JP2003037241A - Electrical circuit board package item and manufacturing method for the electric circuit board package item - Google Patents

Electrical circuit board package item and manufacturing method for the electric circuit board package item

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JP2003037241A JP2001223496A JP2001223496A JP2003037241A JP 2003037241 A JP2003037241 A JP 2003037241A JP 2001223496 A JP2001223496 A JP 2001223496A JP 2001223496 A JP2001223496 A JP 2001223496A JP 2003037241 A JP2003037241 A JP 2003037241A
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光泰 増田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the electric circuit board package item of a resin sealing type, indicating sufficient durability with high flexibility of heat radiation design and high operation reliability, moreover without generating faults at a resin- sealing part, even in use under severe heat conditions. SOLUTION: At least two sets or more of boards 20 and 30, on which electronic components are mounted are respectively and non-continuously sealed with a resin and the boards, are connected to each other by leads 43 inserted to sealing resins 60 and 61.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気回路基板パッ
ケージ品および電気回路基板パッケージ品の製造方法に
係わり、特に、車載用の電気回路基板パッケージ品のよ
うに、過酷な熱条件下で使用される樹脂封止タイプの電
気回路基板パッケージ品およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric circuit board packaged product and a method for manufacturing the electric circuit board packaged product, and in particular, it is used under severe heat conditions such as an on-vehicle electric circuit board packaged product. The present invention relates to a resin-sealed type electric circuit board package product and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】自動車のエンジンや自動変速機の電子制
御装置(以下、コントロールユニットと云う)は、車室内
に設置されていたが、車室内のコントロールユニットの
増加に伴い、車室外に設置することが要求されるように
なってきている。
2. Description of the Related Art An electronic control unit for an automobile engine or an automatic transmission (hereinafter referred to as a control unit) has been installed in a passenger compartment, but is installed outside the passenger compartment as the number of control units in the passenger compartment increases. Are becoming required.

【0003】また、コントロールユニットと制御対象が
離れていると、コントロールユニットと制御対象との間
の配線の引き回しが複雑になり、配線敷設コストも高く
なるから、これらのことからも、コントロールユニット
と制御対象との一体化、所謂モジュール化の要求が高ま
っている。
Further, when the control unit and the controlled object are separated from each other, the wiring of the wiring between the control unit and the controlled object becomes complicated, and the wiring laying cost becomes high. There is an increasing demand for integration with a control target, so-called modularization.

【0004】つまり、エンジン用電子制御装置(エンジ
ンコントロールユニット)は、エンジンルーム内、好ま
しくはエンジンそのものに取付け、自動変速機用制御装
置(トランスミッションコントロールユニット)は、自
動変速機に直付け、あるいは自動変速機内部設置という
ニーズに対し、これを実現させる技術が必要となってい
る。
That is, the electronic control unit for the engine (engine control unit) is installed in the engine room, preferably in the engine itself, and the control unit for the automatic transmission (transmission control unit) is directly attached to the automatic transmission or automatically. In order to meet the needs of installing the transmission inside the transmission, there is a need for technology to achieve this.

【0005】しかし、それらの設置場所は、非常に過酷
な温度環境(−40〜130℃)であると共に、水、エン
ジン油、AT油に曝される可能性がある。このため、そ
のような過酷な条件下で使用されるコントロールユニッ
トは、セラミックのような耐熱基板上に電子部品を実装
し、完全気密ケース内に収めることを要求される。しか
し、完全気密ケースとして、ハーメチックシールなどの
採用は、コスト面から困難である。
However, their installation places are in a very severe temperature environment (-40 to 130 ° C.) and may be exposed to water, engine oil, and AT oil. Therefore, the control unit used under such harsh conditions is required to have electronic components mounted on a heat-resistant substrate such as ceramic and be housed in a completely airtight case. However, it is difficult to adopt a hermetic seal as a completely airtight case in terms of cost.

【0006】このため、廉価で、信頼性の高い構造のも
のとして、セラミック基板上に電子部品を実装し、その
基板とリードフレームのリードとをワイヤボンディング
した後、基板全体をトランスファモールドで一括樹脂封
止するという構造の電気回路基板パッケージ品が考えら
れる。なお、従来技術として、基板ではないが、高密度
実装のための半導体素子の樹脂封止に関する技術とし
て、特開平7−50388号公報、特開平8−2506
56号公報、特開平9−74167号公報に示されてい
るようなものがある。
Therefore, as an inexpensive and highly reliable structure, electronic components are mounted on a ceramic substrate, the substrate and the leads of the lead frame are wire-bonded, and the entire substrate is collectively molded by transfer molding. An electric circuit board package product having a structure of encapsulation can be considered. Incidentally, as a conventional technique, although not a substrate, a technique relating to resin sealing of a semiconductor element for high-density mounting is disclosed in JP-A-7-50388 and JP-A-8-2506.
56 and Japanese Patent Laid-Open No. 9-74167.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】トランスファモールド
封止(樹脂封止)に適した樹脂として、一般的に、エポ
キシ樹脂が使用されるが、エポキシ樹脂の線膨張係数は
10〜20ppm/℃程度であり、耐熱・高密度実装に
適したセラミック基板の線膨張係数は、5〜7ppm/
℃程度であり、この両者の線膨張係数差が大きいことに
より、繰り返しの温度変化において発生する熱応力によ
り、封止部分の密着性劣化ひいては界面剥離・樹脂クラ
ック等に至ることが懸念される。
Epoxy resin is generally used as a resin suitable for transfer mold encapsulation (resin encapsulation). The linear expansion coefficient of epoxy resin is about 10 to 20 ppm / ° C. Yes, the linear expansion coefficient of a ceramic substrate suitable for heat-resistant and high-density mounting is 5-7 ppm /
Since the difference in linear expansion coefficient between the two is large, there is a concern that thermal stress generated by repeated temperature changes may lead to deterioration of adhesiveness of the sealed portion and eventually to interface peeling and resin cracks.

【0008】コントロールユニット用の電気回路基板パ
ッケージ品は、通常の半導体パッケージ品と比較して非
常に大きなパッケージサイズのものになり、このため、
両者の材料変更等によって、両者の線膨張係数を近づけ
たとしても、パッケージ端部では結果的に過大な熱応力
が発生してしまうという問題があった。また、同一パッ
ケージ内に複数の発熱部品が配置されることがあり、こ
の場合には、熱の相互干渉等で適切な放熱配置ができな
いという問題が生じる。
The electric circuit board packaged product for the control unit has a very large package size as compared with an ordinary semiconductor packaged product, and therefore,
Even if the linear expansion coefficients of the two are made close to each other by changing the materials of the two, there is a problem that excessive thermal stress is eventually generated at the end of the package. Further, a plurality of heat-generating components may be arranged in the same package, and in this case, there is a problem that proper heat radiation arrangement cannot be performed due to mutual interference of heat.

【0009】本発明は、以上のような問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、過酷な熱条
件下での使用でも樹脂封止部に障害が生じることがな
く、充分な耐久性を示し、更には、放熱設計(発熱部品
の実装最適配置化)の自由度に優れ、動作信頼性が高い
樹脂封止タイプの電気回路基板パッケージ品およびそれ
の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to sufficiently prevent the resin sealing portion from being damaged even when used under severe heat conditions. Provided are a resin-sealed type electric circuit board package product that exhibits excellent durability, and has high flexibility in heat radiation design (optimal placement of heat-generating components) and high operation reliability, and a manufacturing method thereof. It is in.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明による電気回路基板パッケージ品は、電子
部品を実装した少なくとも2組以上の基板が各々個別に
非連続に樹脂封止され、それら基板が封止樹脂にインサ
ートされたリード、タブにより互いに連結されているも
のである。
In order to achieve the above object, in an electric circuit board packaged product according to the present invention, at least two or more sets of boards on which electronic parts are mounted are individually and non-continuously resin-sealed. The substrates are connected to each other by leads and tabs inserted in the sealing resin.

【0011】前記基板はリードフレームのリードと電気
的に接続されたものであり、前記リード、タブは、同一
リードフレームより得られ、前記基板は、用途、機能
上、区分された一つの電気回路基板パッケージ品として
取り扱われる基板を複数個に分割したものである。分割
された基板毎の個別樹脂封止により、基板を一枚構成す
る場合に比して基板毎の樹脂封止サイズが小さくなり、
基板と封止樹脂との線膨張係数差に起因する発生熱応力
が低下し、高発熱部品のパッケージ分離も可能になる。
The substrate is electrically connected to the leads of the lead frame, the leads and tabs are obtained from the same lead frame, and the substrate is one electric circuit divided according to use and function. A board handled as a board package product is divided into a plurality of pieces. Due to the individual resin sealing for each divided board, the resin sealing size for each board is smaller than when one board is configured,
The thermal stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the substrate and the sealing resin is reduced, and it becomes possible to separate the package of high heat-generating components.

【0012】本発明による電気回路基板パッケージ品で
は、分割された基板同士で電気的に接続する必要がある
場合には、基板同士を相互連結用のリードによって電気
的に接続されている構造にすることができる。なお、分
割された基板同士で電気的に接続する必要がない場合に
は、基板はタブによって非導通状態で連結されればよ
い。
In the electric circuit board package product according to the present invention, when it is necessary to electrically connect the divided boards to each other, the boards are electrically connected to each other by the leads for interconnection. be able to. In addition, when it is not necessary to electrically connect the divided substrates to each other, the substrates may be connected in a non-conducting state by a tab.

【0013】また、上述の目的を達成するために、本発
明による電気回路基板パッケージ品は、電子部品を実装
した少なくとも一つの基板と少なくとも一つのICチッ
プとが各々個別に非連続に樹脂封止され、前記基板と前
記ICチップが封止樹脂にインサートされた相互連結用
のリードによって電気的に接続された態様で連結されて
いるものである。
In order to achieve the above-mentioned object, in the electric circuit board package product according to the present invention, at least one substrate on which electronic parts are mounted and at least one IC chip are individually and non-continuously resin-sealed. Then, the substrate and the IC chip are connected to each other in an electrically connected manner by the interconnecting leads inserted in the sealing resin.

【0014】前記基板および前記ICチップはリードフ
レームのリードと電気的に接続されたものであり、前記
リードは同一リードフレームより得られ、前記ICチッ
プは基板上に実装されるものを基板より分離存在(分離
配置)させたものである。ICチップの基板よりの分離
配置により、ICチップが基板上に実装される場合に比
して、個々の樹脂封止サイズが小さくなり、基板、IC
チップと封止樹脂との線膨張係数差に起因する発生熱応
力が低下し、高発熱部品のパッケージ分離も可能にな
る。
The substrate and the IC chip are electrically connected to leads of a lead frame, the leads are obtained from the same lead frame, and the IC chip mounted on the substrate is separated from the substrate. It is made to exist (separate arrangement). By separating the IC chip from the substrate, the individual resin sealing size becomes smaller than that when the IC chip is mounted on the substrate.
The thermal stress generated due to the difference in the linear expansion coefficient between the chip and the sealing resin is reduced, and the packages with high heat-generating components can be separated.

【0015】また、上述の目的を達成するために、本発
明による電気回路基板パッケージ品の製造方法は、電子
部品を実装した少なくとも2組以上の基板を同一リード
フレームにセットし、前記基板と前記リードフレームの
リードとを電気的に接続し、各基板毎に個別に非連続に
樹脂封止を行い、それら基板が封止樹脂にインサートさ
れた前記リードフレームのリード、タブにより互いに連
結される態様でフレームカットを行う、あるいは、電子
部品を実装した少なくとも一つの基板と少なくとも一つ
のICチップとを同一リードフレームにセットし、前記
基板および前記ICチップと前記リードフレームのリー
ドとを電気的に接続し、前記基板と前記ICチップとを
個別に非連続に樹脂封止を行い、前記基板と前記ICチ
ップとが封止樹脂にインサートされた前記リードフレー
ムのリードにより互いに電気的に接続された態様で連結
される態様でフレームカットを行うものであり、複数の
前記封止樹脂は同時に行うこともできる。
In order to achieve the above-mentioned object, in the method of manufacturing an electric circuit board packaged product according to the present invention, at least two or more sets of boards on which electronic parts are mounted are set on the same lead frame, and the boards and A mode in which the leads of the lead frame are electrically connected, and the substrates are individually and non-continuously sealed with resin, and the substrates are connected to each other by the leads and tabs of the lead frame inserted in the sealing resin. Frame cutting, or at least one substrate on which electronic components are mounted and at least one IC chip are set in the same lead frame, and the substrate and the IC chip and the leads of the lead frame are electrically connected. Then, the substrate and the IC chip are individually and non-continuously resin-sealed, and the substrate and the IC chip are sealed with resin. Is intended to perform a frame-cut in a manner to be connected in an electrically connected manner to each other by a lead of the lead frame insert, a plurality of the sealing resin can be carried out simultaneously.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明による電気回路基板パッケー
ジ品が適用される実施の形態の自動車用の自動変速機用
電子制御装置を含む制御システム構成を示している。自
動変速機制御システム1は自動変速機用電子制御装置
(トランスミッションコントロールユニット)2を有
し、電子制御装置2には、センサ・スイッチ類12〜1
4およびソレノイドバルブ類15〜18が入出力部に接
続されている。トランスミッションコントロールユニッ
ト2は、外部から、記載されていないIGNキーに連動
したバッテリ電源の電源線10とCAN通信バス11が
接続されている。
FIG. 1 shows the configuration of a control system including an electronic control unit for an automatic transmission for an automobile according to an embodiment to which an electric circuit board package product according to the present invention is applied. The automatic transmission control system 1 has an automatic transmission electronic control unit (transmission control unit) 2, and the electronic control unit 2 includes sensors and switches 12 to 1
4 and solenoid valves 15 to 18 are connected to the input / output section. The transmission control unit 2 is externally connected to a CAN communication bus 11 and a power supply line 10 of a battery power supply linked to an IGN key not shown.

【0018】電子制御装置2は、一つの電気回路基板パ
ッケージ品として構成されるものであり、CPU3と、
バッテリ電源線10が接続されてCPU3に定電圧を供
給する定電圧電源回路4と、入力段回路5と、出力段回
路6と、クロック生成回路7と、CAN通信駆動回路9
とを有し、CPU3に内蔵されたプログラムに従って制
御を実行する。
The electronic control unit 2 is configured as one electric circuit board package product, and includes a CPU 3 and
A constant voltage power supply circuit 4 connected to a battery power supply line 10 to supply a constant voltage to the CPU 3, an input stage circuit 5, an output stage circuit 6, a clock generation circuit 7, and a CAN communication drive circuit 9
And executes control according to a program stored in the CPU 3.

【0019】定電圧電源回路4は、CPU3のプログラ
ム実行の正当性を監視する機能、所謂ウォッチドッグ機
能も備えており、CPU3の状態をモニタしながらプロ
グラムの実行異常を検出した場合にはCPU3にリセッ
ト信号を出力するなどの処理を行う。
The constant voltage power supply circuit 4 also has a function of monitoring the legitimacy of the program execution of the CPU 3, a so-called watchdog function. When the CPU 3 detects an abnormal program execution while monitoring the state of the CPU 3, Performs processing such as outputting a reset signal.

【0020】CPU3は、回転数センサ12、レンジセ
レクトスイッチ13、サーミスタで構成された油温セン
サ14の信号を入力段回路5より取り込み、演算処理
後、出力信号を、出力段回路6を介して自動変速機油圧
系のシフトソレノイド15、16、ライン圧ソレノイド
17、ロックアップソレノイド18に出力してこれらを
制御することで、自動変速機を最適状態に維持する。変
速機制御に必要なエンジン回転信号やスロットル開度信
号は、CAN通信バス11によりCAN通信駆動回路9
経由で外部から取り込んでいる。
The CPU 3 takes in the signals of the rotation speed sensor 12, the range select switch 13, and the oil temperature sensor 14 composed of a thermistor from the input stage circuit 5, and after the arithmetic processing, outputs the output signal via the output stage circuit 6. The automatic transmission is maintained in an optimum state by outputting it to the shift solenoids 15, 16 of the automatic transmission hydraulic system, the line pressure solenoid 17, and the lockup solenoid 18 to control them. The CAN communication drive circuit 9 uses the CAN communication bus 11 to output the engine rotation signal and throttle opening signal required for transmission control.
It is imported from outside via.

【0021】(実施の形態1)次に、電子制御装置2の
具体的な実装レイアウトについて、図2(a)、(b)
を用いて説明する。電子制御装置2は、一つの電気回路
基板パッケージ品として構成されるものであり、2分割
されたセラミック基板、換言すれば、2組のセラミック
基板20、30上に実装している。基板分割に伴う回路
の分割は、素子発熱の分散を考慮して、まず定電圧電源
回路4と出力段回路6とを別々のセラミック基板20、
30に振り分け、次に信号の流れがスムーズに繋がるよ
うな配置を選択した。
(Embodiment 1) Next, a specific mounting layout of the electronic control unit 2 will be described with reference to FIGS.
Will be explained. The electronic control unit 2 is configured as one electric circuit board package product, and is mounted on a ceramic substrate divided into two, in other words, two sets of ceramic substrates 20 and 30. In order to divide the circuit according to the substrate division, the constant voltage power supply circuit 4 and the output stage circuit 6 are first separated into separate ceramic substrates 20 in consideration of the dispersion of heat generated by the elements.
The distribution was divided into 30, and then the arrangement was selected so that the signal flow could be smoothly connected.

【0022】具体的に説明すると、一方のセラミック基
板20には、定電圧電源回路4の主要素であるパワーI
Cチップ21が、ベアチップ実装され、ワイヤボンディ
ングによりセラミック基板20に形成されている回路構
成導通端子部(図示省略)と導通接続されている。ま
た、セラミック基板20には、CPU3、クロック生成
用の発振子22、CAN通信駆動回路構成用の部品2
3、入力段回路構成用チップ24等が実装されている。
これらのうち、IC群はベアチップをワイヤボンディン
グによって回路構成導通端子部(図示省略)と導通接続
され、それ以外の電子部品は半田リフローによって回路
構成導通端子部(図示省略)と導通接続されでいる。
More specifically, one ceramic substrate 20 has a power I which is a main element of the constant voltage power supply circuit 4.
The C chip 21 is mounted on a bare chip and is electrically connected to a circuit-structured conduction terminal portion (not shown) formed on the ceramic substrate 20 by wire bonding. Further, on the ceramic substrate 20, the CPU 3, the oscillator 22 for clock generation, and the component 2 for configuring the CAN communication drive circuit.
3. The input stage circuit configuration chip 24 and the like are mounted.
Among these, the IC group is conductively connected to the circuit-configuring conductive terminal portion (not shown) by wire bonding of the bare chip, and the other electronic components are conductively connected to the circuit-configurable conductive terminal portion (not shown) by solder reflow. .

【0023】もう一つのセラミック基板30には、出力
段回路6の主要素であるパワーICチップ31、32、
33、34が、ベアチップ状態で実装され、ワイヤボン
ディングによりセラミック基板30に形成されている回
路構成導通端子部(図示省略)と導通接続されている。
なお、それ以外の実装部品は半田リフローによって回路
構成導通端子部(図示省略)と導通接続されている。
On the other ceramic substrate 30, power IC chips 31, 32, which are the main elements of the output stage circuit 6,
33 and 34 are mounted in a bare chip state, and are electrically connected to a circuit-structured conduction terminal portion (not shown) formed on the ceramic substrate 30 by wire bonding.
It should be noted that the other mounted components are conductively connected to the circuit configuration conductive terminal portion (not shown) by solder reflow.

【0024】セラミック基板20、30には、外部接続
用の複数個の導通端子部25、35が基板20、30の
1辺に沿って整列形成されており、また、相互接続用の
複数個の導通端子部26、36が基板20、30の他の
1辺に沿って整列形成されている。なお、ICチップの
実装方法は、フリップチップ実装やパッケージ実装等で
あってもよく、また、半田リフローの代わりに導電性接
着剤等の材料を使用しても構わない。
On the ceramic substrates 20 and 30, a plurality of conductive terminal portions 25 and 35 for external connection are formed in line along one side of the substrates 20 and 30, and a plurality of interconnection terminals are connected. Conduction terminal portions 26, 36 are formed in alignment along the other side of the substrates 20, 30. The IC chip mounting method may be flip-chip mounting, package mounting, or the like, and a material such as a conductive adhesive may be used instead of the solder reflow.

【0025】図3はセラミック基板20、30が一括載
置されるリードフレーム40を示す。一般的に、リード
フレーム40の材質は、電気抵抗、熱抵抗の観点から、
銅合金系が好まれる。また、線膨張係数を低く抑えたい
場合には、42アロイ系のものも選択される。
FIG. 3 shows a lead frame 40 on which the ceramic substrates 20 and 30 are collectively mounted. Generally, the material of the lead frame 40 is, from the viewpoint of electrical resistance and thermal resistance,
Copper alloys are preferred. If it is desired to keep the linear expansion coefficient low, a 42 alloy type is also selected.

【0026】リードフレーム40は、外部接続用の整列
配置の複数個のリード(外部接続端子)41、42と、
相互連結用(中継接続用)の整列配置の複数個のリード
43と、基板固定および放熱を助けるためのインナータ
ブ44、45とを有し、これらは、フレーム46によっ
て一体連結されている。リード41、42は、トランス
ファモールド内部と外部とを接続するための接続用端子
であり、ワイヤボンディング性向上のため、必要に応じ
てNiメッキ処理を施される。また、同様に、リード4
3にも必要に応じてNiメッキ処理を施される。
The lead frame 40 includes a plurality of leads (external connection terminals) 41, 42 arranged in an array for external connection.
It has a plurality of leads 43 arranged in an array for mutual connection (for relay connection) and inner tabs 44, 45 for aiding in fixing the board and radiating heat, and these are integrally connected by a frame 46. The leads 41 and 42 are connection terminals for connecting the inside and outside of the transfer mold, and are Ni-plated as necessary to improve the wire bonding property. Similarly, lead 4
3 is also subjected to Ni plating treatment if necessary.

【0027】リードフレーム40には、図4に示されて
いるように、電子部品を実装されたセラミック基板2
0、30がセットされる。セラミック基板20はインナ
ータブ44上に、セラミック基板30はインナータブ4
5上に各々位置決め載置され、これら基板20、30
は、熱伝導がよく、接着力の強い接着剤によってインナ
ータブ44、45に貼り付けられている。
As shown in FIG. 4, the lead frame 40 has a ceramic substrate 2 on which electronic components are mounted.
0 and 30 are set. The ceramic substrate 20 is on the inner tab 44, and the ceramic substrate 30 is on the inner tab 4.
5 are positioned and placed on each of the substrates 20 and 30.
Is attached to the inner tabs 44, 45 with an adhesive having good heat conduction and a strong adhesive force.

【0028】セラミック基板20、30の外部接続用の
導通端子部25、35とリードフレーム40の外部接続
用のリード41、42とは各々アルミワイヤ50、51
によるワイヤボンディングによって導通接続されてい
る。また、セラミック基板20、30の相互接続用の導
通端子部26、36とリードフレーム40の相互連結用
(中継接続用)のリード43とは各々アルミワイヤ5
2、53によるワイヤボンディングによって導通接続さ
れている。詳説すれば、リード43の一端とセラミック
基板20の導通端子部26とがアルミワイヤ52によっ
て導通接続され、リード43の他端とセラミック基板3
0の導通端子部36とがアルミワイヤ53によって導通
接続されている。なお、アルミワイヤ50〜53の使用
は、電流容量およびワイヤ長さの関係からの選定であ
り、ワイヤボンディングはアルミワイヤに限られること
はない。
The conductive terminals 25 and 35 for external connection of the ceramic substrates 20 and 30 and the leads 41 and 42 for external connection of the lead frame 40 are aluminum wires 50 and 51, respectively.
Are electrically connected by wire bonding. In addition, the conductive terminal portions 26 and 36 for interconnection of the ceramic substrates 20 and 30 and the lead 43 for interconnection (for relay connection) of the lead frame 40 are each made of aluminum wire 5.
Conductive connection is made by wire bonding with 2, 53. More specifically, one end of the lead 43 and the conductive terminal portion 26 of the ceramic substrate 20 are conductively connected by the aluminum wire 52, and the other end of the lead 43 and the ceramic substrate 3 are connected.
The 0 conductive terminal portion 36 is conductively connected by the aluminum wire 53. The use of the aluminum wires 50 to 53 is selected based on the relationship between the current capacity and the wire length, and the wire bonding is not limited to the aluminum wire.

【0029】上述のワイヤボンディングが完了すれば、
図5に示されているように、セラミック基板20、30
毎に各々個別に非連続に樹脂封止を行う。2分割された
一方のセラミック基板20はトランスファモールド樹脂
(封止樹脂)60によって気密封止されており、他方の
セラミック基板30はトランスファモールド樹脂60と
は分離しているトランスファモールド樹脂(封止樹脂)
61によって気密封止されている。
When the above wire bonding is completed,
As shown in FIG. 5, the ceramic substrates 20, 30
Each of them is individually and non-continuously sealed with resin. One ceramic substrate 20 divided into two is hermetically sealed by a transfer mold resin (sealing resin) 60, and the other ceramic substrate 30 is separated from the transfer mold resin 60 by a transfer mold resin (sealing resin). )
It is hermetically sealed by 61.

【0030】この各基板毎の個別樹脂封止は、アルミワ
イヤ50〜53によるワイヤボンディング部を完全に被
覆するように行われ、リード41、42、43は各々部
分的に封止樹脂60、61にインサートされ、インナー
タブ44、45は基板20、30と共に全体を封止樹脂
60、61にインサートされ、気密性の確保のためにフ
ルモールド構造とされている。特に、リード41、4
2、43の界面は気密性能に関連しているので、十分な
沿面距離を確保する必要がある。
The individual resin encapsulation for each substrate is performed so as to completely cover the wire bonding portion formed by the aluminum wires 50 to 53, and the leads 41, 42 and 43 are partially encapsulated with the encapsulating resins 60 and 61, respectively. The inner tabs 44 and 45 are entirely inserted into the sealing resins 60 and 61 together with the substrates 20 and 30, and have a full mold structure for ensuring airtightness. Especially the leads 41, 4
Since the interfaces of Nos. 2 and 43 are related to the airtightness, it is necessary to secure a sufficient creepage distance.

【0031】トランスファモールド樹脂60、61によ
る各基板毎の樹脂封止は、各基板毎の樹脂封止形状に合
わせてトランスファ成形用のモールド型のキャビティを
2分割することで、1工程で、同時に行うことができ
る。樹脂封止完了後、図6、図7に示されているよう
に、トランスファモールド成形品の後処理を行い、電気
回路基板パッケージ品としての製品形状とする。
The resin molding for each substrate by the transfer mold resins 60 and 61 is performed simultaneously in one step by dividing the cavity of the mold for transfer molding into two in accordance with the resin sealing shape of each substrate. It can be carried out. After the resin sealing is completed, as shown in FIGS. 6 and 7, post-treatment of a transfer mold molded product is performed to obtain a product shape as an electric circuit board package product.

【0032】一般的には、後処理として、リードフレー
ム40の不要部分を切断する工程であるタイバーカット
(フレームカット)、成形時の樹脂バリを取る工程であ
るバリ取りを行うことになる。また、リード41、4
2、43の外部露呈部分は、腐食防止の観点で、適当な
メッキ処理が施される場合もある。
Generally, as post-processing, tie bar cutting (frame cutting), which is a step of cutting unnecessary portions of the lead frame 40, and deburring, which is a step of removing resin burrs during molding, are performed. Also, the leads 41, 4
From the viewpoint of preventing corrosion, the externally exposed portions 2 and 43 may be appropriately plated.

【0033】なお、図6、図7において、46、47は
インナータブ45、46のタイバーカット面を示してい
る。アプリケーションにより、放熱性能が満足できない
場合には、インナータブ45、46のタイバーカット部
分面45、21を延長し、その延長部を熱容量の大きい
ものに接続することで放熱性能を改善することも可能で
ある。
In FIGS. 6 and 7, reference numerals 46 and 47 denote tie bar cut surfaces of the inner tabs 45 and 46. If the heat dissipation performance is not satisfactory depending on the application, it is possible to improve the heat dissipation performance by extending the tie bar cut surface 45, 21 of the inner tabs 45, 46 and connecting the extension to one with a large heat capacity. Is.

【0034】以上の工程で製造された電気回路基板パッ
ケージ品(電子制御装置2)は、電子部品を実装した2
組のセラミック基板20、30が各々トランスファモー
ルド樹脂60、61によって個別に非連続に樹脂封止さ
れ、基板20と30とが両端をトランスファモールド樹
脂60、61にインサートされた相互連結用のリード4
3により互いに連結(機械的な連結)されている。これ
と同時に、2組のセラミック基板20、30はリード4
3によって電気的にも接続されている。
The electric circuit board packaged product (electronic control unit 2) manufactured by the above steps has the electronic parts mounted thereon.
A set of ceramic substrates 20 and 30 are individually and non-continuously resin-sealed by transfer mold resins 60 and 61, and both ends of the substrates 20 and 30 are inserted into the transfer mold resins 60 and 61, and leads 4 for interconnection are formed.
3 are connected to each other (mechanical connection). At the same time, the two sets of ceramic substrates 20 and 30 are connected to the lead 4
It is also electrically connected by 3.

【0035】以上の説明より分かるように、セラミック
基板20、30はリードフレーム40のリード41〜4
3と電気的に接続されものであり、リード41〜43、
インナータブ45、46は、同一のリードフレーム40
より得られる。また、セラミック基板20、30は、自
動車用の自動変速機用の電子制御装置2のように、用
途、機能上、区分された一つの電気回路基板パッケージ
品として取り扱われる基板を複数個(2個)に分割した
ものである。
As can be seen from the above description, the ceramic substrates 20 and 30 are the leads 41 to 4 of the lead frame 40.
3 are electrically connected to the leads 41 to 43,
The inner tabs 45 and 46 are the same lead frame 40.
You get more. Further, the ceramic boards 20 and 30 are a plurality of boards (two boards, which are handled as one electric circuit board package product divided in terms of use and function, like the electronic control unit 2 for an automatic transmission for automobiles. ) Is divided into.

【0036】分割されたセラミック基板20、30毎の
個別樹脂封止により、基板を一枚構成する場合に比して
基板20、30毎の樹脂封止サイズが小さくなり、基板
20、30と封止樹脂60、61との線膨張係数差に起
因する発生熱応力が低下し、過酷な熱条件下での使用で
も、封止部分の密着性劣化、界面剥離・樹脂クラック等
の障害が生じ難くなり、充分な耐久性が得られるように
なる。
The individual resin sealing for each of the divided ceramic substrates 20 and 30 reduces the resin sealing size for each of the substrates 20 and 30 as compared with the case where one substrate is formed, and the sealing to the substrates 20 and 30 is performed. The thermal stress generated due to the difference in linear expansion coefficient from the resin 60, 61 is reduced, and even when used under severe thermal conditions, deterioration of adhesion of the sealing part, interface peeling, resin cracks, etc. are less likely to occur. As a result, sufficient durability can be obtained.

【0037】また、発熱の分散を考慮して、定電圧電源
回路用のパワーICチップ21と出力段回路用のパワー
ICチップ31〜34とが別々のセラミック基板20、
30に振り分け実装されているので、発熱部品の実装最
適配置化が図られ、動作信頼性が高いものになる。
Further, in consideration of dispersion of heat generation, the power IC chip 21 for the constant voltage power supply circuit and the power IC chips 31 to 34 for the output stage circuit are separate ceramic substrates 20,
Since the components are distributed and mounted on 30, the heat generating components can be optimally mounted for mounting, and the operation reliability is high.

【0038】(実施の形態2)図8は本発明による電気
回路基板パッケージ品の他の実施の形態を示している。
なお、図8において、図4、図5に対応する部分は、図
4、図5に付した符号と同一の符号を付けて、その説明
を省略する。
(Second Embodiment) FIG. 8 shows another embodiment of the electric circuit board package product according to the present invention.
In addition, in FIG. 8, portions corresponding to those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 4 and 5, and description thereof will be omitted.

【0039】この実施の形態は、出力段回路用のパワー
ICチップ31〜34の発熱量が大きく、上述の実施の
形態におけるセラミック基板30経由によるインナータ
ブ45による放熱では、目標放熱性能が満足できない場
合の実装例である。一般的に、セラミック基板は熱伝導
が良好であるが、熱伝導率2〜20W/mK程度であ
り、金属の熱伝導率と比較すると10倍以上悪く、高発
熱部品をセラミック基板に実装することは得策でない。
In this embodiment, the heat generation amount of the power IC chips 31 to 34 for the output stage circuit is large, and the target heat radiation performance cannot be satisfied by the heat radiation by the inner tab 45 via the ceramic substrate 30 in the above-described embodiment. It is an example of implementation in the case. Generally, a ceramic substrate has good thermal conductivity, but the thermal conductivity is about 2 to 20 W / mK, which is more than 10 times worse than the thermal conductivity of metal, and high heat-generating components should be mounted on the ceramic substrate. Is not a good idea.

【0040】そこで、この実施の形態では、高発熱部品
である出力段回路用のパワーICチップ31〜34のみ
リードフレーム40のインナータブ45上に直接載置す
ることで、金属の高熱伝導率を有効に利用し、例えば、
銅系のリードフレームでは、一般的に300W/mK程
の度熱伝導率が得られ、放熱性を向上させることがで
き、パワーICチップ31〜34とインナータブ45と
の間の接着剤も熱伝導率の高い材料で、薄くすること
で、途中の熱抵抗を下げることができる。
Therefore, in this embodiment, by placing only the power IC chips 31 to 34 for the output stage circuit, which are high heat generating components, directly on the inner tab 45 of the lead frame 40, the high thermal conductivity of the metal can be obtained. Effectively use, for example,
A copper-based lead frame generally has a thermal conductivity of about 300 W / mK and can improve heat dissipation, and the adhesive between the power IC chips 31 to 34 and the inner tab 45 also heats. It is possible to reduce the thermal resistance on the way by thinning the material with high conductivity.

【0041】この場合、封止樹脂60は、前述の実施の
形態と同様に、セラミック基板20を封止し、封止樹脂
61はパワーICチップ31〜34を一括封止する。こ
の場合も、個々の樹脂封止サイズが小さくなり、基板2
0、パワーICチップ31〜34と封止樹脂60、61
との線膨張係数差に起因する発生熱応力が低下し、過酷
な熱条件下での使用でも、封止部分の密着性劣化、界面
剥離・樹脂クラック等の障害が生じ難くなり、充分な耐
久性が得られるようになる。
In this case, the sealing resin 60 seals the ceramic substrate 20 and the sealing resin 61 collectively seals the power IC chips 31 to 34, as in the above-described embodiment. Also in this case, the size of each resin is reduced, and the substrate 2
0, power IC chips 31 to 34 and sealing resin 60, 61
The thermal stress generated due to the difference in the coefficient of linear expansion between the and is reduced, and even when used under harsh thermal conditions, deterioration of adhesion at the sealing part, interface peeling, resin cracks, etc. are less likely to occur, and sufficient durability is achieved. You can get sex.

【0042】当然、セラミック基板20との中継接続お
よび外部との電気的接続は、ベアチップ実装のパワーI
Cチップ31〜34からワイヤボンディングによりなさ
れる。すなわち、リード42、43は、アルミワイヤ5
1、53によるワイヤボンディングにってパワーICチ
ップ31〜34と直接に導通接続される。この場合、図
示すように、ベアチップとのワイヤボンディングに最適
なリードフレーム40のリード42、43の最適な形状
選定が必要である。
Naturally, the relay connection with the ceramic substrate 20 and the electrical connection with the outside are performed by the power I of bare chip mounting.
It is made by wire bonding from the C chips 31 to 34. That is, the leads 42 and 43 are connected to the aluminum wire 5
By wire bonding with 1, 53, the power IC chips 31 to 34 are directly conductively connected. In this case, as shown in the figure, it is necessary to select the optimum shape of the leads 42 and 43 of the lead frame 40, which is optimum for wire bonding with the bare chip.

【0043】(実施の形態3)図9〜図11は本発明に
よる電気回路基板パッケージ品のもう一つの実施の形態
を示している。なお、図9〜図11において、図4、図
5、図7に対応する部分は、図4、図5、図7に付した
符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
(Embodiment 3) FIGS. 9 to 11 show another embodiment of an electric circuit board package product according to the present invention. 9 to 11, parts corresponding to those in FIGS. 4, 5, and 7 are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 4, 5, and 7, and description thereof is omitted.

【0044】この実施の形態は、回転センサ12の封止
も同時にトランスファモールド工程の中で行なった例で
ある。回転センサ12は、ホール素子を用いたセンサで
あり、波形整形部などを含めると一種の電子回路となっ
ており、ホール素子ICチップ27により構成され、電
子制御装置2と同等以上の封止構造が必要となる。そこ
で、リードフレーム40の形状を一部変更したリードフ
レーム70を用い、また、セラミック基板20のサイズ
を図示されているように、小さくすることにより、回転
センサ12を実装するエリアAを確保している。
This embodiment is an example in which the rotation sensor 12 is also sealed in the transfer molding process at the same time. The rotation sensor 12 is a sensor that uses a Hall element, is a kind of electronic circuit including a waveform shaping unit, is configured by the Hall element IC chip 27, and has a sealing structure equivalent to or higher than that of the electronic control device 2. Is required. Therefore, the lead frame 70 in which the shape of the lead frame 40 is partially changed is used, and the size of the ceramic substrate 20 is reduced as shown in the figure to secure the area A in which the rotation sensor 12 is mounted. There is.

【0045】ホール素子ICチップ27は、リードフレ
ーム70に形成されたインナータブ71上に載置され、
適当な接着剤によってインナータブ71に接着される。
また、リードフレーム70には相互連結用の複数個のリ
ード72が整列形成され、リード72の一端とセラミッ
ク基板20の導通端子部28とがアルミワイヤ54によ
るワイヤボンディングによって導通接続され、リード7
2の他端とホール素子ICチップ27とがアルミワイヤ
53よるワイヤボンディングによって導通接続されてい
る。
The Hall element IC chip 27 is placed on the inner tab 71 formed on the lead frame 70,
It is adhered to the inner tab 71 with a suitable adhesive.
In addition, a plurality of leads 72 for interconnection are formed in line on the lead frame 70, and one end of the lead 72 and the conductive terminal portion 28 of the ceramic substrate 20 are conductively connected by wire bonding with an aluminum wire 54, and the lead 7 is formed.
The other end of 2 and the Hall element IC chip 27 are electrically connected by wire bonding with an aluminum wire 53.

【0046】この実施の形態では、セラミック基板2
0、30、およびホール素子ICチップ27は、それぞ
れに対応した個別のトランスファモールド封止部(封止
樹脂)60、61、62を同時に成形することが可能と
なる。なお、この実施の形態でも、トランスファモール
ド封止部60、61、62の各封止形状に合わせてトラ
ンスファ成形用のモールド型のキャビティを3分割する
ことで、1工程で、同時に行うことができる。
In this embodiment, the ceramic substrate 2
The 0, 30 and Hall element IC chips 27 can simultaneously form the individual transfer mold sealing parts (sealing resins) 60, 61, 62 corresponding thereto. Also in this embodiment, the cavity of the mold for transfer molding is divided into three parts according to the respective sealing shapes of the transfer mold sealing parts 60, 61 and 62, so that the steps can be performed simultaneously in one step. .

【0047】上述した何れの実施の形態においても、ト
ランスファモールド封止部同士の電気的接続は完了して
いるので、トランスファモールド後の外部接続端子の電
気的接続作業を最小限に抑えることが可能になる。ま
た、外部接続端子の絶縁は、絶縁コート処理または適当
な部材を用いることで容易に実現できる。
In any of the above-described embodiments, since the electrical connection between the transfer mold sealing parts is completed, it is possible to minimize the electrical connection work of the external connection terminals after transfer molding. become. Further, the insulation of the external connection terminal can be easily realized by an insulation coating treatment or by using an appropriate member.

【0048】(実施の形態4)図12〜図15は本発明
による電気回路基板パッケージ品のもう一つの実施の形
態を示している。この実施の形態は、分割された基板8
0、90同士で電気的に接続する必要がない場合をを示
しており、基板80、90はリードフレーム100より
与えられるインナータブ105によって非導通状態で機
械的に連結される。
(Embodiment 4) FIGS. 12 to 15 show another embodiment of an electric circuit board package product according to the present invention. In this embodiment, the divided substrate 8
The case where 0 and 90 need not be electrically connected to each other is shown, and the substrates 80 and 90 are mechanically connected in an electrically non-conductive state by an inner tab 105 provided from the lead frame 100.

【0049】基板80にはICチップ等の各種電子部品
81が実装され、基板90には、CPU、ICチップ等
の各種電子部品91が実装されている。基板80、90
が一括載置されるリードフレーム100は、図12に示
されているように、外部接続用の複数個のリード10
1、102、103、104と、基板固定および放熱を
助けるためのインナータブ105とを有し、これらは、
フレーム106によって一体連結されている。
Various electronic components 81 such as an IC chip are mounted on the substrate 80, and various electronic components 91 such as a CPU and an IC chip are mounted on the substrate 90. Substrates 80, 90
As shown in FIG. 12, the lead frame 100 on which the plurality of leads 10 are collectively mounted is provided with a plurality of leads 10 for external connection.
1, 102, 103, 104, and an inner tab 105 for assisting substrate fixing and heat dissipation.
The frames 106 are integrally connected.

【0050】図13に示されているように、基板80、
90はインナータブ105上に互いに離して位置決め載
置され、これらは基板80、90は、熱伝導がよく、接
着力の強い接着剤によってインナータブ105上に貼り
付けられている。基板80の外部接続用の導通端子部8
2、83とリードフレーム100の外部接続用のリード
101、102とは各々アルミワイヤ110、111に
よるワイヤボンディングによって導通接続され、基板9
0の外部接続用の導通端子部92、93とリードフレー
ム100の外部接続用のリード103、104とは各々
アルミワイヤ112、113によるワイヤボンディング
によって導通接続されている。
As shown in FIG. 13, the substrate 80,
90 is positioned and placed on the inner tab 105 so as to be separated from each other, and these substrates 80 and 90 are attached to the inner tab 105 with an adhesive having good thermal conductivity and a strong adhesive force. Conductive terminal portion 8 for external connection of the substrate 80
2, 83 and the leads 101, 102 for external connection of the lead frame 100 are conductively connected by wire bonding with aluminum wires 110, 111, respectively.
Conductive terminal portions 92 and 93 for external connection of 0 and leads 103 and 104 for external connection of the lead frame 100 are conductively connected by wire bonding with aluminum wires 112 and 113, respectively.

【0051】上述のワイヤボンディングが完了すれば、
図14に示されているように、基板81、90毎に各々
個別に非連続に樹脂封止を行う。2分割された一方の基
板20はトランスファモールド樹脂(封止樹脂)120
によって気密封止されており、他方のセラミック基板9
0はトランスファモールド樹脂120とは分離している
トランスファモールド樹脂(封止樹脂)121によって
気密封止されている。
When the above wire bonding is completed,
As shown in FIG. 14, the substrates 81 and 90 are individually and non-continuously resin-sealed. The one substrate 20 divided into two is a transfer mold resin (sealing resin) 120.
Is hermetically sealed by the other ceramic substrate 9
0 is hermetically sealed by a transfer mold resin (sealing resin) 121 separated from the transfer mold resin 120.

【0052】この各基板毎の個別樹脂封止は、アルミワ
イヤ100〜113によるワイヤボンディング部を完全
に被覆するように行われ、リード101〜104は各々
部分的に封止樹脂120、121にインサートされ、イ
ンナータブ105は基板80、90に対応する部分を各
々封止樹脂120、121にインサートされている。樹
脂封止完了後、トランスファモールド成形品のタイバー
カット(フレームカット)、成形時の樹脂バリ取り等の
後処理を行い、電気回路基板パッケージ品としての製品
形状とする(図15参照)。
The individual resin encapsulation for each substrate is performed so as to completely cover the wire bonding portion of the aluminum wires 100 to 113, and the leads 101 to 104 are partially inserted in the encapsulating resins 120 and 121, respectively. The inner tab 105 is inserted into the sealing resins 120 and 121 at the portions corresponding to the substrates 80 and 90, respectively. After the resin sealing is completed, post-processing such as tie bar cutting (frame cutting) of the transfer molded product and resin deburring at the time of molding is performed to obtain a product shape as an electric circuit board package product (see FIG. 15).

【0053】以上の工程で製造された電気回路基板パッ
ケージ品は、電子部品を実装した2組の基板80、90
が各々トランスファモールド樹脂120、121によっ
て個別に非連続に樹脂封止され、基板80と90とがイ
ンナータブ105により互いに連結(機械的な連結)さ
れている。
The electric circuit board packaged product manufactured by the above process has two sets of boards 80 and 90 on which electronic parts are mounted.
Are individually and non-continuously resin-sealed by transfer mold resins 120 and 121, and the substrates 80 and 90 are connected (mechanically connected) to each other by an inner tab 105.

【0054】以上の説明より分かるように、基板80、
90はリードフレーム100のリード101〜104と
電気的に接続されものであり、リード101〜104
は、同一のリードフレーム100より得られる。また、
セラミック基板80、90は、用途、機能上、区分され
た一つの電気回路基板パッケージ品として取り扱われる
基板を複数個(2個)に分割したものである。
As can be seen from the above description, the substrate 80,
Reference numeral 90 denotes one electrically connected to the leads 101 to 104 of the lead frame 100.
Are obtained from the same lead frame 100. Also,
The ceramic substrates 80 and 90 are obtained by dividing a plurality of (two) substrates that are handled as one electric circuit board package product that is divided in terms of use and function.

【0055】分割された基板80、90毎の個別樹脂封
止により、基板を一枚構成する場合に比して基板80、
90毎の樹脂封止サイズが小さくなり、基板80、90
と封止樹脂120、121との線膨張係数差に起因する
発生熱応力が低下し、過酷な熱条件下での使用でも、封
止部分の密着性劣化、界面剥離・樹脂クラック等の障害
が生じ難くなり、充分な耐久性が得られるようになる。
また、この実施の形態でも、発熱の分散を考慮して、電
子部品を別々のセラミック基板80、90に振り分け実
装することができ、発熱部品の実装最適配置化により動
作信頼性が高いものになる。
Compared to the case where a single substrate is formed by sealing the individual resin for each of the divided substrates 80 and 90, the substrate 80,
The resin sealing size for each 90 becomes smaller, and the substrates 80, 90
The thermal stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the resin and the sealing resin 120, 121 is reduced, and even when used under severe thermal conditions, there are problems such as deterioration in adhesion of the sealing portion, interface peeling and resin cracks. It is less likely to occur and sufficient durability can be obtained.
Also in this embodiment, in consideration of the dispersion of heat generation, electronic components can be distributed and mounted on different ceramic substrates 80 and 90, and the operation reliability is increased by optimal mounting arrangement of the heat generation components. .

【0056】(実施の形態5)図16〜図19は本発明
による電気回路基板パッケージ品の他の実施の形態を示
している。なお、図16〜図19において、図12〜図
15に対応する部分は、図12〜図15に付した符号と
同一の符号を付けて、その説明を省略する。
(Embodiment 5) FIGS. 16 to 19 show another embodiment of the electric circuit board package product according to the present invention. 16 to 19, parts corresponding to those in FIGS. 12 to 15 are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 12 to 15, and description thereof will be omitted.

【0057】この実施の形態は、図12〜図15に示さ
れている実施の形態の変形例であり、基板80、90の
外部接続が両側タイプより片側タイプに変更され、それ
に伴い、リードフレーム100のリード配置が変更され
ている。また、インナータブ105が上下2個あり、リ
ードフレーム100に対する基板80、90の配置が上
下隔置より左右隔置に変更されている。
This embodiment is a modification of the embodiment shown in FIGS. 12 to 15, and the external connection of the substrates 80 and 90 is changed from the double-sided type to the single-sided type, and the lead frame is accordingly changed. The lead arrangement of 100 has been changed. Further, there are two inner tabs 105 on the upper and lower sides, and the arrangement of the substrates 80, 90 with respect to the lead frame 100 is changed to the left-right spacing rather than the vertical spacing.

【0058】この実施の形態でも、分割された基板80
と90とがインナータブ105により互いに連結(機械
的な連結)され、基板80、90毎の個別樹脂封止によ
り、基板を一枚構成する場合に比して基板80、90毎
の樹脂封止サイズが小さくなり、基板80、90と封止
樹脂120、121との線膨張係数差に起因する発生熱
応力が低下し、過酷な熱条件下での使用でも、封止部分
の密着性劣化、界面剥離・樹脂クラック等の障害が生じ
難くなり、充分な耐久性が得られるようになる。
Also in this embodiment, the divided substrate 80 is used.
And 90 are connected (mechanically connected) to each other by the inner tab 105, and the individual resin encapsulation for each of the substrates 80 and 90 makes the resin encapsulation for each of the substrates 80 and 90 as compared with the case where one substrate is formed. The size is reduced, the thermal stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the substrates 80 and 90 and the sealing resins 120 and 121 is reduced, and the adhesiveness of the sealing portion deteriorates even when used under severe thermal conditions. Problems such as interfacial peeling and resin cracks are less likely to occur, and sufficient durability can be obtained.

【0059】なお、以上の実施の形態では、同一工程で
の複数モールド封止を説明したが、組立て工順等によっ
て、同時封止より独立にトランスファモールド封止をす
ることが適当な場合には、トランスファモールド型を2
型以上用意することにより容易に実施できる。
In the above embodiments, a plurality of molds are sealed in the same process. However, when it is appropriate to perform transfer mold sealing independently of simultaneous sealing due to the assembly process, etc. , Transfer mold type 2
It can be easily implemented by preparing more than the mold.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明によれば、回路分割に伴うトラン
スファモールドサイズの小型化により過大な熱応力の発
生を防止でき、また回路分割に高発熱部品の分割により
放熱設計の最適化を図ることができる。また同時トラン
スファモールド封止の実施によれば、工程の増加を防止
できる。
According to the present invention, it is possible to prevent the generation of excessive thermal stress due to the miniaturization of the transfer mold size due to the circuit division, and to optimize the heat radiation design by dividing the high heat generating parts into the circuit division. You can Further, by performing the simultaneous transfer mold sealing, it is possible to prevent an increase in the number of steps.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による電気回路基板パッケージ品が適用
される自動車用の自動変速機用電子制御装置を含むシス
テム構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a system configuration including an electronic control device for an automatic transmission for an automobile to which an electric circuit board packaged product according to the present invention is applied.

【図2】(a)、(b)は、本発明による電気回路基板
パッケージ品(実施の形態1)における基板分割例を示
す電子回路の実装レイアウト図である。
2A and 2B are electronic circuit mounting layout diagrams showing an example of board division in an electric circuit board package product (Embodiment 1) according to the present invention.

【図3】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態1)におけるリードフレームの構造図である。
FIG. 3 is a structural diagram of a lead frame in an electric circuit board packaged product (first embodiment) according to the present invention.

【図4】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態1)におけるリードフレームに対する基板の実装
例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of mounting a board on a lead frame in an electric circuit board packaged product (first embodiment) according to the present invention.

【図5】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態1)におけるトランスファモールド封止後の状態
を示す透視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state after transfer mold sealing in the electric circuit board package product (first embodiment) according to the present invention.

【図6】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態1)の製品外観図(平面図)である。
FIG. 6 is a product external view (plan view) of an electric circuit board package product (Embodiment 1) according to the present invention.

【図7】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態1)の製品外観図(側面図)である。
FIG. 7 is a product external view (side view) of an electric circuit board package product (Embodiment 1) according to the present invention.

【図8】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態2)におけるリードフレームに対する基板の実装
例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of mounting a board on a lead frame in an electric circuit board packaged product (embodiment 2) according to the present invention.

【図9】本発明による電気回路基板パッケージ品(実施
の形態3)におけるリードフレームに対する基板の実装
例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of mounting a board on a lead frame in an electric circuit board packaged product (embodiment 3) according to the present invention.

【図10】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態3)におけるトランスファモールド封止後の状
態を示す透視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a state after transfer mold sealing in an electric circuit board package product (Embodiment 3) according to the present invention.

【図11】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態3)の製品外観図(側面図)である。
FIG. 11 is a product external view (side view) of an electric circuit board package product (Embodiment 3) according to the present invention.

【図12】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態4)におけるリードフレームの構造図である。
FIG. 12 is a structural diagram of a lead frame in an electric circuit board package product (fourth embodiment) according to the present invention.

【図13】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態4)におけるリードフレームに対する基板の実
装例を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an example of mounting a board on a lead frame in an electric circuit board packaged product (embodiment 4) according to the present invention.

【図14】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態4)におけるトランスファモールド封止後の状
態を示す透視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing a state after transfer mold sealing in an electric circuit board package product (embodiment 4) according to the present invention.

【図15】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態4)の製品外観図(側面図)である。
FIG. 15 is a product external view (side view) of an electric circuit board packaged product (fourth embodiment) according to the present invention.

【図16】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態5)におけるリードフレームの構造図である。
FIG. 16 is a structural diagram of a lead frame in an electric circuit board package product (embodiment 5) according to the present invention.

【図17】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態5)におけるリードフレームに対する基板の実
装例を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing an example of mounting a board on a lead frame in an electric circuit board packaged product (embodiment 5) according to the present invention.

【図18】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態5)におけるトランスファモールド封止後の状
態を示す透視図である。
FIG. 18 is a perspective view showing a state after transfer mold sealing in an electric circuit board packaged product (embodiment 5) according to the present invention.

【図19】本発明による電気回路基板パッケージ品(実
施の形態5)の製品外観図(側面図)である。
FIG. 19 is a product external view (side view) of an electric circuit board package product (embodiment 5) according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 自動変速機制御システム 2 自動変速機用電子制御装置 3 CPU 4 定電圧電源回路 5 入力段回路 6 出力段回路 7 クロック生成回路 9 CAN通信駆動回路 10 バッテリ電源線 11 CAN通信バス 12〜14 センサ・スイッチ類 15〜18 ソレノイドバルブ類 20、30 セラミック基板 40 リードフレーム 41〜43 リード 45 インナータブ 50〜53 アルミワイヤ 60、61、62 トランスファモールド樹脂(封止樹
脂) 70 リードフレーム 80、90 基板 100 リードフレーム 101〜104 リード 105 インナータブ 110〜113 アルミワイヤ 120、121 トランスファモールド樹脂(封止樹
脂)
1 Automatic Transmission Control System 2 Electronic Control Device for Automatic Transmission 3 CPU 4 Constant Voltage Power Supply Circuit 5 Input Stage Circuit 6 Output Stage Circuit 7 Clock Generation Circuit 9 CAN Communication Drive Circuit 10 Battery Power Supply Line 11 CAN Communication Bus 12-14 Sensor -Switches 15-18 Solenoid valves 20, 30 Ceramic substrate 40 Lead frame 41-43 Lead 45 Inner tabs 50-53 Aluminum wires 60, 61, 62 Transfer mold resin (sealing resin) 70 Lead frame 80, 90 Substrate 100 Lead frames 101 to 104 Leads 105 Inner tabs 110 to 113 Aluminum wires 120, 121 Transfer mold resin (sealing resin)

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子部品を実装した少なくとも2組以上
の基板が各々個別に非連続に樹脂封止され、それら基板
が封止樹脂にインサートされたリード、タブにより互い
に連結されていることを特徴とする電気回路基板パッケ
ージ品。
1. At least two sets of boards on which electronic components are mounted are individually and non-continuously resin-sealed, and the boards are connected to each other by leads and tabs inserted in a sealing resin. Electrical circuit board packaged product.
【請求項2】 前記基板はリードフレームのリードと電
気的に接続されたものであり、前記リード、タブは、同
一リードフレームより得られたものであることを特徴と
する請求項1記載の電気回路基板パッケージ品。
2. The electric circuit according to claim 1, wherein the substrate is electrically connected to the leads of the lead frame, and the leads and the tabs are obtained from the same lead frame. Circuit board package products.
【請求項3】 前記基板は相互連結用のリードによって
電気的に接続されていることを特徴とする請求項1また
は2記載の電気回路基板パッケージ品。
3. The electric circuit board packaged product according to claim 1, wherein the substrates are electrically connected by leads for interconnection.
【請求項4】 前記基板は、用途、機能上、区分された
一つの電気回路基板パッケージ品として取り扱われる基
板を複数個に分割したものであることを特徴とする請求
項1〜3の何れか一項記載の電気回路基板パッケージ
品。
4. The board according to claim 1, wherein the board is divided into a plurality of boards which are handled as one electric circuit board package product which is divided in terms of use and function. The electric circuit board packaged product according to one item.
【請求項5】 電子部品を実装した少なくとも一つの基
板と少なくとも一つのICチップとが各々個別に非連続
に樹脂封止され、前記基板と前記ICチップが封止樹脂
にインサートされた相互連結用のリードによって電気的
に接続された態様で連結されていることを特徴とする電
気回路基板パッケージ品。
5. At least one substrate on which an electronic component is mounted and at least one IC chip are individually and non-continuously resin-sealed, and the substrate and the IC chip are inserted into a sealing resin for interconnection. An electrical circuit board packaged product, wherein the electrical circuit board packaged product is connected in a manner in which the leads are electrically connected.
【請求項6】 前記基板および前記ICチップはリード
フレームのリードと電気的に接続されたものであり、前
記リードは同一リードフレームより得られたものである
ことを特徴とする請求項5に記載の電気回路基板パッケ
ージ品。
6. The substrate according to claim 5, wherein the substrate and the IC chip are electrically connected to leads of a lead frame, and the leads are obtained from the same lead frame. Electric circuit board package products.
【請求項7】 前記ICチップは基板上に実装されるも
のを基板より分離存在させたものであることを特徴とす
る請求項5または6記載の電気回路基板パッケージ品。
7. The electric circuit board packaged product according to claim 5, wherein the IC chip is one mounted on a substrate and separated from the substrate.
【請求項8】 電子部品を実装した少なくとも2組以上
の基板を同一リードフレームにセットし、 前記基板と前記リードフレームのリードとを電気的に接
続し、 各基板毎に個別に非連続に樹脂封止を行い、 それら基板が封止樹脂にインサートされた前記リードフ
レームのリード、タブにより互いに連結される態様でフ
レームカットを行うことを特徴とする電気回路基板パッ
ケージ品の製造方法。
8. At least two sets of substrates on which electronic components are mounted are set on the same lead frame, the substrates and the leads of the lead frame are electrically connected, and each substrate is individually and non-continuously resin-bonded. A method for manufacturing an electric circuit board packaged product, which comprises performing sealing and performing frame cutting in such a manner that the substrates are connected to each other by leads and tabs of the lead frame inserted in a sealing resin.
【請求項9】 電子部品を実装した少なくとも一つの基
板と少なくとも一つのICチップとを同一リードフレー
ムにセットし、 前記基板および前記ICチップと前記リードフレームの
リードとを電気的に接続し、 前記基板と前記ICチップとを個別に非連続に樹脂封止
を行い、 前記基板と前記ICチップとが封止樹脂にインサートさ
れた前記リードフレームのリードにより互いに電気的に
接続された態様で連結される態様でフレームカットを行
うことを特徴とする電気回路基板パッケージ品の製造方
法。
9. At least one substrate on which an electronic component is mounted and at least one IC chip are set in the same lead frame, and the substrate and the IC chip are electrically connected to the leads of the lead frame, The substrate and the IC chip are individually and non-continuously resin-sealed, and the substrate and the IC chip are connected to each other by the leads of the lead frame inserted in the sealing resin and electrically connected to each other. A method of manufacturing an electric circuit board package product, which comprises performing frame cutting in a mode.
【請求項10】 複数の前記樹脂封止を同時に行うこと
を特徴とする請求項8または9に記載の電気回路基板パ
ッケージ品の製造方法。
10. The method for manufacturing an electric circuit board packaged article according to claim 8, wherein a plurality of the resin encapsulations are performed at the same time.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121861A (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd Power converter
JP2008066457A (en) * 2006-09-06 2008-03-21 Asmo Co Ltd Connector integrated semiconductor module for controlling motor for motorcar
JP2009070934A (en) * 2007-09-12 2009-04-02 Hitachi Ltd Power semiconductor module, and manufacturing method thereof
JP2010530622A (en) * 2007-06-21 2010-09-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Electrical components
WO2011118444A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社ケーヒン Electronic control device
EP2447986A1 (en) 2010-11-02 2012-05-02 Towa Corporation Resin encapsulation molding method and apparatus for electrical circuit component
JP2012248602A (en) * 2011-05-26 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed electronic control device and manufacturing method of the same

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121861A (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd Power converter
JP2008066457A (en) * 2006-09-06 2008-03-21 Asmo Co Ltd Connector integrated semiconductor module for controlling motor for motorcar
JP4745925B2 (en) * 2006-09-06 2011-08-10 アスモ株式会社 Connector integrated semiconductor module for automotive motor control
JP2010530622A (en) * 2007-06-21 2010-09-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Electrical components
US8379395B2 (en) 2007-06-21 2013-02-19 Robert Bosch Gmbh Electrical component
JP2009070934A (en) * 2007-09-12 2009-04-02 Hitachi Ltd Power semiconductor module, and manufacturing method thereof
JP2011204921A (en) * 2010-03-25 2011-10-13 Keihin Corp Electronic control device
CN102782844A (en) * 2010-03-25 2012-11-14 株式会社京浜 Electronic control device
WO2011118444A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社ケーヒン Electronic control device
TWI456732B (en) * 2010-03-25 2014-10-11 Keihin Corp Electronic control device
EP2447986A1 (en) 2010-11-02 2012-05-02 Towa Corporation Resin encapsulation molding method and apparatus for electrical circuit component
JP2012248602A (en) * 2011-05-26 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed electronic control device and manufacturing method of the same
US8717766B2 (en) 2011-05-26 2014-05-06 Mitsubishi Electric Corporation Resin-sealed electronic controller and method of fabricating the same

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