JP2003067933A

JP2003067933A - マルチレベル光記録媒体

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Publication number: JP2003067933A
Application number: JP2001259538A
Authority: JP
Inventors: Takashi Doi; 高志洞井; Hiroyuki Arioka; 博之有岡; Shuji Tsukamoto; 修司塚本; Shigetoshi Fukuzawa; 成敏福澤; Yutaka Taya; 裕田家; Motohiro Inoue; 素宏井上
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-08-29
Filing date: 2001-08-29
Publication date: 2003-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】適切なアシンメトリを有するマルチレベル光
記録媒体を提供する。【解決手段】１の仮想記録セルにマルチレベル記録が
可能なマルチレベル光記録媒体であって、第１の情報が
記録された仮想記録セルＳ０と第１の情報とは異なる第
２の情報が記録された仮想記録セルＳ７との間における
アシンメトリが、−２０％〜２０％の範囲内に設定され
ている。これにより、シンボルエラーレート（ＳＥＲ）
を十分に低い値とすることができる。さらに、アシンメ
トリを−１５％〜１０％の範囲内に設定すれば、ビット
エラーレート（ＢＥＲ）を十分に低い値とすることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチレベル光記
録媒体に関し、さらに詳細には、適切なアシンメトリを
有するマルチレベル光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、デジタルデータを記録するた
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されており、そのデータ記録方式として
は、記録すべきデータをトラックに沿ったピットの長さ
に変調するという方式が広く用いられている。

【０００３】このような記録方式を用いた場合、データ
の読み出しに際しては再生用レーザービームが光記録媒
体のトラックに沿って照射され、その反射光を検出する
ことによりピットの有無が判別される。また、データの
書き込みに際しては記録用レーザービームが光記録媒体
のトラックに沿って照射され、所定の長さを持ったピッ
トが形成される。

【０００４】しかしながら、近年、光記録媒体に対する
いっそうの高密度記録が求められており、これを実現す
る手法として、いわゆる「マルチレベル記録方式」が提
案されている。マルチレベル記録方式は、上述した従来
の記録方式とは異なり、互いに異なる意味を持つ複数の
記録マークのうちの一つを１の仮想記録セルに割り当て
る方式であり、データの読み出しに際しては、再生用レ
ーザービームがマルチレベル光記録媒体のトラックに沿
って照射され、その反射光を検出することにより、各仮
想記録セルに割り当てられた記録マークの種類が判別さ
れる。また、データの書き込みに際しては記録用レーザ
ービームがマルチレベル光記録媒体のトラックに沿って
照射され、割り当てるべき記録マークが各仮想記録セル
に記録される。

【０００５】互いに異なる記録マークが割り当てられた
仮想記録セルは、再生用レーザービームに対する光透過
率が互いに異なっている。したがって、データの書き込
みに際しては、記録用レーザービームの照射量を各仮想
記録セルごとにマルチレベルに制御することによって、
各仮想記録セルごとに上記光透過率がマルチレベルに制
御される。

【０００６】ここで、「光透過率」とは、仮想記録セル
に照射した再生用レーザービームに対して、仮想記録セ
ルを通過したレーザービームの割合をいう。したがっ
て、データの読み出しに際しては、仮想記録セルに照射
された再生用レーザービームが仮想記録セルを通過し、
反射層で反射された後に同じ仮想記録セルを再度通過し
てマルチレベル光記録媒体の外部に出射されるレーザー
ビームの強度が検出され、これにより、各仮想記録セル
に割り当てられた記録マークの種類が判別される。

【０００７】以上から明らかなとおり、マルチレベル光
記録媒体に対してより高密度にデータを記録するために
は、各仮想記録セル毎の光反射率をより多段階に制御す
ることが有効である。例えば、各仮想記録セル毎の光反
射率を４段階に制御すれば、１つの仮想記録セルに格納
される情報は２ビットであるが、各仮想記録セル毎の光
反射率を８段階に制御すれば、１つの仮想記録セルに格
納される情報は３ビットとなる。光反射率の制御をより
多段階で可能とするするためには、光透過率の最も高い
記録マークが割り当てられた仮想記録セルの光反射率
と、光透過率の最も低い記録マークが割り当てられた仮
想記録セルの光反射率との差、いわゆるダイナミックレ
ンジが十分に広いことが要求される。このため、マルチ
レベル光記録媒体に用いる記録層としては、十分なダイ
ナミックレンジを確保することができる素材が選択され
る。

【０００８】一方、マルチレベル光記録媒体に対してよ
り高密度にデータを記録するための他の方法として、各
仮想記録セルの物理的な面積をより縮小するという方法
がある。各仮想記録セルの面積を縮小すれば、１つのマ
ルチレベル光記録媒体に含まれる仮想記録セルの数を増
やすことができ、これにより、いっそうの高密度記録が
可能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各仮想
記録セルの面積が再生用レーザービームの集光面積より
も小さくなると、再生用レーザービームを単一の仮想記
録セルにのみ照射することはできなくなる。この場合、
再生用レーザービームは、読み出すべき仮想記録セルの
みならず、隣接する他の仮想記録セルにも不可避的に照
射されてしまうことから、その反射光量は、読み出すべ
き仮想記録セルに割り当てられた記録マークのみなら
ず、隣接する他の仮想記録セルに割り当てられた記録マ
ークの影響を受けてしまう。

【００１０】このため、同じ記録マークが割り当てられ
た仮想記録セルであっても、隣接する仮想記録セルの内
容によってその反射光量が異なるという現象が起きる。
このため、検出される反射光量の振幅は、前後の仮想記
録セルの内容によって変化するが、この場合、前後の仮
想記録セルの内容によって振幅の中心が大きく変動する
と、正確なデータの再生ができなくなるおそれがある。
このような振幅の中心の変動特性は「アシンメトリ」と
呼ばれ、マルチレベル光記録媒体の開発及び製造に際し
ては、これを所定の範囲内に収めることが必要である。

【００１１】したがって、本発明の目的は、適切なアシ
ンメトリを有するマルチレベル光記録媒体を提供するこ
とである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
１の仮想記録セルにマルチレベル記録が可能なマルチレ
ベル光記録媒体であって、第１の情報が記録された仮想
記録セルと前記第１の情報とは異なる第２の情報が記録
された仮想記録セルとの間におけるアシンメトリが、−
２０％〜２０％の範囲内であることを特徴とするマルチ
レベル光記録媒体によって達成される。

【００１３】本発明によれば、シンボルエラーレート
（ＳＥＲ）を十分に低い値とすることができる。

【００１４】本発明の好ましい実施態様においては、前
記アシンメトリが−１５％〜１０％の範囲内である。

【００１５】本発明の好ましい実施態様によれば、さら
に、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を十分に低い値とす
ることができる。

【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の情報が、最も光反射率の高い仮想記録セ
ルに対応する情報である。

【００１７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第２の情報が、最も光反射率の低い仮想記録セ
ルに対応する情報である。

【００１８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記アシンメトリが、前記第１の情報が記録された
仮想記録セルが複数個連続的に形成された第１の仮想記
録セル列に含まれる仮想記録セルの絶対光反射率をａ、
前記第２の情報が記録された仮想記録セルが複数個連続
的に形成された第２の仮想記録セル列に含まれる仮想記
録セルの絶対光反射率をｂ、前記第１の情報が記録され
た仮想記録セル及び前記第２の情報が記録された仮想記
録セルが交互に配置された第３の仮想記録セル列に含ま
れる仮想記録セルのうち前記第１の情報が記録された仮
想記録セルの絶対光反射率をｃ、前記第３の仮想記録セ
ル列に含まれる仮想記録セルのうち前記第２の情報が記
録された仮想記録セルの絶対光反射率をｄとした場合
に、

【００１９】

【数２】で定義される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。

【００２１】図１は、マルチレベル光記録媒体１（以
下、「光記録媒体１」ともいう）の構成を示す切り欠き
斜視図である。

【００２２】光記録媒体１は、ここではＣＤ−Ｒ型の光
記録媒体（追記型光記録媒体）であって、図１に示すよ
うに、基板１１、記録層１２、反射膜１３および保護層
１４を備えて構成されている。基板１１は、透明な樹脂
を基材として円盤状に形成されている。この基板１１の
一方の面（図１における上面）には、その中心部近傍か
ら外縁部に向けて、レーザービームガイド用のグルーブ
１１ａ、およびランド１１ｂが螺旋状に形成されてい
る。記録層１２は、シアニン色素、メロシアニン色素、
メチン系色素およびその誘導体、ベンゼンチオール金属
錯体、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、ア
ゾ色素などの有機色素からなり、この有機色素がグルー
ブ１１ａおよびランド１１ｂを覆うように塗布されて形
成されている。この記録層１２は、記録装置によって記
録用レーザービームが照射されることで分解変質し、そ
のレーザービームの照射量に応じて、その光透過率が変
化する。反射膜１３は、光記録媒体１に記録された記録
データの再生時に基板１１および記録層１２を通過した
再生用レーザービームを反射するための薄膜層であっ
て、金や銀などの金属を主原料として記録層１２の上に
例えばスパッタリングによって形成されている。保護層
１４は、反射膜１３および記録層１２を保護する層であ
って、反射膜１３の外面を覆うように形成されている。

【００２３】次に、光記録媒体１の記録原理について、
図面を参照して説明する。

【００２４】この光記録媒体１では、図１に示すよう
に、その回転方向（円周方向）に沿ってグルーブ１１ａ
を仮想的に分割した仮想記録セルＳ，Ｓ・・が記録単位
として規定されている。

【００２５】図２は、光記録媒体１に記録された記録マ
ークＭａ〜Ｍｇを概念的に示す概念図である。図２に示
されるように、仮想記録セルＳのグルーブ１１ａに沿っ
た方向の長さは、集光ビーム径（ビームウエストの直
径）Ｄよりも短く規定されている。尚、各仮想記録セル
Ｓは、あくまで光記録再生装置側において想定される仮
想的なセルであり、図２に示すように各仮想記録セルＳ
の境界を画定する区画が光記録媒体１内に存在する訳で
はない。

【００２６】この場合、記録装置のピックアップから出
射される記録用レーザービームの照射時間（すなわち、
レーザービームの照射量）を記録データの値に応じて多
段階に制御することで、図２に示すように、記録層１２
（主として有機色素）の分解変質の度合いが異なる記録
マークＭａ〜Ｍｇ（以下、区別しないときには「記録マ
ークＭ」ともいう）が仮想記録セルＳ内に形成される。
なお、同図では、分解変質の度合いを記録マークＭの大
きさで概念的に図示している。また、記録用レーザービ
ームによって記録データを記録する際には、光記録媒体
１を回転させつつ記録用レーザービームを照射するた
め、記録マークＭは、照射時間に応じた長さの長円形と
なる。

【００２７】したがって、この光記録媒体１にマルチレ
ベル記録する際には、仮想記録セルＳに再生用レーザー
ビームを照射した際の光反射率が例えば７段階（未記録
部分を含めて８段階）となるように、記録マークＭａ〜
Ｍｇのそれぞれの分解変質度合い（光透過率の変化量）
を規定する。この場合、光反射率は、記録層１２の分解
変質度合いが小さいほど大きくなる。このため、記録マ
ークＭが割り当てられていない仮想記録セルＳが最大光
反射率の特性を有し、最も小さな記録マークＭａが割り
当てられた仮想記録セルＳが記録マークＭのうち最も大
きい光反射率の特性を有し、以降、記録マークＭｂ〜Ｍ
ｆが割り当てられた仮想記録セルＳの順に光反射率が低
下し、最も大きな記録マークＭｇが割り当てられた仮想
記録セルＳが最小光反射率の特性を有する。したがっ
て、レーザービームの照射量を制御して分解変質部分の
面積比（つまり記録層１２の光透過率）を適宜設定する
ことにより、光反射率が７段階となる記録マークＭａ〜
Ｍｇを形成することが可能となる。

【００２８】次に、光記録媒体１の記録層１２に使用さ
れる有機色素の特性について、図面を参照して説明す
る。

【００２９】記録層１２に使用される有機色素は、一般
的に、記録用レーザービームの照射時間（照射量）の増
加に伴い分解変質の度合いも増加するという特性を有す
る。その一方、この際の光反射率の変化は、記録用レー
ザービームの照射時間（照射量）に対して直線的ではな
い。また、記録用レーザービームの照射時間（照射量）
に伴う分解変質は、照射開始から暫くの間はその度合い
が緩やかで、所定時間経過後にその度合いが急峻かつ直
線的となり、その後、その度合いが再び緩やかとなっ
て、ある照射時間を超えた後には、その度合いが殆ど増
加しないという特性を示す。

【００３０】また、分解変質されていない有機色素の光
透過率、最も大きく分解変質した有機色素（分解変質の
度合いが殆ど増加しない状態となるまで分解変質させら
れた状態の有機色素）の光透過率、および分解変質の度
合いに応じた光透過率の変化量も、使用する有機色素の
材質によって様々である。したがって、例えば互いに異
なる有機色素で記録層１２が形成される５種類の光記録
媒体１を作製した場合、各光記録媒体１の各記録層１２
における絶対光反射率は互いに相違する。ここで、「絶
対光反射率」とは、平滑な表面に例えばスパッタリング
などによって金などの薄膜が施された円盤体の光反射率
の値を１００％とした場合における、各光記録媒体１の
未記録部分（未記録の仮想記録セルＳ）での光反射率を
意味する。

【００３１】図３は、各種有機色素を使用した光記録媒
体１の相対光反射率特性を示す特性図である。

【００３２】各光記録媒体１の各記録層１２における相
対光反射率の特性も、図３の特性Ｃ１〜Ｃ５に示すよう
に、互いに相違する。なお、同図に示すように、上記し
た分解変質の度合いが特性Ｃ１〜Ｃ５の曲線における傾
きに寄与している。ここで、「相対光反射率」とは、各
光記録媒体１の未記録部分（つまり未記録の仮想記録セ
ルＳ）の絶対光反射率の値を１００％とした場合におけ
る、対応する光記録媒体１の各記録部分（つまり記録さ
れている仮想記録セルＳ）の光反射率を意味する。

【００３３】また、絶対光反射率および相対光反射率が
各有機色素毎に相違することに起因して、各光記録媒体
１についての相対ダイナミックレンジ（Ｄ０７）、アシ
ンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）、およびＢ．Ｅ．Ｒ（ビッ
トエラーレート）などの各種特性も相違する。さらに、
これらの各種特性は、有機色素の材質だけではなく、有
機色素の塗布厚、グルーブ１１ａの構造（溝の深さや幅
あるいは形状）および反射膜１３の材質などの各種パラ
メータに応じても相違する。ここで、「相対ダイナミッ
クレンジ（Ｄ０７）」とは、各光記録媒体１の未記録部
分（つまり未記録の仮想記録セルＳ）の絶対光反射率の
値をＩ０ａとし、最も大きな記録マークＭｇが割り当て
られた仮想記録セルＳの絶対光反射率の値をＩ７ａとし
た場合に、（Ｉ０ａ−Ｉ７ａ）×１００／Ｉ０ａ・・・（１）で定義される。

【００３４】ここで、絶対光反射率Ｉ０ａとしては、こ
れが最も大きな値となる条件下において得られた値が用
いられ、絶対光反射率Ｉ７ａとしては、これが最も小さ
な値となる条件下において得られた値が用いられる。
尚、同じ内容を持つ仮想記録セルＳより得られる絶対反
射率が、条件によって異なるのは次の理由による。

【００３５】すなわち、マルチレベル光記録媒体１にお
いては、上述の通り、仮想記録セルＳのグルーブ１１ａ
に沿った方向の長さが、集光ビーム径（ビームウエスト
の直径）Ｄよりも短く規定されていることから、再生用
レーザービームを単一の仮想記録セルＳにのみ照射する
ことはできず、隣接する他の仮想記録セルＳにも再生用
レーザービームが照射されてしまう。このため、再生用
レーザービームの絶対光反射率は、隣接する他の仮想記
録セルＳに割り当てられた記録マークの影響を受けてし
まう。つまり、各仮想記録セルＳより得られる絶対光反
射率は、隣接する仮想記録セルＳにどのような記録マー
クが割り当てられているかによって異なるのである。

【００３６】尚、光記録媒体１の光反射率を多段階で正
確に制御して初めてマルチレベルの記録が可能となる以
上、光反射率が最も大きい未記録の仮想記録セルＳの絶
対光反射率がある程度大きく（例えば、４０％〜８０
％）、かつ、絶対光反射率が最も大きい仮想記録セルＳ
（記録マークＭａが割り当てられた仮想記録セルＳ）
と、最も小さい仮想記録セルＳ（記録マークＭｇが割り
当てられた仮想記録セルＳ）との光反射率の差がある程
度大きくなければ、マルチレベルで記録された記録デー
タの再生が困難となる。かかる観点から、相対ダイナミ
ックレンジ（Ｄ０７）は、５０％以上であることが好ま
しい。

【００３７】一方、「アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０
７）」とは、光反射率が最も大きい仮想記録セルＳ（未
記録の仮想記録セルＳ）と光反射率が最も小さい仮想記
録セルＳ（記録マークＭｇが割り当てられた仮想記録セ
ルＳ）との反射率の差（振幅）が最も小さくなる条件下
において得られた未記録の仮想記録セルＳの絶対光反射
率の値をＩ０ｂとし、同条件下において得られた記録マ
ークＭｇが割り当てられた仮想記録セルＳの絶対光反射
率の値をＩ７ｂとした場合に、

【００３８】

【数３】で定義される。

【００３９】このようなアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０
７）は、光反射率が最も大きい仮想記録セルＳ（未記録
の仮想記録セルＳ）と光反射率が最も小さい仮想記録セ
ルＳ（記録マークＭｇが割り当てられた仮想記録セル
Ｓ）との反射率の差（振幅）が最も大きくなるようなパ
ターンと、光反射率が最も大きい仮想記録セルＳ（未記
録の仮想記録セルＳ）と光反射率が最も小さい仮想記録
セルＳ（記録マークＭｇが割り当てられた仮想記録セル
Ｓ）との反射率の差（振幅）が最も小さくなるようなパ
ターンを形成し、これらパターンに対して再生用レーザ
ビームを照射することによって測定することが可能とな
る。

【００４０】図４は、アシンメトリ測定用パターン２０
が形成された仮想記録セル列を概念的に示す概念図であ
る。

【００４１】図４に示されるように、アシンメトリ測定
用パターン２０は、連続する１０個の未記録の仮想記録
セル列Ｓ００と、連続する１０個の記録マークＭｇが割
り当てられた仮想記録セル列Ｓ７７と、未記録の４個の
仮想記録セルＳ０及び記録マークＭｇが割り当てられた
４個の仮想記録セルＳ７が交互に配置された仮想記録セ
ル列Ｓ０７からなる。特に限定されるものではないが、
このようなアシンメトリ測定用パターン２０を形成する
位置としては、リードインエリアが好ましい。リードイ
ンエリアは、光記録媒体１を記録再生装置に装填した際
に最初に読み出される領域であって、光記録媒体１で
は、最大光反射率情報および最小光反射率情報に加え
て、光記録媒体１がマルチレベル光記録媒体である旨の
情報（以下、「媒体特定情報」ともいう）、および記録
マークＭの未記録部分を含まずに例えば７段階のマルチ
レベル記録によって記録するまたは記録されている旨の
情報（以下、「記録データ段階情報」ともいう）などの
各種情報が記録されている。

【００４２】尚、図４に示したアシンメトリ測定用パタ
ーン２０においては、上流側から、仮想記録セル列Ｓ０
０、仮想記録セル列Ｓ７７及び仮想記録セル列Ｓ０７の
順に配置しているが、これら配置順については特に限定
されない。

【００４３】アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）の測定に
おいては、このようなアシンメトリ測定用パターン２０
に対して再生用レーザービームを照射し、仮想記録セル
列Ｓ００に含まれるセルの絶対光反射率と、仮想記録セ
ル列Ｓ７７に含まれるセルの絶対光反射率と、仮想記録
セル列Ｓ０７に含まれる仮想記録セルＳ０の絶対光反射
率と、仮想記録セル列Ｓ０７に含まれる仮想記録セルＳ
７の絶対光反射率とをそれぞれ測定し、仮想記録セル列
Ｓ００に含まれるセルの絶対光反射率をＩ０ａとし、仮
想記録セル列Ｓ７７に含まれるセルの絶対光反射率をＩ
７ａとし、仮想記録セル列Ｓ０７に含まれる仮想記録セ
ルＳ０の絶対光反射率をＩ０ｂとし、仮想記録セル列Ｓ
０７に含まれる仮想記録セルＳ７の絶対光反射率をＩ７
ｂとして、これらを上記（１）式及び（２）式に代入す
ることによってアシンメトリを算出する。

【００４４】ここで、絶対光反射率Ｉ０ａとしては、仮
想記録セル列Ｓ００のうち、最初の仮想記録セルＳ００
−ｓｔａｒｔ及び最後の仮想記録セルＳ００−ｅｎｄ以
外の仮想記録セルＳから得られた絶対光反射率が用いら
れ、絶対光反射率Ｉ７ａとしては、仮想記録セル列Ｓ７
７のうち、最初の仮想記録セルＳ７７−ｓｔａｒｔ及び
最後の仮想記録セルＳ７７−ｅｎｄ以外の仮想記録セル
Ｓから得られた絶対光反射率が用いられる。また、絶対
光反射率Ｉ０ｂとしては、仮想記録セル列Ｓ０７のう
ち、最初の仮想記録セルＳ０７−ｓｔａｒｔ及び最後の
仮想記録セルＳ０７−ｅｎｄ以外の仮想記録セルＳ０か
ら得られた絶対光反射率が用いられ、絶対光反射率Ｉ７
ｂとしては、仮想記録セル列Ｓ０７のうち、最初の仮想
記録セルＳ０７−ｓｔａｒｔ及び最後の仮想記録セルＳ
０７−ｅｎｄ以外の仮想記録セルＳ７から得られた絶対
光反射率が用いられる。

【００４５】ここで、仮想記録セルＳ０７−ｓｔａｒｔ
及び仮想記録セルＳ０７−ｅｎｄは、それぞれ仮想記録
セルＳ０であってもＳ７であっても構わない。図４にお
いては、仮想記録セルＳ０７−ｓｔａｒｔが仮想記録セ
ルＳ０であり、仮想記録セルＳ０７−ｅｎｄが仮想記録
セルＳ７である例を示している。

【００４６】これにより、最も大きな値となる条件下に
おける絶対光反射率Ｉ０ａと、最も小さな値となる条件
下における絶対光反射率Ｉ７ａとを得ることができるの
で、これらを用いて相対ダイナミックレンジ（Ｄ０７）
を得ることができるとともに、光反射率が最も大きい仮
想記録セルＳ（未記録の仮想記録セルＳ）と光反射率が
最も小さい仮想記録セルＳ（記録マークＭｇが割り当て
られた仮想記録セルＳ）との反射率の差（振幅）が最も
小さくなる条件下における未記録の仮想記録セルＳの絶
対光反射率Ｉ０ｂと、同条件下における記録マークＭｇ
が割り当てられた仮想記録セルＳの絶対光反射率Ｉ７ｂ
とを得ることができるので、これらをさらに用いること
によってアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）を得ることが
できる。

【００４７】このように、アシンメトリ測定用パターン
２０を用いたアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）の測定に
よれば、各条件を満たした絶対光反射率Ｉ０ａ、Ｉ７
ａ、Ｉ０ｂ、Ｉ７ｂを容易に得ることができるので、簡
単にアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）を測定することが
可能となる。

【００４８】次に、アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）と
光記録媒体１の各種特性との関係について説明する。
尚、測定に用いた光記録媒体１としては、グルーブ１１
ａの深さが２００ｎｍであり、グルーブ１１ａの幅が７
２０ｎｍであり、記録膜１２にフタロシアニン系色素を
用いた光記録媒体１を用い、アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ
０７）の測定には、上述した方法を用いた。

【００４９】図５は、アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）
とシンボルエラーレート（ＳＥＲ）との関係を示すグラ
フである。

【００５０】図５に示されるように、シンボルエラーレ
ート（ＳＥＲ）はアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）が０
％に近い領域において低い値が得られている。一般に、
シンボルエラーレート（ＳＥＲ）は０．０４以下である
ことが要求されるため、これを考慮すれば、光記録媒体
１のアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）としては約−２０
％〜約２０％の範囲であることが好ましい。

【００５１】図６は、アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）
とビットエラーレート（ＢＥＲ）との関係を示すグラフ
である。

【００５２】図６に示されるように、ビットエラーレー
ト（ＢＥＲ）はアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）が０％
に近い領域において低い値が得られている。一般に、ビ
ットエラーレート（ＢＥＲ）は１×１０^−４以下である
ことが要求されるため、これを考慮すれば、光記録媒体
１のアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）としては約−１５
％〜約１０％の範囲であることが好ましい。

【００５３】続いて、この光記録媒体１に対する記録デ
ータの記録、および記録データの再生を実行する光記録
再生装置４０について説明する。

【００５４】図７は、光記録再生装置４０の構成を概略
的に示すブロック図である。

【００５５】図７に示されるように、光記録再生装置４
０は、いわゆるＣＤ−Ｒレコーダであり、スピンドルサ
ーボ４１、スピンドルモータ４２、ピックアップ４３、
フォーカストラッキングサーボ４４、送りサーボ４５お
よび制御装置４６を備えている。スピンドルモータ４２
は、スピンドルサーボ４１によって駆動制御され、光記
録媒体１を線速度一定の条件で回転させる。ピックアッ
プ４３は、制御装置４６の制御下でレーザードライバに
よってレーザー光源（共に図示せず）が駆動されて光記
録媒体１に対して記録用レーザービームまたは再生用レ
ーザービームを照射する。これにより、仮想記録セルＳ
に対する記録マークＭの記録、および仮想記録セルＳか
らの反射レーザのレベルに応じた電気的信号の出力が行
われる。この場合、記録データの記録時において、ピッ
クアップ４３のレーザードライバは、制御装置４６の制
御に従い、記録する記録データの内容に応じて、１つの
仮想記録セルＳに対して照射するレーザービームの照射
量（レーザーパルス数、及び／又は、照射パワー、パル
ス高など）を調整する。なお、レーザービームの照射量
を調整する方法としては、レーザードライバによる調整
方法の他に、レーザービームの光路上に光変調器を配置
し、この光変調器を制御装置４６によって駆動制御する
ことで調整することもできる。

【００５６】また、ピックアップ４３は、対物レンズお
よびハーフミラー（共に図示せず）を備え、記録用また
は再生用のレーザービームを光記録媒体１の記録層１２
に集光させる。具体的には、フォーカストラッキングサ
ーボ４４によって対物レンズがフォーカストラッキング
制御され、これにより、記録用または再生用のレーザー
ビームが光記録媒体１の記録層１２に集光させられる。
このピックアップ４３は、光記録媒体１の直径方向に沿
ってその内周側と外周側との間を送りサーボ４５によっ
て往復動させられる。制御装置４６は、スピンドルサー
ボ４１、ピックアップ４３、フォーカストラッキングサ
ーボ４４および送りサーボ４５の駆動を制御すると共
に、ピックアップ４３から出力された電気的信号に基づ
いて記録層１２に記録されている記録データを判読す
る。

【００５７】このように、光記録媒体１のアシンメトリ
を約−２０％〜約２０％の範囲内に設定すれば、シンボ
ルエラーレート（ＳＥＲ）を十分に低い値とすることが
でき、さらに、アシンメトリを約−１５％〜約１０％の
範囲内に設定すれば、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を
十分に低い値とすることができる。

【００５８】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。

【００５９】例えば、上記実施態様においては、アシン
メトリ測定用パターン２０に、連続する１０個の未記録
の仮想記録セル列Ｓ００と、連続する１０個の記録マー
クＭｇが割り当てられた仮想記録セル列Ｓ７７が含まれ
ているが、未記録の仮想記録セル列Ｓ００を構成する仮
想記録セルＳの数及び記録マークＭｇが割り当てられた
仮想記録セル列Ｓ７７を構成する仮想記録セルＳの数は
１０個に限定されず、他の数であっても構わない。同様
に、上記実施態様においては、アシンメトリ測定用パタ
ーン２０に、未記録の４個の仮想記録セルＳ０及び記録
マークＭｇが割り当てられた４個の仮想記録セルＳ７が
交互に配置された仮想記録セル列Ｓ０７が含まれている
が、仮想記録セル列Ｓ０７を構成する未記録の仮想記録
セルＳ０の数及び記録マークＭｇが割り当てられた仮想
記録セルＳ７の数は４個に限定されず、他の数であって
も構わない。

【００６０】但し、上述の通り、最初の仮想記録セルＳ
００−ｓｔａｒｔ、Ｓ７７−ｓｔａｒｔ及びＳ０７−ｓ
ｔａｒｔや、最後の仮想記録セルＳ００−ｅｎｄ、Ｓ７
７−ｅｎｄ及びＳ０７−ｅｎｄは、絶対光反射率の測定
及びアシンメトリの測定に適していないことから、仮想
記録セル列Ｓ００を構成する仮想記録セルＳの数及び仮
想記録セル列Ｓ７７を構成する仮想記録セルＳの数とし
ては、最低でも３個必要であり、仮想記録セル列Ｓ０７
を構成する仮想記録セルＳの数としては、最低でも４個
必要である。一方、これら仮想記録セル列Ｓ００、仮想
記録セル列Ｓ７７及び仮想記録セル列Ｓ０７を構成する
仮想記録セルＳの数が多すぎると、情報の記録に利用可
能な仮想記録セルの数が少なくなることから、これら仮
想記録セル列Ｓ００、Ｓ７７、Ｓ０７を構成する仮想記
録セルＳの数としては、５０個以内に設定することが好
ましい。さらに、仮想記録セル列Ｓ００を構成する仮想
記録セルＳの数と、仮想記録セル列Ｓ７７を構成する仮
想記録セルＳの数とが一致している必要はなく、これら
が互いに異なっていても構わない。

【００６１】さらに、上記実施態様においては、未記録
の仮想記録セル列Ｓ００と、記録マークＭｇが割り当て
られた仮想記録セル列Ｓ７７と、未記録の仮想記録セル
Ｓ０及び記録マークＭｇが割り当てられた仮想記録セル
Ｓ７が交互に配置された仮想記録セル列Ｓ０７によって
アシンメトリ測定用パターン２０が構成されているが、
アシンメトリ測定用パターンとしてはこれに限定され
ず、他の組み合わせからなる複数の仮想記録セル列によ
ってアシンメトリ測定用パターンを構成しても構わな
い。例えば、未記録の仮想記録セル列Ｓ００と、記録マ
ークＭｄが割り当てられた仮想記録セル列Ｓ４４と、未
記録の仮想記録セルＳ０及び記録マークＭｄが割り当て
られた仮想記録セルＳ４が交互に配置された仮想記録セ
ル列Ｓ０４によってアシンメトリ測定用パターンを構成
してもよく、記録マークＭａが割り当てられた仮想記録
セル列Ｓ１１と、記録マークＭｆが割り当てられた仮想
記録セル列Ｓ６６と、記録マークＭａが割り当てられた
仮想記録セルＳ１及び記録マークＭｆが割り当てられた
仮想記録セルＳ６が交互に配置された仮想記録セル列Ｓ
１６によってアシンメトリ測定用パターンを構成しても
よい。前者のアシンメトリ測定用パターンを用いた場
合、未記録の仮想記録セルＳの絶対光反射率と、記録マ
ークＭｄが割り当てられた仮想記録セルＳの絶対光反射
率との間におけるアシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０４）を正
確に測定することができ、後者のアシンメトリ測定用パ
ターンを用いた場合、記録マークＭａが割り当てられた
仮想記録セルＳと、記録マークＭｆが割り当てられた仮
想記録セルＳの絶対光反射率との間におけるアシンメト
リ（Ａｓｙｍｍ１６）を正確に測定することができる。

【００６２】さらに、上記実施態様においては、アシン
メトリ測定用パターン２０を構成する３つの仮想記録セ
ル列Ｓ００、Ｓ７７及びＳ０７が連続的に形成されてい
るが、これら仮想記録セル列Ｓ００、Ｓ７７及びＳ０７
との間に他の仮想記録セルが存在しても構わない。

【００６３】また、上記実施態様においては、記録層１
２として有機色素を採用した例を挙げて説明したが、本
発明におけるマルチレベル光記録媒体は、これに限定さ
れず、上記以外の有機色素あるいは無機材料を記録層１
２に用いたマルチレベル光記録媒体にも適用できるし、
相変化記録層等によるマルチレベル記録用のマルチレベ
ル光記録媒体にも適用することができる。

【００６４】さらに、上記実施態様においては、光記録
媒体１をＣＤ−Ｒ型の光記録媒体として構成した例を示
したが、本発明は、これに限定されるものでなく、他の
光記録媒体に一般に適用されるものであり、またディス
ク状の回転体に限定されるものではない。

【００６５】また、上記実施態様においては、光記録媒
体１は、基板１１側から記録用および再生用のレーザー
ビームを照射する構成としたが、基板上に反射層、記録
層、保護層が順次積層され、保護層側から記録用および
再生用のレーザービームを照射する構成の光記録媒体に
対しても適用することができる。

【００６６】さらに、上記実施態様においては、仮想記
録セルに互いに分解変質の度合いが異なる７段階の記録
マークＭａ〜Ｍｇを記録することによって、一つの仮想
記録セルに３ビットの情報を格納しているが、記録の段
階数としてはこれに限定されず、一つの仮想記録セルに
１ビットを超える情報を格納可能である限り、何段階で
あっても構わない。

【００６７】

【発明の効果】このように、本発明によれば、アシンメ
トリが適切な範囲に設定されているので、良好な特性を
有するマルチレベル光記録媒体を提供することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マルチレベル光記録媒体１の構成を示す切り欠
き斜視図である。

【図２】光記録媒体１に記録された記録マークＭａ〜Ｍ
ｇを概念的に示す概念図である。

【図３】各種有機色素を使用した光記録媒体１の相対光
反射率特性を示す特性図である。

【図４】アシンメトリ測定用パターン２０が形成された
仮想記録セル列を概念的に示す概念図である。

【図５】アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）とシンボルエ
ラーレート（ＳＥＲ）との関係を示すグラフである。

【図６】アシンメトリ（Ａｓｙｍｍ０７）とビットエラ
ーレート（ＢＥＲ）との関係を示すグラフである。

【図７】光記録再生装置４０の構成を概略的に示すブロ
ック図である。

【符号の説明】

１マルチレベル光記録媒体１１基板１１ａグルーブ１１ｂランド１２記録層１３反射膜１４保護層２０アシンメトリ測定用パターン４０光記録再生装置４１スピンドルサーボ４２スピンドルモータ４３ピックアップ４４フォーカストラッキングサーボ４５送りサーボ４６制御装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塚本修司東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者福澤成敏東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者田家裕東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者井上素宏東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5D029 JA04 JB11 JC20 5D090 AA01 BB03 BB04 BB12 CC01 DD03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１の仮想記録セルにマルチレベル記録が
可能なマルチレベル光記録媒体であって、第１の情報が
記録された仮想記録セルと前記第１の情報とは異なる第
２の情報が記録された仮想記録セルとの間におけるアシ
ンメトリが、−２０％〜２０％の範囲内であることを特
徴とするマルチレベル光記録媒体。
【請求項２】前記アシンメトリが−１５％〜１０％の
範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のマルチ
レベル光記録媒体。
【請求項３】前記第１の情報が、最も光反射率の高い
仮想記録セルに対応する情報であることを特徴とする請
求項１または２に記載のマルチレベル光記録媒体。
【請求項４】前記第２の情報が、最も光反射率の低い
仮想記録セルに対応する情報であることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のマルチレベル光記
録媒体。
【請求項５】前記アシンメトリが、前記第１の情報が
記録された仮想記録セルが複数個連続的に形成された第
１の仮想記録セル列に含まれる仮想記録セルの絶対光反
射率をａ、前記第２の情報が記録された仮想記録セルが
複数個連続的に形成された第２の仮想記録セル列に含ま
れる仮想記録セルの絶対光反射率をｂ、前記第１の情報
が記録された仮想記録セル及び前記第２の情報が記録さ
れた仮想記録セルが交互に配置された第３の仮想記録セ
ル列に含まれる仮想記録セルのうち前記第１の情報が記
録された仮想記録セルの絶対光反射率をｃ、前記第３の
仮想記録セル列に含まれる仮想記録セルのうち前記第２
の情報が記録された仮想記録セルの絶対光反射率をｄと
した場合に、【数１】で定義されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１項に記載のマルチレベル光記録媒体。