JP2003066613A - Method for producing stamper - Google Patents

Method for producing stamper

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JP2003066613A
JP2003066613A JP2001251991A JP2001251991A JP2003066613A JP 2003066613 A JP2003066613 A JP 2003066613A JP 2001251991 A JP2001251991 A JP 2001251991A JP 2001251991 A JP2001251991 A JP 2001251991A JP 2003066613 A JP2003066613 A JP 2003066613A
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JP
Japan
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light guide
light
stamper
guide plate
electroformed
Prior art date
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Application number
JP2001251991A
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Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Asukata
孝幸 飛鳥田
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Columbia Music Entertainment Co Ltd
Original Assignee
Columbia Music Entertainment Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a stamper for manufacturing a light guide for eliminating unevenness in luminance on the whole surface of the light guide. SOLUTION: A region 52 with a formed rugged pattern and a dummy electroforming area 53 are exposed as electrically conductive parts on an electrically conductive substrate 51 passed through a developing step. A photoresist layer 54 is left on the other region. The dummy electroforming area is not disposed on the counter incident light side 56 of a light guide to be manufactured. The electrically conductive substrate is placed as a cathode in such a way that it confronts an anode to carryout plating. Plating thickness depends on current density distribution. Current density to the individual portion of the rugged part can be made uniform by disposing the dummy electroforming area, the rugged pattern is made uniform in height and a light guide manufactured with this stamper is free of unevenness in luminance.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等に
用いる背面用の導光板を製造するために用いるスタンパ
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a stamper used for manufacturing a light guide plate for a back surface used in a liquid crystal display device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】透明板の側端面から光を入射させ、その
一方の面(光出射面)から光を出射させて照明を行なう
ようにした、いわゆるエッジライト方式の導光板を備え
た光拡散装置が、ワードプロセッサ、パーソナルコンピ
ュータおよび薄型テレビジョン等に設けられる液晶表示
装置などに使用される背面照明装置として用いられてい
る。このような光拡散装置は、導光板の1つの側端面又
は互いに対向する側端面に管状光源を配置し、光を入射
する側端面および光を出射する光出射面を除く導光板の
残りの面に、導光板を透過する光の角度または導光板で
反射される光の角度を変える要素(以下、「偏向要素」
という。)が設けられて構成されている。
2. Description of the Related Art Light diffusion provided with a light guide plate of a so-called edge light system in which light is incident from a side end surface of a transparent plate and is emitted from one surface (light emitting surface) of the transparent plate to illuminate. The device is used as a back lighting device used in a liquid crystal display device provided in a word processor, a personal computer, a flat-screen television, or the like. In such a light diffusion device, a tubular light source is arranged on one side end surface of the light guide plate or on the side end surfaces facing each other, and the remaining surface of the light guide plate excluding the side end surface on which light is incident and the light emission surface on which light is emitted. Is an element that changes the angle of light transmitted through the light guide plate or the angle of light reflected by the light guide plate (hereinafter referred to as "deflection element").
Say. ) Is provided and configured.

【0003】導光板の側端面から入射した光は、光出射
面およびこれに対向する面等でその方向を変えられて光
出射面から出射するが、光出射面と対向する導光板底面
で全反射されて導光板内を伝搬する。一般に、光拡散装
置の輝度が光出射面全面で均一になるように、偏向要素
の密度分布および光が偏向要素によって偏向される角度
が決定される。
Light incident from the side end surface of the light guide plate is redirected at the light exit surface and the surface facing the light exit surface and exits from the light exit surface. It is reflected and propagates in the light guide plate. Generally, the density distribution of the deflection elements and the angle at which the light is deflected by the deflection elements are determined so that the brightness of the light diffusing device is uniform over the entire light exit surface.

【0004】上記の偏向要素としては、 導光板表面に光を散乱または反射する白色インクや塗
料が塗布されたもの、 導光板表面に光が散乱または反射されるような凹凸部
が設けられたもの、 導光板中に光拡散剤が含有されたもの、 が挙げられる。
As the above-mentioned deflecting element, a white ink or paint that scatters or reflects light is applied to the surface of the light guide plate, and an uneven portion for scattering or reflecting light is provided on the surface of the light guide plate. , A light guide plate containing a light diffusing agent.

【0005】上記のタイプの導光板は、スクリーン印
刷等により製造されるが、白色インクや塗料の組成が変
化すると光反射能が変化し輝度が均一にならず、さら
に、印刷作業時に空気中の塵挨が白色インクや塗料に混
入したり、印刷面や塗布面に付着したりすると、塵挨に
よる予期せぬ光の散乱を生じて、予定した輝度の均一化
が図れない。また、上記のタイプの導光板は、所定の
密度分布になるように偏向要素を設けようとしても、高
い再現性で基材中に光拡散剤を分散させることは困難で
ある。
The above-mentioned type of light guide plate is manufactured by screen printing or the like. However, when the composition of the white ink or paint changes, the light reflectivity changes and the brightness is not uniform. If dust is mixed in white ink or paint or adheres to the printing surface or the coating surface, unexpected scattering of light is caused by the dust, and the planned brightness cannot be made uniform. Further, in the above-mentioned type of light guide plate, it is difficult to disperse the light diffusing agent in the substrate with high reproducibility even if the deflecting element is provided so as to have a predetermined density distribution.

【0006】以上の理由により、上記のタイプの導光
板、すなわち、導光板表面に光が散乱または反射される
ような凹凸部が設けられた導光板が、多くの液晶表示用
装置の背面照明装置に用いられている。
For the above reasons, the light guide plate of the above-mentioned type, that is, the light guide plate provided with the uneven portion for scattering or reflecting the light on the surface of the light guide plate, is used for the back lighting device of many liquid crystal display devices. Is used for.

【0007】のタイプの導光板の凹凸部は、導光板の
光が入射する側(光入射側)の凹凸部の密度が、光入射
側の反対側(反光入射側)の凹凸部の密度より粗になる
ように形成される。すなわち、導光板の光入射側の凹凸
部の密度が粗であり、導光板の反光入射側の凹凸部の密
度が密になるように形成される。この理由は、導光板に
入射して導光板を透過する光量が、光入射側から反光入
射側に行くにつれて減少するから、導光板の光源に近い
部分(光入射側)では、凹凸部の密度を低くして、拡散
する割合を低くし、光入射側から遠い反光入射側では、
凹凸部の密度を高くし、拡散する割合を高くするように
して、導光板の全面が均一な輝度となるようにするため
である。
In the uneven portion of the type of light guide plate, the density of the uneven portion of the light guide plate on the light incident side (light incident side) is higher than that of the uneven portion on the opposite side of the light incident side (anti-light incident side). It is formed to be rough. That is, the unevenness on the light incident side of the light guide plate is rough, and the unevenness on the non-light incident side of the light guide plate is dense. The reason for this is that the amount of light that enters the light guide plate and passes through the light guide plate decreases from the light incident side to the non-light incident side. To lower the diffusion rate, and on the side opposite to the light incident side far from the light incident side,
This is because the density of the uneven portion is increased and the diffusion ratio is increased so that the entire surface of the light guide plate has uniform brightness.

【0008】図8は、表面に偏向要素としての凹凸部を
有する導光板の一般的な製造工程を示す模式図である。
図中、81はガラス原盤、82はフォトレジスト層、8
2aは露光部、82bは未露光部、83はフォトマス
ク、83aは透過部、83bは遮光部、84は導電体
膜、85は電鋳体、87はスタンパ、88は導光板であ
る。
FIG. 8 is a schematic view showing a general manufacturing process of a light guide plate having an uneven portion as a deflecting element on the surface.
In the figure, 81 is a glass master, 82 is a photoresist layer, 8
Reference numeral 2a is an exposed portion, 82b is an unexposed portion, 83 is a photomask, 83a is a transmissive portion, 83b is a light shielding portion, 84 is a conductive film, 85 is an electroformed body, 87 is a stamper, and 88 is a light guide plate.

【0009】図8(A)に円盤状のガラス原盤81を示
す。ガラス原盤81は、片面が鏡面研磨され、洗浄され
ている。
FIG. 8A shows a disk-shaped glass master disk 81. One side of the glass master 81 is mirror-polished and washed.

【0010】図8(B)は、フオトレジスト層形成工程
を示す。表面を研磨した円盤状のガラス原盤81を、図
示しないスピンコート装置のターンテーブル上に載置
し、ポジ型フォトレジストをガラス原盤81の研磨した
面上に塗布し、フォトレジスト層82を形成する。
FIG. 8B shows a photoresist layer forming step. A disk-shaped glass master disk 81 whose surface has been polished is placed on a turntable of a spin coater (not shown), and a positive photoresist is applied to the polished surface of the glass master disk 81 to form a photoresist layer 82. .

【0011】図8(C)は、露光工程を示す。偏向要素
に対応する複数のパターン(以下「偏向パターン」とい
う。)が描写されたフォトマスク83を、フォトレジス
ト層82の表面に密着させる。フォトマスク83におい
て、偏向パターン部分は光を透過する透過部83aとし
て形成され、偏向パターン部分以外の領域は光を透過し
ない遮光部83bとして形成されている。フォトマスク
83の上面からフォトレジスト層82が感光する波長の
光を露光する。このとき、フォトレジスト層82の透過
部83aに対応する領域が感光され露光部82aとな
り、遮光部83bによって感光されない領域は未露光部
82bとなる。
FIG. 8C shows an exposure process. A photomask 83 having a plurality of patterns (hereinafter referred to as “deflection patterns”) corresponding to the deflection elements is adhered to the surface of the photoresist layer 82. In the photomask 83, the deflection pattern portion is formed as a light transmitting portion 83a that transmits light, and the area other than the deflection pattern portion is formed as a light shielding portion 83b that does not transmit light. The upper surface of the photomask 83 is exposed to light having a wavelength with which the photoresist layer 82 is exposed. At this time, a region of the photoresist layer 82 corresponding to the transmissive part 83a is exposed and becomes an exposed part 82a, and a region not exposed by the light shielding part 83b becomes an unexposed part 82b.

【0012】図8(D)は、現像工程を示す。露光され
たフォトレジスト層82が形成されたガラス原盤81を
現像装置に取り付け、フォトレジスト層82を現像液に
より現像し、純水により現像液を洗浄する。このとき、
露光工程で感光したフォトマスク83の偏向パターンに
対応したフォトレジスト層82の感光された領域である
露光部82aは除去され、ガラス原盤81上には未露光
部82bが残る。
FIG. 8D shows a developing process. The glass master 81 on which the exposed photoresist layer 82 is formed is attached to a developing device, the photoresist layer 82 is developed with a developing solution, and the developing solution is washed with pure water. At this time,
The exposed area 82a, which is the exposed area of the photoresist layer 82 corresponding to the deflection pattern of the photomask 83 exposed in the exposure step, is removed, and the unexposed area 82b remains on the glass master 81.

【0013】図8(E)は、導電体膜形成工程を示す。
現像工程において現像されて未露光部82bが残された
ガラス原盤81を、スパッタリング装置または蒸着装置
に取り付け、スパッタリング法または蒸着法により、ガ
ラス原盤81のフォトレジスト層の未露光部82bが形
成されている面上に、クロム(Cr),ニッケル(N
i)等の導電体膜84を形成する。
FIG. 8E shows a conductor film forming step.
The glass master 81, which has been developed in the developing step and has the unexposed portion 82b left, is attached to a sputtering device or an evaporation device, and the unexposed portion 82b of the photoresist layer of the glass master 81 is formed by a sputtering method or an evaporation method. Chrome (Cr), nickel (N
A conductor film 84 such as i) is formed.

【0014】図8(F)は、電鋳工程を示す。導電体膜
84が形成されたガラス原盤81を電鋳装置の陰極に取
り付け、ニッケル電鋳を施し、偏向パターンが転写され
た電鋳体85を形成する。電鋳体85の厚さは、約0.
1mm〜0.5mmである。
FIG. 8F shows an electroforming process. The glass master 81 having the conductor film 84 formed thereon is attached to the cathode of an electroforming apparatus, and nickel electroforming is performed to form an electroformed body 85 to which the deflection pattern is transferred. The thickness of the electroformed body 85 is about 0.
It is 1 mm to 0.5 mm.

【0015】図8(G)は、スタンパ加工工程を示す。
電鋳工程後、ガラス原盤81から電鋳体85を剥離し、
洗浄する。そして、電鋳体85の裏面研磨を施し、外周
を所望の形状に裁断加工し、スタンパ87を得る。
FIG. 8G shows a stamper working process.
After the electroforming step, the electroformed body 85 is peeled off from the glass master 81,
To wash. Then, the back surface of the electroformed body 85 is polished, and the outer periphery is cut into a desired shape to obtain a stamper 87.

【0016】図8(H)は、成形工程を示す。スタンパ
87は、射出成形機の金型内に取り付けられる。射出成
形機は、アクリル樹脂等の溶融樹脂をスタンパ87が取
り付けられた金型内に射出し、導光板88を成形する。
成形された導光板88は、金型内で冷却され、取り出さ
れる。
FIG. 8H shows a molding process. The stamper 87 is mounted in the mold of the injection molding machine. The injection molding machine injects a molten resin such as an acrylic resin into a mold to which a stamper 87 is attached to mold the light guide plate 88.
The formed light guide plate 88 is cooled in the mold and taken out.

【0017】また、特開平4−259938号公報に
は、情報記録体製作用のスタンパの製造方法が記載され
ている。この製造方法は、ガラス原盤の代わりにシリコ
ンウエハまたは金属板を用い、シリコンウエハまたは金
属板上にフォトレジスト層を形成し、パターンを露光、
現像した後、この現像されたフォトレジスト層をマスク
部材としてドライエッチングすることにより、シリコン
ウエハまたは金属板にパターンに対応した凹部を形成し
て母盤を得、当該母盤に電鋳を施してスタンパを得る方
法である。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 4-259938 discloses a method of manufacturing a stamper for manufacturing an information recording body. This manufacturing method uses a silicon wafer or a metal plate instead of the glass master, forms a photoresist layer on the silicon wafer or the metal plate, exposes the pattern,
After development, by dry etching using the developed photoresist layer as a mask member, a concave portion corresponding to the pattern is formed on the silicon wafer or the metal plate to obtain a mother board, and the mother board is electroformed. It is a way to get a stamper.

【0018】図8に示す従来の導光板用のスタンパの製
造方法、および、特開平4−259938号公報に開示
されている情報記録体製作用のスタンパ製造方法におい
ては、電鋳工程に要する時間が長く、製造コストが高い
という問題がある。導光板用のスタンパにおいては、約
0.1〜0.5mmの厚さが必要であるが、例えば、直
径200mm、厚さ0.3mmの電鋳体を得るためには
1時間以上の電鋳時間を要する。対角15インチの大型
液晶表示装置用の導光板のスタンパを作製するために
は、直径500mmのガラス原盤を用いる必要があり、
この場合、厚さ0.3mmの電鋳体を得るのに4時間以
上の電鋳時間を要するという問題がある。
In the conventional method of manufacturing a stamper for a light guide plate shown in FIG. 8 and the method of manufacturing a stamper for manufacturing an information recording body disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-259938, the time required for the electroforming step is shown. Is long and the manufacturing cost is high. A stamper for a light guide plate needs to have a thickness of about 0.1 to 0.5 mm. For example, in order to obtain an electroformed body having a diameter of 200 mm and a thickness of 0.3 mm, electroforming for 1 hour or more is required. It takes time. In order to manufacture a stamper of a light guide plate for a large liquid crystal display device having a diagonal of 15 inches, it is necessary to use a glass master having a diameter of 500 mm.
In this case, there is a problem that it takes 4 hours or more to form an electroformed body having a thickness of 0.3 mm.

【0019】また、特開平4−259938号公報に開
示されている情報記録体製作用のスタンパの製造方法
は、ドライエッチングをするために、現像されたフォト
レジスト層を十分に乾燥させる必要があり、120℃で
1時間にわたりフォトレジスト層をベーキングする必要
がある。さらに、大面積のシリコンウエハまたは金属板
を用いる場合、大型のドライエッチング装置が必要とな
り、設備コストが高くなるという問題がある。
Further, in the method of manufacturing a stamper for manufacturing an information recording body disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-259938, it is necessary to sufficiently dry the developed photoresist layer in order to carry out dry etching. It is necessary to bake the photoresist layer at 120 ° C. for 1 hour. Furthermore, when a large area silicon wafer or metal plate is used, a large dry etching apparatus is required, and there is a problem that equipment cost increases.

【0020】上述した電鋳時間の問題や、ドライエッチ
ングの問題を解決することができるスタンパの製造方法
を提案しており、この方法は、特開平2001−336
34号公報に開示されている。
A method for manufacturing a stamper has been proposed which can solve the problems of electroforming time and dry etching described above. This method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-336.
No. 34 publication.

【0021】図9は、上記特開平2001−33634
号公報に記載された導光板を製造するためのスタンパの
製造工程を示す模式図である。図中、91は導電性基
板、92はフォトレジスト層、92aは露光部、92b
は未露光部、93はフォトマスク、93aは透過部、9
3bは遮光部、94は光、95は電鋳部、96はスタン
パである。
FIG. 9 shows the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 2001-33634.
It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the stamper for manufacturing the light guide plate described in the publication. In the figure, 91 is a conductive substrate, 92 is a photoresist layer, 92a is an exposed portion, and 92b.
Is an unexposed portion, 93 is a photomask, 93a is a transmissive portion, 9
3b is a light shielding part, 94 is light, 95 is an electroformed part, and 96 is a stamper.

【0022】図9(A)は、導電性基板91を示す。図
9(B)は、フォトレジスト形成工程を示す。導電性基
板91上に、スピンコート法,噴霧コート法,ロールコ
ート法,ディップ法等によりポジ型フォトレジストを塗
布し、フォトレジスト層92を形成する。この際、フォ
トレジスト層92の厚さは、得ようとする導光板の偏向
パターンの深さ(高さ)よりも厚くなるように形成す
る。後述するように、導光板の偏向パターンに対応する
スタンパの偏向パターンの高さは、電鋳体がスタンパ上
に積層する高さにより決まる。フォトレジスト層92
は、得ようとする導光板の偏向パターンの深さ(高さ)
よりも厚く形成されればよく、精度の高いフォトレジス
ト層92の膜厚制御は不要であるという利点がある。
FIG. 9A shows a conductive substrate 91. FIG. 9B shows a photoresist forming process. A positive photoresist is applied on the conductive substrate 91 by a spin coat method, a spray coat method, a roll coat method, a dip method or the like to form a photoresist layer 92. At this time, the photoresist layer 92 is formed to be thicker than the depth (height) of the deflection pattern of the light guide plate to be obtained. As will be described later, the height of the deflection pattern of the stamper corresponding to the deflection pattern of the light guide plate is determined by the height at which the electroformed body is stacked on the stamper. Photoresist layer 92
Is the depth (height) of the deflection pattern of the light guide plate to be obtained
The thickness of the photoresist layer 92 need only be made thicker, and it is not necessary to control the thickness of the photoresist layer 92 with high accuracy.

【0023】図9(C)は、露光工程を示す。複数の偏
向パターンが透過部93aとして描写されたフォトマス
ク93を、フォトレジスト層92の表面に密着させ、フ
ォトマスク93の上面からフォトレジスト層92が感光
する波長の光(紫外線(UV)光)94で露光する。こ
のとき、フォトレジスト層92の透過部93aに対応し
た領域の部分が感光して露光部92aとなり、それ以外
の遮光部93bに対応した部分は未露光部92bとな
る。次に、必要に応じてベイク処理をする。
FIG. 9C shows an exposure process. A photomask 93 in which a plurality of deflection patterns are drawn as the transmissive portions 93a is brought into close contact with the surface of the photoresist layer 92, and light having a wavelength with which the photoresist layer 92 is exposed from the upper surface of the photomask 93 (ultraviolet (UV) light). It exposes at 94. At this time, the portion of the photoresist layer 92 corresponding to the transmissive portion 93a is exposed to light to become an exposed portion 92a, and the other portion corresponding to the light shielding portion 93b becomes an unexposed portion 92b. Next, baking processing is performed as needed.

【0024】図9(D)は、現像工程を示す。露光され
たフォトレジスト層92が形成された導電性基板91を
現像装置に取り付け、フォトレジスト層92を現像液に
より現像し、純水により現像液を洗浄する。このとき、
露光工程で感光されたフォトマスクの偏向パターンに対
応したフォトレジスト層92の露光部92aは除去さ
れ、導電性基板91上には未露光部92bが残る。
FIG. 9D shows the developing process. The conductive substrate 91 on which the exposed photoresist layer 92 is formed is attached to a developing device, the photoresist layer 92 is developed with a developing solution, and the developing solution is washed with pure water. At this time,
The exposed portion 92a of the photoresist layer 92 corresponding to the deflection pattern of the photomask exposed in the exposure step is removed, and the unexposed portion 92b remains on the conductive substrate 91.

【0025】図9(E)は、電鋳工程を示す。現像工
程、表面処理工程を経た導電性基板91を電鋳装置の陰
極に取り付け、ニッケル電鋳を施し、露光部92aが除
去された部分、すなわち、偏向パターンに対応した領域
に電鋳部95を形成する。
FIG. 9E shows an electroforming process. The electroconductive substrate 91 that has undergone the developing process and the surface treatment process is attached to the cathode of the electroforming apparatus, nickel electroforming is performed, and the electroformed portion 95 is formed in a portion where the exposed portion 92a is removed, that is, a region corresponding to the deflection pattern. Form.

【0026】一般的なスタンパの製造方法においては、
電鋳体の厚さが、スタンパの厚さ(一般的に0.1〜
0.5mm)となるまで電鋳を行う必要があったが、こ
のスタンパの製造方法によれば、電鋳部95の厚さが導
光板の偏向パターンの高さとなるまで電鋳を行えばよ
く、電鋳に費やす時間は、例えば、数十分程度でよい。
In a general stamper manufacturing method,
The thickness of the electroformed body is the thickness of the stamper (generally 0.1 to
It was necessary to perform electroforming until the thickness became 0.5 mm). However, according to this stamper manufacturing method, electroforming may be performed until the thickness of the electroformed portion 95 reaches the height of the deflection pattern of the light guide plate. The time spent for electroforming may be, for example, about tens of minutes.

【0027】図9(F)は、スタンパ洗浄工程を示す。
電鋳工程を経た導電性基板91をフォトレジストリムー
バ,アセトン,アルコール等によりスタンパ表面のフォ
トレジストを除去する。次に、所望の形状に加工するこ
とによりスタンパ96を得ることができる。
FIG. 9F shows the stamper cleaning process.
The photoresist on the surface of the stamper is removed from the conductive substrate 91 that has undergone the electroforming process by using a photoresist remover, acetone, alcohol or the like. Next, the stamper 96 can be obtained by processing into a desired shape.

【0028】図9に示すスタンパの製造工程では、ドラ
イエッチング等の特殊な設備を必要とせず、スタンパの
製造に要する時間を短縮することが可能であるが、電鋳
で凹凸部を形成する場合、電鋳厚さの不均一性から偏向
パターンの高さがばらついてしまうという問題がある。
これは、陽極と陰極との物理的位置による電流密度分布
のバラツキであり、換言すれば、陽極から導電性を有す
る基板上の電鋳部までの浴の抵抗値の違いが原因であ
る。この抵抗値の違いは、めっき浴の組成(不純物も含
む)、浴温、pH、電流密度により決まってくる。
In the stamper manufacturing process shown in FIG. 9, it is possible to shorten the time required for manufacturing the stamper without requiring special equipment such as dry etching, but in the case of forming the uneven portion by electroforming. However, there is a problem that the height of the deflection pattern varies due to the nonuniformity of the electroformed thickness.
This is a variation in the current density distribution depending on the physical positions of the anode and the cathode. In other words, it is due to the difference in the resistance value of the bath from the anode to the electroformed portion on the conductive substrate. This difference in resistance value is determined by the composition of the plating bath (including impurities), bath temperature, pH, and current density.

【0029】ドットの断面形状は、図2(B)に示すよ
うな凹型のドット、図2(C)に示すような凸型のドッ
トがある。このようなドットを使用した場合、導光板の
光入射側の凹凸部の密度が粗であり、導光板の反光入射
側の凹凸部の密度が密になるように形成さされていて
も、ドットの高さが一定でなければ、輝度分布が均一に
ならない。したがって、電鋳厚さの不均一性によって、
凹凸部の高さがばらついてしまうと、輝度分布にむらが
生じてしまう。
The cross-sectional shape of the dot includes a concave dot as shown in FIG. 2 (B) and a convex dot as shown in FIG. 2 (C). When such dots are used, the density of the irregularities on the light-incident side of the light guide plate is rough, and the density of the irregularities on the light-incident side of the light guide plate is high. If the height is not constant, the luminance distribution will not be uniform. Therefore, due to the non-uniformity of electroforming thickness,
If the heights of the uneven portions vary, the luminance distribution becomes uneven.

【0030】図3は、直径500mmのニッケル基板上
に、一般的なスルファミン酸ニッケル浴での条件(ニッ
ケルイオン濃度400g/リットル、浴温50℃、pH
4、電流密度2.5A/dm2 )で、2時間電鋳した時
の電鋳厚さ分布を示す線図である。縦軸は電鋳厚さ(μ
m)、横軸は中心を0として直径に沿う断面位置を±2
50mmで表している。中央は均一の厚さに電鋳されて
いるが、端部の方は厚めになっていることが分かる。
FIG. 3 shows conditions of a general nickel sulfamate bath (nickel ion concentration 400 g / liter, bath temperature 50 ° C., pH) on a nickel substrate having a diameter of 500 mm.
FIG. 4 is a diagram showing an electroformed thickness distribution when electroformed for 2 hours at a current density of 2.5 A / dm 2 ). The vertical axis is the electroformed thickness (μ
m), the horizontal axis has a center of 0 and the cross-sectional position along the diameter is ± 2
It is represented by 50 mm. It can be seen that the center is electroformed with a uniform thickness, but the ends are thicker.

【0031】図4は、電鋳した時の電流分布を説明する
ための断面模式図である。図中、41はメッキ液、42
はメッキ槽、43は陰極、44は陽極、45は直流電
源、46は電流分布である。メッキ液41を満たしたメ
ッキ槽42に、電鋳面を陰極43とし、溶解性ニッケル
を陽極44として、直流電源45を印加してメッキを行
なう。電流密度は、図に示すように、陰極43の端部に
おいて高くなる。その結果、電鋳厚さにバラツキを生じ
る。
FIG. 4 is a schematic sectional view for explaining a current distribution when electroforming. In the figure, 41 is a plating solution, 42
Is a plating tank, 43 is a cathode, 44 is an anode, 45 is a DC power supply, and 46 is a current distribution. In a plating tank 42 filled with the plating solution 41, the electroformed surface is used as a cathode 43, soluble nickel is used as an anode 44, and a DC power supply 45 is applied to perform plating. The current density is high at the end of the cathode 43, as shown in the figure. As a result, the electroformed thickness varies.

【0032】図9に示す方法でスタンパを作製する場
合、凹凸パターンの密度差や物理的位置により、電流分
布に偏りが生じる。凹凸パターンが密なところは、電鋳
面積が広く、凹凸パターンの凹凸部1つあたりの電流密
度は低くなって、電鋳量は少なくなり、凹凸部の高さは
小さくなる。凹凸パターンが疎なところは、電鋳面積が
小さくなり、凹凸パターンの凹凸部1つあたりの電流密
度は高くなって、電鋳量は多くなり、凹凸部の高さは大
きくなる。凹凸パターンの端部は、電流が回りこんでく
るものがあるため、電流分布密度は高くなる。そのた
め、凹凸パターンの中央部に比べて凹凸部の高さが高く
なり、高さのバラツキが発生するという問題がある。
When the stamper is manufactured by the method shown in FIG. 9, the current distribution is biased due to the difference in the density of the concavo-convex pattern and the physical position. Where the uneven pattern is dense, the electroformed area is large, the current density per uneven part of the uneven pattern is low, the electroforming amount is small, and the height of the uneven part is small. Where the uneven pattern is sparse, the electroformed area becomes small, the current density per uneven part of the uneven pattern becomes high, the electroforming amount becomes large, and the height of the uneven part becomes large. At some ends of the uneven pattern, current flows in, so the current distribution density is high. Therefore, the height of the uneven portion becomes higher than that of the central portion of the uneven pattern, and there is a problem in that the height varies.

【0033】[0033]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した事
情に鑑みてなされたもので、導光板を作製するスタンパ
において、作製される導光板の凹凸部の高さにばらつき
がなく、輝度むらや輝度低下が生じない導光板を作製す
るためのスタンパの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and in a stamper for manufacturing a light guide plate, there is no unevenness in the height of the uneven portion of the light guide plate to be manufactured, and the unevenness of brightness is obtained. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a stamper for manufacturing a light guide plate that does not cause a decrease in brightness.

【0034】[0034]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、導光板を作製するスタンパの製造方法において、導
電性を有する基板の一方の面にフォトレジスト層を形成
するフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジスト層
を作製される導光板の光入射側と反光入射側とで凹凸部
の密度が異なる凹凸パターンとなるようなパターンを有
するフォトマスクを用いて露光する露光工程と、前記フ
ォトレジスト層を現像する現像工程と、前記凹凸パター
ンが形成された範囲以外の前記導電性を有する基板上で
あって、作製される導光板の反光入射側に対応する側を
除く以外の部分にダミー電鋳部を形成するダミー電鋳部
形成工程と、前記導電性を有する基板上に前記フォトレ
ジスト層の凹凸パターンに従って電鋳部を形成する電鋳
工程を有し、該電鋳工程において形成される電鋳部の高
さは、作製される導光板の凹凸部の高さが同じとなるよ
うな高さであることを特徴とするものである。
According to a first aspect of the invention, in a method of manufacturing a stamper for manufacturing a light guide plate, a photoresist forming step of forming a photoresist layer on one surface of a substrate having conductivity. An exposure step of exposing using a photomask having a pattern such that the light-incident side and the non-light-incident side of the light guide plate on which the photoresist layer is formed are uneven patterns having different unevenness densities; A development process for developing a layer and a dummy electrode are provided on a portion of the conductive substrate other than the area where the concave-convex pattern is formed, except for the side corresponding to the non-light incident side of the light guide plate to be manufactured. A dummy electroformed portion forming step of forming a cast portion; and an electroformed step of forming an electroformed portion according to the uneven pattern of the photoresist layer on the conductive substrate, The height of the electroformed part formed in extent are those heights of the concavo-convex portion of the light guide plate to be manufactured is characterized in that it is a kind of height the same.

【0035】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のスタンパの製造方法において、前記ダミー電鋳部に相
当するパターンを前記フォトマスクにあらかじめ形成し
ておくことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the stamper manufacturing method according to the first aspect, a pattern corresponding to the dummy electroformed portion is formed in advance on the photomask. is there.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】図1は、導光板を製造するための
本発明のスタンパの製造工程の実施の形態の一例を説明
するための模式図である。図中、11は導電性基板、1
2はフォトレジスト層、12aは露光部、12bは未露
光部、13はフォトマスク、13aは遮光部、13bは
透過部、14はUV光、15は電鋳部、16はスタンパ
である。
1 is a schematic diagram for explaining an example of an embodiment of a manufacturing process of a stamper of the present invention for manufacturing a light guide plate. In the figure, 11 is a conductive substrate, 1
2 is a photoresist layer, 12a is an exposed part, 12b is an unexposed part, 13 is a photomask, 13a is a light shielding part, 13b is a transmissive part, 14 is UV light, 15 is an electroformed part, and 16 is a stamper.

【0037】図1(A)は、導電性基板11を示す。こ
の実施の形態では、導電性基板11としてニッケル板を
用いた。導電性基板としては、ニッケル以外の金属基板
を用いてもよく、あるいは、ガラス原盤等の絶縁性の基
板の片面に導電性を有する金属等の被膜を形成したもの
を用いてもよい。導電性基板は、この実施の形態では、
直径500mmの円形で、板厚0.3mmの両面研磨さ
れ、算術平均粗さ0.01μm以下の導電性基板を使用
したが、この寸法に限られるものではない。
FIG. 1A shows the conductive substrate 11. In this embodiment, a nickel plate is used as the conductive substrate 11. As the conductive substrate, a metal substrate other than nickel may be used, or an insulating substrate such as a glass master having a conductive metal film formed on one surface may be used. In this embodiment, the conductive substrate is
Although a conductive substrate having a circular shape with a diameter of 500 mm and a plate thickness of 0.3 mm and having an arithmetic average roughness of 0.01 μm or less was used, the size is not limited to this.

【0038】図1(B)は、フォトレジスト形成工程を
示す。ニッケル板を用いた導電性基板11をスピンコー
ト装置に取り付け、ネガ型フオトレジスト(日本ゼオン
社製ZPN1100)を280rpmで塗布し、ニッケ
ル板全面にレジストをコートする。この時点でレジスト
は液状であり表面は波紋ができているため、5分間平坦
なところに放置し、レジスト面が平坦で膜厚が一定にな
るようにする。これを80℃で、30分ベイクし完全乾
燥させる。こうして厚さ10μmのフォトレジスト層1
2を形成する。この際、フォトレジスト層12の厚さ
は、得ようとする導光板の偏向パターンの高さよりもや
や高くする。
FIG. 1B shows a photoresist forming process. The conductive substrate 11 using a nickel plate is attached to a spin coater, a negative type photo resist (ZPN1100 manufactured by Zeon Corporation) is applied at 280 rpm, and the entire surface of the nickel plate is coated with the resist. At this point, the resist is in a liquid state and has ripples on the surface, so that the resist surface is left flat for 5 minutes so that the resist surface is flat and the film thickness is constant. This is baked at 80 ° C. for 30 minutes to be completely dried. Thus, the photoresist layer 1 having a thickness of 10 μm
Form 2. At this time, the thickness of the photoresist layer 12 is made slightly higher than the height of the deflection pattern of the light guide plate to be obtained.

【0039】なお、フォトレジスト層12の形成は、ス
ピンコート法に限られるものではなく、噴霧コート法,
ロールコート法,ディップ法等を用いてもよい。また、
フォトレジストは、ネガ型を用いたがポジ型でもよい。
しかし、ネガ型が好ましい。本発明においても、フォト
レジスト層12は、得ようとする導光板の偏向パターン
の深さ(高さ)よりも厚く形成されればよく、精度の高
いフォトレジスト層12の膜厚制御は不要であるという
利点がある。
The formation of the photoresist layer 12 is not limited to the spin coating method, but the spray coating method,
A roll coat method, a dip method or the like may be used. Also,
The photoresist is a negative type, but may be a positive type.
However, the negative type is preferred. Also in the present invention, the photoresist layer 12 may be formed thicker than the depth (height) of the deflection pattern of the light guide plate to be obtained, and it is not necessary to precisely control the thickness of the photoresist layer 12. There is an advantage.

【0040】図1(C)は、露光工程を示す。露光に用
いるフォトマスクのパターンは、作製される導光板の光
入射側の凹凸部の密度が、光入射側の反対側(反光入射
側)の凹凸部の密度より粗になるように形成されたパタ
ーンである。すなわち、導光板の光入射側の凹凸部の密
度が粗であり、導光板の反光入射側にいくにつれて凹凸
部の密度が密になるように形成されたパターンである。
このパターンが描写されたフォトマスク13を、フォト
レジスト層12の表面に密着させる。フォトマスク13
において、偏向パターンは、後述するUV光14を透過
しない遮光部13aとそれ以外の部分はUV光14を透
過する透過部13bにより構成されている。この実施の
形態では、10インチのフォトマスク13を使用してい
る。そして、フォトマスク13の上面からフォトレジス
ト層12が感光する波長の光であるUV光(紫外線)1
4で露光する。このとき、フォトレジスト層12の遮光
部13aに対応する領域以外の透過部13bに対応する
領域が感光して露光部12aとなるが、遮光部に13a
によって遮光された領域は未露光部12bとなる。次
に、オーブンに入れて、PEB(POST EXPOS
URE BAKE)を90℃で5分行なう。このとき露
光部12aでは露光により発生した触媒によって架橋反
応が起こり、露光部12aが現像液に不溶になる。
FIG. 1C shows an exposure process. The pattern of the photomask used for the exposure was formed so that the density of the irregularities on the light-incident side of the light guide plate to be manufactured was rougher than the density of the irregularities on the side opposite to the light-incident side (anti-light-incident side). It is a pattern. That is, the pattern is formed such that the unevenness of the light-incident side of the light guide plate is rough and the density of the unevenness becomes denser toward the non-light-incident side of the light guide plate.
The photomask 13 on which this pattern is drawn is brought into close contact with the surface of the photoresist layer 12. Photo mask 13
In the above, the deflection pattern is composed of a light-shielding portion 13a which does not transmit the UV light 14 which will be described later and a transmission portion 13b which transmits the UV light 14 in the other portions. In this embodiment, a 10-inch photomask 13 is used. Then, UV light (ultraviolet light) 1 which is light having a wavelength that the photoresist layer 12 sensitizes from the upper surface of the photomask 13
Exposure at 4. At this time, the region corresponding to the transmissive portion 13b other than the region corresponding to the light shielding portion 13a of the photoresist layer 12 is exposed to light and becomes the exposure portion 12a.
The area shielded by becomes the unexposed portion 12b. Next, put it in the oven and put PEB (POST EXPOS
URE BAKE) at 90 ° C. for 5 minutes. At this time, in the exposed portion 12a, a crosslinking reaction occurs due to the catalyst generated by the exposure, and the exposed portion 12a becomes insoluble in the developing solution.

【0041】図1(D)は、現像工程を示す。露光工程
と、PEBを経たニッケル板11を現像装置に取り付
け、現像液により露光されなかったフォトレジスト層1
2を現像し、純水により現像液を洗浄する。このとき、
露光工程でUV光14に感光しなかったフォトレジスト
層12の未露光部12bは除去され、ニッケル板11上
には露光部12aが残る。
FIG. 1D shows the developing process. Photoresist layer 1 which was not exposed by the developing solution by attaching the nickel plate 11 that has undergone the exposure process and PEB to the developing device.
2 is developed and the developer is washed with pure water. At this time,
The unexposed portion 12b of the photoresist layer 12 that was not exposed to the UV light 14 in the exposure step is removed, and the exposed portion 12a remains on the nickel plate 11.

【0042】図1(E)は、電鋳工程である。フォトレ
ジスト層12がパターニングされた導電性基板11の余
分な水分を除去するため、80℃で30分ベイクする。
その後、電鋳して凹凸パターンが作製されるが、電鋳工
程について、図5〜図7を参照して説明する。
FIG. 1E shows an electroforming process. In order to remove excess water from the conductive substrate 11 having the patterned photoresist layer 12, baking is performed at 80 ° C. for 30 minutes.
After that, an electrocasting is performed to form an uneven pattern. The electrocasting process will be described with reference to FIGS. 5 to 7.

【0043】図5は、電鋳工程に適用される導電性基板
の説明図である。図中、51は導電性基板、52は凹凸
パターン形成領域、53はダミー電鋳部、54はフォト
レジスト層、55は入射光側、56は反入射光側、57
はスタンパ切断線である。
FIG. 5 is an explanatory view of a conductive substrate applied to the electroforming process. In the figure, 51 is a conductive substrate, 52 is a concavo-convex pattern forming region, 53 is a dummy electroformed part, 54 is a photoresist layer, 55 is an incident light side, 56 is an anti-incident light side, 57.
Is a stamper cutting line.

【0044】現像工程を経た導電性基板51上には、凹
凸パターン、この例では、凸部を形成するドットに対応
する部分が、フォトレジスト層が除去された凹凸パター
ン形成領域52として形成され、仮電鋳面であるダミー
電鋳部53が導電部分として露出されている。それ以外
の領域は、露光部が現像されてフォトレジスト層54が
残されている。ダミー電鋳部53は、凹凸パターン形成
領域52に応じて作製される導光板の入射光側55およ
び両側部を取り囲むように設けられ、反入射光側56に
は設けられない。なお、スタンパ切断線57は、フォト
マスクに凹凸パターンとともに印刷された切断線パター
ンをフォトレジスト層54に、露光・現像して形成した
線である。
On the conductive substrate 51 that has undergone the development process, a concave / convex pattern, in this example, a portion corresponding to a dot forming a convex portion is formed as a concave / convex pattern forming region 52 from which the photoresist layer is removed, The dummy electroformed portion 53, which is a temporary electroformed surface, is exposed as a conductive portion. In the other regions, the exposed portion is developed and the photoresist layer 54 remains. The dummy electroformed portion 53 is provided so as to surround the incident light side 55 and both side portions of the light guide plate manufactured corresponding to the uneven pattern formation region 52, and is not provided on the counter incident light side 56. The stamper cutting line 57 is a line formed by exposing and developing the cutting line pattern printed on the photomask together with the concavo-convex pattern on the photoresist layer 54.

【0045】導電性基板51へのダミー電鋳部53の形
成は、 フォトマスクに凹凸パターンと共にダミー電鋳パター
ンを印刷しておく方法 導電性基板のダミー電鋳部を形成する領域のフォトレ
ジスト層を除去する方法 別体で設けた導電性の治具をダミー電鋳部とする方法 などの方法により導電性基板51に導通した領域が形成
されればよいのである。
The dummy electroformed portion 53 is formed on the conductive substrate 51 by printing the dummy electroformed pattern together with the concavo-convex pattern on the photomask. The photoresist layer in the region where the dummy electroformed portion of the conductive substrate is formed. It is only necessary to form the region electrically connected to the conductive substrate 51 by a method such as a method in which a conductive jig provided separately is used as a dummy electroformed portion.

【0046】の方法は、フォトマスクのダミー電鋳部
に対応する部分にダミー電鋳パターンを予め印刷し、そ
のフォトマスクを導電性基板に密着させて露光して、導
電性基板に凹凸パターンと共にダミー電鋳部を形成する
方法である。
In the method, the dummy electroformed pattern is printed in advance on the portion corresponding to the dummy electroformed portion of the photomask, the photomask is brought into close contact with the conductive substrate and exposed, and the conductive substrate and the concavo-convex pattern are formed together. This is a method of forming a dummy electroformed part.

【0047】また、の方法は、導電性基板上のダミー
電鋳部上のフォトレジスト層を、フォトレジストリムー
バ、アセトン、アルコール等の溶剤で除去したり、研磨
等により削り取り、露出された導電性基板面をダミー電
鋳部とする方法である。
In the method (1), the exposed photoresist layer is removed by removing the photoresist layer on the dummy electroformed portion on the conductive substrate with a solvent such as photoresist remover, acetone, alcohol, etc. In this method, the substrate surface is used as a dummy electroformed part.

【0048】の方法は、電鋳工程のときスタンパ形状
の端面であるスタンパ切断線57の一部の面もしくは外
側一面の形状をした導電性治具をあらかじめ作製し、こ
れを凹凸パターンを作製した導電性基板51と重ねて、
端面に金具を装着し通電をとり、その治具表面をダミー
電鋳部とする方法である。
In the method of (1), a conductive jig having a shape of a part of the stamper cutting line 57, which is the end surface of the stamper shape, or the outside one surface at the time of the electroforming step is prepared in advance, and an uneven pattern is formed. Overlap with the conductive substrate 51,
This is a method in which a metal fitting is attached to the end surface to energize, and the jig surface is used as a dummy electroformed part.

【0049】図6は、電鋳装置を説明するための概略構
成図である。図中、61は調整槽、62はポンプ、63
はフィルタ、64は電鋳槽、65は電鋳液排出管、66
は陰極先端治具、67はアノードケース、68は導電性
基板、69は通電シャフトである。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram for explaining the electroforming apparatus. In the figure, 61 is an adjusting tank, 62 is a pump, 63
Is a filter, 64 is an electroforming tank, 65 is an electroforming liquid discharge pipe, 66
Is a cathode tip jig, 67 is an anode case, 68 is a conductive substrate, and 69 is an energizing shaft.

【0050】調整槽61よりポンプ62で汲み上げられ
た電鋳液はフィルタ63でろ過され、電鋳槽64に送ら
れる。送られた電鋳液は、電鋳槽64内でオーバーフロ
ーし、電鋳液排出管65を通って調整槽61に戻る。調
整槽61には、ヒータおよび冷却器が配設されており、
ここで温度調整された後、再び電鋳槽64へ送られる。
The electroforming liquid pumped up by the pump 62 from the adjusting tank 61 is filtered by the filter 63 and sent to the electroforming tank 64. The sent electroforming liquid overflows in the electroforming liquid 64 and returns to the adjusting tank 61 through the electroforming liquid discharge pipe 65. The adjusting tank 61 is provided with a heater and a cooler,
After the temperature is adjusted here, it is sent to the electroforming tank 64 again.

【0051】電鋳槽64の内部は、カソード先端の陰極
先端治具66とアノードケース67が対抗して設置され
ている。陰極先端治具66には、電鋳が行なわれる電鋳
対象物である導電性基板68が取り付けらている。アノ
ードケース67内には、粒状のニッケルが充填されてい
る。電流は、電源からアノードケース67、電鋳液を経
て、導電性基板68の表面に至り、ニッケルを析出す
る。さらに、通電シャフト69を経て電源に戻る。通電
シャフト69および陰極先端治具66は、導電性基板6
8の露出された導電面の表面にまんべんなく電鋳が行わ
れるように電鋳槽64内で回転する。
Inside the electroforming tank 64, a cathode tip jig 66 at the cathode tip and an anode case 67 are installed opposite to each other. On the cathode tip jig 66, a conductive substrate 68, which is an electroformed object to be electroformed, is attached. The anode case 67 is filled with granular nickel. The electric current reaches the surface of the conductive substrate 68 from the power source through the anode case 67 and the electroforming liquid, and deposits nickel. Further, it returns to the power source via the energizing shaft 69. The energizing shaft 69 and the cathode tip jig 66 are connected to the conductive substrate 6
It is rotated in the electroforming tank 64 so that the exposed conductive surface of 8 is uniformly electroformed.

【0052】図7(A)は、図6の電鋳装置における作
用の説明図である。図中、71は凹凸パターン形成領
域、72はダミー電鋳部、73は導電性基板、74はレ
ジストマスク、75は電流密度分布である。
FIG. 7A is an explanatory view of the operation in the electroforming apparatus of FIG. In the figure, 71 is an uneven pattern forming region, 72 is a dummy electroformed part, 73 is a conductive substrate, 74 is a resist mask, and 75 is a current density distribution.

【0053】導電性基板73をカソードとして、アノー
ドに対面するよう設置する。電鋳は、例えば、スルファ
ミン酸ニッケル浴で、スルファミン酸ニッケル450g
/l、ホウ酸30g/l、pH4.0、浴温50℃、電
流値0.5A、40分間電鋳を行ない、電鋳部を高さ8
μmに形成する。電鋳は、レジストマスク(フォトレジ
スト層の露光部)の除去された部分にニッケルがメッキ
されることにより行なわれるが、そのメッキ厚さは、電
流密度分布に依存する。電流密度分布は、凹凸パターン
形成領域71のダミー電鋳部72が設けられた側は、ダ
ミー電鋳部72を含めた電鋳面積比により、電流がダミ
ー電鋳部72側に引かれ、電流密度分布75はほぼ均一
になる。凹凸パターン形成領域71のダミー電鋳部72
が設けられていない側、すなわち、凹凸パターンが反光
入射側では、電流をそらす要因となるダミー電鋳部72
がないため、電流密度分布75は密になる。反光入射側
では、凹凸部の密度が高いため、個々の凹凸部に対する
電流密度が小さくなるが、ダミー電鋳部72がないこと
により、電流密度を高くして、個々の凹凸部に対する電
流密度を全体として同じにできる。
The conductive substrate 73 is set as a cathode so as to face the anode. Electroforming is, for example, with a nickel sulfamate bath, nickel sulfamate 450 g
/ L, boric acid 30g / l, pH 4.0, bath temperature 50 ° C, current value 0.5A, electroforming is carried out for 40 minutes, and the height of electroformed part is 8
formed to a thickness of μm. Electroforming is performed by plating nickel on the removed portion of the resist mask (exposed portion of the photoresist layer), and the plating thickness depends on the current density distribution. Regarding the current density distribution, on the side where the dummy electroformed portion 72 of the uneven pattern forming region 71 is provided, the current is drawn to the dummy electroformed portion 72 side due to the electroforming area ratio including the dummy electroformed portion 72, The density distribution 75 becomes almost uniform. Dummy electroformed part 72 of the uneven pattern forming region 71
On the side where no pattern is provided, that is, on the side where the concavo-convex pattern is incident on the opposite side of the light, the dummy electroformed part 72 that causes a current diversion is formed.
Therefore, the current density distribution 75 becomes dense. On the side opposite to the incident light side, the density of the uneven portions is high, so the current density for each uneven portion is small, but the current density for each uneven portion is increased by the absence of the dummy electroformed portion 72. Can be the same as a whole.

【0054】通常、電鋳時の電流値は、約50Aと大電
流を使用するが、ここでは電鋳部の高さを容易に制御で
き、なおかつ電鋳部の表面の粗さを小さくするため低電
流を使用する。電鋳物としてはニッケル以外、例えばク
ロム、銅等の金属を用いることができる。この実施の形
態では、電鋳部が導光体の凹凸パターンに対応する。一
般的に、導光体の凹凸パターンの高さは、2〜50μm
程度が適正である。したがって、電鋳体の厚さが2〜5
0μmの範囲の所望の高さとなるまでニッケル電鋳を行
なう。
Normally, a large current of about 50 A is used during electroforming, but here the height of the electroformed part can be easily controlled and the surface roughness of the electroformed part is reduced. Use low current. Other than nickel, for example, a metal such as chromium or copper can be used as the electroformed product. In this embodiment, the electroformed portion corresponds to the uneven pattern of the light guide. Generally, the height of the uneven pattern of the light guide is 2 to 50 μm.
The degree is appropriate. Therefore, the thickness of the electroformed body is 2 to 5
Nickel electroforming is carried out to a desired height in the range of 0 μm.

【0055】凹凸パターンの密度分布を図7(B)に示
す。入射光側は、凹凸パターンの密度が低いため電流が
集中しやすい。そのため、電流を外側に逃がすためダミ
ー電鋳部72を凹凸パターンの入射光側に設けたのであ
る。反入射光側は、凹凸パターンの密度が高いため電流
密度が低くなる。そのため、ダミー電鋳部を設けずに、
端部で電流が集中しやすいことを利用して、個々の凹凸
部における電流密度を全体として同じにできるようにし
たのである。このような電流密度分布で電鋳されること
で、凹凸パターン形成領域71における凹凸パターンの
高さを一定にできる。なお、この明細書では、凹凸パタ
ーンの高さとは、凸部の場合には、凸部の高さであり、
凹部の場合は、凹部の深さである。したがって、凹部に
ついていえば、凹凸部の高さが高いことは、凹部の深さ
が深いことである。
The density distribution of the uneven pattern is shown in FIG. On the incident light side, the density of the concave-convex pattern is low, so that current is likely to concentrate. Therefore, in order to let the current escape to the outside, the dummy electroformed portion 72 is provided on the incident light side of the concavo-convex pattern. On the side of the non-incident light, the current density is low because the uneven pattern has a high density. Therefore, without providing a dummy electroformed part,
By making use of the fact that the current is easily concentrated at the end portions, the current density in each uneven portion can be made the same as a whole. By electroforming with such a current density distribution, the height of the uneven pattern in the uneven pattern forming region 71 can be made constant. In this specification, the height of the concavo-convex pattern means the height of the convex portion in the case of the convex portion,
In the case of a recess, it is the depth of the recess. Therefore, as for the concave portion, the high height of the concave-convex portion means that the depth of the concave portion is large.

【0056】以上が、図1(E)の電鋳工程である。The above is the electroforming step of FIG. 1 (E).

【0057】図1(F)のスタンパ洗浄工程において
は、電鋳工程を経た導電性基板をフォトレジストリムー
バ、アセトン、アルコール等によりある程度、フォトレ
ジスト層12を除去した後、仕上げとして酸素アッシン
グを、酸素ガス圧0.5Pa、アッシング電力500W
で、3分間行ない、スタンパ16の表面のフォトレジス
ト層12を完全に除去する。次に、所望の形状に加工す
ることにより、凹凸パターンの高さが一定のスタンパを
得ることができる。このスタンパを用いて射出成形する
と凹凸パターンの高さ(この例では、深さ)が一定の凹
凸パターンが作製でき、輝度むらのない導光板となる。
In the stamper cleaning step of FIG. 1 (F), after removing the photoresist layer 12 to some extent by a photoresist remover, acetone, alcohol, or the like on the conductive substrate that has undergone the electroforming step, oxygen ashing is performed as a finish. Oxygen gas pressure 0.5Pa, ashing power 500W
Then, for 3 minutes, the photoresist layer 12 on the surface of the stamper 16 is completely removed. Next, a stamper having a constant height of the concavo-convex pattern can be obtained by processing the stamper into a desired shape. When injection molding is performed using this stamper, an uneven pattern having a constant height (depth in this example) of the uneven pattern can be produced, and a light guide plate having no uneven brightness is obtained.

【0058】なお、図1で説明したスタンパ製造方法に
おいて、現像工程と電鋳工程との間に、表面処理工程を
設けてもよい。表面処理工程は、まず、ニッケル板をア
ッシング装置に取り付け、酸素アッシングやUVオゾン
アッシング処理を行い、現像によりフォトレジスト層が
除去されることにより露出したニッケル板の表面に残っ
たレジスト残渣を除去する。続いて、ニッケル板を希硫
酸溶液中に浸し、現像によりフォトレジスト層が除去さ
れることにより露出したニッケル板の表面に形成された
酸化膜を除去する。このような処理を施すことにより、
電鋳工程において、ニッケル板上に形成される電鋳部と
ニッケル板との密着力が高まり、電鋳部がニッケル板か
ら欠け落ちることを防止できる。
In the stamper manufacturing method described with reference to FIG. 1, a surface treatment step may be provided between the developing step and the electroforming step. In the surface treatment step, first, a nickel plate is attached to an ashing device, oxygen ashing and UV ozone ashing are performed, and the resist residue left on the surface of the nickel plate exposed by removing the photoresist layer by development is removed. . Subsequently, the nickel plate is dipped in a dilute sulfuric acid solution, and the photoresist film is removed by development to remove the oxide film formed on the surface of the nickel plate. By performing such processing,
In the electroforming step, the adhesion between the electroformed part formed on the nickel plate and the nickel plate is enhanced, and the electroformed part can be prevented from falling off from the nickel plate.

【0059】図2は、本発明のスタンパにより作製され
る導光板の一部分の斜視図である。この導光板21の凹
凸部22の断面形状は、図1(F)で得られるスタンパ
によって作製されるものでは、図2(B)に示すように
凹部として形成される。
FIG. 2 is a perspective view of a part of a light guide plate manufactured by the stamper of the present invention. The cross-sectional shape of the concave-convex portion 22 of the light guide plate 21 is formed as a concave portion as shown in FIG. 2 (B) in the case of the stamper obtained in FIG. 1 (F).

【0060】図1の製造方法で得られた導光板スタンパ
の表面に酸化膜等の剥離膜を形成し、電鋳して凹凸パタ
ーンの凹凸が逆になった導光板スタンパを転写作製する
こともできる。このスタンパを用いて射出成形すると、
凹凸パターンの凹凸が図2(B)とは逆になり、図2
(C)に示す凸型の凹凸部を有する導光板が作製され
る。
It is also possible to form a peeling film such as an oxide film on the surface of the light guide plate stamper obtained by the manufacturing method of FIG. 1 and perform electroforming to transfer and manufacture the light guide plate stamper in which the unevenness of the uneven pattern is reversed. it can. When injection molding is performed using this stamper,
The unevenness of the uneven pattern is opposite to that of FIG.
The light guide plate having the convex and concave portions shown in (C) is produced.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電鋳時間を短縮するスタンパの製造方法で、
凹凸パターンの高さを均一にし、導光板において輝度む
らをなくし、良好な輝度を得ることができる導光板が得
られるという効果がある。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a stamper manufacturing method for shortening the electroforming time,
There is an effect that the height of the concavo-convex pattern is made uniform, uneven brightness is eliminated in the light guide plate, and a light guide plate capable of obtaining good brightness is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】導光板を製造するための本発明のスタンパの製
造工程の実施の形態の一例を説明するための模式図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an example of an embodiment of a manufacturing process of a stamper of the present invention for manufacturing a light guide plate.

【図2】図2(A)は、本発明のスタンパにより作製さ
れる導光板の一部分の斜視図であり、図2(B)は凹部
の断面図、図2(C)は凸部の断面図である。
FIG. 2 (A) is a perspective view of a part of a light guide plate manufactured by the stamper of the present invention, FIG. 2 (B) is a sectional view of a concave portion, and FIG. 2 (C) is a sectional view of a convex portion. It is a figure.

【図3】電鋳厚さの分布状態を示す線図である。FIG. 3 is a diagram showing a distribution state of electroformed thickness.

【図4】電鋳した時の電流分布を説明するための断面模
式図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a current distribution when electroforming.

【図5】図1の電鋳工程に適用される導電性基板の説明
図である。
5 is an explanatory view of a conductive substrate applied to the electroforming process of FIG.

【図6】図1の電鋳工程に用いられる電鋳装置を説明す
るための概略構成図である。
6 is a schematic configuration diagram for explaining an electroforming apparatus used in the electroforming step of FIG.

【図7】図7(A)は図6の電鋳装置における作用の説
明図であり、図7(B)は凹凸パターンの密度分布の説
明図である。
7 (A) is an explanatory diagram of the operation in the electroforming apparatus of FIG. 6, and FIG. 7 (B) is an explanatory diagram of the density distribution of the concavo-convex pattern.

【図8】凹凸部を有する導光板の従来例の製造工程を示
す模式図である。
FIG. 8 is a schematic view showing a manufacturing process of a conventional example of a light guide plate having an uneven portion.

【図9】凹凸部を有する導光板の他の従来例の製造工程
を示す模式図である。
FIG. 9 is a schematic view showing another conventional manufacturing process of a light guide plate having an uneven portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…導電性基板、12…フォトレジスト層、12a…
露光部、12b…未露光部、13…フォトマスク、13
a…遮光部、13b…透過部、14…UV光、15…電
鋳部、16…スタンパ、21…導光板、22…凹部また
…凸部、41…メッキ液、42…メッキ槽、43…陰
極、44…陽極、45…直流電源、46…電流分布、5
1…導電性基板、52…凹凸パターン形成領域、53…
ダミー電鋳部、54…フォトレジスト層、55…入射光
側、56…反入射光側、57…スタンパ切断線、61…
調整槽、62…ポンプ、63…フィルタ、64…電鋳
槽、65…電鋳液排出管、66…陰極先端治具、67…
アノードケース、68…導電性基板、69…通電シャフ
ト、71…凹凸パターン形成領域、72…ダミー電鋳
部、73…導電性基板、74…レジストマスク、75…
電流密度分布。
11 ... Conductive substrate, 12 ... Photoresist layer, 12a ...
Exposed part, 12b ... Unexposed part, 13 ... Photomask, 13
a ... light-shielding part, 13b ... transmissive part, 14 ... UV light, 15 ... electroformed part, 16 ... stamper, 21 ... light guide plate, 22 ... concave part or ... convex part, 41 ... plating solution, 42 ... plating tank, 43 ... Cathode, 44 ... Anode, 45 ... DC power supply, 46 ... Current distribution, 5
1 ... Conductive substrate, 52 ... Concavo-convex pattern forming region, 53 ...
Dummy electroformed part, 54 ... Photoresist layer, 55 ... Incident light side, 56 ... Anti-incident light side, 57 ... Stamper cutting line, 61 ...
Adjusting tank, 62 ... Pump, 63 ... Filter, 64 ... Electroforming tank, 65 ... Electroforming liquid discharge pipe, 66 ... Cathode tip jig, 67 ...
Anode case, 68 ... Conductive substrate, 69 ... Energizing shaft, 71 ... Concavo-convex pattern forming region, 72 ... Dummy electroformed part, 73 ... Conductive substrate, 74 ... Resist mask, 75 ...
Current density distribution.

フロントページの続き Fターム(参考) 2H038 AA55 BA06 2H091 FA23Z FA41Z FC19 FC29 LA18 2H095 BA12 BB02 BB36 BC09 2H097 CA12 LA17 4F202 AF01 AG05 AH79 CA11 CB01 CD07 CD12 CD22 CD30 CK43Continued front page    F-term (reference) 2H038 AA55 BA06                 2H091 FA23Z FA41Z FC19 FC29                       LA18                 2H095 BA12 BB02 BB36 BC09                 2H097 CA12 LA17                 4F202 AF01 AG05 AH79 CA11 CB01                       CD07 CD12 CD22 CD30 CK43

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導光板を作製するスタンパの製造方法に
おいて、導電性を有する基板の一方の面にフォトレジス
ト層を形成するフォトレジスト形成工程と、前記フォト
レジスト層を作製される導光板の光入射側と反光入射側
とで凹凸部の密度が異なる凹凸パターンとなるようなパ
ターンを有するフォトマスクを用いて露光する露光工程
と、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記
凹凸パターンが形成された範囲以外の前記導電性を有す
る基板上であって、作製される導光板の反光入射側に対
応する側を除く以外の部分にダミー電鋳部を形成するダ
ミー電鋳部形成工程と、前記導電性を有する基板上に前
記フォトレジスト層の凹凸パターンに従って電鋳部を形
成する電鋳工程を有し、該電鋳工程において形成される
電鋳部の高さは、作製される導光板の凹凸部の高さが同
じとなるような高さであることを特徴とするスタンパの
製造方法。
1. A method of manufacturing a stamper for manufacturing a light guide plate, comprising: a photoresist forming step of forming a photoresist layer on one surface of a conductive substrate; and a light guide plate light on which the photoresist layer is manufactured. An exposure step of exposing using a photomask having a pattern such that the unevenness density is different between the incident side and the counter-light incident side, a developing step of developing the photoresist layer, and the uneven pattern is formed. A dummy electroformed portion forming step of forming a dummy electroformed portion on a portion other than the side corresponding to the side opposite to the light incident side of the light guide plate to be produced, which is on the conductive substrate other than the range, There is an electroforming step of forming an electroformed portion according to the uneven pattern of the photoresist layer on the conductive substrate, and the height of the electroformed portion formed in the electroforming step is A method for manufacturing a stamper, characterized in that the heights of the uneven portions of the manufactured light guide plate are the same.
【請求項2】 前記ダミー電鋳部に相当するパターンを
前記フォトマスクにあらかじめ形成しておくことを特徴
とする請求項1に記載のスタンパの製造方法。
2. The stamper manufacturing method according to claim 1, wherein a pattern corresponding to the dummy electroformed portion is previously formed on the photomask.
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