JP2003045837A - Temperature adjusting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は反応処理室に供給さ
れた洗浄液の温度を調節する温度調節装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature control device for controlling the temperature of a cleaning liquid supplied to a reaction processing chamber.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハやマイクロマシンの表面に
は非常に微細な構造体が形成されており、表面の洗浄処
理及び乾燥処理が必要となる。2. Description of the Related Art A very fine structure is formed on the surface of a semiconductor wafer or a micromachine, which requires cleaning and drying of the surface.
【0003】従来の洗浄、乾燥処理を行う装置は例えば
特開2000−340540号公報に記載されている。
この装置は超臨界乾燥装置とよばれている。図7は従来
の超臨界乾燥装置を示す図である。A conventional apparatus for performing cleaning and drying processing is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-340540.
This device is called a supercritical drying device. FIG. 7 is a diagram showing a conventional supercritical drying device.
【0004】反応槽102の内部には反応処理室103
が設けらている。反応処理室103の周囲には、反応処
理室103内部に供給された洗浄液を加熱するヒータ1
10が設けられている。A reaction processing chamber 103 is provided inside the reaction tank 102.
Is provided. A heater 1 for heating the cleaning liquid supplied into the reaction processing chamber 103 is provided around the reaction processing chamber 103.
10 are provided.
【0005】半導体ウェハ101の洗浄処理及び乾燥処
理はつぎのようにして行われる。The cleaning process and the drying process of the semiconductor wafer 101 are performed as follows.
【0006】バルブ106が開放されるとポンプ105
によってCO2ボンベ104から反応処理室103に供
給路111を介して洗浄液として二酸化炭素(以下「C
O2」という)が供給される。この際反応処理室103
のCO2は超臨界温度31℃より低温かつ超臨界圧力
7.3MPa(メガパスカル)より高圧の液体状態とさ
れる。この液体状態のCO2によって反応処理室103
の内面及び半導体ウェハ101の被洗浄面101aに付
着する水分やその他の物質が大まかに除去される。除去
された水分等は液体状態のCO2と共に反応処理室10
3から排出路112を介して外部に排出される。When the valve 106 is opened, the pump 105
As a cleaning liquid, carbon dioxide (hereinafter referred to as “C”) from the CO 2 cylinder 104 to the reaction processing chamber 103 via the supply path 111.
O 2 ”) is supplied. At this time, the reaction processing chamber 103
CO 2 is in a liquid state in which the supercritical temperature is lower than 31 ° C. and the supercritical pressure is higher than 7.3 MPa (megapascal). This liquid state CO 2 causes the reaction processing chamber 103
Water and other substances attached to the inner surface of the substrate and the surface 101a to be cleaned of the semiconductor wafer 101 are roughly removed. The removed water and the like, together with CO 2 in a liquid state, are contained in the reaction processing chamber 10
3 is discharged to the outside through the discharge passage 112.
【0007】しかし半導体ウェハ101の被洗浄面10
1aの微細構造体の間には水分やその他の物質が残存す
る。そこでこれら残存物質を除去するためCO2が超臨
界状態にされる。However, the surface to be cleaned 10 of the semiconductor wafer 101
Water and other substances remain between the microstructures 1a. Therefore, CO 2 is brought into a supercritical state in order to remove these residual substances.
【0008】液体状態のCO2を反応処理室103に供
給しつつ、電源109から電気エネルギーが供給される
とヒータ110が加熱される。ヒータ110により反応
槽102が加熱されると、反応槽102自体の温度が上
昇し、反応処理室103内部の温度が上昇する。すると
反応処理室103の液体状態のCO2の温度が上昇す
る。この際反応処理室103のCO2の圧力が超臨界圧
力7.3MPa程度となるようにバルブ107は調節さ
れる。CO2の温度が超臨界温度31℃を超えるとCO
2は超臨界状態となる。超臨界状態のCO2は半導体ウ
ェハ101の被処理面101aの微細構造体の間に侵入
し残存物質を溶かし出し、または残存物質と置換され
る。こうして被処理面101aの微細構造体の間には超
臨界状態のCO2のみが残存する。The heater 110 is heated when electric energy is supplied from the power supply 109 while supplying liquid CO 2 to the reaction processing chamber 103. When the reaction tank 102 is heated by the heater 110, the temperature of the reaction tank 102 itself rises and the temperature inside the reaction processing chamber 103 rises. Then, the temperature of liquid CO 2 in the reaction processing chamber 103 rises. At this time, the valve 107 is adjusted so that the pressure of CO 2 in the reaction processing chamber 103 becomes a supercritical pressure of about 7.3 MPa. When the temperature of CO 2 exceeds the supercritical temperature of 31 ° C, CO
2 is in a supercritical state. CO 2 in the supercritical state enters between the microstructures on the surface to be processed 101a of the semiconductor wafer 101 to dissolve out the residual substance or replace it with the residual substance. Thus, only CO 2 in a supercritical state remains between the fine structures on the surface to be processed 101a.
【0009】ヒータ110により反応処理室103のC
O2が超臨界温度以上に保たれたままバルブ107が開
放されると、反応処理室103内のCO2の圧力が低下
する。するとCO2は液体状態を経ずに気体状態とな
り、被処理面101aの微細構造体の間から揮発する。The heater 110 causes C in the reaction processing chamber 103.
When the valve 107 is opened while O 2 is kept at the supercritical temperature or higher, the pressure of CO 2 in the reaction processing chamber 103 decreases. Then, CO 2 turns into a gas state without passing through a liquid state, and volatilizes from between the microstructures on the surface to be processed 101a.
【0010】なおヒータ110の代わりに流体が流れる
流路110′が設けられ、電源109の代わりに流体の
温度を調節する流体温度調節器109′が設けられる場
合もある。この場合は、流体温度調節器109′により
温度調節された温水が流路110′に供給される。In some cases, instead of the heater 110, a flow path 110 'through which a fluid flows is provided, and in place of the power source 109, a fluid temperature controller 109' for adjusting the temperature of the fluid is provided. In this case, the hot water whose temperature has been adjusted by the fluid temperature controller 109 'is supplied to the flow channel 110'.
【0011】このようにして半導体ウェハ101の洗浄
処理及び乾燥処理が行われる。In this way, the cleaning process and the drying process of the semiconductor wafer 101 are performed.
【0012】また別の超臨界乾燥装置が特開平9−23
2271号公報に記載されている。この超臨界乾燥装置
を図8を参照して説明する。Another supercritical drying device is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-23.
No. 2271. This supercritical drying device will be described with reference to FIG.
【0013】反応処理室103の内部には半導体ウェハ
101を載置するステージ120が設けられ、ステージ
120の内部にはヒータ121が設けられている。A stage 120 on which the semiconductor wafer 101 is placed is provided inside the reaction processing chamber 103, and a heater 121 is provided inside the stage 120.
【0014】この装置は特開2000−340540号
公報に記載された超臨界乾燥装置のようにヒータ110
によって反応槽102が加熱されるのではなく、ヒータ
121により半導体ウェハ101自体が加熱される。す
ると半導体ウェハ101によって被洗浄面101a上の
CO2の温度が上昇する。そしてこのCO2が超臨界状
態となる。This device is similar to the supercritical drying device described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-340540, in which the heater 110 is used.
The reaction tank 102 is not heated by the heater 121, but the semiconductor wafer 101 itself is heated by the heater 121. Then, the temperature of CO 2 on the surface to be cleaned 101a is increased by the semiconductor wafer 101. And this CO 2 is supercritical state.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の超臨界乾
燥装置にはつぎのような問題がある。However, the conventional supercritical dryer has the following problems.
【0016】特開2000−340540号公報に記載
されたような超臨界乾燥装置によれば、反応処理室10
3のCO2を超臨界状態にするためには温度調節手段1
10によって反応槽102全体を温めなければならな
い。高圧容器である反応槽102は外面から反応処理室
103までに厚みがあり、ヒータ110の熱が反応処理
室103に伝導するまでには多くの時間と熱エネルギー
が必要となる。したがって多くの半導体ウェハの洗浄及
び乾燥処理を行う場合には処理効率が低下し、またエネ
ルギーのロスが発生するということが問題である。According to the supercritical drying apparatus as described in JP 2000-340540 A, the reaction processing chamber 10
In order to bring CO 2 of No. 3 into a supercritical state, temperature control means 1
The entire reaction vessel 102 must be warmed by 10. Since the reaction tank 102, which is a high-pressure container, has a thickness from the outer surface to the reaction processing chamber 103, it takes a lot of time and heat energy before the heat of the heater 110 is transferred to the reaction processing chamber 103. Therefore, when a large number of semiconductor wafers are washed and dried, the processing efficiency is lowered and energy loss occurs.
【0017】特開平9−232271号公報に記載され
た超臨界乾燥装置によれば半導体ウェハの被処理面が常
に低温のCO2と接している。また半導体ウェハを加熱
することにより間接的にCO2を加熱している。よって
特開2000−340540号公報に記載されたような
超臨界乾燥装置ほどではないものの、この超臨界乾燥装
置ではCO2を超臨界状態にするために多くの時間を要
し、多くの半導体ウェハの洗浄及び乾燥処理を行う場合
には処理効率が低下する。According to the supercritical drying apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 9-232271, the surface to be processed of the semiconductor wafer is always in contact with low temperature CO 2 . Moreover, CO 2 is indirectly heated by heating the semiconductor wafer. Therefore, although it is not as good as the supercritical drying apparatus described in JP 2000-340540 A, it takes a lot of time to bring CO 2 into a supercritical state in this supercritical drying apparatus, and many semiconductor wafers are required. When the washing and drying treatments are carried out, the treatment efficiency decreases.
【0018】本発明はこうした実状に鑑みてなされたも
のであり、半導体ウェハの洗浄、乾燥処理の際に半導体
ウェハの被処理面上に供給したCO2を省エネルギーで
かつ迅速に超臨界状態とすることにより処理効率を向上
させることを第1の解決課題とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and makes CO 2 supplied onto the surface to be processed of the semiconductor wafer into a supercritical state in an energy-saving manner at the time of cleaning and drying the semiconductor wafer. Therefore, the first problem to be solved is to improve the processing efficiency.
【0019】また特開平9−232271号公報に記載
された超臨界乾燥装置によれば、半導体ウェハに沿って
流れるCO2により、加熱された半導体ウェハの被処理
面は熱を奪われる。この際上流側の被処理面は下流側の
被処理面よりも多くの熱が奪われる。したがって半導体
ウェハの被処理面上で温度分布が発生し、CO2の超臨
界状態が均一にならない。このためCO2が被処理面か
ら除去されずに残存するという問題が発生する。According to the supercritical drying apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-2322271, CO 2 flowing along the semiconductor wafer removes heat from the heated surface of the semiconductor wafer. At this time, the surface to be processed on the upstream side takes more heat than the surface to be processed on the downstream side. Therefore, temperature distribution occurs on the surface to be processed of the semiconductor wafer, and the supercritical state of CO 2 is not uniform. Therefore, there is a problem that CO 2 remains without being removed from the surface to be processed.
【0020】本発明はこうした実状に鑑みてなされたも
のであり、半導体ウェハの洗浄、乾燥処理の際に半導体
ウェハの被処理面上に供給したCO2を均一に超臨界状
態とすることを第2の解決課題とするものである。The present invention has been made in view of these circumstances, and it is the first step to uniformly bring the CO 2 supplied onto the surface to be processed of the semiconductor wafer into a supercritical state at the time of cleaning and drying the semiconductor wafer. The second problem is to be solved.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段および作用、効果】そこで
第1発明は、被処理体を入れた反応処理室に洗浄液を供
給し、被処理体上の洗浄液を、液体状態の温度から超臨
界状態の温度までの間で温度調節する温度調節装置にお
いて、被処理体を挟んで、第1の温度調節手段と第2の
温度調節手段とを対向させて、前記反応処理室の内部に
備えたことを特徴とする。Therefore, the first invention is to supply a cleaning liquid to a reaction processing chamber containing an object to be processed so that the cleaning liquid on the object is supercritical from the liquid temperature. In the temperature control device for controlling the temperature up to the above temperature, the first temperature control means and the second temperature control means are opposed to each other with the object to be treated interposed, and the temperature control device is provided inside the reaction treatment chamber. Is characterized by.
【0022】第1発明を図1を用いて説明する。The first invention will be described with reference to FIG.
【0023】反応槽2の内部には反応処理室10が設け
られている。反応処理室10の内部には半導体ウェハ
(被処理体)18上のCO2(洗浄液)の温度を調整す
る温度調節ステージ(第1の温度調節手段)11及び温
度調節板(第2の温度調節手段)14が設けられてい
る。温度調節ステージ11には温度調節面12が設けら
れ、温度調節板14には温度調節面15が設けられてい
る。温度調節面12及び温度調節面15は対向してお
り、半導体ウェハ18はこの温度調節面12、15に挟
まれるように温度調節面12に載置される。A reaction processing chamber 10 is provided inside the reaction tank 2. Inside the reaction processing chamber 10, a temperature adjusting stage (first temperature adjusting means) 11 for adjusting the temperature of CO 2 (cleaning liquid) on the semiconductor wafer (object to be processed) 18 and a temperature adjusting plate (second temperature adjusting). Means) 14 are provided. A temperature adjusting surface 12 is provided on the temperature adjusting stage 11, and a temperature adjusting surface 15 is provided on the temperature adjusting plate 14. The temperature adjusting surface 12 and the temperature adjusting surface 15 face each other, and the semiconductor wafer 18 is placed on the temperature adjusting surface 12 so as to be sandwiched between the temperature adjusting surfaces 12 and 15.
【0024】反応処理室10に液体状態のCO2が供給
され、温度調節面12が加熱された場合、半導体ウェハ
18自体が加熱されることにより被処理面18a上のC
O2が加熱される。また温度調節面15が加熱された場
合、被処理面18a上のCO 2が加熱される。各温度調
節面12、15の加熱により半導体ウェハ18の被処理
面18a上のCO2が超臨界状態となり、被処理面18
aの洗浄、乾燥が行われる。In the reaction processing chamber 10, liquid COTwoSupplied by
When the temperature control surface 12 is heated, the semiconductor wafer
C on the surface 18a to be processed by heating 18 itself
OTwoIs heated. When the temperature control surface 15 is heated,
In the case of CO on the surface 18a to be treated TwoIs heated. Each temperature adjustment
Processing of the semiconductor wafer 18 by heating the nodal surfaces 12 and 15
CO on surface 18aTwoBecomes a supercritical state, and the processed surface 18
Washing and drying of a are performed.
【0025】第1発明によれば、半導体ウェハ自体及び
半導体ウェハの被処理面上のみを加熱するようにしてい
る。このため半導体ウェハの被処理面上のCO2を効率
良く加熱することができ、CO2の超臨界状態を省エネ
ルギーにより実現できる。またCO2を迅速に超臨界状
態にすることができる。このため洗浄及び乾燥処理の処
理効率が向上する。According to the first invention, only the semiconductor wafer itself and the surface to be processed of the semiconductor wafer are heated. Therefore, CO 2 on the surface to be processed of the semiconductor wafer can be efficiently heated, and the supercritical state of CO 2 can be realized by energy saving. Further, CO 2 can be brought into a supercritical state quickly. Therefore, the processing efficiency of the cleaning and drying processing is improved.
【0026】また第2発明は、第1発明において、前記
第1及び第2の温度調節手段のうち少なくとも一方は、
被処理体の各領域における洗浄液の温度調節を独立して
行うものであることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, at least one of the first and second temperature adjusting means is
It is characterized in that the temperature of the cleaning liquid in each region of the object to be processed is controlled independently.
【0027】また第3発明は、第2発明において、前記
第1及び第2の温度調節手段のうち少なくとも一方は、
複数の領域に分割されたものであることを特徴とする第
2、第3発明を図5(a)、図5(b)を用いて説明す
る。According to a third invention, in the second invention, at least one of the first and second temperature adjusting means is
The second and third inventions, which are characterized by being divided into a plurality of regions, will be described with reference to FIGS. 5 (a) and 5 (b).
【0028】半導体ウェハ(被処理体)18は温度調節
ステージ(第1の温度調節手段)51の温度調節面52
と温度調節板(第2の温度調節手段)53の温度調節面
54とに挟まれる。半導体ウェハ18の被処理面18a
の各領域におけるCO2(洗浄液)の温度を異ならせる
ために、温度調節面52、54は温度調節領域52a、
52b、52c、52d、52e、及び温度調節領域5
4a、54b、54c、54d、54eに分割されてい
る。The semiconductor wafer (object to be processed) 18 has a temperature adjusting surface 52 of a temperature adjusting stage (first temperature adjusting means) 51.
And the temperature control surface 54 of the temperature control plate (second temperature control means) 53. Processed surface 18a of semiconductor wafer 18
In order to make the temperature of CO 2 (cleaning liquid) in each region of the temperature control surfaces 52 and 54 different,
52b, 52c, 52d, 52e, and temperature control area 5
4a, 54b, 54c, 54d, 54e.
【0029】CO2が図5(b)の矢印方向に流れる
と、CO2の上流側にある被処理面18aの表面温度は
高くなり、CO2の下流側にある被処理面18aの表面
温度は低くなる。したがって温度調節面52の各領域5
2a〜52eの温度及び温度調節面54の各領域54a
〜54eの温度は、CO2の上流側、すなわち温度調節
領域52a、54a側、の温度がCO2の下流側、すな
わち温度調節領域52e、54e側、の温度よりも高く
なるように制御される。[0029] If the CO 2 flow in the direction of the arrow in FIG. 5 (b), the surface temperature of the target surface 18a on the upstream side of the CO 2 is high, the surface temperature of the target surface 18a on the downstream side of the CO 2 Will be lower. Therefore, each area 5 of the temperature control surface 52
Each area 54a of the temperature and temperature control surface 54 of 2a to 52e
Temperature ~54e the upstream side of the CO 2, i.e. temperature control region 52a, 54a side, the temperature is controlled to be higher than the downstream side, that temperature control region 52e, 54e side, the temperature of the CO 2 .
【0030】第2、第3発明によれば、温度調節面5
2、54に複数の温度調節領域52a〜52e、54a
〜54eが設けられ、それぞれ独立して温度調節され
る。このため半導体ウェハ18の被処理面18a上の温
度が均一になるように調節することができる。したがっ
てCO2の超臨界状態が均一となり、CO2が被処理面
に残存することがなくなる。According to the second and third inventions, the temperature control surface 5
2, 54 have a plurality of temperature control regions 52a to 52e, 54a.
54e are provided, and the temperature of each is independently adjusted. Therefore, the temperature on the surface to be processed 18a of the semiconductor wafer 18 can be adjusted to be uniform. Therefore supercritical state of the CO 2 becomes uniform, thereby preventing the CO 2 remains in the treated surface.
【0031】また第4発明は、第1発明において、前記
第1及び第2の温度調節手段のうちの一方は、被処理体
上に洗浄液を供給する穴を備えたことを特徴とする。A fourth invention is characterized in that, in the first invention, one of the first and second temperature adjusting means is provided with a hole for supplying a cleaning liquid onto the object to be processed.
【0032】また第5発明は、第1発明において、前記
第1及び第2の温度調節手段のうちの一方は、外部に洗
浄液を排出する穴を備えたことを特徴とする。The fifth invention is characterized in that, in the first invention, one of the first and second temperature adjusting means is provided with a hole for discharging the cleaning liquid to the outside.
【0033】第4、第5発明を図4を用いて説明する。The fourth and fifth inventions will be described with reference to FIG.
【0034】図4(a)に示すA方向からCO2(洗浄
液)が供給された場合、CO2は温度調節板(第2の温
度調節手段)45の穴48を通過し半導体ウェハ18の
被洗浄面18aに到達する。またCO2は温度調節ステ
ージ(第1の温度調節手段)41の穴44を通過し外部
に排出される。When CO 2 (cleaning liquid) is supplied from the direction A shown in FIG. 4A, the CO 2 passes through the holes 48 of the temperature adjusting plate (second temperature adjusting means) 45 and the semiconductor wafer 18 is covered. It reaches the cleaning surface 18a. Further, CO 2 passes through the hole 44 of the temperature adjusting stage (first temperature adjusting means) 41 and is discharged to the outside.
【0035】第4、第5発明によれば、温度調節ステー
ジ41及び温度調節板45に穴44、48が設けられて
いる。このため被洗浄面18aへのCO2の供給及び被
洗浄面18aからのCO2の排出を迅速に行うことがで
きる。According to the fourth and fifth aspects, the holes 44 and 48 are provided in the temperature adjusting stage 41 and the temperature adjusting plate 45. Therefore, the supply of CO 2 to the surface to be cleaned 18a and the discharge of CO 2 from the surface to be cleaned 18a can be performed quickly.
【0036】また第4発明によれば、供給されるCO2
が被洗浄面18aに均一に接触するため、被洗浄面18
a上でのCO2の温度が均一になる。したがってCO2
の超臨界状態が均一となり、CO2が被処理面に残存す
ることがなくなる。According to the fourth aspect of the invention, the supplied CO 2
Contact the surface to be cleaned 18a uniformly,
The temperature of CO 2 on a is uniform. Therefore CO 2
The supercritical state becomes uniform, and CO 2 does not remain on the surface to be treated.
【0037】また第6発明は、第1発明において、前記
第1及び第2の温度調節手段のうち少なくとも一方は、
内部に温度調節用の媒体を流す流路を備えたことを特徴
とする。A sixth invention is the first invention, wherein at least one of the first and second temperature adjusting means is:
It is characterized in that a flow path for flowing a medium for temperature control is provided inside.
【0038】第6発明を図2、図3を用いて説明する。The sixth invention will be described with reference to FIGS.
【0039】第6発明によれば、1枚の半導体ウェハの
洗浄及び乾燥処理が終了した場合に、流路21、22に
冷却水(温度調節用の媒体)を流すことにより温度調節
ステージ(第1の温度調節手段)11及び温度調節板
(第2の温度調節手段)12を急速に冷却させることが
可能となる。したがって、さらに洗浄及び乾燥処理の処
理効率が向上する。According to the sixth aspect of the present invention, when the cleaning and drying process of one semiconductor wafer is completed, cooling water (medium for temperature control) is caused to flow through the flow paths 21 and 22 to control the temperature control stage (first control). It is possible to rapidly cool the first temperature adjusting means 11) and the temperature adjusting plate (second temperature adjusting means) 12. Therefore, the processing efficiency of the cleaning and drying processing is further improved.
【0040】[0040]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明に係る
超臨界乾燥装置の実施の形態について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a supercritical drying apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0041】図1は本実施形態の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of this embodiment.
【0042】超臨界乾燥装置1の反応槽2は高圧容器で
あり、内部には反応処理室10が設けられている。反応
処理室10はバルブ6の開操作に応じて供給路4及びポ
ンプ8を介してCO2ボンベ9と連通され、バルブ6の
閉操作に応じてCO2ボンベ9と遮断される。また反応
処理室10はバルブ7の開操作に応じて排出路5を介し
て図示しない回収容器と連通され、バルブ7の閉操作に
応じて回収容器と遮断される。The reaction tank 2 of the supercritical drying apparatus 1 is a high-pressure vessel, and the reaction processing chamber 10 is provided inside. The reaction processing chamber 10 communicates with the CO 2 cylinder 9 via the supply passage 4 and the pump 8 according to the opening operation of the valve 6, and is shut off from the CO 2 cylinder 9 according to the closing operation of the valve 6. The reaction processing chamber 10 communicates with a recovery container (not shown) via the discharge path 5 in response to the opening operation of the valve 7, and is shut off from the recovery container in response to the closing operation of the valve 7.
【0043】反応槽2には、外部から反応処理室10の
内部へ後述する温度調節ステージ11及び温度調節板1
4を挿入し、また反応処理室10の内部から外部へ温度
調節ステージ11及び温度調節板14を取り出すための
開口部2aが設けられている。In the reaction tank 2, a temperature adjusting stage 11 and a temperature adjusting plate 1 which will be described later are introduced from the outside to the inside of the reaction processing chamber 10.
4, an opening 2a for inserting the temperature adjusting stage 11 and the temperature adjusting plate 14 from the inside of the reaction processing chamber 10 to the outside is provided.
【0044】一体型ステージ3は、半導体ウェハ18を
挟む温度調節ステージ11及び温度調節板14と、蓋体
16とから構成される。The integrated stage 3 comprises a temperature adjusting stage 11 and a temperature adjusting plate 14 sandwiching the semiconductor wafer 18, and a lid 16.
【0045】温度調節ステージ11には、外部へ熱を放
出しまた外部から熱を吸収して外部の温度を調節する温
度調節面12が設けられている。温度調節面12上には
3以上の小さな突起物が設けられており、この突起物上
に半導体ウェハ18が載置される。これら突起物により
温度調節面12と半導体ウェハ18との間に空隙が設け
られる。この空隙は、温度調節面12の加熱により半導
体ウェハ18が加熱され被洗浄面18a表面のCO2が
超臨界状態となる程度とする。なお温度調節面12上に
半導体ウェハ18が直接載置されるようにしてもよい。The temperature adjusting stage 11 is provided with a temperature adjusting surface 12 for releasing heat to the outside and absorbing heat from the outside to adjust the temperature of the outside. Three or more small protrusions are provided on the temperature control surface 12, and the semiconductor wafer 18 is placed on these protrusions. With these protrusions, a space is provided between the temperature control surface 12 and the semiconductor wafer 18. The gap is set to such an extent that the semiconductor wafer 18 is heated by the heating of the temperature control surface 12 and the CO 2 on the surface to be cleaned 18 a becomes a supercritical state. The semiconductor wafer 18 may be placed directly on the temperature control surface 12.
【0046】また温度調節面12には温度センサ13が
設けられている。温度センサ13は半導体ウェハ18近
傍の温度を検出する。A temperature sensor 13 is provided on the temperature control surface 12. The temperature sensor 13 detects the temperature near the semiconductor wafer 18.
【0047】温度調節板15には、外部へ熱を放出しま
た外部から熱を吸収して外部の温度を調節する温度調節
面15が設けられている。温度調節面15は半導体ウェ
ハ18の被洗浄面18a及び温度調節ステージ11の温
度調節面11aと対向する。温度調節面15と半導体ウ
ェハ18の被洗浄面18aとの間には空隙が設けられ
る。この空隙は、温度調節面15の加熱により被洗浄面
18a表面のCO2が超臨界状態となる程度とする。The temperature adjusting plate 15 is provided with a temperature adjusting surface 15 for releasing heat to the outside and absorbing heat from the outside to adjust the temperature of the outside. The temperature adjusting surface 15 faces the surface to be cleaned 18 a of the semiconductor wafer 18 and the temperature adjusting surface 11 a of the temperature adjusting stage 11. A space is provided between the temperature control surface 15 and the surface to be cleaned 18 a of the semiconductor wafer 18. This void is set to such an extent that CO 2 on the surface to be cleaned 18 a is brought into a supercritical state by heating the temperature control surface 15.
【0048】図2は図1のA方向から見た一体型ステー
ジ3を示す図である。温度調節ステージ11及び温度調
節板15の内部には、それぞれ温度調節面12、15の
表面温度が略均一となるように流路21、22が渦巻状
に設けられている。なお流路21、22が図3に示すよ
うに設けられていてもよい。FIG. 2 is a view showing the integrated stage 3 viewed from the direction A in FIG. Inside the temperature adjusting stage 11 and the temperature adjusting plate 15, channels 21 and 22 are spirally provided so that the surface temperatures of the temperature adjusting surfaces 12 and 15 are substantially uniform. The flow paths 21 and 22 may be provided as shown in FIG.
【0049】流路21、22には温度調節用の媒体、例
えば水、が流される。温度調節面12、15を加熱する
場合は流路21、22に温水が流され、温度調節面1
2、15を冷却する場合は流路21、22に冷水が流さ
れる。A medium for temperature control, for example, water is flown through the flow paths 21 and 22. When heating the temperature control surfaces 12 and 15, hot water is caused to flow through the flow paths 21 and 22, and
When cooling 2 and 15, cold water is flowed through the flow paths 21 and 22.
【0050】なお流路21、22の代わりにヒータを設
けるようにしてもよい。A heater may be provided instead of the flow paths 21 and 22.
【0051】蓋体16は、温度調節ステージ11及び温
度調節板15を反応処理室10内に挿入した状態で反応
槽2の開口部2aを覆うようにして反応槽2の外壁に取
り付けられる。The lid 16 is attached to the outer wall of the reaction tank 2 so as to cover the opening 2a of the reaction tank 2 with the temperature adjusting stage 11 and the temperature adjusting plate 15 inserted in the reaction processing chamber 10.
【0052】つぎに半導体ウェハ18の洗浄処理及び乾
燥処理について説明する。Next, the cleaning process and the drying process of the semiconductor wafer 18 will be described.
【0053】温度調節ステージ11及び温度調節板15
に挟まれるようにして温度調節ステージ11の温度調節
面12に半導体ウェハ18が載置され、温度調節ステー
ジ11及び温度調節板15が反応処理室10に挿入され
る。Temperature adjusting stage 11 and temperature adjusting plate 15
The semiconductor wafer 18 is placed on the temperature adjustment surface 12 of the temperature adjustment stage 11 so as to be sandwiched between the temperature adjustment stage 11 and the temperature adjustment stage 11, and the temperature adjustment stage 11 and the temperature adjustment plate 15 are inserted into the reaction processing chamber 10.
【0054】バルブ6が開放されるとポンプ8によって
CO2ボンベ9から反応処理室10に供給路4を介して
洗浄液としてCO2が供給される。この際反応処理室1
0のCO2は超臨界温度31℃より低温かつ超臨界圧力
7.3MPa(メガパスカル)より高圧の液体状態とさ
れる。この液体状態のCO2によって反応処理室10の
内面及び半導体ウェハ18の被洗浄面18aに付着する
水分やその他の物質が大まかに除去される。除去された
水分等は液体状態のCO2と共に反応処理室10から排
出路5を介して外部に排出される。When the valve 6 is opened, CO 2 is supplied as a cleaning liquid from the CO 2 cylinder 9 to the reaction processing chamber 10 via the supply passage 4 by the pump 8. At this time, the reaction processing chamber 1
CO 2 of 0 is in a liquid state in which the supercritical temperature is lower than 31 ° C. and the supercritical pressure is higher than 7.3 MPa (megapascal). This liquid CO 2 roughly removes water and other substances attached to the inner surface of the reaction processing chamber 10 and the surface to be cleaned 18a of the semiconductor wafer 18. The removed water and the like are discharged from the reaction processing chamber 10 to the outside through the discharge path 5 together with liquid CO 2 .
【0055】しかし半導体ウェハ18の被洗浄面18a
の微細構造体の間には水分やその他の物質が残存する。
そこでこれら残存物質を除去するためCO2が超臨界状
態にされる。However, the surface to be cleaned 18a of the semiconductor wafer 18 is
Water and other substances remain between the microstructures.
Therefore, CO 2 is brought into a supercritical state in order to remove these residual substances.
【0056】液体状態のCO2が反応処理室10に供給
されつつ、温度調節ステージ11及び温度調節板15の
流路21、22には温水が流される。流路21、22を
流れる温水は、温度センサ13で検出された温度が超臨
界温度31℃以上になるように温度調整される。この際
温度調節面12、15の温度調節が同時に行われるよう
にしてもよいし、それぞれ独立して行われるようにして
もよい。While CO 2 in a liquid state is supplied to the reaction processing chamber 10, hot water is caused to flow through the flow paths 21 and 22 of the temperature adjusting stage 11 and the temperature adjusting plate 15. The temperature of the hot water flowing through the flow paths 21 and 22 is adjusted so that the temperature detected by the temperature sensor 13 becomes a supercritical temperature of 31 ° C. or higher. At this time, the temperature adjustment of the temperature adjustment surfaces 12 and 15 may be performed at the same time, or may be performed independently.
【0057】すると被洗浄面18a上の液体状態のCO
2は温度調節面15からの熱及び温度調節ステージ11
により加熱された半導体ウェハ18からの熱を受け温度
が上昇する。この際反応処理室103のCO2の圧力が
超臨界圧力7.3MPa程度となるようにバルブ107
は調節される。CO2の温度が超臨界温度31℃を超え
るとCO2は超臨界状態となる。超臨界状態のCO2は
半導体ウェハ18の被洗浄面18aの微細構造体の間に
侵入し残存物質を溶かし出し、または残存物質と置換さ
れる。こうして被洗浄面18aの微細構造体の間には超
臨界状態のCO 2のみが残存する。Then, liquid CO on the surface to be cleaned 18a
TwoIs heat from the temperature control surface 15 and the temperature control stage 11
Temperature from the semiconductor wafer 18 heated by
Rises. At this time, CO in the reaction processing chamber 103TwoThe pressure of
The valve 107 so that the supercritical pressure becomes about 7.3 MPa.
Is adjusted. COTwoTemperature exceeds 31 ° C
And COTwoBecomes a supercritical state. CO in supercritical stateTwoIs
Between the fine structures on the surface to be cleaned 18 a of the semiconductor wafer 18.
Intrusion to dissolve out residual substances or replace residual substances
Be done. In this way, between the microstructures on the surface to be cleaned 18a,
CO in the critical state TwoOnly remains.
【0058】温度調節ステージ11及び温度調節板15
の温度が超臨界温度以上に保たれたままバルブ107が
開放されると、反応処理室103内のCO2の圧力が低
下する。するとCO2は液体状態を経ずに気体状態とな
り、被処理面101aの微細構造体の間から揮発する。Temperature adjusting stage 11 and temperature adjusting plate 15
If the valve 107 is opened while the temperature is maintained above the supercritical temperature, the pressure of CO 2 in the reaction processing chamber 103 decreases. Then, CO 2 turns into a gas state without passing through a liquid state, and volatilizes from between the microstructures on the surface to be processed 101a.
【0059】このようにして半導体ウェハ101の洗浄
処理及び乾燥処理が行われる。In this way, the cleaning process and the drying process of the semiconductor wafer 101 are performed.
【0060】本実施形態によれば、半導体ウェハ自体及
び半導体ウェハの被処理面上のみを加熱するようにして
いる。このため半導体ウェハの被処理面上のCO2を効
率良く加熱することができ、CO2の超臨界状態を省エ
ネルギーにより実現できる。またCO2を迅速に超臨界
状態にすることができる。このため洗浄及び乾燥処理の
処理効率が向上する。According to this embodiment, only the semiconductor wafer itself and the surface to be processed of the semiconductor wafer are heated. Therefore, CO 2 on the surface to be processed of the semiconductor wafer can be efficiently heated, and the supercritical state of CO 2 can be realized by energy saving. Further, CO 2 can be brought into a supercritical state quickly. Therefore, the processing efficiency of the cleaning and drying processing is improved.
【0061】また1枚の半導体ウェハの洗浄、乾燥処理
が終了すると次の半導体ウェハの洗浄、乾燥処理を行う
ために、温度調節ステージ11及び温度調節板15を冷
却する必要がある。本実施形態によれば、流路21、2
2に冷却水を流すことにより温度調節ステージ11及び
温度調節板15を急速に冷却させることが可能となる。
したがって、さらに洗浄及び乾燥処理の処理効率が向上
する。When the cleaning and drying processing of one semiconductor wafer is completed, it is necessary to cool the temperature adjusting stage 11 and the temperature adjusting plate 15 in order to perform the cleaning and drying processing of the next semiconductor wafer. According to this embodiment, the flow paths 21, 2
By flowing the cooling water to 2, the temperature adjustment stage 11 and the temperature adjustment plate 15 can be rapidly cooled.
Therefore, the processing efficiency of the cleaning and drying processing is further improved.
【0062】つぎに一体型ステージの別の実施形態につ
いて説明する。Next, another embodiment of the integrated stage will be described.
【0063】図4(a)は一体型ステージの第2の実施
形態を示す図であり、図4(b)は図4(a)のA方向
から見た一体型ステージを示す図である。FIG. 4 (a) is a diagram showing a second embodiment of the integrated stage, and FIG. 4 (b) is a diagram showing the integrated stage viewed from the direction A in FIG. 4 (a).
【0064】一体型ステージ40は、半導体ウェハ18
を挟む温度調節ステージ41及び温度調節板45と、蓋
体49とから構成される。温度調節ステージ41は半導
体ウェハ18が載置される温度調節面42とその反対側
の面43とを備え、さらに温度調節面42側と面43側
とを連通する1以上の穴44を備える。温度調節板45
は半導体ウェハ18に対向する温度調節面46とその反
対側の面47とを備え、さらに温度調節面46側と面4
7側とを連通する1以上の穴48を備える。The integrated stage 40 is used for the semiconductor wafer 18
It is composed of a temperature adjustment stage 41 and a temperature adjustment plate 45 sandwiching the above, and a lid 49. The temperature adjusting stage 41 includes a temperature adjusting surface 42 on which the semiconductor wafer 18 is placed and a surface 43 opposite to the temperature adjusting surface 42, and further includes one or more holes 44 that connect the temperature adjusting surface 42 side and the surface 43 side. Temperature control plate 45
Is provided with a temperature adjusting surface 46 facing the semiconductor wafer 18 and a surface 47 opposite to the temperature adjusting surface 46.
It has one or more holes 48 communicating with the 7 side.
【0065】一体型ステージ40が使用されA方向から
CO2が供給された場合、CO2は温度調節板45の面
47側から温度調節面46側へ穴48を通過し半導体ウ
ェハ18の被洗浄面18aに到達する。またCO2は温
度調節ステージ41の温度調節面42側から面43側へ
穴44を通過し排出される。When the integrated stage 40 is used and CO 2 is supplied from the direction A, the CO 2 passes through the hole 48 from the surface 47 side of the temperature adjusting plate 45 to the temperature adjusting surface 46 side and the semiconductor wafer 18 is cleaned. Reach surface 18a. Further, CO 2 passes through the hole 44 from the temperature adjusting surface 42 side of the temperature adjusting stage 41 to the surface 43 side and is discharged.
【0066】第2の実施形態によれば、温度調節ステー
ジ41及び温度調節板45に穴44、48が設けられて
いる。このため被洗浄面18aへのCO2の供給及び被
洗浄面18aからのCO2の排出を迅速に行うことがで
きる。According to the second embodiment, holes 44 and 48 are provided in the temperature adjusting stage 41 and the temperature adjusting plate 45. Therefore, the supply of CO 2 to the surface to be cleaned 18a and the discharge of CO 2 from the surface to be cleaned 18a can be performed quickly.
【0067】また供給されるCO2が被洗浄面18aに
均一に接触するため、被洗浄面18a上でのCO2の温
度が均一になる。したがってCO2の超臨界状態が均一
となり、CO2が被処理面に残存することがなくなる。Further, since the supplied CO 2 uniformly contacts the surface 18a to be cleaned, the temperature of CO 2 on the surface 18a to be cleaned becomes uniform. Therefore supercritical state of the CO 2 becomes uniform, thereby preventing the CO 2 remains in the treated surface.
【0068】なお複数の穴44、48をそれぞれ均等の
間隔で設けることが望ましい。It is desirable that the plurality of holes 44 and 48 be provided at equal intervals.
【0069】図5(a)は一体型ステージの第3の実施
形態を示す図であり、図5(b)は図5(a)のA方向
から見た一体型ステージを示す図である。FIG. 5 (a) is a diagram showing a third embodiment of the integrated stage, and FIG. 5 (b) is a diagram showing the integrated stage viewed from the direction A in FIG. 5 (a).
【0070】一体型ステージ50は、半導体ウェハ18
を挟む温度調節ステージ51及び温度調節板53と、蓋
体55とから構成される。The integrated stage 50 is used for the semiconductor wafer 18
It is composed of a temperature adjusting stage 51 and a temperature adjusting plate 53 sandwiching the above, and a lid 55.
【0071】温度調節ステージ51は半導体ウェハ18
が載置される温度調節面52を備える。温度調節面52
は5つの温度調節領域52a、52b、52c、52
d、52eに分割されている。温度調節領域52a〜5
2eにはそれぞれ温度センサが設けられており、個々に
独立して温度調節される。The temperature adjusting stage 51 is the semiconductor wafer 18
Is provided with a temperature control surface 52. Temperature control surface 52
Are five temperature control regions 52a, 52b, 52c, 52
It is divided into d and 52e. Temperature control area 52a-5
Each of the 2e is provided with a temperature sensor, and the temperature is individually adjusted.
【0072】温度調節板53は半導体ウェハ18及び温
度調節ステージ51の温度調節面52と対向する温度調
節面54を備える。温度調節面54は5つの温度調節領
域54a、54b、54c、54d、54eに分割され
ている。温度調節領域54a〜54eにはそれぞれ温度
センサが設けられており、個々に独立して温度調節され
る。The temperature adjusting plate 53 has a temperature adjusting surface 54 facing the temperature adjusting surface 52 of the semiconductor wafer 18 and the temperature adjusting stage 51. The temperature control surface 54 is divided into five temperature control areas 54a, 54b, 54c, 54d and 54e. A temperature sensor is provided in each of the temperature adjustment regions 54a to 54e, and the temperature is individually adjusted.
【0073】図5(a)に示すように、紙面奥に供給路
4が、紙面手前方向に排出路5が設けられている場合、
液体状態のCO2は温度調節面52、54及び半導体ウ
ェハ18に沿って、すなわち図5(b)の矢印方向、に
流れる。この際、温度調節ステージ51の上流部分の温
度調節領域52a及び温度調節板53の上流部分の温度
調節領域54aはCO2に奪われる熱量が大きく、一方
温度調節ステージ51の下流部分の温度調節領域52e
及び温度調節板53の下流部分の温度調節領域54eは
CO2に奪われる熱量が小さい。このように各温度調節
面52、54には温度分布が発生する。As shown in FIG. 5A, when the supply path 4 is provided in the back of the paper and the discharge path 5 is provided in the front of the paper,
The liquid-state CO 2 flows along the temperature control surfaces 52 and 54 and the semiconductor wafer 18, that is, in the direction of the arrow in FIG. 5B. At this time, temperature control area of the downstream portion of the temperature temperature adjustment region 54a of the upstream portion of the temperature control area 52a and a temperature control plate 53 of the upstream portion of the adjustment stage 51 has a large quantity of heat taken by the CO 2, while the temperature regulating stage 51 52e
Also, the amount of heat absorbed by CO 2 is small in the temperature adjustment region 54e in the downstream portion of the temperature adjustment plate 53. In this way, a temperature distribution is generated on each of the temperature adjusting surfaces 52 and 54.
【0074】したがって温度調節ステージ51におい
て、下流部分の温度調節領域52eの温度よりも中流部
の温度調節領域52b、52c、52dの温度が高くな
るように調節され、また中流部の温度調節領域52b、
52c、52dの温度よりも上流部の温度調節領域52
aの温度が高くなるように調節される。さらに中流部の
温度調節領域52b、52c、52dは中心部52cと
縁部52b、52dとが異なる温度となるように調節さ
れる。Therefore, in the temperature adjustment stage 51, the temperatures of the temperature adjustment regions 52b, 52c and 52d of the middle flow portion are adjusted to be higher than the temperatures of the temperature adjustment region 52e of the downstream portion, and the temperature adjustment region 52b of the middle flow portion is adjusted. ,
52c, 52d temperature control region 52 upstream of the temperature
The temperature of a is adjusted to be high. Further, the temperature adjusting regions 52b, 52c, 52d in the middle stream portion are adjusted so that the central portion 52c and the edge portions 52b, 52d have different temperatures.
【0075】また温度調節板53において、下流部分の
温度調節領域54eの温度よりも中流部の温度調節領域
54b、54c、54dの温度が高くなるように調節さ
れ、また中流部の温度調節領域54b、54c、54d
の温度よりも上流部の温度調節領域54aの温度が高く
なるように調節される。さらに中流部の温度調節領域5
4b、54c、54dは中心部54cと縁部54b、5
4dとが異なる温度となるように調節される。Further, in the temperature adjusting plate 53, the temperature of the temperature adjusting regions 54b, 54c, 54d in the midstream portion is adjusted to be higher than the temperature of the temperature adjusting region 54e in the downstream portion, and the temperature adjusting region 54b in the midstream portion is adjusted. , 54c, 54d
The temperature of the upstream temperature adjustment region 54a is adjusted to be higher than the temperature of the above. Furthermore, the temperature control area 5 in the middle stream
4b, 54c and 54d are the central portion 54c and the edge portions 54b and 5b.
4d is adjusted to have a different temperature.
【0076】こうして半導体ウェハ18の被洗浄面18
a上のCO2の温度は均一に調節される。Thus, the surface to be cleaned 18 of the semiconductor wafer 18 is
The temperature of CO 2 on a is adjusted uniformly.
【0077】なお各温度調節面における領域の数及びそ
の配置はどのようにしてもよい。The number of regions and their arrangement on each temperature control surface may be arbitrary.
【0078】第3の実施形態によれば、温度調節面5
2、54に複数の温度調節領域52a〜52e、54a
〜54eが設けられ、それぞれ独立して温度調節され
る。このため半導体ウェハ18の被処理面18a上の温
度が均一になるように調節することができる。したがっ
てCO2の超臨界状態が均一となり、CO2が被処理面
に残存することがなくなる。According to the third embodiment, the temperature control surface 5
2, 54 have a plurality of temperature control regions 52a to 52e, 54a.
54e are provided, and the temperature of each is independently adjusted. Therefore, the temperature on the surface to be processed 18a of the semiconductor wafer 18 can be adjusted to be uniform. Therefore supercritical state of the CO 2 becomes uniform, thereby preventing the CO 2 remains in the treated surface.
【0079】図6は一体型ステージの第4の実施形態を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment of the integrated stage.
【0080】一体型ステージ60は、半導体ウェハ18
を挟む温度調節ステージ61及び温度調節板63と、蓋
体65とから構成される。The integrated stage 60 is used for the semiconductor wafer 18
It is composed of a temperature adjusting stage 61 and a temperature adjusting plate 63 which sandwich the plate, and a lid 65.
【0081】温度調節ステージ61は半導体ウェハ18
と対向する温度調節面62を備える。温度調節面62に
は複数のフィン62aが設けられている。The temperature adjusting stage 61 is the semiconductor wafer 18
And a temperature control surface 62 facing the. The temperature control surface 62 is provided with a plurality of fins 62a.
【0082】温度調節板63は半導体ウェハ18及び温
度調節ステージ61の温度調節面62と対向する温度調
節面64を備える。温度調節面64には複数のフィン6
4aが設けられている。The temperature adjusting plate 63 has a temperature adjusting surface 64 facing the temperature adjusting surface 62 of the semiconductor wafer 18 and the temperature adjusting stage 61. A plurality of fins 6 are provided on the temperature control surface 64.
4a is provided.
【0083】第4の実施形態によれば、温度調節面6
2、64に複数のフィン62a、64aが設けられる。
このため液体状態のCO2と温度調節ステージ61及び
温度調節板63との接触面積を大きくすることができ、
CO2を迅速に超臨界状態にすることができる。このた
め洗浄及び乾燥処理の処理効率が向上する。According to the fourth embodiment, the temperature control surface 6
A plurality of fins 62a and 64a are provided on the second and the second 64, respectively.
Therefore, the contact area between the liquid CO 2 and the temperature adjustment stage 61 and the temperature adjustment plate 63 can be increased,
CO 2 can be rapidly brought into a supercritical state. Therefore, the processing efficiency of the cleaning and drying processing is improved.
【0084】なお温度調節ステージ、温度調節板及び蓋
体を一体とした一体型ステージについて説明したが、温
度調節ステージ、温度調節板及び蓋体をそれぞれ別々に
して設けるようにしてもよい。Although the integrated stage in which the temperature adjusting stage, the temperature adjusting plate and the lid are integrated has been described, the temperature adjusting stage, the temperature adjusting plate and the lid may be separately provided.
【0085】また洗浄及び乾燥処理の対象となる被処理
体はマイクロマシンなどでもよい。The object to be cleaned and dried may be a micromachine or the like.
【図1】図1は本実施形態の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of the present embodiment.
【図2】図2は図1のA方向から見た一体型ステージを
示す図である。FIG. 2 is a view showing the integrated stage as seen from the direction A in FIG.
【図3】図3は図1のA方向から見た一体型ステージを
示す図である。3 is a diagram showing the integrated stage viewed from the direction A in FIG.
【図4】図4(a)は一体型ステージの第2の実施形態
を示す図であり、図4(b)は図4(a)のA方向から
見た一体型ステージを示す図である。4 (a) is a diagram showing a second embodiment of the integrated stage, and FIG. 4 (b) is a diagram showing the integrated stage viewed from the direction A in FIG. 4 (a). .
【図5】図5(a)は一体型ステージの第3の実施形態
を示す図であり、図5(b)は図5(a)のA方向から
見た一体型ステージを示す図である。5 (a) is a diagram showing a third embodiment of an integrated stage, and FIG. 5 (b) is a diagram showing the integrated stage seen from the direction A in FIG. 5 (a). .
【図6】図6は一体型ステージの第4の実施形態を示す
図である。FIG. 6 is a view showing a fourth embodiment of the integrated stage.
【図7】図7は従来の超臨界乾燥装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a conventional supercritical drying apparatus.
【図8】図8は従来の超臨界乾燥装置を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a conventional supercritical drying apparatus.
3 一体型ステージ 10 反応処理室 11 温
度調節ステージ
12 温度調節面 14 温度調節板 15 温度
調節面
18 半導体ウェハ3 Integrated Stage 10 Reaction Processing Chamber 11 Temperature Control Stage 12 Temperature Control Surface 14 Temperature Control Plate 15 Temperature Control Surface 18 Semiconductor Wafer
Claims (6)
を供給し、被処理体上の洗浄液を、液体状態の温度から
超臨界状態の温度までの間で温度調節する温度調節装置
において、 被処理体を挟んで、第1の温度調節手段と第2の温度調
節手段とを対向させて、前記反応処理室の内部に備えた
ことを特徴とする温度調節装置。1. A temperature control device for supplying a cleaning liquid to a reaction processing chamber containing an object to be processed, and controlling the temperature of the cleaning liquid on the object to be processed from a temperature in a liquid state to a temperature in a supercritical state, A temperature control device comprising a first temperature control means and a second temperature control means opposed to each other with the object to be processed interposed therebetween, and provided inside the reaction processing chamber.
ち少なくとも一方は、 被処理体の各領域における洗浄液の温度調節を独立して
行うものであることを特徴とする請求項1記載の温度調
節装置。2. The method according to claim 1, wherein at least one of the first and second temperature adjusting means independently adjusts the temperature of the cleaning liquid in each region of the object to be processed. Temperature control device.
ち少なくとも一方は、 複数の領域に分割されたものであることを特徴とする請
求項2記載の温度調節装置。3. The temperature adjusting device according to claim 2, wherein at least one of the first and second temperature adjusting means is divided into a plurality of regions.
ちの一方は、被処理体上に洗浄液を供給する穴を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の温度調節装置。4. The temperature adjusting device according to claim 1, wherein one of the first and second temperature adjusting means is provided with a hole for supplying a cleaning liquid onto the object to be processed.
ちの一方は、外部に洗浄液を排出する穴を備えたことを
特徴とする請求項1記載の温度調節装置。5. The temperature adjusting device according to claim 1, wherein one of the first and second temperature adjusting means is provided with a hole for discharging the cleaning liquid to the outside.
ち少なくとも一方は、内部に温度調節用の媒体を流す流
路を備えたことを特徴とする請求項1記載の温度調節装
置。6. The temperature control device according to claim 1, wherein at least one of the first and second temperature control means is provided with a flow path through which a temperature control medium is flown.
Priority Applications (1)
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ID=19063855
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038328A (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-19 | Ryusyo Industrial Co Ltd | Supercritical fluid cleaning apparatus |
KR20180101227A (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus |
JP2018534770A (en) * | 2015-10-04 | 2018-11-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Substrate support and baffle equipment |
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2001
- 2001-07-31 JP JP2001231855A patent/JP2003045837A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
JP2009038328A (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-19 | Ryusyo Industrial Co Ltd | Supercritical fluid cleaning apparatus |
JP2018534770A (en) * | 2015-10-04 | 2018-11-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Substrate support and baffle equipment |
KR20180101227A (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus |
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