JP2003045472A - 半導体製造システム - Google Patents
半導体製造システムInfo
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- JP2003045472A JP2003045472A JP2001233455A JP2001233455A JP2003045472A JP 2003045472 A JP2003045472 A JP 2003045472A JP 2001233455 A JP2001233455 A JP 2001233455A JP 2001233455 A JP2001233455 A JP 2001233455A JP 2003045472 A JP2003045472 A JP 2003045472A
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- Y02E60/30—Hydrogen technology
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は半導体の製造過程で排出される可燃
性ガスの処理においてガスの処理を行ないながら、その
化学エネルギーを回収する半導体製造システムに関する
ものである。 【解決手段】原料ガス供給系１１から供給される可燃性
ガスを含むガスは半導体製造部１２を経由し、粉体フィ
ルター１３、および圧力制御部１４を経由して、排気ガ
ス処理系２に導入される。ます、化学フィルター２１で
金属を含むガスが除去された後、２２からの流量信号が
ガス流量変動補償制御部２３に渡され、適切な条件設定
がなされて、水素酸素燃料電池型ガス分解部２４に導入
される。排気ガスは主に水蒸気と炭酸ガスとに変換され
るとともに、可燃ガスの持っていた化学エネルギーは電
気エネルギーと熱エネルギーとして回収される。
性ガスの処理においてガスの処理を行ないながら、その
化学エネルギーを回収する半導体製造システムに関する
ものである。 【解決手段】原料ガス供給系１１から供給される可燃性
ガスを含むガスは半導体製造部１２を経由し、粉体フィ
ルター１３、および圧力制御部１４を経由して、排気ガ
ス処理系２に導入される。ます、化学フィルター２１で
金属を含むガスが除去された後、２２からの流量信号が
ガス流量変動補償制御部２３に渡され、適切な条件設定
がなされて、水素酸素燃料電池型ガス分解部２４に導入
される。排気ガスは主に水蒸気と炭酸ガスとに変換され
るとともに、可燃ガスの持っていた化学エネルギーは電
気エネルギーと熱エネルギーとして回収される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素、炭化水素ガ
ス、アルコールまたはアンモニアなどを含んだ原料ガス
により半導体を形成または処理した後に排出される排ガ
スを無害化または不燃化する装置を備えた半導体製造シ
ステムに関する。
ス、アルコールまたはアンモニアなどを含んだ原料ガス
により半導体を形成または処理した後に排出される排ガ
スを無害化または不燃化する装置を備えた半導体製造シ
ステムに関する。
【０００２】
【従来技術】半導体技術の進展に伴い、半導体製造にお
いては様々なガスが原料ガスとして用いられている。フ
ッ素や塩素を含んだハロゲンガスやフルオロカーボンガ
ス、水素やアンモニアを含んだ可燃性ガス、そしてアル
ゴンや窒素などの不活性ガスなどである。本発明に属す
る半導体製造システムは特に水素やアンモニアを含む半
導体製造システムである。例えば、シリコンの結晶成長
システムでは水素とシランガス（SiH4、Si2H6）が用い
られる。ダイアモンド気相成長装置ではメタンガスやア
ルコール類が用いられる。MOCVD法によるIII族窒化物半
導体製造ではIII族有機金属化合物とアンモニアおよび
水素が用いられる。
いては様々なガスが原料ガスとして用いられている。フ
ッ素や塩素を含んだハロゲンガスやフルオロカーボンガ
ス、水素やアンモニアを含んだ可燃性ガス、そしてアル
ゴンや窒素などの不活性ガスなどである。本発明に属す
る半導体製造システムは特に水素やアンモニアを含む半
導体製造システムである。例えば、シリコンの結晶成長
システムでは水素とシランガス（SiH4、Si2H6）が用い
られる。ダイアモンド気相成長装置ではメタンガスやア
ルコール類が用いられる。MOCVD法によるIII族窒化物半
導体製造ではIII族有機金属化合物とアンモニアおよび
水素が用いられる。
【０００３】一般的に原料ガスは１００％の効率で半導
体の形成に消費されるのではなく、未使用または未分解
の原料ガスが必ず排出される。この排出ガスの処理とし
ては、例えば、少量のメタンやアルコール類では希釈さ
れて大気放散される。水素ガスの場合、処理量によって
異なるが現行では、バーナーによる燃焼方式または大量
空気希釈大気放散方式が用いられている。アンモニアガ
スの場合、大量の水または酸性水溶液による湿式方式、
バーナーによる燃焼方式、触媒による水素変換方式そし
て触媒燃焼方式がある。III族窒化物半導体製造のよう
に一分間に数リットルから数百リットルの大量の水素や
アンモニアの処理では、上記湿式方式または触媒燃焼方
式が主に用いられている。
体の形成に消費されるのではなく、未使用または未分解
の原料ガスが必ず排出される。この排出ガスの処理とし
ては、例えば、少量のメタンやアルコール類では希釈さ
れて大気放散される。水素ガスの場合、処理量によって
異なるが現行では、バーナーによる燃焼方式または大量
空気希釈大気放散方式が用いられている。アンモニアガ
スの場合、大量の水または酸性水溶液による湿式方式、
バーナーによる燃焼方式、触媒による水素変換方式そし
て触媒燃焼方式がある。III族窒化物半導体製造のよう
に一分間に数リットルから数百リットルの大量の水素や
アンモニアの処理では、上記湿式方式または触媒燃焼方
式が主に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術では、半導体製造システムの一環として構成する
には種々の問題が生じていた。例えば、アンモニア処理
に対する湿式方式では、硫酸や塩酸などの薬品が必要で
あり、また生成したアンモニウム塩の処理はコストがか
かっていた。
来技術では、半導体製造システムの一環として構成する
には種々の問題が生じていた。例えば、アンモニア処理
に対する湿式方式では、硫酸や塩酸などの薬品が必要で
あり、また生成したアンモニウム塩の処理はコストがか
かっていた。
【０００５】次に、乾式法では次のような問題が生じて
いた。半導体の製造では製造時の原料ガス供給は時間と
ともに変動させたり、甚だしくは殆ど不活性ガスのみで
あったりするので、排気ガス処理部では常時処理可能状
態を維持するために、種々の工夫を凝らしていた。例え
ば、バーナーによる燃焼方式では、常時支燃ガスたとえ
ば炭化水素ガスを多量に送り込んでバーナーの着火状態
を維持している。また、触媒燃焼方式では希釈用空気を
多量に導入しているので処理ガスが減少すると燃焼器の
温度低下となり、その温度低下を防ぐために前段に可変
大容量の電気加熱器を用意している。特に、触媒燃焼方
式では燃焼温度が高くなると多量のNOｘが生成する。従
って、半導体製造のような時々刻々変化するガス流量に
対処するため高度な温度管理技術が必要となっている。
また、上記乾式法では余分な支燃ガスや電気エネルギー
が必要であるので、省エネルギーの観点から新しい技術
突破が望まれていた。
いた。半導体の製造では製造時の原料ガス供給は時間と
ともに変動させたり、甚だしくは殆ど不活性ガスのみで
あったりするので、排気ガス処理部では常時処理可能状
態を維持するために、種々の工夫を凝らしていた。例え
ば、バーナーによる燃焼方式では、常時支燃ガスたとえ
ば炭化水素ガスを多量に送り込んでバーナーの着火状態
を維持している。また、触媒燃焼方式では希釈用空気を
多量に導入しているので処理ガスが減少すると燃焼器の
温度低下となり、その温度低下を防ぐために前段に可変
大容量の電気加熱器を用意している。特に、触媒燃焼方
式では燃焼温度が高くなると多量のNOｘが生成する。従
って、半導体製造のような時々刻々変化するガス流量に
対処するため高度な温度管理技術が必要となっている。
また、上記乾式法では余分な支燃ガスや電気エネルギー
が必要であるので、省エネルギーの観点から新しい技術
突破が望まれていた。
【０００６】本発明は係る問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は半導体製造システムの中の可燃性ガスを
含む排気ガスの処理において、従来、エネルギーを大量
に消費していた方式から、一転して排気ガスからエネル
ギーを回収しつつ不活性ガスに変換処理する半導体製造
システムを提供するものである。
で、その目的は半導体製造システムの中の可燃性ガスを
含む排気ガスの処理において、従来、エネルギーを大量
に消費していた方式から、一転して排気ガスからエネル
ギーを回収しつつ不活性ガスに変換処理する半導体製造
システムを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体製造
システムは、シリコン、ダイアモンドまたは窒化物半導
体製造に使用され、その構成は原料ガス供給制御部、半
導体形成処理部、粉体除去フィルター、金属含有化学物
質除去フィルター、処理ガス流量変動補償制御部、水素
酸素燃料電池型ガス分解部、およびバイパスガスライン
からなり、水素、炭化水素、アルコール類、またはアン
モニアガス等の流量変動する排気ガスを分解し、合せて
エネルギー回収を行うように構成したものである。
システムは、シリコン、ダイアモンドまたは窒化物半導
体製造に使用され、その構成は原料ガス供給制御部、半
導体形成処理部、粉体除去フィルター、金属含有化学物
質除去フィルター、処理ガス流量変動補償制御部、水素
酸素燃料電池型ガス分解部、およびバイパスガスライン
からなり、水素、炭化水素、アルコール類、またはアン
モニアガス等の流量変動する排気ガスを分解し、合せて
エネルギー回収を行うように構成したものである。
【０００８】
【作用】半導体製造システムの一環として、排気ガス処
理部に粉体除去フィルター、金属含有化学物質除去フィ
ルター、処理ガス流量変動補償制御部、水素酸素燃料電
池型ガス分解部およびバイパスガスラインからなる排ガ
ス処理部を用いることによって、半導体製造に用いられ
た原料ガスの排気ガス中の水素、炭化水素、アルコール
類やアンモニア等の可燃ガスを分解除去するので、可燃
ガスの持つエネルギーを電気エネルギーおよび熱として
回収でき、省エネルギー且つ低コストの半導体製造シス
テムが可能となる。
理部に粉体除去フィルター、金属含有化学物質除去フィ
ルター、処理ガス流量変動補償制御部、水素酸素燃料電
池型ガス分解部およびバイパスガスラインからなる排ガ
ス処理部を用いることによって、半導体製造に用いられ
た原料ガスの排気ガス中の水素、炭化水素、アルコール
類やアンモニア等の可燃ガスを分解除去するので、可燃
ガスの持つエネルギーを電気エネルギーおよび熱として
回収でき、省エネルギー且つ低コストの半導体製造シス
テムが可能となる。
【０００９】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例による半導体製造
システムの構成図である。図１に於いて、１は窒化物半
導体成長系であり、２は排気ガス処理系、３はガス流量
監視系である。１１は原料ガス供給部で水素、アンモニ
ア、窒素、トリメチルガリウム（TMG）などのガスの供
給量の時間制御を行なう。１２は有機金属気相成長装置
（MOCVD）で窒化ガリウム等の半導体成長を行なう。１
３は反応後に排出される微粉体を除去するフィルター、
１４は減圧制御するための圧力制御部である。
システムの構成図である。図１に於いて、１は窒化物半
導体成長系であり、２は排気ガス処理系、３はガス流量
監視系である。１１は原料ガス供給部で水素、アンモニ
ア、窒素、トリメチルガリウム（TMG）などのガスの供
給量の時間制御を行なう。１２は有機金属気相成長装置
（MOCVD）で窒化ガリウム等の半導体成長を行なう。１
３は反応後に排出される微粉体を除去するフィルター、
１４は減圧制御するための圧力制御部である。
【００１１】２１は未分解の有機金属等を除去するため
の化学フィルター、２２は排気ガス中の可燃ガスの流量
検出器、２３は処理ガス流量変動補償制御部、２４は燃
料電池部、２５はガス流量監視部からの指令で動作する
バイパスガスライン、２６はスクラバーである。
の化学フィルター、２２は排気ガス中の可燃ガスの流量
検出器、２３は処理ガス流量変動補償制御部、２４は燃
料電池部、２５はガス流量監視部からの指令で動作する
バイパスガスライン、２６はスクラバーである。
【００１２】このような構成を有する窒化物半導体製造
システムの動作を説明する。ガス供給制御部１１で、例
えば、水素１５０L/min、窒素３００L/minが反応装置１
２に供給される。同時に圧力制御部でガス圧が３０ｋPa
に制御される。反応装置１２ではサファイア基板が1100
℃に熱せられ表面の清浄化が行なわれる。ガス流量監視
系３はガス供給制御部１１からの信号とガス検知器２２
からの信号により処理ガス流量変動補償制御部２３およ
び燃料電池部２４に運転制御信号を渡す。２３は燃料電
池部２４が正常範囲で動作するように付加的に供給する
都市ガスの供給量を制御する。
システムの動作を説明する。ガス供給制御部１１で、例
えば、水素１５０L/min、窒素３００L/minが反応装置１
２に供給される。同時に圧力制御部でガス圧が３０ｋPa
に制御される。反応装置１２ではサファイア基板が1100
℃に熱せられ表面の清浄化が行なわれる。ガス流量監視
系３はガス供給制御部１１からの信号とガス検知器２２
からの信号により処理ガス流量変動補償制御部２３およ
び燃料電池部２４に運転制御信号を渡す。２３は燃料電
池部２４が正常範囲で動作するように付加的に供給する
都市ガスの供給量を制御する。
【００１３】次に、ガス供給制御部１１はアンモニアを
１５０L/minとTMGを７５０mmol/min供給し窒化ガリウム
をサファイア上に形成させる。ガス流量監視部３は、処
理ガス流量変動補償制御部２３および燃料電池部２４に
信号を渡し、分解を適切に制御する。燃料電池部２４か
ら出た排気空気と水蒸気はスクラバー２６を通じて微量
なNOｘガスを除去する。
１５０L/minとTMGを７５０mmol/min供給し窒化ガリウム
をサファイア上に形成させる。ガス流量監視部３は、処
理ガス流量変動補償制御部２３および燃料電池部２４に
信号を渡し、分解を適切に制御する。燃料電池部２４か
ら出た排気空気と水蒸気はスクラバー２６を通じて微量
なNOｘガスを除去する。
【００１４】次に、窒化ガリウム半導体の成長停止を行
なう。このとき半導体成長系からは窒素ガスのみ５０L/
min供給されるのみである。排気ガス処理系ではバイパ
スガスラインに切り換え、燃料電池部には都市ガスが供
給され通常の発電装置として操作させる。燃料電池部２
４は４０KW燐酸型装置を一部改造したものを用いた。水
素１５０L/min、アンモニア１５０L/min、窒素ガス３０
０L/minの排出ガスの場合、約２５ｋW程度の電気出力が
得られた。
なう。このとき半導体成長系からは窒素ガスのみ５０L/
min供給されるのみである。排気ガス処理系ではバイパ
スガスラインに切り換え、燃料電池部には都市ガスが供
給され通常の発電装置として操作させる。燃料電池部２
４は４０KW燐酸型装置を一部改造したものを用いた。水
素１５０L/min、アンモニア１５０L/min、窒素ガス３０
０L/minの排出ガスの場合、約２５ｋW程度の電気出力が
得られた。
【００１５】以上、一実施例の形態にて本発明の説明を
したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものでは
なく、種々の変形が可能である。例えば、圧力制御部１
４は常圧結晶成長の場合は取り除いてもよい。また、ガ
ス流量監視部３およびガス流検知器２２は排気ガス処理
部と一体とすることもできる。または、ガス流量監視部
３およびガス流検知器２２は燃料電池部の形態によって
は必ずしも必須であることはない。また、流量変動補償
制御部も燃料電池の形態によっては流量変動に強い構造
も考えられるので必須ではない。また、電池としては燐
酸型の他にも固体電解質型や有機高分子イオン伝導膜を
用いた常温動作型燃料電池も可能である。また、本実施
形態では窒化ガリウム半導体システムについて説明した
が、排出ガスとして水素、炭化水素、アルコール類また
はアンモニアなどの一部が含まれていれば半導体の種類
は問わない。例えば、水素とシラン系ガスを用いるシリ
コン半導体の製造や炭化水素またはアルコールを用いる
ダイアモンド成長装置システムなどにも適用可能であ
る。また、ハロゲン系ガスを含んだ結晶成長装置の排気
ガスを処理する場合は、前段の化学物質除去フィルター
２１をハロゲンガスを吸収する化学フィルターにすれば
可能であることは言うまでもない。
したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものでは
なく、種々の変形が可能である。例えば、圧力制御部１
４は常圧結晶成長の場合は取り除いてもよい。また、ガ
ス流量監視部３およびガス流検知器２２は排気ガス処理
部と一体とすることもできる。または、ガス流量監視部
３およびガス流検知器２２は燃料電池部の形態によって
は必ずしも必須であることはない。また、流量変動補償
制御部も燃料電池の形態によっては流量変動に強い構造
も考えられるので必須ではない。また、電池としては燐
酸型の他にも固体電解質型や有機高分子イオン伝導膜を
用いた常温動作型燃料電池も可能である。また、本実施
形態では窒化ガリウム半導体システムについて説明した
が、排出ガスとして水素、炭化水素、アルコール類また
はアンモニアなどの一部が含まれていれば半導体の種類
は問わない。例えば、水素とシラン系ガスを用いるシリ
コン半導体の製造や炭化水素またはアルコールを用いる
ダイアモンド成長装置システムなどにも適用可能であ
る。また、ハロゲン系ガスを含んだ結晶成長装置の排気
ガスを処理する場合は、前段の化学物質除去フィルター
２１をハロゲンガスを吸収する化学フィルターにすれば
可能であることは言うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、半導体製造システ
ムの一環として、排気ガス処理部に粉体除去フィルタ
ー、金属含有化学物質除去フィルター、処理ガス流量変
動補償制御部、水素酸素燃料電池型ガス分解部およびバ
イパスガスラインからなる排ガス処理部を用いることに
よって、半導体製造に用いられた原料ガスの排気ガス中
の水素、炭化水素、アルコール類やアンモニア等の可燃
ガスを分解除去するので、可燃ガスの持つエネルギーを
電気エネルギーおよび熱として回収でき、省エネルギー
且つ低コストの半導体製造システムが可能となる効果が
得られる。
ムの一環として、排気ガス処理部に粉体除去フィルタ
ー、金属含有化学物質除去フィルター、処理ガス流量変
動補償制御部、水素酸素燃料電池型ガス分解部およびバ
イパスガスラインからなる排ガス処理部を用いることに
よって、半導体製造に用いられた原料ガスの排気ガス中
の水素、炭化水素、アルコール類やアンモニア等の可燃
ガスを分解除去するので、可燃ガスの持つエネルギーを
電気エネルギーおよび熱として回収でき、省エネルギー
且つ低コストの半導体製造システムが可能となる効果が
得られる。
【図１】本発明の実施例の形態に係わる半導体製造シス
テムの構成図である。
テムの構成図である。
１は窒化物半導体成長系、２は排気ガス処理系、３はガ
ス流量監視部、１１は原料ガス供給制御部、１２は窒化
ガリウムMOCVD部、１3は粉体除去フィルター、１４は圧
力制御部、２１は金属含有化学物質除去フィルター、２
２はガス流量検出器、２３は処理ガス流量変動補償制御
部、２４は改質器付き燃料電池部、２５はバイパスガス
ライン、２６はスクラバーである。
ス流量監視部、１１は原料ガス供給制御部、１２は窒化
ガリウムMOCVD部、１3は粉体除去フィルター、１４は圧
力制御部、２１は金属含有化学物質除去フィルター、２
２はガス流量検出器、２３は処理ガス流量変動補償制御
部、２４は改質器付き燃料電池部、２５はバイパスガス
ライン、２６はスクラバーである。
Claims (5)
- 【請求項１】水素、炭化水素ガス、アルコール類または
アンモニアの少なくとも一つを原料ガスとして含む半導
体製造システムであって、排気ガスの脱水素または脱ア
ンモニア処理に於いて、水素酸素燃料電池型分解方式を
用いたことを特徴とする半導体製造システム。 - 【請求項２】原料ガス供給制御部、半導体形成処理部、
粉体除去フィルター、金属含有化学物質除去フィルタ
ー、およびバイパスガスラインを備えたことを特徴とす
る請求項１記載の半導体製造システム。 - 【請求項３】水素酸素燃料電池型分解装置の前段に処理
ガス流量変動補償制御部を備えたことを特徴とする請求
項２記載の半導体製造システム。 - 【請求項４】半導体形成処理部がIII族窒化物半導体成
長部であることを特徴とする請求項２または請求項３記
載の半導体製造システム。 - 【請求項５】半導体形成処理部がシリコン結晶成長部で
あることを特徴とする請求項２または請求項３記載の半
導体製造システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233455A JP2003045472A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体製造システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233455A JP2003045472A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体製造システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045472A true JP2003045472A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19065233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001233455A Pending JP2003045472A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体製造システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003045472A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035691A1 (ja) | 2008-09-24 | 2010-04-01 | 住友電気工業株式会社 | 電気化学反応装置、その製造方法、ガス分解素子、アンモニア分解素子および発電装置 |
| JP2010172828A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス分解装置 |
| CN102933294A (zh) * | 2010-06-07 | 2013-02-13 | 住友电气工业株式会社 | 气体分解组件 |
| US9136552B2 (en) | 2010-06-07 | 2015-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, ammonia decomposition component, power generation apparatus, electrochemical reaction apparatus, and method for producing gas decomposition component |
| US9132384B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, power generation apparatus, and method for decomposing gas |
| US9325024B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-04-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, method for producing gas decomposition component, and power generation apparatus |
-
2001
- 2001-08-01 JP JP2001233455A patent/JP2003045472A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102933294A (zh) * | 2010-06-07 | 2013-02-13 | 住友电气工业株式会社 | 气体分解组件 |
| US8865367B2 (en) | 2010-06-07 | 2014-10-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component |
| US9136552B2 (en) | 2010-06-07 | 2015-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, ammonia decomposition component, power generation apparatus, electrochemical reaction apparatus, and method for producing gas decomposition component |
| US9132384B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, power generation apparatus, and method for decomposing gas |
| US9325024B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-04-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas decomposition component, method for producing gas decomposition component, and power generation apparatus |
| US9455464B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Power generation apparatus |
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