JP2003037521A - マルチバンド高周波スイッチ - Google Patents

マルチバンド高周波スイッチ

Info

Publication number
JP2003037521A
JP2003037521A JP2002073628A JP2002073628A JP2003037521A JP 2003037521 A JP2003037521 A JP 2003037521A JP 2002073628 A JP2002073628 A JP 2002073628A JP 2002073628 A JP2002073628 A JP 2002073628A JP 2003037521 A JP2003037521 A JP 2003037521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
port
transmission
high frequency
frequency switch
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002073628A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3772771B2 (ja
Inventor
Masaharu Tanaka
正治 田中
Hideaki Nakakubo
英明 中久保
Koji Nagata
康志 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002073628A priority Critical patent/JP3772771B2/ja
Priority to EP02010845A priority patent/EP1258940A3/en
Priority to US10/147,934 priority patent/US6847829B2/en
Priority to CNB021200297A priority patent/CN1192660C/zh
Publication of JP2003037521A publication Critical patent/JP2003037521A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3772771B2 publication Critical patent/JP3772771B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

Landscapes

  • Transceivers (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は主として携帯電話に用いられるマル
チバンド高周波スイッチに関するものであって、小型の
マルチバンド高周波スイッチを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 高周波スイッチ18を形成するストリッ
プライン12を第1、第2のストリップライン12a,
12bの直列体で形成し、この直列体の接続点Aに第3
のダイオード16を介して第2の送信ポート7を接続
し、この第2の送信ポート7と第3のダイオード16間
に第2の制御ポート17を接続するとともに、この高周
波スイッチ18の受信側ポート8に分波器14を介して
第1、第2の受信ポート9,10を接続した構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は主として携帯電話に
用いられるマルチバンド高周波スイッチに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、二つの異なる周波数帯域をそれぞ
れの送信信号及び受信信号に分別するマルチバンド高周
波スイッチ1は、図6に示す如く異なる二つの周波数帯
域をそれぞれの周波数帯域に分波する分波器2と、この
分波器2によって分波された周波数帯域に対してそれぞ
れの送受信信号に切り換える高周波スイッチ3とを接続
した構成となっていた。図6において、3aは受信ポー
ト、3bは送信ポート、5はアンテナポート、19はダ
イオード、20は表面弾性波フィルタ、21はフィルタ
を示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このマ
ルチバンド高周波スイッチ1においては、分波、切り換
えというように機能毎に回路ブロックを設定しているた
め、一つの分波器2と二つの高周波スイッチ3が必ず必
要となることから、これらの分波器2及びスイッチ3を
構成する回路素子数が非常に多く、マルチバンド高周波
スイッチ1の小型化が困難なものとなっていた。
【0004】本発明はこのような問題を解決し、小型の
マルチバンド高周波スイッチを提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項1に記載の発明は、特に高周波スイッ
チを形成するストリップラインを第1、第2のストリッ
プラインの直列体で形成し、この第1、第2のストリッ
プラインの接続部分にスイッチング素子を介して第2の
送信ポートを接続し、この第2の送信ポートとスイッチ
ング素子間に第2の制御ポートを接続するとともに、こ
の高周波スイッチの受信側ポートに分波器を介して第
1、第2の受信ポートを接続した構成とすることで、ス
イッチング素子を含む電気回路素子を削減することがで
き、マルチバンド高周波スイッチを小型化できる。
【0006】請求項2に記載の発明は、特に第1、第2
のストリップラインの線路長の和を第1の送信ポートを
通過する周波数の4分の1波長に設定するとともに、第
2のストリップラインの線路長を第2の送信ポートを通
過する周波数の略4分の1波長に設定したことで、各周
波数帯域における送受信間のアイソレーションを高める
ことができる。
【0007】請求項3に記載の発明は、特に第1、第2
の送信ポートの少なくとも一方には、他方の送信ポート
を通過する送信信号の周波数帯を減衰させるフィルタを
接続したことで、一方の送信ポートからの送信時に他方
の送信ポート側への信号の漏洩を抑制できる。
【0008】請求項4に記載の発明は、特に低域側の周
波数帯域に対応する送信ポートに接続するフィルタをバ
ンドパスフィルタ或いはローパスフィルタで構成し、高
域側の周波数帯域に対応する送信ポートに接続するフィ
ルタをバンドパスフィルタで構成することで、請求項3
に記載されたものと同様の効果を奏するとともに、送信
ポートの前段に位置するPAからの高調波成分も抑制で
きる。
【0009】請求項5に記載の発明は、特に第3のスイ
ッチング素子と第1、第2のストリップラインとの間に
第1の送信ポートから入力される第1の送信信号に係る
周波数帯域を減衰させるフィルタ回路を介在させたこと
で、第1の送信ポートから入力される第1の送信信号が
第3の送信ポートへ漏洩することを抑制できる。
【0010】請求項6に記載の発明は、特にフィルタ回
路を第1のコンデンサ素子と第1のインダクタンス素子
の並列共振回路を用いて形成したことで、簡易な回路を
用いて効率よく漏洩を抑制できる。
【0011】請求項7に記載の発明は、特に第2のスイ
ッチング素子に対して、第1の送信ポートから入力され
る第1の送信信号の周波数帯域を減衰させ、かつ第2の
送信ポートから入力される第2の送信信号に係る周波数
帯域を減衰させるフィルタ回路を接続したことで、第1
の送信ポートから入力される第1の送信信号および第2
の送信ポートから入力される第2の送信信号が受信ポー
ト側へ漏洩することを抑制できる。
【0012】請求項8に記載の発明は、特にフィルタ回
路は第2のコンデンサ素子と第2のインダクタンス素子
を並列に接続してこの並列体と第3のインダクタンス素
子を直列接続した直列体を、第2のダイオードとグラン
ド間に設けた構成とすることで、簡易な回路を用いて効
率よく漏洩を抑制できる。
【0013】請求項9に記載の発明は、特に第3のコン
デンサ素子と第4のインダクタンス素子を並列に接続し
てこの並列体と第5のインダクタンス素子およびDCカ
ット用の第4のコンデンサ素子を直列接続した直列体で
構成し、この直列体を第1、第2、第3のスイッチング
素子の少なくとも一つに並列接続することで、スイッチ
ング素子におけるオフ時の異なる周波数帯域に対するア
イソレーションを向上させることができる。
【0014】請求項10に記載の発明は、特に直列体を
第2のスイッチング素子に並列接続したことで、アンテ
ナポートから各受信ポートに対する信号経路内でのスイ
ッチング素子に起因する漏洩が抑制できるので、受信感
度が向上できる。
【0015】請求項11に記載の発明は、特に第1のス
トリップラインと第2のストリップラインの間に第4の
スイッチング素子を介して第3の受信ポートを接続し、
この第3の受信ポートと第4のスイッチング素子との間
に第3の制御ポートを接続したことで、受信ポートを増
すことができる。
【0016】請求項12に記載の発明は、特に第4のス
イッチング素子と第1、第2のストリップラインとの間
に第1の送信ポートから入力される第1の送信信号の周
波数帯域を減衰させるフィルタ回路を介在させたこと
で、第1の送信ポートから入力される第1の送信信号が
第3の受信ポートへ漏洩することを抑制できる。
【0017】請求項13に記載の発明は、特にフィルタ
回路は第5のコンデンサ素子と第6のインダクタンス素
子の並列共振回路を用いて形成したことで、簡易な回路
を用いて効率よく漏洩を抑制できる。
【0018】請求項14に記載の発明は、特に高周波ス
イッチを形成するストリップラインを第1、第2のスト
リップラインの直列体で形成し、この第1、第2のスト
リップラインの接続部分にスイッチング素子を介して第
2の送信ポートを接続し、この第2の送信ポートとスイ
ッチング素子間に第2の制御ポートを接続したことで、
この高周波スイッチの受信側ポートに従来から接続され
ていた外付けの表面弾性波フィルタが接続されることに
なり、この表面弾性波フィルタが分波器の役割を果たす
ことからマルチバンド高周波スイッチを小型化できる。
【0019】請求項15に記載の発明は、特に受信側ポ
ートに表面弾性波フィルタを用いた共用器を接続したこ
とで、高周波スイッチの後段に設けられていた表面弾性
波フィルタをマルチバンド高周波スイッチ側に容易に取
り込めるので、マルチバンド高周波スイッチの付加価値
を高めることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図を用いて説明する。なお、前述した従来の技術と
類似する構成については同じ符号を付し説明する。
【0021】図1は二つの異なる周波数帯域に対応する
携帯電話に用いられるマルチバンド高周波スイッチ4の
回路図を示す。なお、二つの異なる周波数帯域に対応す
る携帯電話としては、欧州デジタル携帯電話に使用され
るGSM周波数帯域とDCS周波数帯域に対応したもの
や、米国デジタル携帯電話に使用されるDAMPS周波
数帯域とPCS周波数帯域に対応したもの等が例に挙げ
られ、ここでは説明の都合上GSM周波数帯域とDCS
周波数帯域に対応したものについて説明する。
【0022】この図1に示すマルチバンド高周波スイッ
チ4の構造は、アンテナポート5、GSM送信ポート
6、DCS送信ポート7、受信側ポート8、GSM受信
ポート9、DCS受信ポート10を有し、アンテナポー
ト5とGSM送信ポート6間は第1のスイッチング素子
となるダイオード11aを介して接続し、アンテナポー
ト5と受信側ポート8間はストリップライン12を介し
て接続し、このストリップライン12の受信側ポート8
側を第2のスイッチング素子となるダイオード11bを
介してアースに接続し、GSM送信ポート6とダイオー
ド11a間にこの二つのダイオード11a,11bのオ
ン、オフを制御するGSM用の制御ポート13が接続さ
れており、先に述べた図6に示す従来のマルチバンド高
周波スイッチ1に用いられているSPDT(シングルポ
ートダブルスロット)型の高周波スイッチ3を基本構造
としている。
【0023】そして、図6に示す受信ポート3aに相当
する図1の受信側ポート8に分波器14を介してGSM
受信ポート9とDCS受信ポート10を接続するととも
に、ストリップライン12を2分割し、この2分割され
たストリップライン12a,12bの分割点AにDCS
送信ポート7を第3のスイッチング素子となるダイオー
ド16を介して接続し、このDCS送信ポート7とダイ
オード16間には二つのダイオード16,11bのオ
ン、オフを制御するDCS周波数帯域の送受信を切り換
え接続するDCS用の制御ポート17が接続された構成
となっている。
【0024】なお、分波器14については図6に示す分
波器2と同様にハイパスフィルタとローパスフィルタを
組み合わせたものを使用している。
【0025】そして、このマルチバンド高周波スイッチ
4の回路動作については、GSM周波数帯域を使用する
際、送信時にはGSM用の制御ポート13から制御電圧
を印加することで、ダイオード11a,11bが共にオ
ンの状態となりGSM送信ポート6とアンテナポート5
が電気的に接続され、受信側ポート8側がダイオード1
1bによって接地されるのでGSM送信ポート6から入
力された送信信号が効率よくアンテナポート5に搬送さ
れる。
【0026】また、受信時にはGSM用の制御ポート1
3からの制御電圧の印加を止めダイオード11a,11
bを共にオフの状態とし、アンテナポート5とGSM送
信ポート6を電気的に非接続状態とし、且つダイオード
11bによるストリップライン12のグランド接地を非
接続状態とすることで、アンテナポート5から入力され
た受信信号が受信側ポート8に搬送され、後段の分波器
14によってGSM受信ポート9に選択的に接続される
のである。なお、GSM周波数帯域を使用する際にはD
CS用の制御ポート17から制御電圧は印加しないもの
とする。
【0027】次にDCS周波数帯域を使用する際、送信
時にはDCS用の制御ポート17から制御電圧を印加す
ることで、ダイオード16,11bが共にオンの状態と
なりDCS送信ポート7とアンテナポート5が電気的に
接続され、受信側ポート8側がダイオード11bによっ
て接地されるのでDCS送信ポート7から入力された送
信信号が効率よくアンテナポート5に搬送される。
【0028】また、受信時にはDCS用の制御ポート1
7からの制御電圧の印加を止めダイオード16,11b
を共にオフの状態とし、アンテナポート5とDCS送信
ポート7を電気的に非接触状態とし、且つダイオード1
1bによるストリップライン12のグランド接地を非接
触状態とすることで、アンテナポート5から入力された
受信信号が受信側ポート8に搬送され、後段の分波器1
4によってDCS受信ポート10に選択的に接続される
のである。なお、DCS周波数帯域を使用する際にはG
SM用の制御ポート13から制御電圧の印加はせずにダ
イオード11aを介したアンテナポート5とGSM送信
ポート6の電気的接続は非接触状態とする。
【0029】以上のようにこのマルチバンド高周波スイ
ッチ4において、改良された一つの高周波スイッチ18
と一つの分波器14とで形成することができ、前述した
図6に示す一つの分波器2と二つの高周波スイッチ3で
形成した従来のマルチバンド高周波スイッチ1と比較し
て、ダイオード19を含む回路素子を大幅に削減するこ
とができ、マルチバンド高周波スイッチ1を小型化でき
るのである。
【0030】また、図6に示す従来のマルチバンド高周
波スイッチ1においては送信時、送信ポート3bから入
力されアンテナポート5から出力される送信信号の挿入
損失は高周波スイッチ3の挿入損失と分波器2の挿入損
失の和となるのであるが、図1に示されたマルチバンド
高周波スイッチ4においては送信時の挿入損失がダイオ
ード(11a或いは16)による挿入損失(図6におけ
る高周波スイッチ3による挿入損失に相当)のみとな
り、従来のものより挿入損失が小さくなるのでこのマル
チバンド高周波スイッチ4を用いた携帯電話においては
送信時の消費電流が小さくなり、結果として携帯電話の
バッテリー使用時間を長いものとできるのである。
【0031】図1に戻り、アンテナポート5と受信側ポ
ート8間に接続されたストリップライン12a,12b
の線路長の和をGSM周波数帯域の送信周波数における
4分の1波長に設定するとともに、受信側ポート8に接
続されたストリップライン12bの線路長をDCS周波
数帯域の送信周波数における4分の1波長に設定するこ
とで、GSM周波数帯域およびDCS周波数帯域におけ
る送受信間のアイソレーションを高いものとできるので
ある。
【0032】これは、GSM周波数帯域の送信時におい
て、ストリップライン12a,12bの線路長の和がG
SM送信周波数の4分の1波長となりその一端が接地さ
れるので、アンテナポート5とGSM送信ポート6との
接続点Bから見た受信ポート9側のGSM送信周波数に
おけるインピーダンスが無限大となり、このことによっ
てGSM周波数帯域の送信時における送受信間のアイソ
レーションが確保できるとともに、DCS周波数帯域の
送信時において、ストリップライン12bの線路長がD
CS送信周波数の4分の1波長となりその一端が接地さ
れるので、DCS送信ポート7とストリップライン12
bとの接続点Aから見た受信ポート10側のDCS送信
周波数におけるインピーダンスが無限大となり、このこ
とによってDCS周波数帯域の送信時における送受信間
のアイソレーションが確保できるのである。なお、DC
S周波数帯域の送信時においてストリップライン12a
はアンテナポート5とストリップラインを接続する単な
る伝送線路として用いられるものである。なお、ストリ
ップライン12a,12bの線路長の和は、実質的にG
SM周波数帯域の送信周波数における4分の1波長であ
れば良く、4分の1波長に2分の1波長の整数倍を加え
た線路長(例えば4分の3波長)としても同様の作用効
果を奏する。
【0033】そして、ストリップライン12a,12b
の線路長の和がGSM送信周波数の4分の1波長とする
ことは、図6に示す従来のマルチバンド高周波スイッチ
1のGSM側に用いられる高周波スイッチ3のストリッ
プラインの線路長と等しく、図2に示すものでは実質的
に図1に示すDCS側のストリップラインを排除したも
のと等しくなるため、実質的に部品点数が削減できマル
チバンド高周波スイッチ4が小型のものとできるのであ
る。
【0034】また、このようなマルチバンド高周波スイ
ッチ4を用いるに当たっては、GSM周波数帯域とDC
S周波数帯域の切り換え或いは各周波数帯域における送
受信の切り換えに上述したように第1、第2、第3の三
つのダイオード11a,11b,16を用いているが、
一般にダイオードには端子間容量や寄生インダクタを有
しており、通常これらの端子間容量や寄生インダクタに
よりダイオードのオフ時に信号を完全に遮蔽することが
できず、例えばGSM周波数帯域の送信時には送信ポー
ト6から入力された送信信号の一部が非接続状態にある
第3のダイオード16を介してDCS送信ポート7側に
流れてしまい、その分送信信号の挿入損失が増加してし
まうことになる。
【0035】この点については、少なくとも一方の送信
ポート(例えば送信ポート6)に他方の送信ポート7を
通過する送信信号の周波数帯を減衰させるフィルタ15
を接続したことで、他方の送信ポート7からの送信時に
一方の送信ポート6から外部への信号の漏洩を抑制でき
るのである。
【0036】さらに、このようなマルチバンド高周波ス
イッチ4を使用するにあたっては、図6に示すように従
来から各送信ポート3bの前段に配置されるPA(特に
図示せず)の高調波成分を減衰させるためのフィルタ2
1が設けられるものであり、通常このフィルタ21は帯
域通過型のバンドパスフィルタや低域通過型のローパス
フィルタが用いられている。
【0037】よって、このフィルタ21を利用し、図1
に示す800MHz周波数帯域に対応するGSM側送信
ポート6に接続するフィルタ15をバンドパスフィルタ
或いはローパスフィルタにて形成し、1.8GHz周波
数帯域に対応するDCS側送信ポート7に接続するフィ
ルタ15をバンドパスフィルタにて形成することで、従
来から行われていたPA(特に図示せず)の高調波成分
を減衰させるとともに、先に述べた一方の送信ポート
(例えば送信ポート7)からの送信時に他方の送信ポー
ト6側への信号の漏洩を抑制できるのである。
【0038】具体的にはGSM側の送信ポート6に接続
されたフィルタ15は、GSM送信信号の高域側に位置
するPAの高調波成分とDCS送信信号とを減衰させれ
ばよく、GSM送信信号を通過させてそれより高域側の
信号を減衰させることができる低域通過型ローパスフィ
ルタもしくはGSM送信信号のみを通過させることがで
きる通過帯域型のバンドパスフィルタを接続すればよ
く、これに対してDCS側の送信ポート7に接続された
フィルタ15は、DCS送信信号の高域側に位置するP
Aの高調波成分とDCS送信信号の低域側に位置するG
SM送信信号の両方を減衰させなければならず、DCS
送信信号のみを通過させることができる帯域通過型のバ
ンドパスフィルタを接続するのである。
【0039】また、このマルチバンド高周波スイッチ4
においては、上述したごとくGSM周波数帯域の送信時
において、ストリップライン12a,12bの線路長の
和がGSM送信周波数の4分の1波長となりその一端が
接地されるので、アンテナポート5とGSM送信ポート
6との接続点Bから見た受信ポート9側のGSM送信周
波数におけるインピーダンスが無限大となり、このこと
によってGSM周波数帯域の送信時における送受信間の
アイソレーションを確保するのであるが、分割されたス
トリップライン12a,12b間にオフ状態のダイオー
ド16が接続されるため、このダイオード16の特に端
子間容量がストリップライン12に付加され、この付加
容量によってストリップライン12のインピーダンスに
影響してしまい、アイソレーションを劣化させてしま
う。
【0040】そのため、このマルチバンド高周波スイッ
チ4においては、このアイソレーションの劣化を抑制す
るためダイオード16と分割点Aの間に送信ポート6か
ら入力されるGSM周波数帯域の送信信号を減衰させる
フィルタ回路23を介在させ、このフィルタ回路23の
周波数特性によってダイオード16の端子間容量のスト
リップライン12に対する影響を抑制しているのであ
る。
【0041】なお、このフィルタ回路23は所定周波数
帯域(この場合GSMの送信周波数帯域)のみを減衰さ
せ他の部分に於いて良好な通過特性が確保するコンデン
サ素子23aとインダクタンス素子23bを並列接続し
たLC並列共振回路(いわゆるノッチ回路)を分割点A
とダイオード16との間に配置することが望ましい。
【0042】また、このマルチバンド高周波スイッチ4
においてダイオード11bはその役割として、GSM送
信時及びDCS送信時のそれぞれに対してストリップラ
イン12の一端を接地しなければならず、オン時のダイ
オード11bに生じる寄生インダクタンスによる影響を
異なるGSM,DCSの送信周波数帯域において抑制す
るフィルタ回路24が必要となる。
【0043】そこで、図2に示すごとくインダクタンス
素子24aと、インダクタンス素子24bとコンデンサ
素子24cの並列体を接続しフィルタ回路24を形成
し、このフィルタ回路24をダイオード11bとグラン
ド間に接続している。
【0044】このフィルタ回路24は、ダイオード11
bに生じる寄生インダクタンスとインダクタンス素子2
4aとでDCSの送信周波数の4分の1波長線路を形成
し、インダクタンス素子24bとコンデンサ素子24c
のLC並列回路の共振周波数をDCSの送信周波数とな
るようにその値を設定し、この条件の下でダイオード1
1bに生じる寄生インダクタンスとインダクタンス素子
24aとで形成したDCSの送信周波数の4分の1波長
線路とコンデンサ素子24cの直列共振周波数をGSM
の送信周波数となるよう設定している。
【0045】これにより、DCS送信時にはインダクタ
ンス素子24bとコンデンサ素子24cの並列共振によ
り、ダイオード11bに生じる寄生インダクタンスとイ
ンダクタンス素子24aとで形成したDCSの送信周波
数の4分の1波長線路のグランド側端がオープン状態と
なり他端側がショート状態となる。つまり、ストリップ
ライン12の受信側ポート8端がダイオード11bの影
響を受けることなく完全に接地され、またDCS送信時
にはダイオード11bに生じる寄生インダクタンスとイ
ンダクタンス素子24aとで形成した4分の1波長線路
とコンデンサ素子24cの直列共振によりストリップラ
イン12の受信側ポート8端がダイオード11bの影響
を受けることなく完全に接地される。
【0046】つまり、ストリップライン12に接続され
るダイオード11bに対してこのフィルタ回路24を接
続することで、DSMとDCSといった異なる周波数に
対してストリップライン12の一端をそれぞれ理想的に
グランド接続することが出来るのである。
【0047】なお、ダイオード11bに生じる寄生イン
ダクタンスとインダクタンス素子24aとでDCSの送
信周波数帯域の4分の1波長線路を形成したのは、DC
Sの周波数帯域がGSMの周波数帯域より高く、インダ
クタンス素子24aの線路長を短いものと出来るからで
あり、ダイオード11bに生じる寄生インダクタンスと
インダクタンス素子24aとでGSMの送信周波数帯域
の4分の1波長線路を形成しても同様の効果を奏するこ
とができる。但しこの場合、先に述べた直列共振周波数
がDCSの送信周波数に設定されるようインダクタンス
素子24bとコンデンサ素子24cの値を設定しなけれ
ばならない。
【0048】また、この図1に示すマルチバンド高周波
スイッチ4に用いられる各ダイオード11a,11b,
16は、それぞれオフ時に前後の回路を遮断する役割を
有するのであるが、実際には各ダイオード11a,11
b,16にそれぞれ端子間容量が存在し、この端子間容
量によって回路の遮断が不十分となってしまう。特に、
このマルチバンド高周波スイッチ4においてはGSMと
DCSといった異なる周波数帯域を扱うため、それぞれ
の周波数帯域においてこの端子間容量による影響を抑制
するフィルタ回路25が必要となる。
【0049】そこで、図3に示すごとくダイオード16
(11a,11b)に対してインダクタンス素子25b
とコンデンサ素子25cの並列体とインダクタンス素子
25aを直列接続したフィルタ回路25と、DCカット
用のコンデンサ素子25dを直列に接続した直列体26
を形成し、この直列体26をダイオード16(11a,
11b)に並列接続している。
【0050】このフィルタ回路25は、GSM周波数に
対してダイオード16(11a,11b)に生じる端子
間容量とインダクタンス素子25a,25bとの並列共
振により前後の回路を遮断し、DCS周波数に対してダ
イオード16に生じる端子間容量とこの端子間容量に並
列接続されたインダクタンス素子25aおよびコンデン
サ素子25cとの並列共振により前後の回路を遮断する
構成となっている。
【0051】これは、インダクタンス素子25bが高い
周波数に対してインピーダンスが高く、コンデンサ素子
25cが低い周波数に対してインピーダンスが高いこと
を利用したもので、周波数が低いGSM周波数に対して
はインダクタンス素子25bとコンデンサ素子25cの
並列体において、GSM信号はインピーダンスの低いコ
ンデンサ素子25c側を主体的に通過するので、ダイオ
ード16に生じる端子間容量とこの端子間容量に並列接
続されたインダクタンス素子25a,25bの並列共振
により前後の回路が遮断できるのである。
【0052】一方、周波数が高いDCS周波数に対して
はインダクタンス素子25bとコンデンサ素子25cの
並列体において、DCS信号はインピーダンスの低いイ
ンダクタンス素子25b側を主体的に通過するので、ダ
イオード16に生じる端子間容量とこの端子間容量に並
列接続されたインダクタンス素子25aおよびコンデン
サ素子25cとの並列共振により前後の回路が遮断でき
るのである。
【0053】なお、このフィルタ回路25は一般にダイ
オードのオフ時に生じる端子間容量に対する影響を抑制
するものであるから、図1に示すマルチバンド高周波ス
イッチに設けられる何れのダイオード11a,11b,
16に対しても効果を奏するものであるが、特にストリ
ップライン12に接続されたダイオード11bに対して
有効となる。
【0054】これは、ダイオード11bがオフとなる受
信時の端子間容量の影響を抑制するものであるが、送信
ポート6,7にはそれぞれ高インピーダンスなPA(特
に図示せず)が一般的に接続されているため、ダイオー
ド11a,16の端子間容量による受信信号の漏洩は少
なく、これに対してアンテナポート5から受信側ポート
8に至る受信経路に対して直接接続され一端が接地され
たダイオード11bは、この端子間容量によって直接接
地されてしまうため、このダイオード11bの端子間容
量に対する対策が効果的なものとなるのである。
【0055】また、このようなマルチバンド高周波スイ
ッチ4においては図6に示された従来のものと同様に、
各受信ポート9,10の後段において受信信号に含まれ
るノイズ信号を除去する表面弾性波フィルタ20が外付
けされるものである。
【0056】これは、アンテナポート5から入力された
各受信信号は、各ダイオード11a,11b,16によ
る送受の切り換えと、LC素子を組み合わせた分波器1
4による大まかな分波がなされた状態で各受信ポート
9,10から出力されるため、出力された受信信号には
多くのノイズ信号が含まれてしまうことに起因するもの
であり、図1に示す受信側ポート8から出力される信号
はローパスフィルタとハイパスフィルタからなる分波器
14を介して高域側信号と低域側信号に分波され、この
分波された各信号が後段の外付けされた弾性表面波フイ
ルタ20によって所定のGSM受信信号、DCS受信信
号となるのである。
【0057】しかしながら、各表面弾性波フィルタ20
は所定の信号のみを通過させるためのフィルタであるこ
とから、この表面弾性波フィルタ20が存在することで
分波器14による分波が必要のないものとなるのであ
る。
【0058】つまり、マルチバンド高周波スイッチ4と
しては、図4に示すように受信側ポート8に外付けの各
表面弾性波フィルタ20を接続するだけでよく、図1に
示された分波器14を排除することができマルチバンド
高周波スイッチ4を小型化することができるのである。
【0059】また、マルチバンド高周波スイッチ4から
分波器14を取り除くことで、各送信ポート6,7から
或いは各受信ポート9,10からアンテナポート5に至
る信号経路が短縮されるので、結果的に送受信における
挿入損失をさらに低減できるのである。
【0060】なお、このように受信側ポート8に対して
二つの表面弾性波フィルタ20を接続する際、二つの表
面弾性波フィルタ20間のインピーダンスマッチングを
十分に考慮した共用器22を用いることになる。
【0061】また、このような表面弾性波フィルタ20
を用いた共用器22は小型のチップ部品として既に存在
するものであり、マルチバンド高周波スイッチ4を誘電
体からなる積層体としてモジュール化した際に、その表
面に実装が可能なものであり、従来外付けしていた面積
まで考慮すれば十分に小型化でき、マルチバンド高周波
スイッチ4の付加価値を高められるのである。
【0062】なお、上述した実施の形態においては、異
なる二つの周波数帯域に対応したマルチバンド高周波ス
イッチ4について説明したものであるが、このマルチバ
ンド高周波スイッチ4にさらに高周波回路を付加するこ
とで、3つ以上の周波数帯域に対応するマルチバンド高
周波スイッチとすることも可能である。
【0063】また、図5に他の実施形態におけるマルチ
バンド高周波スイッチ27を示す。このマルチバンド高
周波スイッチ27が上述した図1に示すマルチバンド高
周波スイッチ4と異なる点は、図1に示すマルチバンド
高周波スイッチ4がGSM周波数帯域とDCS周波数帯
域を取り扱うデュアルバンド対応であるのに対し、この
図5に示すマルチバンド高周波スイッチ27はさらにP
CS周波数帯域を加えたトリプルバンド対応となってい
る点である。
【0064】この構成は、基本構成が図1に示すマルチ
バンド高周波スイッチ4と同様で、ストリップライン1
2の分割点Aに対して、ダイオード28を介してPCS
の受信ポート29を接続し、PCSの受信ポート29と
ダイオード28との間に制御ポート30を接続し、送信
ポート7をDCSとPCSの兼用ポートとしている。
【0065】なお、送信ポート7をDCSとPCSの兼
用ポートとするのは、DCS周波数帯域とPCS周波数
帯域が近接しており、送信ポート7に接続されるPA
(特に図示せず)やフィルタ15などの周辺回路におい
ても兼用させることが出来るからである。
【0066】そして、GSM或いはDCSの周波数帯域
を用いて送受信する際は制御ポート30から制御電圧を
印加せずダイオード28をオフにしておくことで先に述
べたよう動作し、PCS送信時にはDCSの送信と同様
に制御ポート17から制御電圧を印加しダイオード1
6,11bをオンにすることでPCS送信信号が送信さ
れ、PCS受信時には制御ポート30から制御電圧を印
加しダイオード28,11bをオンとし他のダイオード
11a,16をオフとすることで、PCS受信信号が受
信するのである。
【0067】また、このマルチバンド高周波スイッチ2
7においても、ダイオード28のアイソレーションの劣
化を抑制するためダイオード28と分割点Aの間に図1
に示すフィルタ回路23と同様のフィルタ回路31を介
在させ、このフィルタ回路31の周波数特性によってダ
イオード28の端子間容量のストリップライン12に対
する影響を抑制しているのである。
【0068】なお、このフィルタ回路31は所定周波数
帯域(この場合GSMの送信周波数帯域)のみを減衰さ
せ他の部分に於いて良好な通過特性が確保するコンデン
サ素子31aとインダクタンス素子31bを並列接続し
たLC並列共振回路(いわゆるノッチ回路)を分割点A
とダイオード28との間に配置することが望ましい。
【0069】なお、このマルチバンド高周波スイッチ2
7に於いても図2や図3で説明したフィルタ回路24,
25を用いても同様の作用効果を得ることができる。
【0070】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、マルチバ
ンド高周波スイッチにおいて、特に高周波スイッチを形
成するストリップラインを第1、第2のストリップライ
ンの直列体で形成し、この第1、第2のストリップライ
ンの接続部分に第3のダイオードを介して第2の送信ポ
ートを接続し、この第2の送信ポートと第3のダイオー
ド間に第2の制御ポートを接続するとともに、この高周
波スイッチの受信側ポートに分波器を介して第1、第2
の受信ポートを接続した構成とすることで、ダイオード
を含む電気回路素子を削減することができ、マルチバン
ド高周波スイッチを小型化できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態におけるマルチバンド高周
波スイッチを示す回路図
【図2】同マルチバンド高周波スイッチの第2のスイッ
チング素子に接続するフィルタ回路を示す回路図
【図3】同マルチバンド高周波スイッチの各スイッチン
グ素子に接続するフィルタ回路を示す回路図
【図4】他の実施形態におけるマルチバンド高周波スイ
ッチを示す回路図
【図5】さらに他の実施形態におけるマルチバンド高周
波スイッチを示す回路図
【図6】従来のマルチバンド高周波スイッチを示す回路
【符号の説明】
4 マルチバンド高周波スイッチ 5 アンテナポート 6,7 送信ポート 8 受信側ポート 9,10 受信ポート 11a,11b,16 ダイオード(スイッチング素
子) 12,12a,12b ストリップライン 13,17 制御ポート 14 分波器 15 フィルタ 18 高周波スイッチ 20 表面弾性波フィルタ 22 共用器 23,24,25 フィルタ回路 23a,24c,25c,25d コンデンサ素子 23b,24a,24b,25a,25b インダクタ
ンス素子 26 直列体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 康志 京都府京田辺市大住浜55−12 松下日東電 器株式会社内 Fターム(参考) 5J012 BA03 BA04 5K011 DA02 DA22 DA25 FA01 GA04 JA01

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アンテナポートと第1の送信ポートの間
    に設けられた第1のスイッチング素子と、前記アンテナ
    ポートと受信側ポート間に接続されたストリップライン
    と、一端が前記ストリップラインと前記受信側ポートと
    の間に接続されるとともに他端がグランドに接続された
    第2のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素
    子と前記第1の送信ポートとの間に接続された第1の制
    御ポートとを備え、前記受信側ポートには第1、第2の
    受信ポートが分波器を介して接続し、且つ前記ストリッ
    プラインを第1、第2のストリップラインの直列体とし
    て形成するとともに、この第1のストリップラインと第
    2のストリップラインの間に第3のスイッチング素子を
    介して第2の送信ポートを接続し、この第2の送信ポー
    トと前記第3のスイッチング素子との間に第2の制御ポ
    ートを接続したことを特徴とするマルチバンド高周波ス
    イッチ。
  2. 【請求項2】 第1、第2のストリップラインの線路長
    の和を第1の送信ポートを通過する周波数の4分の1波
    長に設定するとともに、第2のストリップラインの線路
    長を第2の送信ポートを通過する周波数の略4分の1波
    長に設定したことを特徴とする請求項1に記載のマルチ
    バンド高周波スイッチ。
  3. 【請求項3】 第1、第2の送信ポートの少なくとも一
    方には、他方の送信ポートを通過する送信信号の周波数
    帯を減衰させるフィルタを接続したことを特徴とする請
    求項1に記載のマルチバンド高周波スイッチ。
  4. 【請求項4】 一方の送信ポートに接続するフィルタを
    バンドパスフィルタ或いはローパスフィルタで構成し、
    他方の送信ポートに接続するフィルタをバンドパスフィ
    ルタで構成したことを特徴とする請求項3に記載のマル
    チバンド高周波スイッチ。
  5. 【請求項5】 第3のスイッチング素子と第1、第2の
    ストリップラインとの間に第1の送信ポートから入力さ
    れる第1の送信信号の周波数帯域を減衰させるフィルタ
    回路を介在させたことを特徴とする請求項1に記載のマ
    ルチバンド高周波スイッチ。
  6. 【請求項6】 フィルタ回路は第1のコンデンサ素子と
    第1のインダクタンス素子の並列共振回路を用いて形成
    したことを特徴とする請求項5に記載のマルチバンド高
    周波スイッチ。
  7. 【請求項7】 第2のスイッチング素子に対して、第1
    の送信ポートから入力される第1送信信号の周波数帯域
    を減衰させ、かつ第2の送信ポートから入力される第2
    の送信信号に係る周波数帯域を減衰させるフィルタ回路
    を接続したことを特徴とする請求項1に記載のマルチバ
    ンド高周波スイッチ。
  8. 【請求項8】 フィルタ回路は、第2のコンデンサ素子
    と第2のインダクタンス素子を並列に接続してこの並列
    体と第3のインダクタンス素子を直列接続した直列体で
    構成し、この直列体を第2のスイッチング素子とグラン
    ド間に設けた構成とすることを特徴とした請求項7に記
    載のマルチバンド高周波スイッチ。
  9. 【請求項9】 第3のコンデンサ素子と第4のインダク
    タンス素子を並列に接続してこの並列体と第5のインダ
    クタンス素子およびDCカット用の第4のコンデンサ素
    子を直列接続した直列体で構成し、この直列体を第1、
    第2、第3のスイッチング素子の少なくとも一つに並列
    接続したことを特徴とする請求項1に記載のマルチバン
    ド高周波スイッチ。
  10. 【請求項10】 直列体を第2のスイッチング素子に並
    列接続したことを特徴とする請求項9に記載のマルチバ
    ンド高周波スイッチ。
  11. 【請求項11】 第1のストリップラインと第2のスト
    リップラインの間に第4のスイッチング素子を介して第
    3の受信ポートを接続し、この第3の受信ポートと前記
    第4のスイッチング素子との間に第3の制御ポートを接
    続したことを特徴とする請求項1に記載のマルチバンド
    高周波スイッチ。
  12. 【請求項12】 第4のスイッチング素子と第1、第2
    のストリップラインとの間に第1の送信ポートから入力
    される第1の送信信号に係る周波数帯域を減衰させるフ
    ィルタ回路を介在させたことを特徴とする請求項11に
    記載のマルチバンド高周波スイッチ。
  13. 【請求項13】 フィルタ回路は第5のコンデンサ素子
    と第6のインダクタンス素子の並列共振回路を用いて形
    成したことを特徴とする請求項12に記載のマルチバン
    ド高周波スイッチ。
  14. 【請求項14】 アンテナポートと第1の送信ポートの
    間に設けられた第1のスイッチング素子と、前記アンテ
    ナポートと受信側ポート間に接続された第1、第2のス
    トリップラインの直列体と、一端がこの直列体と前記受
    信側ポートとの間に接続されるとともに他端がグランド
    に接続された第2のスイッチング素子と、前記第1のス
    イッチング素子と前記第1の送信ポートとの間に接続さ
    れた第1の制御ポートと、前記第1のストリップライン
    と第2のストリップラインの間に第3のスイッチング素
    子を介して接続された第2の送信ポートと、この第2の
    送信ポートと前記第3のスイッチング素子との間に接続
    された第2の制御ポートとを備えたことを特徴とするマ
    ルチバンド高周波スイッチ。
  15. 【請求項15】 受信側ポートに表面弾性波フィルタを
    用いた共用器を接続したことを特徴とする請求項14に
    記載のマルチバンド高周波スイッチ。
JP2002073628A 2001-05-18 2002-03-18 マルチバンド高周波スイッチ Expired - Fee Related JP3772771B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002073628A JP3772771B2 (ja) 2001-05-18 2002-03-18 マルチバンド高周波スイッチ
EP02010845A EP1258940A3 (en) 2001-05-18 2002-05-15 Multiband high-frequency switch
US10/147,934 US6847829B2 (en) 2001-05-18 2002-05-16 Multiband high-frequency switch
CNB021200297A CN1192660C (zh) 2001-05-18 2002-05-16 多频带高频开关

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-149100 2001-05-18
JP2001149100 2001-05-18
JP2002073628A JP3772771B2 (ja) 2001-05-18 2002-03-18 マルチバンド高周波スイッチ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003037521A true JP2003037521A (ja) 2003-02-07
JP3772771B2 JP3772771B2 (ja) 2006-05-10

Family

ID=26615323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002073628A Expired - Fee Related JP3772771B2 (ja) 2001-05-18 2002-03-18 マルチバンド高周波スイッチ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6847829B2 (ja)
EP (1) EP1258940A3 (ja)
JP (1) JP3772771B2 (ja)
CN (1) CN1192660C (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078456A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Soshin Electric Co., Ltd. 高周波スイッチ
JP2009152749A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Soshin Electric Co Ltd 信号切替スイッチ
JP2009239818A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Soshin Electric Co Ltd 高周波スイッチ
US8421552B2 (en) 2008-06-06 2013-04-16 Soshin Electric Co., Ltd. High-frequency switch
US8558639B2 (en) 2008-09-30 2013-10-15 Soshin Electric Co., Ltd. High frequency switch

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60116676T2 (de) * 2001-02-27 2006-10-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Mehrband-Transformationsstufe für eine Mehrband-HF-Umschaltvorrichtung
US7194284B2 (en) * 2001-12-18 2007-03-20 Nokia Corporation Method and apparatus for accommodating two mobile station antennas that operate in the same frequency band
FR2850206B1 (fr) * 2003-01-17 2005-05-20 Cit Alcatel Dispositif de commutation une voie vers deux sans point de panne unique
US7885614B2 (en) * 2003-07-22 2011-02-08 Nxp B.V. Antenna switch with adaptive filter
JP2005136948A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Renesas Technology Corp アンテナスイッチ回路
KR101065344B1 (ko) * 2003-12-11 2011-09-16 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 멀티 밴드 고주파 회로, 멀티 밴드 고주파 회로 부품 및이것을 이용한 멀티 밴드 통신 장치
US7991379B2 (en) * 2003-12-19 2011-08-02 Vixs Systems, Inc. RF transmitter and receiver front-end
US7268643B2 (en) * 2004-01-28 2007-09-11 Paratek Microwave, Inc. Apparatus, system and method capable of radio frequency switching using tunable dielectric capacitors
US20070243832A1 (en) * 2004-03-15 2007-10-18 Hyung-Weon Park Multimode/Multiband Mobile Station and Method for Operating the Same
WO2005088847A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Multimode/multiband mobile station and method for operating the same
US6998933B1 (en) * 2004-08-03 2006-02-14 Agilent Technologies, Inc. Millimeter wave switch
KR100841638B1 (ko) * 2006-04-25 2008-06-26 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템의 수신부 보호 장치
JP2008109535A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Hitachi Media Electoronics Co Ltd スイッチ回路、それを有するフロントエンドモジュール及び無線端末
KR100995302B1 (ko) * 2007-05-10 2010-11-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 복합 고주파 부품
CN101123325A (zh) * 2007-07-27 2008-02-13 深圳华为通信技术有限公司 多频段天线和实现多频段天线的方法
EP2583350A1 (en) * 2010-06-18 2013-04-24 Sony Ericsson Mobile Communications AB Two port antennas with separate antenna branches including respective filters
DE102012208555B4 (de) * 2012-05-22 2023-07-27 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Schaltbare Frequenzweiche und Signalgenerator
ES2533314T3 (es) 2012-06-07 2015-04-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceptor sin duplexor y aparato de comunicación
EP2733855B1 (en) * 2012-11-15 2016-07-27 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transceiver front-end
BR112015022333B1 (pt) 2013-03-14 2022-08-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceptor, e, dispositivo de comunicação
WO2014173459A1 (en) 2013-04-26 2014-10-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
WO2014177191A1 (en) 2013-04-30 2014-11-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
WO2015110149A1 (en) 2014-01-21 2015-07-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
US10200079B2 (en) 2014-10-29 2019-02-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
WO2018145758A1 (en) 2017-02-10 2018-08-16 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) An integrated isolator circuit in a time division duplex transceiver

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031178B2 (ja) 1994-09-28 2000-04-10 株式会社村田製作所 複合高周波部品
JP2983016B2 (ja) 1997-12-03 1999-11-29 日立金属株式会社 マルチバンド用高周波スイッチモジュール
JPH11340872A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Kyocera Corp デュアルバンド対応アンテナ切り替え回路
JPH11355174A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Tokin Corp アンテナ共用器
DE69930453T2 (de) * 1998-10-27 2006-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Zusammengestellte Hochfrequenzkomponente und damit ausgerüstetes mobiles Kommunikationsgerät
US7076216B2 (en) * 2002-09-17 2006-07-11 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency device, high-frequency module and communications device comprising them

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078456A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Soshin Electric Co., Ltd. 高周波スイッチ
JP2009152749A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Soshin Electric Co Ltd 信号切替スイッチ
CN101953082A (zh) * 2007-12-19 2011-01-19 双信电机株式会社 高频开关
US8390394B2 (en) 2007-12-19 2013-03-05 Soshin Electric Co., Ltd. High frequency switch
JP2009239818A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Soshin Electric Co Ltd 高周波スイッチ
US8421552B2 (en) 2008-06-06 2013-04-16 Soshin Electric Co., Ltd. High-frequency switch
US8558639B2 (en) 2008-09-30 2013-10-15 Soshin Electric Co., Ltd. High frequency switch

Also Published As

Publication number Publication date
JP3772771B2 (ja) 2006-05-10
EP1258940A3 (en) 2003-08-27
EP1258940A2 (en) 2002-11-20
CN1387382A (zh) 2002-12-25
US6847829B2 (en) 2005-01-25
US20030008693A1 (en) 2003-01-09
CN1192660C (zh) 2005-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3772771B2 (ja) マルチバンド高周波スイッチ
KR101122808B1 (ko) 무선 전송 시스템용 프론트엔드 회로
JP4007323B2 (ja) 高周波複合スイッチモジュールおよびそれを用いた通信端末
US5815804A (en) Dual-band filter network
US7471962B2 (en) High-frequency switch circuit, high-frequency switch module and wireless communications device comprising it
US7239853B2 (en) Antenna switching circuit
JP2004147045A (ja) 高周波スイッチ
EP1152543A1 (en) High-frequency composite switch component
JP3810011B2 (ja) 高周波スイッチモジュールおよび高周波スイッチモジュール用多層基板
WO2017204347A1 (ja) 高周波フィルタ装置、及び、通信装置
EP1515450A1 (en) Antenna switching circuit
JP4210978B2 (ja) マルチバンドアンテナスイッチ回路及びマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品並びにこれを用いた通信装置
JP2004343696A (ja) フィルタ回路網およびその設計方法ならびにマルチバンド送信機
GB2333669A (en) High-frequency circuit device
JP4221205B2 (ja) ダイプレクサ並びにそれを用いた高周波スイッチ
JPH11355174A (ja) アンテナ共用器
Xu et al. A BPF integrated SP4T switch using parallel switched fractal common feeding line
JP4388756B2 (ja) アンテナ共用器およびそれを用いた無線端末
WO2002054591A1 (fr) Filtre passe-bas haute frequence
WO2022044580A1 (ja) 高周波回路および通信装置
JPH11205066A (ja) フィルタ
JP2005323063A (ja) 分波回路
JP2004153523A (ja) 高周波スイッチモジュール
JPH10242710A (ja) フィルタ装置、デュプレクサおよびマルチプレクサ
JP2001217601A (ja) モジュール基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040226

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050706

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051004

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees