JP2003046027A - 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

放熱型bgaパッケージ及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003046027A
JP2003046027A JP2001227310A JP2001227310A JP2003046027A JP 2003046027 A JP2003046027 A JP 2003046027A JP 2001227310 A JP2001227310 A JP 2001227310A JP 2001227310 A JP2001227310 A JP 2001227310A JP 2003046027 A JP2003046027 A JP 2003046027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat dissipation
circuit board
plastic circuit
bga package
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001227310A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenao Tomabechi
重尚 苫米地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc filed Critical Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority to JP2001227310A priority Critical patent/JP2003046027A/ja
Publication of JP2003046027A publication Critical patent/JP2003046027A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱板とプラスチック回路基板との接合強度
を高めると同時に、接合面の水分吸着を抑えて半導体チ
ップの気密信頼性を損なわない放熱型BGAパッケージ
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 中央部を切欠き空間12とするプラスチ
ック回路基板11の片面に金属製の放熱板13を接合す
る放熱型BGAパッケージ10において、プラスチック
回路基板11と放熱板13を締め付け部材15で接合
し、しかもプラスチック回路基板11と放熱板13の少
なくとも接合面の端部が接着樹脂16で覆われている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱板をプラスチ
ック回路基板の片面に備え、中央にキャビティを有する
放熱型BGAパッケージ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体チップの高集積化に伴い、
半導体用パッケージに対する高密度化、高速化、多端子
化等の要求は益々高まっており、その対応のためにBG
A(ボールグリッドアレイ)タイプのパッケージが多く
求められている。このBGAパッケージは、下面に多数
の半田ボールからなる接続端子を配列した表面実装タイ
プのパッケージである。更に、このBGAパッケージ
は、最近の高性能化に伴なう半導体チップの発熱量増大
の問題に対処するためにプラスチック回路基板に放熱板
を接着したキャビティダウンの放熱型BGAパッケージ
が開発されている。
【0003】図7に示すように、従来例の放熱型BGA
パッケージ50は、中央部に切欠き空間52をもったプ
ラスチック回路基板51に銅や銅合金等からなる放熱板
53をプリプレグや接着剤等の接合材54を介して加
熱、加圧して接着することで、キャビティ55を形成し
ている。また、図8に示すように、他の従来例の放熱型
BGAパッケージ50aは、プラスチック回路基板51
と放熱板53との間に、更にプラスチック回路基板51
と平面視して実質的に同等の寸法の銅や銅合金等からな
る銅板56を設けている。プラスチック回路基板51と
銅板56との間、及び銅板56と放熱板53との間は、
プリプレグや接着剤等の接合材54を介して加熱、加圧
して接着する。そして、図示しないが、これらの放熱型
BGAパッケージは、キャビティ部に半導体チップをダ
イボンドし、半導体チップとプラスチック回路基板間を
ボンディングワイヤでワイヤボンドし、半導体チップを
封止樹脂で封止し、プラスチック回路基板の表面に半田
ボールを取付けて、半導体デバイスとして使用される。
なお、放熱板のプリプレグ等の接合材との接合面には接
着強度を高めるために、黒化処理と呼ばれる酸化処理法
等で粗化処理し、アンカー効果によって機械的な接着強
度を高めるようにしている。
【0004】しかしながら、これらの放熱型BGAパッ
ケージは、接合材の部分に閉じ込められる空隙や接合材
の厚みばらつきにより、接着強度の低下が生じるおそれ
がある。また、接合材を加熱、加圧して接合するので、
キャビティ部に接合材が流れ出すことがあり、歩留の低
下をきたしている。更には、接着強度を高めるために黒
化処理を行う必要があり、工程を複雑化させている。そ
こで、プラスチック回路基板と放熱板との間をリベット
又はねじ(ナットを含む)を用いて機械的に接合して放
熱型BGAパッケージを製造することが進められてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の放熱型BGAパッケージ及びその製造方
法には、未だ解決すべき次のような問題がある。 (1)プラスチック回路基板と放熱板との間を締め付け
部材を用いて機械的に接合する形態では、接合強度は向
上するものの、プラスチック回路基板と放熱板との接合
面に隙間が生じ、この隙間に水分が吸着する。キャビテ
ィ内に実装された半導体チップはポッティング樹脂やモ
ールド樹脂で上面から固められ、保護されるとしても、
半導体チップを覆うポッティング樹脂やモールド樹脂の
厚みは、プラスチック回路基板と放熱板との接合面あた
りで最も薄くなるので、接合面からの水分の影響を受け
やすくなり、過酷な環境下に晒される場合の気密信頼性
を低下させている。 (2)キャビティ内に実装された半導体チップを気密封
止するためのポッティング樹脂やモールド樹脂がプラス
チック回路基板と放熱板との接合面の隙間に流れ込み全
体の樹脂厚みが薄くなり、気密信頼性を低下させてい
る。
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、放熱板とプラスチック回路基板との接
合強度を高めると同時に、接合面の水分吸着を抑えて半
導体チップの気密信頼性を損なわない放熱型BGAパッ
ケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る放熱型BGAパッケージは、中央部に切欠き空間を
有するプラスチック回路基板の片面に金属製の放熱板を
接合する放熱型BGAパッケージにおいて、プラスチッ
ク回路基板と放熱板を締め付け部材で接合し、しかもプ
ラスチック回路基板と放熱板の少なくとも接合面の端部
が接着樹脂で覆われている。これにより、プラスチック
回路基板と放熱板は機械的に接合されて接合強度が向上
し、プラスチック回路基板と放熱板の接合面に水分の吸
着が発生しないので、半導体チップの気密信頼性を高め
ることができる。また、半導体チップを気密封止するた
めのポッティング樹脂やモールド樹脂のプラスチック回
路基板と放熱板との接合面への流れ込みを防止すること
ができ、半導体チップの気密信頼性の低下を防止するこ
とができる。
【0008】ここで、本発明に係る放熱型BGAパッケ
ージにおいて、締め付け部材はかしめ部材、リベット、
ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせからなるのが
よい。これにより、プラスチック回路基板と放熱板を強
固に接合することができる。
【0009】本発明に係る放熱型BGAパッケージの製
造方法は、中央部に切欠き空間を有するプラスチック回
路基板の片面に金属製の放熱板を接合する放熱型BGA
パッケージの製造方法において、プラスチック回路基板
と放熱板を締め付け部材で接合する工程と、プラスチッ
ク回路基板と放熱板の接合面の端部に接着樹脂を注入
し、少なくとも接合面の端部に接着樹脂を充填硬化させ
る工程を有する。これにより、プラスチック回路基板と
放熱板は機械的に接合できるので、接合強度を向上する
ことができ、またプラスチック回路基板と放熱板の接合
面の水分吸着を防止でき、半導体チップの気密信頼性を
高める放熱型BGAパッケージが得られる。更に、半導
体チップを気密封止するためのポッティング樹脂やモー
ルド樹脂のプラスチック回路基板と放熱板との接合面へ
の流れ込みを防止できるので、半導体チップの気密信頼
性の低下を防止した放熱型BGAパッケージが得られ
る。
【0010】ここで、本発明に係る放熱型BGAパッケ
ージの製造方法において、締め付け部材にかしめ部材、
リベット、ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせを
用いて接合してもよい。これにより、プラスチック回路
基板と放熱板を強固に接合した放熱型BGAパッケージ
が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図1(A)、(B)はそれ
ぞれ本発明の一実施の形態に係る放熱型BGAパッケー
ジの正断面図、平面図、図2(A)、(B)は同放熱型
BGAパッケージの変形例に係る締め付け部材を説明す
る正断面図、平面図、図3は同放熱型BGAパッケージ
の他の変形例に係る締め付け部材を説明する正断面図、
図4(A)、(B)は同放熱型BGAパッケージの他の
変形例に係る締め付け部材を説明する正断面図、平面
図、図5は本発明の一実施の形態に係る放熱型BGAパ
ッケージへの半導体チップの実装形態の説明図、図6は
本発明の他の実施の形態に係る放熱型BGAパッケージ
の正断面図である。
【0012】図1(A)、(B)に示すように、本発明
の一実施の形態に係る放熱型BGAパッケージ10は、
片面に金属製の放熱板13が接合され、中央部に切欠き
空間12を有するプラスチック回路基板11と、切欠き
空間12と放熱板13の露出面によって形成されたキャ
ビティ14を有している。プラスチック回路基板11と
放熱板13とは、締め付け部材の一例である複数本(本
実施の形態では4本)のリベット15が上下からプレス
されて強固に接合されており、しかもプラスチック回路
基板11と放熱板13との接合面には、少なくともキャ
ビティ14側及び外周側の接合面の端部が接着樹脂16
で覆われている。
【0013】本実施の形態の放熱型BGAパッケージ1
0は、締め付け部材としてリベット15を使用している
が、例えば、図2(A)、(B)に示すように、締め付
け部材として、放熱板13の縁部に複数、例えば8個の
かしめ部材17を設け、このかしめ部材17が折り曲げ
られることでプラスチック回路基板11と放熱板13を
接合することもできる。この場合もプラスチック回路基
板11と放熱板13との接合面には、少なくともキャビ
ティ14側及び外周側の接合面の端部が接着樹脂16で
覆われている。
【0014】また、例えば、図3に示すように、締め付
け部材として複数本、例えば4本のねじ18とナット1
9を用いて締め付けて強固に接合し、しかもプラスチッ
ク回路基板11と放熱板13との接合面には、少なくと
もキャビティ14側及び外周側の接合面の端部が接着樹
脂16で覆われている。
【0015】更に、例えば、図4(A)、(B)に示す
ように、締め付け部材にかしめ部材17とリベット15
の両方を用いて締め付けて強固に接合し、しかもプラス
チック回路基板11と放熱板13との接合面には、少な
くともキャビティ14側及び外周側の接合面の端部を接
着樹脂16で覆ってもよい。なお、締め付け部材の複数
の組み合わせの選択は、制限されるものでない。また、
締め付け部材の取付け位置、数量についても特に制限さ
れるものではない。
【0016】図5に示すように、本実施の形態の放熱型
BGAパッケージ10には、キャビティ14に半導体チ
ップ20が搭載され、半導体チップ20とプラスチック
回路基板11とをボンディングワイヤ21で接続し、半
導体チップ20を封止樹脂22で封止し、更にプラスチ
ック回路基板11の表面に半田ボール23が取付けられ
て、半導体デバイス30として使用される。
【0017】次に、本発明の一実施の形態に係る放熱型
BGAパッケージの製造方法について説明する。例え
ば、BT樹脂(ビスマレイミドトリアジンを主成分にし
た樹脂)やエポキシ樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁
特性、加工性に優れた樹脂を基材とし、銅箔、銅メッキ
等からフォトリソグラフィ法やエッチング等で形成した
導体配線の回路パターンを備える単層又は多層からなる
プラスチック回路基板11の中央部に打ち抜き加工やル
ーター加工等により切欠き空間12を形成する。
【0018】放熱板13は、例えば、銅板、銅合金板等
の放熱特性に優れた金属板により形成し、プラスチック
回路基板11と接合する面の反対面に、Niメッキ等に
より酸化防止処置(耐酸化性処理)を施こす。一方、プ
ラスチック回路基板11と接合する面は、キャビティ1
4の底部の面を半導体チップ20を接合するのに用いら
れるAgペーストや、封止樹脂22との密着性をよくす
るために黒化処理等の化学処理による酸化銅層化を施す
のがよい。
【0019】次に、プラスチック回路基板11と放熱板
13の所定の位置にドリル孔(リベット挿入用孔)を穿
孔する。プラスチック回路基板11と放熱板13を重ね
合わせて整合したドリル孔にアルミニウム合金製等のリ
ベット15を挿入し、リベット15の両端面をプレス加
工することでリベット締めを行い、プラスチック回路基
板11と放熱板13を接合する。プラスチック回路基板
11と放熱板13を機械的に接合するので、接合強度を
向上させることができる。なお、リベット15は、予め
一方端に鍔を備えたピンを用いてドリル孔に挿入し、片
端面のみをプレス加工してリベット締めを行なってもよ
い。
【0020】次に、プラスチック回路基板11と放熱板
13の接合面のキャビティ14側及び外周側のそれぞれ
の端部にディスペンサー等を用いてノズルの先端を移動
させながら、あるいはノズル側を固定させ、プラスチッ
ク回路基板11と放熱板13の接合面側を移動させて、
エポキシ樹脂等の接着樹脂16を注入する。そして、少
なくとも接合面の端部を接着樹脂16で充填し、接着樹
脂16で接合面の端部に隙間を無くして接着樹脂16を
固着する。これにより、プラスチック回路基板11と放
熱板13の接合面はキャビティ14側及び外周側で樹脂
封止されるので、接合面の水分吸着を防止することがで
きる。
【0021】本実施の形態に係る放熱型BGAパッケー
ジの製造方法においては、リベット15によりプラスチ
ック回路基板11と放熱板13とを接合したが、締め付
け部材として、かしめ部材17を用いる場合には、予め
放熱板13の外周部の所定の位置に、平面視して外側に
飛び出るように形成したかしめ部材17をプラスチック
回路基板11の側面を経由させて上面側に折り曲げるこ
とでプラスチック回路基板11と放熱板13を接合す
る。この場合には、リベット15で接合する場合のよう
なプラスチック回路基板11と放熱板13の所定の位置
にドリル孔を穿孔する必要はない。
【0022】また、プラスチック回路基板11と放熱板
13との接合に締め付け部材としてねじ18を用いる場
合では、リベット15の場合と同様にプラスチック回路
基板11と放熱板13の所定の位置にドリル孔(ねじ挿
入用孔)を穿孔し、プラスチック回路基板11と放熱板
13を重ね合わせて整合したドリル孔にねじ18を挿入
し、ナット19を用いて締め付けて接合する。更に、プ
ラスチック回路基板11と放熱板13とを接合する締め
付け部材として、かしめ部材17、リベット15、ねじ
18を複数併用することもできる。
【0023】次に、図6を参照して、本発明の他の実施
の形態に係る放熱型BGAパッケージ10aについてそ
の製造方法と共に説明する。放熱型BGAパッケージ1
0aにおいては、2枚の金属板24、25からなる放熱
板26を用いる。放熱板26は、四角形に切断又は、打
ち抜かれた平板状の金属板24と、中央部に切欠き空間
27が打ち抜き形成された平板状の金属板25とから構
成され、中央に切欠き空間12を有するプラスチック回
路基板11と2枚の金属板24、25とを重ね合わせて
締め付け部材の一例であるリベット15aを用いて接合
する。なお、締め付け部材としては、かしめ部材、リベ
ット、ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせを使用
することができる。締め付け部材にかしめ部材が用いら
れる場合には、予め放熱板26を構成する金属板24の
外周部の所定の位置に、平面視して外側に飛び出るよう
に形成したかしめ部材を金属板25及びプラスチック回
路基板11の側面を経由させてプラスチック回路基板1
1の上面側に折り曲げることで形成する。
【0024】次に、プラスチック回路基板11と金属板
24、及び金属板24と金属板25のそれぞれの接合面
のキャビティ28側及び外周側のそれぞれの端部にディ
スペンサー等を用いてノズルの先端を移動させながら、
あるいはノズル側を固定させ、プラスチック回路基板1
1と2枚の金属板24、25の接合面側を移動させて、
エポキシ樹脂等の接着樹脂29を注入する。そして、少
なくとも接合面の端部を接着樹脂29で充填し、接着樹
脂29で接合面の端部に隙間を無くして、接着樹脂29
を固着させる。
【0025】なお、その他の工程は、前記実施の形態の
放熱型BGAパッケージ10の製造方法と実質的に同じ
である。また、放熱板26は2枚の金属板24、25を
積層して形成したが、3枚以上の金属板を用いて形成し
てもよい。また、前記実施の形態においては、プラスチ
ック回路基板11は、BGA型の基板であったが、ピン
型等であってもよく、特に限定されるものではない。更
に、放熱板、リベット、かしめ部材、ねじ、ナット、及
び接着樹脂の材質は、それぞれ特に限定されるものでは
ない。
【0026】
【発明の効果】請求項1及び2記載の放熱型BGAパッ
ケージにおいては、プラスチック回路基板と放熱板を締
め付け部材で接合し、しかもプラスチック回路基板と放
熱板の少なくとも接合面の端部が接着樹脂で覆われてい
るので、プラスチック回路基板と放熱板の接合強度が向
上し、接合面に水分の吸着の発生がなく、半導体チップ
の気密信頼性を高めることができる。また、半導体チッ
プを気密封止するためのポッティング樹脂やモールド樹
脂の接合面への流れ込みを防止することができ、半導体
チップの気密信頼性の低下を防止することができる。
【0027】特に、請求項2記載の放熱型BGAパッケ
ージにおいては、締め付け部材はかしめ部材、リベッ
ト、ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせからなる
ので、プラスチック回路基板と放熱板を強固に接合する
ことができる。
【0028】請求項3及び4記載の放熱型BGAパッケ
ージの製造方法においては、プラスチック回路基板と放
熱板を締め付け部材で接合する工程と、プラスチック回
路基板と放熱板の接合面の端部に接着樹脂を注入し、少
なくとも接合面の端部に接着樹脂を充填硬化させる工程
を有するので、プラスチック回路基板と放熱板の接合強
度を向上することができ、また接合面の水分吸着を防止
でき、半導体チップの気密信頼性を高める放熱型BGA
パッケージが得られる。更に、半導体チップを気密封止
するためのポッティング樹脂やモールド樹脂の接合面へ
の流れ込みを防止でき、半導体チップの気密信頼性の低
下を防止した放熱型BGAパッケージが得られる。
【0029】特に、請求項4記載の放熱型BGAパッケ
ージの製造方法においては、締め付け部材にかしめ部
材、リベット、ねじのいずれか1又はこれらの組み合わ
せを用いて接合するので、プラスチック回路基板と放熱
板を強固に接合した放熱型BGAパッケージが得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)、(B)はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る放熱型BGAパッケージの正断面図、平面図で
ある。
【図2】(A)、(B)は同放熱型BGAパッケージの
変形例に係る締め付け部材を説明する正断面図、平面図
である。
【図3】同放熱型BGAパッケージの他の変形例に係る
締め付け部材を説明する正断面図である。
【図4】(A)、(B)は同放熱型BGAパッケージの
他の変形例に係る締め付け部材を説明する正断面図、平
面図である。
【図5】本発明の一実施の形態に係る放熱型BGAパッ
ケージへの半導体チップの実装形態の説明図である。
【図6】本発明の他の実施の形態に係る放熱型BGAパ
ッケージの正断面図である。
【図7】従来例の放熱型BGAパッケージを説明するた
めの正断面図である。
【図8】他の従来例の放熱型BGAパッケージを説明す
るための正断面図である。
【符号の説明】
10、10a:放熱型BGAパッケージ、11:プラス
チック回路基板、12:切欠き空間、13:放熱板、1
4:キャビティ、15、15a:リベット、16:接着
樹脂、17:かしめ部材、18:ねじ、19:ナット、
20:半導体チップ、21:ボンディングワイヤ、2
2:封止樹脂、23:半田ボール、24、25:金属
板、26:放熱板、27:切欠き空間、28:キャビテ
ィ、29:接着樹脂、30:半導体デバイス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中央部に切欠き空間を有するプラスチッ
    ク回路基板の片面に金属製の放熱板を接合する放熱型B
    GAパッケージにおいて、前記プラスチック回路基板と
    前記放熱板を締め付け部材で接合し、しかも前記プラス
    チック回路基板と前記放熱板の少なくとも接合面の端部
    が接着樹脂で覆われていることを特徴とする放熱型BG
    Aパッケージ。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の放熱型BGAパッケージ
    において、前記締め付け部材はかしめ部材、リベット、
    ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせからなること
    を特徴とする放熱型BGAパッケージ。
  3. 【請求項3】 中央部に切欠き空間を有するプラスチッ
    ク回路基板の片面に金属製の放熱板を接合する放熱型B
    GAパッケージの製造方法において、前記プラスチック
    回路基板と前記放熱板を締め付け部材で接合する工程
    と、前記プラスチック回路基板と前記放熱板の接合面の
    端部に接着樹脂を注入し、少なくとも該接合面の端部に
    前記接着樹脂を充填硬化させる工程を有することを特徴
    とする放熱型BGAパッケージの製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の放熱型BGAパッケージ
    の製造方法において、前記締め付け部材にかしめ部材、
    リベット、ねじのいずれか1又はこれらの組み合わせを
    用いて接合することを特徴とする放熱型BGAパッケー
    ジの製造方法。
JP2001227310A 2001-07-27 2001-07-27 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法 Pending JP2003046027A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001227310A JP2003046027A (ja) 2001-07-27 2001-07-27 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001227310A JP2003046027A (ja) 2001-07-27 2001-07-27 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003046027A true JP2003046027A (ja) 2003-02-14

Family

ID=19059993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001227310A Pending JP2003046027A (ja) 2001-07-27 2001-07-27 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003046027A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7580264B2 (en) 2005-01-14 2009-08-25 Funai Electric Co., Ltd. Power supply and fixing structure of heatsink and circuit board applicable to the same
US7796392B2 (en) * 2007-02-28 2010-09-14 OSRAM Gesellschaft mit berschränkter Haftung Electronic construction unit and electrical circuit carrier
US7923826B2 (en) 2008-06-12 2011-04-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device mounted on heat sink having protruded periphery
JP2020167217A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 配線基板および、その製造方法
JP2021040059A (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 日産自動車株式会社 半導体装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7580264B2 (en) 2005-01-14 2009-08-25 Funai Electric Co., Ltd. Power supply and fixing structure of heatsink and circuit board applicable to the same
US7796392B2 (en) * 2007-02-28 2010-09-14 OSRAM Gesellschaft mit berschränkter Haftung Electronic construction unit and electrical circuit carrier
US7923826B2 (en) 2008-06-12 2011-04-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device mounted on heat sink having protruded periphery
US8232634B2 (en) 2008-06-12 2012-07-31 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having a pin mounted heat sink
JP2020167217A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 配線基板および、その製造方法
JP7386435B2 (ja) 2019-03-28 2023-11-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 配線基板および、その製造方法
JP2021040059A (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 日産自動車株式会社 半導体装置
JP7329394B2 (ja) 2019-09-04 2023-08-18 日産自動車株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6060778A (en) Ball grid array package
KR970010678B1 (ko) 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
US6404049B1 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof and mounting board
US6507102B2 (en) Printed circuit board with integral heat sink for semiconductor package
US7105931B2 (en) Electronic package and method
US5710695A (en) Leadframe ball grid array package
KR100723454B1 (ko) 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법
US7138706B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5409865A (en) Process for assembling a TAB grid array package for an integrated circuit
KR100192028B1 (ko) 플라스틱 밀봉형 반도체 장치
US20060084254A1 (en) Method for making electronic packages
US5783860A (en) Heat sink bonded to a die paddle having at least one aperture
US20090023248A1 (en) Method of packaging a semiconductor die
JP2009513026A (ja) 半導体構造及び組み立て方法
JPH0685157A (ja) 多層リードフレームアセンブリを作る方法および多層集積回路ダイパッケージ
US5796038A (en) Technique to produce cavity-up HBGA packages
KR20090050752A (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조방법
US7091623B2 (en) Multi-chip semiconductor package and fabrication method thereof
JP2001144230A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US7402895B2 (en) Semiconductor package structure and method of manufacture
TW202141718A (zh) 半導體模組及其製造方法
JP2003046027A (ja) 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法
KR100487135B1 (ko) 볼그리드어레이패키지
JP2003060125A (ja) 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法
JP2003060124A (ja) 放熱型bgaパッケージ及びその製造方法