、その上半分の領域に通口１０が形成されている。

【００１６】上記通口１０は、プロセスガスＧの過剰な
対流を抑制する程度に形成されていれば十分である。プ
ロセスガスＧを排出する機能を重視しすぎると、放熱抑
制の効果が十分に発揮できない。成長反応室９内に導入
されたプロセスガスＧの流れを均一にするためには、プ
ロセスガスＧがバッフル４に跳ね返されて生じる対流を
抑制できれば十分であり、形成される通口１０の寸法及
び分布形態を調節して、プロセスガスＧが過剰に排出さ
れるのを抑制する。

【００１７】また、バッフル４は、筒状形態の反応管３
の開口部を塞ぐ形態で、該開口部から反応管３の内部に
挿入される柱状部材であって、排気されるプロセスガス
Ｇをいったん収容する内部空間を有する。バッフル４の
内部空間でプロセスガスＧの対流、乱流等が生じること
にはなんら問題はない。むしろ、ガスの流れ方向に関す
る通口の距離を短くすることが可能になるので、ガスの
スムーズな流れに寄与する。

【００１８】次に、図３に、液相成長装置１内に配置さ
れる成長用ボートの模式図を示す。複数段に組立可能と
されたボート８は、石英製の部材として構成される。そ
のボート８の上面部には、そこに形成された凹部に枠状
又は環状の石英製堤部材８ｓが擦り合わせにより着脱可
能に嵌合して、半導体単結晶基板Ｗの載置部と成長溶液
溜とを形成している。このボート８には、一段につき複
数の基板を載置可能である。基板の入れかえを行う際に
は、これらボート８を個別に分解したうえで、液相成長
後に残余した成長溶液を取り除き、さらに堤部材８ｓを
取り外してエピタキシャルウェーハを取り出せばよい。
成長溶液溜に溜められるＧａ溶液は、表面張力によって
堤部材８ｓの上端よりもやや隆起するようにその量が調
整されるので、プロセスガスＧ中に含まれる不純物の溶
けこみも促進される。

【００１９】このように、成長用ボート８が複数段あ
り、複数の半導体単結晶基板Ｗが配置されるような液相
成長装置１においては、各ボートの間を流れるガスはヒ
ータによって熱せられるため、排気される際には反応管
３の上側方向に進みやすい傾向にあり、さらには、バッ
フル４に跳ね返されて対流を生ずる。そのため、成長反
応室９内に導入されたプロセスガスＧの流れが不均一に
なりやすく、そのような場合、エピタキシャル層の不純
物濃度にばらつきが生じやすい。従って、本発明が好適
に使用できるものである。

【００２０】図１に戻り、ガス供給部２には、その本体
部２ａと連通する形で不純物源供給室２ｂが形成されて
おり、さらに、成長反応室９に、その長手方向に突出す
る形でガス供給管１１、１２が形成されている（図２
（ａ）参照）。不純物源供給室２ｂに配置されたボート
１８には、ｐ型不純物源１７となるＺｎが配置されてお
り、ボート１８と一体化したスライドピン１９により不
純物源供給室２ｂに出し入れ可能となっている。反応管
３の外側における成長反応室９及び不純物源供給室２ｂ
に対応する位置に、それら室内を加熱するためのメイン
ヒータ５及びサブヒータ６が設けられている。

【００２１】図２（ａ）に示すように、ガス供給部２に
は、成長反応室９内に突出する形でガス供給管１１、１
２が形成されており、該ガス供給管１１、１２の先端の
開口部がプロセスガスＧを成長反応室９に導くガス供給
口１４、１５として機能する。また、ガス供給部２の壁
面２ｃに開口するガス供給口１３が図示されない位置に
設けられている。これらガス供給口１３、１４、１５
は、成長反応室９の該長手方向において異なる位置に形
成されている。すなわち、ガス供給管１１は、成長反応
室９の中間位置まで突出する形態で長く形成されてお
り、対応するガス供給口１５がその位置に設定されてい
る。

【００２２】さらに、本実施の形態においては、ボート
８上にＧａＰ単結晶基板Ｗが反応室９の長手方向（プロ
セスガスＧの流れ方向）に沿って複数配列する形態で配
置されている。このように、ガス供給部２からの距離が
各ＧａＰ単結晶基板Ｗによって異なる場合には、ガス供
給口１３、１４、１５の位置を異ならせることによっ
て、プロセスガスＧの流れ方向におけるドーピング濃度
の均一化を図ることができ、さらに本発明の構成を採用
することによって、プロセスガスＧの流れもより均一に
なるので、各ＧａＰ単結晶基板Ｗに形成されるエピタキ
シャル層における不純物濃度のばらつきをより一層抑制
することができる。

【００２３】図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ−
Ａ’断面から、ガス供給部２を観察した断面矢視図であ
る。該ガス供給部２には、ガス供給管１１、１２以外
に、ガス供給部２の壁面２ｃの下方に下部ガス供給口１
３が形成されている。この下部ガス供給口１３と、上記
ガス供給口１４、１５とから反応室９内に次々と不純物
を含んだガスが導入される。

【００２４】さらに、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−
Ｂ’断面からバッフル４の通口形成面を観察したもので
ある。バッフル４における通口形成面４ｂを上下方向に
二等分する水平基準線Ｈよりも上方の第一領域（上部）
４ｃには、成長反応室９内に導入されたプロセスガスＧ
を排出するための通口１０が形成されている。一方、水
平基準線Ｈよりも下方の第二領域（下部）４ｄには通口
は形成されていない。

【００２５】図４において、バッフル４に形成される通
口１０の作用について説明する。バッフル４に通口１０
が形成されていなかったり、図４（ａ）に示すように、
バッフル４の通口形成面４ｂにおける第二領域４ｄのみ
に通口１０’が形成されているような場合は、バッフル
４によるプロセスガスＧの跳ね返りにより、通口形成面
４ｂの第一領域４ｃ近傍に過剰な対流が形成される。成
長反応室９に導入されたプロセスガスＧは、ヒータに熱
せられて反応管３の上方向へ進む傾向をもつ。従って、
バッフル４にプロセスガスＧが当たって生じる対流も上
方向へ進行する傾向が強くなる。この対流は、いったん
逆流するようにして流れ、再び上流側から流れる形で循
環する。このように、過度な対流の発生は、プロセスガ
スＧの均一な流れを損ねてしまう。

【００２６】他方、図４（ｂ）に示すように、バッフル
４の通口形成面４ｂにおける第一領域４ｃのみに通口１
０を形成した場合には、バッフル４に形成される通口１
０を介してプロセスガスＧが効果的に排出されることか
ら、バッフル４によるプロセスガスＧの跳ね返りが適度
に抑制されて、対流の過剰な発生を防止することができ
る。なお、反応管３に配置されるバッフル４は、成長反
応室９内の温度を均一に保つためにも重要な部材であ
る。そのため、成長反応室９に開口する通口１０の総面
積は、成長反応室９内の温度を均一にする効果を損なわ
ない大きさに適宜調整するとよい。

【００２７】また、バッフル４に形成される通口１０の
形状及びその分布形態は図５のようにしてもよい。図５
（ａ）に示すように、１つの通口１０を第一領域４ｃに
プロセスガスＧが排出され易い形状にて形成するように
してもよいし、図５（ｂ）に示すように複数の通口１０
を第一領域４ｃのみに形成するようにしてもよい。さら
に、図５（ｃ）のように、第二領域４ｄに形成される通
口１０’よりも、第一領域４ｃに形成される通口１０の
総面積を大きく設定するようにしてもよい。図５（ａ）
〜（ｃ）のいずれも、第一領域４ｃに形成される通口１
０の総面積のほうが、第二領域４ｄに形成されるそれよ
りも大きく設定されている。これにより、通口形成面４
ｂの上部におけるプロセスガスＧの跳ね返り、及びその
近傍で生ずる対流を抑制することができるので、プロセ
スガスＧの流れの均一化を図れる。なお、さらに成長反
応室９内のプロセスガスＧの流れを均一にするために、
成長反応室９内から通口１０を通過してバッフル４の裏
側へと流れるプロセスガスＧを吸引するガス吸引機構
（図示せず）を設けるようにしてもよい。

【００２８】以上説明した実施の形態においては、バッ
フル４は成長反応室９を形成する端面を少なくとも一端
に有する石英製の柱状部材とした。遮熱作用と整流作用
とを備えるバッフル４の別形態を図７に示す。この例に
おいては、板状のバッフル４’（バッフル板）をプロセ
スガスＧの流れ方向に複数連ねて配置している。各バッ
フル板４’に通口１０が形成されている。このように、
バッフル板４’を複数連ねた形態にすると、その各々に
おいて通口の形成形態を異ならせることも可能である。
図７に示す例においては、成長反応室９に最も近くに配
置されるバッフル板４’を除き、後続をなすバッフル板
４’には下部の通口１０’も上部通口１０に加えて形成
されている。このように、通口１０，１０’の面積やバ
ッフル板４’の枚数を種々調整できるので、遮熱の効果
と整流の効果との兼ね合いを最適化しやすい。

【００２９】以下、上記のような液相成長装置１を用い
た液相成長方法について述べる。図８は液相成長装置１
にて形成されるＧａＰエピタキシャルウェーハを素子化
することにより作製される発光素子用基体３０の一例を
示すものである。ｎ型ＧａＰ単結晶基板Ｗ上にｎ型Ｇａ
Ｐエピタキシャル層２２、Ｎ（窒素）ドープｎ型ＧａＰ
エピタキシャル層２３、Ｎドープｐ型ＧａＰエピタキシ
ャル層２４、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層２５が形成さ
れている。ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２２及びＮドー
プｎ型ＧａＰエピタキシャル層２３には、ｎ型ドーパン
トとしてＳｉが添加されている。さらに、上記Ｎドープ
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２３及びＮドープｐ型Ｇａ
Ｐエピタキシャル層２４には、該発光素子３０の発光効
率を向上させるために、アイソエレクトロニック・トラ
ップ（Isoelectronic Trap）型の発光中心として振舞う
窒素（Ｎ）をドープしている。

【００３０】まず、公知の液体封止型チョクラルスキー
法によって得られるＧａＰ単結晶棒をスライスして得た
ｎ型ＧａＰ単結晶基板Ｗを、その主表面にＧａＰ多結晶
を溶け込ませたＧａ融液（成長溶液１６）を接触させた
状態で配置する。そして、メインヒータ５により、成長
反応室９内の温度を上昇させる。

【００３１】次に、温度を１０００℃近傍まで上昇させ
ると、ｎ型ＧａＰ単結晶基板Ｗの上部が徐々に成長溶液
に溶解して、やがて該成長溶液におけるＧａＰ濃度は飽
和濃度に達する。そこで、Ｇａ溶液１６の温度を降下さ
せることにより、ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２２を成
長させる。なお、エピタキシャル層にｎ型の不純物を含
有させるには、キャリアガス中にＳ、Ｓｉ等を含有する
ガスを混ぜて微量流すとよい。又は、ボート自体の材質
から取り込む等の方法により成長溶液中に供給すること
もできる。

【００３２】そして、ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２２
の厚さが所望の値に到達した時に、降温を停止して成長
を止め、該温度（例えば９００℃以上１０００℃以下の
所定温度である）を保持しつつ、ガス供給部２を介して
成長反応室９に、Ｎ（窒素）を供給するために必要なガ
ス（例えばＮＨ_３）をＡｒやＨ_２等のキャリアガスに混
合して導入する。次に、Ａｒ希釈ＮＨ_３ガスを成長反応
室９内に供給しながら、成長溶液１６の温度を降下させ
る。これにより、ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２２上
に、ＮドープＧａＰエピタキシャル層２３が形成され
る。

【００３３】そして、不純物源供給室２ｂに、Ｚｎ（亜
鉛）をセットしたボート１８を、スライドピン１９を用
いて押し込み、Ｚｎを蒸発させて、ＺｎとＮＨ_３とがＨ
_２及びＡｒに含有されるプロセスガスＧを、成長反応室
９内に流入させつつ、引き続き成長溶液１６の降温を行
う。これにより、Ｚｎ及びＮがドープされたｐ型ＧａＰ
エピタキシャル層２４がＮドープＧａＰエピタキシャル
層２３上に形成される。さらに、ＮＨ_３の供給を停止す
ればＺｎドープのｐ型エピタキシャル層２５が得られ
る。このようにして、図８に対応する多層構造の発光素
子１用のＧａＰエピタキシャルウェーハが得られる。

【００３４】

【実施例】本発明の効果を調べるために以下の実験を行
った。図１（実施例）及び図６（比較例）に示す液相成
長装置１、１’を用い、直径５０ｍｍ、厚さ０．３ｍ
ｍ、面方位（１１１）のｎ型ＧａＰ単結晶基板Ｗ上にＧ
ａＰエピタキシャル層を、前述した方法により液相エピ
タキシャル成長させた発光素子用ＧａＰエピタキシャル
ウェーハをそれぞれ作製した。

【００３５】実施例にかかる液相成長装置１にて同時に
製造された複数のＧａＰエピタキシャルウェーハのエピ
タキシャル層（ここでは、ｐ型ＧａＰ層）２５における
不純物濃度をそれぞれ測定し、各ウェーハ間の不純物濃
度のばらつきを調べたところ、そのばらつきは２０％で
あった。他方、比較例にかかる液相成長装置１’にて同
様に不純物濃度のばらつきを調べたところ、そのばらつ
きは５０％であった。このように、本発明によって、不
純物濃度のばらつきの少ないエピタキシャル層を形成で
きる液相成長装置及びそれを使用した液相成長方法を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液相成長装置を示す概略図。

【図２】本発明の液相成長装置の要部を示す概略図。

【図３】半導体単結晶基板の配置形態を示す模式図。

【図４】液相成長装置の作用を説明する図。

【図５】通口の形成形態をいくつか示す模式図。

【図６】従来の液相成長装置を示す概略図。

【図７】バッフルの別形態を示す模式図。

【図８】本発明の装置及び方法により製造される半導体
単結晶基板を使用した発光素子の構造の一例を示す模式
図。

【符号の説明】

１、１’ 液相成長装置 ２ ガス供給部 ２ａ 本体部 ２ｂ 不純物源供給室 ２ｃ ガス供給部の壁面 ３ 反応管 ４，４’ バッフル ４ｂ 通口形成面 ４ｃ 第一領域 ４ｄ 第二領域 ５ メインヒータ ６ サブヒータ ８ 成長用ボート ８ｓ 堤部材 ９ 成長反応室 １０ 通口 １１、１２ ガス供給管 １３ 下部ガス供給口 １４、１５ ガス供給口 １６ Ｇａ溶液（成長溶液） １７ ｐ型不純物源 １８ ボート １９ スライドピン Ｗ 半導体単結晶基板 Ｇ プロセスガス Ｈ 水平基準線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE43 CB04 CG01 EA06 EG24 QA01 QA27 5F053 AA03 AA26 BB52 BB59 DD07 FF01 GG01 HH04 JJ01 JJ03 KK01 KK04 KK06 RR01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応管内に設置された成長用ボートに、
   半導体単結晶基板をその主表面に成長溶液が接する状態
   で複数配置するように構成され、さらに、前記反応管の
   長手方向の一方にガス供給部が設けられ、他方に通口の
   形成されたバッフルが配置されるとともに、 前記通口は、その通口が形成されている通口形成面を上
   下方向に二等分したとき、該通口形成面の下部に形成さ
   れた通口の総面積よりも、上部に形成された通口の総面
   積のほうが大きくなるように調整されていることを特徴
   とする液相成長装置。
2. 【請求項２】 反応管内に設置された成長用ボートに、
   半導体単結晶基板をその主表面に成長溶液が接する状態
   で複数配置するように構成され、さらに、前記反応管の
   長手方向の一方にガス供給部が設けられ、他方に通口の
   形成されたバッフルが配置されるとともに、 前記通口は、その通口が形成されている通口形成面を上
   下方向に二等分したとき、その上部にのみ形成されてい
   ることを特徴とする液相成長装置。
3. 【請求項３】 反応管内に、主表面上に成長溶液が接す
   る状態で半導体単結晶基板が載置された成長用ボートを
   配置し、 前記反応管内にキャリアガス及びドーピングガスを流入
   させながら、前記半導体単結晶基板の主表面上にエピタ
   キシャル層を形成する液相成長方法において、 前記エピタキシャル層の形成は、請求項１または２に記
   載の液相成長装置を使用して行われることを特徴とする
   液相成長方法。