JP2003045924A

JP2003045924A - 半導体素子検査装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003045924A
Application number: JP2001234791A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Kanamaru; 昌敏金丸; Kiju Endo; 喜重遠藤; Takanori Aono; 宇紀青野; Ryuji Kono; 竜治河野; Hiroya Shimizu; 浩也清水; Naoto Ban; 直人伴; Hideyuki Aoki; 英之青木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-08-02
Filing date: 2001-08-02
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】コンタクタをウエハ全面に高精度に位置決め
し、均一にコンタクトさせ、大口径ウエハの検査ができ
低コスト化が可能な半導体素子の検査装置を実現する。【解決手段】分割された複数のコンタクタブロック１に
位置決め用の溝２５を形成し、その溝２５を用いて位置
決め枠２により複数のコンタクタブロック１の位置決め
が行われる。コンタクタブロック１は複数に分割されて
いるため、分割されず多数のコンタクタが一体的に形成
されている場合と比較して、一部の面歪みが他の部分に
影響して面均一性が損なわれることが少なく、複数のコ
ンタクタ１を被検査ウエハ３に均一にコンタクトさせる
ことができる。また、一部のコンタクタブロック１に異
常等が発生しても、その一部のコンタクタブロック１の
み交換すればよいので分割されず多数のコンタクタが一
体的に形成されている場合と比較し、交換費用を低減す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バーンイン検査や
プローブ検査等に適用可能であり、特に、ウェハ状態で
のバーンイン検査、いわゆるウェハレベルバーンインに
好適な半導体素子の検査装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の検査および製造技
術における、バーンイン検査に関する技術について本発
明者が検討したところによれば、例えば、特開平１１−
９７４９４号公報、特開平９−１４８３８９号公報、
「日経マイクロデバイス、２０００年１月号」Ｐ１４８
〜Ｐ１５３に記載される技術などが挙げられる。

【０００３】上記特開平１１−９７４９４号公報には、
バーンイン検査工程において、押圧部材を用いてメンブ
レンシートに設けられた複数のプローブをウェハに押圧
するときには、押圧部材のウェハ側とは反対側の面の複
数の箇所に押圧荷重を負荷させるために、押圧部材を分
割して押圧の均一化を図る技術が開示されている。

【０００４】また、上記特開平９−１４８３８９号公報
には、マイクロマシニング技術によりシリコン基板に上
下方向に弾性を保たせた梁を形成し、この梁の先端部に
ウェハの電極と対向配列するように、マイクロコンタク
トピンを先端部に導電性薄膜処理して形成する技術が開
示されている。

【０００５】また、上記「日経マイクロデバイス、２０
００年１月号」には、多層配線基板とバンプ付き薄膜シ
ートと異方導電性ゴムとの３つの部品からなるＴＰＳ
（ＴｈｒｅｅＰａｒｔｓＳｔｒｕｃｔｕｒｅ）プロ
ーブを用いた方式や、多層配線基板とプローブ端子とか
らなり、プローブ端子は樹脂シートに銅ポストを貫通さ
せた構造で、加圧すると、この銅ポストがつぶれて電極
の高さばらつきを吸収する方式が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来におけるバーンイン検査に関する技術について、本発
明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなっ
た。

【０００７】例えば、半導体集積回路装置の検査技術と
しては、高温雰囲気中で温度および電圧ストレスを加え
て将来不良となる可能性のあるチップをスクリーニング
するバーンイン検査と、装置が所定の機能通りに動作す
るか否かを確認する機能テストやＤＣ動作特性およびＡ
Ｃ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するプ
ローブ検査とがある。

【０００８】近年、半導体集積回路装置のバーンイン検
査においては、ウエハ出荷対応（品質の差別化）、ＫＧ
Ｄ（ＫｎｏｗｎＧｏｏｄＤｉｅ）対応（ＭＣＰ（Ｍ
ｕｌｔｉ−ＣｈｉｐＰａｃｋａｇｅ）の歩留まり向
上）、バーンイン検査不良品の救済、バーンイン不良テ
ストデータのフィードバック、トータルコスト低減等の
要求から、ウエハ状態でバーンイン検査を行うウエハレ
ベルバーンインの技術が用いられてきている。

【０００９】このウエハレベルバーンイン技術では、ウ
エハ全面に亘って均一に加圧する押圧機構と、ウエハ加
熱及び温度制御機構と、ウエハ全面で１万ピン以上のプ
ローブとが必要である。

【００１０】また、ウエハレベルバーンイン技術では、
ウエハの反りやうねりとプローブの高さばらつきを吸収
する必要があり、高温時の熱膨張に倣わせる必要もあ
る。

【００１１】さらに、ウエハレベルバーンイン技術で
は、多数の配線引き回し、入力信号の集束、ウエハ全面
へのプローブアライメント、不良チップの切り離しと過
電流遮断、ウエハ全面のコンタクトチェック等が必要で
ある。

【００１２】このため、ウエハレベルバーンイン技術で
は、必要な部品点数が多く、調整すべき事項も多数とな
るため、検査コストが高くなるという問題点があった。

【００１３】そこで、上記問題点を解決するためのバー
ンイン検査に関する技術として、例えば、上記「日経マ
イクロデバイス、２０００年１月号」に記載の技術など
がある。

【００１４】しかしながら、上記文献に記載のＴＰＳプ
ローブを用いた方式では、不良チップ除去用の皮膜装置
が必要で、プローブ検査やレーザ救済の最後にしかウェ
ハレベルバーンインが実施できない。また、バンプ付き
薄膜シートはコンタクト回数と共に接触抵抗が増加しや
すく、一体物で部分的リペアは不可能である上、異方導
電性ゴムは寿命が短い、などの問題点がある。

【００１５】また、上記「日経マイクロデバイス、２０
００年１月号」に記載の、多層配線基板とプローブ端子
からなる技術を用いた方式では、樹脂シートは金パッド
専用で、１回毎の使い捨てである、などの問題点があ
る。

【００１６】本発明の目的は、例えば、バーンイン検査
やプローブ検査、特にウエハレベルバーンイン検査にお
いて、分割コンタクタ一体型方式を採用し、この分割さ
れたコンタクタをウエハ全面に高精度に位置決めした
後、均一にコンタクトさせることにより、大口径ウエハ
の検査を可能とすることで低コスト化を図ることができ
る半導体素子の検査装置及びその製造方法を実現するこ
とである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のように構成される。

【００１８】（１）半導体素子の複数の電極パッドと電
気的に接触するプローブを有するコンタクタ基板を備え
る半導体素子検査装置において、上記コンタクタ基板
は、複数個のコンタクタブロックを有し、それぞれのコ
ンタクタブロックは、梁に形成されるプローブと、配線
と、位置決め用切り欠き部とが形成され、上記コンタク
タブロックに形成された位置決め用切り欠き部を支持す
る支持部が形成され、上記複数のコンタクタブロックの
位置決めを行う位置決め枠を備える。

【００１９】（２）好ましくは、上記（１）において、
上記コンタクタブロックの位置決め用切り欠き部は、コ
ンタクタブロックに形成された位置決め用溝であり、こ
の位置決め溝は、コンタクタブロックのプローブ形成面
に形成されている。

【００２０】（３）また、好ましくは、上記（２）にお
いて、上記コンタクタブロックの位置決め溝は、互いに
ほぼ直交する２本の溝である。

【００２１】（４）また、好ましくは、上記（１）、
（２）、（３）において、上記コンタクタブロックは、
その材質にシリコンを有する。

【００２２】（５）また、好ましくは、上記（１）、
（２）、（３）、（４）において、上記位置決め用枠
は、その材質に４２アロイ、ニッケル合金、ガラスもし
くはシリコンを有する。

【００２３】（６）半導体素子検査装置に用いられ、半
導体素子の複数の電極パッドと電気的に接触するプロー
ブを有するコンタクタ基板において、上記コンタクタ基
板は、複数個のコンタクタブロックを有し、それぞれの
コンタクタブロックは、梁に形成されるプローブと、配
線と、位置決め用切り欠き部とが形成され、上記コンタ
クタブロックに形成された位置決め用切り欠き部を支持
する支持部が形成され、上記複数のコンタクタブロック
の位置決めを行う位置決め枠により、位置決めが行われ
る。

【００２４】（７）半導体素子の複数の電極パッドと電
気的に接触するプローブを有するコンタクタ基板であ
り、このコンタクタ基板は、複数個のコンタクタブロッ
クを有し、それぞれのコンタクタブロックは、梁に形成
されるプローブと、配線と、位置決め用切り欠き部とが
形成されている半導体素子検査装置の製造方法におい
て、基板表面に熱酸化膜を形成し、プローブを形成す
るためのマスクパターンを形成する工程と、エッチング
加工によりプローブを形成する工程と、多層マスクを形
成する工程と、エッチングにより異なる深さの孔を加工
し、梁、貫通孔及び位置決め段差部を加工する工程と、
両面に金属薄膜を形成し、パターニングを行い、配線層
を形成する工程とにより、上記コンタクタブロックが形
成される。

【００２５】本発明の半導体素子検査装置によれば、コ
ンタクタ基板の、Ｘ方向、Ｙ方向及び高さ方向であるＺ
方向の位置決めまで可能となる。さらに、端面でコンタ
クタ基板の位置決めを行う方式と比較して温度上昇によ
る線膨張率の差から発生する相対的な位置ずれ量は外周
部ほど大きくなるが、本発明では分割されたコンタクタ
の中心部で位置決めが可能であることから、位置決め用
枠の温度上昇による線膨張率の差から発生する相対的な
位置ずれ量の影響を受けずらい。言い換えれば大口径の
被検ウエハにおいてもプローブと被検ウエハに形成され
た電極パッドとの位置ずれの影響が大変小さい。

【００２６】分割された複数のコンタクタブロックは、
被検査ウエハの大きさに左右されないため、ウエハの大
口径化に対しても旧設備を利用できるので、ウエハ全面
一括コンタクト方式によるコンタクタ基板の製造コスト
を低減することが可能となる。

【００２７】さらに、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の位置
決めまで可能となるため、被検査ウエハの反りやうねり
に対して独立して倣わせ易くすることが可能となる。

【００２８】また、バーンイン検査時の温度条件に対し
ても、被検査ウエハとコンタクタブロックとは同じよう
に熱膨張するので、ウエハ全面へのプローブのアライメ
ント精度を十分に得ることが可能となる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態であ
る検査装置により検査される半導体集積回路装置の製造
方法を示すフローチャートである。なお、この例におい
ては、半導体集積回路装置として、ＳＲＡＭを一例とし
て説明するが、本発明は、ＳＲＡＭのみならず、ＤＲＡ
Ｍ、フラッシュメモリなどのメモリＬＳＩや、ロジック
ＬＳＩなどにも適用可能である。

【００３０】（１）前処理工程（ステップＳ１）におい
ては、半導体ウエハに多数の素子を形成する。すなわ
ち、この前処理工程では、ＳＲＡＭの仕様に基づいて、
例えば、シリコン基板からなる半導体ウエハに対して、
酸化・拡散・不純物導入、配線パターン形成、絶縁層形
成、配線層形成などの各ウエハ処理を繰り返して所望の
集積回路を形成する。

【００３１】（２）次に、ウエハレベルバーンイン工程
（ステップＳ２）においては、多数の素子が形成された
半導体ウエハをバーンイン検査（熱負荷検査）する。す
なわち、このウエハレベルバーンイン工程では、例え
ば、半導体ウエハを高温（例えば、１２５℃〜１５０
℃）雰囲気中において、定格もしくはそれを超える電源
電圧を印加して半導体集積回路に電流を流し、温度及び
電圧ストレスを加えて将来不良に到る可能性のあるチッ
プをスクリーニングする。このウエハレベルバーンイン
工程において、後述する分割コンタクタ一体型によるウ
エハ全面一括コンタクト方式の検査装置が用いられる。

【００３２】（３）続いて、第１回目のプローブ検査工
程（ステップＳ３）においては、多数の素子が形成され
た半導体ウエハをプローブ検査（導通検査）する。すな
わち、このプローブ検査工程では、例えば、半導体ウエ
ハを高温（例えば、８５℃〜９５℃）雰囲気中におい
て、ＳＲＡＭへの書き込み及び読み出し動作により所定
のテストパターンを用いてメモリ機能を試験し、所定の
機能通りに動作するか否かを確認する機能テストや、入
出力端子間のオープン／ショート検査、リーク電流検
査、電源電流の測定などのＤＣテスト、メモリ制御のＡ
Ｃタイミングを試験するＡＣテストなどを行う。なお、
この第１回目のプローブ検査工程や、後述する第２回目
のプローブ検査工程においても、後述する分割コンタク
タ一体型によるウエハ全面一括コンタクト方式の検査装
置を用いることが可能である。

【００３３】（４）次に、レーザ救済工程（ステップＳ
４）においては、プローブ検査の結果、不良の素子に対
してレーザ光を照射して救済する。すなわち、このレー
ザ救済工程では、プローブ検査の結果を解析してＳＲＡ
Ｍの不良ビットを見つけ出し、この不良ビットに対応す
る冗長救済ビットのヒューズをレーザ光で切断し、冗長
救済処理を施してリペアを行う。

【００３４】（５）続いて、第２回目のプローブ検査工
程（ステップＳ５）においては、ステップＳ４における
レーザ救済後に、再び半導体ウエハをプローブ検査（導
通検査）する。すなわち、このプローブ検査工程では、
第１回目のプローブ検査工程と同様のテストを行い、冗
長救済処理により不良ビットを冗長救済用ビットに切り
替えることができたことを確認する。

【００３５】（６）ステップＳ５に続く、ウエハ出荷工
程（ステップＳ６）においては、レーザ救済後のプロー
ブ検査の結果、良品の半導体ウエハをそのまま製品とし
て出荷する。すなわち、このウエハ出荷工程では、ＳＲ
ＡＭの複数のチップが搭載された半導体ウエハを、この
半導体ウエハの状態でユーザに提供する。

【００３６】（７）ステップＳ５に続く、ＭＣＰ組立工
程（ステップＳ７）においては、良品の半導体ウエハを
ダイシングしてチップ毎に分離し、このように分離され
たチップを組み合わせてパッケージ構造にする。すなわ
ち、このＭＣＰ組立工程では、上記各工程ステップＳ１
〜Ｓ５を経て製造されたＳＲＡＭのチップと、同じよう
に前処理工程からダイシング工程までを終了して製造さ
れた、例えばフラッシュメモリのチップとを実装してＭ
ＣＰとして組み立てる。具体的には、ＳＲＡＭのチップ
とフラッシュメモリのチップとを基板上に搭載するダイ
ボンディング工程、各チップのパッドと基板上のパッド
とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング
工程、各チップ及びワイヤの部分を保護するためにレジ
ンによりモールドするレジンモールド工程、外部リード
を成形・表面処理するリード成形工程等を行う。なお、
ワイヤボンディング工程に限らず、他のボンディング工
程、例えば、フリップチップボンディング工程等も可能
である。

【００３７】（８）ステップＳ７に続く、テスタ選別工
程（ステップＳ８）においては、組み立てられたＭＣＰ
をテスタで選別する。すなわち、このテスタ選別工程で
は、例えば、半導体ウエハのプローブ検査と同様のテス
トを行い、このＭＣＰの良品／不良品を選別し、良品の
ＭＣＰのみを製品として出荷し、ユーザに提供する。

【００３８】次に、図２〜図５により、上述したウエハ
レベルバーンイン工程においてバーンイン検査を行う、
本発明の一実施形態である半導体素子検査装置の一例を
説明する。

【００３９】図２は上記検査装置における真空加圧方式
のウエハレベルバーンインカセットの要部概略断面図、
図３は上記検査装置のコンタクタブロック（複数のコン
タクタブロックからなるものをコンタクタ基板とする）
の平面（ａ）及び（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面（ｂ）
を示す図、図４はコンタクタブロックの要部の平面
（ａ）及び（ｂ）、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面
（ｃ）を示す図、図５は図４の（ｃ）から変形した状態
の断面図である。

【００４０】ウェハレベルバーンイン検査を行う真空加
圧方式の検査装置は、例えば、図２に示すようにカセッ
ト構造を有する。つまり、図２において、真空加圧方式
の検査装置は、分割された複数のコンタクタブロック１
（１ａ、１ｂ・・・）と、これら複数のコンタクタブロ
ック１を一体化する位置決め枠２と、この位置決め枠２
を支える下板１２と、コンタクタブロック１の上に配置
される多層基板９と、真空減圧時に多層基板９等の高さ
を調整するゴムシート１１と、このゴムシート１１の上
方に配置される上板１０と、この上板１０の上方に配置
されるバーンイン基板１３とを備えている。

【００４１】下板１２と上板１０とはベローズ１４によ
って検査装置内の真空状態が維持される構造となってい
る。また、上板１０とバーンイン基板１３とはボルト１
７によって互いに固定されている。なお、バーンイン基
板１３は、図示しないバーンイン装置に接続されてい
る。

【００４２】バーンイン検査では、バーンイン装置から
テスト制御信号が検査装置に供給され、このテスト結果
の信号を検査装置から取得することでテストが行われ
る。

【００４３】また、バーンイン基板１３には、過電流遮
断回路（図示せず）などが設けられ、被検査ウエハ３の
各チップ毎の過電流が遮断され、不良チップの切り離し
やラッチアップの発生が抑制されている。

【００４４】このウエハレベルバーンインカセットの位
置決め枠２は、互いに分割された複数のコンタクタブロ
ック１を一体化し、これら複数のコンタクタブロック１
の水平方向の位置を固定する部材であり、被検査ウエハ
３と熱膨張係数が近い材料から形成されている。つま
り、位置決め枠２は、例えば、４２アロイ、ニッケル合
金、ガラスまたはシリコンなどから形成されている。こ
れにより、分割コンタクタ一体型によるウエハ全面一括
コンタクト方式の検査装置が実現される。

【００４５】一方、被検査ウエハ３はステージ４上に保
持されている。この被検査ウエハ３のステージ４上での
保持は、ステージ４内に形成された真空用通路７aから
バルブ８aを介して減圧することによりウエハ３を吸引
して行う。

【００４６】ステージ４にはウエハ３を部分的に加熱す
るための、温度センサが内蔵されたヒータ５が埋め込ま
れており、電気コネクタ６によって電気的な制御、すな
わち温度調節に必要な制御が行える。

【００４７】検査装置の減圧は、ステージ４内に形成さ
れた真空用通路７ｂからバルブ８ｂを介して行われる。
その場合、真空漏れを防止するためにＯリング１５が、
下板１２とステージ４との間に設置されている。

【００４８】電気的にはコンタクタブロック１の、ウエ
ハ３と接触するプローブ形成面の反対面に形成された２
次電極パッドと多層基板９とがはんだボール１８で接続
されており、バーンイン基板１３と多層基板９とはコネ
クタ１６により接続されている。

【００４９】２次電極パッドと多層基板９との電気的導
通方法は、例えば銀ペーストや白金ペーストもしくは１
５０℃以下で溶解しない金属材料や、これらの複合材料
をスクリーン印刷法等によって形成し焼成することによ
り、これら２次電極パッドと多層基板９との電気的導通
部分を形成することができる。また、これにより、２次
電極パッドと多層基板９とは、容易にリペアが可能な構
造となっている。

【００５０】このウェハレベルバーンインカセットは、
分割コンタクタ一体型方式を採用しているため、分割し
た個々のコンタクタブロック１毎でリペアを行うことが
できることにより、全てのコンタクタブロック１を交換
する必要が無く、低コスト化を図ることが可能となって
いる。

【００５１】また、コンタクタブロック１は、被検査ウ
エハ３上の複数のチップとコンタクトを取る部材であ
り、例えば、被検査ウエハ３と熱膨張係数が同じ材料で
あるシリコンから形成されている。

【００５２】また、コンタクタブロック１には、図３の
（ｂ）に示すように、位置決め枠２との位置決めが容易
となるように段差（溝２５）を形成している。この段差
はシリコンの異方性エッチングによって形成したもの
で、位置決め段差部２５は、プローブ形成面と境界面で
ある斜面は｛１１１｝面２４となっている。なお、図３
に示した例は、上記コンタクタブロック１が９チップに
分割されている例である。

【００５３】次に、上記コンタクタブロック１の詳細構
造について説明する。図４は、一つのコンタクタブロッ
ク１を示す図であり、このコンタクタブロック１の表面
には、例えば、図４の（ａ）に示すように、プローブ２
０とこのプローブ２０を支持する両端支持梁２１とから
なる複数のプローブ部が設けられている。

【００５４】各プローブ２０は、被検査ウエハ３の各チ
ップの検査用電極パッドに電気的に接触する突起形状を
有しており、例えば、異方性エッチングなどのマイクロ
マシニング技術によりピラミッド状に形成されている。

【００５５】また、各プローブ２０は個々に両端支持梁
２１上に形成されており、その周辺には溝２３が形成さ
れている。電気的な接続部分の役割を行う配線層１９は
プローブ２０の周辺から貫通孔２６を介して、例えば、
図４の（ｂ）に示すように、プローブ２０が形成された
面とは反対の面に形成した２次電極パッド２２まで連続
して形成されている。

【００５６】また、プローブ２０が形成される側の面で
あって、配線層１９の表面には、図４の（ｃ）に示すよ
うに、絶縁膜２９が形成されている。一方、被検査ウエ
ハ３の電極パッド２７の周辺部にはポリイミドなどから
なる保護膜２８が形成されている。

【００５７】上記配線層１９には、例えば、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔｉなどの組み合わせからなる
スパッタもしくはメッキによる層が形成されている。な
お、配線層１９は、信号ラインの配線パターンに比べて
電源、グランドラインの配線パターンが太い配線幅とな
っている。また、プローブ２０の突起部は薄いめっき厚
で、他の部分は抵抗値を低くするためにそれに比べて太
いめっき厚となっている。

【００５８】プローブ２０の周囲の両端支持梁２１の部
分は、真空加圧方式による減圧により、たとえば図４の
（ｃ）に示す状態から、図５に示すような状態に変形可
能となっている。そして、図５に示すような変形状態に
おいて、プローブ２０が所定の圧力で被検査ウエハ３の
各チップの検査用電極パッド２７に均一に接触される。
なお、本発明の一実施形態においては、プローブ２０と
電極パッド２７との電気的導通に必要な押圧力は、およ
そ６ｇ程度であった。

【００５９】以上のような真空加圧方式の検査装置を用
いてウェハレベルバーンイン検査を行う場合には、ウェ
ハレベルバーンインカセットを組み立てた後、装置内を
真空減圧することにより、位置決め枠２に一体化された
コンタクタブロック１の各プローブ２０を被検査ウエハ
３の各チップの各検査用電極パッドに所定の圧力で均一
に接触させる。

【００６０】そして、ウエハレベルバーンイン検査のテ
スト制御信号を、バーンイン装置からバーンイン基板１
３、多層基板９を介して被検査ウエハ３の各チップに供
給する。このテスト結果信号を、被検査ウエハ３の各チ
ップから、多層基板９、バーンイン基板１３を介してバ
ーンイン装置で取得することにより、将来不良に到る可
能性のあるチップをスクリーニングすることができる。

【００６１】このバーンイン検査の際に、ウエハレベル
バーンインカセット内では、被検査ウエハ４及びコンタ
クタブロック１は、真空吸着によって、これらウエハ４
等に反りやうねりがあっても、それををならすように固
定される。そして、ウエハレベルバーンイン検査時の高
温条件に対しても、被検査ウエハ３とコンタクタブロッ
ク１と、同様に熱膨張する。また、位置決め枠２も被検
査ウエハ３に近い熱膨張となるので、コンタクタブロッ
ク１の各プローブ２０と被検査ウエハ３の各チップの各
検査用電極パッドとのアライメント精度も十分に得るこ
とができる。

【００６２】次に、量産性に優れたマイクロマシニング
技術を用いたコンタクタブロック１の加工プロセスにつ
いて図６を用いて説明する。

【００６３】図６において、はじめに、(a)に示すよう
に、厚さ５００μｍ（１００）方位のシリコンウエハ３
０を準備する。次に、０．５μｍ厚さの熱酸化膜３１を
形成し、ホトリソプロセスを用いて、シリコンウエハ３
０の表面に形成された熱酸化膜３１上にレジスト塗布・
パターン露光・現像・熱酸化膜のエッチングを片面から
行い、プローブを形成するためのマスクパターンを形成
する。

【００６４】目的とするプローブ先端形状を得るため
に、マスクパターン形状にはエッチングによる角落ちに
対処するための補償パターンが形成されている。

【００６５】その後、７０℃の水酸化カリウム水溶液を
用いてシリコンウエハ３０を２０μｍ段差の異方性エッ
チング加工を片面から行い、図６の(ｂ)に示すように、
プローブ２０を形成する。この時、プローブ形成部には
｛１１１｝結晶面からなる斜面が形成される。このプロ
セスによって複数のプローブ２０を一括して形成でき
る。

【００６６】なお、上記シリコンウエハ３０のエッチン
グ加工は水酸化カリウム水溶液だけではなく、その他の
ウエットエッチング液、例えば、エチレンジアミンピロ
カテコール、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、ヒドラジンを用いることができる。

【００６７】さらに、異なる深さの孔を時間差で一括し
てエッチング加工を行うために、多層マスク法を用い
る。図６の(ｃ)に示すように、ホトリソプロセスを用い
て、酸化・レジスト塗布・パターン露光・現像・熱酸化
膜のエッチング・酸化を繰り返し行う。より詳細には酸
化膜形成後、浅い孔から順番にパターニングを行い、多
層マスク３１aを形成する。なお、図６に示した構造の
コンタクタブロックは異なる孔が４種類ある。

【００６８】次に、図６の（ｄ）に示すように、一番深
い孔である貫通孔２６のパターニングを行った後、異方
性エッチングにより異なる深さの孔を加工し、両端支持
梁２１、貫通孔２６及び位置決め段差部２５を加工し構
造体を完成させる。

【００６９】異方性エッチング加工以外に本加工プロセ
スではドライエッチング加工法を用いても良い。また、
ドライエッチング加工装置には誘導結合型のプラズマエ
ッチング［ICP―RIE(Inductively Coupled Plasma―R
IE)］装置を用いることによりアスペクト比２０程度の
垂直な壁を有するエッチング加工を行うことができる。

【００７０】上記加工技術では、異方性エッチングのマ
スク材に熱酸化膜を適用した例について説明したが、マ
スク材としてシリコンナイトライド膜、薄い熱酸化膜の
上にシリコンナイトライド膜を形成した複合膜を用いて
も良い。

【００７１】次に、配線形成プロセスでは、図６の
（ｅ）に示すように、構造体全面に熱化膜３１を形成し
た後、両面に金属薄膜３２をスパッタリング装置により
形成し、電着レジストを用いたホトリソプロセスによ
り、金属薄膜のパターニングを行う。

【００７２】続いて、図６の（ｆ）に示すように、メッ
キ装置を用いて銅及びニッケル材料を用いて配線層１９
をシリコンウエハ３０上に形成する。

【００７３】以上の加工プロセスによりコンタクタブロ
ック１が完成される。

【００７４】なお、上記加工プロセスにおいて、スパッ
タリング装置を用いた金属薄膜にはＣr又はＴiを２０ｎ
ｍ形成し、その上にＡuを１０００ｎｍ形成したものを
用いた。このＣrやＴiを形成するのは、下地とＡuとの
密着性を向上させるためである。

【００７５】また、上記配線材料は１５０℃以上で溶解
せず、電気的導通を有し、薄膜形成可能な材料であれば
他の材料を用いても良い。また、配線などに用いる装置
もスパッタリング装置以外の装置、例えば、蒸着装置や
ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を用いても良
い。

【００７６】さらに、配線の形成方法はリフトオフ法に
限らず、電着レジスト又はスプレーレジスト塗布装置等
の３次元的にレジストパターンの形成が可能なレジスト
を用いて基板全面に薄膜を形成した後、ホトリソグラフ
ィ技術を行い、エッチングによって形成し、その後メッ
キを行うことで形成しても良い。その上にＣuを１０μ
ｍさらにその上にＮiを２μｍ、メッキ装置により、プ
ローブ２０から電極パッドまで多層配線１９を形成す
る。

【００７７】上述したような加工プロセスは、量産性に
優れており、半導体製造技術で用いられている装置を流
用することが可能であるため、大口径化に対しても旧設
備を利用でき、ウエハ全面一括コンタクト方式によるコ
ンタクタブロックの製造コストを低減することが可能で
ある。

【００７８】次に、図７及び図８を参照して、コンタク
タブロック１に形成される位置決め段差部の詳細につい
て説明する。

【００７９】図７は、図３に示したコンタクタブロック
とは異なるコンタクタブロックを示す平面図、図８はコ
ンタクタブロックと位置決め枠との位置関係を示す概略
断面図である。

【００８０】コンタクタブロック１に形成する位置決め
段差部２５は、図３に示したようにプローブ２０の周辺
以外の部分の全面を位置決め段差部とする方法もある
が、３次元方向であるＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向を高精
度に位置決めするためには、図７に示すように、一つの
コンタクタブロック１に最低でも、互いに直交する２本
のラインで構成することで達成できる。つまり、一本の
ラインでＸ方向の位置決めを行い、他の一本でＹ方向の
位置決めを行う。そして、段差部２５の高さ方向（深さ
方向）の寸法により、Ｚ方向の位置決めを行う。

【００８１】なお、図７はシリコンを用いて異方性エッ
チングを用いて加工した例であり、位置決め段差部２５
には｛１１１｝結晶面２４が形成されている。

【００８２】さて、大口径ウエハのバーンイン検査にお
ける問題点は、検査時に被検査ウエハとプローブが形成
された基板またはそれを保持している基板との線膨張率
の差によって検査用電極パッドとプローブとが位置ずれ
を起こすことである。

【００８３】その影響は、大口径ウエハの中心部より周
辺部の方が大きい。これは、中心部から半径方向に向か
って膨張するからである。本発明の一実施形態において
は、検査時に被検査ウエハとプローブが形成された基板
またはそれを保持している基板との線膨張率の差によっ
て検査用電極パッドとプローブとが位置ずれを起こしず
らい構造を実現するものである。その構造について以下
に説明する。

【００８４】位置決め枠２は、上方端面と下方端面から
なる段差が形成されており、、図８の（a）に示すよう
に、幅方向ではコンタクタブロック１に形成された位置
決め段差部２５の斜面２４の開始位置と位置決め枠２の
下方端面とのギャップをｔ１、コンタクタブロック１の
側面と位置決め枠２の上方端面とのギャップをｔ２とす
る。

【００８５】このとき、コンタクタブロック１と位置決
め枠２との位置関係は、ｔ１＜ｔ２とする必要がある。
このような位置関係とすることにより、バーンイン検査
時に温度を上昇させた場合に、位置決め枠２が膨張して
伸び、それと同調するようにコンタクタブロック１も位
置ずれを起こす等の影響を受けない。このため、たと
え、ウエハの周辺部であっても、検査用電極パッドとプ
ローブとが位置ずれを起こすことはない。

【００８６】また、コンタクタブロック１をウエハから
ダイシング等で切り出す場合の寸法精度を厳しくする必
要がないなどの利点もある。なお、各ギャップの具体的
な寸法は、例えば、ｔ１が５μｍ、ｔ２が３００μｍと
することができる。

【００８７】また、高さ方向では位置決め段差部２５の
深さｄ１と位置決め枠の段差部の下方端面厚さｄ２とを
比較するとｄ１＞ｄ２とする必要がある。これは、検査
用電極パッドへの押圧は、梁を撓ませることによって行
うため、ｄ１＜ｄ２の関係とすると、検査用電極パッド
へ適正な押圧力が得られないためである。

【００８８】なお、ｄ１の深さ寸法は、コンタクタブロ
ック１の厚さの半分以下にすることが好ましい。これ
は、ｄ１の深さ寸法を大きくするとコンタクタブロック
１自体の強度が低下するためである。このｄ１とｄ２と
の寸法差の具体的例としては、３０μｍである。

【００８９】位置決め枠の材質にシリコンを用いた場合
の例について、図８の（ｂ）にその構造の一例の概略断
面を示す。図８の（ｂ）において、位置決め枠２aはシ
リコンの異方性エッチングを用いることにより加工する
ことができ、位置決め枠２ａの上方及び下方端面に｛１
１１｝結晶面である斜面２４を形成することが可能であ
るため、コンタクタブロック１内の位置決め段差部２５
に形成された斜面と同一形状の斜面とすることができ
る。

【００９０】その結果、図８の（a）に示したギャップ
ｔ１をさらに小さくすることが可能である。さらに、線
膨張率が同じであることから温度上昇による膨張率も同
じになる。そのため位置精度が向上する。

【００９１】また、図８の（ｃ）に示すような構造を用
いることもできる。この図８の（ｃ）に示すの構造は、
コンタクタブロック１内の位置決め段差部２５の加工に
ドライエッチング加工を用いることにより、斜面２４に
代えて垂直面３３を形成したものである。この垂直面３
３を形成した例においては、位置決め枠２ｂにシリコン
を適用した場合、位置決め枠２ｂもコンタクタブロック
１と同様にドライエッチング加工を用いることにより、
垂直面３３を形成させることができる。このため、位置
精度を向上することができる。なお、この加工には上述
した誘導結合型のプラズマエッチング装置を用いると良
い。

【００９２】さらに、このような構成とすることによ
り、コンタクタブロック１の位置決めは位置決め段差部
２５によって決まるため、例えば、ウエハの厚さばらつ
きが存在するコンタクタブロック１を組み合わせた場合
にも高精度な位置決めが可能である。

【００９３】以上のように構成されたコンタクタブロッ
ク１と位置決め枠（２、２ａ、２ｂ）をウエハレベルバ
ーンイン検査装置に適用することにより、大口径ウエハ
のバーンイン検査が安価に行うことが可能となる。

【００９４】次に、図９及び図１０を参照して、分割コ
ンタクタ一体型によるウェハ全面一括コンタクト方式に
よるウェハレベルバーンイン検査における本発明の構成
例を詳細に説明する。

【００９５】図９は１個のコンタクタブロック１を示す
説明図、図１０はコンタクタブロック１と被検査ウエハ
３のチップ３４との関係を示す説明図である。

【００９６】被検査ウェハ３の各チップ３４は、例え
ば、メモリ回路の他にウエハレベルバーンイン用ＢＩＳ
Ｔ（Ｂｕｉｌｔ−ｉｎＳｅｌｆＴｅｓｔ）回路を有
し、このＢＩＳＴ回路にはレジスタ回路、コントロール
回路、カウンタ回路、デコーダ回路などが設けられてい
る。

【００９７】また、各コンタクタブロック１は、例え
ば、図９に示すように、１個のコンタクタブロック１が
被検査ウェハ３の複数のチップに対応する構成となって
いる。

【００９８】このコンタクタブロック１とチップ３４と
の関係は、例えば、図１０に示すように、コンタクタブ
ロック１の分割エリア３６（斜線にて示す）がチップ３
４毎を区別するスクライブエリア３５と位置がずれてい
る関係となっている。

【００９９】すなわち、コンタクタブロック１の周縁部
とチップ４１の周縁部とは、互いに位置がずれるように
なっており、図１０において、垂直方向（図の上下方
向）はチップ３４のほぼ中心線上にコンタクタブロック
１の周縁部と周縁部との間の分割エリア３６が位置し、
水平方向（図の左右方向）ではチップ３４の検査用の電
極パッド２７どおしの間にコンタクタブロック１の周縁
部と周縁部との間の分割エリア３６が位置するような構
成となっている。

【０１００】以上のようなコンタクタブロック１とチッ
プ３４との位置関係において、１枚のコンタクタブロッ
ク１の各プローブ２０を複数単位の各チップ３４の検査
用の電極パッド２７に電気的に接触させ、各チップ３４
に対してウエハレベルバーンイン用クロック信号、テス
トモードセット用信号、ウエハレベルバーンインエント
リー信号、テストデータなどをテスト制御信号として供
給する。そして、良／不良の判別信号をテスト結果信号
として取得することにより、各チップ毎に将来不良に到
る可能性があるか否かを判定することができる。

【０１０１】分割されたコンタクタブロック１用の位置
決め枠２は、被検査ウエハ３のスクライブエリア３５の
縮小化傾向に関係なく、大きく取れる。すなわち、分割
コンタクト方式は一体化するための位置決め枠２が必要
になるが、位置決め枠２の寸法がスクライブエリア３５
の寸法に制約されずに広く取れる。

【０１０２】また、被検査ウエハ３のチップ取得数向上
のため、スクライブエリア３５は小さくなる傾向にある
が、問題なく対応できる。さらに、分割されたコンタク
タブロック１の大きさや切り出し精度は、スクライブエ
リア３５に制約されずに設計自由度が大きく取れる。

【０１０３】図１１は、コンタクタブロック１の位置決
めを行うための位置決め枠２の平面及び断面図であり、
図１１の（ｂ）は図１１の（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断
面である。

【０１０４】位置決め枠２は、その材質によって加工方
法が異なるため、、枠の位置決め段差側面の形状が異な
るものとなる。図１１に示した例は、位置決め枠２の材
質としてシリコンと線膨張率が近い４２アロイを用いた
場合の例である。

【０１０５】図１１において、平坦部３８は枠２の最上
面を示している。位置決め段差部４５はコンタクタブロ
ック１を支持するためのものであり、複数の空間３７に
コンタクタブロック１を挿入して、このコンタクタブロ
ック１の位置決めを行う。

【０１０６】図１２は、位置決め枠２の平面及び断面図
であり、図１２の（ｂ）は図１２の（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿った断面である。

【０１０７】そして、図１２に示した例は、位置決め枠
２の材質としてシリコンを用いた場合の例であり、シリ
コンの異方性エッチングを用いて形成したものである。

【０１０８】図１２において、段差部４５は、斜面｛１
１１｝面２４ａ、２４ｂを有している。このため、図３
に示すコンタクタブロック１の｛１１１｝面２４と同一
の傾斜角度となっているため、コンタクタブロック１の
位置決め精度を向上することができる。

【０１０９】なお、図１１及び図１２に示した位置決め
枠２は、説明のために、部分的に示しているが、実際に
は、ウエハ全面に対して、コンタクタブロック１が複数
配置されるため、これら複数のコンタクタブロック１の
位置決めが可能な大きさとなっている。

【０１１０】つまり、図１３に示すように、位置決め枠
２は、被検査ウエハ３の全面を覆うような大きさとなっ
ている。

【０１１１】以上、本発明をその実施の形態に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、その技術的思想を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。

【０１１２】例えば、上記実施形態においては、分割コ
ンタクタ一体型によるウエハ全面一括コンタクト方式と
してコンタクタブロックを使用する場合を説明したが、
用途に応じてコンタクタブロックの代わりに、シリコン
メンブレンシートなどを使用することも可能である。

【０１１３】また、コンタクタブロックのプローブを被
検査ウエハに所定の圧力で接触させる場合には、真空に
限らず、機械的に押圧する構造を用いても良い。

【０１１４】また、ウェハレベルバーンイン検査のカセ
ット構造についても、上述した例に限定されるものでは
なく、少なくとも１枚の被検査ウエハに対して複数に分
割されているコンタクタブロックを有する構造であれば
よい。

【０１１５】また、１枚の被検査ウエハに対するコンタ
クタブロックの分割数や、１個のコンタクタブロックで
対応できるチップ数などは、種々変更可能であることは
いうまでもない。

【０１１６】また、本発明について、プローブを支持す
る梁に両端支持梁を用いた例について説明したが、その
他の梁構造、例えば、片持ち梁を適用しても同様の効果
が得られる。

【０１１７】また、以上の説明では、主として本発明を
その属する技術分野であるＳＲＡＭのウエハレベルバー
ンイン検査に適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、例えば、ＤＲＡＭ、フラッシ
ュメモリなどのメモリＬＳＩや、ロジックＬＳＩなどに
適用することも可能であり、さらにウエハ出荷品、ＭＣ
Ｐ製品などの半導体製品を始め、ウエハレベルバーンイ
ン検査全般に広く応用することができる。

【０１１８】また、本発明は、ウエハレベルバーンイン
検査に適用されるだけでなく、一般のバーンイン検査や
プローブ検査にも適用可能であり、この場合にもウエハ
レベルバーンイン検査に適用した場合と同様の効果を得
ることができる。

【０１１９】さらに、コンタクタブロック１には位置決
め用の溝を形成するようにしたが、溝ではなく、穴等の
切り欠き部を形成してもよい。つまり、位置決め枠とコ
ンタクタブロックとの位置決め部の形状は、Ｘ方向、Ｙ
方向及び高さ方向であるＺ方向の位置決めを行える形状
でよい。このため、位置決め部は直線状の溝のみなら
ず、例えば、円柱形状の突起等の切り欠き部支持部を位
置決め枠に形成し、この突起等の支持部が挿入される穴
をコンタクタブロックに形成し、位置決めを行うことも
可能である。

【０１２０】また、円柱形状の他に多角形状の突起と穴
を位置決め枠及びコンタクタブロックに形成してもよ
い。また、位置決め枠とコンタクタブロックの両者に溝
を形成し、ガラス球又はガラス棒等を、位置決め枠とコ
ンタクタブロックに形成された溝に挿入して位置決めを
行うことも可能である。。

【０１２１】

【発明の効果】本発明の半導体素子検査装置によれば、
分割された複数のコンタクタブロックに位置決め用の溝
を形成し、その溝を用いて位置決め枠により複数のコン
タクタブロックの位置決めが行われる。コンタクタブロ
ックは、複数に分割されているため、分割されず多数の
コンタクタが一体的に形成されている場合と比較して、
一部の面歪みが他の部分に影響して面均一性が損なわれ
ることが少なく、複数のコンタクタを被検査ウエハに均
一にコンタクトさせることができる。また、一部のコン
タクタブロックに異常等が発生しても、その一部のコン
タクタブロックのみ、新たなコンタクタブロックに交換
すればよいので、分割されず多数のコンタクタが一体的
に形成されている場合と比較し、交換費用を低減するこ
とができる。

【０１２２】したがって、コンタクタをウエハ全面に高
精度に位置決めして、均一にコンタクトさせ、大口径ウ
エハの検査が可能であり、低コスト化を図ることができ
る半導体素子の検査装置を実現することができる。

【０１２３】また、上記半導体素子の検査装置の製造方
法を実現することができる。

【０１２４】また、量産性に優れており、低コストで信
頼性の高い半導体デバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体素子検査装置
により検査される半導体集積回路装置の製造方法を示す
フローチャートである。

【図２】本発明の一実施形態である真空減圧方式を用い
た半導体素子検査装置のウエハレベルバーンインカセッ
トを示す構成図である。

【図３】本発明の一実施例におけるコンタクタブロック
の概略説明図である。

【図４】本発明の一実施例におけるコンタクタブロック
の要部説明図である。

【図５】コンタクタブロックの動作説明図である。

【図６】コンタクタブロックの加工プロセスを示す図で
ある。

【図７】本発明の一実施形態におけるコンタクタブロッ
クに形成された位置決め段差部の説明図である。

【図８】本発明の一実施形態におけるコンタクタブロッ
クと位置決め枠との位置関係を示す断面図である。

【図９】本発明の一実施形態におけるウエハレベルバー
ンイン検査での１個のコンタクタブロックを示す説明図
である。

【図１０】本発明の一実施形態におけるウエハレベルバ
ーンイン検査でのコンタクタブロックとチップとの関係
を示す説明図である。

【図１１】本発明の一実施形態における位置決め枠の一
例の説明図である。

【図１２】本発明の一実施形態における位置決め枠の他
の例の説明図である。

【図１３】本発明の一実施形態における位置決め枠とウ
エハとの位置関係を説明する図である。

【符号の説明】

１コンタクタブロック２位置決め枠３被検査ウエハ４ステージ５ヒータ６電気コネクタ７真空用通路８バルブ９多層基板１０上板１１ゴムシート１２下板１３バーンイン基板１４ベローズ１５Ｏリング１６コネクタ１７ボルト１８はんだボール１９配線層２０プローブ２１両端支持梁２２２次電極パッド２３溝２４｛１１１｝結晶面２５、４５位置決め段差部２６貫通孔２７検査用電極パッド２８保護膜２９絶縁膜３０シリコンウエハ３１熱酸化膜３２金属薄膜３３垂直面３４チップ３５スクライブエリア３６分割エリア

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青野宇紀茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者河野竜治茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者清水浩也茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者伴直人東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者青木英之東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AC01 AG04 AG08 AG20 AH04 2G011 AA16 AA21 AB07 AC05 AC06 AE00 AF07 2G132 AA00 AF02 AF06 AL03 AL09 AL26 4M106 AA01 BA01 BA14 CA61 DD03 DD16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の複数の電極パッドと電気的に
接触するプローブを有するコンタクタ基板を備える半導
体素子検査装置において、上記コンタクタ基板は、複数個のコンタクタブロックを
有し、それぞれのコンタクタブロックは、梁に形成され
るプローブと、配線と、位置決め用切り欠き部とが形成
され、上記コンタクタブロックに形成された位置決め用切り欠
き部を支持する支持部が形成され、上記複数のコンタク
タブロックの位置決めを行う位置決め枠を備えることを
特徴とする半導体素子検査装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体素子検査装置におい
て、上記コンタクタブロックの位置決め用切り欠き部
は、コンタクタブロックに形成された位置決め用溝であ
り、この位置決め溝は、コンタクタブロックのプローブ
形成面に形成されていることを特徴とする半導体検査装
置。
【請求項３】請求項２記載の半導体素子検査装置におい
て、上記コンタクタブロックの位置決め溝は、互いにほ
ぼ直交する２本の溝であることを特徴とする半導体素子
検査装置。
【請求項４】請求項１、２、３のうちのいずれか一項記
載の半導体素子検査装置において、上記コンタクタブロ
ックは、その材質にシリコンを有することを特徴とする
半導体素子検査装置。
【請求項５】請求項１、２、３、４のうちのいずれか一
項記載の半導体素子検査装置において、上記位置決め用
枠は、その材質に４２アロイ、ニッケル合金、ガラスも
しくはシリコンを有することを特徴とする半導体素子検
査装置。
【請求項６】半導体素子検査装置に用いられ、半導体素
子の複数の電極パッドと電気的に接触するプローブを有
するコンタクタ基板において、上記コンタクタ基板は、複数個のコンタクタブロックを
有し、それぞれのコンタクタブロックは、梁に形成され
るプローブと、配線と、位置決め用切り欠き部とが形成
され、上記コンタクタブロックに形成された位置決め用切り欠
き部を支持する支持部が形成され、上記複数のコンタク
タブロックの位置決めを行う位置決め枠により、位置決
めが行われることを特徴とするコンタクタ基板。
【請求項７】半導体素子の複数の電極パッドと電気的に
接触するプローブを有するコンタクタ基板であり、この
コンタクタ基板は、複数個のコンタクタブロックを有
し、それぞれのコンタクタブロックは、梁に形成される
プローブと、配線と、位置決め用切り欠き部とが形成さ
れている半導体素子検査装置の製造方法において、基板表面に熱酸化膜を形成し、プローブを形成するため
のマスクパターンを形成する工程と、エッチング加工によりプローブを形成する工程と、多層マスクを形成する工程と、エッチングにより異なる深さの孔を加工し、梁、貫通孔
及び位置決め段差部を加工する工程と、両面に金属薄膜を形成し、パターニングを行い、配線層
を形成する工程と、により、上記コンタクタブロックが形成されることを特
徴とする半導体素子検査装置の製造方法。