JP2003045826A - 高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ - Google Patents
高周波部品の製造方法及び高周波部品チップInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 誘電体基板を賽の目状に切断する際の切断面
を直角に切断可能な高周波部品の製造方法及び高周波部
品チップを得る。 【解決手段】 誘電体基板１の裏面１１に第１のダイシ
ング溝１０を形成するプロセスと、第１のダイシング溝
１０をマーカーとして誘電体基板１の表面１２に第２の
ダイシング溝用マーカーと高周波部品を形成するプロセ
スと、第２のダイシング溝用マーカーに沿って第１のダ
イシング溝１０より狭く、第１のダイシング溝１０に達
する第２のダイシング溝１９を形成するプロセスとから
成る。
を直角に切断可能な高周波部品の製造方法及び高周波部
品チップを得る。 【解決手段】 誘電体基板１の裏面１１に第１のダイシ
ング溝１０を形成するプロセスと、第１のダイシング溝
１０をマーカーとして誘電体基板１の表面１２に第２の
ダイシング溝用マーカーと高周波部品を形成するプロセ
スと、第２のダイシング溝用マーカーに沿って第１のダ
イシング溝１０より狭く、第１のダイシング溝１０に達
する第２のダイシング溝１９を形成するプロセスとから
成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波部品の製造方
法及び高周波部品用チップに係わり、特に高周波部品を
パターニングした誘電体基板の切断方法の改良及びその
方法で得られた高周部品チップに関する。
法及び高周波部品用チップに係わり、特に高周波部品を
パターニングした誘電体基板の切断方法の改良及びその
方法で得られた高周部品チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、高周波部品として、１ＧＨｚ
〜１０ＧＨｚ程度の高周波帯域で用いる部品は回路を分
布定数回路として考慮する必要があり、通信装置やレー
ダ装置に利用されているマイクロ波集積回路（ＭＩＣ：
Microwave Integnated Crcuit）増幅器等では図５の
（Ａ）に示す様にアルミナ、石英、サファイア、テフロ
ン（登録商標）基板等の誘電体基板１上に予め写真合剤
技術でマイクロストリップ線路３、チップキャパシタ
４、窒化タンタル薄膜抵抗５等をパターニングし、ＥＦ
Ｔ２等を実装しハイブリッドＩＣと成されている。尚６
はキャリアプレートを示している。
〜１０ＧＨｚ程度の高周波帯域で用いる部品は回路を分
布定数回路として考慮する必要があり、通信装置やレー
ダ装置に利用されているマイクロ波集積回路（ＭＩＣ：
Microwave Integnated Crcuit）増幅器等では図５の
（Ａ）に示す様にアルミナ、石英、サファイア、テフロ
ン（登録商標）基板等の誘電体基板１上に予め写真合剤
技術でマイクロストリップ線路３、チップキャパシタ
４、窒化タンタル薄膜抵抗５等をパターニングし、ＥＦ
Ｔ２等を実装しハイブリッドＩＣと成されている。尚６
はキャリアプレートを示している。
【０００３】上述の様な高周波部品の誘電体基板１は上
記した様な各種受動素子がパターニングされたウェーハ
の様な大型の基板を格子状にダイシングブレード等を用
いて分割した高周波部品チップ７同志を例えば図５
（Ｂ）で示す様に互に突合せ面９で対向させて、マイク
ロストリップ線路３同志、或は図５（Ａ）の様にＦＥＴ
２とマイクロストリップ線路３とをボンディングワイヤ
８を介してボンディングする様に成されている。
記した様な各種受動素子がパターニングされたウェーハ
の様な大型の基板を格子状にダイシングブレード等を用
いて分割した高周波部品チップ７同志を例えば図５
（Ｂ）で示す様に互に突合せ面９で対向させて、マイク
ロストリップ線路３同志、或は図５（Ａ）の様にＦＥＴ
２とマイクロストリップ線路３とをボンディングワイヤ
８を介してボンディングする様に成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の高周波部品チッ
プ７の誘電体基板１の突合せ面９を模式的に図５（Ｃ）
に拡大して示す。この様に大型基板を賽の目状に基板の
表面から切断する場合ダイシングブレードのフランジよ
り突き出た刃の先端部で基板が切断される場合は刃先の
形状に応じてテーパ状に、或は刃先が摩耗等で丸められ
て略半円状に切断されるため、突合せ面９が垂直に仕上
がらない。従って、図５（Ｃ）の様にボンディングワイ
ヤ８で接続する部分では高周波部品チップ７の突合せ面
９が互に密に接合されない状態が発生する。
プ７の誘電体基板１の突合せ面９を模式的に図５（Ｃ）
に拡大して示す。この様に大型基板を賽の目状に基板の
表面から切断する場合ダイシングブレードのフランジよ
り突き出た刃の先端部で基板が切断される場合は刃先の
形状に応じてテーパ状に、或は刃先が摩耗等で丸められ
て略半円状に切断されるため、突合せ面９が垂直に仕上
がらない。従って、図５（Ｃ）の様にボンディングワイ
ヤ８で接続する部分では高周波部品チップ７の突合せ面
９が互に密に接合されない状態が発生する。
【０００５】上述の様な突合せ面９が生ずると誘電体基
板７の誘電率をｅ1 とするとアルミナ基板等では誘電率
９．８程度に対し、ボンディングワイヤ８が架橋される
突合せ面９では隙間があるため空気が充填された状態で
あり、空気の誘電率はｅ0 ＝１となるため、マイクロス
トリップ線路３を介して流れる１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ程
度の高周波電流はボンディングワイヤ８部分で反射損失
が増加し、伝送定数の不連続性が大きくなる課題を有し
ていた。
板７の誘電率をｅ1 とするとアルミナ基板等では誘電率
９．８程度に対し、ボンディングワイヤ８が架橋される
突合せ面９では隙間があるため空気が充填された状態で
あり、空気の誘電率はｅ0 ＝１となるため、マイクロス
トリップ線路３を介して流れる１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ程
度の高周波電流はボンディングワイヤ８部分で反射損失
が増加し、伝送定数の不連続性が大きくなる課題を有し
ていた。
【０００６】本発明は叙上の課題を解消するために成さ
れたもので、発明が解決しようとする課題は大型基板切
断時の賽の目状の切断面が垂直と成され、突合せ面に隙
間を小さくする様にし、ボンディングでの高周波特性の
劣化を防止可能な高周波部品の製造方法及び高周波部品
用チップを提供しようとするものである。
れたもので、発明が解決しようとする課題は大型基板切
断時の賽の目状の切断面が垂直と成され、突合せ面に隙
間を小さくする様にし、ボンディングでの高周波特性の
劣化を防止可能な高周波部品の製造方法及び高周波部品
用チップを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わる本発明
は誘電体基板１をダイシングして複数のチップ基板７に
分割して高周波部品を得るように成した高周波部品の製
造方法であって、誘電体基板１の裏面１１に第１のダイ
シング溝１０を形成するプロセスと、誘電体基板１の第
１のダイシング溝１０をマーカとして誘電体基板１の表
面に第２のダイシング溝用マーカ１４と高周波部品１
５，１６を形成するプロセスと、第２のダイシング溝用
マーカ１４に沿って第１のダイシング溝１０より狭く、
第１のダイシング溝１０に達する第２のダイシング溝１
９を形成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法
としたものである。
は誘電体基板１をダイシングして複数のチップ基板７に
分割して高周波部品を得るように成した高周波部品の製
造方法であって、誘電体基板１の裏面１１に第１のダイ
シング溝１０を形成するプロセスと、誘電体基板１の第
１のダイシング溝１０をマーカとして誘電体基板１の表
面に第２のダイシング溝用マーカ１４と高周波部品１
５，１６を形成するプロセスと、第２のダイシング溝用
マーカ１４に沿って第１のダイシング溝１０より狭く、
第１のダイシング溝１０に達する第２のダイシング溝１
９を形成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法
としたものである。
【０００８】請求項２に係わる本発明は誘電体基板１を
ダイシングして複数のチップ基板７に分割して高周波部
品を得るように成した高周波部品の製造方法であって、
誘電体基板１の表面１２に高周波部品をパターニングす
るプロセスと、パターニングしたパターンを基に誘電体
基板１の裏面１１にダイシング溝用のマーキング２０を
施すプロセスと、マーキング２０に沿って、第１のダイ
シング溝１０を形成するプロセスと、誘電体基板１の表
面１２より、第１のダイシング溝１１より狭く、第１の
ダイシング溝１１に達する第２のダイシング溝１９を形
成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法とした
ものである。
ダイシングして複数のチップ基板７に分割して高周波部
品を得るように成した高周波部品の製造方法であって、
誘電体基板１の表面１２に高周波部品をパターニングす
るプロセスと、パターニングしたパターンを基に誘電体
基板１の裏面１１にダイシング溝用のマーキング２０を
施すプロセスと、マーキング２０に沿って、第１のダイ
シング溝１０を形成するプロセスと、誘電体基板１の表
面１２より、第１のダイシング溝１１より狭く、第１の
ダイシング溝１１に達する第２のダイシング溝１９を形
成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法とした
ものである。
【０００９】請求項３に係わる本発明は第１のダイシン
グ溝１０の深さを第２のダイシング溝１９を形成するダ
イシングブレード１８の刃の先端から摩耗が生じている
長さ（チップ）の長さより深くなしたことを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の高周波部品の製造方法とし
たものである。
グ溝１０の深さを第２のダイシング溝１９を形成するダ
イシングブレード１８の刃の先端から摩耗が生じている
長さ（チップ）の長さより深くなしたことを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の高周波部品の製造方法とし
たものである。
【００１０】請求項４に係わる本発明は少くとも誘電体
基板１上に高周波部品１６と電極１５をパターニングし
た高周波部品用チップ７であって、複数の高周波部品用
チップ７の誘電体基板１を互に対向させ、電極１５間を
ワイヤボンディングさせる様にした誘電体基板１の窓合
せ面９の裏面１１に溝１０を形成させたことを特徴とす
る高周波部品用チップとしたものである。
基板１上に高周波部品１６と電極１５をパターニングし
た高周波部品用チップ７であって、複数の高周波部品用
チップ７の誘電体基板１を互に対向させ、電極１５間を
ワイヤボンディングさせる様にした誘電体基板１の窓合
せ面９の裏面１１に溝１０を形成させたことを特徴とす
る高周波部品用チップとしたものである。
【００１１】斯かる、本発明の高周波部品の製造方法及
び高周波部品チップによれば大型の基板を賽の目状に切
断する際の切断面が垂直になり、高周波部品チップを突
合せ面で突き合せてボンディングする場合に隙間が生ぜ
ずこのボンディング部分での高周波電流の反射、損失を
少なくすることが可能なものが簡単に得られる。
び高周波部品チップによれば大型の基板を賽の目状に切
断する際の切断面が垂直になり、高周波部品チップを突
合せ面で突き合せてボンディングする場合に隙間が生ぜ
ずこのボンディング部分での高周波電流の反射、損失を
少なくすることが可能なものが簡単に得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波部品の製造
方法及び高周波部品用チップの１形態例を図１乃至図３
によって詳記する。図１（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の１形
態の高周波部品チップの製造工程説明図、図２（Ａ）〜
（Ｆ）は本発明の他の形態の高周波部品チップの製造工
程説明図、図３（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の高周波部品用
チップの接合面の測定方法及び測定結果を示す曲線図で
ある。
方法及び高周波部品用チップの１形態例を図１乃至図３
によって詳記する。図１（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の１形
態の高周波部品チップの製造工程説明図、図２（Ａ）〜
（Ｆ）は本発明の他の形態の高周波部品チップの製造工
程説明図、図３（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の高周波部品用
チップの接合面の測定方法及び測定結果を示す曲線図で
ある。
【００１３】図１（Ａ）〜（Ｆ）に於いて、本例の高周
波部品チップ７はＮｉＣｒやＴａＮを用いた高周波用抵
抗１６とＡｕ等を用いて電極１５を誘電体基板１上にパ
ターニングした場合について説明する。
波部品チップ７はＮｉＣｒやＴａＮを用いた高周波用抵
抗１６とＡｕ等を用いて電極１５を誘電体基板１上にパ
ターニングした場合について説明する。
【００１４】図１（Ａ）は大型のアルミナ等の誘電体基
板１としてを示し、この大型基板１を賽の目状に切断し
て、図１（Ｂ）に示す様な複数の高周波部品チップ７を
形成するものであり、図１（Ｂ）の高周波部品チップ７
では高周波抵抗１６と電極１５からなる高周波部品が高
周波部品チップ７上に並設してパターニングされてい
る。
板１としてを示し、この大型基板１を賽の目状に切断し
て、図１（Ｂ）に示す様な複数の高周波部品チップ７を
形成するものであり、図１（Ｂ）の高周波部品チップ７
では高周波抵抗１６と電極１５からなる高周波部品が高
周波部品チップ７上に並設してパターニングされてい
る。
【００１５】本発明の高周波部品の製造方法の第１のプ
ロセスは図１（Ｃ）に示す様に大型の基板（以下ウェー
ハと記す）で構成された誘電体基板１の表面１２にダイ
シングシート等の粘着テープ１３を貼着させ誘電体基板
１の裏面１１に第１のダイシングブレード１７で賽の目
状の第１のダイシング溝１０を切削する。
ロセスは図１（Ｃ）に示す様に大型の基板（以下ウェー
ハと記す）で構成された誘電体基板１の表面１２にダイ
シングシート等の粘着テープ１３を貼着させ誘電体基板
１の裏面１１に第１のダイシングブレード１７で賽の目
状の第１のダイシング溝１０を切削する。
【００１６】この第１のダイシングブレード１７の歯幅
は１３０μｍ程度のものを選択する。ウェーハの厚みは
１ｍｍ程度であり、第１のダイシング溝１０の深さを第
２のダイシングブレードの先端から摩耗が生じている長
さより長い３００μｍ程度に選択する。
は１３０μｍ程度のものを選択する。ウェーハの厚みは
１ｍｍ程度であり、第１のダイシング溝１０の深さを第
２のダイシングブレードの先端から摩耗が生じている長
さより長い３００μｍ程度に選択する。
【００１７】この場合、第１のダイシングブレード１７
の刃先は鋭った状態であるが、摩耗等で丸くなって、切
削が成された状態を示している。
の刃先は鋭った状態であるが、摩耗等で丸くなって、切
削が成された状態を示している。
【００１８】次のプロセスでは図１（Ｄ）に示す様にウ
ェーハを反転させて、表面１２側に高周波抵抗１６はＮ
ｉＣｒを、電極１５はＡｕを用いて写真合剤技術でパタ
ーニングする。この際に両面露光装置を用いてウェーハ
即ち、誘電体基板１の裏側に形成した第１のパターニン
グ溝１０に合せて第２のダイシング溝用マーカ１４を同
時にパターニングする。
ェーハを反転させて、表面１２側に高周波抵抗１６はＮ
ｉＣｒを、電極１５はＡｕを用いて写真合剤技術でパタ
ーニングする。この際に両面露光装置を用いてウェーハ
即ち、誘電体基板１の裏側に形成した第１のパターニン
グ溝１０に合せて第２のダイシング溝用マーカ１４を同
時にパターニングする。
【００１９】次のプロセスでは図１（Ｅ）に示す様に裏
面１１側に粘着テープ１３を貼着させ第１のダイシング
ブレード１７より刃厚の薄い、例えば１００μｍの第２
のダイシングブレード１８でウェーハの表面１２側から
マーカ１４に沿って賽の目状に粘着テープ１３に達する
迄、切断して複数の２．５ｍｍ□程度の図１（Ｂ）に示
す高周波部品チップ７を完成させる。
面１１側に粘着テープ１３を貼着させ第１のダイシング
ブレード１７より刃厚の薄い、例えば１００μｍの第２
のダイシングブレード１８でウェーハの表面１２側から
マーカ１４に沿って賽の目状に粘着テープ１３に達する
迄、切断して複数の２．５ｍｍ□程度の図１（Ｂ）に示
す高周波部品チップ７を完成させる。
【００２０】上述の様に切断を行なうと第２のダイシン
グブレード１８の先端部で摩耗が生じている長さは第１
のダイシング溝１０の３００μｍ内に収まるため図５
（Ｃ）で説明した様に切断した突合せ面９が台形状にな
ることなく図１（Ｅ）のＡ部拡大図の図１（Ｆ）に示す
様に垂直（９０°）に切断出来て、突合せ面９間に隙間
を小さくし、この部分で誘電率が変化する弊害が除去で
きる。
グブレード１８の先端部で摩耗が生じている長さは第１
のダイシング溝１０の３００μｍ内に収まるため図５
（Ｃ）で説明した様に切断した突合せ面９が台形状にな
ることなく図１（Ｅ）のＡ部拡大図の図１（Ｆ）に示す
様に垂直（９０°）に切断出来て、突合せ面９間に隙間
を小さくし、この部分で誘電率が変化する弊害が除去で
きる。
【００２１】図２（Ａ）乃至図２（Ｆ）は本発明の高周
波部品の製造方法を示す他の形態例を示すものであり、
図２（Ａ）に示すウェーハ即ち誘電体基板１上には図２
（Ｂ）に示す高周波抵抗１６及び電極１５の複数組が格
子内にマーカと共にパターニングされている。
波部品の製造方法を示す他の形態例を示すものであり、
図２（Ａ）に示すウェーハ即ち誘電体基板１上には図２
（Ｂ）に示す高周波抵抗１６及び電極１５の複数組が格
子内にマーカと共にパターニングされている。
【００２２】この様にパターニングされているウェーハ
を反転させて、図２（Ｃ）に示す様に両面露光機によっ
て表側の高周波抵抗１６のパターン側を見ながら或は表
面１２に形成した（図示せず）マーカに基づいて誘電体
基板１にレジストを塗布した後、第１のダイシング溝用
マーカ２０を格子状にパターニングする。
を反転させて、図２（Ｃ）に示す様に両面露光機によっ
て表側の高周波抵抗１６のパターン側を見ながら或は表
面１２に形成した（図示せず）マーカに基づいて誘電体
基板１にレジストを塗布した後、第１のダイシング溝用
マーカ２０を格子状にパターニングする。
【００２３】次のプロセスでは図２（Ｄ）に示す様に刃
幅が１５０μｍの第１のダイシングブレード１７で誘電
体基板１の裏面１１に第１のダイシング溝用マーカ２０
に沿って深さ３００μｍの切削を行ない第１のダイシン
グ溝１０を形成する。
幅が１５０μｍの第１のダイシングブレード１７で誘電
体基板１の裏面１１に第１のダイシング溝用マーカ２０
に沿って深さ３００μｍの切削を行ない第１のダイシン
グ溝１０を形成する。
【００２４】次のプロセスではウェーハを反転させて図
２（Ｅ）に示す様に裏面１１側に粘着テープ１３を貼着
させ、第１のダイシングブレード１７より刃厚の薄い、
例えば１００μｍの第２のダイシングブレード１８でウ
ェーハの裏面１２側からマーカ２０に沿って賽の目状に
粘着テープ１３に達する迄、切断して複数の２．５ｍｍ
□程度の図２（Ｂ）に示す高周波部品チップ７を完成さ
せた。
２（Ｅ）に示す様に裏面１１側に粘着テープ１３を貼着
させ、第１のダイシングブレード１７より刃厚の薄い、
例えば１００μｍの第２のダイシングブレード１８でウ
ェーハの裏面１２側からマーカ２０に沿って賽の目状に
粘着テープ１３に達する迄、切断して複数の２．５ｍｍ
□程度の図２（Ｂ）に示す高周波部品チップ７を完成さ
せた。
【００２５】上述の様な切断のプロセスに於いても第２
のダイシングブレード１８の刃先（チップ）は第１のダ
イシング溝１０の３００μｍ内に収まるため図５（Ｃ）
で説明した様に切断した突合せ面９が台形状になること
がなく、図２（Ｆ）に示す様に垂直（９０°）になるの
で突合せ面９に隙間を小さくし、この部分で誘電率が変
化することのない高周波部品チップ７が得られる。
のダイシングブレード１８の刃先（チップ）は第１のダ
イシング溝１０の３００μｍ内に収まるため図５（Ｃ）
で説明した様に切断した突合せ面９が台形状になること
がなく、図２（Ｆ）に示す様に垂直（９０°）になるの
で突合せ面９に隙間を小さくし、この部分で誘電率が変
化することのない高周波部品チップ７が得られる。
【００２６】尚、上述の構成では図１（Ｅ）及び図２
（Ｅ）で粘着テープ（シート）１３をウェーハの裏面１
１に貼着させた場合を説明したが、本発明では裏面側に
シートを貼着しなくても第１のダイシング溝１０を先に
形成してあるため完全に賽の目状に切断をすることが出
来る。
（Ｅ）で粘着テープ（シート）１３をウェーハの裏面１
１に貼着させた場合を説明したが、本発明では裏面側に
シートを貼着しなくても第１のダイシング溝１０を先に
形成してあるため完全に賽の目状に切断をすることが出
来る。
【００２７】図３は本発明の高周波部品チップ７の突合
せ面９の平行状態の測定結果を示す計測波形及びその測
定方法の説明図である。
せ面９の平行状態の測定結果を示す計測波形及びその測
定方法の説明図である。
【００２８】図３（Ａ）に示す様に測定器ステージ２３
上に切断終了した高周波部品チップ７の誘電体基板１を
載置固定させ、誘電体基板１の突合せ面９の近傍を上側
からレーザー光２４で照射し、レーザー光の反射波の経
路の違いを用いた表面形状測定器を用いて計測を行なっ
た。
上に切断終了した高周波部品チップ７の誘電体基板１を
載置固定させ、誘電体基板１の突合せ面９の近傍を上側
からレーザー光２４で照射し、レーザー光の反射波の経
路の違いを用いた表面形状測定器を用いて計測を行なっ
た。
【００２９】図３（Ｂ）は従来の切断方法によって切断
した切断面の計測波形であり、図３（Ｃ）は本発明の切
断方法によって切断した切断面の計測波形を示す。
した切断面の計測波形であり、図３（Ｃ）は本発明の切
断方法によって切断した切断面の計測波形を示す。
【００３０】図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）で誘電体基板１
の厚さＺ＝１０１０．０μｍで従来例の図３（Ｂ）では
Ｘ＝５２．００μｍに対し本発明の切断方法では図３
（Ｃ）の様にＸ＝２．０８μｍであり、従来の平均的な
Ｘ方向の出っ張り５０μｍ〜７０μｍに対し、２．０８
〜２．６μｍにすることが出来て、突合せ面９の垂直度
は直角に切断出来ていることが解かる。
の厚さＺ＝１０１０．０μｍで従来例の図３（Ｂ）では
Ｘ＝５２．００μｍに対し本発明の切断方法では図３
（Ｃ）の様にＸ＝２．０８μｍであり、従来の平均的な
Ｘ方向の出っ張り５０μｍ〜７０μｍに対し、２．０８
〜２．６μｍにすることが出来て、突合せ面９の垂直度
は直角に切断出来ていることが解かる。
【００３１】図４は本発明の高周波部品チップ７の他の
構成例を示すもので、上述の切断方法は高周波部品チッ
プ７として高周波抵抗１６を誘電体基板１にパターニン
グしたが図４（Ａ）に示す様に構成させることも出来る
図４（Ａ）の構成はマイクロ波ＦＥＴチップ２５のチッ
プと対向配置させた高周波コンデンサＣ及び高周波抵抗
Ｒをパターニングしたチップ２６と、このチップ２６と
対向配置させマイクロストリップラインＳＬをパターニ
ングさせたチップ２７をボンディングワイヤ８を介して
ボンディングさせる様に成した場合であり、これら各チ
ップ２５，２６，２７，の各対向面は図４（Ｂ）に示す
様に突合せ面９が垂直で図４（Ｃ）に示す様に隙間２９
を生ずることなく完全に対接させることが出来る高周波
部品チップ７を得ることが出来る。
構成例を示すもので、上述の切断方法は高周波部品チッ
プ７として高周波抵抗１６を誘電体基板１にパターニン
グしたが図４（Ａ）に示す様に構成させることも出来る
図４（Ａ）の構成はマイクロ波ＦＥＴチップ２５のチッ
プと対向配置させた高周波コンデンサＣ及び高周波抵抗
Ｒをパターニングしたチップ２６と、このチップ２６と
対向配置させマイクロストリップラインＳＬをパターニ
ングさせたチップ２７をボンディングワイヤ８を介して
ボンディングさせる様に成した場合であり、これら各チ
ップ２５，２６，２７，の各対向面は図４（Ｂ）に示す
様に突合せ面９が垂直で図４（Ｃ）に示す様に隙間２９
を生ずることなく完全に対接させることが出来る高周波
部品チップ７を得ることが出来る。
【００３２】
【発明の効果】本発明の高周波部品の製造方法及び高周
波部品チップによると誘電体基板の切断時の切断面が垂
直に切断出来て、基板の表面側からの切断は摩耗する先
端を用いないため仕上りの直角度がよくなり、突合せ面
での隙間が小さくなってボンディングワイヤ部分での反
射及び損失が減少した高周波部品チップが得られる。更
にダイシングシート等の粘着テープを用いなくてもウェ
ーハのフルカットが可能でブレードの摩耗や破損を少な
くすることが出来る効果を有する。
波部品チップによると誘電体基板の切断時の切断面が垂
直に切断出来て、基板の表面側からの切断は摩耗する先
端を用いないため仕上りの直角度がよくなり、突合せ面
での隙間が小さくなってボンディングワイヤ部分での反
射及び損失が減少した高周波部品チップが得られる。更
にダイシングシート等の粘着テープを用いなくてもウェ
ーハのフルカットが可能でブレードの摩耗や破損を少な
くすることが出来る効果を有する。
【図１】本発明の高周波部品の製造方法の１形態例の工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図２】本発明の高周波部品の製造方法の他の形態例の
工程を示す説明図である。
工程を示す説明図である。
【図３】本発明及び従来のチップの突合せ面の測定比較
曲線図である。
曲線図である。
【図４】本発明の高周波部品チップの接合状態の１例を
示す斜視図及び要部の側断面図である。
示す斜視図及び要部の側断面図である。
【図５】従来の高周波部品チップ及び基板の突合せ面の
説明図である。
説明図である。
１‥‥誘電体基板（ウェーハ）、７‥‥高周波部品チッ
プ、１０‥‥第１のダイシング溝、１７‥‥第１のダイ
シングブレード、１８‥‥第２のダイシングブレード、
１９‥‥第２のダイシング溝
プ、１０‥‥第１のダイシング溝、１７‥‥第１のダイ
シングブレード、１８‥‥第２のダイシングブレード、
１９‥‥第２のダイシング溝
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体基板をダイシングして複数のチッ
プ基板に分割して高周波部品を得るように成した高周波
部品の製造方法であって、 上記誘電体基板の裏面に第１のダイシング溝を形成する
プロセスと、 上記誘電体基板の上記第１のダイシング溝をマーカとし
て該誘電体基板の表面に第２のダイシング溝用マーカと
高周波部品を形成するプロセスと、 上記第２のダイシング溝用マーカに沿って上記第１のダ
イシング溝より狭く、該第１のダイシング溝に達する第
２のダイシング溝を形成するプロセスとより成る高周波
部品の製造方法。 - 【請求項２】 誘電体基板をダイシングして複数のチッ
プ基板に分割して高周波部品を得るように成した高周波
部品の製造方法であって、 上記誘電体基板の表面に高周波部品をパターニングする
プロセスと、 上記パターニングしたパターンを基に上記誘電体基板の
裏面にダイシング溝用のマーキングを施すプロセスと、 上記マーキングに沿って、第１のダイシング溝を形成す
るプロセスと、 上記誘電体基板の表面より、第１のダイシング溝より狭
く、該第１のダイシング溝に達する第２のダイシング溝
を形成するプロセスとより成る高周波部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１のダイシング溝の深さを前記第
２のダイシング溝を形成するダイシングブレードの刃の
先端から摩耗が生じている長さより深くなしたことを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波部品の製造
方法。 - 【請求項４】 少くとも誘電体基板上に高周波部品と電
極をパターニングした高周波部品用チップであって、 上記複数の高周波部品用チップの上記誘電体基板を互に
対向させ、上記電極間をワイヤボンディングさせる様に
した該誘電体基板の突合せ面の裏面に溝を形成させたこ
とを特徴とする高周波部品用チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233861A JP2003045826A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233861A JP2003045826A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045826A true JP2003045826A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19065580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001233861A Pending JP2003045826A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003045826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7405137B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Method of dicing a semiconductor substrate into a plurality of semiconductor chips by forming two cutting grooves on one substrate surface and forming one cutting groove on an opposite substrate surface that overlaps the two cutting grooves |
-
2001
- 2001-08-01 JP JP2001233861A patent/JP2003045826A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7405137B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Method of dicing a semiconductor substrate into a plurality of semiconductor chips by forming two cutting grooves on one substrate surface and forming one cutting groove on an opposite substrate surface that overlaps the two cutting grooves |
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