JP2003066904A - Display panel drive circuit - Google Patents

Display panel drive circuit

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JP2003066904A
JP2003066904A JP2001251432A JP2001251432A JP2003066904A JP 2003066904 A JP2003066904 A JP 2003066904A JP 2001251432 A JP2001251432 A JP 2001251432A JP 2001251432 A JP2001251432 A JP 2001251432A JP 2003066904 A JP2003066904 A JP 2003066904A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the variation in current. SOLUTION: Transistors POUT0 to POUTn constitute a current mirror circuit with one transistor connected to a current source Iorg to constitute a reference current source and other N-pieces transistors. Switching circuits SW0-SWN periodically switch over transistors constituting the reference current source, so that the outputs from other N-pieces transistors are derived as the drive output for a display panel. Since the time-division control (averaged by time) is performed for the current variation of all, N+1 pieces MOS transistors, the current variation can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイパネル
駆動回路に関し、特に有機エレクトロルミネセンス素子
等の自発光素子からなるディスプレイパネルを用いたデ
ィスプレイ装置の駆動回路に関する
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display panel drive circuit, and more particularly to a drive circuit for a display device using a display panel composed of a self-luminous element such as an organic electroluminescence element.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄型で低消費電力なディスプレイ装置を
実現するための自発光素子として、有機エレクトロルミ
ネッセンス(以下、ELと称する)素子が知られてい
る。図4は、かかるEL素子の概略構成を示す図であ
る。同図に示されているように、EL素子は、透明電極
101が形成されたガラス板等からなる透明基板100
上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等からなる少な
くとも1層の有機機能層102、及び金属電極103が
積層されたものである。
2. Description of the Related Art An organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element is known as a self-luminous element for realizing a thin and low power consumption display device. FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of such an EL element. As shown in the figure, the EL element has a transparent substrate 100 made of a glass plate or the like on which a transparent electrode 101 is formed.
At least one organic functional layer 102 including an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and the like, and a metal electrode 103 are laminated on top.

【0003】図5は、かかるEL素子の特性を電気的に
示す等価回路である。同図に示されるように、EL素子
は、容量成分Cと、該容量成分に並列に結合するダイオ
ード特性の成分Eとによって置き換えることができる。
ここで、透明電極101の陽極にプラス、金属電極10
3の陰極にマイナスの電圧を加えて透明電極及び金属電
極間に直流を印加すると、容量成分Cに電荷が蓄積され
る。この際、EL素子固有の障壁電圧または発光閥値電
圧を越えると、電極(ダイオード成分Eの陽極側)から
発光層を担う有機機能層に電流が流れ始め、この電流に
比例した強度で有機機能層102が発光する。
FIG. 5 is an equivalent circuit that electrically shows the characteristics of such an EL element. As shown in the figure, the EL element can be replaced by a capacitance component C and a diode characteristic component E coupled in parallel with the capacitance component.
Here, the positive electrode of the transparent electrode 101, the metal electrode 10
When a negative voltage is applied to the cathode of No. 3 and a direct current is applied between the transparent electrode and the metal electrode, electric charge is accumulated in the capacitance component C. At this time, when the barrier voltage or the emission threshold voltage peculiar to the EL element is exceeded, a current starts to flow from the electrode (the anode side of the diode component E) to the organic functional layer serving as the light emitting layer, and the organic functional layer has an intensity proportional to the current. The layer 102 emits light.

【0004】図6は、複数の上記EL素子をマトリクス
状に配列してなるELディスプレイパネルを用いて画像
表示を行うELディスプレイ装置の概略構成を示す図で
ある。同図において、ELディスプレイパネルとしての
ELDP10には、第1表示ライン〜第n表示ライン各
々を担う陰極線(金属電極)B1〜Bnと、これら陰極線
1〜Bn各々に交叉して配列されたm個の陽極線(透明
電極)A1〜Amが形成されている。これら陰極線B1
n及び陽極線A1〜Amの交差部分の各々に、上述し
た如き構造を有するEL素子E11〜Enmが形成されてい
る。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an EL display device for displaying an image using an EL display panel in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix. In FIG. 1, an ELDP 10 serving as an EL display panel includes cathode lines (metal electrodes) B 1 to B n that carry the first display line to the nth display line, and an array that intersects with the cathode lines B 1 to B n. is the m anode lines (transparent electrodes) a 1 to a m are formed. These cathode lines B 1 ~
EL elements E 11 to E nm having the above-described structure are formed at the respective intersections of B n and the anode lines A 1 to Am.

【0005】尚、これらEL素子E11〜Enm各々は、E
LDP10としての1画素を担うものである。発光制御
回路1は、入力された1画面分(n行、m列)の画像デ
ータを、ELDP10の各画素、すなわち上記EL素子
11〜Enmの各々に対応した画素データ群D11〜Dnm
変換し、これらを図7に示されているように、1行分毎
に順次、陽極線ドライブ回路2に供給して行く。例え
ば、画素データD11〜Dnmとは、ELDP10の第1表
示ラインに属するEL素子E11〜Enm各々に対して発光
を実施させるか否かを指定するm個のデータビットであ
り、夫々、論理レベル“1”である場合には“発光”、
論理レベル“0”である場合に“非発光”を示す。
Each of the EL elements E 11 to E nm is
It is responsible for one pixel as the LDP 10. Emission control circuit 1, one screen (n rows, m columns) input image data for each pixel of ELDP10, that is, the EL element E 11 to E nm pixel data groups D 11 corresponding to each of ~D The values are converted into nm , and these are sequentially supplied to the anode line drive circuit 2 for each row as shown in FIG. For example, the pixel data D 11 to D nm, a m number of data bits that specify whether to implement the light emitting to the EL element E 11 to E nm respectively belonging to the first display line of ELDP10, respectively , "Light emission" when the logic level is "1",
When the logic level is "0", it indicates "non-light emission".

【0006】また、発光制御回路1は、図7に示されて
いるように1行分毎の画素データの供給タイミングに同
期して、ELDP10の第1表示ライン〜第n表示ライ
ン各々を順次走査すべき走査線選択制御信号を陰極線走
査回路3に供給する。陽極線ドライブ回路2は、先ず、
上記画素データ群におけるm個のデータビットの内か
ら、“発光”を指定する論理レベル“1”のデータビッ
トを全て抽出する。次に、この抽出したデータビット各
々に対応した“列”に属する陽極線を陽極線A1〜Am
内から全て選択し、この選択した陽極線のみに定電流源
を接続し、所定の画素駆動電流iを供給する。
Further, the emission control circuit 1 sequentially scans each of the first display line to the nth display line of the ELDP 10 in synchronization with the pixel data supply timing for each row as shown in FIG. The scanning line selection control signal to be supplied is supplied to the cathode line scanning circuit 3. First, the anode line drive circuit 2
From the m data bits in the pixel data group, all the data bits at the logic level "1" designating "light emission" are extracted. Next, the anode line belonging to "columns" corresponding to the data bits each and the extracted selected all from among the anode lines A 1 to A m, connects the constant current source only to the selected anode line, predetermined The pixel drive current i is supplied.

【0007】陰極線走査回路3は、上記陰極線B1〜Bn
の内から、上記走査線選択制御信号で示される表示ライ
ンに対応した陰極線を択一的に選択してこの陰極線をア
ース電位に設定すると共に、その他の陰極線の各々に所
定の高電位Vccを夫々印加する。尚、かかる高電位V
ccは、EL素子が所望の輝度で発光しているときの両
端電圧(寄生容量Cへの充電量に基づいて決定する電
圧)とほほ同一値に設定される。
The cathode ray scanning circuit 3 includes the cathode rays B 1 to B n.
Of the above, the cathode line corresponding to the display line indicated by the scanning line selection control signal is selectively selected to set this cathode line to the ground potential, and a predetermined high potential Vcc is applied to each of the other cathode lines. Apply. The high potential V
cc is set to be approximately the same value as the voltage across the EL element (voltage determined based on the amount of charge in the parasitic capacitance C) when the EL element is emitting light with a desired luminance.

【0008】この際、上記陽極線ドライブ回路2によっ
て上記定電流源が接続された“列”と、上記陰極線走査
回路3にてアース電位に設定された表示ラインとの間に
は発光駆動電流が流れ、かかる表示ライン及び“列”に
交叉して形成されているEL素子は、この発光駆動電流
に応じて発光する。一方、上記陰極線走査回路3によっ
て高電位Vccに設定された表示ラインと、上記定電流
源が接続された“列”との間には電流が流れ込まないの
で、かかる表示ライン及び“列”に交叉して形成されて
いるEL素子は非発光のままである。
At this time, a light emission drive current is provided between the "column" to which the constant current source is connected by the anode line drive circuit 2 and the display line set to the ground potential by the cathode line scanning circuit 3. The EL elements formed by flowing and crossing the display lines and the "columns" emit light according to the light emission drive current. On the other hand, since no current flows between the display line set to the high potential Vcc by the cathode line scanning circuit 3 and the "column" to which the constant current source is connected, the display line and the "column" are crossed. The EL element thus formed remains non-luminous.

【0009】以上のような動作が、画素データ群D11
1m、D21〜D2m、… 、Dn1〜Dn m各々に基づいて実
施されると、ELDP10の画面上には、入力された画
像データに応じた1フィールド分の発光パターン、つま
り画像が表示されるのである。
[0009] The above described operation is pixel data groups D 11 ~
D 1m, D 21 ~D 2m, ..., D n1 when to D n m is performed on the basis of each, on the screen of ELDP10, 1 field of emission pattern corresponding to the input image data, i.e. image Is displayed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述したように陽極線
ドライブ回路の出力は電流出力であり、その電流出力に
はカレントミラーが用いられる。その出力電流がばらつ
いた場合、有機ELパネルの輝度がばらついてしまう。
このため、電流ばらつきを抑えることは非常に重要であ
る。しかし、カレントミラーを用いた場合、カレントミ
ラーで発生する電流ばらつきにより、出力電流がばらつ
いてしまう。
As described above, the output of the anode line drive circuit is a current output, and a current mirror is used for the current output. If the output current varies, the brightness of the organic EL panel also varies.
Therefore, it is very important to suppress the current variation. However, when the current mirror is used, the output current varies due to the current variation generated in the current mirror.

【0011】ここで、従来の回路構成が図8に示されて
いる。同図には、N+1個のMOS(Metal Ox
ide Semiconductor)トランジスタを
用いて構成されたカレントミラーが示されている。同図
に示されているように、カレントミラー回路は、電流源
orgと、N+1個のMOSトランジスタPOUT0、P
OUT1、…、POUTNとを含んで構成されている。N+1個
のMOSトランジスタのうち、1つのMOSトランジス
タPOUT0が電流源Iorgと共に、カレントミラーの基準
電流源をなす。そして、他のN個のMOSトランジスタ
からの出力電流が、ディスプレイパネルの駆動出力とし
て導出される。本例では、他のN個のMOSトランジス
タPOUT1〜POUTNからの出力が1つにまとめられ、この
まとめられた出力電流Ioutが駆動出力として導出され
る。
Here, a conventional circuit configuration is shown in FIG. In the figure, N + 1 MOS (Metal Ox)
A current mirror constructed using an ideal semiconductor transistor is shown. As shown in the figure, the current mirror circuit includes a current source I org and N + 1 MOS transistors P OUT0 and P OUT .
OUT1 , ..., P OUTN . Of the N + 1 MOS transistors, one MOS transistor P OUT0 forms the reference current source of the current mirror together with the current source I org . Then, output currents from the other N MOS transistors are derived as drive outputs of the display panel. In this example, the outputs from the other N MOS transistors P OUT1 to P OUTN are combined into one, and the combined output current I out is derived as the drive output.

【0012】ここで、N+1個のMOSトランジスタP
OUT0〜POUTNのサイズがすべて同じであると仮定する。
すると、MOSトランジスタPOUT0によって導出される
電流と他のN個のMOSトランジスタPOUT1〜POUTN
よって導出される電流との比、すなわち電流比は1:N
となる。よって、このときの出力電流IoutはIout=N
×Iorgになる。
Here, N + 1 MOS transistors P
Assume that OUT0 to P OUTN are all the same size.
Then, the ratio of the current derived by the MOS transistor P OUT0 and the current derived by the other N MOS transistors P OUT1 to P OUTN , that is, the current ratio is 1: N.
Becomes Therefore, the output current I out at this time is I out = N
X I org .

【0013】一般に、電流のばらつきΔIはMOSトラ
ンジスタのサイズに依存し、MOSトランジスタのサイ
ズが小さい場合に電流のばらつきΔIは大きい。逆に、
MOSトランジスタのサイズが大きい場合に電流のばら
つきΔIは小さい。ディスプレイパネルの駆動等の用途
では、上記電流比1:Nの“N”側のMOSトランジス
タのサイズは、“1”側のMOSトランジスタのサイズ
より遙かに大きい。例えば、N>10である。このこと
から、電流のばらつきΔIは上記電流比“1”側のMO
SトランジスタPoutから発生する電流ばらつきが支配
的になる。
Generally, the current variation ΔI depends on the size of the MOS transistor, and the current variation ΔI is large when the size of the MOS transistor is small. vice versa,
When the size of the MOS transistor is large, the current variation ΔI is small. In applications such as display panel driving, the size of the "N" side MOS transistor of the current ratio 1: N is much larger than the size of the "1" side MOS transistor. For example, N> 10. From this, the variation ΔI of the current is equal to the MO on the side of the current ratio “1”.
The current variation generated from the S transistor P out becomes dominant.

【0014】また、カレントミラーの電流比を小さくす
ることも考えられる。例えば、2:N/2や、3:N/
3にすることが考えられる。こうすれば、電流のばらつ
きΔIは減少する。しかしながら、チャンネル数は陽極
線の数だけ存在するので、その場合には電流源Iorg
電流量を増やさなければならない。すると、ICチップ
の消費電力が増加するという欠点がある。
It is also possible to reduce the current ratio of the current mirror. For example, 2: N / 2 or 3: N /
It is possible to set it to 3. In this way, the current variation ΔI is reduced. However, since there are as many channels as the number of anode lines, in that case, the current amount of the current source I org must be increased. Then, there is a drawback that the power consumption of the IC chip increases.

【0015】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的はICチップの
消費電力が増加することなく、電流のばらつきを減少さ
せることのできるディスプレイパネル駆動回路を提供す
ることである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and its object is a display panel drive circuit capable of reducing variations in current without increasing power consumption of an IC chip. Is to provide.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1による
ディスプレイパネル駆動回路は、基準電流源をなす1つ
のトランジスタと、該トランジスタと共に電流ミラー回
路を構成するN個(Nは自然数)のトランジスタとから
なるディスプレイパネル駆動回路であって、前記N+1
個のトランジスタのうち、基準電流源をなすトランジス
タを、周期的に切り替えるスイッチング手段を含み、他
のN個のトランジスタからの出力をディスプレイパネル
の駆動出力として導出するようにしたことを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a display panel driving circuit, wherein a transistor forming a reference current source and N transistors (N is a natural number) forming a current mirror circuit together with the transistor. A display panel drive circuit comprising:
Among these transistors, a transistor forming a reference current source includes switching means for periodically switching, and the output from the other N transistors is derived as a drive output of the display panel.

【0017】本発明の請求項2によるディスプレイパネ
ル駆動回路は、請求項1において、前記他のN個のトラ
ンジスタからの出力を1つにまとめて前記ディスプレイ
パネルの駆動出力として導出するようにしたことを特徴
とする。本発明の請求項3によるディスプレイパネル駆
動回路は、請求項1又は2において、前記ディスプレイ
パネルは、前記駆動出力によってそれぞれ駆動されるエ
レクトロルミネッセンス素子によって構成されているこ
とを特徴とする。
A display panel drive circuit according to a second aspect of the present invention is the display panel drive circuit according to the first aspect, wherein the outputs from the other N transistors are combined into one and derived as a drive output of the display panel. Is characterized by. A display panel drive circuit according to a third aspect of the present invention is the display panel drive circuit according to the first or second aspect, wherein the display panel is composed of electroluminescent elements driven by the drive outputs.

【0018】要するに、基準電流源をなすトランジスタ
を、周期的に切り替えることにより、カレントミラーで
発生する電流ばらつきを小さくすることができ、また複
数のICチップ間での基準電流のばらつきをなくすこと
ができるので、ディスプレイパネル上において均一な発
光輝度が得られる。
In short, by periodically switching the transistors forming the reference current source, it is possible to reduce the variation in the current generated in the current mirror, and to eliminate the variation in the reference current among a plurality of IC chips. Therefore, uniform emission brightness can be obtained on the display panel.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、以下の説明において
参照する各図においては、他の図と同等部分に同一符号
が付されている。図1は本発明によるディスプレイパネ
ル駆動回路の実施の一形態における主要部分の構成を示
す図である。同図には、N+1個のMOSトランジスタ
によって構成されたカレントミラー回路が示されてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the drawings referred to in the following description, the same parts as those in the other drawings are designated by the same reference numerals. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part in an embodiment of a display panel drive circuit according to the present invention. The figure shows a current mirror circuit composed of N + 1 MOS transistors.

【0020】同図に示されているように、カレントミラ
ー回路は、電流源Iorgと、N+1個のMOSトランジ
スタPOUT0、POUT1、…、POUTNと、スイッチング回路
SW0、SW1、…、SWNとを含んで構成されてい
る。スイッチング回路SW0、SW1、…、SWNは、
N+1個のMOSトランジスタPOUT0、POUT1、…、P
OUTNのうちのいずれか1つのみを電流源Iorgと電気的
に接続する。この電流源Iorgと接続された1つのMO
Sトランジスタが電流源Iorgと共に、カレントミラー
の基準電流源をなすことになる。そして、他のN個のM
OSトランジスタからの出力電流が、ディスプレイパネ
ルの駆動出力として導出される。本例では、他のN個の
MOSトランジスタPOUT1〜POUTNからの出力が1つに
まとめられ、このまとめられた出力電流Ioutが駆動出
力として導出される。
As shown in the figure, the current mirror
-The circuit is the current source IorgAnd N + 1 MOS transistors
Star POUT0, POUT1, ..., POUTNAnd the switching circuit
SW0, SW1, ..., SWN
It The switching circuits SW0, SW1, ..., SWN are
N + 1 MOS transistors POUT0, POUT1, ..., P
OUTNOnly one of the current sources IorgAnd electrical
Connect to. This current source IorgOne MO connected with
S transistor is the current source IorgWith the current mirror
Will be the reference current source. And the other N M
The output current from the OS transistor is
It is derived as the drive output of the module. In this example, the other N
MOS transistor POUT1~ POUTNOutput from one
Summarized, this summarized output current IoutDriven out
Derived as force.

【0021】同図中のスイッチング回路SW0、SW
1、…、SWNにおいては、電流源I orgに接続されて
いる端子が○、出力電流Ioutを導出する信号線に接続
されている端子が●で示されている。スイッチング回路
SW0が○側端子に接続されているとき、他のスイッチ
ング回路SW1〜SWNは●側端子に接続される。スイ
ッチング回路SW1が○側端子に接続されているとき、
スイッチング回路SW1及びSW2〜SWNは●側端子
に接続される。同様に、○側端子に接続されるスイッチ
ング回路を、順次切り替える。この切り替えは、クロッ
クに同期させて行う。
Switching circuits SW0 and SW in FIG.
1, ..., SWN, the current source I orgConnected to
○, the output current IoutConnect to the signal line to derive
The terminals that are connected are indicated by ●. Switching circuit
When SW0 is connected to the ○ side terminal, another switch
The switching circuits SW1 to SWN are connected to the ● side terminal. Sui
When the switching circuit SW1 is connected to the ○ side terminal,
Switching circuits SW1 and SW2-SWN are ● side terminals
Connected to. Similarly, a switch connected to the ○ side terminal
The switching circuit is sequentially switched. This switch is
This is done in synchronization with the network.

【0022】このようにスイッチング回路SW0〜SW
Nを制御することにより、N+1個のMOSトランジス
タPOUT0、POUT1、…、POUTNのうち、基準電流源をな
すトランジスタを、周期的に切り替える。つまり、スイ
ッチング回路を切り替えることにより、N+1個のMO
Sトランジスタ全てが、電流のばらつきに支配的な電流
比1:Nの“1”側に順次割り当たるようにしている。
このように切り替え制御し、N+1個全てのMOSトラ
ンジスタの電流ばらつきに対して時分割制御(時間で平
均する)を行うので、電流ばらつきを抑えることができ
る。
As described above, the switching circuits SW0 to SW
By controlling N, among N + 1 MOS transistors P OUT0 , P OUT1 , ..., P OUTN , the transistor forming the reference current source is periodically switched. In other words, by switching the switching circuit, N + 1 MO
All the S transistors are sequentially assigned to the "1" side of the current ratio 1: N that is dominant in the current variation.
Since the switching control is performed in this manner and the time-division control (averaged over time) is performed with respect to the current variations of all N + 1 MOS transistors, the current variations can be suppressed.

【0023】ここで、トランジスタの数N=3とし、ト
ランジスタのばらつきを1%とした場合、従来では電流
のばらつきは1.4%程度になるのに対し、本発明の回
路によれば、電流のばらつきは0.01%程度であり、
電流のばらつきはかなり小さくなる。図2はスイッチン
グ回路SW0〜SWNの切り替えタイミングを示すタイ
ミングチャートである。同図には、スイッチング回路を
切り替えるタイミングをなすクロックと、各スイッチン
グ回路のオンオフ状態と、出力電流Ioutとが示されて
いる。なお、同図においては、ハイレベルとなっている
スイッチング回路がオン状態であることを示している。
Here, if the number of transistors N = 3 and the variation of the transistors is 1%, the variation of the current is about 1.4% in the conventional case, whereas the circuit of the present invention shows that Variation is about 0.01%,
The current variations are much smaller. FIG. 2 is a timing chart showing the switching timing of the switching circuits SW0 to SWN. In the same figure, a clock that makes a timing for switching the switching circuits, an on / off state of each switching circuit, and an output current I out are shown. In the figure, it is shown that the switching circuit in the high level is in the ON state.

【0024】同図において、スイッチング回路SW0が
オン状態のとき、出力電流IoutはN×Iref+ΔI0
なる。同様に、スイッチング回路SW1がオン状態のと
き出力電流IoutはN×Iref+ΔI1、スイッチング回
路SW2がオン状態のとき出力電流IoutはN×Iref
ΔI2となり、スイッチング回路SWNがオン状態のと
き出力電流IoutはN×Iref+ΔINとなる。以下同様
に、基準電流源をなすトランジスタをスイッチング回路
で周期的に切り替える。
In the figure, when the switching circuit SW0 is in the ON state, the output current I out becomes N × I ref + ΔI 0 . Similarly, the output current I out is N × I ref + ΔI 1 when the switching circuit SW1 is on, and the output current I out is N × I ref + when the switching circuit SW2 is on.
[Delta] I 2, and the switching circuit SWN the output current I out the on state becomes N × I ref + ΔI N. Similarly, the transistor forming the reference current source is periodically switched by the switching circuit.

【0025】以上のように、基準電流源をなすトランジ
スタを、周期的に切り替えることにより、電流ばらつき
の量を小さくすることができる。ここで、スイッチング
回路の構成例が図3に示されている。同図に示されてい
るスイッチング回路SW0〜SWNは、それぞれ対応す
るMOSトランジスタP OUT0〜POUTNから出力される電
流が入力される2つのアナログスイッチを含んで構成さ
れている。スイッチング回路SW0は、アナログスイッ
チSW01及びSW02によって構成されている。これ
らアナログスイッチSW01及びSW02は、共に、ソ
ース及びドレインを共通とするN型MOSトランジスタ
及びP型MOSトランジスタによって構成されている。
そして、これらN型MOSトランジスタ及びP型MOS
トランジスタの共通するゲートがスイッチング制御端子
となる。また、同図においては、上述したクロックを入
力とするカウンタ200と、スイッチング回路SW0〜
SWNに対応して設けられカウンタ200の出力200
−0〜200−Nを反転するインバータINV0〜IN
VNとが設けられている。なお、インバータINV0〜
INVNは、例えば周知のCMOS(Compleme
ntary Metal Oxide Semicon
ductor)インバータ回路で構成する。
As described above, the transistor forming the reference current source
By switching the switch periodically, the current variation
Can be reduced. Where switching
An example of the circuit configuration is shown in FIG. Shown in the same figure
The corresponding switching circuits SW0 to SWN correspond to each other.
MOS transistor P OUT0~ POUTNOutput from
It is configured to include two analog switches to which the current is input.
Has been. The switching circuit SW0 is an analog switch.
C SW01 and SW02. this
The analog switches SW01 and SW02 are both
N-type MOS transistor having a common source and drain
And a P-type MOS transistor.
Then, these N-type MOS transistor and P-type MOS
Gate common to transistors is switching control terminal
Becomes Also, in the figure, the clock described above is input.
The counter 200 for power and the switching circuits SW0 to SW0
Output 200 of counter 200 provided corresponding to SWN
Inverters INV0 to INV that invert −0 to 200-N
And VN are provided. Inverters INV0-INV0
The INVN is, for example, a well-known CMOS (Complement
nary Metal Oxide Semiconductor
inductor) Inverter circuit.

【0026】アナログスイッチSW01のN型MOSト
ランジスタ及びアナログスイッチSW02のP型MOS
トランジスタにはカウンタ200の出力がそのまま入力
されるのに対し、アナログスイッチSW01のP型MO
Sトランジスタ及びアナログスイッチSW02のN型M
OSトランジスタにはカウンタ200の出力がインバー
タINV0によって論理反転されて入力される。このた
め、カウンタ200の出力200−0がハイレベルのと
きにのみアナログスイッチSW01がオン状態、ローレ
ベルのときにはアナログスイッチSW02がオン状態と
なる。
N-type MOS transistor of analog switch SW01 and P-type MOS transistor of analog switch SW02
While the output of the counter 200 is directly input to the transistor, the P-type MO of the analog switch SW01 is input.
N type M of S transistor and analog switch SW02
The output of the counter 200 is logically inverted and input to the OS transistor by the inverter INV0. Therefore, the analog switch SW01 is turned on only when the output 200-0 of the counter 200 is at the high level, and the analog switch SW02 is turned on when the output 200-0 is at the low level.

【0027】アナログスイッチSW11及びアナログス
イッチSW12からなるスイッチング回路SW1につい
ても同様に、カウンタ200の出力200−1がハイレ
ベルのときにのみアナログスイッチSW11がオン状
態、ローレベルのときにはアナログスイッチSW12が
オン状態となる。他のスイッチング回路についても同様
であり、スイッチング回路SWNは、カウンタ200の
出力200−Nがハイレベルのときにのみアナログスイ
ッチSWN1がオン状態、ローレベルのときにはアナロ
グスイッチSWN2がオン状態となる。
Similarly, for the switching circuit SW1 including the analog switch SW11 and the analog switch SW12, the analog switch SW11 is turned on only when the output 200-1 of the counter 200 is at high level, and the analog switch SW12 is turned on when it is at low level. It becomes a state. The same applies to the other switching circuits. In the switching circuit SWN, the analog switch SWN1 is turned on only when the output 200-N of the counter 200 is at high level, and the analog switch SWN2 is turned on when it is at low level.

【0028】なお、同図に示されているように、アナロ
グスイッチSW01,SW11,…,SWN1の出力側
は上述した電流源Iorgに接続され、アナログスイッチ
SW02,SW12,…,SWN2の出力側は1つにま
とめられて出力電流Ioutとして導出される。このよう
な構成において、カウンタ200は、図2中のクロック
を入力とし、出力200−1〜200−Nの1つのみを
ハイレベルのパルスとする。そして、このハイレベルと
する出力を順にずらしていく。このように順次ずらしな
がらハイレベルのパルスを与えることにより、上述した
図2に示されているように、N+1個のMOSトランジ
スタのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的
に切り替える。これにより、N+1個のMOSトランジ
スタ全てが、電流のばらつきに支配的な電流比1:Nの
“1”側に順次割り当たるようにしている。このように
切り替え制御し、N+1個全てのMOSトランジスタの
電流ばらつきに対して時分割制御を行うので電流ばらつ
きを抑えることができる。なお、以上のように構成する
ため、電流源Iorgの電流量を増やさずに、電流ばらつ
きを抑えることができる。
As shown in the figure, the output sides of the analog switches SW01, SW11, ..., SWN1 are connected to the above-mentioned current source I org , and the output sides of the analog switches SW02, SW12 ,. Are combined into one and derived as an output current I out . In such a configuration, the counter 200 receives the clock in FIG. 2 as an input and sets only one of the outputs 200-1 to 200-N as a high level pulse. Then, the high-level output is sequentially shifted. By applying high-level pulses while sequentially shifting in this way, as shown in FIG. 2 described above, the transistor forming the reference current source among the N + 1 MOS transistors is periodically switched. As a result, all the N + 1 MOS transistors are sequentially assigned to the “1” side of the current ratio 1: N that is dominant in the current variation. In this way, the switching control is performed and the time-division control is performed for the current variations of all N + 1 MOS transistors, so that the current variations can be suppressed. Note that, because of the above-described configuration, it is possible to suppress current variations without increasing the amount of current of the current source I org .

【0029】したがって、本回路によれば、ICチップ
の消費電力を増やすことなく、カレントミラーで発生す
る電流ばらつきを小さくすることができる。よって、例
えば、繰返し周波数が1000Hzのクロックでスイッ
チング回路を切り替え制御することにより、有機EL素
子で構成したディスプレイパネルへの供給電流を時間的
に平均化することができる。このため、ディスプレイパ
ネル上において均一な発光輝度が得られる。
Therefore, according to this circuit, it is possible to reduce the current variation generated in the current mirror without increasing the power consumption of the IC chip. Therefore, for example, by controlling the switching of the switching circuit with a clock having a repetition frequency of 1000 Hz, it is possible to temporally average the currents supplied to the display panel composed of the organic EL elements. Therefore, uniform emission brightness can be obtained on the display panel.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、基準電流
源をなすトランジスタを、周期的に切り替えることによ
り、カレントミラーで発生する電流ばらつきを小さくす
ることができ、また複数のICチップ間での基準電流の
ばらつきをなくすことができるので、ディスプレイパネ
ル上において均一な発光輝度が得られるという効果があ
る。
As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the current variation generated in the current mirror by periodically switching the transistor that forms the reference current source, and to reduce the variation in current between a plurality of IC chips. Since it is possible to eliminate the variation in the reference current, there is an effect that uniform emission brightness can be obtained on the display panel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるディスプレイパネル駆動回路の主
要部分の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of a display panel drive circuit according to the present invention.

【図2】図1のディスプレイパネル駆動回路におけるス
イッチング回路の切り替えタイミングを示すタイミング
チャートである。
FIG. 2 is a timing chart showing switching timing of a switching circuit in the display panel driving circuit of FIG.

【図3】スイッチング回路の構成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a switching circuit.

【図4】EL素子の概略構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of an EL element.

【図5】EL素子の特性を電気的に示す等価回路を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit that electrically shows the characteristics of an EL element.

【図6】複数のEL素子をマトリクス状に配列してなる
ELディスプレイパネルを用いて画像表示を行うELデ
ィスプレイ装置の概略構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an EL display device that displays an image using an EL display panel in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix.

【図7】画素データ及び走査線選択信号の供給タイミン
グを示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a supply timing of pixel data and a scanning line selection signal.

【図8】従来回路を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a conventional circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光制御回路 2 陽極線ドライブ回路 3 陰極線走査回路 100 透明基板 101 透明電極 102 有機機能層 103 金属電極 200 カウンタ INV0〜INVN インバータ Iorg 電流源 Iout 出力電流 POUT0〜POUTN トランジスタ SW0〜SWN スイッチング回路 SW01,SW02 SW11,SW12 SW11,SW12 アナログスイッチ1 light emission control circuit 2 anode line drive circuit 3 cathode line scanning circuit 100 transparent substrate 101 transparent electrode 102 organic functional layer 103 metal electrode 200 counter INV0 to INVN inverter I org current source I out output current P OUT0 to P OUTN transistors SW0 to SWN switching Circuit SW01, SW02 SW11, SW12 SW11, SW12 Analog switch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB02 AB17 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD28 EE28 JJ03 JJ04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 AF term (reference) 3K007 AB02 AB17 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD28 EE28 JJ03 JJ04

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基準電流源をなす1つのトランジスタ
と、該トランジスタと共に電流ミラー回路を構成するN
個(Nは自然数)のトランジスタとからなるディスプレ
イパネル駆動回路であって、前記N+1個のトランジス
タのうち、基準電流源をなすトランジスタを、周期的に
切り替えるスイッチング手段を含み、他のN個のトラン
ジスタからの出力をディスプレイパネルの駆動出力とし
て導出するようにしたことを特徴とするディスプレイパ
ネル駆動回路。
1. A transistor forming a reference current source, and N forming a current mirror circuit together with the transistor.
A display panel drive circuit comprising N (N is a natural number) transistors, the N + 1 transistors including switching means for periodically switching a transistor forming a reference current source, and N other transistors. The display panel drive circuit is characterized in that the output from the display panel is derived as a drive output of the display panel.
【請求項2】 前記他のN個のトランジスタからの出力
を1つにまとめて前記ディスプレイパネルの駆動出力と
して導出するようにしたことを特徴とする請求項1記載
のディスプレイパネル駆動回路。
2. The display panel drive circuit according to claim 1, wherein outputs from the other N transistors are combined into one and are derived as a drive output of the display panel.
【請求項3】 前記ディスプレイパネルは、前記駆動出
力によってそれぞれ駆動されるエレクトロルミネッセン
ス素子によって構成されていることを特徴とする請求項
1又は2記載のディスプレイパネル駆動回路。
3. The display panel drive circuit according to claim 1, wherein the display panel is composed of electroluminescent elements driven by the drive output.
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