KR20180101227A

KR20180101227A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR20180101227A
Application number: KR1020180024640A
Authority: KR
Inventors: 겐타로 고시; 게이스케 에가시라; 겐토 두카노; 히로시 마루모토
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2017-03-02
Filing date: 2018-02-28
Publication date: 2018-09-12
Also published as: JP2018147970A; KR102462157B1; JP6906331B2

Abstract

An object of the present invention is to suppress generation of particles on the bottom surface of a wafer in a drying method using processing liquid in a supercritical state. A substrate processing apparatus according to an embodiment is the substrate processing apparatus which performs a drying process for drying a substrate on which a liquid film is formed on the upper surface having a pattern by using the processing liquid in a supercritical state, comprising: a holding unit for holding the substrate; and a supply unit for supplying the processing liquid into a processing space. The holding unit protrudes upward and has a supporting unit for supporting the substrate in contact with the lower surface of the substrate. Further, when the substrate is held by the holding unit, the supporting unit exposes at least a part of the lower surface of the substrate to the processing space.

Description

[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

개시하는 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus.

종래, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 호칭함) 등의 상면을 액체로 처리한 후의 건조 공정에 있어서, 액체에 의해 상면이 젖은 상태의 웨이퍼를 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시킴으로써, 웨이퍼를 건조시키는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). Conventionally, in a drying process after a top surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, is treated with a liquid, the wafer in a state in which the top surface is wet by liquid is brought into contact with the processing fluid in the supercritical state, (For example, refer to Patent Document 1).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-131729호 공보[Patent Document 1] JP-A-2013-131729

그러나, 종래의 초임계 상태의 처리 유체를 이용한 건조 방법에서는, 웨이퍼 상에 적용된 액체가 웨이퍼의 하면으로도 돌아 들어가는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼의 하면은 유지판과 접촉하여 덮여져 있기 때문에, 웨이퍼의 하면측에는 초임계 상태의 처리 유체가 공급되지 않는다. 따라서, 웨이퍼의 하면으로 돌아 들어간 액체가 처리 유체에 용해되지 않은 채 건조함으로써, 이러한 건조한 개소에 파티클이 발생할 우려가 있다.However, in the conventional drying method using the supercritical processing fluid, the liquid applied on the wafer may also be transferred to the lower surface of the wafer. In addition, since the lower surface of the wafer is in contact with the holding plate, the processing fluid in the supercritical state is not supplied to the lower surface side of the wafer. Accordingly, there is a possibility that particles returning to such a dry place may be generated by drying the liquid returning to the lower surface of the wafer without dissolving in the treatment fluid.

실시형태의 일 양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 초임계 상태의 처리 유체를 이용한 건조 방법에 있어서, 웨이퍼 하면에의 파티클의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the generation of particles on the lower surface of a wafer in a drying method using a processing fluid in a supercritical state.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 패턴을 갖는 상면에 액막이 형성된 기판을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치로서, 상기 기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부에 유지되는 상기 기판의 측방에 설치되고, 처리 공간 내에 상기 처리 유체를 공급하는 공급부를 구비한다. 그리고, 상기 유지부는, 상방으로 돌출되고, 상기 기판의 하면과 접촉하여 상기 기판을 지지하는 지지부를 가지며, 상기 기판을 유지한 경우에, 상기 지지부에 의해 상기 기판의 상기 하면의 적어도 일부를 상기 처리 공간에 노출시킨다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus for performing a drying process for drying a substrate on which a liquid film is formed on an upper surface having a pattern by using a processing fluid in a supercritical state, And a supply part provided at a side of the substrate held by the holding part and supplying the processing fluid into the processing space. The holding portion is provided with a supporting portion that protrudes upward and contacts the lower surface of the substrate to support the substrate. When the substrate is held, at least a part of the lower surface of the substrate is held by the supporting portion Expose it to space.

실시형태의 일 양태에 의하면, 초임계 상태의 처리 유체를 이용한 건조 방법에 있어서, 웨이퍼 하면에의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. According to an aspect of the embodiment, in the drying method using the processing fluid in the supercritical state, generation of particles on the lower surface of the wafer can be suppressed.

도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 세정 처리 유닛의 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시형태에 따른 건조 처리 유닛의 구성을 도시한 외관 사시도이다.
도 4a는 실시형태에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 4b는 실시형태에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 평면도이다.
도 5는 실시형태의 변형예 1에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시형태의 변형예 2에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 7은 실시형태의 변형예 3에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 8a는 실시형태의 변형예 4에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다.
도 8b는 실시형태의 변형예 4에 따른 건조 처리 유닛의 내부 구성의 일례를 도시한 평면도이다. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a configuration of a cleaning processing unit according to the embodiment.
3 is an external perspective view showing the construction of the drying processing unit according to the embodiment.
4A is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to the embodiment.
4B is a plan view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to the embodiment.
5 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to Modification Example 1 of the embodiment.
6 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to the second modification of the embodiment.
Fig. 7 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to Modification 3 of the embodiment. Fig.
8A is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to the fourth modification of the embodiment.
8B is a plan view showing an example of the internal structure of the drying processing unit according to the fourth modification of the embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of a substrate processing apparatus disclosed herein will be described in detail. On the other hand, the present invention is not limited to the embodiments described below.

<기판 처리 시스템의 개요><Overview of substrate processing system>

최초로, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다. First, a schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to Fig. Fig. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, X-axis, Y-axis and Z-axis orthogonal to each other are defined, and the Z-axis normal direction is set to the vertical upward direction.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다. As shown in Fig. 1, the substrate processing system 1 has a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading and unloading station 2 and the processing station 3 are installed adjacent to each other.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 반도체 웨이퍼(W)[이하, 웨이퍼(W)라고 호칭함]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다. The loading and unloading station 2 includes a carrier arrangement section 11 and a carrying section 12. [ A plurality of carriers C that horizontally accommodate a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter referred to as a wafer W) are arranged in the carrier arrangement portion 11. [

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The carry section 12 is provided adjacent to the carrier arrangement section 11 and includes a substrate transfer apparatus 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the carrier C and the transfer part 14 by using the wafer holding mechanism. .

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 세정 처리 유닛(16)과, 복수의 건조 처리 유닛(17)을 구비한다. 복수의 세정 처리 유닛(16)과 복수의 건조 처리 유닛(17)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다. 한편, 도 1에 도시된 세정 처리 유닛(16) 및 건조 처리 유닛(17)의 배치나 개수는 일례이며, 도시된 것에 한정되지 않는다. The processing station 3 is installed adjacent to the carry section 12. [ The processing station 3 includes a transport section 15, a plurality of cleaning processing units 16, and a plurality of drying processing units 17. A plurality of the cleaning processing units 16 and the plurality of drying processing units 17 are installed side by side on both sides of the carry section 15. [ On the other hand, the arrangement and the number of the cleaning processing unit 16 and the drying processing unit 17 shown in Fig. 1 are merely an example, and are not limited to those shown.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(18)를 구비한다. 기판 반송 장치(18)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와, 세정 처리 유닛(16)과, 건조 처리 유닛(17) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. The carry section (15) has a substrate transfer apparatus (18) inside. The substrate transfer device 18 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer device 18 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and capable of turning around the vertical axis. The substrate transfer device 18 includes a transfer section 14, a cleaning processing unit 16, And the wafer W is transported between the drying processing units 17. [

세정 처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(18)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 미리 정해진 세정 처리를 행한다. 세정 처리 유닛(16)의 구성예에 대해서는 후술한다.The cleaning processing unit 16 performs predetermined cleaning processing on the wafer W carried by the substrate transfer device 18. [ A configuration example of the cleaning processing unit 16 will be described later.

건조 처리 유닛(17)은, 세정 처리 유닛(16)에 의해 세정 처리된 웨이퍼(W)에 대해, 미리 정해진 건조 처리를 행한다. 건조 처리 유닛(17)의 구성예에 대해서는 후술한다. The drying processing unit 17 performs predetermined drying processing on the wafer W which has been cleaned by the cleaning processing unit 16. An example of the construction of the drying processing unit 17 will be described later.

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(19)와 기억부(20)를 구비한다. In addition, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 19 and a storage unit 20. [

제어부(19)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로 컴퓨터나 각종의 회로를 포함한다. 이러한 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 후술하는 제어를 실현한다. The control unit 19 includes a microcomputer and various circuits having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output port, The CPU of the microcomputer realizes the control described later by reading and executing a program stored in the ROM.

한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기록 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(20)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.On the other hand, such a program has been recorded in a recording medium readable by a computer, and may be installed in the storage unit 20 of the control device 4 from the recording medium. Examples of the recording medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like.

기억부(20)는, 예컨대, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다. The storage unit 20 is implemented by a semiconductor memory device such as a RAM, a flash memory, or the like, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되고, 세정 처리 유닛(16)에 반입된다. The substrate transfer apparatus 13 of the loading and unloading station 2 first takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement section 11 And the taken-out wafer W is placed in the transfer part 14. [ The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out from the transfer section 14 by the substrate transfer apparatus 18 of the processing station 3 and is carried into the cleaning processing unit 16.

세정 처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 세정 처리 유닛(16)에 의해 세정 처리가 실시된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해 건조 처리 유닛(17)에 반입되고, 건조 처리 유닛(17)에 의해 건조 처리가 실시된다. The wafer W carried into the cleaning processing unit 16 is taken out of the cleaning processing unit 16 by the substrate transfer device 18 after the cleaning processing is performed by the cleaning processing unit 16. The wafers W taken out of the cleaning processing unit 16 are carried into the drying processing unit 17 by the substrate carrying device 18 and subjected to drying processing by the drying processing unit 17. [

건조 처리 유닛(17)에 의해 건조 처리된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해 건조 처리 유닛(17)으로부터 반출되고, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.The wafer W dried by the drying processing unit 17 is taken out of the drying processing unit 17 by the substrate transfer device 18 and placed in the transfer part 14. [ The processed wafers W placed on the transfer unit 14 are returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13. [

<세정 처리 유닛의 개요><Outline of Cleaning Processing Unit>

다음으로, 도 2를 참조하면서, 세정 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 세정 처리 유닛(16)의 구성을 도시한 단면도이다. 세정 처리 유닛(16)은, 예컨대, 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1장씩 세정하는 매엽식(枚葉式)의 세정 처리 유닛으로서 구성된다.Next, a schematic configuration of the cleaning processing unit 16 will be described with reference to Fig. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of the cleaning processing unit 16 according to the embodiment. The cleaning processing unit 16 is configured as, for example, a single wafer type cleaning processing unit for cleaning the wafers W one by one by spin cleaning.

도 2에 도시된 바와 같이, 세정 처리 유닛(16)은, 처리 공간을 형성하는 외측 챔버(23) 내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(25)로 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하고, 이 웨이퍼 유지 기구(25)를 연직축 주위로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 세정 처리 유닛(16)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상방에 노즐 아암(26)을 진입시키고, 이러한 노즐 아암(26)의 선단부에 설치된 약액 노즐(26a)로부터 약액이나 린스액을 미리 정해진 순서로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 세정 처리를 행한다. 2, the cleaning processing unit 16 holds the wafer W substantially horizontally with the wafer holding mechanism 25 disposed in the outer chamber 23 forming the processing space, The wafer W is rotated by rotating the mechanism 25 around the vertical axis. The cleaning processing unit 16 causes the nozzle arm 26 to enter the upper side of the rotating wafer W and to transfer the chemical solution or the rinsing liquid from the chemical solution nozzle 26a provided at the tip end of the nozzle arm 26 in advance So that the upper surface Wa of the wafer W is cleaned.

또한, 세정 처리 유닛(16)에는, 웨이퍼 유지 기구(25)의 내부에도 약액 공급로(25a)가 형성되어 있다. 그리고, 이러한 약액 공급로(25a)로부터 공급된 약액이나 린스액에 의해, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 세정 처리가 행해진다. Further, in the cleaning processing unit 16, a chemical solution supply path 25a is formed in the wafer holding mechanism 25 as well. The lower surface Wb of the wafer W is cleaned by the chemical liquid or the rinsing liquid supplied from the chemical liquid supply path 25a.

전술한 웨이퍼(W)의 세정 처리는, 예컨대, 최초로 알칼리성의 약액인 SC1액(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 파티클이나 유기성의 오염 물질의 제거가 행해지고, 다음으로, 린스액인 탈이온수(DeIonized Water: 이하, DIW라고 호칭함)에 의한 린스 세정이 행해진다. 다음으로, 산성 약액인 희불산 수용액(Diluted HydroFluoric acid: 이하, DHF라고 호칭함)에 의한 자연 산화막의 제거가 행해지고, 다음으로, DIW에 의한 린스 세정이 행해진다. The cleaning treatment of the wafer W described above can be carried out, for example, by first removing particles and organic contaminants by the SC1 solution (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide water) which is an alkaline chemical solution and then deionized water Deionized Water: hereinafter referred to as DIW). Next, the natural oxide film is removed by a dilute hydrofluoric acid (hereinafter referred to as DHF) aqueous solution which is an acidic chemical solution, and then rinsing with DIW is performed.

전술한 각종 약액은, 외측 챔버(23)나, 외측 챔버(23) 내에 배치되는 내측 컵(24)에 받아내어지고, 외측 챔버(23)의 바닥부에 형성되는 배액구(排液口; 23a)나, 내측 컵(24)의 바닥부에 형성되는 배액구(24a)로부터 배출된다. 또한, 외측 챔버(23) 내의 분위기는, 외측 챔버(23)의 바닥부에 형성되는 배기구(23b)로부터 배기된다.The above-described various kinds of medicinal liquids are sucked into the outer chamber 23 and the inner cup 24 disposed in the outer chamber 23 and discharged to the drain port 23a And the liquid draining port 24a formed in the bottom portion of the inner cup 24. The atmosphere in the outer chamber 23 is exhausted from the exhaust port 23b formed in the bottom of the outer chamber 23.

전술한 웨이퍼(W)의 린스 처리 후에는, 웨이퍼 유지 기구(25)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면(Wa) 및 하면(Wb)에 액체 상태의 IPA(이하, 「IPA 액체」라고 호칭함)를 공급하여, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존하고 있는 DIW와 치환한다. 그 후, 웨이퍼 유지 기구(25)의 회전을 완만히 정지한다.After the rinsing process of the wafer W described above, the wafer holding mechanism 25 is rotated, and the upper surface Wa and the lower surface Wb of the wafer W are coated with a liquid IPA (hereinafter referred to as " IPA liquid " And is replaced with the DIW remaining on both surfaces of the wafer W. [ Thereafter, the rotation of the wafer holding mechanism 25 is gently stopped.

이렇게 해서 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 그 상면(Wa)에 IPA 액체(71)(도 4a 참조)가 적용된 상태[웨이퍼(W)의 상면(Wa)에 IPA 액체(71)의 액막이 형성된 상태]인 채로, 웨이퍼 유지 기구(25)에 설치된 도시하지 않은 전달 기구에 의해 기판 반송 장치(18)에 전달되고, 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다.4A) is applied to the upper surface Wa of the wafer W (the upper surface Wa of the wafer W is formed with the liquid film of the IPA liquid 71 formed on the upper surface Wa thereof) Is transferred to the substrate transfer device 18 by a transfer mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 25,

여기서, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)는, 세정 처리 유닛(16)으로부터 건조 처리 유닛(17)에의 웨이퍼(W)의 반송 중이나, 건조 처리 유닛(17)에의 반입 동작 중에, 상면(Wa)의 액체가 증발(기화)함으로써 패턴 붕괴가 발생하는 것을 방지하는, 건조 방지용의 액체로서 기능한다. 웨이퍼(W) 상에 적용되는 IPA 액체(71)의 두께는, 예컨대, 1 ㎜∼5 ㎜ 정도이다.The IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa of the wafer W is conveyed to the drying processing unit 17 while the wafer W is being conveyed from the cleaning processing unit 16 to the drying processing unit 17, And functions as a liquid for preventing drying, which prevents pattern collapse from occurring due to evaporation (vaporization) of the liquid on the upper surface Wa during operation. The thickness of the IPA liquid 71 applied on the wafer W is, for example, about 1 mm to 5 mm.

세정 처리 유닛(16)에서의 세정 처리를 끝내고, 상면(Wa)에 IPA 액체(71)가 적용된 웨이퍼(W)는, 건조 처리 유닛(17)에 반송된다. 그리고, 건조 처리 유닛(17) 내에 있어서 상면(Wa)의 IPA 액체(71)에 초임계 상태의 처리 유체(70)(도 4a 참조)를 접촉시킴으로써, 이러한 IPA 액체(71)를 초임계 상태의 처리 유체(70)에 용해시켜 제거하여, 웨이퍼(W)를 건조하는 처리가 행해진다. After the cleaning processing in the cleaning processing unit 16 is finished, the wafer W to which the IPA liquid 71 is applied on the upper surface Wa is conveyed to the drying processing unit 17. The IPA liquid 71 in the supercritical state is brought into contact with the processing fluid 70 (see Fig. 4A) in the supercritical state to contact the IPA liquid 71 on the upper surface Wa in the drying processing unit 17, The wafer W is dried by dissolving it in the processing fluid 70 and removing it.

<건조 처리 유닛의 개요> <Outline of Drying Processing Unit>

이하에 있어서는, 건조 처리 유닛(17)의 구성에 대해 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 구성을 도시한 외관 사시도이다. Hereinafter, the structure of the drying processing unit 17 will be described. 3 is an external perspective view showing the structure of the drying processing unit 17 according to the embodiment.

건조 처리 유닛(17)은, 본체(31)와, 유지부(32)와, 덮개 부재(33)를 갖는다. 케이스형의 본체(31)에는, 웨이퍼(W)를 반입 반출하기 위한 개구부(34)가 형성된다. The drying processing unit 17 has a main body 31, a holding portion 32, and a lid member 33. The case body 31 is provided with an opening 34 for carrying the wafer W in and out.

유지부(32)는, 처리 대상인 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 유지한다. 대략 평판형의 유지부(32)에는, 유지되는 웨이퍼(W)와 덮개 부재(33) 사이에 개공(32a)이 형성된다. 또한, 유지부(32)의 상면측에는, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에 접촉하는 지지부(41)(도 4a 참조)와 웨이퍼(W)에 인접하는 어긋남 억제부(42)가 설치된다. 이러한 지지부(41) 및 어긋남 억제부(42)의 상세에 대해서는 후술한다.The holding section 32 holds the wafer W to be processed in a horizontal direction. In the approximately flat plate-like holding portion 32, an opening 32a is formed between the wafer W and the lid member 33 to be held. A support portion 41 (see Fig. 4A) that comes into contact with the lower surface Wb of the wafer W and a shift suppressing portion 42 that is adjacent to the wafer W are provided on the upper surface side of the holding portion 32. Fig. Details of the support portion 41 and the shift suppressing portion 42 will be described later.

덮개 부재(33)는, 이러한 유지부(32)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 본체(31) 내에 반입했을 때에, 개구부(34)를 밀폐한다. The lid member 33 supports such a holding portion 32 and seals the opening portion 34 when the wafer W is carried into the main body 31. [

본체(31)는, 예컨대 직경 300 ㎜의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 처리 공간(31a)(도 4a 참조)이 내부에 형성된 용기이며, 그 벽부에는, 공급 포트(35, 36)와 배출 포트(37)가 형성된다. 공급 포트(35, 36)와 배출 포트(37)는, 각각, 건조 처리 유닛(17)의 상류측과 하류측에 설치되는 처리 유체(70)(도 4a 참조)를 유통시키기 위한 공급 라인에 접속되어 있다. 이러한 공급 라인의 구성예에 대해서는 후술한다.The main body 31 is a container having therein a processing space 31a (see Fig. 4A) capable of accommodating a wafer W having a diameter of 300 mm, for example, and the supply port 35, 36 and the discharge port 37 are formed. The supply ports 35 and 36 and the discharge port 37 are connected to a supply line for circulating the processing fluid 70 (see FIG. 4A) provided on the upstream side and the downstream side of the drying processing unit 17, respectively . Examples of such a supply line will be described later.

공급 포트(35)는, 케이스형의 본체(31)에 있어서, 개구부(34)와는 반대측의 측면에 접속되어 있다. 또한, 공급 포트(36)는, 본체(31)의 바닥면에 접속되어 있다. 또한, 배출 포트(37)는, 개구부(34)의 하방측에 접속되어 있다. 한편, 도 3에는 2개의 공급 포트(35, 36)와 하나의 배출 포트(37)가 도시되어 있으나, 공급 포트(35, 36)나 배출 포트(37)의 수는 특별히 한정되지 않는다. The supply port 35 is connected to a side surface on the opposite side of the opening 34 in the case-shaped main body 31. The supply port 36 is connected to the bottom surface of the main body 31. Further, the discharge port 37 is connected to the lower side of the opening portion 34. 3 shows two supply ports 35 and 36 and one discharge port 37. The number of the supply ports 35 and 36 and the discharge port 37 is not particularly limited.

또한, 본체(31)의 내부에는, 공급부의 일례인 유체 공급 헤더(38, 39)와, 배출부의 일례인 유체 배출 헤더(40)가 설치된다. 그리고, 유체 공급 헤더(38, 39)에는 복수의 공급구(38a, 39a)가, 이러한 유체 공급 헤더(38, 39)의 길이 방향으로 나란히 형성되고, 유체 배출 헤더(40)에는 복수의 배출구(40a)가, 이러한 유체 배출 헤더(40)의 길이 방향으로 나란히 형성된다.Inside the main body 31, there are provided fluid supply headers 38 and 39, which are an example of a supply portion, and a fluid discharge header 40, which is an example of a discharge portion. A plurality of supply ports 38a and 39a are formed in the fluid supply header 38 and 39 in parallel with the longitudinal direction of the fluid supply header 38 and 39. The fluid discharge header 40 has a plurality of outlets 40a are formed side by side in the longitudinal direction of the fluid discharge header 40. [

유체 공급 헤더(38)는, 공급 포트(35)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에 있어서, 개구부(34)와는 반대측의 측면에 인접하여 설치된다. 또한, 유체 공급 헤더(38)에 나란히 형성되는 복수의 공급구(38a)는, 개구부(34)측을 향하고 있다. The fluid supply header 38 is connected to the supply port 35 and is provided adjacent to a side surface opposite to the opening 34 in the case-shaped main body 31. The plurality of supply ports 38a formed in parallel to the fluid supply header 38 are directed toward the opening 34 side.

유체 공급 헤더(39)는, 공급 포트(36)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에서의 바닥면의 중앙부에 설치된다. 또한, 유체 공급 헤더(39)에 나란히 형성되는 복수의 공급구(39a)는, 상방을 향하고 있다.The fluid supply header 39 is connected to the supply port 36 and is provided at the center of the bottom surface inside the case-shaped main body 31. Further, the plurality of supply ports 39a formed side by side in the fluid supply header 39 are directed upward.

유체 배출 헤더(40)는, 배출 포트(37)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에 있어서, 개구부(34)측의 측면에 인접하며, 개구부(34)보다 하방에 설치된다. 또한, 유체 배출 헤더(40)에 나란히 형성되는 복수의 배출구(40a)는, 상방을 향하고 있다. The fluid discharge header 40 is connected to the discharge port 37 and is provided below the opening 34 in the case body 31 adjacent to the side of the opening 34 side. Further, the plurality of discharge ports 40a formed side by side in the fluid discharge header 40 are directed upward.

유체 공급 헤더(38, 39)는, 처리 유체(70)를 본체(31) 내에 공급한다. 또한, 유체 배출 헤더(40)는, 본체(31) 내의 처리 유체(70)를 본체(31)의 외부로 유도하여 배출한다. 한편, 본체(31) 내부에서의 처리 유체(70)의 흐름의 상세에 대해서는 후술한다. The fluid supply header (38, 39) supplies the processing fluid (70) into the main body (31). Further, the fluid discharge header 40 guides the processing fluid 70 in the main body 31 to the outside of the main body 31 and discharges it. On the other hand, details of the flow of the processing fluid 70 in the main body 31 will be described later.

건조 처리 유닛(17)은, 또한, 도시하지 않은 압박 기구를 구비한다. 이러한 압박 기구는, 본체(31) 내부의 처리 공간(31a) 내에 공급된 초임계 상태의 처리 유체(70)에 의해 초래되는 내압에 대항하여, 본체(31)를 향해 덮개 부재(33)를 밀어붙여, 처리 공간(31a)을 밀폐하는 기능을 갖는다. 또한, 이러한 처리 공간(31a) 내에 공급된 처리 유체(70)가 미리 정해진 온도를 유지할 수 있도록, 본체(31)의 표면에는, 단열재나 테이프 히터 등이 설치되어 있어도 좋다.The drying processing unit 17 further includes a pressing mechanism (not shown). This pressing mechanism pushes the lid member 33 toward the main body 31 against the internal pressure brought about by the supercritical processing fluid 70 supplied into the processing space 31a inside the main body 31 And seals the processing space 31a. A heat insulating material, a tape heater, or the like may be provided on the surface of the main body 31 so that the processing fluid 70 supplied into the processing space 31a can maintain a predetermined temperature.

한편, 실시형태에서는, 건조 방지용의 액체로서 IPA 액체(71)(도 4a 참조)를 이용하고, 처리 유체(70)로서 CO₂를 이용하고 있으나, IPA 이외의 액체(예컨대, 메탄올 등의 유기계 용제)를 건조 방지용의 액체로서 이용해도 좋고, CO₂ 이외의 유체를 처리 유체(70)로서 이용해도 좋다.On the other hand, in the embodiment, although the IPA liquid 71 (see Fig. 4A) is used as the liquid for preventing drying and CO ₂ is used as the processing fluid 70, liquids other than IPA (for example, organic solvents such as methanol ) May be used as a liquid for preventing drying, or a fluid other than CO ₂ may be used as the processing fluid 70. [

여기서, 초임계 상태의 처리 유체(70)는, 액체[예컨대 IPA 액체(71)]와 비교해서 점도가 작고, 또한 액체를 용해하는 능력도 높은 것에 더하여, 초임계 상태의 처리 유체(70)와 평형 상태에 있는 액체나 기체 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 이에 의해, 전술한 초임계 상태의 처리 유체(70)를 이용한 건조 처리에서는, 표면 장력의 영향을 받지 않고 액체를 건조시킬 수 있기 때문에, 패턴(P)의 패턴 붕괴를 억제할 수 있다. The processing fluid 70 in the supercritical state has a viscosity lower than that of the liquid (for example, the IPA liquid 71) and has a high ability to dissolve the liquid, There is no interface between liquid or gas in equilibrium. Thus, in the above-described drying treatment using the processing fluid 70 in the supercritical state, the liquid can be dried without being influenced by the surface tension, so that the pattern collapse of the pattern P can be suppressed.

한편, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)는, 일부가 하면(Wb)으로도 돌아 들어간다. 또한, 웨이퍼(W)의 하면(Wb) 전체가 유지부(32)와 접촉하고 있는 경우, 하면(Wb)측에는 처리 유체(70)가 공급되지 않기 때문에, 하면(Wb)측에서는 초임계 상태의 처리 유체(70)를 이용한 건조 처리가 행해지지 않는다.On the other hand, the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa of the wafer W partially returns to the lower surface Wb. When the entire lower surface Wb of the wafer W is in contact with the holding portion 32, since the processing fluid 70 is not supplied to the lower surface Wb side, the processing on the lower surface Wb side is performed in the supercritical state The drying process using the fluid 70 is not performed.

이에 의해, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)가 처리 유체(70)에 용해되지 않은 채 하면(Wb)에서 건조하고, 이러한 건조한 장소에 파티클이 발생할 우려가 있다. Thereby, the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb is dried at the surface Wb without being dissolved in the treatment fluid 70, and particles may be generated in such a dry place.

그래서, 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)에 의하면, 유지부(32)를 미리 정해진 구성으로 함으로써, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. Thus, according to the drying processing unit 17 according to the embodiment, generation of particles on the lower surface Wb of the wafer W can be suppressed by making the holding portion 32 have a predetermined structure.

<실시형태><Embodiment>

계속해서, 도 4a 및 도 4b를 참조하면서, 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 상세에 대해 설명한다. 도 4a는 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이고, 도 4b는 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 평면도이다. 또한, 도 4a에 도시된 단면도 중, 유체 공급 헤더(38) 및 유지부(32)에 대해서는, 도 4b에 도시된 A-A선에서 절단한 경우에서의 단면도이다. Next, details of the drying processing unit 17 according to the embodiment will be described with reference to Figs. 4A and 4B. Fig. Fig. 4A is a cross-sectional view showing an example of the internal construction of the drying processing unit 17 according to the embodiment, and Fig. 4B is a plan view showing an example of the internal structure of the drying processing unit 17 according to the embodiment. 4A, the fluid supply header 38 and the holding portion 32 are sectional views taken along the line A-A shown in Fig. 4B. In Fig.

한편, 도 4a에 도시된 상태에 이를 때까지는, 먼저 IPA 액체(71)를 적용한 웨이퍼(W)가, 유지부(32)에 유지되어 건조 처리 유닛(17) 내에 반입된다. 다음으로, 유체 공급 헤더(39)(도 3 참조)를 통해 건조 처리 유닛(17) 내에 처리 유체(70)가 공급됨으로써, 본체(31)의 처리 공간(31a)이 처리 유체(70)로 채워지고, 원하는 압력으로 승압된다.4A, the wafer W to which the IPA liquid 71 is first applied is held in the holding portion 32 and carried into the drying processing unit 17. In this case, Next, the processing fluid 70 is supplied into the drying processing unit 17 through the fluid supply header 39 (see FIG. 3), whereby the processing space 31a of the main body 31 is filled with the processing fluid 70 And is boosted to a desired pressure.

그리고, 도 4a에 도시된 바와 같이, 유체 공급 헤더(38)로부터 처리 유체(70)가 공급되고, 유체 배출 헤더(40)로부터 처리 유체(70)가 배출되며, 이러한 유체 공급 헤더(38)와 유체 배출 헤더(40) 사이에서 처리 유체(70)가 유통된다. 한편, 유체 공급 헤더(39)는, 처리 유체(70)가 유통될 때에는 처리 유체(70)를 공급하고 있지 않기 때문에, 도 4a에서는 유체 공급 헤더(39)의 도시를 생략한다.4A, the processing fluid 70 is supplied from the fluid supply header 38, the processing fluid 70 is discharged from the fluid discharge header 40, and the fluid supply header 38 The processing fluid 70 flows between the fluid discharge headers 40. On the other hand, since the fluid supply header 39 does not supply the processing fluid 70 when the processing fluid 70 flows, the illustration of the fluid supply header 39 is omitted in Fig. 4A.

처리 유체(70)는, 예컨대, 웨이퍼(W)의 측방에 설치되고, 공급구(38a)가 대략 수평 방향으로 향해진 유체 공급 헤더(38)로부터, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)을 덮개 부재(33)를 향하도록 흐른다. 또한, 처리 유체(70)는, 덮개 부재(33) 근방에서 하방측으로 방향을 바꿔, 유지부(32)에 형성되는 개공(32a)을 통과하여, 유체 배출 헤더(40)의 배출구(40a)를 향하도록 흐른다. 한편, 처리 유체(70)는, 예컨대 층류(層流)가 되어 흐르고 있다.The treatment fluid 70 is supplied from the fluid supply header 38 which is provided on the side of the wafer W and in which the supply port 38a is directed in the substantially horizontal direction to cover the upper surface Wa of the wafer W, And flows toward the member (33). The treatment fluid 70 is directed downward from the vicinity of the lid member 33 and passes through the openings 32a formed in the holding portion 32 to discharge the discharge port 40a of the fluid discharge header 40 It flows toward. On the other hand, the processing fluid 70 flows in a laminar flow, for example.

여기서, 실시형태에서는, 유지부(32)가 복수의 지지부(41)를 갖는다. 복수의 지지부(41)는, 평판형인 유지부(32)의 상면에서의 미리 정해진 개소로부터 각각 상방으로 돌출된다. 지지부(41)는, 예컨대 둥근 핀형이다.Here, in the embodiment, the holding portion 32 has a plurality of support portions 41. [ The plurality of support portions (41) protrude upward from predetermined positions on the upper surface of the holding portion (32) of a flat plate shape. The supporting portion 41 is, for example, a round pin type.

또한, 복수의 지지부(41)에서의 각각의 상단부는, 수평 방향으로 대략 동일면에 배치된다. 그리고, 이러한 복수의 지지부(41)의 선단부와 웨이퍼(W)의 하면(Wb)이 접촉하도록, 웨이퍼(W)가 유지부(32)에 유지된다.Further, the upper ends of the plurality of support portions 41 are arranged on substantially the same plane in the horizontal direction. The wafer W is held by the holding portion 32 so that the front ends of the plurality of supporting portions 41 and the lower surface Wb of the wafer W are in contact with each other.

이에 의해, 도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 적어도 일부가, 처리 공간(31a)에 노출되도록 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)과 유지부(32) 사이에도 처리 유체(70)를 유통시킬 수 있다.4A, it is possible to hold the wafer W such that at least a part of the lower surface Wb of the wafer W is exposed in the processing space 31a. The processing fluid 70 can also flow between the lower surface Wb of the wafer W and the holding portion 32. [

따라서, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)가 노출된 하면(Wb)으로 돌아 들어갔다고 해도, 하면(Wb)에 부착된 IPA 액체(71)를 초임계 상태의 처리 유체(70)에 접촉시킬 수 있다. Therefore, even if the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa of the wafer W returns to the lower surface Wb exposed, the IPA liquid 71 adhering to the lower surface Wb is supplied to the supercritical processing fluid 70, respectively.

즉, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)도 처리 유체(70)에 의해 건조 처리할 수 있기 때문에, IPA 액체(71)가 처리 유체(70)에 용해되지 않은 채 건조하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에 있어서, 처리 유체(70)에 의해 건조 처리되지 않는 IPA 액체(71)에 기인하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다. That is, since the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can also be dried by the processing fluid 70, it is possible to suppress the drying of the IPA liquid 71 without being dissolved in the processing fluid 70 . Therefore, according to the embodiment, it is possible to suppress the generation of particles caused by the IPA liquid 71 that is not dried by the processing fluid 70 on the lower surface Wb of the wafer W.

한편, 지지부(41)의 형상은 둥근 핀형에 한정되지 않고, 그 외의 형상[예컨대, 처리 유체(70)의 유동 방향으로 가늘고 긴 형상]이어도 좋다. 또한, 도 4b에는 7개의 지지부(41)를 갖는 유지부(32)가 도시되어 있으나, 지지부(41)의 수는 특별히 한정되지 않고, 웨이퍼(W)가 유지부(32)에 의해 유지 가능하면 어떠한 개수나 배치여도 좋다.On the other hand, the shape of the support portion 41 is not limited to a round pin, but may be other shape (for example, a shape elongated in the flow direction of the treatment fluid 70). 4B shows the holding portion 32 having seven supporting portions 41. The number of the supporting portions 41 is not particularly limited and may be the same as that of the holding portion 32 when the wafer W can be held by the holding portion 32 Any number or arrangement may be acceptable.

또한, 실시형태에서는, 도 4a에 도시된 바와 같이, 지지부(41)의 선단부를 둥글게 한 형상으로 하면 좋다. 이에 의해, 지지부(41)의 선단부와 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 접촉 면적을 줄일 수 있기 때문에, 하면(Wb)의 노출 면적을 늘릴 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에 있어서, 처리 유체(70)에 의해 건조 처리되지 않는 IPA 액체(71)에 기인하는 파티클의 발생을 더욱 억제할 수 있다. In addition, in the embodiment, as shown in Fig. 4A, the tip of the support portion 41 may be rounded. Thereby, the contact area between the tip end of the support portion 41 and the lower surface Wb of the wafer W can be reduced, so that the exposed area of the lower surface Wb can be increased. Therefore, generation of particles caused by the IPA liquid 71 that is not dry-treated by the processing fluid 70 can further be suppressed on the lower surface Wb of the wafer W. [

또한, 실시형태에서는, 지지부(41)를 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 외주부 이외의 개소와 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 외주부를 노출시키면 좋다. 왜냐하면, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)가 하면(Wb)으로 돌아 들어가는 경우, 주로 하면(Wb)의 외주부에 부착되기 때문에, 지지부(41)에 의해 하면(Wb)의 외주부를 노출시킴으로써, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)를 효과적으로 건조 처리할 수 있기 때문이다. 따라서, 실시형태에 의하면, IPA 액체(71)에 기인하는 파티클의 발생을 효율적으로 억제할 수 있다.In the embodiment, the outer peripheral portion of the lower surface Wb of the wafer W may be exposed by bringing the supporting portion 41 into contact with a portion other than the outer peripheral portion of the lower surface Wb of the wafer W. [ This is because, when the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa is returned to the lower surface Wb, it is attached mainly to the outer peripheral portion of the lower surface Wb, so that the outer peripheral portion of the lower surface Wb is exposed by the support portion 41 This is because the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be effectively dried. Therefore, according to the embodiment, generation of particles due to the IPA liquid 71 can be effectively suppressed.

또한, 실시형태에서는, 유체 공급 헤더(38)로부터 토출되는 처리 유체(70)의 방향이 웨이퍼(W)의 측면(Wc)을 향하도록, 유체 공급 헤더(38)의 공급구(38a)를 웨이퍼(W)와 대략 동일면에 배치하고 대략 수평 방향으로 향하고 있다.The supply port 38a of the fluid supply header 38 is connected to the wafer W so that the direction of the processing fluid 70 discharged from the fluid supply header 38 is directed to the side surface Wc of the wafer W. In this embodiment, (W) and is directed substantially horizontally.

이와 같이, 토출되는 처리 유체(70)의 방향이 웨이퍼(W)의 측면(Wc)을 향하도록 유체 공급 헤더(38)를 배치함으로써, 도 4a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)과 하면(Wb)에 각각 처리 유체(70)를 유통시킬 수 있다. 이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 양방에 처리 유체(70)를 충분히 접촉시킬 수 있다. The fluid supply header 38 is arranged so that the direction of the discharged processing fluid 70 is directed to the side surface Wc of the wafer W as described above so that the upper surface of the wafer W Wa and lower surface Wb, respectively. This makes it possible to sufficiently bring the treatment fluid 70 into contact with both the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb.

따라서, 실시형태에 의하면, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 양립시킬 수 있다. Therefore, according to the embodiment, both the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be made compatible.

한편, 반드시 토출되는 처리 유체(70)의 방향이 웨이퍼(W)의 측면(Wc)을 향하도록, 유체 공급 헤더(38)를 배치하지 않아도 좋다. 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 양방에 처리 유체(70)를 충분히 접촉시킬 수 있으면, 유체 공급 헤더(38)를 어떠한 배치나 방향으로 설치해도 좋다. On the other hand, it is not necessary to arrange the fluid supply header 38 so that the direction of the processing fluid 70 to be discharged is always directed to the side surface Wc of the wafer W. If the processing fluid 70 can sufficiently contact both the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb, Direction.

또한, 실시형태에 있어서, 유지부(32)는, 처리 유체(70)의 흐름에 의해 웨이퍼(W)가 하류측으로 어긋나는 것을 억제하는, 어긋남 억제부(42)를 더 가지면 좋다. 이러한 어긋남 억제부(42)는, 평판형의 유지부(32)에서의 미리 정해진 개소로부터 상방으로 돌출되고, 웨이퍼(W)에서의 하류측의 측면(Wc)에 인접하도록 설치된다. In the embodiment, the holding portion 32 may further include a displacement suppressing portion 42 for preventing the wafer W from being displaced toward the downstream side by the flow of the processing fluid 70. The shift suppressing section 42 is provided so as to protrude upward from a predetermined position in the plate-like holding section 32 and to adjoin the side face Wc on the downstream side of the wafer W. [

이에 의해, 만일 처리 유체(70)의 흐름에 의해 웨이퍼(W)가 하류측으로 떠밀려 갈 것 같이 된 경우라도, 웨이퍼(W)가 하류측으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 한편, 도 4b에는 2개의 어긋남 억제부(42)를 갖는 유지부(32)가 도시되어 있으나, 어긋남 억제부(42)의 수는 특별히 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 어긋남을 억제 가능하면 어떠한 개수나 배치여도 좋다.Thus, even if the wafer W is pushed toward the downstream side by the flow of the processing fluid 70, it is possible to prevent the wafer W from deviating to the downstream side. 4B shows the holding portion 32 having two shift suppressing portions 42. The number of the shift suppressing portions 42 is not particularly limited and may be any value as long as the deviation of the wafer W can be suppressed It may be a number or a batch.

또한, 실시형태에서는, 지지부(41)나 어긋남 억제부(42)를 고분자 수지로 구성하면 좋다. 이에 의해, 지지부(41)나 어긋남 억제부(42)와 웨이퍼(W)가 접촉했을 때에, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)이나 측면(Wc)이 깎이는 것을 억제할 수 있다.In the embodiment, the support portion 41 and the shift suppressing portion 42 may be made of a polymer resin. This makes it possible to prevent the lower surface Wb and the side surface Wc of the wafer W from being shaved when the support portion 41 or the shift suppressing portion 42 and the wafer W come into contact with each other.

또한, 실시형태에서는, 어긋남 억제부(42)에서의 웨이퍼(W)의 측면(Wc)과 마주 보는 측면에, 웨이퍼(W)의 측면(Wc)에 형성되는 베벨 형상에 대응하는 형상을 부여하면 좋다. 이러한 형상을 부여함으로써, 측면(Wc)과 어긋남 억제부(42)의 접촉 면적이 증가하고, 접촉 부분의 단위 면적당에 가해지는 힘이 감소하기 때문에, 어긋남 억제부(42)에 의해 웨이퍼(W)의 측면(Wc)이 깎이는 것을 더욱 억제할 수 있다. In the embodiment, when a shape corresponding to the bevel shape formed on the side surface Wc of the wafer W is provided on the side opposite to the side surface Wc of the wafer W in the shift suppressing portion 42 good. By providing such a shape, the contact area between the side surface Wc and the shift suppressing portion 42 increases, and the force applied to the contact portion per unit area decreases, It is possible to further suppress the cutting of the side face Wc.

<변형예><Modifications>

계속해서, 도 5 내지 도 7을 참조하면서, 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 각종 변형예에 대해 설명한다. 도 5는 실시형태의 변형예 1에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다. 한편, 이후의 설명에 있어서는, 전술한 실시형태에서의 각 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 실시형태와 동일한 점에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.Next, various modifications of the drying processing unit 17 according to the embodiment will be described with reference to Figs. 5 to 7. Fig. 5 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit 17 according to Modification Example 1 of the embodiment. In the following description, the same constituent elements as those of the respective constituent elements in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description of the same points as those of the embodiment may be omitted.

도 5에 도시된 바와 같이, 변형예 1에서는, 본체(31)의 내부에 있어서, 유체 공급 헤더(38)와 웨이퍼(W)의 측면(Wc) 사이에, 처리 유체(70)의 흐름을 조절하는 정류판(43)이 설치된다. 그리고, 이러한 정류판(43)에 의해, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측과 하면(Wb)측에 각각 원활하게 처리 유체(70)를 유통시킬 수 있다. 이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 양방에, 원활하게 처리 유체(70)를 접촉시킬 수 있다. 5, in the modified example 1, the flow of the processing fluid 70 is adjusted between the fluid supply header 38 and the side surface Wc of the wafer W in the main body 31 A rectifying plate 43 is provided. The processing fluid 70 can be smoothly flowed to the upper surface Wa side and the lower surface Wb side of the wafer W by the rectifying plate 43. [ This makes it possible to smoothly bring the treatment fluid 70 into contact with both the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb.

따라서, 변형예 1에 의하면, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 더욱 양립시킬 수 있다. Therefore, according to the modified example 1, the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be made more compatible.

또한, 변형예 1에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 정류판(43)을, 단면에서 보아 웨이퍼(W)에 근접함에 따라 끝으로 갈수록 넓어지는 형상이 되도록 형성하면 좋다. 이에 의해, 처리 유체(70)의 흐름을 효율적으로 분류(分流)시킬 수 있기 때문에, 공급구(38a)로부터 토출되는 처리 유체(70)를, 보다 원활하게 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측과 하면(Wb)측에 유통시킬 수 있다.5, the rectifying plate 43 may be formed so as to become wider toward the end as it approaches the wafer W when viewed from the end face. The flow of the processing fluid 70 can be efficiently branched so that the processing fluid 70 discharged from the supply port 38a can flow more smoothly to the upper surface Wa side of the wafer W And can be distributed to the lower surface (Wb) side.

도 6은 실시형태의 변형예 2에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 변형예 2에서는, 유체 공급 헤더(38)가, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측을 향해 처리 유체(70)를 토출하는 제1 공급구(38a1)와, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)측을 향해 처리 유체(70)를 토출하는 제2 공급구(38a2)를 갖는다. 6 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit 17 according to the second modification of the embodiment. 6, in the modified example 2, the fluid supply header 38 includes a first supply port 38a1 for discharging the processing fluid 70 toward the upper surface Wa side of the wafer W, And a second supply port 38a2 for discharging the processing fluid 70 toward the lower surface Wb side of the wafer W. [

이와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측에 처리 유체(70)를 토출하는 전용의 공급구[제1 공급구(38a1)]와, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)측에 처리 유체(70)를 토출하는 전용의 공급구[제2 공급구(38a2)]를 각각 형성함으로써, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측과 하면(Wb)측에 각각 원활하게 처리 유체(70)를 유통시킬 수 있다. As described above, a supply port (first supply port 38a1) for discharging the process fluid 70 to the upper surface Wa of the wafer W and a supply port (The second supply port 38a2) for discharging the processing liquid 70 from the upper surface Wa and the lower surface Wb of the wafer W by supplying the processing fluid 70 You can distribute it.

이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 양방에, 원활하게 처리 유체(70)를 접촉시킬 수 있다. 따라서, 변형예 2에 의하면, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 더욱 양립시킬 수 있다. This makes it possible to smoothly bring the treatment fluid 70 into contact with both the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb. Therefore, according to the modified example 2, the drying process of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying process of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be further compatible.

변형예 2에서는, 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 공급구(38a1)를 유체 공급 헤더(38)에 있어서 웨이퍼(W)에 마주 보는 측면의 상부에 형성하고, 제2 공급구(38a2)를 동일한 측면의 하부에 형성하면 좋다.6, the first supply port 38a1 is formed in the upper portion of the side surface facing the wafer W in the fluid supply header 38, and the second supply port 38a1 is formed in the second supply port 38a 38a2 may be formed on the lower side of the same side.

한편, 변형예 2에서는, 유체 공급 헤더(38)와 웨이퍼(W) 사이에는 정류판(43)이 설치되어 있지 않으나, 도 7에 도시된 바와 같이, 유체 공급 헤더(38)와 웨이퍼(W) 사이에 정류판(43)을 설치해도 좋다. 도 7은 실시형태의 변형예 3에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이다. 7, the fluid supply header 38 and the wafer W are not provided between the fluid supply header 38 and the wafer W. However, in the modified example 2, And the rectifying plate 43 may be provided between the electrodes. 7 is a cross-sectional view showing an example of the internal structure of the drying processing unit 17 according to Modification 3 of the embodiment.

이와 같이, 유체 공급 헤더(38)에 제1 공급구(38a1)와 제2 공급구(38a2)를 형성하고, 유체 공급 헤더(38)와 웨이퍼(W)의 측면(Wc) 사이에 정류판(43)을 설치함으로써, 제1 공급구(38a1)와 제2 공급구(38a2)로부터 각각 토출되는 처리 유체(70)를, 서로 간섭시키지 않고 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측과 하면(Wb)측에 유통시킬 수 있다. As described above, the first supply port 38a1 and the second supply port 38a2 are formed in the fluid supply header 38 and the flow regulating plate 38a2 is provided between the fluid supply header 38 and the side surface Wc of the wafer W The processing fluid 70 discharged from the first supply port 38a1 and the second supply port 38a2 are supplied to the upper surface Wa side of the wafer W and the lower surface Wb ) Side.

이에 의해, 유체 공급 헤더(38)로부터 토출되는 처리 유체(70)를, 더욱 원활하게 웨이퍼(W)의 상면(Wa)측과 하면(Wb)측에 유통시킬 수 있다. 따라서, 변형예 3에 의하면, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 더욱 양립시킬 수 있다. This makes it possible to distribute the processing fluid 70 discharged from the fluid supply header 38 to the upper surface Wa side and the lower surface Wb side of the wafer W more smoothly. Therefore, according to the modified example 3, the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be further compatible.

한편, 도 7에 도시된 변형예 3에서는, 정류판(43)이 본체(31)의 내부에서의 미리 정해진 개소에 부착되어 있으나, 예컨대, 이러한 정류판(43)을 유체 공급 헤더(38)의 제1 공급구(38a1)와 제2 공급구(38a2) 사이에 부착해도 좋다. 또한, 변형예 3에서는, 변형예 2와 같이, 정류판(43)이 단면에서 보아 끝으로 갈수록 넓어지는 형상이 아니어도 좋다.7, the rectifying plate 43 is attached to a predetermined position inside the main body 31. However, the rectifying plate 43 may be attached to the fluid supply header 38 Or may be attached between the first supply port 38a1 and the second supply port 38a2. In Modification 3, as in Modification 2, the shape of the rectifying plate 43 does not have to become wider from the end face to the end.

계속해서, 도 8a 및 도 8b를 참조하면서, 실시형태의 변형예 4에 따른 건조 처리 유닛(17)의 상세에 대해 설명한다. 도 8a는 실시형태의 변형예 4에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 단면도이고, 도 8b는 실시형태의 변형예 4에 따른 건조 처리 유닛(17)의 내부 구성의 일례를 도시한 평면도이다. Next, the details of the drying processing unit 17 according to the fourth modification of the embodiment will be described with reference to Figs. 8A and 8B. 8A is a cross-sectional view showing an example of the internal configuration of the drying processing unit 17 according to the modification example 4 of the embodiment, FIG. 8B is an example of the internal configuration of the drying processing unit 17 according to the modification example 4 of the embodiment Fig.

한편, 도 8a에 도시된 단면도 중, 유체 공급 헤더(38) 및 유지부(32)에 대해서는, 도 8b에 도시된 B-B선에서 절단한 경우에서의 단면도이다.8A, the fluid supply header 38 and the holding portion 32 are sectional views taken along the line B-B shown in Fig. 8B. In Fig.

변형예 4에서는, 실시형태와 같이 복수의 핀형의 지지부(41)에 의해 웨이퍼(W)를 지지하는 것이 아니라, 하나의 둥근 대(臺)형의 지지부(41)에 의해 웨이퍼(W)를 지지하고 있다. 이와 같이, 대형의 지지부(41)에 의해 웨이퍼(W)를 지지함으로써, 웨이퍼(W)를 보다 안정적으로 지지할 수 있다. 따라서, 변형예 4에 의하면, 초임계 상태의 처리 유체(70)를 이용한 건조 처리를 보다 안정적으로 실시할 수 있다. In the modified example 4, instead of supporting the wafer W by the plurality of pin-shaped support parts 41 as in the embodiment, the wafer W is supported by one round-shaped support part 41 . Thus, the wafer W can be more stably supported by supporting the wafer W by the large support portion 41. [ Therefore, according to the fourth modification, the drying process using the processing fluid 70 in the supercritical state can be performed more stably.

또한, 변형예 4에서는, 실시형태와 마찬가지로, 지지부(41)를 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 외주부 이외의 개소와 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 외주부를 노출시키면 좋다. 이에 의해, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)를 효과적으로 건조 처리할 수 있기 때문에, IPA 액체(71)에 기인하는 파티클의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. In the fourth modified example, the supporting portion 41 is brought into contact with a portion other than the outer peripheral portion of the lower surface Wb of the wafer W to expose the outer peripheral portion of the lower surface Wb of the wafer W It is good. As a result, the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be effectively dried, and hence generation of particles caused by the IPA liquid 71 can be effectively suppressed.

한편, 변형예 4에서는, 지지부(41)가 둥근 대형으로 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)측에서의 하류측에도 원활하게 처리 유체(70)를 유통시킬 수 있다. 한편, 지지부(41)의 형상은 둥근 대형에 한정되지 않고, 그 외의 형상이어도 좋다. On the other hand, in the modified example 4, since the support part 41 is formed in a round shape, the processing fluid 70 can smoothly flow to the downstream side of the wafer W on the lower surface Wb side. On the other hand, the shape of the support portion 41 is not limited to a round shape, but may be any other shape.

또한, 변형예 4에서는, 도 8a에 도시된 바와 같이, 지지부(41)에서의 상면의 가장자리부를 둥글게 하면 좋다. 이러한 형상으로 함으로써, 지지부(41)에 의해 웨이퍼(W)의 하면(Wb)이 깎이는 것을 억제할 수 있다. 8A, it is preferable that the edge portion of the upper surface of the support portion 41 be rounded. By this shape, it is possible to suppress the lower surface Wb of the wafer W from being shaved by the support portion 41.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 여러 가지 변경이 가능하다. 예컨대, 변형예 4에서의 지지부(41)와, 변형예 1에서의 정류판(43)을 조합해도 좋다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. For example, the support portion 41 in Modification 4 and the rectification plate 43 in Modification 1 may be combined.

또한, 변형예 4에서의 지지부(41)와, 변형예 2에서의 유체 공급 헤더(38)를 조합해도 좋다. 또한, 변형예 4에서의 지지부(41)와, 변형예 3에서의 유체 공급 헤더(38) 및 정류판(43)을 조합해도 좋다.The support portion 41 in the fourth modified example and the fluid supply header 38 in the second modified example may be combined. The support portion 41 in the modified example 4 and the fluid supply header 38 and the flow regulating plate 43 in the modified example 3 may be combined.

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 초임계 상태의 처리 유체(70)를 이용하여 패턴을 갖는 상면(Wa)에 액막이 형성된 기판[웨이퍼(W)]을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치로서, 기판[웨이퍼(W)]을 유지하는 유지부(32)와, 처리 공간(31a) 내에 처리 유체(70)를 공급하는 공급부[유체 공급 헤더(38)]를 구비한다. 그리고, 유지부(32)는, 상방으로 돌출되고, 기판[웨이퍼(W)]의 하면(Wb)과 접촉하여 기판[웨이퍼(W)]을 지지하는 지지부(41)를 가지며, 기판[웨이퍼(W)]을 유지한 경우에, 지지부(41)에 의해 기판[웨이퍼(W)]의 하면(Wb)의 적어도 일부를 처리 공간(31a)에 노출시킨다. 이에 의해, 초임계 상태의 처리 유체(70)를 이용한 건조 방법에 있어서, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment is a substrate processing apparatus that performs a drying process for drying a substrate (wafer W) having a liquid film formed on a top surface Wa having a pattern by using the processing fluid 70 in a supercritical state A holding portion 32 for holding the substrate (wafer W), and a supplying portion (fluid supply header 38) for supplying the processing fluid 70 into the processing space 31a. The holding portion 32 has a supporting portion 41 that protrudes upward and comes into contact with the lower surface Wb of the substrate W so as to support the substrate W W), the supporting portion 41 exposes at least a part of the lower surface Wb of the substrate (wafer W) to the processing space 31a. This makes it possible to suppress the generation of particles on the lower surface Wb of the wafer W in the drying method using the processing fluid 70 in the supercritical state.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 유지부(32)는, 기판[웨이퍼(W)]을 유지한 경우에, 지지부(41)에 의해 하면(Wb)의 외주부를 처리 공간(31a)에 노출시킨다. 이에 의해, IPA 액체(71)에 기인하는 파티클의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the embodiment, when the substrate (wafer W) is held by the holding portion 32, the peripheral portion of the lower surface Wb is held by the holding portion 41 in the processing space 31a, Lt; / RTI > As a result, generation of particles caused by the IPA liquid 71 can be effectively suppressed.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 공급부[유체 공급 헤더(38)]와 기판[웨이퍼(W)]의 측면(Wc) 사이에 설치되는 정류판(43)을 더 구비한다. 이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 더욱 양립시킬 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment further includes a rectification plate 43 provided between a supply portion (fluid supply header 38) and a side surface Wc of the substrate (wafer W). Thereby, the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be further compatible.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 공급부[유체 공급 헤더(38)]로부터 토출되는 처리 유체(70)의 방향이, 유지부(32)에 유지되는 기판[웨이퍼(W)]의 측면(Wc)을 향하고 있다. 이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 양립시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the embodiment, the direction of the processing fluid 70 discharged from the supplying section (the fluid supply header 38) is the direction of the substrate (wafer W) held on the holding section 32 (Wc). This makes it possible to combine the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 공급부[유체 공급 헤더(38)]는, 기판[웨이퍼(W)]의 상면(Wa)측을 향해 처리 유체(70)를 토출하는 제1 공급구(38a1)와, 기판[웨이퍼(W)]의 하면(Wb)측을 향해 처리 유체(70)를 토출하는 제2 공급구(38a2)를 갖는다. 이에 의해, 상면(Wa)에 적용된 IPA 액체(71)의 건조 처리와, 하면(Wb)으로 돌아 들어간 IPA 액체(71)의 건조 처리를 더욱 양립시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the embodiment, the supply section (fluid supply header 38) is provided with a first supply port for discharging the processing fluid 70 toward the upper surface Wa side of the substrate (wafer W) And a second supply port 38a2 for discharging the processing fluid 70 toward the lower surface Wb side of the substrate W. [ Thereby, the drying treatment of the IPA liquid 71 applied to the upper surface Wa and the drying treatment of the IPA liquid 71 returned to the lower surface Wb can be further compatible.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 유지부(32)는, 상방으로 돌출되어 기판[웨이퍼(W)]의 측면(Wc)에 인접하여, 공급부[유체 공급 헤더(38)]로부터 토출되는 처리 유체(70)에 의해 기판[웨이퍼(W)]이 어긋나는 것을 억제하는 어긋남 억제부(42)를 더 갖는다. 이에 의해, 만일 처리 유체(70)의 흐름에 의해 웨이퍼(W)가 하류측으로 떠밀려 갈 것 같이 된 경우라도, 웨이퍼(W)가 하류측으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the embodiment, the holding portion 32 is provided so as to protrude upward so as to be adjacent to the side surface Wc of the substrate (wafer W) and to discharge from the supply portion (fluid supply header 38) (Wafer W) is prevented from being displaced by the processing fluid 70 to be processed. Thus, even if the wafer W is pushed toward the downstream side by the flow of the processing fluid 70, it is possible to prevent the wafer W from deviating to the downstream side.

한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출될 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부의 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.Further effects or variations can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and shown above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

W: 웨이퍼 Wa: 상면
Wb: 하면 Wc: 측면
1: 기판 처리 시스템 4: 제어 장치
16: 세정 처리 유닛 17: 건조 처리 유닛
19: 제어부 31: 본체
31a: 처리 공간 32: 유지부
33: 덮개 부재 34: 개구부
38: 유체 공급 헤더 38a: 공급구
38a1: 제1 공급구 38a2: 제2 공급구
41: 지지부 42: 어긋남 억제부
43: 정류판 70: 처리 유체
71: IPA 액체W: wafer Wa: upper surface
Wb: When Wc: Side
1: substrate processing system 4: control device
16: cleaning processing unit 17: drying processing unit
19: control unit 31:
31a: processing space 32:
33: lid member 34: opening
38: fluid supply header 38a:
38a1: first supply port 38a2: second supply port
41: Support part 42:
43: rectification plate 70: treatment fluid
71: IPA liquid

Claims

There is provided a substrate processing apparatus for performing a drying process for drying a substrate on which a liquid film is formed on an upper surface having a pattern by using a processing fluid in a supercritical state,
A holding portion for holding the substrate;
A supply section for supplying the processing fluid into the processing space,
Lt; / RTI >
The holding unit includes:
And a support portion protruding upward and supporting the substrate in contact with a lower surface of the substrate, wherein, when the substrate is held, at least a part of the lower surface of the substrate is exposed to the processing space by the support portion / RTI >

The apparatus according to claim 1,
Wherein the holding portion is provided at a side of the substrate held by the holding portion.

3. The apparatus according to claim 1 or 2,
Wherein when the substrate is held, the outer peripheral portion of the lower surface is exposed to the processing space by the supporting portion.

3. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a rectifying plate provided between the supply portion and the side surface of the substrate.

3. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein a direction of the processing fluid discharged from the supply section is directed to a side surface of the substrate held by the holding section.

3. The apparatus according to claim 1 or 2,
A first supply port for discharging the processing fluid toward the upper surface side of the substrate; and a second supply port for discharging the processing fluid toward the lower surface side of the substrate.

3. The apparatus according to claim 1 or 2,
Further comprising a displacement suppressing portion which protrudes upward so as to be adjacent to a side surface of the substrate and which suppresses displacement of the substrate by the processing fluid discharged from the supply portion.