JP2003029855A - Constant voltage circuit device - Google Patents

Constant voltage circuit device

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JP2003029855A
JP2003029855A JP2001214163A JP2001214163A JP2003029855A JP 2003029855 A JP2003029855 A JP 2003029855A JP 2001214163 A JP2001214163 A JP 2001214163A JP 2001214163 A JP2001214163 A JP 2001214163A JP 2003029855 A JP2003029855 A JP 2003029855A
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Japan
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output
terminal
circuit device
transistor
voltage
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Withdrawn
Application number
JP2001214163A
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Japanese (ja)
Inventor
Etsushi Sato
悦士 佐藤
Toshinori Fukazawa
敏則 深澤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a constant voltage circuit device capable of supplying a stable output voltage even when leakage currents are produced in an output transistor, and obtaining a stable off state. SOLUTION: This constant voltage circuit device is provided with an operation amplifier 3 for controlling the output impedance of a Pch-MOS transistor 5 connected between a power source terminal 1 (or ground terminal) and an output terminal 6, and an output voltage value is set by resistances 8, 9, and 10 connected between the output terminal 1 and the ground terminal 15 (or power source terminal). This constant voltage circuit device is also provided with an output voltage abnormality preventing Nch-MOS transistor 12 serially connected to the Pch-MOS transistor 5 and an output voltage detecting operation amplifier 11 for controlling the output impedance. Thus, the output voltage abnormality due to the leakage currents of the Pch-MOS transistor 5 can be detected, and the output voltage abnormality can be compensated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等に用い
る定電圧回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a constant voltage circuit device used for mobile phones and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の定電圧回路装置の一例を図3に示
す。この回路装置は、電源端子1と出力端子6との間に
Pチャネル型MOSトランジスタ(以降Pch−MOS
と略記する)5が接続され、このPch−MOS5の出
力インピーダンスを制御するオペレーションアンプ(以
降オペアンプと略記する)3が設けられている。このオ
ペアンプ3は非反転入力端子に基準電圧7が接続されて
おり、反転入力端子には出力端子6から接地端子15に
対して接続された抵抗8,9により負帰還接続されてい
る。オペアンプ3とPch−MOS5はスイッチ端子4
によりオン/オフの制御がなされ、回路オン時は、接地
端子15に対して出力端子6には((基準電圧7÷抵抗
9)×(抵抗8+抵抗9))なる電圧(=第1の出力電
圧とする)が出力される。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an example of a conventional constant voltage circuit device. This circuit device includes a P-channel MOS transistor (hereinafter, Pch-MOS) between a power supply terminal 1 and an output terminal 6.
5 is connected, and an operation amplifier (hereinafter abbreviated as operational amplifier) 3 for controlling the output impedance of the Pch-MOS 5 is provided. A reference voltage 7 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3, and a negative feedback connection is made to the inverting input terminal by resistors 8 and 9 connected from the output terminal 6 to the ground terminal 15. The operational amplifier 3 and the Pch-MOS 5 are switch terminals 4
The ON / OFF control is performed by the circuit, and when the circuit is ON, a voltage (= reference voltage 7 / resistor 9) × (resistor 8 + resistor 9)) is applied to the output terminal 6 with respect to the ground terminal 15 (= first output Voltage) is output.

【0003】この従来の定電圧回路装置において、スイ
ッチ端子4がHレベル(電源端子1の電圧)である時、
Pch−MOS2はオン状態、オペアンプ3もオン状態
であるので、定電圧回路装置はオン状態となる。この定
電圧回路装置のオン状態において、Pch−MOS5に
漏れ電流が発生した場合、出力端子6は第1の出力電圧
を維持できず、電源端子1の電圧から第1の出力電圧ま
での間の電圧をとり得る。
In this conventional constant voltage circuit device, when the switch terminal 4 is at H level (voltage of the power supply terminal 1),
Since the Pch-MOS 2 is on and the operational amplifier 3 is also on, the constant voltage circuit device is on. When a leakage current is generated in the Pch-MOS 5 in the ON state of the constant voltage circuit device, the output terminal 6 cannot maintain the first output voltage, and the voltage between the voltage of the power supply terminal 1 and the first output voltage is reduced. Can take voltage.

【0004】また、スイッチ端子4がLレベル(接地端
子15の電圧)である時には、Pch−MOS2はオフ
状態、オペアンプ3もオフ状態であるので、定電圧回路
装置はオフ状態となる。この定電圧回路装置のオフ状態
において、Pch−MOS5に漏れ電流が発生した場
合、出力端子6は抵抗8,9のプルダウンによる接地端
子15の電圧レベルを維持できず、電源端子1の電圧か
ら接地端子15の電圧までの間の電圧をとり得る。
When the switch terminal 4 is at L level (voltage of the ground terminal 15), the Pch-MOS 2 is off and the operational amplifier 3 is off, so that the constant voltage circuit device is off. When a leakage current is generated in the Pch-MOS 5 in the OFF state of the constant voltage circuit device, the output terminal 6 cannot maintain the voltage level of the ground terminal 15 due to pull-down of the resistors 8 and 9, and the voltage of the power supply terminal 1 is grounded. Voltages up to the voltage of terminal 15 can be taken.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】一般に、定電圧回路装
置は、他回路装置への電源または他集積回路装置への電
源となることが多い。図4に、MOSトランジスタの漏
れ電流とMOSトランジスタのゲート長Lに関する参考
データを示す。MOSトランジスタのゲート長Lが1μ
m以下になると漏れ電流が急激に多くなることが分か
る。図5にこのプロセスの基準となるゲート幅W,ゲー
ト長Lを備えたMOSトランジスタの漏れ電流の大きさ
と温度依存性に関する参考データを示す。常温ではpA
〜fAオーダーの漏れ電流は周囲温度が約150℃にな
るとnA〜μAオーダーまで増加することが分かる。
Generally, a constant voltage circuit device is often used as a power source for other circuit devices or a power source for other integrated circuit devices. FIG. 4 shows reference data regarding the leakage current of the MOS transistor and the gate length L of the MOS transistor. MOS transistor gate length L is 1μ
It can be seen that the leakage current sharply increases when m or less. FIG. 5 shows reference data regarding the magnitude and temperature dependence of the leakage current of a MOS transistor having a gate width W and a gate length L which are the basis of this process. PA at room temperature
It can be seen that the leakage current on the order of -fA increases up to the order of nA-μA when the ambient temperature reaches about 150 ° C.

【0006】定電圧回路装置は、出力負荷電流を大きく
取るため、または出力MOSトランジスタのオン時の抵
抗値を下げるために、出力MOSトランジスタのゲート
幅Wを最小MOSトランジスタサイズに比べて非常に大
きいものとすることが多い。ゲート幅Wが10000μ
mのMOSトランジスタを使用すると最小MOSトラン
ジスタの約数百倍のゲート幅Wを持つので漏れ電流も約
数百倍(周囲温度150℃にて約数十μA〜数百μA)
となる。
In the constant voltage circuit device, the gate width W of the output MOS transistor is much larger than the minimum MOS transistor size in order to take a large output load current or to reduce the resistance value of the output MOS transistor when it is turned on. Often things. Gate width W is 10000μ
When a MOS transistor of m is used, the gate width W is about several hundred times that of the smallest MOS transistor, so the leakage current is also about several hundred times (about several tens of μA to several hundreds of μA at an ambient temperature of 150 ° C)
Becomes

【0007】携帯電話に用いられる定電圧回路装置で
は、携帯電話機の待ち受け時間や通話時間延長の目的で
回路全体の消費電流を数μAで設計することが多く、バ
イアス電流も数nA〜数μAに設定されることが多い。
このような低消費電流型の定電圧回路装置において、出
力MOSトランジスタに数十μA〜数百μAオーダーの
漏れ電流が生じると、出力端子には設計値とは異なった
異常電圧が生じる。この異常電圧の発生は、他回路装置
や他集積回路装置に過電圧、または電源電圧として動作
できない異常電圧を与えて破壊や異常動作を引き起こす
可能性がある。また定電圧回路装置のオフ設定時におい
ても、出力MOSトランジスタに漏れ電流が発生する
と、出力端子にはオン状態と同等またはその他の異常電
圧が供給されることとなり、定電圧回路装置としての役
割を果たせない。
In a constant voltage circuit device used in a mobile phone, the current consumption of the entire circuit is often designed to be several μA for the purpose of extending the standby time and the talk time of the mobile phone, and the bias current is also set to several nA to several μA. Often set.
In such a low current consumption type constant voltage circuit device, when a leakage current of the order of tens of μA to hundreds of μA occurs in the output MOS transistor, an abnormal voltage different from the designed value is generated in the output terminal. Occurrence of this abnormal voltage may give an overvoltage or an abnormal voltage that cannot operate as a power supply voltage to other circuit devices or other integrated circuit devices to cause destruction or abnormal operation. Further, even when the constant voltage circuit device is set to off, if a leakage current occurs in the output MOS transistor, an abnormal voltage equivalent to that in the on state or other abnormal voltage is supplied to the output terminal, which serves as a constant voltage circuit device. I can't do it.

【0008】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、トランジスタに漏れ電流が発生した際にも安定
な出力電圧供給と安全なオフ状態を得ることができる定
電圧回路装置を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a constant voltage circuit device capable of obtaining a stable output voltage supply and a safe OFF state even when a leakage current occurs in a transistor. The purpose is to

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、電源端子と出力端子との間に接続された
トランジスタ(MOS、BIP)と、前記トランジスタ
の出力インピーダンスを制御する出力電圧制御回路と、
前記出力端子と接地端子との間に接続され出力電圧値を
設定する抵抗とを備えた定電圧回路装置において、前記
トランジスタに対し直列接続された出力電圧異常防止ト
ランジスタ(MOS、BIP)と、前記出力電圧異常防
止トランジスタの出力インピーダンスを制御する制御回
路とを設けたことを特徴とする。
In order to achieve this object, the present invention provides a transistor (MOS, BIP) connected between a power supply terminal and an output terminal, and an output for controlling the output impedance of the transistor. A voltage control circuit,
In a constant voltage circuit device comprising a resistor connected between the output terminal and a ground terminal for setting an output voltage value, an output voltage abnormality prevention transistor (MOS, BIP) serially connected to the transistor, and A control circuit for controlling the output impedance of the output voltage abnormality prevention transistor is provided.

【0010】これにより、電源端子と出力端子との間に
接続されたトランジスタの漏れ電流による出力電圧異常
を検出し、出力電圧異常を補償する。
Thus, the output voltage abnormality due to the leakage current of the transistor connected between the power supply terminal and the output terminal is detected, and the output voltage abnormality is compensated.

【0011】また、電源端子と出力端子との間に接続さ
れたトランジスタ(MOS、BIP)と、前記トランジ
スタの出力インピーダンスを制御する出力電圧制御回路
と、前記出力端子と接地端子との間に接続され出力電圧
値を設定する抵抗とを備えた定電圧回路装置において、
前記トランジスタに対し直列接続され、定電圧回路装置
のオフ時に動作する出力電圧異常防止トランジスタ(M
OS、BIP)を設けたことを特徴とする。その出力電
圧異常防止トランジスタはダイオード接続されている。
A transistor (MOS, BIP) connected between the power supply terminal and the output terminal, an output voltage control circuit for controlling the output impedance of the transistor, and a connection between the output terminal and the ground terminal. In a constant voltage circuit device having a resistor for setting an output voltage value,
An output voltage abnormality prevention transistor (M which is connected in series with the transistor and operates when the constant voltage circuit device is turned off)
OS, BIP) is provided. The output voltage abnormality prevention transistor is diode-connected.

【0012】出力電圧異常防止トランジスタにより出力
端子と接地端子を短絡することで、前記電源端子と出力
端子との間に接続されたトランジスタの漏れ電流による
出力電圧異常を補償する。
By shorting the output terminal and the ground terminal with the output voltage abnormality prevention transistor, the output voltage abnormality due to the leakage current of the transistor connected between the power supply terminal and the output terminal is compensated.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1におけるMOSトランジスタの漏れ電流による出
力電圧異常を補償する定電圧回路装置を示したものであ
る。なお、図1において、図3に示す構成部分と同じ構
成部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a constant voltage circuit device for compensating an output voltage abnormality due to a leakage current of a MOS transistor according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same components as those shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0015】図1において、電源端子1と出力端子6と
の間にPch−MOS5が接続されており、このPch
−MOS5の出力インピーダンスを制御するオペアンプ
3を備えている。そのオペアンプ3の非反転入力端子に
は基準電圧7が接続され、反転入力端子には出力端子6
と接地端子15との間に接続された抵抗8,9,10に
より負帰還接続されている。
In FIG. 1, a Pch-MOS 5 is connected between the power supply terminal 1 and the output terminal 6, and this Pch-MOS 5 is connected.
An operational amplifier 3 for controlling the output impedance of the MOS 5 is provided. The reference voltage 7 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3, and the output terminal 6 is connected to the inverting input terminal.
Negative feedback connection is made by resistors 8, 9 and 10 connected between the ground terminal 15 and the ground terminal 15.

【0016】その定電圧回路装置は、スイッチ端子4の
信号によりオン/オフの制御が行われ、回路オン時は、
接地端子15の電圧に対して出力端子6には((基準電
圧7÷(抵抗9+抵抗10))×(抵抗8+抵抗9+抵
抗10))なる電圧(=第2の出力電圧とする)が出力
される。
The constant voltage circuit device is on / off controlled by a signal from the switch terminal 4, and when the circuit is on,
A voltage (= second output voltage) is output to the output terminal 6 with respect to the voltage of the ground terminal 15 ((reference voltage 7 / (resistor 9 + resistor 10)) × (resistor 8 + resistor 9 + resistor 10)). To be done.

【0017】本発明の構成では、従来の定電圧回路装置
の出力Pch−MOS5に対して直列接続された出力電
圧異常防止Nチャネル型MOSトランジスタ(以降Nc
h−MOSと略記する)12が設けられ、その出力イン
ピーダンスを制御する出力電圧検出オペアンプ11を備
えている。前記出力電圧検出オペアンプ11の非反転入
力端子には基準電圧7が接続され、反転入力端子には接
地端子15に対して接続された抵抗9により負帰還接続
される出力電圧検出回路装置を備えている。また、Pc
h−MOS5に対して直列接続され、スイッチ端子4に
よりオン/オフ制御される出力電圧異常防止Nch−M
OS14も備えている。
In the configuration of the present invention, an output voltage abnormality preventing N-channel type MOS transistor (hereinafter Nc) connected in series with the output Pch-MOS 5 of the conventional constant voltage circuit device.
An abbreviated h-MOS) 12 is provided, and an output voltage detection operational amplifier 11 that controls the output impedance thereof is provided. A reference voltage 7 is connected to the non-inverting input terminal of the output voltage detecting operational amplifier 11, and an output voltage detecting circuit device is connected to the inverting input terminal by negative feedback connection with a resistor 9 connected to the ground terminal 15. There is. Also, Pc
Output voltage abnormality prevention Nch-M connected in series to the h-MOS 5 and controlled on / off by the switch terminal 4
It also has an OS 14.

【0018】このように構成された本実施の形態1にお
いて、スイッチ端子4による回路装置オン時には、出力
Pch−MOS5に漏れ電流が発生すると、出力端子6
は第2の出力電圧を維持できずに電源端子1の電圧に近
づくように、すなわち出力電圧の上昇を引き起こす。出
力電圧が上昇し、抵抗9の出力端子6側の電圧が基準電
圧7と同等の電圧になると、出力電圧検出オペアンプ1
1が出力電圧上昇を検出し、出力電圧異常防止Nch−
MOS12をオンにして、出力Pch−MOS5の漏れ
電流を相殺し、出力端子6の電圧上昇を抑制する。
In the first embodiment thus constructed, when a leakage current occurs in the output Pch-MOS 5 when the circuit device is turned on by the switch terminal 4, the output terminal 6
Cannot maintain the second output voltage and approaches the voltage of the power supply terminal 1, that is, causes the output voltage to rise. When the output voltage rises and the voltage on the output terminal 6 side of the resistor 9 becomes equal to the reference voltage 7, the output voltage detection operational amplifier 1
1 detects output voltage rise and prevents output voltage abnormality Nch-
The MOS 12 is turned on to cancel the leakage current of the output Pch-MOS 5 and suppress the voltage rise of the output terminal 6.

【0019】本発明の定電圧回路装置のオン時に、出力
Pch−MOS5の漏れ電流により出力端子6の電圧が
上昇し、出力電圧検出回路装置が動作している時に、出
力端子6には接地端子15に対して((基準電圧7÷抵
抗9)×(抵抗8+抵抗9+抵抗10))なる電圧(=
第3の出力電圧とする)が出力される。第2の出力電圧
と第3の出力電圧との差電圧は抵抗10により設定さ
れ、第3の出力電圧−第2の出力電圧=(((基準電圧
7÷(抵抗9+抵抗10))×抵抗10)である。ある
温度において、出力Pch−MOS5に漏れ電流が発生
し、出力電圧の上昇が起きても、出力端子6は第3の出
力電圧以上に上昇しないように出力電圧検出回路装置が
制御する。
When the constant voltage circuit device of the present invention is turned on, the voltage of the output terminal 6 rises due to the leakage current of the output Pch-MOS 5, and when the output voltage detection circuit device is operating, the output terminal 6 is connected to the ground terminal. A voltage (= (reference voltage 7 / resistance 9) × (resistance 8 + resistance 9 + resistance 10)) for 15 (=
The third output voltage) is output. The difference voltage between the second output voltage and the third output voltage is set by the resistor 10, and the third output voltage−the second output voltage = (((reference voltage 7 ÷ (resistor 9 + resistor 10)) × resistor Even if a leakage current occurs in the output Pch-MOS 5 and the output voltage rises at a certain temperature, the output voltage detection circuit device is configured so that the output terminal 6 does not rise above the third output voltage. Control.

【0020】また、スイッチ端子4による回路装置オフ
時に、出力Pch−MOS5に漏れ電流が発生すると、
出力端子6は抵抗8,9,10による接地端子15の電
圧を維持できずに電源端子1の電圧に近づくように、す
なわち出力電圧の上昇を引き起こす。この出力電圧の上
昇を防止するために、回路装置のオフ設定時には出力端
子6と接地端子15を出力電圧異常防止Nch−MOS
14により短絡することで出力Pch−MOS5の漏れ
電流を相殺し、出力端子6の電圧上昇を抑制する。
If a leakage current is generated in the output Pch-MOS 5 when the circuit device by the switch terminal 4 is turned off,
The output terminal 6 cannot maintain the voltage of the ground terminal 15 due to the resistors 8, 9, 10 and approaches the voltage of the power supply terminal 1, that is, causes the output voltage to rise. In order to prevent the output voltage from rising, the output terminal 6 and the ground terminal 15 are connected to the output voltage abnormality prevention Nch-MOS when the circuit device is set to OFF.
The short circuit by 14 cancels the leakage current of the output Pch-MOS 5 and suppresses the voltage rise of the output terminal 6.

【0021】図1の本実施の形態1の構成において、抵
抗16,17は定電圧回路装置と出力電圧検出回路装置
が同時に動作した際に、電源端子1から接地端子15に
対して貫通電流が必要以上に流れないように制限するた
めの制限抵抗であり省略することもできる。
In the configuration of the first embodiment of FIG. 1, the resistors 16 and 17 generate a through current from the power supply terminal 1 to the ground terminal 15 when the constant voltage circuit device and the output voltage detection circuit device operate simultaneously. It is a limiting resistor for limiting the flow so that it does not flow more than necessary, and can be omitted.

【0022】(実施の形態2)図2は、本発明の実施の
形態2における定電圧回路装置を示したものである。電
源端子1と出力端子6との間に接続されたPch−MO
S5の出力インピーダンスを制御するオペレーションア
ンプ3を備え、このオペレーションアンプ3の非反転入
力端子には基準電圧7が接続され、反転入力端子には出
力端子6と接地端子15との間に接続される抵抗により
負帰還接続されている。さらに、出力Pch−MOS5
に対して出力電圧異常防止Nch−MOS18が直列接
続され、これにより出力電圧の上昇を抑制する。出力電
圧異常防止Nch−MOS18はドレイン端子が出力端
子6に接続され、ゲート端子とソース端子,バルク端子
が接地端子15に接続されている。
(Second Embodiment) FIG. 2 shows a constant voltage circuit device according to a second embodiment of the present invention. Pch-MO connected between the power supply terminal 1 and the output terminal 6
The operational amplifier 3 for controlling the output impedance of S5 is provided, the reference voltage 7 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3, and the inverting input terminal is connected between the output terminal 6 and the ground terminal 15. Negative feedback connection by resistance. Furthermore, output Pch-MOS5
An output voltage abnormality prevention Nch-MOS 18 is connected in series with respect to the above, thereby suppressing an increase in the output voltage. The output voltage abnormality prevention Nch-MOS 18 has a drain terminal connected to the output terminal 6, a gate terminal and a source terminal, and a bulk terminal connected to the ground terminal 15.

【0023】この出力電圧異常防止Nch−MOS18
は、通常の定電圧回路動作時には動作しない。出力電圧
異常防止Nch−MOS18のトランジスタサイズを、
定電圧回路装置の出力Pch−MOS5のトランジスタ
と同等のトランジスタサイズに設定することで、あらゆ
る温度に対してそれぞれ同等の漏れ電流が生じ、発生し
た漏れ電流は電源端子1から接地端子15に対して流れ
るため、出力端子6の電圧上昇を抑制することができ
る。
This output voltage abnormality prevention Nch-MOS 18
Does not operate during normal operation of the constant voltage circuit. Output voltage abnormality prevention Nch-MOS18 transistor size,
By setting the transistor size to be the same as the transistor of the output Pch-MOS 5 of the constant voltage circuit device, the same leakage current occurs at all temperatures, and the generated leakage current flows from the power supply terminal 1 to the ground terminal 15. Since the current flows, the voltage increase at the output terminal 6 can be suppressed.

【0024】なお、電源端子1と出力端子6との間に接
続される出力Pch−MOS5をNch−MOSまたは
NPNトランジスタ若しくはPNPトランジスタ等のバ
イポーラトランジスタとしても、同様の効果が得られ
る。また接地端子15と出力端子6との間に接続される
トランジスタも、Pch−MOSまたはNch−MOS
あるいはNPNトランジスタまたはPNPトランジスタ
としても同様の効果を得ることができる。
Similar effects can be obtained even if the output Pch-MOS 5 connected between the power supply terminal 1 and the output terminal 6 is an Nch-MOS or a bipolar transistor such as an NPN transistor or a PNP transistor. The transistor connected between the ground terminal 15 and the output terminal 6 is also a Pch-MOS or Nch-MOS.
Alternatively, the same effect can be obtained by using an NPN transistor or a PNP transistor.

【0025】本発明に係る定電圧回路装置の構成におい
て、出力電圧異常防止Nch−MOS12、14をPc
h−MOSまたはNPNトランジスタ,PNPトランジ
スタを用いて構成しても同様の効果を得ることができ
る。なお出力電圧異常防止トランジスタは定電圧回路装
置の出力トランジスタの漏れ電流と同等の漏れ電流が期
待できるもので構成することが必要である。
In the configuration of the constant voltage circuit device according to the present invention, the output voltage abnormality prevention Nch-MOSs 12 and 14 are set to Pc.
The same effect can be obtained by using an h-MOS, NPN transistor, or PNP transistor. It should be noted that the output voltage abnormality prevention transistor is required to have a leakage current equivalent to the leakage current of the output transistor of the constant voltage circuit device.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
定電圧回路装置において出力トランジスタに漏れ電流が
生じた際の出力電圧異常を防止することができる。
As described above, according to the present invention,
In the constant voltage circuit device, it is possible to prevent output voltage abnormality when a leakage current occurs in the output transistor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態1におけるMOSトランジ
スタの漏れ電流による出力電圧の上昇を抑制する定電圧
回路装置の回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of a constant voltage circuit device that suppresses an increase in output voltage due to a leakage current of a MOS transistor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2におけるMOSトランジ
スタの漏れ電流による出力電圧の上昇を抑制する定電圧
回路装置の回路図
FIG. 2 is a circuit diagram of a constant voltage circuit device that suppresses an increase in output voltage due to a leakage current of a MOS transistor according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来のMOSトランジスタ出力による定電圧回
路装置の回路図
FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional constant voltage circuit device using MOS transistor output.

【図4】MOSトランジスタのゲート長と漏れ電流との
関係を示す図
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a gate length of a MOS transistor and a leakage current.

【図5】ゲート幅W,ゲート長Lを有するMOSトラン
ジスタの温度変化に対する漏れ電流の大きさを示す図
FIG. 5 is a diagram showing the magnitude of leakage current with respect to temperature change of a MOS transistor having a gate width W and a gate length L.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源端子 2 Pチャネル型MOSトランジスタ(Pch−MO
S) 3 オペレーションアンプ 4 スイッチ端子 5 Pチャネル型MOSトランジスタ(Pch−MO
S) 6 出力端子 7 基準電圧 8 抵抗 9 抵抗 10 抵抗 11 出力電圧検出オペレーションアンプ 12 Nチャネル型MOSトランジスタ(Nch−MO
S) 13 インバータ 14 Nチャネル型MOSトランジスタ(Nch−MO
S) 15 接地端子 16 制限抵抗 17 制限抵抗 18 Nチャネル型MOSトランジスタ(Nch−MO
S)
1 Power supply terminal 2 P-channel type MOS transistor (Pch-MO
S) 3 Operation amplifier 4 Switch terminal 5 P channel type MOS transistor (Pch-MO
S) 6 output terminal 7 reference voltage 8 resistance 9 resistance 10 resistance 11 output voltage detection operational amplifier 12 N channel type MOS transistor (Nch-MO)
S) 13 Inverter 14 N-channel type MOS transistor (Nch-MO
S) 15 Ground terminal 16 Limiting resistor 17 Limiting resistor 18 N-channel MOS transistor (Nch-MO
S)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5H430 BB03 BB09 BB11 BB20 EE06 FF02 FF13 HH03 JJ07 LA02 LA12 LB06    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5H430 BB03 BB09 BB11 BB20 EE06                       FF02 FF13 HH03 JJ07 LA02                       LA12 LB06

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源端子と出力端子との間に接続された
トランジスタと、前記トランジスタの出力インピーダン
スを制御する出力電圧制御回路と、前記出力端子と接地
端子との間に接続され出力電圧値を設定する抵抗とを備
えた定電圧回路装置において、前記トランジスタに対し
直列接続された出力電圧異常防止トランジスタと、前記
出力電圧異常防止トランジスタの出力インピーダンスを
制御する制御回路とを設けたことを特徴とする定電圧回
路装置。
1. A transistor connected between a power supply terminal and an output terminal, an output voltage control circuit for controlling the output impedance of the transistor, and an output voltage value connected between the output terminal and a ground terminal. In a constant voltage circuit device having a resistance to be set, an output voltage abnormality prevention transistor serially connected to the transistor, and a control circuit for controlling the output impedance of the output voltage abnormality prevention transistor are provided. Constant voltage circuit device.
【請求項2】 電源端子と出力端子との間に接続された
トランジスタと、前記トランジスタの出力インピーダン
スを制御する出力電圧制御回路と、前記出力端子と接地
端子との間に接続され出力電圧値を設定する抵抗とを備
えた定電圧回路装置において、前記トランジスタに対し
直列接続され、当該定電圧回路装置のオフ時に動作する
出力電圧異常防止トランジスタを設けたことを特徴とす
る定電圧回路装置。
2. A transistor connected between a power supply terminal and an output terminal, an output voltage control circuit for controlling an output impedance of the transistor, and an output voltage value connected between the output terminal and a ground terminal. A constant voltage circuit device comprising a resistor to be set, wherein a constant voltage circuit device is provided which is connected in series to the transistor and which is provided with an output voltage abnormality prevention transistor which operates when the constant voltage circuit device is off.
【請求項3】 出力電圧異常防止トランジスタはダイオ
ード接続されていることを特徴とする請求項2記載の定
電圧回路装置。
3. The constant voltage circuit device according to claim 2, wherein the output voltage abnormality prevention transistor is diode-connected.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006293802A (en) * 2005-04-13 2006-10-26 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2007115083A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Denso Corp Power supply circuit
JP2007249644A (en) * 2006-03-16 2007-09-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Series regulator circuit
JP2007317203A (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Applied voltage conversion apparatus
JP2010211788A (en) * 2009-02-10 2010-09-24 Seiko Instruments Inc Voltage regulator
CN102681579A (en) * 2011-03-10 2012-09-19 株式会社东芝 Voltage regulator
KR101223422B1 (en) 2003-04-14 2013-01-17 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 Method of forming a low quiescent current voltage regulator and structure therefor
KR20150043973A (en) * 2013-10-15 2015-04-23 세이코 인스트루 가부시키가이샤 Voltage regulator
CN111435152A (en) * 2019-01-14 2020-07-21 南京苏梦电子科技有限公司 Battery voltage detection circuit and battery voltage detection module of battery pack

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101223422B1 (en) 2003-04-14 2013-01-17 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 Method of forming a low quiescent current voltage regulator and structure therefor
JP2006293802A (en) * 2005-04-13 2006-10-26 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP4711287B2 (en) * 2005-04-13 2011-06-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor integrated circuit device
JP2007115083A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Denso Corp Power supply circuit
JP4626480B2 (en) * 2005-10-21 2011-02-09 株式会社デンソー Power circuit
JP2007249644A (en) * 2006-03-16 2007-09-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Series regulator circuit
JP2007317203A (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Applied voltage conversion apparatus
JP4562750B2 (en) * 2006-05-26 2010-10-13 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Supply voltage converter
US7939883B2 (en) 2006-05-26 2011-05-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Voltage regulating apparatus having a reduced current consumption and settling time
JP2010211788A (en) * 2009-02-10 2010-09-24 Seiko Instruments Inc Voltage regulator
KR101401131B1 (en) 2009-02-10 2014-05-29 세이코 인스트루 가부시키가이샤 Voltage regulator
JP2012190216A (en) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp Constant-voltage power supply circuit
CN102681579A (en) * 2011-03-10 2012-09-19 株式会社东芝 Voltage regulator
US8754628B2 (en) 2011-03-10 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage regulator for high speed switching of voltages
KR20150043973A (en) * 2013-10-15 2015-04-23 세이코 인스트루 가부시키가이샤 Voltage regulator
KR102229236B1 (en) * 2013-10-15 2021-03-17 에이블릭 가부시키가이샤 Voltage regulator
CN111435152A (en) * 2019-01-14 2020-07-21 南京苏梦电子科技有限公司 Battery voltage detection circuit and battery voltage detection module of battery pack
CN111435152B (en) * 2019-01-14 2022-06-21 无锡有容微电子有限公司 Battery voltage detection circuit and battery voltage detection module of battery pack

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