JP2003065705A - 変位量センサ - Google Patents

変位量センサ

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JP2003065705A
JP2003065705A JP2001256105A JP2001256105A JP2003065705A JP 2003065705 A JP2003065705 A JP 2003065705A JP 2001256105 A JP2001256105 A JP 2001256105A JP 2001256105 A JP2001256105 A JP 2001256105A JP 2003065705 A JP2003065705 A JP 2003065705A
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permanent magnet
movable
displacement amount
movable magnetic
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Withdrawn
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JP2001256105A
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English (en)
Inventor
Akitoshi Mizutani
彰利 水谷
Masao Tokunaga
政男 徳永
Kenji Takeda
武田  憲司
Tsutomu Nakamura
中村  勉
Shigetoshi Fukaya
深谷  繁利
Hiroshi Takeyama
博司 竹山
Kimio Uchida
公雄 内田
Keiichi Yasuda
恵一 安田
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Denso Corp
Soken Inc
Original Assignee
Denso Corp
Nippon Soken Inc
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Publication date
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出精度の高い変位量センサを提供する。 【解決手段】 第1ヨーク30の円弧部31と第2ヨー
ク40の円弧部41とは、被検出体である移動体ととも
に直線移動するシャフト70と向き合う対向部22を構
成している。ホールIC60は、磁路部32からホール
IC60を通り磁路部42に流れる磁束がホールIC6
0の検出面を垂直に貫通するように設置されている。対
向部22とシャフト70とが構成する可変抵抗手段はホ
ールIC60と並列に設置されている。シャフト70が
移動体とともに矢印Y方向に移動するにしたがい、対向
部22とシャフト70との間の間隔は小さくなり、対向
部22とシャフト70との間の磁気抵抗は小さくなる。
対向部22とシャフト70との間を磁束が流れやすくな
るので、ホールIC60を流れる磁束が減少し、ホール
IC60が検出する磁束密度は小さくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直線移動する移動
体の変位量を検出する変位量センサに関する。
【0002】
【従来の技術】直線方向に移動する移動体の変位量を検
出する変位量センサとして、図19に示すものが知られ
ている。永久磁石500は変位量を検出される移動体と
ともに図19の矢印X、Yに示すように、ホール素子を
有するホールIC501の磁気検出面502に対し斜め
方向に移動する。移動体の変位量を検出するホールIC
501は、図示しない支持部材に固定されている。移動
体とともに移動する永久磁石500の位置により、永久
磁石500に対するホールIC501の位置が図19の
下段に示すように変化する。永久磁石500の位置によ
り、ホールIC501が検出する磁束密度は図20に示
すように変化する。図19および図20において、永久
磁石500の中心が0位置にあるときをストローク量0
としている。ホールIC501が検出する磁束密度によ
り、移動体の変位量であるストローク量を測定すること
ができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図19
に示すような変位量センサでは、永久磁石500が発生
する磁束がホールIC501との間を固定磁性部材を介
さず空気中を流れるので、永久磁石500が発生する磁
束をホールIC501に導く集磁力が小さく、ホールI
C501が検出する磁束密度の上限値と下限値の範囲が
小さい。したがって、永久磁石500が異なる位置に変
位しているときにホールIC501が検出する磁束密度
の差が小さいので、変位量センサの感度が低くなる。ま
た、変位量センサが周囲の磁気による影響を受けやす
く、S/N比が低下する。
【0004】また、永久磁石500が移動体と矢印X、
Y方向に移動することにともない、ホールIC501の
位置が永久磁石500の極方向に変化するように永久磁
石500を斜めに移動させるので、永久磁石500の移
動面積が大きくなり、変位量センサが大型化する。さら
に、永久磁石500が斜めに移動するので、永久磁石5
00の取付角度の誤差および移動中のがたつきにより変
位量センサの検出精度が変化する。また、ホールIC5
01の取付位置が永久磁石500の移動範囲の中央に位
置しているので、ホールIC501から検出信号を取り
出す配線が煩雑である。
【0005】本発明の目的は、検出精度の高い変位量セ
ンサを提供することにある。本発明の他の目的は、小型
の変位量センサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1、8ま
たは10記載の変位量センサによると、可変抵抗手段が
磁気検出素子と並列に設置されているので、可動磁性部
材の移動位置により可変抵抗手段の磁気抵抗が増加し可
変抵抗手段に磁束が流れにくくなると、磁気検出素子が
検出する磁束密度が増加する。また、可動磁性部材の移
動位置により可変抵抗手段の磁気抵抗が低下し可変抵抗
手段に磁束が流れやすくなると、磁気検出素子が検出す
る磁束密度が低下する。永久磁石が発生する磁束が周囲
に発散せず固定磁性部材を通り磁気検出素子に導かれる
ので、磁気検出素子が検出する磁束密度の上限値と下限
値の範囲が大きくなる。可動磁性部材が異なる位置に変
位しているときに磁気検出素子が検出する磁束密度の差
が大きくなるので、変位量センサの検出感度が上昇す
る。さらに、周囲の磁気の影響を受けにくいので、変位
量センサのS/N比が上昇する。また、固定磁性部材が
磁気検出素子に磁束を導くので、磁気検出素子を設置す
る位置は限定されず磁気検出素子の設置位置の自由度が
高い。検出信号を取り出しやすい位置に磁気検出素子を
設置できるので、配線が容易である。
【0007】本発明の請求項2または12記載の変位量
センサによると、可動磁性部材が直線移動する方向にし
たがい対向部と可動磁性部材とが形成する間隔は増加ま
たは減少し、可変抵抗手段の磁気抵抗が変化する。対向
部または可動磁性部材の形状を調整することにより、可
動磁性部材の移動方向にしたがい対向部と可動磁性部材
とが形成する間隔を増加または減少することは容易であ
る。また、対向部に対し移動軌跡と交差する方向に可動
磁性部材を変位させる必要がないので、可動磁性部材の
移動面積が小さい。したがって、変位量センサを小型化
できる。
【0008】本発明の請求項3または13記載の変位量
センサによると、対向部と向き合う可動磁性部材の移動
軌跡と直交する断面積は、可動磁性部材が直線移動する
方向にしたがい増加または減少し、可変抵抗手段の磁気
抵抗が変化する。可動磁性部材の端部形状をテーパ状に
する等により、直線移動する方向にしたがい可動磁性部
材の断面積を増加または減少することは容易である。ま
た、対向部に対し移動軌跡と交差する方向に可動磁性部
材を変位させる必要がないので、可動磁性部材の移動面
積が小さい。したがって、変位量センサを小型化でき
る。
【0009】本発明の請求項4または14記載の変位量
センサによると、対向部が可動磁性部材と形成する間隔
を可動磁性部材の移動位置に関わらず一定になるよう
に、例えば対向部と向き合う可動磁性部材の断面形状を
一定にすることは容易である。また、対向部に対し移動
軌跡と交差する方向に可動磁性部材を変位させる必要が
ないので、可動磁性部材の移動面積が小さい。したがっ
て、変位量センサを小型化できる。
【0010】本発明の請求項5または6記載の変位量セ
ンサによると、永久磁石と対向部とは可動磁性部材の移
動軌跡と直交する同一平面上に位置している。永久磁石
と対向部とを可動磁性部材の移動方向の異なる位置に設
置する構成に比べ、変位量センサを小型化できる。
【0011】本発明の請求項7記載の変位量センサによ
ると、第1仮想軸上において永久磁石同士が形成する間
隔は、第1仮想軸と直交する第2仮想軸上において対向
部と可動磁性部材とが形成する間隔よりも大きい。可動
磁性部材が移動し可動磁性部材と第2仮想軸上の対向部
との間隔、ならびに可動磁性部材と第1仮想軸上の永久
磁石との間隔が小さくなるとき、永久磁石が発生する磁
束は永久磁石から直接可動磁性部材に流れるよりも第2
仮想軸上の対向部を通ってから可動磁性部材に流れやす
い。したがって、可動磁性部材の移動にともない対向部
と可動磁性部材との間に形成される磁気抵抗の変化によ
り、可動磁性部材の変位量を高精度に検出できる。
【0012】本発明の請求項9記載の変位量センサによ
ると、固定磁性部材は、それぞれ一体に形成された2個
の磁性部材により構成されているので、変位量センサの
組み付けが容易になる。本発明の請求項11記載の変位
量センサによると、可変抵抗手段が磁気検出素子と直列
に設置されている。したがって、可動磁性部材の移動位
置により可変抵抗手段の磁気抵抗が増加し可変抵抗手段
に磁束が流れにくくなると、磁気検出素子が検出する磁
束密度が低下し、可動磁性部材の移動位置により可変抵
抗手段の磁気抵抗が低下し可変抵抗手段に磁束が流れや
すくなると、磁気検出素子が検出する磁束密度が増加す
る。永久磁石が発生する磁束が周囲に発散せず固定磁性
部材を通り磁気検出素子に導かれるので、磁気検出素子
が検出する磁束密度の上限値と下限値の範囲が大きくな
る。可動磁性部材が異なる位置に変位しているときに磁
気検出素子が検出する磁束密度の差が大きくなるので、
変位量センサの検出感度が上昇する。さらに、周囲の磁
気の影響を受けにくいので、変位量センサのS/N比が
上昇する。
【0013】本発明の請求項15記載の変位量センサに
よると、永久磁石、固定磁性部材および磁気検出素子を
樹脂モールドすることにより、永久磁石、固定磁性部材
および磁気検出素子を容易に支持できる。本発明の請求
項16記載の変位量センサによると、内側カップと外周
側とで永久磁石、固定磁性部材および磁気検出素子を容
易に支持できる。
【0014】本発明の請求項17記載の変位量センサに
よると、可変抵抗手段が磁気検出素子と直列に設置され
ている。したがって、移動体および可動部材とともに移
動する永久磁石の移動位置により可変抵抗手段の磁気抵
抗が増加し可変抵抗手段に磁束が流れにくくなると、磁
気検出素子が検出する磁束密度が低下する。また、永久
磁石の移動位置により可変抵抗手段の磁気抵抗が低下し
可変抵抗手段に磁束が流れやすくなると、磁気検出素子
が検出する磁束密度が増加する。永久磁石が発生する磁
束が周囲に発散せず固定磁性部材を通り磁気検出素子に
導かれるので、磁気検出素子が検出する磁束密度の上限
値と下限値の範囲が大きくなる。永久磁石が異なる位置
に変位しているときに磁気検出素子が検出する磁束密度
の差が大きくなるので、変位量センサの検出感度が上昇
する。さらに、周囲の磁気の影響を受けにくいので、変
位量センサのS/N比が上昇する。
【0015】本発明の請求項18記載の変位量センサに
よると、永久磁石が直線移動する方向にしたがい対向部
と永久磁石とが形成する間隔が増加または減少し、可変
抵抗手段の磁気抵抗が変化する。対向部の形状を調整す
ることにより、可動磁性部材の移動にともない対向部と
永久磁石とが形成する間隔を増加または減少することは
容易である。また、対向部に対し移動軌跡と交差する方
向に永久磁石および可動部材を変位させる必要がないの
で、永久磁石および可動部材の移動面積が小さい。した
がって、変位量センサを小型化できる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
複数の実施例を図に基づいて説明する。 (第1実施例)本発明の第1実施例による変位量センサ
を図2に示す。変位量センサ10は、図1に示すセンサ
本体20を樹脂モールドしたものである。モールド樹脂
11には、変位量センサ10を固定するねじを通す貫通
孔12が3箇所等角度間隔に形成されている。収容孔1
3は、変位量センサ10が変位量を検出する被検出体で
ある移動体とともに直線方向に移動するシャフト70を
矢印X、Yで示す直線方向に移動可能に収容する。
【0017】図1に示すように、センサ本体20は、固
定磁性部材21と、2個の永久磁石50と、ホール素子
を有するホールIC60とを有している。固定磁性部材
21は、第1ヨーク30および第2ヨーク40を有して
いる。第1磁性部材としての第1ヨーク30は、円弧部
31および磁路部32を有し、T字状に一体に形成され
ている。第2磁性部材としての第2ヨーク40は、円弧
部41および磁路部42を有し、T字状に一体に形成さ
れている。第1ヨーク30の円弧部31および第2ヨー
ク40の円弧部41は楕円状の対向部22を構成してい
る。楕円状の対向部22は、第1仮想軸75上に位置す
る永久磁石50同士の間隔が、第1仮想軸75と直交す
る第2仮想軸76上の円弧部31と円弧部41との間隔
よりも長くなっている。第1ヨーク30の磁路部32と
第2ヨーク40の磁路部42とは、それぞれ第2仮想軸
76上の円弧部31と円弧部41とから可動磁性部材で
あるシャフト70の一方の直線移動方向に延びている。
【0018】永久磁石50は、円弧部31の両端部と円
弧部41の両端部との間に挟持されている。永久磁石5
0の円弧部31側がN極であり、円弧部41側がS極で
ある。ホールIC60は、反円弧部側の磁路部32と磁
路部42との間に設置されている。ホールIC60は、
磁路部32からホールIC60を通り磁路部42に流れ
る磁束がホールIC60の検出面を垂直に貫通するよう
に設置されている。ホールIC60は、ホール素子と、
ホール素子の検出信号を制御する制御回路とを有してい
る。第1実施例では、ホール素子とホール素子の検出信
号を制御する制御回路とを有するホールIC60を特許
請求の範囲に記載した磁気検出素子として用いている。
これに対し、ホール素子を制御回路と分離し、磁気検出
素子としてホール素子だけを反円弧部側の磁路部32と
磁路部42との間に設置してもよい。磁気検出素子とし
てMRE素子を用いてもよい。
【0019】シャフト70のセンサ本体20側の先端部
71は、矢印Y方向のセンサ本体20側に向かうにした
がい縮径し、テーパ状に形成されている。対向部22と
シャフト70との間に形成される空間のシャフト70の
移動軌跡と直交する断面形状は、第1仮想軸75および
第2仮想軸76を対称軸として線対称である。また前述
したように、楕円状の対向部22は第1仮想軸75上に
位置する永久磁石50同士の間隔が、第2仮想軸76上
に位置する円弧部31と円弧部41との間隔よりも大き
いので、永久磁石50とシャフト70との間隔d1は、
第2仮想軸76上に位置する円弧部31および円弧部4
1とシャフト70との間隔d2よりも大きい。
【0020】次に、変位量センサ10の作動について説
明する。固定磁性部材21と永久磁石50とホールIC
60とシャフト70とが形成する磁気回路を図5に示
す。対向部22とシャフト70とが構成する可変抵抗手
段65はホールIC60と並列に設置されている。61
は、ホールIC60が有する固定の磁気抵抗である。可
変抵抗手段65の磁気抵抗は、シャフト70の直線移動
方向にしたがい増減する。
【0021】図3に示す状態において、対向部22とシ
ャフト70との間の間隔は大きい。つまり対向部22と
シャフト70との間の磁気抵抗が大きいので、2個の永
久磁石50が発生する磁束は、対向部22とシャフト7
0との間を流れず、各永久磁石50のN極側から円弧部
31、磁路部32、ホールIC60、磁路部42、円弧
部41を通り各永久磁石50のS極に戻る。
【0022】ここで、シャフト70の変位量であるスト
ローク量を、図4に示す変位位置を基準位置の0とし、
図4に示す位置から図3に示す最大変位位置に向かうに
したがい大きくなると規定する。この規定に基づくと、
図3に示す位置にシャフト70がありストローク量が最
大のとき、対向部22とシャフト70との間の磁気抵抗
は最大になり、永久磁石50が発生する磁束は対向部2
2とシャフト70との間を流れずホールIC60に導か
れる。したがって、図6に示すようにホールIC60が
検出する磁束密度は最大である。
【0023】シャフト70が移動体とともに直線移動し
図3に示す位置から図4に示す位置に移動しストローク
量が小さくなるにしたがい、対向部22とシャフト70
との間の間隔は小さくなる。つまり対向部22とシャフ
ト70との間の磁気抵抗が小さくなり対向部22とシャ
フト70との間を磁束が流れやすくなるので、ホールI
C60を流れる磁束が減少し、図6に示すようにホール
IC60が検出する磁束密度は小さくなる。このよう
に、シャフト70のストローク量によりホールIC60
が検出する磁束密度が異なるので、ホールIC60が検
出する磁束密度によりシャフト70および移動体の変位
量を測定できる。
【0024】第1実施例ではセンサ本体20を樹脂モー
ルドして、固定磁性部材21と、2個の永久磁石50
と、ホールIC60とを支持した。樹脂モールド以外
に、センサ本体の20の内周側に内側カップを設置し、
センサ本体20の外周側に外側カップを設置し、内側カ
ップと外側カップとで挟持することにより、固定磁性部
材21と、2個の永久磁石50と、ホールIC60とを
支持することも可能である。内側カップおよび外側カッ
プは非磁性材で形成される。
【0025】(第2実施例)本発明の第2実施例を図7
に示す。第1実施例と実質的に同一構成部分に同一符号
を付す。センサ本体80は、ホールIC60と、永久磁
石85と、第1ヨーク90と、第2ヨーク95とを有し
ている。永久磁石85は楕円状に形成されている。第1
ヨーク90および第2ヨーク95は、固定磁性部材を構
成し、永久磁石85の短径上で永久磁石85と磁気的に
接続している。永久磁石85は、第1ヨーク90側がN
極であり、第2ヨーク95側がS極である。永久磁石8
5とシャフト70とは可変抵抗手段を構成している。永
久磁石85とシャフト70とが構成する可変抵抗手段
は、第1実施例と同様にホールIC60と並列に設置さ
れている。
【0026】図7の(B)に示す状態において、永久磁
石85とシャフト70との間の間隔は大きい。つまり磁
気抵抗が大きいので、永久磁石85が発生する磁束は、
永久磁石85のN極側から第1ヨーク90、ホールIC
60、第2ヨーク95を通り永久磁石85のS極に戻
る。このとき、ホールIC60が検出する磁束密度は最
大である。
【0027】シャフト70が移動体とともに直線移動し
図7に示す位置から矢印Y方向に移動し先端部71が永
久磁石85内を通過するにしたがい、永久磁石85とシ
ャフト70との間の間隔は小さくなる。つまり永久磁石
85とシャフト70との間の磁気抵抗が小さくなり永久
磁石85とシャフト70との間を磁束が流れやすくなる
ので、ホールIC60が検出する磁束密度は小さくな
る。したがって、ホールIC60が検出する磁束密度に
より、シャフト70および移動体の変位量を測定でき
る。
【0028】(第3実施例)本発明の第3実施例を図8
および図9に示す。第1実施例と実質的に同一構成部分
に同一符号を付す。センサ本体100は、ホールIC6
0と、磁性材で形成された有底円筒部材101と、永久
磁石110、115と、第1ヨーク120と、第2ヨー
ク130とを有している。有底円筒部材101、第1ヨ
ーク120および第2ヨーク130は固定磁性部材を構
成している。有底円筒部材101の径方向反対側の内壁
に円弧状の永久磁石110、115が取り付けられてい
る。永久磁石110の外周側はS極であり、内周側はN
極である。永久磁石115の外周側はN極であり、内周
側はS極である。
【0029】第1ヨーク120は円弧部121および磁
路部122を有し、第2ヨーク130は円弧部131お
よび磁路部132を有している。円弧部121は永久磁
石110の内周側に取り付けられ、円弧部131は永久
磁石115の内周側に取り付けられている。円弧部12
1、131と反対側の磁路部122と磁路部132の端
部の間にホールIC60が設置されている。
【0030】可動磁性部材としてのシャフト140は同
一径の円柱であり、移動体とともに直線移動する。円弧
部121、131とシャフト140とが構成する可変抵
抗手段は、第1実施例と同様にホールIC60と並列に
設置されている。円弧部121、131とシャフト14
0とがシャフト140の移動軌跡と直交する方向に形成
する間隔はシャフト140の移動位置に関わらず一定で
ある。シャフト140の移動軌跡と直交する方向で円弧
部121、131とシャフト140とが向き合う対向面
積はシャフト140の変位量にしたがい増減する。
【0031】図9の(A)に示す状態において、シャフ
ト140の移動軌跡と直交する方向で円弧部121、1
31とシャフト140とが向き合う対向面積は0であ
る。つまり円弧部121、131とシャフト140との
間の磁気抵抗が大きいので、永久磁石110、115が
発生する磁束は、永久磁石110、115、第1ヨーク
120、ホールIC60、第2ヨーク130および有底
円筒部材101で形成される磁気回路を通る。このと
き、ホールIC60が検出する磁束密度は最大である。
【0032】シャフト140が移動体とともに直線移動
し図9の(A)に示す位置から図9の(B)に示す位置
に移動するにしたがい、円弧部121、131とシャフ
ト140とが向き合う対向面積は大きくなる。つまり円
弧部121、131とシャフト140との間の磁気抵抗
が小さくなり円弧部121、131とシャフト140と
の間を磁束が流れやすくなるので、ホールIC60が検
出する磁束密度は小さくなる。したがって、ホールIC
60が検出する磁束密度により、シャフト140および
移動体の変位量を測定できる。
【0033】(第4実施例)本発明の第4実施例を図1
0および図11に示す。第1実施例と実質的に同一構成
部分に同一符号を付す。センサ本体150は、ホールI
C60と、円上に径方向反対側に設置されている円弧状
の永久磁石160、165と、永久磁石160と永久磁
石165とを円状に接続する2個の円弧磁性部材170
と、永久磁石160、165と磁気的に接続しホールI
C60に磁束を導く第1ヨーク180および第2ヨーク
185とを有している。円弧磁性部材170、第1ヨー
ク180および第2ヨーク185は固定磁性部材を構成
している。永久磁石160、165とシャフト70とが
構成する可変抵抗手段は、第1実施例と同様にホールI
C60と並列に設置されている。
【0034】図11の(A)に示す状態において、永久
磁石160および永久磁石165とシャフト70との間
の間隔は大きい。つまり永久磁石160および永久磁石
165とシャフト70との間の磁気抵抗が大きいので、
永久磁石160、165が発生する磁束は、円弧磁性部
材170、第1ヨーク180、第2ヨーク185および
ホールIC60で構成される磁気回路を流れる。このと
き、ホールIC60が検出する磁束密度は最大である。
【0035】シャフト70が移動体とともに直線移動し
図10の(A)に示す位置から図10の(B)に示す位
置に移動するにしたがい、永久磁石160および永久磁
石165ととシャフト70との間の間隔は小さくなる。
つまり永久磁石160および永久磁石165とシャフト
70との間の磁気抵抗が小さくなり永久磁石160、1
65とシャフト70との間を磁束が流れやすくなるの
で、ホールIC60が検出する磁束密度は小さくなる。
したがって、ホールIC60が検出する磁束密度によ
り、シャフト70および移動体の変位量を測定できる。
【0036】(第5実施例)本発明の第5実施例を図1
2に示す。図12の(C)においてシャフト240は省
略されている。を第1実施例と実質的に同一構成部分に
同一符号を付す。センサ本体200は、永久磁石50
と、ホールIC60と、第1ヨーク210と、第2ヨー
ク215と、環状ヨーク220と、第3ヨーク225
と、第4ヨーク230とを有している。第1ヨーク21
0、第2ヨーク215、環状ヨーク220、第3ヨーク
225および第4ヨーク230は固定磁性部材を構成し
ている。永久磁石50およびホールIC60は、シャフ
ト240の移動方向においてそれぞれ固定磁性部材の両
端に設置されている。対向部である環状ヨーク220と
可動磁性部材としてのシャフト240とが構成する可変
抵抗手段は、シャフト240の移動方向において、永久
磁石50とホールIC60との間に位置している。環状
ヨーク220とシャフト240とが構成する可変抵抗手
段は第1実施例と同様にホールIC60と並列に設置さ
れている。
【0037】環状ヨーク220の内周壁221と、内周
面221と向き合うシャフト240の先端部241と
は、ほぼ同じ傾斜角度を有するテーパ状に形成されてい
る。シャフト240の変位量により、内周壁221と先
端部241との間隔が変化し、ホールIC60が検出す
る磁束密度が増減する。
【0038】(第6実施例)本発明の第6実施例を図1
3に示す。第1実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。センサ本体250は、2個の永久磁石50
と、ホールIC60と、固定磁性部材251とを有して
いる。固定磁性部材251は、第1ヨーク260、第2
ヨーク270および第3ヨーク280を有している。第
1ヨーク260は、円弧部261および磁路部262を
有し、T字状に一体に形成されている。第2ヨーク27
0は、円弧部271および磁路部272を有し、T字状
に一体に形成されている。第3ヨーク280は板状であ
る。第2ヨーク270の磁路部272と第3ヨーク28
0との間にホールIC60が設置されている。第1ヨー
ク260の磁路部262および第3ヨーク280は対向
部を構成している。永久磁石50は、円弧部261の両
端部と円弧部271の両端部との間に挟持されている。
永久磁石50の円弧部261側がN極であり、円弧部2
71側がS極である。
【0039】可動磁性部材としてのシャフト140は同
一径の円柱であり、移動体とともに直線移動する。磁路
部262および第3ヨーク280とシャフト140とが
構成する可変抵抗手段295は、図14に示すようにホ
ールIC60と直列に設置されている。磁路部262お
よび第3ヨーク280とシャフト140とがシャフト1
40の移動軌跡と直交する方向に形成する間隔はシャフ
ト140の移動位置に関わらず一定である。シャフト1
40の移動軌跡と直交する方向で磁路部262および第
3ヨーク280とシャフト140とが向き合う対向面積
はシャフト140の変位量にしたがい増減する。
【0040】ここで、シャフト140の変位量であるス
トローク量を、図13の(B)に示す2点鎖線の変位位
置を基準位置の0とし、図13の(B)の2点鎖線で示
す位置から図13の(B)の実線で示す最大変位位置に
向かうにしたがい大きくなると規定する。この規定に基
づくと、図13の(B)の2点鎖線で示す位置にシャフ
ト140がありストローク量が0のとき、磁路部262
および第3ヨーク280とシャフト140とが構成する
可変抵抗手段295の磁気抵抗は最小になり、永久磁石
50が発生する磁束は可変抵抗手段295とともにホー
ルIC60を流れる。したがって、図15に示すように
ホールIC60が検出する磁束密度は最大である。
【0041】図13の(B)の実線で示す状態におい
て、シャフト140の移動軌跡と直交する方向で磁路部
262および第3ヨーク280とシャフト140とが向
き合う対向面積は0である。つまり磁路部262および
第3ヨーク280とシャフト140との間の磁気抵抗が
大きいので、永久磁石50が発生する磁束はホールIC
60を流れない。したがって、ホールIC60が検出す
る磁束密度は最低である。
【0042】シャフト140が移動体とともに直線移動
し図13の(B)に示す実線の位置から矢印Y方向の2
点鎖線で示す基準位置に移動するにしたがい、磁路部2
62および第3ヨーク280とシャフト140とが向き
合う対向面積は大きくなる。つまり可変抵抗手段295
の磁気抵抗が小さくなり磁路部262および第3ヨーク
280とシャフト140との間を磁束が流れやすくなる
ので、ホールIC60が検出する磁束密度は大きくな
る。このように、シャフト140のストローク量により
ホールIC60が検出する磁束密度が異なるので、ホー
ルIC60が検出する磁束密度によりシャフト140お
よび移動体の変位量を測定できる。
【0043】(第7実施例)本発明の第7実施例を図1
6に示す。第1実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。センサ本体300は、永久磁石50と、ホー
ルIC60と、第1ヨーク310と、第2ヨーク320
と、第3ヨーク330とを有している。
【0044】第1ヨーク310は、円弧部311および
磁路部312を有し、T字状に一体に形成されている。
第2ヨーク320は板状である。第1ヨーク310の磁
路部312と第2ヨーク320との間に永久磁石50が
設置されている。第3ヨーク330は円弧部331およ
び磁路部332を有し、T字状に一体に形成されてい
る。第2ヨーク320と第3ヨーク330の磁路部33
2との間にホールIC60が設置されている。第1ヨー
ク310の円弧部311および第3ヨーク330の円弧
部331は対向部を構成している。永久磁石50の第1
ヨーク310の磁路部312側がN極であり、第2ヨー
ク320側がS極である。
【0045】円弧部311、331とシャフト70とが
構成する可変抵抗手段は、第6実施例と同様にホールI
C60と直列に設置されている。図16の(B)の実線
で示す状態において、円弧部311、331とシャフト
70の先端部71との間の間隔は大きい。つまり磁気抵
抗が大きいので、円弧部311、331とシャフト70
との間を磁束が殆ど流れない。このとき、ホールIC6
0が検出する磁束密度は最低である。
【0046】シャフト70が移動体とともに直線移動し
図16の(B)の2点鎖線で示す矢印Y方向に移動する
にしたがい、円弧部311、331とシャフト70の先
端部71との間の間隔は小さくなる。つまり円弧部31
1、331とシャフト70との間の磁気抵抗が小さくな
り円弧部311、331とシャフト70との間を磁束が
流れやすくなるので、ホールIC60が検出する磁束密
度は大きくなる。したがって、ホールIC60が検出す
る磁束密度により、シャフト70および移動体の変位量
を測定できる。
【0047】(第8実施例)本発明の第8実施例を図1
7に示す。図17の(B)において、永久磁石380お
よびシャフト390は省略されている。第1実施例と実
質的に同一構成部分に同一符号を付す。センサ本体35
0は、ホールIC60と、第1ヨーク360と、第2ヨ
ーク370とを有している。ホールIC60は第1ヨー
ク360と第2ヨーク370との間に設置されている。
第1ヨーク360および第2ヨーク370はほぼ同形で
板状に形成されている。永久磁石380と向き合う第1
ヨーク360の対向面361と第2ヨーク370の対向
面371との間隔は、永久磁石380の一方の移動方向
である矢印Y方向に向けて次第に小さくなっている。永
久磁石380は、移動体と矢印X、Y方向に移動する可
動部材としてのシャフト390の先端に取り付けられて
いる。シャフト390は非磁性材で形成されている。永
久磁石380の第1ヨーク360側がN極であり、第2
ヨーク370側がS極である。第1ヨーク360、第2
ヨーク370および永久磁石380が構成している可変
抵抗手段は、第6実施例と同様にホールIC60と直列
に設置されている。
【0048】永久磁石380がシャフト390および移
動体とともに図17の(A)に示す矢印Y方向に移動す
るにしたがい、対向面361、371と永久磁石380
との間の間隔は小さくなる。つまり第1ヨーク360お
よび第2ヨーク370と永久磁石380との間の磁気抵
抗が小さくなり第1ヨーク360および第2ヨーク37
0と永久磁石380との間を磁束が流れやすくなるの
で、ホールIC60が検出する磁束密度は大きくなる。
したがって、ホールIC60が検出する磁束密度によ
り、移動体の変位量を測定できる。
【0049】(第9実施例)本発明の第9実施例を図1
8に示す。図18の(B)において、シャフト450は
省略されている。第1実施例と実質的に同一構成部分に
同一符号を付す。センサ本体400は、ホールIC60
と、第1ヨーク410と、第2ヨーク420と、第3ヨ
ーク430と、永久磁石440とを有している。永久磁
石440は第1ヨーク410と第2ヨーク420との間
に設置されている。ホールIC60は第2ヨーク420
と第3ヨーク430との間に設置されている。可動磁性
部材としてのシャフト450と向き合う第1ヨーク41
0の対向面411と第3ヨーク430の対向面431と
の間隔は、シャフト450の一方の移動方向である矢印
Y方向に向けて次第に小さくなっている。移動体ととも
に矢印X、Y方向に移動するシャフト450の先端部4
51は、矢印Y方向に向かうにしたがい縮径している。
第1ヨーク410、第3ヨーク430およびシャフト4
50が構成している可変抵抗手段は、第6実施例と同様
にホールIC60と直列に設置されている。
【0050】シャフト450が移動体とともに矢印Y方
向に移動するにしたがい、対向面411、421とシャ
フト450の先端部451との間の間隔は小さくなる。
つまり第1ヨーク410および第3ヨーク430とシャ
フト450との間の磁気抵抗が小さくなり第1ヨーク4
10および第3ヨーク430とシャフト450との間を
磁束が流れやすくなるので、ホールIC60が検出する
磁束密度は大きくなる。したがって、ホールIC60が
検出する磁束密度により、移動体の変位量を測定でき
る。
【0051】以上説明した上記複数の実施例では、永久
磁石が発生する磁束を発散させず固定磁性部材を通して
ホールIC60に導くので、ホールIC60が検出する
磁束密度の上限値と下限値との下限値の範囲が大きくな
る。移動体とともに直線移動し可変抵抗手段を構成する
シャフトまたは永久磁石が異なる位置に変位していると
きにホールIC60が検出する磁束密度の差が大きくな
るので、変位量センサの検出感度が上昇する。さらに、
固定磁性部材がホールIC60に磁束を導くので、ホー
ルIC60の設置位置の自由度が高い。したがって、検
出信号を取り出しやすい位置にホールIC60を設置で
きるので、配線が容易である。また、周囲の磁気の影響
を受けにくいので、変位量センサのS/N比が上昇す
る。
【0052】また、移動体とともに移動するシャフトま
たは永久磁石と対向部との間隔または対向面積を移動体
の変位量にしたがって増減することにより可変抵抗手段
の磁気抵抗を移動体の移動方句にしたがって増減するこ
とは、シャフトまたは永久磁石の移動軌跡の幅を大きく
することなく実現できるので、シャフトまたは永久磁石
の移動面積を低減できる。したがって、変位量センサが
小型化できる。
【0053】また、シャフトまたは永久磁石と対向部と
の間隔または対向面積を移動体の変位量にしたがって増
減することは、シャフトまたは対向部の形状を加工する
ことにより実現できる。このようなシャフトまたは対向
部の加工は容易である。上記複数の実施例のうち第1実
施例以外の実施例においても、センサ本体を樹脂モール
ドしてセンサ本体を構成する部材を支持してもよいし、
可能であるなら非磁性材で形成した内側カップと外側カ
ップとでセンサ本体を構成する部材を支持してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による変位量センサ本体を
示しており、(A)はシャフト側から見た図であり、
(B)は(A)のB方向矢視図であり、(C)は(B)
のC方向矢視図であり、(D)は(B)のD方向矢視図
である。
【図2】第1実施例の変位量センサ本体を樹脂モールド
した変位量センサを示しており、(A)はシャフト側か
ら見た図であり、(B)は(A)のB−B線断面図であ
る。
【図3】シャフトの最大変位位置における磁束の流れを
示す説明図である。
【図4】シャフトの基準位置における磁束の流れを示す
説明図である。
【図5】第1実施例の変位量センサを示す磁気回路図で
ある。
【図6】シャフトのストローク量とホールICが検出す
る磁束密度との関係を示す特性図である。
【図7】本発明の第2実施例によるセンサ本体を示して
おり、(A)はシャフト側から見た図であり、(B)は
(A)のB方向矢視図であり、(C)は(B)のC方向
矢視図であり、(D)は(B)のD方向矢視図である。
【図8】本発明の第3実施例によるセンサ本体を示して
おり、(A)はシャフト側から見た図であり、(B)は
(A)のB方向矢視図である。
【図9】シャフトの変位位置を示す図8のIX−IX線断面
図である。
【図10】本発明の第4実施例によるセンサ本体を示し
ており、(A)はシャフト側から見た図であり、(B)
は(A)のB方向矢視図である。
【図11】シャフトの変位位置を示す図10のXI−XI線
断面図である。
【図12】本発明の第5実施例によるセンサ本体を示し
ており、(A)はシャフト側から見た図であり、(B)
は(A)のB方向矢視図であり、(C)は(B)のC方
向矢視図である。
【図13】本発明の第6実施例によるセンサ本体を示し
ており、(A)はシャフト側から見た図であり、(B)
は(A)のB方向矢視図であり、(C)は(B)のC方
向矢視図であり、(D)は(B)のD方向矢視図であ
る。
【図14】第6実施例の変位量センサを示す磁気回路図
である。
【図15】シャフトのストローク量とホールICが検出
する磁束密度との関係を示す特性図である。
【図16】本発明の第7実施例による変位量センサ本体
を示しており、(A)はシャフト側から見た図であり、
(B)は(A)のB方向矢視図である。
【図17】本発明の第8実施例による変位量センサ本体
を示しており、(A)は側面図であり、(B)は(A)
のB方向矢視図である。
【図18】本発明の第9実施例による変位量センサ本体
を示しており、(A)は側面図であり、(B)は(A)
のB方向矢視図である。
【図19】従来例による変位量センサを示す説明図であ
る。
【図20】永久磁石のストローク量とホール素子が検出
する磁束密度との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
10 変位量センサ 11 モールド樹脂 20、80、100、150、200、250、30
0、350、400センサ本体 21 固定磁性部材 22 対向部(可変抵抗手段) 30、90 第1ヨーク(第1磁性部材、固定磁性部
材) 31 円弧部(対向部) 32 磁路部 40、95 第2ヨーク(第2磁性部材、固定磁性部
材) 41 円弧部(対向部) 42 磁路部 50、85、110、115、160、165、38
0、440 永久磁石 60 ホールIC(磁気検出素子) 65、295 可変抵抗手段 70、140、240、450 シャフト(可動磁性
部材、可変抵抗手段) 101 有底円筒部材(固定磁性部材) 120、180、210、260、310、360、4
10 第1ヨーク(固定磁性部材) 121 円弧部(対向部、可変抵抗手段) 122 磁路部 130、185、215、270、320、370、4
20 第2ヨーク(固定磁性部材) 131 円弧部(対向部、可変抵抗手段) 132 磁路部 170 円弧部(固定磁性部材) 220 環状ヨーク(対向部) 225、330、430 第3ヨーク(固定磁性部
材) 230 第4ヨーク(固定磁性部材) 262 磁路部(対向部、可変抵抗手段) 280 第3ヨーク(対向部、可変抵抗手段) 311、331 円弧部(対向部、可変抵抗手段) 361、371、411、431 対向面(対向部) 390 シャフト(可動部材、可変抵抗手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳永 政男 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所 (72)発明者 武田 憲司 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所 (72)発明者 中村 勉 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所 (72)発明者 深谷 繁利 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所 (72)発明者 竹山 博司 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 内田 公雄 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 安田 恵一 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 2F063 AA02 CA34 DA05 GA53 GA54 KA01 2F077 CC02 JJ07 JJ22 VV02

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直線移動する移動体の変位量を検出する
    変位量センサであって、 移動体とともに直線移動する可動磁性部材と、 永久磁石と、 磁気検出素子と、 前記永久磁石および前記磁気検出素子と磁気回路を形成
    する固定磁性部材とを備え、 前記固定磁性部材と前記可動磁性部材とは、前記可動磁
    性部材が直線移動する方向にしたがい前記固定磁性部材
    と前記可動磁性部材との間の磁気抵抗が増加または減少
    する可変抵抗手段を前記磁気検出素子と並列に形成して
    いることを特徴とする変位量センサ。
  2. 【請求項2】 前記固定磁性部材は前記可動磁性部材と
    向き合い前記可動磁性部材と前記可変抵抗手段を形成す
    る対向部を有し、前記可動磁性部材が直線移動する方向
    にしたがい前記対向部と前記可動磁性部材とが形成する
    間隔が増加または減少することを特徴とする請求項1記
    載の変位量センサ。
  3. 【請求項3】 前記可動磁性部材は前記対向部の内側を
    移動し、前記可動磁性部材が直線移動する方向にしたが
    い、前記対向部と向き合う前記可動磁性部材の移動軌跡
    と直交する断面積が増加または減少することを特徴とす
    る請求項2記載の変位量センサ。
  4. 【請求項4】 前記固定磁性部材は前記可動磁性部材の
    移動軌跡と直交する向きで前記可動磁性部材と向き合い
    前記可動磁性部材と前記可変抵抗手段を形成する対向部
    を有し、前記可動磁性部材は前記対向部の内周側を移動
    し、前記対向部と前記可動磁性部材とが形成する間隔
    は、前記可動磁性部材の変位量に関わらずほぼ一定であ
    り、前記可動磁性部材が直線移動する方向にしたがい前
    記対向部と前記可動磁性部材とが向き合う対向面積が増
    加または減少することを特徴とする請求項1記載の変位
    量センサ。
  5. 【請求項5】 前記永久磁石と前記対向部とは、前記可
    動磁性部材の移動軌跡と直交する同一平面上に位置して
    いることを特徴とする請求項2、3または4記載の変位
    量センサ。
  6. 【請求項6】 前記対向部は環状であり、前記対向部の
    ほぼ径方向反対側にそれぞれ永久磁石を設置し、前記固
    定磁性部材は、両永久磁石のほぼ中間に位置する前記対
    向部からそれぞれ前記可動磁性部材の一方の移動方向に
    延び、前記磁気検出素子と磁気的に接続する磁路部を有
    していることを特徴とする請求項5記載の変位量セン
    サ。
  7. 【請求項7】 前記対向部と前記可動磁性部材との間に
    形成される空間の前記可動磁性部材の移動軌跡と直交す
    る断面の形状は、前記永久磁石同士を通る第1仮想軸
    と、前記第1仮想軸と直交する第2仮想軸とをそれぞれ
    対称軸として線対称であり、前記第1仮想軸上において
    前記永久磁石と前記可動磁性部材とが形成する間隔は、
    前記第2仮想軸上において前記対向部と前記可動磁性部
    材とが形成する間隔よりも大きいことを特徴とする請求
    項6記載の変位量センサ。
  8. 【請求項8】 前記永久磁石と前記磁気検出素子とは前
    記可動磁性部材の移動方向両端の前記固定磁性部材に設
    置され、前記対向部は前記永久磁石と前記磁気検出素子
    との間に位置していることを特徴とする請求項2、3ま
    たは4記載の変位量センサ。
  9. 【請求項9】 前記固定磁性部材は、前記永久磁石と前
    記磁気検出素子との間をそれぞれ磁気的に接続する第1
    磁性部材および第2磁性部材を有し、前記第1磁性部材
    および前記第2磁性部材はそれぞれ一体に形成されてい
    ることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載
    の変位量センサ。
  10. 【請求項10】 直線移動する移動体の変位量を検出す
    る変位量センサであって、 移動体とともに移動する可動磁性部材と、 環状の永久磁石と、 磁気検出素子と、 前記永久磁石および前記磁気検出素子と磁気回路を形成
    する固定磁性部材とを備え、 前記可動磁性部材は前記永久磁石の内側を移動し、前記
    固定磁性部材は、前記永久磁石のほぼ径方向反対側から
    それぞれ前記可動磁性部材の一方の移動方向に延び前記
    磁気検出素子と磁気的に接続している磁路部を有し、前
    記永久磁石と前記可動磁性部材とは、前記可動磁性部材
    が直線移動する方向にしたがい前記永久磁石と前記可動
    磁性部材との間の磁気抵抗が増加または減少する可変抵
    抗手段を前記磁気検出素子と並列に形成していることを
    特徴とする変位量センサ。
  11. 【請求項11】 直線移動する移動体の変位量を検出す
    る変位量センサであって、 移動体とともに移動する可動磁性部材と、 永久磁石と、 磁気検出素子と、 前記永久磁石および前記磁気検出素子と磁気回路を形成
    する固定磁性部材とを備え、 前記固定磁性部材と前記可動磁性部材とは、前記可動磁
    性部材が直線移動する方向にしたがい前記固定磁性部材
    と前記可動磁性部材との間の磁気抵抗が増加または減少
    する可変抵抗手段を前記磁気検出素子と直列に形成して
    いることを特徴とする変位量センサ。
  12. 【請求項12】 前記固定磁性部材は前記可動磁性部材
    と向き合い前記可動磁性部材と前記可変抵抗手段を形成
    する対向部を有し、前記可動磁性部材が直線移動する方
    向にしたがい前記対向部と前記可動磁性部材とが形成す
    る間隔が増加または減少することを特徴とする請求項1
    1記載の変位量センサ。
  13. 【請求項13】 前記可動磁性部材は前記対向部の内
    側を移動し、前記可動磁性部材が直線移動する方向にし
    たがい、前記対向部と向き合う前記可動磁性部材の移動
    軌跡と直交する断面積が増加または減少することを特徴
    とする請求項12記載の変位量センサ。
  14. 【請求項14】 前記固定磁性部材は前記可動磁性部材
    の移動軌跡と直交する向きで前記可動磁性部材と向き合
    い前記可動磁性部材と前記可変抵抗手段を形成する対向
    部を有し、前記可動磁性部材は前記対向部の内周側を移
    動し、前記対向部と前記可動磁性部材とが形成する間隔
    は、前記可動磁性部材の変位量に関わらずほぼ一定であ
    り、前記可動磁性部材が直線移動する方向にしたがい前
    記対向部と前記可動磁性部材とが向き合う対向面積が増
    加または減少することを特徴とする請求項11記載の変
    位量センサ。
  15. 【請求項15】 前記永久磁石、前記固定磁性部材およ
    び前記磁気検出素子を樹脂モールドしていることを特徴
    とする請求項1から14のいずれか一項記載の変位量セ
    ンサ。
  16. 【請求項16】 前記永久磁石、前記固定磁性部材およ
    び前記磁気検出素子の内周側に位置する内側カップと外
    周側に位置する外側カップとを備え、前記両カップで前
    記永久磁石、前記固定磁性部材および前記磁気検出素子
    を支持していることを特徴とする請求項1から14のい
    ずれか一項記載の変位量センサ。
  17. 【請求項17】 直線移動する移動体の変位量を検出す
    る変位量センサであって、 移動体とともに移動する可動部材と、 前記可動部材に設置されている永久磁石と、 磁気検出素子と、 前記磁気検出素子と磁気回路を形成する固定磁性部材と
    を備え、 前記永久磁石と前記固定磁性部材とは、前記永久磁石が
    直線移動する方向にしたがい前記固定磁性部材と前記永
    久磁石との間の磁気抵抗が増加または減少する可変抵抗
    手段を前記磁気検出素子と直列に形成していることを特
    徴とする変位量センサ。
  18. 【請求項18】 前記固定磁性部材は前記永久磁石と向
    き合い前記永久磁石と前記可変抵抗手段を形成する対向
    部を有し、前記永久磁石が直線移動する方向にしたがい
    前記対向部と前記永久磁石とが形成する間隔が増加また
    は減少することを特徴とする請求項17記載の変位量セ
    ンサ。
  19. 【請求項19】 前記磁気検出素子はホール素子である
    ことを特徴とする請求項1から18のいずれか一項記載
    の変位量センサ。
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