JP2003050331A - 光学素子の製造方法、凹部を有する構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】凹部を備えた基板を用いる光学素子の製造工程
において、凹部内の被膜を容易に除去することのできる
光学素子の製造方法を提供する。 【解決手段】凹部２１を備えた基板１上に被膜２２を形
成する膜形成工程と、凹部２１内の被膜２２を除去する
除去工程とを有する。除去工程は、基板１上にレジスト
膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用
いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することによ
り、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジ
スト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去
する工程である。このとき、レジスト膜１５０をネガ型
レジストにより形成し、凹部２１を露光の際の非露光部
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂製の光学素子
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】簡単な製造プロセスで光学特性に優れた
光導波路等の光学素子を製造可能な材料として、ポリイ
ミド系樹脂が注目されている。ポリイミド系樹脂は、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が高く、耐熱性に優れるため、製
造された光学素子は、長期信頼性が期待でき、しかも、
樹脂製でありながら半田付けにも耐え得る。特に、フッ
素を含むポリイミド系樹脂は、フッ素を含まないポリイ
ミド系樹脂に比べ、光の透過性が高い、屈折率が低い等
の特徴を有するため、光学素子の材料として優れてい
る。

【０００３】しかしながら、フッ素を含むポリイミド系
樹脂は、光学素子の基板として用いられるガラス、石
英、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミニ
ウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タン
タル、ガリウムヒ素などに対する接着性が低い。そのた
め、特開平７−１７４９３０号公報には、有機ジルコニ
ウム化合物層を基板上に形成した上に、フッ素を含むポ
リイミド系樹脂被膜を形成する光学装置の製造方法が開
示されている。また、特開２０００−２４１６４０号公
報では、有機ジルコニウム化合物の被膜とフッ素を含ま
ない樹脂被膜とをこの順に積層した２上に、フッ素を含
むポリイミド系樹脂被膜を形成する構成が開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光学
特性の優れたフッ素を含むポリイミド系樹脂層を基板上
に形成するために、有機ジルコニウム化合物の被膜とフ
ッ素を含まない樹脂被膜が、従来より接着層として用い
られている。これら接着層、ならびに、フッ素を含むポ
リイミド系樹脂層を形成する際には、スピンコート等の
塗布技術を用いることができる。スピンコートを用いる
ことにより、ウエハ状の大きな基板の上に、複数の光学
素子を一度に形成することができるため、複数の光学素
子を効率よく量産することが可能である。しかしなが
ら、光通信用のように光ファイバに接続される用途の光
学素子は、光ファイバと光学素子とのアライメントを容
易にするために、基板上に光ファイバ設置用のＶ溝等の
凹部を備えるものがある。この場合、光ファイバ設置用
凹部の上には、接着層やフッ素を含むポリイミド樹脂層
は不要であるため、スピンコートで基板全体に接着層や
樹脂層を形成した後で、凹部上のこれらの層を除去する
必要がある。しかしながら、一般的には深さ数十μｍ程
度以上に形成されているＶ溝等の凹部の内部に入り込ん
だ接着層や樹脂層を、アッシングや反応性イオンエッチ
ング等の通常の方法で除去するのは容易ではない。

【０００５】本発明では、凹部を備えた基板を用いる光
学素子の製造工程において、凹部内の被膜を容易に除去
することのできる光学素子の製造方法を提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、基板上に被膜を形成した後、凹部内の
被膜を除去するために、基板上にレジスト膜を塗布し、
所望のパターンに露光および現像し、残った前記レジス
ト膜をエッチングマスクとして被膜を除去する。このと
き、レジスト膜をネガ型レジストにより形成し、凹部を
前記露光の際の非露光部とする。上述の被膜は、有機金
属化合物を含むカプラー層とすることができる。カプラ
ー層は、有機アルミニウム化合物および有機ジルコニウ
ム化合物のうちの少なくとも一方を含む構成にすること
ができる。光学素子の構造は、前記基板上にカプラー層
を配置し、その上に光導波路構造層を配置する構成にす
ることができる。光導波路構造層がフッ素を含む樹脂層
を含む場合には、光導波路構造層とカプラー層との間に
は、第２のカプラー層を配置することができ、第２のカ
プラー層は、フッ素を含まない樹脂層とすることができ
る。レジスト膜の現像の際に現像液としてウエットエッ
チング液を用い、現像液によりレジスト膜とともに第２
のカプラー層を同時にエッチングする工程にすることが
できる。このとき、現像液として、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド溶液を用いることができる。
第２のカプラー層を現像液によりエッチングした後、ウ
エットエッチングまたはドライエッチングにより、前記
カプラー層を除去することができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について説
明する。（第１の実施の形態）

【０００８】まず、本発明の第１の実施の形態の光学素
子１００の構成を図１〜図４を用いて説明する。光学素
子１００は、シリコン単結晶の基板１上に、光導波路積
層体１０が搭載された領域と、Ｖ溝２１が配置された領
域２０と、発光素子または受光素子を搭載するための電
極７が配置された領域３０とを有している。光導波路積
層体１０は光導波路４を含み、Ｖ溝２１は光ファイバを
搭載するためのものである。Ｖ溝２１は、予め定められ
た径の光ファイバを搭載した場合、光導波路４とアライ
メントした状態となるよう、その深さおよび幅が設計さ
れている。したがって例えば、電極７上に発光素子を搭
載し、Ｖ溝２１に光ファイバを搭載することにより、発
光素子から発せられた光を、光導波路４に入射させてこ
れを伝搬させ、光ファイバに高効率で入射させることが
可能である。また、電極７上に受光素子を搭載した場合
には、光ファイバを伝搬してきた光を高効率で光導波路
４に入射させ、光導波路４を伝搬させ、受光素子に向か
って精度良く出射させることができる。

【０００９】基板１の上面には、基板１を保護し、屈折
率を調整するための二酸化珪素層２が備えられ、光導波
路積層体１０は、二酸化珪素層２の上に搭載されてい
る。光導波路積層体１０は、図３のように二酸化珪素層
２の上に、順に積層された、第１カプラー層２２と、第
２カプラー層２３と、下部クラッド層３と、光導波路４
と、光導波路４を埋め込む上部クラッド層５と、保護層
９とを含んでいる。下部クラッド層３、光導波路４およ
び上部クラッド層５はいずれも、光学特性に優れたフッ
素を含むポリイミド系樹脂により形成されている。第１
カプラー層２２および第２カプラー層２３は、基板１と
下部クラッド層３との接着性を高めるために配置されて
いる。

【００１０】第１カプラー層２２を構成する化合物とし
ては、後述するように種々の化合物を用いることができ
るが、第１の実施の形態では、第１のカプラー層２２と
して有機アルミニウムの被膜を用いる。有機アルミニウ
ムとして、ここでは、アルミニウムアセチルアセトネー
トを用いる。第１カプラー層２２は、数十オングストロ
ームから数百オングストローム程度の膜厚でむらなく形
成されている。

【００１１】第２カプラー層２３は、第１の実施の形態
では、フッ素を含まないポリイミド系樹脂被膜である。
ここでは日立化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品名）を用
いて形成したポリイミド層である。その膜厚は、約０．
２３μｍである。

【００１２】下部クラッド層３および上部クラッド層５
は、ここでは、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ３１
０５（商品名）を用いて形成したフッ素を含むポリイミ
ド膜からなる。下部クラッド層３の膜厚は、約６μｍ、
上部クラッド層５の膜厚は、光導波路４の直上で約１０
μｍ、他の部分で約１５μｍである。光導波路４は、日
立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ３３０５（商品名）を
用いて形成したフッ素を含むポリイミド膜からなり、そ
の膜厚は約６．５μｍである。保護層９は、日立化成デ
ュポンマイクロシステムズ株式会社製ＰＩＸ−６４００
（商品名）を用いて形成したポリイミド膜であり、その
膜厚は、光導波路４から離れた端部の部分で約５μｍで
ある。

【００１３】また、光導波路積層体１０には、光導波路
４を横切るように切り込み２７が形成されている。この
切り込み２７には、光導波路４を伝搬する光を通過させ
るための波長選択フィルタや偏光フィルタ等のフィルタ
を挿入することができる。

【００１４】また、Ｖ溝２１は、シリコン単結晶の基板
１を異方性エッチングすることにより形成された深さ約
１００μｍの溝であり、断面はＶ字型である。Ｖ溝２１
が配置された領域２０と光導波路積層体１０との境界に
は、図１、図２、図４のように光導波路積層体１０の端
面を切断する際に形成された切り込み２５が存在してい
る。同様に、電極７の領域３０と光導波路積層体１０と
の境界にも切り込み２６が存在している。切り込み２５
の底には、位置合わせマーク３３が、領域３０の電極７
の両脇には位置合わせマーク３１，３２が配置されてい
る。これら位置合わせマーク３１，３２，３３は、Ｖ溝
２１を形成する際に同時に異方性エッチングにより形成
された凹部である。

【００１５】つぎに、本実施の形態の光学素子の製造方
法について、図５を用いて説明する。

【００１６】ここでは、基板１としてシリコンウエハを
用意し、この基板１の上に図１の構造を縦横に多数配列
して形成し、後の工程でダイシングにより切り離して、
個々の光学素子１００に分離する。これにより、多数の
図１の光学素子１００を量産することができる。よっ
て、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基板１全体で
一度に行う。

【００１７】まず、ウエハ状の基板１の上面全体に、二
酸化珪素層２を熱酸化法や気相堆積法等により形成した
後、フォトリソグラフィとシリコン単結晶の異方性を利
用したウエットエッチングによりＶ溝２１を図５のよう
に配列して形成する。このとき、図４に示した位置合わ
せマーク３１，３２，３３として用いる凹部もＶ溝２１
と同時に形成しておく。

【００１８】このウエハ状の基板１の上に金属膜を成膜
してパターニングすることにより、図１の電極７を形成
する。これにより、図５のように、ウエハ状の基板１に
は、Ｖ溝２１と電極７とが多数配列されて形成される。
なお、電極７を形成する際、電極７の位置決めを位置合
わせマーク３１，３２を用いて行う。これにより、Ｖ溝
２１に対して電極７の位置を高精度に位置合わせして形
成することができる。

【００１９】つぎに、図５のウエハ状の基板１の全体
に、第１カプラー層２２をスピンコート法を用いて形成
する。まず、第１カプラー層２２の材料溶液として、ア
ルミニウムアセチルアセトネートを溶媒Ｎ−メチル−２
−ピロリドンに溶解した溶液を用意し、一般的なスピン
コート装置を用いて材料溶液を滴下した基板１を回転さ
せ、材料溶液の塗膜を形成する。これにより、膜厚の一
様な薄い塗膜を形成することができる。この後、形成さ
れた塗膜を、１６０℃で５分程度加熱して乾燥させ、第
１カプラー層２２を形成する。これにより、図５のウエ
ハ状の基板１の全面に第１カプラー層２２を形成でき
る。

【００２０】つぎに、第１カプラー層２２の上に、第２
カプラー層２３を形成する。第２カプラー層２３は、既
に述べたように日立化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品
名）を材料溶液とする、フッ素を含まないポリイミド系
樹脂被膜である。まず、通常のスピンコート装置を用い
て、材料溶液（ＰＩＱ（商品名））を基板１上にスピン
コート法により塗布する。これにより、基板１上に、第
２カプラー層２３の材料溶液の塗膜を形成する。その
後、加熱して溶媒を蒸発させ、さらに加熱して硬化させ
ることにより、第２カプラー層２３を形成する。ここで
は、硬化後の第２カプラー層２３の厚さが０．２３μｍ
となるようにスピンコートの条件を制御した。

【００２１】つぎに、ウエハ状の基板１上の上面のう
ち、完成後の光学素子で光導波路積層体１０が配置され
ていない領域２０，３０となる部分について、第２カプ
ラー層２３と、第１カプラー層２２を除去する。ウエハ
状の基板１には光学素子を縦横に配列して製造している
ため、ウエハ状の基板１の上面のうち、領域２０および
領域３０に相当する部分は、図６のように光導波路積層
体１０の両脇の帯状の部分である。この帯状の部分から
第２カプラー層２３と第１カプラー層２２とを除去する
ことにより、この帯状の部分においては下部クラッド３
が基板１から剥がれやすくなる。これにより、後述する
工程で光導波路積層体１０を基板１の領域２０，３０に
相当する部分から、帯状に剥がして除去することが可能
になる。

【００２２】基板１上の領域２０，３０から第２カプラ
ー層２３と第１カプラー層２２とを除去する方法につい
て、具体的に説明する。

【００２３】基板上の領域２０，３０のみから帯状に第
２カプラー層２３と第１カプラー層２２とを除去するた
めには、光導波路積層体１０が配置される領域のみを覆
うレジスト膜を配置し、領域２０，３０上の第２カプラ
ー層２３と第１カプラー層２２とをエッチングすること
が考えられる。しかしながら、領域２０には、深さ１０
０μｍの深いＶ溝２１が存在するため、レジストを露光
する光がＶ溝２１内壁で乱反射されやすく、Ｖ溝２１の
底部や端部に光が届きにくい。そのため、光が照射され
た部分が現像時に溶解するポジ型のレジストを用いた場
合、Ｖ溝２１の底部や端部にレジストが残りやすくな
る。Ｖ溝２１の底部や端部にレジストが残存すると、エ
ッチング時に第２カプラー層２３と第１カプラー層２２
を除去できない。そこで、本実施の形態では、ネガ型の
レジストを用いることにより、深いＶ溝２１が存在する
領域２０から第２カプラー層２３と第１カプラー層２２
とを除去する。

【００２４】まず、図１５（ａ）のように、ウエハ状の
基板１の全面にネガ型のレジスト膜１５０を塗布により
形成する。ここでは、ネガ型レジスト液として、ＺＰＮ
−１１００（日本ゼオン株式会社製）を用い、これをス
ピン塗布し、１００℃で乾燥することによりネガ型レジ
スト膜１５０を形成した。この後、フォトマスクを用い
て水銀ランプからの光を照射し、ネガ型レジスト膜１５
０を露光する。フォトマスクは、光導波路積層体１０を
形成すべき部分にのみに、光が照射されるようにパター
ニングされている。これにより、光導波路積層体１０が
形成されるべき部分のレジスト膜１５０のみが露光され
て光反応を生じ、現像液に非溶解性の樹脂へと変化す
る。すなわち、Ｖ溝２１の部分のレジスト膜１５０は露
光されず、Ｖ溝２１の内壁で露光用光が乱反射する等の
問題は生じない。その後、ネガ型レジスト膜１５０を現
像する。これにより、非露光部のレジスト膜１５０が現
像液に溶解し、露光部のレジスト膜１５０のみが残る。
また、同時に、第２カプラー層２３も現像液に溶解する
ため、露光部のレジスト膜１５０の部分以外はウエット
エッチングされ、図１５（ｂ）のように領域２０および
領域３０の第２カプラー層２３が除去される。このと
き、Ｖ溝２１の内部のレジスト膜１５０と第２カプラー
層２３もきれいに除去することができる。このように、
本実施の形態では、ネガ型レジスト膜１５０を用いるこ
とにより、Ｖ溝２１の内部のレジスト膜５０および第２
カプラー層２３を容易に除去できる。

【００２５】この後、光導波路積層体１０を形成すべき
部分に残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとし
て、フッ酸を用いたウエットエッチングまたは反応性イ
オンエッチングにより、第１カプラー層２２を除去する
（図１５（ｃ））。最後に、レジスト膜５０を除去す
る。これにより、図６のウエハ状の基板１の領域２０お
よび３０の部分およびＶ溝２１の内部から、第１カプラ
ー層２２と第２カプラー層２３を除去できる。

【００２６】つぎに、ウエハ状の基板１の上面全体に前
述のＯＰＩ−Ｎ３１０５をスピン塗布して、下部クラッ
ド層３の材料溶液塗膜を形成する。その後、乾燥器で１
００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加熱するこ
とにより溶媒を蒸発させ、続けて３７０℃で６０分加熱
することにより硬化させ、厚さ６μｍの下部クラッド層
３を形成する。

【００２７】この下部クラッド層３の上に、前述のＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５をスピン塗布して、光導波路４の材料溶
液塗膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０
分、次いで、２００℃で３０分加熱することにより溶媒
を蒸発させ、続けて３５０℃で６０分加熱することによ
り硬化を行い、光導波路４となる厚さ６．５μｍのポリ
イミド膜を形成する。

【００２８】つぎに、このポリイミド膜をフォトリソグ
ラフィにより光導波路４の形状にパターニングする。パ
ターニングは、レジストパターン層をエッチングマスク
として、酸素イオンを用いた反応性イオンエッチング
（Ｏ２−Ｒ１Ｅ）により行う。これにより、図６のよう
に基板１上に多数配列して一度に形成することができ
る。その後、レジストパターン層を剥離する。なお、上
記レジストパターン層を露光する際に、Ｖ溝２１を形成
する際に同時に形成しておいた位置合わせマーク３３を
用いてフォトマスクを位置合わせすることにより、Ｖ溝
２１と正確に位置合わせされた光導波路４を形成するこ
とができる。

【００２９】つぎに、光導波路４および下部クラッド層
３を覆うように、ＯＰＩ−Ｎ３１０５をスピン塗布し、
上部クラッド層５の材料溶液膜を形成する。この後、乾
燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加
熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、３５０℃で６０
分加熱することによりポリイミド膜の上部クラッド層５
を形成する。

【００３０】さらに、上部クラッド層５の上面に、ＰＩ
Ｘ−６４００をスピン塗布し、乾燥器で１００℃で３０
分、２００℃で３０分加熱して溶媒を蒸発させ、続け
て、３５０℃で６０分加熱して、上面がほぼ平坦で光導
波路４から離れた端部の部分で厚さ約５μｍのポリイミ
ド膜の保護層９を得る。

【００３１】つぎに、下部クラッド層３から保護層９ま
での各層は、これらが不要な部分である領域２０および
３０にも配置されているため、これを剥がして除去す
る。すなわち、図６のように領域２０と光導波路積層体
１０との境界、および、光導波路積層体１０と領域３０
との境界にそれぞれダイシングにより切り込み２５，２
６を入れ、下部クラッド層３から保護層９までの各層を
切断する。このとき、ダイシングによる切り込みの深さ
は、基板１は切り離さない深さにする。先の工程で、領
域２０および領域３０の基板１の上面からは、第１カプ
ラー層２２と第２カプラー層２３が除去されているた
め、領域２０および領域３０では、下部クラッド層３と
基板１との密着力は小さい。したがって、領域２０およ
び領域３０の上に搭載されている下部クラッド層３から
保護層９間での各層は、切り込み２５，２６を入れたこ
とにより、ウエハ状の基板１から帯状に容易に剥がすこ
とができる。これにより、図６のウエハ状の基板１にお
いて、領域２０および領域３０では基板上面が露出され
る。

【００３２】つぎに、ウエハ状の基板１のまま、光導波
路積層体１０にダイシングにより切り込み２７を形成す
る。また、必要に応じて、露出された領域３０の電極７
に、所望の形状のはんだ層を形成する。

【００３３】つぎに、図７（ａ）、（ｂ）のようにウエ
ハ状の基板１をダイシングにより切断することにより、
短冊状に切り出し、さらに図７（ｃ）、（ｄ）のように
短冊状の基板１をダイシングにより個々の光学素子１０
０に切り出し、光学素子１００を完成させる。なお、ダ
イシング工程の手順は、この手順に限られるものではな
く、図７（ａ）の工程で縦横にメッシュ状にダイシング
して図７（ｄ）のように光学素子１００を形成すること
も可能である。

【００３４】上述してきたように、本実施の形態では、
第１カプラー層２２の材料溶液として有機アルミニウム
化合物（アルミニウムアセチルアセテート）を溶媒（Ｎ
−メチル−２−ピロリドン）に溶解した溶液を用いるこ
とにより、深いＶ溝２１が形成されている基板１上に、
通常のスピンコート装置を用いて、第１カプラー層２２
の塗膜を薄くむらなく形成することができる。これによ
り、基板１と下部クラッド層３との接着性を高めること
ができ、膜剥がれが生じにくく、光学特性と耐久性に優
れた光導波路積層体１０を備えた光学素子を製造するこ
とができる。また、本実施の形態では、第１カプラー層
２２および第２カプラー層２３を除去する際に、ネガ型
レジスト膜１５０を用いることにより、Ｖ溝２１の内部
から容易に除去することができる。したがって、ウエハ
ー状の基板１の全面に光導波路積層体１０を形成した後
で、領域２０および領域３０から帯状に光導波路積層体
１０を剥がして除去することが可能になるため、Ｖ溝２
１を備えた光学素子１００を大量生産することができ
る。なお、上述の実施の形態では、フッ素を含むポリイ
ミド樹脂からなる下部クラッド層３と基板１との密着性
を高めるために、第１カプラー層２２と、フッ素を含ま
ないポリイミド樹脂からなる第２カプラー層２３とを配
置した構造について説明したが、第２カプラー層２３を
備えない構成にすることも可能である。第２カプラー層
２３を備えない場合には、第２カプラー層２３を備える
場合よりも下部クラッド層３と基板１との密着性が若干
低下するが、第１カプラー層２２の作用により実用可能
なレベルの密着性は維持できる。よって、第２カプラー
層２３を備えない構成にすることもできる。

【００３５】上述してきた光学素子１００は、光ファイ
バを搭載するＶ溝２１を備え、Ｖ溝２１を形成する際
に、位置合わせマーク３１，３２，３３をＶ溝２１と同
時に形成している。光導波路４を形成する際には、位置
合わせマーク３３を用いて、Ｖ溝２１と光導波路４とを
正確に位置合わせしている。また、電極７を形成する際
にも位置合わせマーク３１、３２を用いて、電極７とＶ
溝２１とを正確に位置合わせしている。また、電極７上
に発光素子もしくは受光素子を搭載する際に、位置合わ
せマーク３１、３２を用いることにより、発光素子もし
くは受光素子の光軸をＶ溝２１に正確に位置合わせする
ことができる。したがって、Ｖ溝２１と光導波路４と
は、光学素子１００が完成した時点で主平面方向に正確
にアライメントされており、Ｖ溝２１に設計通りの光フ
ァイバを搭載するだけで光導波路４とを容易にアライメ
ントすることができる。また、発光素子もしくは受光素
子を電極７上に搭載する際に位置合わせマーク３１、３
２を用いて位置合わせすることにより、発光素子もしく
は受光素子を光導波路４に容易にアライメントすること
ができる。これにより、発光素子または受光素子と、光
導波路４と、Ｖ溝２１上の光ファイバとを容易にかつ正
確にアライメントすることができ、結合効率の高い光学
素子を提供することができる。

【００３６】（第２の実施の形態）つぎに、本発明の第
２の実施の形態の光学素子１００の製造方法を説明す
る。第２の実施の形態の光学素子１００の構成は、第１
の実施の形態と同様に図１〜図４の形状および層構成で
あるが、第１カプラー層２２として、有機ジルコニウム
化合物被膜を用いる点が第１の実施の形態とは異なる。
また、第１カプラー層２２を形成する際のスピンコート
方法が第１の実施の形態とは異なっている。さらに、第
２の実施の形態では、第１カプラー層２２および第２カ
プラー層２３を領域２０，３０から除去する工程におい
て、ポジ型レジスト膜を用い、露光現像方法を工夫する
ことにより、Ｖ溝２１内からレジスト層および第２カプ
ラー層２３を完全に除去するようにしている。

【００３７】本実施の形態において、第１カプラー層２
２を構成する有機ジルコニウム化合物としては、後述す
るように種々のものを用いることができるが、ここで
は、トリブトキシアセチルアセトネートジルコニウム被
膜を第１カプラー層２２とする。第１カプラー層２２の
膜厚は、５０オングストローム以上２００オングストロ
ーム以下の範囲であることが好ましく、特に、５０オン
グストローム以上１５０オングストローム以下の範囲で
あることが望ましい。これは、膜厚が５０オングストロ
ームよりも薄くなると、接着性向上の効果を十分発揮で
きず、下部クラッド３が基板１から剥がれやすくなるた
めである。また、膜厚が２００オングストロームを越え
ると、膜がもろくなるためである。この５０オングスト
ローム以上２００オングストローム以下という範囲は、
有機ジルコニウム化合物の分子層（分子の重なり）でい
うと、５分子層以上１５分子層以下にほぼ相当する。膜
の形成方法については、後で詳しく説明する。

【００３８】第２カプラー層２３は、第１の実施の形態
と同様に、日立化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品名）を
用いて形成したフッ素を含まないポリイミド樹脂被膜で
ある。その膜厚は、約０．２３μｍである。下部クラッ
ド層３、上部クラッド層５、光導波路４、および、保護
層９の材料および膜厚も、第１の実施の形態と同様であ
る。

【００３９】つぎに、第２の実施の形態の光学素子の製
造方法について説明する。

【００４０】第１の実施の形態と同様に、基板１として
シリコンウエハを用意し、基板１の上面全体に、二酸化
珪素層２を熱酸化法や気相堆積法等により形成した後、
Ｖ溝２１を図５のように配列して形成する。このとき、
図４に示した位置合わせマーク３１，３２，３３も同時
に形成する。この後、基板１の上に、図１の電極７を形
成する。これにより、図５のように、ウエハ状の基板１
には、Ｖ溝２１と電極７とが多数配列されて形成され
る。

【００４１】つぎに、図５のウエハ状の基板１の全体に
第１カプラー層２２を形成する。まず、第１カプラー層
２２の材料溶液として、トリブトキシアセチルアセトネ
ートジルコニウムをブタノールに溶解して、１重量％溶
液に調合したものを用意し、これをスピンコート法によ
って基板１上に塗布する。この材料溶液は、第１の実施
の形態で用いた第１カプラー層２２の材料溶液と比較し
て、スピンコート時に膜厚むらが生じやすいため、スピ
ンコート法としては、以下の第１〜第３のスピンコート
方法のいずれかを用いる。第１〜第３のいずれのスピン
コート方法を用いた場合でも、第１カプラー層２２を５
０オングストローム以上２００オングストローム以下の
範囲の膜厚で形成することができる。

【００４２】第１のスピンコート方法は、図１０のスピ
ンコート装置を用いる方法である。図１０のスピンコー
ト装置は、固定カップ２０２と、固定カップ２０２の内
部に配置された回転カップ２１０とを有している。回転
カップ２１０は、カップ状の本体２０７と、本体２０７
内に配置された基板搭載部２０６と、本体２０７を覆う
蓋２０５とを有している。カップ本体２０７は、回転駆
動部２０１に接続され、軸２１１を中心に回転する。ま
た、カップ本体２０７には、基板搭載部２０６まで連通
する基板吸着用貫通孔２１２が設けられ、この貫通孔２
１２は、不図示の真空排気装置に接続されている。ま
た、カップ本体２０７には、塗布液を排出するための排
液用貫通孔２１３が設けられている。排液用貫通孔２１
３は、塗布液の侵入口２１３ａから軸２１１に向かうよ
うに形成されている。よって、排出口２１３ｂは、侵入
口２１３ａよりも軸２１１寄りに配置されている。

【００４３】図１０のスピンコート装置を用いてスピン
コートする場合には、基板搭載部２０６にウエハ状の基
板１を搭載して吸着し、基板１の上に有機ジルコニウム
化合物溶液を滴下した後、蓋２０５をカップ本体２０７
にかぶせる。これにより、回転カップ２１０の内部空間
には、溶液中の溶媒が充満し、溶媒雰囲気となる。この
状態で、回転カップを回転させると、遠心力により、基
板１上に溶液が塗布される。ここでは、５００ｒｐｍ〜
２０００ｒｐｍの条件で９０秒間回転カップを回転させ
た。このとき、排液用貫通孔２１３は、排出口２１３ｂ
が侵入口２１３ａよりも軸２１１寄りに配置されている
ため、回転中は遠心力により、排出口２１３ｂ側から侵
入口２１３ａに向かって予圧が加わり、回転カップ２１
０は密閉状態となる。よって、回転カップ２１０内の溶
液および雰囲気は、外部に排出されない。このため、回
転カップ２１０内は減圧されず、外部に向かう雰囲気の
流れは形成されない。しかも、基板１と対向する蓋２０
５は、基板１と共に同じ速度で回転しているため、基板
１と蓋２０５との相対速度はゼロになり、基板１と蓋２
０５との間の雰囲気と基板１との相対速度もほぼゼロで
ある。このように、基板１が回転している間に、基板１
の周囲は溶媒雰囲気に満たされ、しかも溶媒雰囲気は、
基板１と共に回転し、雰囲気の流れが存在しないため、
基板１上の溶液塗膜は回転中はほとんど乾燥しない。

【００４４】このように、回転中の乾燥を防ぐことので
きる図１０のスピンコート装置を用いてスピンコートを
行うことにより、図５のように深いＶ溝２１が多数配列
された基板１であっても、第１カプラー層２２の材料溶
液の塗膜を薄く均一に形成することができる。発明者ら
の実験によると、一枚のウエハ状の基板１上で、最小膜
厚約６０オングストローム、最大膜厚約１１３オングス
トロームの範囲の塗膜を形成することができる。このよ
うに膜厚むらを非常に小さくできるのは、図１０のスピ
ンコート装置の場合、雰囲気の流れがほとんど存在せ
ず、基板１が回転中に塗膜が乾燥しにくいため、Ｖ溝２
１に溜まった溶液が遠心力で外側にとばされて塗膜が厚
くなっても、そのままさらに回転する間に周囲に広がり
均一化されるためであると考えられる。回転終了後は、
遠心力がなくなるため、排液用貫通孔２１３の侵入口２
１３ａから排出口２１３ｂに向かって、図１１のように
溶液が流れる。これによって、回転カップ２１０内から
溶媒雰囲気が排出される流れが生じる。また、蓋２０５
を開けると溶媒雰囲気が一気に大気と入れ替わる。これ
により、むらなく塗布されていた基板１上の塗膜が、そ
のまま乾燥し、薄くむらのない第１カプラー層２２の材
料溶液の塗膜が形成される。

【００４５】第２のスピンコート方法は、図１２のスピ
ンコート装置を用いる方法である。図１２のスピンコー
ト装置は、固定カップ２０２内に、直接、基板搭載部２
２０を配置し、基板搭載部２２０を回転させる構成であ
る。固定カップ２０２には、蓋２２２をかぶせて密閉
し、固定カップ２０２内に溶液に含まれる溶媒を充満さ
せ、溶媒雰囲気中でスピンコートを行う。図１２の構成
では、蓋２２２が停止しているため、回転している基板
１との間には、回転速度と同じだけ相対速度があり、こ
れにより、基板１と蓋２２２との間には溶媒雰囲気の気
流が発生する。この気流により、第１のスピンコート方
法よりも、基板１上の溶液が乾燥するが、第２のスピン
コート方法では、回転終了後に、固定カップ２０２に設
けた排気口２２１から不図示の流量計で流量を測定しな
がら、２〜３リットル／ｍｉｎ程度のゆっくりした排気
速度で１０分程度時間をかけて溶媒雰囲気を排気してか
ら蓋２２２を開ける方法を用いることにより、回転停止
後の乾燥速度を抑制する。これにより、第１の方法より
は、膜厚のむらが若干大きくなるが、一枚のウエハ状の
基板１上で最小膜厚約５４オングストローム、最大膜厚
約１４０オングストロームの範囲の膜厚の塗膜を形成す
ることができる。この膜厚むらは、接着性を向上させる
ために望ましい膜厚むらの範囲５０オングストローム以
上２００オングストローム以下の範囲に入っており、十
分な接着性向上の作用を得ることができる。

【００４６】また、第３のスピンコート方法は、第２の
スピンコート方法と同じ図１２の装置を用い、第２のス
ピンコート方法と同様に回転後の排気流量を２〜３リッ
トル／ｍｉｎに制御して１０分間排気するものである
が、第２のスピンコート方法と異なる点は、回転終了後
から排気開始までの間に、２分間の静止時間を置くこと
である。この２分間の静止時間は、排気を行わない。こ
のように静止時間をおくことにより、回転中に生じた膜
厚むらがある程度均一化される。これにより、一枚のウ
エハ状の基板１上で最小膜厚約５９オングストローム、
最大膜厚約１３８オングストロームの範囲の膜厚の塗膜
を形成することができ、膜厚むらを第２のスピンコート
方法よりも減少させることができる。

【００４７】なお、比較例として、図１３のスピンコー
ト装置を用いて、第１カプラー層２２の材料溶液の塗膜
を形成した。図１３のスピンコート装置は、上述の図１
０のスピンコート装置と似ているが、排液用貫通口２３
０が回転カップ２３１の本体２０７の円周側に配置され
ている点が、図１０の装置とは異なっている。図１３の
装置は、回転カップ２３１を回転させると、遠心力によ
り排液用貫通口２３０から外側に向かって溶液および内
部雰囲気が連続的に排出される。このため、回転カップ
内は減圧となり、溶媒雰囲気を維持できず、減圧乾燥が
生じるため、溶液が乾燥しながら塗布される。このた
め、図１３のスピンコート装置を用いた場合には、Ｖ溝
２１に溜まった溶液が外周側に向かって流れた部分の塗
膜が厚くなり、塗膜の膜厚は５０オングストローム以上
２００オングストローム以下の範囲には入らなかった。

【００４８】また、別の比較例として、図１２のスピン
コート装置と同様の構成であるが、蓋２２２を備えない
図１４のスピンコート装置でスピンコートを行った。図
１４の装置は、固定カップ２０２が開放されているた
め、溶媒雰囲気は形成されず、また、基板１の周囲の雰
囲気は停止しているため、基板１の周囲に気流が発生す
る。このため、回転中に乾燥するため、Ｖ溝２１に溜ま
った溶液が外周側に向かって流れた部分の塗膜が厚くな
ったまま乾燥し、一枚のウエハ状の基板１上で、最小膜
厚約５オングストローム、最大膜厚約１９４オングスト
ロームと大きな膜厚むらが生じた。このため、第１カプ
ラー層２２が５０オングストロームよりも薄い部分で、
下部クラッド層３の膜はがれを生じた。

【００４９】このように、上述の第１，第２，第３のス
ピンコート方法のいずれかを用いて、第１カプラー層２
２の材料溶液を塗布することにより、接着性を向上させ
るために望ましい膜厚の範囲５０オングストローム以上
２００オングストローム以下の塗膜を形成することがで
きる。この後、形成された塗膜を、１６０℃で５分程度
加熱して乾燥させ、第１カプラー層２２を形成する。こ
れにより、図５のウエハ状の基板の全面に第１カプラー
層２２を形成できる。

【００５０】つぎに、第１カプラー層２２の上に、日立
化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品名）をスピンコートで
塗布することにより、第１の実施の形態と同様に、第２
カプラー層２３の材料溶液の塗膜を形成する。その後、
加熱して溶媒を蒸発させ、さらに加熱して硬化させるこ
とにより、第２カプラー層２３を形成する。第２カプラ
ー層２３の厚さは、０．２３μｍとなるようにスピンコ
ートの条件を制御する。

【００５１】つぎに、ウエハ状の基板１上の上面のう
ち、完成後の光学素子で光導波路積層体１０が配置され
ていない領域２０，３０となる部分について、第２カプ
ラー層２３と、第１カプラー層２２を除去する。

【００５２】基板１上の領域２０，３０から第２カプラ
ー層２３と第１カプラー層２２とを除去する方法につい
て、具体的に説明する。

【００５３】第２の実施の形態では、ポジ型レジストを
用いて、光導波路積層体１０が配置される領域のみを覆
うレジスト膜を形成し、領域２０，３０上の第２カプラ
ー層２３と第１カプラー層２２とをエッチングする。ま
ず、図８（ａ）のように、ウエハ状の基板１の全面にポ
ジ型のレジスト膜５０を塗布により形成する。ここで
は、レジスト液として、ＯＦＰＲ８００（東京応化工業
株式会社製）を用い、これをスピン塗布し、１００℃で
乾燥することによりレジスト膜５０を形成した。この
後、水銀ランプでフォトマスクの像を露光する。ポジ型
レジストは、露光された部分が現像液に溶解する化合物
に変化する性質を有するため、フォトマスクは、領域２
０、３０に光が照射され、光導波路積層体１０を形成す
べき部分には光が照射されないようにパターニングされ
ている。よって、領域２０，３０のレジスト膜５０のみ
が露光されて光反応を生じ、現像液に溶解する化合物へ
と変化する。露光後、現像液としてテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８重量％
溶液を用いて、レジスト膜５０を現像する。これによ
り、図８（ｂ）のように、領域２０，３０のレジスト膜
５０が溶解し、光導波路積層体１０が形成されるべき部
分にのみ、レジスト膜５０が残る。また、第２カプラー
層２３も現像液時に溶解するため、ウエットエッチング
され、領域２０，３０から除去される。なお、領域２０
のＶ溝２１内では、露光時にＶ溝２１の内壁で光が乱反
射され、Ｖ溝２１の底部や端部には光が到達しにくい。
このため、レジスト膜５０と第２カプラー層２３が、Ｖ
溝２１の底部や端部の角に一部残存する。そこで、本実
施の形態では、残存するレジスト膜５０と第２カプラー
層２３を除去するため、この状態で、もう一度、先ほど
のフォトマスクを用いて露光し、ＴＭＡＨにより現像を
行う。これにより、Ｖ溝２１内に残っていたレジスト膜
５０と第２カプラー層２３とを図８（ｃ）のように、完
全に除去することができる。この方法により、ポジ型の
レジスト膜５０を用いた場合であっても、露光および現
像を繰り返すという簡単な工程で、第２カプラー層２３
をＶ溝２１から完全に除去できる。

【００５４】この後、光導波路積層体１０を形成すべき
部分に残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとし
て、フッ酸を用いたウエットエッチングまたは反応性イ
オンエッチングにより、第１カプラー層２２を除去する
（図９（ｄ））。第１カプラー層２２は、膜厚が非常に
薄いため、Ｖ溝２１の内部の層もウエットエッチングま
たは反応性イオンエッチングにより除去することができ
る。最後に、レジスト膜５０を除去する（図９
（ｅ））。これにより、図６のウエハ状の基板１の領域
２０および３０の部分およびＶ溝２１の内部から、第１
カプラー層２２と第２カプラー層２３を除去できる。

【００５５】この後、第１の実施の形態と同様に、ウエ
ハ状の基板１に下部クラッド層３，光導波路４、上部ク
ラッド層５，保護層９を形成し、領域２０，３０の部分
からこれら各層を剥がしとり、ダイシングにより、光学
素子１００ごとに切り分け、光学素子１００を完成させ
る。

【００５６】上述してきたように、第２の実施の形態で
は、第１カプラー層２２の材料溶液として有機ジルコニ
ウム化合物（アルミニウムアセチルアセテート）を溶媒
（ブタノール）に溶解した溶液を用い、深いＶ溝２１が
形成されている基板１上に、第１カプラー層２２の塗膜
を、５０オングストローム以上２００オングストローム
以下の膜厚分布範囲、特に望ましい膜厚範囲として５０
オングストローム以上１５０オングストローム以下で、
薄くむらなく形成することができる。これは、第２カプ
ラー層２２の有機ジルコニウム化合物溶液を溶媒雰囲気
中でスピンコートし、スピンコート中の乾燥を抑制しな
がら塗布する方法を用いたことにより実現できた。この
ように、第１カプラー層２２を薄くむらなく形成したこ
とにより、基板１と下部クラッド層３との接着性を高め
ることができ、膜剥がれが生じにくく、光学特性と耐久
性に優れた光導波路積層体１０を備えた光学素子を製造
することができる。また、第２の実施の形態では、第１
カプラー層２２および第２カプラー層２３を除去する際
に、ポジ型レジスト膜５０を用い、露光と現像を複数回
行うことにより、Ｖ溝２１の内部から比較的容易に除去
することができる。したがって、ウエハー状の基板１の
全面に光導波路積層体１０を形成した後で、領域２０お
よび領域３０から帯状に光導波路積層体１０を剥がして
除去することが可能になるため、Ｖ溝２１を備えた光学
素子１００を大量生産することができる。なお、第２の
実施の形態では、第１カプラー層２２および第２カプラ
ー層２３を除去する際に、ポジ型レジスト膜５０を用い
ているが、第１の実施の形態で説明したようにネガ型レ
ジスト膜１５０を用いることももちろん可能である。な
お、上述の実施の形態では、フッ素を含むポリイミド樹
脂からなる下部クラッド層３と基板１との密着性を高め
るために、第１カプラー層２２と、フッ素を含まないポ
リイミド樹脂からなる第２カプラー層２３とを配置した
構造について説明したが、第２カプラー層２３を備えな
い構成にすることも可能である。第２カプラー層２３を
備えない場合には、第２カプラー層２３を備える場合よ
りも下部クラッド層３と基板１との密着性が若干低下す
るが、第１カプラー層２２の作用により実用可能なレベ
ルの密着性は維持できる。よって、第２カプラー層２３
を備えない構成にすることもできる。

【００５７】また、第１および第２の実施の形態では、
第２カプラー層２３を除去するためにウエットエッチン
グを用いているが、例えば反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）を用いた場合、プラズマの異方性が強く、基板１
の平面部における第２カプラー層２３の形状制御は容易
であるが、側面が斜めに傾いたＶ溝２１の内部にある第
２カプラー層２３の樹脂の除去効率が悪い。一方、第２
カプラー層２３を除去するためにアッシングを用いた場
合、プラズマの等方性が強いため、Ｖ溝２１内の第２カ
プラー層２３の樹脂を除去しようとすると、基板１の平
坦部における第２カプラー層２３の形状制御が難しい。
また、反応性イオンエッチングとアッシングとを組み合
わせ、ＲＩＥにより基板１の平面部を、アッシングによ
りＶ溝２１部の第２カプラー層２３をそれぞれ除去した
場合、アッシング時に、光導波路積層体１０を形成すべ
き部分の第２カプラー層２３にサイドエッチングが発生
しやすい。これに対し、本実施の形態のようにウエット
エッチングを用いることにより、容易に第２カプラー層
２３を除去できる。また、本実施の形態では、現像液と
してウエットエッチング液（ＴＭＡＨ）を用いることに
より、レジスト膜５０と第２カプラー層２３とを同時に
除去できるため、工程数が少なくなるという利点も得ら
れる。上述してきた第１および第２の本実施の形態の光
学素子は、光導波路４が直線形状であったが、光導波路
積層体１０の光導波路４の形状は、光学素子として必要
とされる機能に合わせて直線形状に限らずｙ分岐やｘ型
等の所望の形状にすることができる。それに応じて、Ｖ
溝２１を複数本備え、複数の光ファイバを搭載可能な構
成にすることができる。また、電極７についても、複数
の発光素子や受光素子が搭載できるように、複数の電極
を配置することができる。

【００５８】なお、本発明で光学素子とは、基板とし
て、ガラス、石英等の無機材料、シリコン、ガリウムヒ
素、アルミニウム、チタン等の半導体や金属材料、ポリ
イミド、ポリアミド等の高分子材料、またはこれらの材
料を複合化した材料を用いて、これら基板の上に、光導
波路、光合波器、光分波路、光減衰器、光回折器、光増
幅器、光干渉器、光フィルタ、光スイッチ、波長変換
器、発光素子、受光素子あるいはこれらが複合化された
ものなどを形成したものを指す。上記の基板上には、発
光ダイオード、フォトダイオード等の半導体装置や金属
膜が形成されることもあり、更に基板の保護や屈折率調
整などのために、基板上に二酸化珪素、窒化シリコン、
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タンタルな
どの被膜が形成されることもある。第１の実施の形態で
は、第１カプラー層２２は有機アルミニウム化合物から
なり、第２の実施の形態では、第２カプラー層は有機ジ
ルコニウム化合物からなる構成としたが、第１カプラー
層２２は、有機アルミニウム化合物および有機ジルコニ
ウム化合物の少なくとも一方を含む構成にすることが可
能である。

【００５９】第２の実施の形態の第１カプラー層２２を
構成する有機ジルコニウム化合物としては、ジルコニウ
ムエステルおよびジルコニウムキレート化合物が好まし
い。

【００６０】ジルコニウムエステルとしては、テトラプ
ロピルジルコネート、テトラブチルジルコネートなどが
挙げられ、ジルコニウムキレート化合物としては、テト
ラキス（アセチルアセトネート）ジルコニウム、モノブ
トキシトリス（アセチルアセトネート）ジルコニウム、
ジブトキシビス（アセチルアセトネート）ジルコニウ
ム、トリブトキシアセチルアセトネートジルコニウム、
テトラ（エチルアセチルアセテート）ジルコニウム、モ
ノブトキシトリス（エチルアセチルアセテート）ジルコ
ニウム、ジブトキシビス（エチルアセチルアセテート）
ジルコニウム、トリブトキシエチルアセチルアセテー
ト、テトラキス（エチルラクトネート）ジルコニウム、
ビス（ビスアセチルアセトネート）ビス（エチルアセチ
ルアセトネート）ジルコニウム、モノアセチルアセトネ
ートトリス（エチルアセチルアセトネート）ジルコニウ
ム、モノブトキシモノアセチルアセトネートビス（エチ
ルアセチルアセトネート）ジルコニウムなどが挙げられ
る。ジルコニウムエステルおよびジルコニウムキレート
化合物のいずれの場合でも、被膜形成時に酸化ジルコニ
ウムを含むものであれば、これらの例示したものに限ら
れるものではない。上記の化合物は、単独または混合し
て使用することができる。

【００６１】有機ジルコニウム化合物は、メタノール、
エタノール、ブタノール、ベンゼン、トルエン、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、γ−ブチロラクトン等の有機溶剤、水などに溶解さ
れ、溶液としてスピン塗布法などにより基板表面上に塗
布され、７０〜４００℃で乾燥して被膜形成が行われ
る。有機ジルコニウム化合物の膜厚は、厚すぎると膜が
もろくなるため５０〜２００オングストローム以下の範
囲内であることが好ましい。

【００６２】また、本実施の形態の第２カプラー層２３
を構成する樹脂としては、フッ素を含まない樹脂を用い
ることができ、例えば、ポリイミド系樹脂、シリコーン
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹
脂、フェノール系樹脂等の種々の樹脂を用いることがで
きる。素子の製造工程や使用環境などで耐熱性を要求さ
れる用途では、ポリイミド系樹脂、ポリキノリン系樹脂
等が好ましい。フッ素を含まない樹脂としては、窒素を
含む樹脂が好ましい。

【００６３】第１および第２の実施の形態で用いられる
第２カプラー層２３として、フッ素を含まないポリイミ
ド系樹脂を用いる場合、例えば、ポリイミド樹脂、ポリ
（イミド・イソインドロキナゾリンジオンイミド）樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂，
ポリエステルイミド樹脂などが挙げられる。本実施の形
態で第２カプラー層２３として用いられるフッ素を含ま
ない樹脂は，フッ素原子を全く含まない樹脂の替わりに
フッ素含量がフッ素を含むポリイミド系樹脂のフッ素含
量に比べて十分低い樹脂を選択することができる。この
場合には，フッ素含量は，フッ素を含むポリイミド系樹
脂で形成された光導波路の半分以下であることが好まし
い。具体的には，フッ素含量が１０ｗｔ％以下であるこ
とが好ましい。さらに，好ましくは，２ｗｔ％以下であ
ることが好ましい。

【００６４】第１および第２の実施の形態で、下部クラ
ッド層３，光導波路層４、上部クラッド層５等を形成す
るために用いられるフッ素を含むポリイミド系樹脂とし
ては、フッ素を有するポリイミド樹脂、フッ素を有する
ポリ（イミド・イソインドロキナゾリンジオンイミド）
樹脂、フッ素を有するポリエーテルイミド樹脂、フッ素
を有するポリアミドイミド樹脂などが挙げられる。ポリ
アミドイミド樹脂を得る場合には、塩化無水トリメリッ
ト酸などが用いられる。ポリイミド系樹脂の前駆体溶液
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシ
ドなどの極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジ
アミンの反応により得られる。フッ素を有するテトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンとの反応により，フッ素含
むポリイミド系樹脂の前駆体溶液を製造することができ
る。テトラカルボン酸二無水物とフッ素を有するジアミ
ンとの反応により，フッ素を含むポリイミド系樹脂の前
駆体溶液を製造することができる。テトラカルボン酸二
無水物とジアミンのいづれもがフッ素を有していない場
合に，フッ素を含まないポリイミド系樹脂の前駆体溶液
を製造することができる。

【００６５】フッ素を有するテトラカルボン酸二無水物
の例としては、（トリフルオロメチル）ピロメリット酸
二無水物、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二
無水物、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸
二無水物、ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水
物、ビス｛３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキ
シ｝ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水
物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４， ４′−テトラカルボキシビフェニル二無水
物、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフルオロメ
チル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフェ
ニル二無水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）
−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル二無水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフ
ェノン二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカル
ボキシフェノキシ｝ベンゼン二無水物、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェ
ノキシ）（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水物、ビ
ス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキ
シ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水
物、２，２−ビス｛（４−（３，４−ジカルボキシフェ
ノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン二無水物、
ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキ
シ｝ビフェニル二無水物、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル二無水物、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル二無
水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフル
オロメチル）ビフェニル二無水物１，４−ビス（２−ヒ
ドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス
（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロ
キシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリ
メリット酸無水物）、などが挙げられ、２種類以上を混
合して用いてもよい。

【００６６】フッ素を有しないテトラカルボン酸二無水
物の例としては、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−
１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２′，３，３′−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３′，４′−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、ｐ−ターフェニル−３，４，３″，
４″−テトラカルボン酸二無水物、ｍ−ターフェニル−
３，４，３″，４″−テトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８
−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタ
レン−１，４，５，８，テトラカルボン酸二無水物、
２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−
ピリジンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０
−ペリレンテトラカルボン酸 二無水物、３，３′，
４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニル
エーテルテトラカルボン酸二無水物、４，４′−スルホ
ニルジフタル酸二無水物、３，３′，４，４′−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３′−
４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水
物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、
１−（２，３−ジカルボキシフェニル）−３−（３，４
−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、

【００６７】１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、フェナンスレン−１，
８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェ
ン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無
水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフ
ェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベン
ゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキ
サン二無水物、ｐ−フェニルビス（トリメリット酸モノ
エステル酸無水物）エチレングリコールビス（トリメリ
ット酸無水物）、プロパンジオールビス（トリメリット
酸無水物）、ブタンジオールビス（トリメリット酸無水
物）、ペンタンジオールビス（トリメリット酸無水
物）、ヘキサンジオールビス（トリメリット酸無水
物）、オクタンジオールビス（トリメリット酸無水
物）、デカンジオールビス（トリメリット酸無水物）、
エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−
ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレ
ン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，
８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロ
ナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン
酸二無水物、

【００６８】ピロリジン−２，３，４，５−テトラカル
ボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，
２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸無水物）スル
ホンビシクロ−（２，２，２）−オクト（７）−エン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、４，４′
−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニル
スルフイド二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒ
ドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン−２，
３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、などが挙げら
れ、２種類以上を混合して用いてもよい。

【００６９】フッ素を有するジアミンの例としては、４
−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオロウンデカノ
キシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ
−パ−フルオロ−１−ブタノキシ）−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプ
タノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，
１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェノキシ−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，５，６−テトラ
フルオロフェノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４
−（４−フルオロフェノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−
１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、

【００７０】４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフル
オロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、（２，５−）ジアミノベンゾトリフルオライド、ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミ
ノテトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ
（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロブチル）ベンゼン、１，４−ビス（４−
アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス（ア
ミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン、ビス｛２−〔（アミノフェノキ
シ）フェニル〕ヘキサフルオロイソプロピル｝ベンゼン
２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノビフェニル、３，３′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル、オクタフルオロ
ベンジジン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミノフェ
ノキシ｝ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，
４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ビフェニル、１，４−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオ
ロペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフル
オロヘプタン、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、３，３′，５，５′−テトフ
ルオロ−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、

【００７１】３，３′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、３，３′−ジ（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′，５，
５′−テトラフルオロ−４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジアミノジフェニル
プロパン、３，３′，５，５′−テトラフルオロ−４，
４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニ
ルプロパン、３，３′，５，５′−テトラ（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、
３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′，５，５′−テトラフルオロ−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、３，３′−ジフルオロ−４，４′−
ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′，５，５′−
テトラフルオロ−４，４′−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、

【００７２】３，３′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジアミノベン
ゾフェノン、３，３′，５，５′−テトラフロオロ−
４，４′−ジアミノベンゾフェノン、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフ
ェノン、３，３′，５，５′−テトラ（トリフルオロメ
チル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′
−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、３，３′−ジメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルヘキサフルオロプロパン、３，３′−ジエトキシ−
４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルヘキサフルオロプロパン、３，３′−ジクロロ−
４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、３，３′−ジブロモ−４，４′−ジアミノジフェニ
ルヘキサフルオロプロパン、３，３′，５，５′−テト
ラメチル−４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン、３，３′，５，５′−テトラメトキシ−
４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、３，３′，５，５′−テトラエトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、３，
３′，５，５′−テトラフロオロ−４，４′−ジアミノ
ジフェニルヘキサフルオロプロパン、３，３′，５，
５′−テトラクロロ−４，４′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン、３，３′，５，５′−テトラブ
ロモ−４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプ
ロパン、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフル
オロプロパン、

【００７３】３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス｛４−（２−アミノフェノ
キシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチル
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロ
メチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス｛４−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノ
キシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、ビス
〔｛（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、１，３−ジアミノ−５−
（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼン、１，３−ジ
アミノ−４−メチル−５−（パーフルオロノネニルオキ
シ）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−メトキシ−５−
（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼン、１，３−ジ
アミノ−２，４，６−トリフルオロ−５−（パーフルオ
ロノネニルオキシ）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−
クロロ−５−（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼ
ン、１，３−ジアミノ−４−ブロモ−５−（パーフルオ
ロノネニルオキシ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−４−
（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼン、

【００７４】１，２−ジアミノ−４−メチル−５−（パ
ーフルオロノネニルオキシ）ベンゼン、１，２−ジアミ
ノ−４−メトキシ−５−（パーフルオロノネニルオキ
シ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−３，４，６−トリフ
ルオロ−５−（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼ
ン、１，２−ジアミノ−４−クロロ−５−（パーフルオ
ロノネニルオキシ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−４−
ブロモ−５−（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−３−（パーフルオロノネニルオ
キシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メチル−５−
（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼン、１，４−ジ
アミノ−２−メトキシ−５−（パーフルオロノネニルオ
キシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，６−トリ
フルオロ−５−（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２−クロロ−５−（パーフルオ
ロノネニルオキシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ−２−
ブロモ−５−（パーフルオロノネニルオキシ）ベンゼ
ン、１，３−ジアミノ−５−（パーフルオロヘキセニル
オキシ）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−メチル−５
−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，３
−ジアミノ−４−メトキシ−５−（パーフルオロヘキセ
ニルオキシ）ベンゼン、１，３−ジアミノ−２，４，６
−トリフルオロ−５−（パーフルオロヘキセニルオキ
シ）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−クロロ−５−
（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，３−
ジアミノ−４−ブロモ−５−（パーフルオロヘキセニル
オキシ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−４−（パーフル
オロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−
４−メチル−５−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベ
ンゼン、

【００７５】１，２−ジアミノ−４−メトキシ−５−
（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，２−
ジアミノ−３，４，６−トリフルオロ−５−（パーフル
オロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，２−ジアミノ−
４−クロロ−５−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベ
ンゼン、１，２−ジアミノ−４−ブロモ−５−（パーフ
ルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ
−３−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、
１，４−ジアミノ−２−メチル−５−（パーフルオロヘ
キセニルオキシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メ
トキシ−５−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２，３，６−トリフルオロ−５
−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼン、１，４
−ジアミノ−２−クロロ−５−（パーフルオロヘキセニ
ルオキシ）ベンゼン、１，４−ジアミノ−２−ブロモ−
５−（パーフルオロヘキセニルオキシ）ベンゼンなどが
挙げられ、２種類以上を混合して用いてもよい。

【００７６】フッ素を有しないジアミンの例としては、
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、
２，６−ジアミノピリジン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、２，６−ジアミノナフタレン、ベンジジン、３，
３′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベン
ジジン、３，３′−ジアミノベンゾフェノン、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、３，
３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン、３，３′−ジエトキシ−４，４′−ジアミノベンゾ
フェノン、３，３′−ジクロロ−４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、３，３′−ジブロモ−４，４′−ジアミ
ノベンゾフェノン、３，３′，５，５′−テトラメチル
−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、３，３′，５，
５′−テトラメトキシ−４，４′−ジアミノベンゾフェ
ノン、３，３′，５，５′−テトラエトキシ−４，４′
−ジアミノベンゾフェノン、３，３′，５，５′−テト
ラクロロ−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、３，
３′，５，５′−テトラブロモ−４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジ
イソプロピル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′−ジエトキシ−４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、３，３′−ジクロロ−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジブロ
モ−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラエチル
−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，
５，５′−テトラメトキシ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラエトキシ−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，
５，５′−テトラクロロ−４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３′，５，５′−テトラブロモ−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジイソ
プロピル−５，５′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、

【００７７】３，３′−ジイソプロピル−５，５′−ジ
エチル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′−ジエチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジメトキ
シ−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−
ジエトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
３，３′−ジクロロ−４，４′−ジアミノジフェニルメ
タン、３，３′−ジブロモ−４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′
−テトライソプロピル−４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、３，３′，５，５′−テトラメトキシ−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′
−テトラエトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３，３′，５，５′−テトラクロロ−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラ
ブロモ−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′，５，５′−テトライソプロピル−４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′−ジイソプロピル−
５，５′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメ
タン、３，３′−ジイソプロピル−５，５′−ジエチル
−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジ
アミノジフェニルプロパン、３，３′−ジアミノジフェ
ニルプロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、

【００７８】３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、３，３′−ジエトキシ−４，
４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，３′−ジクロ
ロ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，３′
−ジブロモ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、
３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、３，３′，５，５′−テトラメ
トキシ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，
３′，５，５′−テトラエトキシ−４，４′−ジアミノ
ジフェニルプロパン、３，３′，５，５′−テトラクロ
ロ−４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，
３′，５，５′−テトラブロモ−４，４′−ジアミノジ
フェニルプロパン、３，３′−ジイソプロピル−５，
５′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルプロパ
ン、３，３′−ジイソプロピル−５，５′−ジエチル−
４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３′−ジメトキシ−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジエト
キシ−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，
３′−ジクロロ−４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，３′−ジブロモ−４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３′，５，５′−テトラメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′，５，
５′−テトラメトキシ−４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′，５，５′−テトラエトキシ−４，
４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′，５，
５′−テトラクロロ−４，４′−ジアミノジフェニルス
ルホン、３，３′，５，５′−テトラブロモ−４，４′
−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジイソプロ
ピル−５，５′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、３，３′−ジイソプロピル−５，５′−
ジエチル−４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、

【００７９】４，４′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、３，３′−ジエトキシ−４，４′−
ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジクロロ−
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−
ジブロモ−４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、３，３′，５，５′−テトラ
メトキシ−４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３′，５，５′−テトラエトキシ−４，４′−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３′，５，５′−テト
ラクロロ−４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３′，５，５′−テトラブロモ−４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、１，４−ビス−（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス−（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、ビス−（４−アミノフェノ
キシフェニル）スルホン、ビス−（４−アミノフェノキ
シフェニル）スルフィド、ビス−（４−アミノフェノキ
シフェニル）ビフェニル、４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、３，４′−
ジアミノジフェニルエーテル−３′−スルホンアミド、
３，３′−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホン
アミド、４，４′−ジアミノジフェニルメタン−３−ス
ルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−
４−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメ
タン−３′−スルホンアミド、

【００８０】３，３′−ジアミノジフェニルメタン−４
−スルホンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルスル
ホン−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン−４−スルホンアミド、３，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン−３′−スルホンアミド、３，
３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−スルホンアミ
ド、４，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３−
スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルサルフ
ァイド−４−スルホンアミド、３，３′−ジアミノジフ
ェニルサルファイド−４−スルホンアミド、３，４′−
ジアミノジフェニルサルファイド−３′−スルホンアミ
ド、１，４−ジアミノベンゼン−２−スルホンアミド、
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミド、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−
カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−３′−カルボンアミド、３，３′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−４−カルボンアミド、４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン−３−カルボンアミド、３，４′−
ジアミノジフェニルメタン−４−カルボンアミド、３，
４′−ジアミノジフェニルメタン−３′−カルボンアミ
ド、３，３′−ジアミノジフェニルメタン−４−カルボ
ンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン−３
−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルスル
ホン−４−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン−３′−カルボンアミド、３，３′−ジア
ミノジフェニルスルホン−４−カルボンアミド、４，
４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３−カルボン
アミド、３，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−
４−カルボンアミド、３，３′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルサルファイド−３′−カルボンアミド、１，
４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド、４−アミ
ノフェニル−３−アミノ安息香酸、

【００８１】２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロ
パン、ビス−（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、
ビス−（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、ビス
−（４−アミノフェニル）エチルホスフインオキサイ
ド、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−ブチルアミ
ン、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミ
ン、Ｎ−（３−アミノフェニル）−４−アミノベンズア
ミド、２，４−ビス−（β−アミノ−ｔ−ブチル）トル
エン、ビス−（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチル−フェニ
ル）エーテル、ビス−（ｐ−β−メチル−γ−アミノ−
ペンチル）ベンゼン、ビス−ｐ−（１，１−ジメチル−
５−アミノペンチル）ベンゼン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、プロピレンジアミン、３−メチ
ルヘプタメチレンジアミン、４，４′−ジメチルヘプタ
メチレンジアミン、２，１１−ジアミノドデカン、１，
２−ビス−（３−アミノプロポキシ）エタン、２，２−
ジメチルプロピレンジアミン、３−メトキシ−ヘキサメ
チレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジア
ミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、５−
メチルノナメチレンジアミン、２，１７−ジアミノアイ
コサデカン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，１
０−ジアミノ−１，１０−ジメチルデカン、１，１２−
ジアミノオクタデカン、などが挙げられ、２種類以上を
混合して用いてもよい。

【００８２】ジアミンの一部としては、シリコンジアミ
ンを使用してもよい。シリコンジアミンとしては、１，
３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，１−テトラ
フェニルジシロキサン、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，１−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ビス（４−アミノブチル）−１，１，１−テトラメ
チルジシロキサンなどがある。シリコンジアミンを使用
するときは、これらは、ジアミンの総量に対して、０．
１〜１０モル％使用するのが好ましい。上記のテトラカ
ルボン酸二無水物およびジアミンは二種以上を併用して
もよい。ポリイミド系樹脂の前駆体溶液として、感光性
を有するものを使用することもできる。

【００８３】また、第１および第２の実施の形態におい
て、第２カプラー層２３の厚さは、１０μｍ以下である
ことが好ましい。１０μｍを超えると、第２カプラー層
２３及びフッ素を含むポリイミド系樹脂被膜（下部クラ
ッド層３から保護層９の各層）の樹脂皮膜全体の厚みが
大となり、基板との膨張係数の差に基づく応力によるそ
りが発生しやすくなる。また樹脂皮膜全体の厚みの均一
性が達成されにくくなる。特に、第２カプラー層２３の
厚さは，１．０μｍ以下であることがより好ましい。第
２カプラー層２３の厚さは，その上に形成されるフッ素
を含むポリイミド系樹脂被膜（下部クラッド層３から保
護層９の各層）を用いて製造された光導波路の構成によ
って最適に選択されなければならない。すなわち，第２
カプラー層２３の上が直接コア（光導波路４）となるよ
うな光導波路を形成する場合や，第２カプラー層２３と
光導波路４とが近接して構成された光導波路積層体を形
成する場合（第２カプラー層２３と光導波路４との間に
位置するクラッド層３の厚さが薄い場合）などは，第２
カプラー層２３が光損失増大の要因となるため，第２カ
プラー層２３の厚さを薄くすることが好ましい。具体的
な厚さは，基板１，フッ素を含まないポリイミド系樹脂
で形成された第２カプラー層２３，フッ素を含むポリイ
ミド系樹脂被膜で形成されたクラッド層３，５，光導波
路４の屈折率，及び，それぞれの高さ，幅などを考慮し
て決定されるべきであるが，一般には伝送路である光フ
ァイバとの整合性を考慮し、フッ素を含むポリイミド系
樹脂皮膜からなる光導波路４のサイズは１０μｍ前後と
することが多く、同導波路を伝播する光に対しての損失
を十分に低減するためには、第２カプラー層２３の厚さ
は、光導波路４の１／１０以下にすることが望ましく、
先の例の場合には１．０μｍ以下とすることがより好ま
しい。さらにより好ましくは、０．５μｍ以下である。

【００８４】また、第１および第２の実施の形態におい
て第２カプラー層２３を形成するためのポリイミド前駆
体溶液として、以下のように調製したものを用いること
も可能である。すなわち、４，４’ージアミノジフェニ
ルエーテル３５．３３ｇ及び４，４’ージアミノジフェ
ニルエーテルー３ーカルボンアミド４．７７ｇをＮーメ
チルー２ーピロリドン５２８．３ｇに溶解した後に、
３，３’，４，４’ーベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物３１．６９ｇ及びピロメリット酸二無水物２
１．４４ｇを添加し、室温で６時間撹拌することにより
得た溶液である。

【００８５】また、第１および第２の実施の形態におい
て下部クラッド層３から保護層９の各層を構成するフッ
素を含むポリイミド層を形成するための前駆体溶液とし
て、以下のように調整したものを用いことが可能であ
る。すなわち、２，２ービス（４−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン２１．４７ｇをＮ，Ｎージメチル
アセトアミド４５０ｇに溶解した後に、２，２′ービス
（３，４−ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパ
ン酸二無水物２８．５３ｇを添加し、室温で２０時間撹
拌することにより得た溶液である。

【００８６】また、第１及び第２の実施の形態におい
て、第２カプラー層２３としては、分子構造中にＳｉ原
子を有してシリコンやＳｉＯ２と強い自己接着性を持つ
ポリイミドシリコーン樹脂を用いることも可能である。
また、フッ素を含有しないアクリル系樹脂や、フッ素を
含有していないポリカーボネート系樹脂を第２カプラー
層２３として用いることもできる。

【００８７】ポリイミドシリコーン樹脂として、構造式

【００８８】

【化１】 で示されるベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
（ＢＴＤＡ）とメチレンジアニリン（ＭＤＡ）及びビス
−γ−アミノプロピルテトラメチルジシロキサン（ＧＡ
ＰＤ）との重合生成物を使用することができる。

【００８９】クラッド層３，５を構成する樹脂として
は、以下のフッ素化ポリイミドＡを用いることができ
る。フッ素化ポリイミドＡは構造式

【００９０】

【化２】 で表される２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）と２，２’
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）との重合生成物であ
る。また、光導波路４を構成する樹脂としては、以下の
フッ素化ポリイミド樹脂Ｂを用いることができる。フッ
素化ポリイミド樹脂Ｂは構造式

【００９１】

【化３】 で表されるＴＦＤＢと６ＦＤＡ及びピロメリット酸二無
水物（ＰＭＤＡ）との重合生成物であり、光導波路４の
屈折率がクラッド層３，５の屈折率より約０．３％大き
くなるように６ＦＤＡとＰＭＤＡの割合（すなわちｍと
ｎの割合）を４：１とすることができる。

【００９２】

【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
凹部を備えた基板を用いる光学素子の製造工程におい
て、凹部内の被膜を容易に除去することのできる光学素
子の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１および第２の実施の形態の光学素
子１００の構造を示す斜視図である。

【図２】図１の光学素子のＡ−Ａ’断面図である。

【図３】図１の光学素子のＢ−Ｂ’断面図である。

【図４】図１の光学素子の上面図である。

【図５】本発明の第１および第２の実施の形態の光学素
子１００の製造方法を説明するためのウエハ状の基板の
上面図である。

【図６】本発明の第１および第２の実施の形態の光学素
子１００の製造方法を説明するためのウエハ状の基板の
上面図である。

【図７】（ａ）〜（ｄ）本発明の第１および第２の実施
の形態の光学素子１００の製造方法においてウエハ状の
基板を切り出す工程を示す説明図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）本発明の第２の実施の形態の光
学素子１００の製造方法において、Ｖ溝２１内の第１カ
プラー層２２と第２カプラー層２３とを除去する工程を
示す説明図である。

【図９】（ｄ）〜（ｅ）本発明の第２の実施の形態の光
学素子１００の製造方法において、Ｖ溝２１内の第１カ
プラー層２２と第２カプラー層２３とを除去する工程を
示す説明図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態の光学素子１００
の製造方法において、第１カプラー層２２の形成に用い
るスピンコート装置の回転中の構成を示す説明図であ
る。

【図１１】図１０のスピンコート装置が停止した状態の
構成を示す説明図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態の光学素子１００
の製造方法において、第１カプラー層２２の形成に用い
るスピンコート装置の回転中の構成を示す説明図であ
る。

【図１３】比較例のスピンコート装置の回転中の構成を
示す説明図である。

【図１４】比較例のスピンコート装置の回転中の構成を
示す説明図である。

【図１５】（ａ）〜（ｃ）本発明の第１の実施の形態の
光学素子１００の製造方法において、Ｖ溝２１内の第１
カプラー層２２と第２カプラー層２３とを除去する工程
を示す説明図である。

【符号の説明】

１・・・シリコン基板、２・・・二酸化珪素層、３・・
・下部クラッド層、４・・・光導波路、５・・・上部ク
ラッド層、７・・・電極、９・・・保護層、１０・・・
光導波路積層体、２０・・・領域、２１・・・Ｖ溝、２
２・・・第１カプラー層、２３・・・第２カプラー層、
２５，２６，２７・・・切り込み、３０・・・領域、３
１，３２，３３・・・位置合わせマーク、５０・・・ポ
ジ型レジスト膜、１５０・・・ネガ型レジスト膜、２０
１・・・回転駆動部、２０２・・・固定カップ、２０５
・・・蓋、２０６・・・基板搭載部、２０７・・・回転
カップ本体、２１０・・・回転カップ、２１１・・・
軸、２１３・・・排液用貫通孔、２１２・・・基板吸着
用貫通孔、２２０・・・基板搭載部、２２１・・・排気
口、２２２・・・蓋、２３０・・・排液用貫通孔、２３
１・・・回転カップ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金沢 稔彦 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社オプト事業推進部内 (72)発明者 宮寺 信生 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社オプト事業推進部内 (72)発明者 菊池 広明 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社オプト事業推進部内 (72)発明者 松浦 弘幸 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社オプト事業推進部内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 MA05 PA02 PA21 PA24 PA28 QA01 QA02 QA04 QA05

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面の一部の領域に凹部が形成されている
   基板上に、カプラー層を形成するカプラー層形成工程
   と、 前記基板上の、前記凹部が形成されている領域から前記
   カプラー層を除去する除去工程と、 前記基板上に樹脂被膜を塗布し、光導波路構造層を形成
   する導波路形成工程と、 前記凹部が形成されている領域から、前記光導波路構造
   層を剥がし取ることにより、前記凹部が形成されている
   領域の前記基板の上面を露出させる剥離工程とを有し、 前記除去工程は、前記基板上にレジスト膜を塗布し、所
   望のパターンのフォトマスクを用いて前記レジスト膜を
   露光した後、現像することにより、前記凹部が配置され
   ている領域の前記レジスト膜を除去し、残った前記レジ
   スト膜をエッチングマスクとして前記カプラー層を除去
   することを特徴とする光学素子の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の光学素子の製造方法にお
   いて、前記除去工程は、前記レジスト膜をネガ型レジス
   トにより形成し、前記凹部が配置されている領域を前記
   露光の際の非露光部とすることを特徴とする光学素子の
   製造方法。
3. 【請求項３】請求項１に記載の光学素子の製造方法にお
   いて、前記除去工程は、前記レジスト膜をポジ型レジス
   トにより形成して、前記凹部が配置されている前記領域
   を前記露光の際の露光部とし、露光された前記レジスト
   膜を前記現像により除去した後、前記フォトマスクを用
   いて前記レジスト膜の前記露光および前記現像を再度行
   うことを特徴とする光学素子の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１、２または３に記載の光学素子の
   製造方法において、前記カプラー層は、有機金属化合物
   を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
5. 【請求項５】請求項４に記載の光学素子の製造方法にお
   いて、前記カプラー層は、有機アルミニウム化合物およ
   び有機ジルコニウム化合物のうちの少なくとも一方を含
   むことを特徴とする光学素子の製造方法。
6. 【請求項６】請求項４または５に記載の光学素子の製造
   方法において、前記光導波路構造層はフッ素を含む樹脂
   層を含み、前記光導波路構造層と前記カプラー層との間
   には、第２のカプラー層が配置され、該第２のカプラー
   層は、フッ素を含まない樹脂層であることを特徴とする
   光学素子の製造方法。
7. 【請求項７】請求項６に記載の光学素子の製造方法にお
   いて、前記現像の際に現像液としてウエットエッチング
   液を用い、該現像液により前記レジスト膜とともに前記
   第２のカプラー層を同時にエッチングすることを特徴と
   する光学素子の製造方法。
8. 【請求項８】請求項７に記載の光学素子の製造方法にお
   いて、前記現像液として、テトラメチルアンモニウムハ
   イドロオキサイド溶液を用いることを特徴とする光学素
   子の製造方法。
9. 【請求項９】請求項７または８に記載の光学素子の製造
   方法において、前記第２のカプラー層を前記現像液によ
   りエッチングした後、ウエットエッチングまたはドライ
   エッチングにより、前記カプラー層を除去することを特
   徴とする光学素子の製造方法。
10. 【請求項１０】凹部を備えた基板上に被膜を形成する膜
    形成工程と、 前記凹部内の前記被膜を除去する除去工程とを有し、 前記除去工程は、前記基板上にレジスト膜を塗布し、所
    望のパターンのフォトマスクを用いて前記レジスト膜を
    露光した後、現像することにより、前記凹部の前記レジ
    スト膜を除去し、残った前記レジスト膜をエッチングマ
    スクとして前記被膜を除去する工程であり、 前記レジスト膜をネガ型レジストにより形成し、前記凹
    部を前記露光の際の非露光部とすることを特徴とする凹
    部を有する構造体の製造方法。
11. 【請求項１１】凹部を備えた基板上に被膜を形成する膜
    形成工程と、 前記凹部内の前記被膜を除去する除去工程とを有し、 前記除去工程は、前記基板上にレジスト膜を塗布し、所
    望のパターンのフォトマスクを用いて前記レジスト膜を
    露光した後、現像することにより、前記凹部の前記レジ
    スト膜を除去し、残った前記レジスト膜をエッチングマ
    スクとして前記被膜を除去する工程であり、 前記レジスト膜をポジ型レジストにより形成し、前記凹
    部を前記露光の際の露光部とし、露光された前記レジス
    ト膜を前記現像により除去した後、前記フォトマスクを
    用いて前記レジスト膜の露光および現像を再度繰り返す
    ことを特徴とする凹部を有する構造体の製造方法。
12. 【請求項１２】凹部を備えた基板を用いる光学素子の製
    造方法において、 前記基板上に被膜を形成した後、前記凹部内の前記被膜
    を除去するために、前記基板上にレジスト膜を塗布し、
    所望のパターンに露光および現像し、残った前記レジス
    ト膜をエッチングマスクとして前記被膜を除去する工程
    を含み、 前記レジスト膜をネガ型レジストにより形成し、前記凹
    部を前記露光の際の非露光部とすることを特徴とする光
    学素子の製造方法。
13. 【請求項１３】凹部を備えた基板を用いる光学素子の製
    造方法において、 前記基板上に被膜を形成した後、前記凹部内の前記被膜
    を除去するために、前記基板上にレジスト膜を塗布し、
    所望のパターンに露光および現像し、残った前記レジス
    ト膜をエッチングマスクとして前記被膜を除去する工程
    を含み、 前記レジスト膜をポジ型レジストにより形成し、前記凹
    部を前記露光の際の露光部とし、露光された前記レジス
    ト膜を前記現像により除去した後、前記フォトマスクを
    用いて前記レジスト膜の露光および現像を再度繰り返す
    ことを特徴とする光学素子の製造方法。