JP2003035751A - 半導体集積回路の試験装置及び試験方法 - Google Patents

半導体集積回路の試験装置及び試験方法

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JP2003035751A JP2001224899A JP2001224899A JP2003035751A JP 2003035751 A JP2003035751 A JP 2003035751A JP 2001224899 A JP2001224899 A JP 2001224899A JP 2001224899 A JP2001224899 A JP 2001224899A JP 2003035751 A JP2003035751 A JP 2003035751A
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Yukikazu Matsuo
幸和 松尾
Yoshihiro Nagura
義博 名倉
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Mitsubishi Electric Corp
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 JTAG回路において、IRの状態に左右さ
れないバイパス機能を実現することができる試験装置及
び試験方法を提供する。 【解決手段】 テストデータ入力に応じてロジックのテ
ストを行ない、テスト結果を貯えるBSR11と、DR
12と、テストデータ入力のバイパス機能を有するTR
16と、DR12及びTR16に接続され、各レジスタ
の出力を選択的に取り出す第1のセレクタ17と、テス
トデータ入力のバイパス機能を有するBR13と、動作
指令を与えるためのIR14と、BSR11及び第1の
セレクタ17、BR13並びにIR14に接続され、I
R14によって選択制御される第2のセレクタ18とを
有するJTAG回路を各ロジックにそれぞれ設け、所定
のロジックの第2のセレクタ18の出力を他の1つのロ
ジックの入力とするようにしたもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回
路、特に2つ以上の異なるロジック、例えばメモリコア
を有し、JTAG回路(Joint Test Action Group、合
同試験実施グループ基準にもとづく回路、以下同じ)を
組み込んだ半導体集積回路の試験装置及び試験方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図9は、従来のJTAG回路を組み込ん
だ半導体集積回路の試験装置を示すブロック図で、同一
チップ上に搭載された半導体集積回路が2つの異なるロ
ジック(ロジック1及びロジック2)を有し、各ロジッ
クにそれぞれJTAG回路が組み込まれた構成を示して
いる。この図において、11はロジック1に組み込ま
れ、JTAG回路の要部を構成するバウンダリースキャ
ンレジスタ(Boundary Scan Register、以下BSRとい
う)で、従来のテストプローブと等価な機能を有し、ロ
ジック1のテスト結果を貯えるものである。12はJT
AG回路におけるデータレジスタ(Data Register、以
下DRという)、13は同じくバイパスレジスタ(Bypa
ss Register、以下BRという)で、テストデータ入力
を出力側にバイパスして最短経路を形成するものであ
る。
【0003】14は同じくインストラクションレジスタ
(Instruction Register、以下IRという)で、図示し
ない周知のTAP(Test Access Port )コントローラ
の命令ビットを読み込んでデコードするものである。1
5は上記各レジスタ11〜14に接続され、IR14に
よって選択制御されていずれかのレジスタ出力を送出す
るセレクタ、21はロジック2に組み込まれたBSR、
22は同じくDR、23は同じくBR、24は同じくI
R、25は同じくセレクタで、いずれもロジック1と同
様に構成されている。なお、TDIはJTAG回路のテ
ストデータ入力信号、TDOは同じくJTAG回路のテ
ストデータ出力信号で、ロジック1のセレクタ15の出
力はロジック2に対する入力信号とされている。
【0004】このような構成において、各ロジック2回
のテスト及びテスト結果の読み出しを行なう場合の動作
を図10に示すフローチャートを用いて説明する。先
ず、ステップS1でロジック1のテストモードを設定す
る。次に、ステップS2でロジック1の1回目のテスト
を実施し、ステップS3でそのテスト結果をBSR11
に貯える。次いで、ステップS4でBSR11に貯えら
れた1回目のテスト結果を読み出す。この読み出し信号
は、セレクタ15を経てロジック2に入力され、ロジッ
ク2のBR23及びセレクタ25を経てテストデータ出
力TDOに出力される。この場合、ロジック1のセレク
タ15は、IR14によってBSR11のテスト結果を
選択するようにセットされ、ロジック2においては、セ
レクタ25はIR24によってBR23を選択するよう
にセットされているものである。
【0005】その後、ステップS5でロジック1の2回
目のテストが実施され、ステップS6でBSR11にテ
スト結果が貯えられる。ステップS7で2回目のテスト
結果が読み出されるが、BSR11からのテスト結果信
号は、上述した1回目と同様に、ロジック2のTDOに
出力される。次いで、ステップS8でロジック2のテス
トモードが設定され、ステップS9でロジック2の1回
目のテストが実施される。テスト結果はステップS10
でBSR21に貯えられ、ステップS11でその結果が
読み出される。読み出し信号はBSR21からセレクタ
25を経てTDOに出力される。この場合、セレクタ2
5はIR24によってBSR21のテスト結果を選択す
るようにセットされている。その後、ステップS12で
ロジック2の2回目のテストが実施され、ステップS1
3でテスト結果がBSR21に貯えられる。次いで、ス
テップS14でBSR21のテスト結果を読み出す。読
み出し信号は1回目と同様に、セレクタ25を経てTD
Oに出力され、ステップS15でテストを終了する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のJTAG回路に
よる半導体集積回路のインサーキットテストは上述のよ
うに行なわれるが、テスト対象である2つのロジック
1、2が同時にテスト状態である場合には、一方のロジ
ック、例えばロジック1でBSR11からテスト結果を
読み出している時は、ロジック2ではBR23が機能す
るようにされている。しかし、BR23または13は、
JTAG回路のIR24または14が総て“1”である
状態で有効となるようにされているため、BR23また
は13を設定したロジックは、IR24または14でセ
ットされたテストモード(例えばRUNBIST)から抜ける
結果となり、複数回のテスト結果の読み出しを伴う各ロ
ジックの同時テストができなくなるという問題点があっ
た。
【0007】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、IRの状態に左右されないバ
イパス機能を実現することができる試験装置及び試験方
法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路の試験装置は、2つ以上の異なるロジックを有す
る半導体集積回路にJTAG回路を組み込み、各ロジッ
クのインサーキットテストを行なうことができるように
した半導体集積回路の試験装置において、テストデータ
入力に応じてロジックのテストを行ない、テスト結果を
貯えるBSRと、DRと、テストデータ入力のバイパス
機能を有する疑似バイパスレジスタ(Transfer Registe
r、以下TRという)と、DR及びTRに接続され、各
レジスタの出力を選択的に取り出す第1のセレクタと、
テストデータ入力のバイパス機能を有するBRと、動作
指令を与えるためのIRと、BSR及び第1のセレク
タ、BR並びにIRに接続され、IRによって選択制御
される第2のセレクタとを有するJTAG回路を各ロジ
ックにそれぞれ設け、所定のロジックの第2のセレクタ
の出力を他の1つのロジックの入力とするようにしたも
のである。
【0009】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、TRが、DRによって第1のセレクタを選択
することにより制御されるようにしたものである。
【0010】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、TRが、BRと同じ構成とされているもので
ある。
【0011】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、TRの入力側にセレクタを設け、バイパスさ
せるテストデータ入力と任意の情報とを選択的に入力し
得るようにしたものである。
【0012】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、TRを複数ビットにし、各ビット毎にセレク
タを介してバイパスさせるテストデータ入力と任意の情
報とを選択的に入力し得るようにしたものである。
【0013】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、2つ以上の異なるロジックを有する半導体集
積回路にJTAG回路を組み込み、各ロジックのインサ
ーキットテストを行なうことができるようにした半導体
集積回路の試験装置において、テストデータ入力に応じ
て上記ロジックのテストを行ない、テスト結果を貯える
BSRと、DRと、テストデータ入力のバイパス機能を
有するTRと、各レジスタに接続され、各レジスタの出
力を選択的に取り出す第1のセレクタとからなる制御ブ
ロックを各ロジックに対応して設け、更に、各ロジック
にBR及びIR並びにこれらのレジスタと第1のセレク
タとに接続され、IRによって選択制御される第2のセ
レクタを設け、所定のロジックの第2のセレクタの出力
を他のロジックの入力とするようにしたものである。
【0014】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
は、また、2つ以上の異なるロジックを有する半導体集
積回路にJTAG回路を組み込み、各ロジックのインサ
ーキットテストを行なうことができるようにした半導体
集積回路の試験装置において、テストデータ入力に応じ
て上記ロジックのテストを行ない、テスト結果を貯える
BSRと、DRと、テストデータ入力のバイパス機能を
有するTRと、各レジスタに接続され、各レジスタの出
力を選択的に取り出す第1のセレクタとからなる制御ブ
ロックを各ロジックに対応して設け、所定の制御ブロッ
クの第1のセレクタの出力を他の制御ブロックの入力に
すると共に、各制御ブロックに共通のBR及びIR並び
に各制御ブロックとBRとIRとに接続され、IRによ
って選択制御される第2のセレクタを設け、JTAG回
路を構成するようにしたものである。
【0015】この発明に係る半導体集積回路の試験方法
は、上述した各構成の試験装置を用いて半導体集積回路
のインサーキットテストを行なうようにしたものであ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施
の形態1の構成を示すブロック図である。この図におい
て、図9と同一または相当部分には同一符号を付して説
明を省略する。図9と異なる点は、BR13、23に代
わるTRを設け、TRをDR12、22によって制御す
るようにした点である。即ち、図1において、16はロ
ジック1のJTAG回路を構成するTRで、BR13と
同じ構成とされ、テストデータ入力信号TDIを出力側
にバイパスさせる機能を有するものである。17はTR
16とDR12に接続された第1のセレクタで、DR1
2によって選択制御されるものである。また、18は第
2のセレクタで、BSR11、第1のセレクタ17の出
力端子、BR13、及びIR14に接続され、図9と同
様に、IR14によって選択制御され、出力がロジック
2に対する入力信号とされている。また、26はロジッ
ク2に組み込まれたTR、27は同じく第1のセレク
タ、28は同じく第2のセレクタで、いずれもロジック
1と同様に構成され、第2のセレクタ28の出力はテス
トデータ出力信号とされる。
【0017】このような構成において、図9と同様に、
各ロジック2回のテスト及びテスト結果読み出しを行な
う場合の動作を図2に示すフローチャートを用いて説明
する。先ず、ステップS21で、ロジック1及びロジッ
ク2のテストモードを設定する。次に、ステップS22
でロジック1及びロジック2の1回目のテストを実施
し、ステップS23でそれぞれのテスト結果をBSR1
1及び21に貯える。次いで、ステップS24でBSR
11に貯えられたロジック1の1回目のテスト結果を読
み出す。この読み出し信号は、IR14によってBSR
11を選択している第2のセレクタ18を経てロジック
2に入力される。ロジック2ではDR22によって第1
のセレクタ27がTR26を選択し、IR24によって
第2のセレクタ28が第1のセレクタ27の出力を選択
しているため、ロジック1からのテスト結果信号はロジ
ック2のTR26及び第1のセレクタ27、更に、第2
のセレクタ28を経てテストデータ出力TDOに出力さ
れる。
【0018】次に、ステップS25でBSR21に貯え
られたロジック2の1回目のテスト結果を読み出す。こ
の時、ロジック2では、IR24によって第2のセレク
タ28がBSR21を選択しているため、読み出し信号
は第2のセレクタ28を経てテストデータ出力TDOに
出力される。その後、ステップS26でロジック1及び
ロジック2の2回目のテストが実施され、ステップS2
7でBSR11及び21にそれぞれのテスト結果が貯え
られる。次に、ステップS28でロジック1の2回目の
テスト結果が読み出されるが、BSR11からのテスト
結果信号は、上述した1回目と同様の経路でロジック2
のTDOに出力される。また、ステップS29でロジッ
ク2の2回目のテスト結果が読み出されるが、BSR2
1からのテスト結果信号も1回目と同じ経路でTDOに
出力され、ステップS30でテストを終了する。
【0019】この実施の形態では、DR12、22によ
ってTR16、26を選択制御するようにしているた
め、IR14、24の状態に左右されないバイパス機能
を実現することができる。また、図9に示す従来の試験
装置では、IR14、24によってBR13、23を選
択制御していたため、ロジック1のテスト結果読み出し
でロジック2のBR23を機能させた後、ロジック2の
テストを行なう場合には、図10のステップS8に示す
ように、再度テストモードを設定する必要があったが、
実施の形態1では、TR16、26のバイパス機能を利
用するため、ロジック2がテストモードから抜けること
がなく、フローの簡略化を図ることができる。従って、
図2のフローチャートにも示すように、複数回のテスト
結果の読み出しを伴う複数ロジックの同時テストが可能
となり、テストの時間短縮を図ることができる。
【0020】実施の形態2.次に、この発明の実施の形
態2を図にもとづいて説明する。図3は、実施の形態2
の要部を構成するTR16、26の構成と、それに対す
る信号の経路を示すブロック図である。即ち、図3にお
いて、16、26は図1におけるロジック1のTR16
またはロジック2のTR26を示すものである。30は
TR16、26の入力側に設けられた第3のセレクタ
で、一方の入力であるPass-Dataは図1におけるテスト
データ入力TDIと直結し、バイパスさせるテストデー
タが入力され、他方の入力であるIN-Dataは各ロジック
における任意の情報、例えばメモリコアのパスあるいは
フェイル信号などを入力するための端子であり、図示し
ないTAPコントローラのSHIFT DR信号によって選択制
御されるものである。即ち、各ロジックに固有の情報を
IN-Dataを経てTR16、26に付加することができる
ようにしたものである。
【0021】図4は、TAPコントローラの状態遷移と
対応させた波形図を示すものであるが、(b)に示すよ
うに、SHIFT-DR信号が入ることによって図3における第
3のセレクタ30がIN-Dataを選択するため、(e)に
示すIN-Dataの情報が(f)に示すように、TDOに現
われ、テストデータ入力であるPass-Dataと共に読み出
すことができる。
【0022】実施の形態3.次に、この発明の実施の形
態3を図にもとづいて説明する。図5は、実施の形態3
の要部を構成するTR16、26の構成と、それに対す
る信号の経路を示すブロック図である。なお、図5にお
けるTRの符号は、一例としてロジック1に対応させて
表示している。即ち、図5において、16(1)、16
(2)……16(N)は、複数ビットのTR、30
(1)、30(2)……30(N)は、それぞれ各TR
16(1)、16(2)……16(N)の入力側に設け
られた第3のセレクタで、各セレクタの機能及び入力信
号等は実施の形態2における第3のセレクタ30と同等
である。図6は、図4と同様に、TAPコントローラの
状態遷移と対応させた波形図を示すもので、IN-Dataと
して(e1)〜(eN)に示す複数の任意情報が準備さ
れ、(b)に示すように、SHIFT-DR信号が入ることによ
って、図5における各ビットの第3のセレクタ30
(1)〜30(N)が順次IN-Dataを選択するため、
(e1)〜(eN)に示すIN-Dataの情報が(f)に示
すように、順次TDOに現われ、テストデータ入力であ
るPass-Dataと共に読み出すことができる。
【0023】この実施の形態では、上述のように、各ロ
ジックに固有の任意情報を各ビット毎に付加し得るよう
にしたため、実施の形態2に比してN倍の情報を得るこ
とができる。
【0024】実施の形態4.次に、この発明の実施の形
態4を図にもとづいて説明する。図7及び図8は、実施
の形態4の構成を示すブロック図である。これらの図に
おいて、図1と同一または相当部分には同一符号を付し
て説明を省略する。図7において、B1はロジック1の
BSR11、TR16及びDR12並びにこれらの各レ
ジスタに接続され、DR12によって選択制御されるセ
レクタ37で構成される第1の制御ブロック、38はセ
レクタ37、BR13及びIR14に接続され、IR1
4によって選択制御されるセレクタ、B2は同じくロジ
ック2のBSR21、TR26及びDR22並びにこれ
らの各レジスタに接続され、DR22によって選択制御
されるセレクタ47で構成される第2の制御ブロック、
48はセレクタ47、BR23及びIR24に接続さ
れ、IR24によって選択制御されるセレクタである。
【0025】この実施の形態は、制御ブロックB1、B
2を各ロジック毎に設けることにより、JTAG回路と
各ロジックとを分離したもので、このような構成とする
ことにより、例えば図8に示すような構成が可能とな
る。図8において、JCは1つのJTAG回路で制御ブ
ロックBとBR33とIR34と、これらに接続されI
R34によって選択制御されるセレクタ58とから構成
され、制御ブロックBは更に、矢印で示す部分に詳細構
成を示すように、ロジック1に対応する制御ブロックB
1と、ロジック2に対応する制御ブロックB2とから構
成されている。従って、BR33とIR34及びセレク
タ58は、両ブロックB1、B2に共通の構成要素とし
て機能する。このような構成とすることにより、1つの
JTAG回路で複数のロジックの同時テストが可能とな
るものである。
【0026】
【発明の効果】この発明に係る半導体集積回路の試験装
置および試験方法は、テストデータ入力に応じてロジッ
クのテストを行ない、テスト結果を貯えるBSRと、D
Rと、テストデータ入力のバイパス機能を有するTR
と、DR及びTRに接続され、各レジスタの出力を選択
的に取り出す第1のセレクタと、テストデータ入力のバ
イパス機能を有するBRと、動作指令を与えるためのI
Rと、BSR及び第1のセレクタ、BR並びにIRに接
続され、IRによって選択制御される第2のセレクタと
を有するJTAG回路を各ロジックにそれぞれ設け、所
定のロジックの第2のセレクタの出力を他の1つのロジ
ックの入力とするようにしたため、IRの状態に左右さ
れないバイパス機能を実現することができる。また、バ
イパス機能を使用した後、再度テストモードを設定する
ことなくテストを行なうことができるため、テストフロ
ーの簡略化と複数回のテスト結果読み出しを伴う複数ロ
ジックの同時テストを行なうことができるため、テスト
の時間短縮を図ることができる。
【0027】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
および試験方法は、また、TRの入力側にセレクタを設
け、バイパスさせるテストデータ入力と任意の情報とを
選択的に入力し得るようにしたため、ロジック固有の情
報、例えばメモリコアのパスあるいはフェイル信号を付
加することができ、BSR出力の読み出しと同時に種々
のメモリコア特有の情報を読み出すことができる。ま
た、TRを複数ビットにすれば、N倍の固有情報を得る
ことができる。
【0028】この発明に係る半導体集積回路の試験装置
および試験方法は、また、テストデータ入力に応じて上
記ロジックのテストを行ない、テスト結果を貯えるBS
Rと、DRと、テストデータ入力のバイパス機能を有す
るTRと、各レジスタに接続され、各レジスタの出力を
選択的に取り出す第1のセレクタとからなる制御ブロッ
クを各ロジックに対応して設け、所定の制御ブロックの
第1のセレクタの出力を他の制御ブロックの入力にする
と共に、各制御ブロックに共通のBR及びIR並びに各
制御ブロックとBRとIRとに接続され、IRによって
選択制御される第2のセレクタを設け、JTAG回路を
構成するようにしたため、1つのJTAG回路で複数の
ロジックの同時テストを行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1の構成を示すブロッ
ク図である。
【図2】 実施の形態1のテスト動作を示すフローチャ
ートである。
【図3】 この発明の実施の形態2の要部の構成を示す
ブロック図である。
【図4】 実施の形態2におけるTAPコントローラの
状態遷移と対応させた波形図である。
【図5】 この発明の実施の形態3の要部の構成を示す
ブロック図である。
【図6】 実施の形態3におけるTAPコントローラの
状態遷移と対応させた波形図である。
【図7】 この発明の実施の形態4の構成を示すブロッ
ク図である。
【図8】 この発明の実施の形態4の詳細構成を示すブ
ロック図である。
【図9】 従来のJTAG回路を組み込んだ半導体集積
回路の試験装置を示すブロック図である。
【図10】 従来の試験装置のテスト動作を示すフロー
チャートである。
【符号の説明】
11、21 BSR、 12、22 JTAG回路の
DR、 13、23JTAG回路のBR、 14、
24 JTAG回路のIR、 16、26JTAG回
路のTR、 17、18、27,28、30、37、
38,47、48、58 セレクタ、 B、B1、B
2 制御ブロック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 幸和 兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 名倉 義博 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2G132 AA01 AA08 AC15 AK23 5F038 DT08 EZ20

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2つ以上の異なるロジックを有する半導
    体集積回路にJTAG回路を組み込み、上記各ロジック
    のインサーキットテストを行なうことができるようにし
    た半導体集積回路の試験装置において、テストデータ入
    力に応じて上記ロジックのテストを行ない、テスト結果
    を貯えるバウンダリースキャンレジスタと、データレジ
    スタと、上記テストデータ入力のバイパス機能を有する
    疑似バイパスレジスタと、上記データレジスタ及び疑似
    バイパスレジスタに接続され、各レジスタの出力を選択
    的に取り出す第1のセレクタと、上記テストデータ入力
    のバイパス機能を有するバイパスレジスタと、動作指令
    を与えるためのインストラクションレジスタと、上記バ
    ウンダリースキャンレジスタ及び第1のセレクタ、バイ
    パスレジスタ並びにインストラクションレジスタに接続
    され、上記インストラクションレジスタによって選択制
    御される第2のセレクタとを有するJTAG回路を上記
    各ロジックにそれぞれ設け、所定のロジックの第2のセ
    レクタの出力を他の1つのロジックの入力とするように
    したことを特徴とする半導体集積回路の試験装置。
  2. 【請求項2】 上記疑似バイパスレジスタは、上記デー
    タレジスタによって第1のセレクタを選択することによ
    り制御されることを特徴とする請求項1記載の半導体集
    積回路の試験装置。
  3. 【請求項3】 上記疑似バイパスレジスタは、上記バイ
    パスレジスタと同じ構成とされていることを特徴とする
    請求項1または請求項2記載の半導体集積回路の試験装
    置。
  4. 【請求項4】 上記疑似バイパスレジスタの入力側にセ
    レクタを設け、バイパスさせるテストデータ入力と任意
    の情報とを選択的に入力し得るようにしたことを特徴と
    する請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の半導体集
    積回路の試験装置。
  5. 【請求項5】 上記疑似バイパスレジスタを複数ビット
    にし、各ビット毎にセレクタを介してバイパスさせるテ
    ストデータ入力と任意の情報とを選択的に入力し得るよ
    うにしたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれ
    か1項記載の半導体集積回路の試験装置。
  6. 【請求項6】 2つ以上の異なるロジックを有する半導
    体集積回路にJTAG回路を組み込み、上記各ロジック
    のインサーキットテストを行なうことができるようにし
    た半導体集積回路の試験装置において、テストデータ入
    力に応じて上記ロジックのテストを行ない、テスト結果
    を貯えるバウンダリースキャンレジスタと、データレジ
    スタと、上記テストデータ入力のバイパス機能を有する
    疑似バイパスレジスタと、上記各レジスタに接続され、
    各レジスタの出力を選択的に取り出す第1のセレクタと
    からなる制御ブロックを各ロジックに対応して設け、更
    に、各ロジックにバイパスレジスタ及びインストラクシ
    ョンレジスタ並びにこれらのレジスタと第1のセレクタ
    とに接続され、上記インストラクションレジスタによっ
    て選択制御される第2のセレクタを設け、所定のロジッ
    クの第2のセレクタの出力を他のロジックの入力とする
    ようにしたことを特徴とする半導体集積回路の試験装
    置。
  7. 【請求項7】 2つ以上の異なるロジックを有する半導
    体集積回路にJTAG回路を組み込み、上記各ロジック
    のインサーキットテストを行なうことができるようにし
    た半導体集積回路の試験装置において、テストデータ入
    力に応じて上記ロジックのテストを行ない、テスト結果
    を貯えるバウンダリースキャンレジスタと、データレジ
    スタと、上記テストデータ入力のバイパス機能を有する
    疑似バイパスレジスタと、上記各レジスタに接続され、
    各レジスタの出力を選択的に取り出す第1のセレクタと
    からなる制御ブロックを各ロジックに対応して設け、所
    定の制御ブロックの第1のセレクタの出力を他の制御ブ
    ロックの入力にすると共に、上記各制御ブロックに共通
    のバイパスレジスタ及びインストラクションレジスタ並
    びに上記各制御ブロックとバイパスレジスタとインスト
    ラクションレジスタとに接続され、上記インストラクシ
    ョンレジスタによって選択制御される第2のセレクタを
    設け、上記JTAG回路を構成するようにしたことを特
    徴とする半導体集積回路の試験装置。
  8. 【請求項8】 請求項1〜請求項7のいずれか1項記載
    の半導体集積回路の試験装置によって半導体集積回路の
    インサーキットテストを行なうようにしたことを特徴と
    する半導体集積回路の試験方法。
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