JP2003042870A - Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method - Google Patents

Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method

Info

Publication number
JP2003042870A
JP2003042870A JP2001234929A JP2001234929A JP2003042870A JP 2003042870 A JP2003042870 A JP 2003042870A JP 2001234929 A JP2001234929 A JP 2001234929A JP 2001234929 A JP2001234929 A JP 2001234929A JP 2003042870 A JP2003042870 A JP 2003042870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance
sensor
sensitivity
temperature coefficient
operational amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001234929A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Okada
寛 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2001234929A priority Critical patent/JP2003042870A/en
Publication of JP2003042870A publication Critical patent/JP2003042870A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature characteristics correcting circuit apparatus for a sensor capable of highly accurately correcting the temperature characteristic of the sensor. SOLUTION: The state of connection of a plurality of resistive elements 31-38 for variably setting the amplification factor of a voltage amplifier by a plurality of analogue switches 42(1)-42(5) is changed at a TCS adjusting circuit 25 to perform adjustment so as to lower the temperature coefficient of sensitivity of a bridge circuit 22 as much as possible. The state of connection of a plurality of resistive elements 28 for variably setting the amplification factor of the voltage amplifier by a plurality of analogue switches 29 is changed at a sensitivity adjusting circuit 24 to adjust the sensitivity of a pressure sensor 21.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対象となる物理量
を検出するために複数の抵抗素子をブリッジ接続して構
成されるセンサ部を備えるセンサの温度特性を補正す
る、センサ用温度特性補正回路装置、及びセンサの温度
特性補正方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature characteristic correction circuit for a sensor, which corrects the temperature characteristic of a sensor provided with a sensor unit constituted by connecting a plurality of resistance elements in a bridge in order to detect a target physical quantity. The present invention relates to a device and a temperature characteristic correction method for a sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、ブリッジ回路を備えて構成され
る半導体センサの一構成例を示すものである。ブリッジ
回路1は、4つのピエゾ抵抗素子2がブリッジ接続され
て構成されている。ブリッジ回路1の端子1aにはカレ
ントミラー回路3によって電流Iinが供給されるように
なっており、その端子1aの対角線上に位置する端子1
bはグランドに接続されている。カレントミラー回路3
の逆側には、基準電源4(電圧V1),オペアンプ5,
トランジスタ6及び抵抗7(抵抗値R1)で構成される
I/V変換回路8が接続されており、ブリッジ回路1に
供給される電流Iinは、基準電源4の電圧V1に応じた
値となっている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a structural example of a semiconductor sensor having a bridge circuit. The bridge circuit 1 is configured by connecting four piezoresistive elements 2 in a bridge connection. The current Iin is supplied to the terminal 1a of the bridge circuit 1 by the current mirror circuit 3 and the terminal 1 located on the diagonal line of the terminal 1a.
b is connected to ground. Current mirror circuit 3
The reference power source 4 (voltage V1), operational amplifier 5,
The I / V conversion circuit 8 including the transistor 6 and the resistor 7 (resistance value R1) is connected, and the current Iin supplied to the bridge circuit 1 has a value corresponding to the voltage V1 of the reference power supply 4. There is.

【0003】また、ブリッジ回路1の端子1aは、抵抗
9(抵抗値R2)を介してグランドに接続されており、
端子1c,1dは、電圧増幅回路を構成するオペアンプ
10の2つの入力端子に夫々接続されている。そして、
ブリッジ回路1が、外部より印加される圧力(対象とな
る物理量)に応じた電圧を端子1c,1d間に出力する
と、オペアンプ10がその電圧を増幅して出力するよう
になっている。以上が圧力センサ11を構成している。
The terminal 1a of the bridge circuit 1 is connected to the ground via a resistor 9 (resistance value R2),
The terminals 1c and 1d are respectively connected to two input terminals of an operational amplifier 10 which constitutes a voltage amplifier circuit. And
When the bridge circuit 1 outputs a voltage according to the pressure (target physical quantity) applied from the outside between the terminals 1c and 1d, the operational amplifier 10 amplifies and outputs the voltage. The above constitutes the pressure sensor 11.

【0004】ところで、斯様な圧力センサ11は、所定
の感度温度係数(TCS)を有している。ここで、図5
には、印加される圧力Pに対して出力電圧Vo が変化す
る度合い、即ちセンサの感度を示す。従って、図5にお
ける直線の傾きが大きい程センサの感度も大きくなる。
感度温度係数は、センサの感度が温度に応じて変化する
割合を示すものである。そして、製造段階では、センサ
の温度依存性を極力排除するため、各センサについて感
度温度係数TCSを極力小さくするようにトリミングを
行うようにしている。
By the way, such a pressure sensor 11 has a predetermined sensitivity temperature coefficient (TCS). Here, FIG.
Shows the degree of change of the output voltage Vo with respect to the applied pressure P, that is, the sensitivity of the sensor. Therefore, the sensitivity of the sensor increases as the inclination of the straight line in FIG. 5 increases.
The sensitivity temperature coefficient indicates the rate at which the sensitivity of the sensor changes according to temperature. Then, at the manufacturing stage, in order to eliminate the temperature dependence of the sensor as much as possible, the sensitivity temperature coefficient TCS of each sensor is trimmed so as to be as small as possible.

【0005】ここで、圧力センサ11の感度温度係数を
TCSa,抵抗9(R2)も含めたブリッジ回路1部分
についての感度温度係数をTCSbとすると、両者の関
係は(1)式で表される。 TCSa=TCSb−TCR・RB /(R2 +RB ) …(1) 但し、TCRは、ブリッジ回路1を構成する抵抗素子2
の抵抗値が温度に応じて変化する割合いであり(抵抗温
度係数),抵抗7及び9並びに電流Iinには温度特性が
ないものと仮定する。即ち、(1)式から、抵抗9の抵
抗値R2 を適切に選択することによって、圧力センサ1
1の感度温度係数TCSaがゼロに近付くように調整す
ることができる。
Assuming that the temperature coefficient of sensitivity of the pressure sensor 11 is TCSa and the temperature coefficient of sensitivity of the bridge circuit 1 portion including the resistor 9 (R2) is TCSb, the relationship between the two is expressed by equation (1). . TCSa = TCSb-TCR.RB / (R2 + RB) (1) where TCR is a resistance element 2 which constitutes the bridge circuit 1.
It is assumed that there is no temperature characteristic in the resistance values of (7) and (9) and the current Iin. That is, by properly selecting the resistance value R2 of the resistor 9 from the equation (1), the pressure sensor 1
The sensitivity temperature coefficient TCSa of 1 can be adjusted so as to approach zero.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ブリッ
ジ回路1は一般に拡散抵抗で形成されるため、TCRは
正の値しか取り得ない。従って、(1)式に基づいて調
整を行う場合には、TCSbが正の値を示す場合しか補
正ができないという問題があった。
However, since the bridge circuit 1 is generally formed by a diffused resistor, the TCR can take only a positive value. Therefore, when the adjustment is performed based on the equation (1), there is a problem that the correction can be performed only when the TCSb has a positive value.

【0007】また、抵抗値R2 を調整するには、図6に
示すように、抵抗9を複数の抵抗9(1),9(2),
9(3),…(抵抗値R2-1 ,R2-2 ,R2-3 …,)の
並列回路に置き換え、各抵抗抵抗9に夫々直列にスイッ
チ12(1),12(2),12(3),…を接続し
て、何れかのスイッチ12を選択的に閉じることが考え
られる。しかしながら、斯様な構成では、閉じられたス
イッチ12にも電流が流れてしまうためスイッチ12の
導通抵抗が誤差となりセンサの精度が悪化するおそれが
ある。
Further, in order to adjust the resistance value R2, as shown in FIG. 6, the resistor 9 is replaced by a plurality of resistors 9 (1), 9 (2),
9 (3), ... (Resistance values R2-1, R2-2, R2-3 ...,) are replaced by parallel circuits, and switches 12 (1), 12 (2), 12 ( 3), ... Can be connected to selectively close one of the switches 12. However, in such a configuration, a current also flows through the closed switch 12, so that the conduction resistance of the switch 12 causes an error, which may deteriorate the accuracy of the sensor.

【0008】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、センサの温度特性の補正をより高精
度に行うことができるセンサ用温度特性補正回路装置、
及びセンサの温度特性補正方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a temperature characteristic correction circuit device for a sensor capable of correcting the temperature characteristic of a sensor with higher accuracy.
Another object of the present invention is to provide a temperature characteristic correction method for a sensor.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のセンサ用
温度特性補正回路装置によれば、センサの感度を調整す
るための感度調整回路において、複数のスイッチング素
子により複数の抵抗素子の接続状態を切り換えて、オペ
アンプを用いて構成される電圧増幅回路の電圧増幅率を
可変設定する。また、センサの感度温度係数を調整する
ための感度温度係数調整回路において、複数のスイッチ
ング素子により少なくとも一部が異なる抵抗温度係数を
有する複数の抵抗素子の接続状態を切り換えて、オペア
ンプを用いて構成される電圧増幅回路の電圧増幅率を可
変設定する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a sensor temperature characteristic correction circuit device according to claim 1, wherein in a sensitivity adjusting circuit for adjusting the sensitivity of the sensor, a plurality of switching elements connect a plurality of resistance elements. And the voltage amplification factor of the voltage amplifier circuit configured by using the operational amplifier is variably set. Further, in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit for adjusting the sensitivity temperature coefficient of the sensor, a plurality of switching elements are used to switch the connection state of a plurality of resistance elements having resistance temperature coefficients that are different from each other, and are configured using an operational amplifier. The voltage amplification factor of the voltage amplification circuit is variably set.

【0010】即ち、感度温度係数調整回路において、オ
ペアンプに接続される一組の入力抵抗及び帰還抵抗が抵
抗温度係数TCRi,TCRfを有する場合、抵抗温度
係数を反映させた夫々の抵抗値Ri(T),Rf(T)
は、 Ri(T)=Ri(0)・(1+TCRi・T) …(2) Rf(T)=Rf(0)・(1+TCRf・T) …(3) となる。但し、Ri(0),Rf(0)は、基準温度に
おける入力抵抗値,帰還抵抗値であり、Tは基準温度か
らの温度差である。
That is, in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit, when the set of input resistance and feedback resistance connected to the operational amplifier has the resistance temperature coefficients TCRi and TCRf, the respective resistance values Ri (T ), Rf (T)
Is Ri (T) = Ri (0) · (1 + TCRi · T) (2) Rf (T) = Rf (0) · (1 + TCRf · T) (3) However, Ri (0) and Rf (0) are the input resistance value and the feedback resistance value at the reference temperature, and T is the temperature difference from the reference temperature.

【0011】そして、オペアンプによって構成される電
圧増幅回路のゲインGは(4)式で表される。 G=Rf(T)/Ri(T) =Rf(0)/Ri(0){1+(TCRf−TCRi)・T}…(4) 但し、(4)式下段は近似式である。また、TCRf<
<1,TCRi<<1であるものとする。即ち、(4)
式における項(TCRf−TCRi)は電圧増幅回路の
ゲイン温度係数を表しており、そのゲイン温度係数は、
TCRf,TCRiの大小関係に応じて、 TCRf>TCRi→ゲイン温度係数:正 TCRf=TCRi→ゲイン温度係数:0 TCRf<TCRi→ゲイン温度係数:負 のように定まる。
Then, the gain G of the voltage amplifier circuit formed by the operational amplifier is expressed by the equation (4). G = Rf (T) / Ri (T) = Rf (0) / Ri (0) {1+ (TCRf-TCRi) .T} (4) However, the lower part of the expression (4) is an approximate expression. In addition, TCRf <
It is assumed that <1, TCRi << 1. That is, (4)
The term (TCRf-TCRi) in the equation represents the gain temperature coefficient of the voltage amplifier circuit, and the gain temperature coefficient is
Depending on the magnitude relationship between TCRf and TCRi, TCRf> TCRi → gain temperature coefficient: positive TCRf = TCRi → gain temperature coefficient: 0 TCRf <TCRi → gain temperature coefficient: negative.

【0012】従って、感度温度係数調整回路における電
圧増幅回路のゲイン温度係数は正負何れの値をも取り得
ることになり、センサの感度温度係数が正,負の何れの
値を示す場合でも、その温度係数が極力小さくなるよう
に感度温度係数調整回路において調整を行うことができ
る。
Therefore, the gain temperature coefficient of the voltage amplifier circuit in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit can take either positive or negative value, and regardless of whether the sensitivity temperature coefficient of the sensor shows a positive or negative value, Adjustment can be performed in the sensitivity temperature coefficient adjustment circuit so that the temperature coefficient becomes as small as possible.

【0013】また、感度温度係数調整回路において抵抗
温度係数を調整すると、電圧増幅回路の増幅率も変化す
ることになるため、感度調整回路側で電圧増幅率がトー
タルで適正となるように調整を行う。従って、センサの
感度と抵抗温度係数との調整を良好に行うことができ
る。そして、調整を行う際の抵抗素子の接続切換えを、
何れもオペアンプの入力端子に直列に接続されるスイッ
チング素子を用いて行うので、導通状態となったスイッ
チング素子には電流はほとんど流れない。従って、例え
スイッチング素子の導通抵抗が大きい場合であってもそ
の抵抗値が調整に影響与えることがないので、高い精度
で調整を行うことができる。
Further, if the resistance temperature coefficient is adjusted in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit, the amplification factor of the voltage amplifying circuit also changes. Therefore, the sensitivity adjusting circuit side should be adjusted so that the voltage amplification factor becomes appropriate in total. To do. Therefore, the sensitivity of the sensor and the temperature coefficient of resistance can be satisfactorily adjusted. And when switching the connection of the resistance element when adjusting,
Since both are performed using the switching element connected in series to the input terminal of the operational amplifier, almost no current flows through the switching element in the conductive state. Therefore, even if the conduction resistance of the switching element is large, the resistance value does not affect the adjustment, so that the adjustment can be performed with high accuracy.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明を圧力センサに適用
した場合の一実施例について図1乃至図3を参照して説
明する。図1は、圧力センサ21の電気的構成を示す図
である。圧力センサ21は、図4に示す圧力センサ11
のブリッジ回路1に相当するブリッジ回路(センサ部)
22,カレントミラー回路3及びI/V変換回路8に相
当する電流源23と共に、感度調整回路24及びTCS
調整回路(感度温度係数調整回路)25を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a pressure sensor will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing an electrical configuration of the pressure sensor 21. The pressure sensor 21 is the pressure sensor 11 shown in FIG.
Bridge circuit (sensor unit) corresponding to the bridge circuit 1
22, a current mirror circuit 3, and a current source 23 corresponding to the I / V conversion circuit 8, as well as a sensitivity adjustment circuit 24 and a TCS.
An adjusting circuit (sensitivity temperature coefficient adjusting circuit) 25 is provided.

【0015】感度調整回路24は、オペアンプ26及び
抵抗28により差動増幅器として構成されている。即
ち、オペアンプ26の非反転入力端子は、ブリッジ回路
22の端子22dに接続されており、出力端子には、直
列接続されている複数の抵抗素子28及びバッファとし
てのオペアンプ43を介してブリッジ回路22の端子2
2cが接続されている。そして、抵抗素子28の各共通
接続点にはアナログスイッチ(スイッチング素子)29
の一端が接続されており、各アナログスイッチ29の他
端は、オペアンプ26の反転入力端子に共通に接続され
ている。尚、各抵抗素子28は、何れもポリシリコン抵
抗(poly)によって構成されている。
The sensitivity adjusting circuit 24 is composed of an operational amplifier 26 and a resistor 28 as a differential amplifier. That is, the non-inverting input terminal of the operational amplifier 26 is connected to the terminal 22d of the bridge circuit 22, and the output terminal is connected to the bridge circuit 22 via the plurality of resistance elements 28 connected in series and the operational amplifier 43 as a buffer. Terminal 2
2c is connected. An analog switch (switching element) 29 is provided at each common connection point of the resistor elements 28.
Of the analog switch 29, and the other end of each analog switch 29 is commonly connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 26. Each resistance element 28 is composed of a polysilicon resistance (poly).

【0016】一方、TCS調整回路25は、オペアンプ
30及び抵抗31〜38により反転増幅器として構成さ
れている。即ち、オペアンプ30の非反転入力端子に
は、基準電圧Vref が与えられており、オペアンプ30
の出力端子と感度調整回路24を構成するオペアンプ2
6の出力端子との間には、抵抗素子31〜38よりなる
3つの直列抵抗回路39〜41が並列に接続されてい
る。直列抵抗回路39,40,41は、夫々抵抗素子3
1〜33,34〜36,37及び38で構成される。
On the other hand, the TCS adjusting circuit 25 is configured as an inverting amplifier by the operational amplifier 30 and the resistors 31 to 38. That is, the reference voltage Vref is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 30.
Operational amplifier 2 that configures the output terminal and the sensitivity adjustment circuit 24
Three series resistance circuits 39 to 41 composed of resistance elements 31 to 38 are connected in parallel with the output terminal of No. 6. The series resistance circuits 39, 40, 41 are respectively connected to the resistance element 3
1 to 33, 34 to 36, 37 and 38.

【0017】そして、オペアンプ30の反転入力端子に
は、5つのアナログスイッチ(スイッチング素子)42
(1)〜42(5)の一端が接続されており、これらの
アナログスイッチ42の他端は、直列抵抗回路39〜4
1の各共通接続点に接続されている。即ち、アナログス
イッチ42(1)は抵抗素子32及び33,アナログス
イッチ42(2)は抵抗素子31及び32,アナログス
イッチ42(3)は抵抗素子37及び38,アナログス
イッチ42(4)は抵抗素子34及び35,アナログス
イッチ42(5)は抵抗素子35及び36の共通接続点
に接続されている。
The inverting input terminal of the operational amplifier 30 has five analog switches (switching elements) 42.
One ends of (1) to 42 (5) are connected, and the other ends of these analog switches 42 are connected to the series resistance circuits 39 to 4 respectively.
1 is connected to each common connection point. That is, the analog switch 42 (1) is the resistance elements 32 and 33, the analog switch 42 (2) is the resistance elements 31 and 32, the analog switch 42 (3) is the resistance elements 37 and 38, and the analog switch 42 (4) is the resistance element. 34 and 35 and the analog switch 42 (5) are connected to a common connection point of the resistance elements 35 and 36.

【0018】尚、抵抗素子31,32,35〜38はポ
リシリコン抵抗によって構成されており、抵抗素子33
及び34は拡散抵抗(p+)によって構成されている。そし
て、ポリシリコン抵抗の抵抗温度係数は800ppm/
℃,拡散抵抗の抵抗温度係数は1200ppm/℃であ
る。また、抵抗素子31及び36の抵抗値は1kΩ,抵
抗素子32及び35の抵抗値は9kΩ,その他の抵抗素
子の抵抗値は10kΩであるとする。
The resistance elements 31, 32, 35 to 38 are composed of polysilicon resistors, and the resistance element 33
And 34 are constituted by diffused resistors (p +). The temperature coefficient of resistance of the polysilicon resistor is 800 ppm /
The temperature coefficient of diffusion resistance is 1200 ppm / ° C. The resistance values of the resistance elements 31 and 36 are 1 kΩ, the resistance values of the resistance elements 32 and 35 are 9 kΩ, and the resistance values of the other resistance elements are 10 kΩ.

【0019】次に、本実施例の作用について図2及び図
3をも参照して説明する。図2は、一般的な非反転増幅
回路の構成を示すものであるが、上述したように、電圧
増幅回路のゲインGは(4)式で表される。そして、本
実施例では、アナログスイッチ42(1)〜42(5)
の選択状態によっては、オペアンプ30の入力抵抗Ri
または帰還抵抗Rfの何れか一方が2つの抵抗素子の直
列回路となる場合がある。以下、この場合の抵抗温度係
数がどのように表されるかについて考える。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 shows the configuration of a general non-inverting amplifier circuit, but as described above, the gain G of the voltage amplifier circuit is expressed by equation (4). Then, in this embodiment, the analog switches 42 (1) to 42 (5) are used.
The input resistance Ri of the operational amplifier 30 depends on the selected state of
Alternatively, one of the feedback resistors Rf may be a series circuit of two resistance elements. Hereinafter, how the temperature coefficient of resistance in this case is expressed will be considered.

【0020】図3に示すように、直列に接続された2つ
の抵抗素子の抵抗値が夫々R1,R2,抵抗温度係数が
TCR1,TCR2であるとする。この場合、抵抗温度
係数を反映させた夫々の抵抗値R1(T),R2(T)
は、 R1(T)=R1・(1+TCR1・T) …(5) R2(T)=R2・(1+TCR2・T) …(6) となる。
As shown in FIG. 3, it is assumed that the resistance values of two resistance elements connected in series are R1 and R2, and the temperature coefficients of resistance are TCR1 and TCR2. In this case, the respective resistance values R1 (T) and R2 (T) reflecting the resistance temperature coefficient
Is R1 (T) = R1 · (1 + TCR1 · T) (5) R2 (T) = R2 · (1 + TCR2 · T) (6)

【0021】従って、両者の合成抵抗値は(7)式とな
る。 R1+R2=R1・(1+TCR1・T)+R2・(1+TCR2・T) = (R1+R2) ・(1+(R1・TCR1+R2・TCR2)・T /(R1+R2)) …(7) (7)式から、合成抵抗の温度係数TCRは(8)式で
表される。 TCR=(R1・TCR1+R2・TCR2)/(R1+R2)…(8) この(8)式より、抵抗値R1,R2を適宜選択すれ
ば、合成抵抗の温度係数TCRを抵抗温度係数TCR
1,TCR2の間の値に設定することが可能である。
Therefore, the combined resistance value of the two is given by equation (7). R1 + R2 = R1 * (1 + TCR1 * T) + R2 * (1 + TCR2 * T) = (R1 + R2) * (1+ (R1 * TCR1 + R2 * TCR2) * T / (R1 + R2)) (7) From the expression (7), the combined resistance The temperature coefficient TCR is expressed by equation (8). TCR = (R1 * TCR1 + R2 * TCR2) / (R1 + R2) ... (8) From this equation (8), if the resistance values R1 and R2 are selected as appropriate, the temperature coefficient TCR of the combined resistance becomes the resistance temperature coefficient TCR.
It can be set to a value between 1 and TCR2.

【0022】以下、TCS調整回路25のアナログスイ
ッチ42(1)〜42(5)の何れか1つがオン状態と
なるように切り換えた場合に、電圧増幅回路のゲインG
(所定の室温)及びその温度係数TCSがどのように定
まるかについて述べる。
Hereinafter, when any one of the analog switches 42 (1) to 42 (5) of the TCS adjusting circuit 25 is switched to the ON state, the gain G of the voltage amplifying circuit is obtained.
(Predetermined room temperature) and how its temperature coefficient TCS is determined will be described.

【0023】<アナログスイッチ42(1):ON>こ
の場合、入力抵抗Ri=10kΩ,帰還抵抗Rf=10
kΩ,となるから、ゲインG=1である。そして、入力
抵抗の温度係数TCRiは800ppm/℃,帰還抵抗
の温度係数TCRfは1200ppm/℃であるから、
電圧増幅回路のゲイン温度係数TCSは、 TCS=1200−800=400(ppm/℃) となる。
<Analog switch 42 (1): ON> In this case, the input resistance Ri = 10 kΩ and the feedback resistance Rf = 10.
Since kΩ, the gain G = 1. Since the temperature coefficient TCRi of the input resistance is 800 ppm / ° C and the temperature coefficient TCRf of the feedback resistance is 1200 ppm / ° C,
The gain temperature coefficient TCS of the voltage amplifier circuit is TCS = 1200-800 = 400 (ppm / ° C.).

【0024】<アナログスイッチ42(2):ON>こ
の場合、入力抵抗Ri=1kΩ,帰還抵抗Rf=19k
Ω,となるから、ゲインG=19である。そして、入力
抵抗の温度係数TCRiは800ppm/℃,帰還抵抗
の温度係数TCRfは、 TCRf=(800・9+1200・10)/(9+10) =1010(ppm/℃) であるから、ゲイン温度係数TCSは、 TCS=1010−800=210(ppm/℃) となる。
<Analog switch 42 (2): ON> In this case, the input resistance Ri = 1 kΩ and the feedback resistance Rf = 19 k
Ω, the gain G = 19. The temperature coefficient TCRi of the input resistance is 800 ppm / ° C. and the temperature coefficient TCRf of the feedback resistance is TCRf = (800 · 9 + 1200 · 10) / (9 + 10) = 1010 (ppm / ° C.), so the gain temperature coefficient TCS is , TCS = 1010−800 = 210 (ppm / ° C.).

【0025】<アナログスイッチ42(3):ON>こ
の場合、入力抵抗Ri=10kΩ,帰還抵抗Rf=10
kΩ,となるから、ゲインG=1である。そして、TC
Ri=TCRfであるからゲイン温度係数TCS=0,
となる。
<Analog Switch 42 (3): ON> In this case, the input resistance Ri = 10 kΩ and the feedback resistance Rf = 10.
Since kΩ, the gain G = 1. And TC
Since Ri = TCRf, the gain temperature coefficient TCS = 0,
Becomes

【0026】<アナログスイッチ42(4):ON>こ
の場合は、アナログスイッチ42(2)がオンした場合
の入力抵抗Ri,帰還抵抗Rfが入れ替わるためゲイン
G=1/19である。そして、ゲイン温度係数TCS
は、TCS=800−1010=−210(ppm/
℃)となる。
<Analog Switch 42 (4): ON> In this case, since the input resistance Ri and the feedback resistance Rf are switched when the analog switch 42 (2) is turned on, the gain G is 1/19. And the gain temperature coefficient TCS
Is TCS = 800-1010 = -210 (ppm /
℃).

【0027】<アナログスイッチ42(5):ON>こ
の場合は、アナログスイッチ42(1)がオンした場合
の入力抵抗Ri,帰還抵抗Rfが入れ替わるためゲイン
G=1である。そして、ゲイン温度係数TCSは、TC
S=800−1200=−400(ppm/℃)とな
る。
<Analog Switch 42 (5): ON> In this case, since the input resistance Ri and the feedback resistance Rf are switched when the analog switch 42 (1) is turned on, the gain G = 1. The gain temperature coefficient TCS is equal to TC
S = 800-1200 = −400 (ppm / ° C.).

【0028】以上のように、TCS調整回路25のアナ
ログスイッチ42(1)〜42(5)の何れか1つをオ
ン状態に切り換えると、ゲイン温度係数TCSは、40
0ppm/℃,210ppm/℃,0,−210ppm
/℃,−400ppm/℃に変化させることができる。
従って、例えば、ブリッジ回路22の感度温度係数が±
500ppm/℃にばらつくとすれば、±100ppm
/℃以内までに調整することができる。
As described above, when any one of the analog switches 42 (1) to 42 (5) of the TCS adjusting circuit 25 is turned on, the gain temperature coefficient TCS becomes 40.
0ppm / ° C, 210ppm / ° C, 0, -210ppm
/ ° C, -400ppm / ° C can be changed.
Therefore, for example, the sensitivity temperature coefficient of the bridge circuit 22 is ±
± 100ppm if it varies to 500ppm / ℃
It can be adjusted to within / ° C.

【0029】但し、この場合、電圧増幅器の室温におけ
るゲインGも、19,1,1/19の範囲で変化する。
そのゲインの変化分を前段の感度調整回路24のアナロ
グスイッチ29を切り換えることで調整する。尚、感度
調整回路24の抵抗素子28は何れもポリシリコン抵抗
であるから、ゲイン温度係数は常に“0”である。
However, in this case, the gain G at room temperature of the voltage amplifier also changes in the range of 19,1,1 / 19.
The change amount of the gain is adjusted by switching the analog switch 29 of the sensitivity adjusting circuit 24 at the previous stage. Since the resistance elements 28 of the sensitivity adjustment circuit 24 are all polysilicon resistors, the gain temperature coefficient is always "0".

【0030】次に、実際の調整手順について述べると、
作業者は、先ず、TCS調整回路25のアナログスイッ
チ42(3)をオンにして、ゲイン温度係数を“0”に
設定する。尚、この調整段階でアナログスイッチ42
(1)〜42(5)を選択的にオンにするためには、こ
れらのアナログスイッチ42(1)〜42(5)の制御
端子にデータを出力するラッチメモリなどを設けてお
き、そのラッチメモリにデータを与えることで切換えを
行う。
Next, the actual adjustment procedure will be described.
First, the operator turns on the analog switch 42 (3) of the TCS adjusting circuit 25 to set the gain temperature coefficient to "0". At this adjustment stage, the analog switch 42
In order to selectively turn on (1) to 42 (5), a latch memory or the like for outputting data is provided to the control terminals of these analog switches 42 (1) to 42 (5), and the latches are provided. Switching is done by supplying data to the memory.

【0031】そして、TCS調整回路25のゲイン温度
係数を“0”に設定した状態で、ブリッジ回路22の感
度温度係数を測定する。即ち、温度を変化させた場合
に、ブリッジ回路22の感度がどのように変化するのか
を測定する。次に、測定したブリッジ回路22の感度を
キャンセルするように、TCS調整回路25におけるゲ
イン温度係数を設定するため、アナログスイッチ42
(1)〜42(5)の何れかを選択的にオンにする。
Then, the sensitivity temperature coefficient of the bridge circuit 22 is measured with the gain temperature coefficient of the TCS adjusting circuit 25 set to "0". That is, it is measured how the sensitivity of the bridge circuit 22 changes when the temperature is changed. Next, in order to set the gain temperature coefficient in the TCS adjustment circuit 25 so as to cancel the measured sensitivity of the bridge circuit 22, the analog switch 42
Any one of (1) to 42 (5) is selectively turned on.

【0032】それから、選択したTCS調整回路25の
ゲイン温度係数に対応して付加されるゲイン分を調整す
るように、感度調整回路24のアナログスイッチ29を
選択する。尚、調整作業の終了後は、アナログスイッチ
29,42の何れか1つを恒常的にオンさせる(電源投
入時に)ため、EPROM(メモリセル)にデータを書
き込む。そして、対応するアナログスイッチ29,42
の制御端子にEPROMからオンデータを与えるように
する。
Then, the analog switch 29 of the sensitivity adjusting circuit 24 is selected so as to adjust the gain amount added corresponding to the gain temperature coefficient of the selected TCS adjusting circuit 25. After the adjustment work, one of the analog switches 29 and 42 is constantly turned on (when the power is turned on), so that data is written in the EPROM (memory cell). Then, the corresponding analog switches 29, 42
ON data is supplied from the EPROM to the control terminal of.

【0033】また、以上の調整作業を行う前提として、
TCS調整回路25に用いる抵抗素子31〜38には、
想定されるブリッジ回路22の感度温度係数よりも大き
な抵抗温度係数を有するものが必要であることは言うま
でもない。
As a premise for performing the above adjustment work,
The resistive elements 31 to 38 used in the TCS adjustment circuit 25 include
It goes without saying that a circuit having a resistance temperature coefficient larger than the assumed temperature coefficient of sensitivity of the bridge circuit 22 is required.

【0034】以上のように本実施例によれば、TCS調
整回路25において、複数のアナログスイッチ42
(1)〜42(5)により電圧増幅回路の増幅率を可変
設定する複数の抵抗素子31〜38の接続状態を切り換
えて、ブリッジ回路22が有する感度温度係数が極力小
さくなるように調整し、感度調整回路24において、複
数のアナログスイッチ29により、電圧増幅回路の電圧
増幅率を可変設定する複数の抵抗素子28の接続状態を
切り換えて圧力センサ21の感度を調整するようにし
た。
As described above, according to this embodiment, in the TCS adjustment circuit 25, the plurality of analog switches 42 are
(1) to 42 (5), the connection state of the plurality of resistance elements 31 to 38 that variably sets the amplification factor of the voltage amplification circuit is switched, and the sensitivity temperature coefficient of the bridge circuit 22 is adjusted to be as small as possible. In the sensitivity adjustment circuit 24, the sensitivity of the pressure sensor 21 is adjusted by switching the connection state of the resistance elements 28 that variably set the voltage amplification factor of the voltage amplification circuit by using the analog switches 29.

【0035】即ち、TCS調整回路における電圧増幅回
路のゲイン温度係数は正負何れの値をも取り得るため、
ブリッジ回路22の感度温度係数が正,負の何れの値を
示す場合でも、その温度係数が極力小さくなるように調
整を行うことができる。そして、TCS調整回路25に
おいて抵抗温度係数を調整すると電圧増幅率も変化する
ため、感度調整回路24側で電圧増幅率が圧力センサ2
1トータルで適正となるように調整する。従って、圧力
センサ21の感度と抵抗温度係数との調整を良好に行う
ことができる。
That is, since the gain temperature coefficient of the voltage amplification circuit in the TCS adjustment circuit can take either positive or negative value,
Regardless of whether the sensitivity temperature coefficient of the bridge circuit 22 shows a positive or negative value, the temperature coefficient can be adjusted to be as small as possible. Then, when the temperature coefficient of resistance is adjusted in the TCS adjusting circuit 25, the voltage amplification factor also changes, so that the voltage amplification factor on the side of the sensitivity adjusting circuit 24 is the pressure sensor 2.
1 Adjust so that the total is appropriate. Therefore, the sensitivity of the pressure sensor 21 and the temperature coefficient of resistance can be adjusted well.

【0036】そして、調整を行う際の抵抗素子28,3
1〜38の接続切換えを、何れもオペアンプ26,30
の入力端子に直列に接続されるアナログスイッチ28,
42を用いて行うので、導通状態となったアナログスイ
ッチ28,42には電流はほとんど流れない。従って、
例え導通抵抗が大きい場合であっても、その抵抗値が調
整に影響与えることがないので、高い精度で調整を行う
ことができる。
The resistance elements 28, 3 for adjustment
The connection switching of 1 to 38 is performed by the operational amplifiers 26 and 30
Analog switch 28 connected in series to the input terminal of
Since it is performed by using 42, almost no current flows through the analog switches 28, 42 which have become conductive. Therefore,
Even if the conduction resistance is large, the resistance value does not affect the adjustment, so that the adjustment can be performed with high accuracy.

【0037】本発明は上記し且つ図面に記載した実施例
にのみ限定されるものではなく、次のような変形または
拡張が可能である。抵抗素子の抵抗温度係数や抵抗値、
感度調整回路24やTCS調整回路25における素子の
切換え数などは適宜設定すれば良い。感度調整回路24
とTCS調整回路25の接続順序を入れ替えても良い。
感度温度係数調整回路における抵抗素子及びアナログス
イッチの接続形態は、例えば、感度調整回路24の抵抗
素子28及びアナログスイッチ29と同様に構成しても
良い。スイッチング素子には、FETを用いても良い。
感度温度係数調整回路に用いる抵抗素子はポリシリコン
抵抗,拡散抵抗に限ることなく、抵抗温度係数が異なる
素子であれば良い。圧力センサに限ることなく、その他
加速度センサなどに適用しても良い。
The present invention is not limited to the embodiments described above and shown in the drawings, and the following modifications or expansions are possible. Resistance temperature coefficient and resistance value of the resistance element,
The number of switching elements in the sensitivity adjustment circuit 24 and the TCS adjustment circuit 25 may be set appropriately. Sensitivity adjustment circuit 24
The connection order of the TCS adjusting circuit 25 and the TCS adjusting circuit 25 may be exchanged.
The connection form of the resistance element and the analog switch in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit may be the same as that of the resistance element 28 and the analog switch 29 of the sensitivity adjusting circuit 24, for example. A FET may be used as the switching element.
The resistance element used in the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit is not limited to the polysilicon resistance and the diffusion resistance, and any element having a different resistance temperature coefficient may be used. The present invention is not limited to the pressure sensor, but may be applied to other acceleration sensors or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を圧力センサに適用した場合の一実施例
であり、電気的構成を示す図
FIG. 1 is a diagram showing an electrical configuration of an embodiment of the present invention applied to a pressure sensor.

【図2】一般的な非反転増幅回路の構成において、入力
抵抗及び帰還抵抗に抵抗温度係数が異なる素子を用いた
場合のゲインを説明する図
FIG. 2 is a diagram illustrating a gain when elements having different resistance temperature coefficients are used for an input resistance and a feedback resistance in a general configuration of a non-inverting amplifier circuit.

【図3】抵抗温度係数が異なる素子を直列に接続した場
合の抵抗温度係数を説明する図
FIG. 3 is a diagram illustrating a temperature coefficient of resistance when elements having different temperature coefficients of resistance are connected in series.

【図4】従来技術を示す図1相当図FIG. 4 is a view corresponding to FIG. 1 showing a conventional technique.

【図5】センサの感度温度係数を説明する図FIG. 5 is a diagram illustrating a sensitivity temperature coefficient of a sensor.

【図6】図5における抵抗9を複数の素子の並列回路に
置き換えた状態を示す図
6 is a diagram showing a state in which a resistor 9 in FIG. 5 is replaced with a parallel circuit of a plurality of elements.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21は圧力センサ、22はブリッジ回路(センサ部)、
24は感度調整回路、25はTCS調整回路(感度温度
係数調整回路)、26はオペアンプ、28は抵抗素子、
29はアナログスイッチ(スイッチング素子)、30は
オペアンプ、31〜38は抵抗素子、42はアナログス
イッチ(スイッチング素子)を示す。
21 is a pressure sensor, 22 is a bridge circuit (sensor section),
24 is a sensitivity adjustment circuit, 25 is a TCS adjustment circuit (sensitivity temperature coefficient adjustment circuit), 26 is an operational amplifier, 28 is a resistance element,
Reference numeral 29 is an analog switch (switching element), 30 is an operational amplifier, 31 to 38 are resistance elements, and 42 is an analog switch (switching element).

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対象となる物理量を検出するために複数
の抵抗素子をブリッジ接続して構成されるセンサ部の出
力電圧を増幅し、センサ信号として出力するセンサの温
度特性を補正する回路であって、 センサの感度を調整するための感度調整回路と、 センサの感度温度係数を調整するための感度温度係数調
整回路とを備え、 前記感度調整回路は、オペアンプと、このオペアンプに
入力抵抗及び帰還抵抗として接続され、電圧増幅率を可
変設定するための複数の抵抗素子と、これら複数の抵抗
素子の前記オペアンプに対する接続状態を切り換えるた
め、当該オペアンプの入力端子に対して直列に接続され
る複数のスイッチング素子とを備えて構成され、 前記感度温度係数調整回路は、オペアンプと、このオペ
アンプに入力抵抗及び帰還抵抗として接続されると共
に、少なくとも一部が異なる抵抗温度係数を有し前記オ
ペアンプの電圧増幅率を可変設定するための複数の抵抗
素子と、これら複数の抵抗素子の前記オペアンプに対す
る接続状態を切り換えるため、当該オペアンプの入力端
子に対して直列に接続される複数のスイッチング素子と
を備えて構成されることを特徴とするセンサ用温度特性
補正回路装置。
1. A circuit that amplifies an output voltage of a sensor unit configured by connecting a plurality of resistance elements in a bridge to detect a target physical quantity and corrects a temperature characteristic of a sensor that outputs a sensor signal. A sensitivity adjustment circuit for adjusting the sensitivity of the sensor and a sensitivity temperature coefficient adjustment circuit for adjusting the sensitivity temperature coefficient of the sensor.The sensitivity adjustment circuit includes an operational amplifier, an input resistance and a feedback to the operational amplifier. A plurality of resistance elements connected as resistors to variably set the voltage amplification factor and a plurality of resistance elements connected in series to the input terminal of the operational amplifier in order to switch the connection state of the plurality of resistance elements to the operational amplifier. The sensitivity temperature coefficient adjusting circuit is configured by including a switching element, and the sensitivity temperature coefficient adjusting circuit includes an operational amplifier, and an input resistance and a feedback resistance in the operational amplifier. A plurality of resistance elements for variably setting the voltage amplification factor of the operational amplifier having at least a part of different resistance temperature coefficients, and for switching the connection state of the plurality of resistance elements to the operational amplifier, A temperature characteristic correction circuit device for a sensor, comprising: a plurality of switching elements connected in series to an input terminal of the operational amplifier.
【請求項2】 対象となる物理量を検出するために複数
の抵抗素子をブリッジ接続して構成されるセンサ部の出
力電圧を増幅し、センサ信号として出力するセンサの温
度特性を補正する方法であって、 前記センサ部に対して直列に接続される2つの電圧増幅
回路の内の何れか一方において、オペアンプの入力端子
に対して直列に接続される複数のスイッチング素子によ
り、少なくとも一部が異なる抵抗温度係数を有する複数
の抵抗素子の接続状態を切り換えて電圧増幅率を可変設
定し、前記センサ部が有している感度温度係数が極力小
さくなるように調整し、 前記2つの電圧増幅回路の内の他方において、オペアン
プの入力端子に対して直列に接続される複数のスイッチ
ング素子により複数の抵抗素子の接続状態を切り換えて
電圧増幅率を可変設定し、センサの感度を調整すること
を特徴とするセンサの温度特性補正方法。
2. A method of amplifying an output voltage of a sensor unit configured by connecting a plurality of resistance elements in a bridge to detect a target physical quantity and correcting the temperature characteristic of the sensor output as a sensor signal. Then, in any one of the two voltage amplification circuits connected in series to the sensor unit, at least a part of the resistors is different due to the plurality of switching elements connected in series to the input terminal of the operational amplifier. The voltage amplification factor is variably set by switching the connection state of a plurality of resistance elements having a temperature coefficient, and the sensitivity temperature coefficient of the sensor unit is adjusted to be as small as possible. On the other hand, the voltage amplification factor can be adjusted by switching the connection state of the resistance elements with the switching elements connected in series to the input terminal of the operational amplifier. Set, the temperature characteristic correction method of the sensor, characterized in that to adjust the sensitivity of the sensor.
JP2001234929A 2001-08-02 2001-08-02 Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method Withdrawn JP2003042870A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001234929A JP2003042870A (en) 2001-08-02 2001-08-02 Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001234929A JP2003042870A (en) 2001-08-02 2001-08-02 Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003042870A true JP2003042870A (en) 2003-02-13

Family

ID=19066455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001234929A Withdrawn JP2003042870A (en) 2001-08-02 2001-08-02 Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003042870A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10345731B3 (en) * 2003-10-01 2005-04-07 Robert Bosch Gmbh Method and circuit arrangement for minimizing disturbing influences in an electronic circuit
JP2007240406A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Distortion detection apparatus
JP2010085190A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Denso Corp Sensor apparatus and self-diagnosis method of sensor apparatus
JP2010147663A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Sensitivity adjustment circuit
JP2012154829A (en) * 2011-01-27 2012-08-16 Denso Corp Sensitivity-temperature characteristic correction circuit
JP2013525747A (en) * 2010-03-18 2013-06-20 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Piezoresistive micromechanical sensor component and corresponding measurement method
FR3109638A1 (en) * 2020-04-23 2021-10-29 Nexter Systems TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS IN A CURRENT MEASURING DEVICE AND ASSOCIATED CURRENT MEASURING DEVICE
US11422049B2 (en) 2018-03-14 2022-08-23 Fuji Electric Co., Ltd. Sensor device configured to reduce output errors due to temperature characteristics

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10345731B3 (en) * 2003-10-01 2005-04-07 Robert Bosch Gmbh Method and circuit arrangement for minimizing disturbing influences in an electronic circuit
JP2007240406A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Distortion detection apparatus
JP2010085190A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Denso Corp Sensor apparatus and self-diagnosis method of sensor apparatus
JP2010147663A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Sensitivity adjustment circuit
JP2013525747A (en) * 2010-03-18 2013-06-20 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Piezoresistive micromechanical sensor component and corresponding measurement method
JP2012154829A (en) * 2011-01-27 2012-08-16 Denso Corp Sensitivity-temperature characteristic correction circuit
US11422049B2 (en) 2018-03-14 2022-08-23 Fuji Electric Co., Ltd. Sensor device configured to reduce output errors due to temperature characteristics
FR3109638A1 (en) * 2020-04-23 2021-10-29 Nexter Systems TEMPERATURE COMPENSATION PROCESS IN A CURRENT MEASURING DEVICE AND ASSOCIATED CURRENT MEASURING DEVICE
EP3916400A1 (en) * 2020-04-23 2021-12-01 NEXTER Systems Method of temperature compensation in a current measuring device and associated current measuring device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4671305B2 (en) Physical quantity sensor
US7325449B2 (en) Thermal flow sensor having an amplifier section for adjusting the temperature of the heating element
JPH02177566A (en) Semiconductor distortion detection device
US5121064A (en) Method and apparatus for calibrating resistance bridge-type transducers
CN112968434A (en) High-precision overcurrent protection circuit
JP2003042870A (en) Temperature characteristics correcting circuit apparatus for sensor and sensor temperature characteristics correcting method
US3457493A (en) Multiple constant current supply
JPH10281897A (en) Semiconductor pressure detector
JP3222367B2 (en) Temperature measurement circuit
JPH11186909A (en) Electric circuit provided with field effect transistor and calibration method for the transistor
JP4125602B2 (en) Improved iterative cell matching method for integrated circuits.
JPH0829269A (en) Temperature compensating circuit
WO2020199641A1 (en) Logarithmic current-voltage conversion circuit with temperature compensation function
JP2001298337A (en) Variable gain amplifier circuit
JPH0719019Y2 (en) Temperature correction circuit
JP2002374131A (en) Automatic correction circuit of operational amplifier offset voltage
TWI839036B (en) Current sense amplifier circuit and trimming method of offset referred to input voltage
JPH11225028A (en) Variable gain amplifier
KR100256979B1 (en) Signal compensation circuit
JP3750330B2 (en) A / D converter
JPS6122766B2 (en)
JPH0534224A (en) Transducer circuit and manufacture thereof
JPH1013168A (en) Voltage/current conversion constant current circuit
JPH0431535Y2 (en)
JP2008172690A (en) Operational amplifier circuit and offset adjusting method of operational amplifier circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070821

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090626