JP2003022981A - 高融点金属シリサイド化相転移温度点を用いてｒｔｐ低温操作を制御及び／又は較正する方法 - Google Patents

高融点金属シリサイド化相転移温度点を用いてｒｔｐ低温操作を制御及び／又は較正する方法

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JP2003022981A
JP2003022981A JP2002154079A JP2002154079A JP2003022981A JP 2003022981 A JP2003022981 A JP 2003022981A JP 2002154079 A JP2002154079 A JP 2002154079A JP 2002154079 A JP2002154079 A JP 2002154079A JP 2003022981 A JP2003022981 A JP 2003022981A
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refractory metal
rapid thermal
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thermal processing
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JP2002154079A
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English (en)
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Zhong-Yun Zhu
チョン・ユン・チュー
Rajneesh Jaiswal
ラジニーシ・ジャイスワル
Karim Haznita Abd
ハズニタ・アブド・カリム
Bei Chao Zhang
ベイ・チャオ・チャン
Johnny Cham
ジョニー・チャム
Ravi Sankar Yelamanchi
ラヴィ・サンカー・エレマンチ
Chee Kong Leong
チー・コン・レオン
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Nokia of America Corp
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Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd
Lucent Technologies Inc
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/002—Calibrated temperature sources, temperature standards therefor

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の製造プロセスにおいてＲＴＰ
（急速熱処理）低温操作を正確に温度制御する方法を提
供する。 【解決手段】 高融点金属層を上に有するシリコン半導
体基板を含む１又はそれ以上のウエハがＲＴＰシステム
において別々の温度でシリサイド化される。前記ウエハ
のシート抵抗の均一性が測定され、これによりシリサイ
ド化相転移温度点が最高の均一性点において検出され
る。前記温度点はＲＴＰシステムを較正し又はリセット
するために使用される。前記ウエハのそれぞれのシート
抵抗の均一性が測定され、これによりシリサイド化相転
移温度点がＲＴＰシステムのそれぞれの最高のシート抵
抗の均一性において検出される。前記温度点がＲＴＰシ
ステムのそれぞれの温度を整合するために使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路装置の製
造に関し、特に、ＲＴＰ低温操作を正確に温度制御する
方法及び集積回路装置の製造を監視する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】急速熱処理（ＲＴＰ）は集積回路の製造
の多くの熱処理工程において実施されている。ＲＴＰプ
ロセスにおいて再現性のある結果を得るためには時間と
温度の正確な制御が必要である。急速熱アニーリング
（ＲＴＡ）システムを制御し、そして約２００〜８００
℃の低温度領域でシステム間の温度を整合させることは
特に困難である。通常、高温計センサーがＲＴＰ温度制
御のために使用される。このセンサーはウエハから放射
される光学信号により実際のウエハ温度を検出する。こ
の光学信号は高温放射に比べてかなり小さい。
【０００３】ウエハから放射される信号はＩαεＴ4で
表され、ここで、Ｔはウエハ温度である。温度が低い時
には、ウエハから放射される信号は小さくなる。熱電対
が温度を検出するために使用される場合、低い温度が熱
電対からの低い電圧信号を生じる。
【０００４】ウエハの製造時又は製造を通じて、同じ又
は異なるハードウエアシステムが同じプロセスに対して
同じ処方の温度設定を有するＲＴＰのために使用され
る。電流較正システムに関して、同じ処方の温度設定の
絶対温度はそれぞれのハードウエアシステムに関して異
なる傾向がある。この差異はシステムを整合させるため
にできるだけ小さいことが必要である。
【０００５】抵抗に対する温度を示す温度感度曲線がシ
ステムのセットアップのために使用された。しかしなが
ら、ウエハの状態及び基板の組成がＲＴＰプロセスの出
力シート抵抗に大きな影響を有する。これらの要素は温
度感度曲線に含まれない。システム間のより正確な温度
制御と温度整合の方法を発見することが望まれる。
【０００６】Hanの米国特許６，１３２，０８１はチタ
ンシリサイド（ケイ化チタン）を生成するためのＲＴＰ
の温度を測定する方法を開示する。このＲＴＰ温度は、
この温度の後でシート抵抗及び／又は非均一性が一定に
なる温度、即ち、温度に敏感にならない温度に設定され
る。またこの方法は光学センサーを較正するために使用
される。この方法は高温側への温度のドリフトを捕捉で
きず、また日々のシステムの調和に使用できない。Lin
等の米国特許６，１３６，６１３は比較のウエハを再循
環し、監視する方法であって、アニーリングを含む方法
及びシート抵抗を測定する方法を教える。Lambert等の
米国特許５，３３１，６７６は温度プローブを用いて炉
温度を較正する方法を示す。Moslehi等の米国特許５，
３２６，１７０は較正温度点として特定元素の融点を有
する較正ウエハを示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的は
急速熱処理（ＲＴＰ）システムにおける温度制御を効果
的に極めて容易に実施できる方法を提供することであ
る。
【０００８】本発明の別の目的はＲＴＰ低温操作を制御
する方法を提供することである。本発明の更に別の目的
はＲＴＰ低温操作を較正する方法を提供することであ
る。
【０００９】本発明の他の目的はシート抵抗の均一性の
最大値及び均一性の変化を観察することによりＲＴＰ低
温操作を制御及び／又は較正する方法を提供することで
ある。
【００１０】本発明の更に他の目的はシート抵抗の均一
性の最大値及び均一性の変化を観察することにより温度
変化を検出して、ＲＴＰシステム間の温度を整合する方
法を提供することである。
【００１１】本発明の更に他の目的はシート抵抗の均一
性の最大値及び均一性の変化を観察することにより温度
変化を検出して、ＲＴＰ低温操作を制御及び／又は較正
する方法を提供することである。
【００１２】本発明の更に別の目的は熱処理システムの
温度を監視する方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的に従っ
て、ＲＴＰ低温操作を較正する新規な方法が達成され
る。高融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を含
むウエハはＲＴＰシステムにおいてシリサイド化（ケイ
素化）される。ウエハの最高のシート抵抗の均一性が測
定され、これによりシリサイド化相転移温度点が検出さ
れる。ある温度から他の温度に変化する最高のシート抵
抗の均一性はプロセスの変化を示す。温度の変化は前記
ＲＴＰシステムをリセット及び／又は制御するために使
用される。
【００１４】前記本発明の目的に従って、ＲＴＰ低温操
作を制御する新規な方法が達成される。高融点金属層を
上に有するシリコン半導体基板を含むウエハはＲＴＰシ
ステムにおいてシリサイド化される。ウエハの最高のシ
ート抵抗の均一性が測定され、これによりシリサイド化
相転移の第１温度点が検出される。その後に、異なる高
融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を含む第２
ウエハがＲＴＰシステムにおいてシリサイド化される。
第２ウエハの最高のシート抵抗の均一性が測定され、こ
れによりシリサイド化相転移の第２温度点が検出され
る。前記第１及び第２の温度点は温度較正のために使用
される。
【００１５】また、前記本発明の目的に従って、複数の
ＲＴＰシステムの温度を調和させる新規な方法が達成さ
れる。高融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を
含む複数のウエハは複数の急速熱処理システムのそれぞ
れにおいてシリサイド化される。ウエハのそれぞれの最
高のシート抵抗の均一性が測定され、これによりＲＴＰ
システムのそれぞれのシリサイド化相転移の温度点が検
出される。前記最高の均一性を有する温度点が前記ＲＴ
Ｐシステムのそれぞれの温度を調和するために使用され
る。
【００１６】更に、前記本発明の目的に従って、ＲＴＰ
システムの低温度を制御する新規な方法が達成される。
異なる種類の高融点金属層を上に有するシリコン半導体
基板を含む複数のウエハが急速熱処理システムにおいて
シリサイド化される。この温度は２００℃程度である。
ウエハのそれぞれの最高のシート抵抗の均一性が測定さ
れ、これによりそれぞれの種類のウエハのシリサイド化
相転移の温度点が検出される。これらの温度点は前記Ｒ
ＴＰシステムを制御するために使用される。
【００１７】
【発明の実施の形態】正確な温度制御は急速熱処理（Ｒ
ＴＰ）システムのために重要である。ＲＴＰシステムに
おける温度変化は多数のウエハを廃物にするであろう。
ウエハが廃物にならないようにするために温度変化を早
く検出することが重要である。本発明のプロセスは温度
をシステムの運転開始時に設定し、またシステムの使用
時に温度制御を維持するために使用できる。更に、本発
明のプロセスはシステム間の温度を整合できる。
【００１８】例えば、チタンシリサイド化の目標温度か
ら温度が５℃変化すると、細いポリシリコンシート抵抗
にものすごく影響を及ぼして、厳しい収量損失を生じ
る。約７５０℃より低い低温度のＲＴＰの適用は高融点
金属シリサイド化、低温アニーリング、及び加熱を含
む。温度制御はこれらの操作において特に重要である。
【００１９】高融点金属のシリサイド化相転移は物質の
シート抵抗の均一性における急な上昇と下降を示す。前
記高融点金属の最高の均一性はシリサイド化相転移を示
す温度点で生じるであろう。大部分の高融点金属シリサ
イド化の場合には、前記転移温度は低温領域内に位置す
る。低温度は新規な材料を得るための産業界の傾向にな
っている。シリサイド化相転移温度点はシステム整合に
対するＲＴＰ低温制御及び／又はシステムのための別々
の温度設定値を検出するために使用できる。
【００２０】前記温度設定点がそれぞれ異なる高融点金
属に対して正確に見出されると、これらの設定点はＲＴ
Ｐシステムを較正するために使用できる。本発明の較正
方法は従来技術の較正方法よりも良好な結果が得られ
る。熱電対の成果に基づく従来のシステムは熱電対の誤
差又はウエハ較正条件の差異により誤りを生じる傾向が
ある。
【００２１】前記温度設定点はＲＴＰシステムの温度を
制御するために使用される。最高のシート抵抗の均一性
は種々の高融点金属において異なる。この最高のシート
抵抗の均一性が監視される。この最高のシート抵抗の均
一性が前記温度設定点よりも高いか又は低い温度で生じ
る場合には、これは温度のドリフトを示す。システムを
運転停止して、システムのスクラップを防止し、そして
システムを再較正するために、補正手段が採用されても
よい。
【００２２】シート抵抗測定に基づく従来の温度制御は
導入ウエハの変動により無感応である。シート抵抗の変
化は導入ウエハの変動に基づく傾向がある。異なるウエ
ハは異なる表面状態、異なる厚さ、及び異なる抵抗率を
有する。これらの要素並びに管温度はシート抵抗に影響
するが、シート抵抗の均一性に影響しない。シート抵抗
の均一性の変化は相転移温度によってのみ影響される。
従って、シート抵抗の均一性に基づく本発明のプロセス
は従来技術のプロセスよりも更に正確である。
【００２３】本発明のプロセスはシステム間の温度の整
合にも使用できる。同じタイプのウエハを異なるシステ
ムの同じプロセスに通して、シート抵抗の均一性を測定
することにより、温度差が検出される。この差又はオフ
セットが判明すると、前記システムは互いに同じプロセ
スに整合するために調整される。
【００２４】本発明の方法はシート抵抗の均一性の観察
結果を利用して温度変化を検出する。シート抵抗の均一
性は高融点金属のシリサイド化相転移のために温度に極
めて敏感である。
【００２５】高融点金属の異なる厚さを使用し及び／又
はキャッピング層(capping layers)を使用し、そして前
記温度点を検出することにより、最も敏感な温度を１又
はそれ以上のシリサイド化案から選択できる。このよう
にフイルムの厚さを変化させ、又はキャッピング層を使
用することにより、多くの転移温度点を確認できる。多
くの温度点はより正確なＲＴＰシステムを与えることが
できる。
【００２６】例えば、相転移温度を測定するために、コ
バルト、ニッケル、チタン、タングステン、モリブデ
ン、タンタル、又は白金等の高融点金属の層がウエハ上
に約１００オングストローム〜約１０００オングストロ
ームの厚さに堆積される。チタン、窒化チタン、又はそ
の他の物質から成るキャッピング層が前記高融点金属層
上に約１００オングストローム〜約５００オングストロ
ームの厚さに堆積できる。
【００２７】例えば、図１において、ウエハ１０が示さ
れる。高融点金属層１４が前記基板上に堆積され、また
キャッピング層１６が前記高融点金属層上に堆積され
る。ウエハを使用されるウエハの種類に応じて、急速熱
アニーリング（ＲＴＡ）を用いて約２００〜８００℃の
温度でアニールする。このアニーリングにより前記金属
層はシリコン半導体基板と反応して、図２に示すよう
に、金属シリサイド層１８を形成する。
【００２８】ＲＴＡの後に、いくつかの部位のシート抵
抗を４探針又は他の装置を用いて測定する。シート抵抗
の均一性はｕ％＝（σ／ｘ）×１００で示され、ここで
σは測定された全ての点の標準偏差であり、ｘは測定さ
れた全ての点の平均値である。
【００２９】図３はＴｉ／Ｃｏ／Ｓｉウエハの温度感度
を図示する。これらのサンプルウエハは１３０オングス
トローム厚のコバルト層と２００オングストローム厚の
キャッピングチタン層を有した。シート抵抗とシート抵
抗の均一性をＲＴＰプロセスを通じて４つの温度点で測
定した。線３１は増加温度に対する抵抗値を示す。線３
３は増加温度に対する均一性値を示す。相転移が生じる
ため、相転移温度が最高の均一性線から確認される。即
ち、この実施例において、温度３５は相転移を示す。最
高のシート抵抗の均一性（ｕ％）は処方温度設定値を示
す。
【００３０】図３の温度３５からの処方設定値の変化は
プロセスウインドーに依存して、温度変化が大きい場
合、温度移動及びシステムを運転停止する必要性を示
す。温度変化は測定されたシート抵抗の均一性を大きく
変化させ、そして容易に検出される。
【００３１】表１は３種類のウエハに対して測定された
いくつかの設定値温度を示す。 表 １ フィルムの種類 Ｎｉ/Ｓｉ Ｔｉ/Ｃｏ/Ｓｉ Ｔｉ/Ｓｉ ＲＴＰ後の 約２００℃ 約６７５℃ 約７３０℃ 最高のｕ％ 上述の温度が正確に判明すると、これらの重複点が較正
のために使用できる。
【００３２】図４は特定の種類のウエハに対する基線の
均一性の曲線４１を示す。温度１は最高の均一性点によ
り決定された温度設定値である。単一のＲＴＰシステム
を監視するために本発明のプロセスを使用する場合、前
記最高の均一性が温度２又は温度３（それぞれ曲線４２
又は４３）に変化すると、これは温度変化とシステムを
リセットする必要性を示す。ＲＴＰシステムの整合にお
いて、システム１が温度１で最高のｕ％を有し、そして
システム２が温度２又は温度３で最高のｕ％を有する場
合、システム２は調整される必要がある。
【００３３】図５は第１の種類の高融点ウエハに対する
基線の均一性の曲線５１を示す。その設定値は温度４で
ある。第２種類の高融点ウエハに対する基線均一性曲線
５２は温度５の設定値を有する。異なる種類の高融点ウ
エハは異なる相転移温度を有しているため、２又はそれ
以上の種類のウエハがＲＴＰ温度センサーを較正するた
めに使用できる。この実施例では、温度４及び温度５の
両方がＲＴＰ温度センサーを較正するために使用でき
る。この較正温度は低い場合は約２００℃であってもよ
く、また高い場合は約８００℃であってもよい。例え
ば、ＮｉＳｉｘ相転移温度は約２００℃であり、ＴｉＳ
ｉｘ相転移温度は７３０℃であり、そしてＷＳｉｘ相転
移温度はそれよりも高くてもよい。
【００３４】本発明のプロセスは最高のシート抵抗の均
一性を利用して急速熱処理の低温利用のための相転移温
度設定値を決定する。これらの温度設定値はＲＴＰシス
テムを較正し、ＲＴＰシステムを制御し、そしてＲＴＰ
システム間の温度を整合するために使用できる。
【００３５】本発明は特にその好ましい態様を参照して
記述されたが、種々の変更が本発明の精神又は範囲を逸
脱することなく実施できることは当業者にとって理解で
きるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい態様で使用されたサンプルウ
エハの概略断面図である。
【図２】本発明の好ましい態様で使用されたサンプルウ
エハの概略断面図である。
【図３】１種類のウエハの温度に対するシート抵抗及び
均一性を示すグラフである。
【図４】異なるＲＴＰシステムの温度に対するシート抵
抗及び均一性を示すグラフである。
【図５】２種類のウエハの温度に対するシート抵抗及び
均一性を示すグラフである。
フロントページの続き (71)出願人 502191505 ルーセント・テクノロジーズ・インコーポ レーテッド アメリカ合衆国ペンシルバニア州18103− 1229，アレンタウン，ユニオン・ブルヴァ ード 555 (72)発明者 チョン・ユン・チュー シンガポール国シンガポール 760303 イ シュン・セントラル，ナンバー 07−123, ビーエルケイ 303 (72)発明者 ラジニーシ・ジャイスワル アメリカ合衆国カリフォルニア州95050, サンタ・クララ，モンロー・ストリート 2250，スイート 2521 (72)発明者 ハズニタ・アブド・カリム シンガポール国シンガポール 680006，テ ック・ワイ・アベニュー，ナンバー 08− 130，ビーエルケイ ６ (72)発明者 ベイ・チャオ・チャン シンガポール国シンガポール 650703，チ ョア・チュー・カン・ストリート 53，ナ ンバー 10−60，ビーエルケイ 703 (72)発明者 ジョニー・チャム シンガポール国シンガポール 587972，ヒ ンデヘデ・ウォーク・サウスエイヴン・ワ ン 41，ナンバー 88−02 (72)発明者 ラヴィ・サンカー・エレマンチ シンガポール国シンガポール 680605，テ ック・ワイ・レイン 105，ナンバー 10 −474 (72)発明者 チー・コン・レオン シンガポール国シンガポール 118571，パ シャー・ビュー・パーク，パシャー・パン ジャン・ロード 200，ナンバー 04−01

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 急速熱処理システムを較正する方法であ
    って、 高融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を含むウ
    エハを前記急速熱処理システムにおいてシリサイド化
    し、 前記ウエハのシート抵抗の均一性を測定し、これにより
    前記シート抵抗の均一性の最高値におけるシリサイド化
    相転移温度点を検出し、そして前記温度点を用いて前記
    急速熱処理システムを較正することを含む、前記方法。
  2. 【請求項２】 前記高融点金属層はコバルト、チタン、
    ニッケル、タングステン、モリブデン、タンタル、及び
    白金を含む群から選ばれる、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記高融点金属層は約１００オングスト
    ローム〜約１０００オングストロームの厚さにスパッタ
    堆積される、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記高融点金属層の上にキャッピング層
    を堆積することを更に含む、請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記キャッピング層はチタン及び窒化チ
    タンを含む群から選ばれ、また前記キャッピング層は約
    １００オングストローム〜約５００オングストロームの
    厚さにスパッタ堆積される、請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記急速熱処理システムはシリサイド化
    及び低温アニーリングを含む群から選ばれる、請求項１
    記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記急速熱処理システムは約２００〜８
    ００℃の温度の低温プロセスである、請求項１記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 前記温度点を用いて前記急速熱処理シス
    テムを較正して、別の急速熱システムを調和させる、請
    求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 複数のウエハをシリサイド化することを
    更に含み、ここで、前記高融点金属層は複数の厚さを有
    し、そして前記複数のウエハのいくつかは前記高融点金
    属層の上にキャッピング層を更に含み、複数のシリサイ
    ド化相転移温度点が検出され、そして前記複数の温度点
    が前記急速熱処理システムを較正するために使用され
    る、請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 急速熱処理システムを設定温度点にリ
    セットする方法であって、 高融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を含む第
    １ウエハを前記急速熱処理システムにおいてシリサイド
    化し、 前記と同じ高融点金属層を上に有するシリコン半導体基
    板を含む第２ウエハを前記急速熱処理システムにおいて
    シリサイド化し、 前記第１及び第２のウエハのシート抵抗の均一性を測定
    し、これにより前記シート抵抗の均一性の最高値におけ
    るシリサイド化相転移温度点を検出し、 前記最高値の均一性温度点を前記設定温度点と比較し
    て、温度変化を検出し、そして前記温度変化を用いて前
    記急速熱処理システムをリセットすることを含む、前記
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記高融点金属層はコバルト、チタ
    ン、ニッケル、タングステン、モリブデン、タンタル、
    及び白金を含む群から選ばれる、請求項１０記載の方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記高融点金属層は約１００オングス
    トローム〜約１０００オングストロームの厚さにスパッ
    タ堆積される、請求項１０記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記高融点金属層の上にキャッピング
    層を堆積することを更に含む、請求項１０記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記キャッピング層はチタン及び窒化
    チタンを含む群から選ばれ、また前記キャッピング層は
    約１００オングストローム〜約５００オングストローム
    の厚さにスパッタ堆積される、請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記急速熱処理システムはシリサイド
    化、低温アニーリング、及び加熱を含む群から選ばれ
    る、請求項１０記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記急速熱処理システムは約２００〜
    ８００℃の温度の低温プロセスである、請求項１０記載
    の方法。
  17. 【請求項１７】 複数の第１及び第２のウエハをシリサ
    イド化することを更に含み、ここで、前記高融点金属層
    は複数の厚さを有し、そして前記複数のウエハのいくつ
    かは前記高融点金属層の上にキャッピング層を更に含
    み、複数の第１及び第２のシリサイド化相転移温度点が
    検出され、そして前記複数の第１及び第２の温度点が前
    記温度変化を検出するために比較される、請求項１０記
    載の方法。
  18. 【請求項１８】 複数の急速熱処理システムを温度整合
    する方法であって、 高融点金属層を上に有するシリコン半導体基板を含むウ
    エハを前記複数の急速熱処理システムのそれぞれにおい
    てシリサイド化し、 前記ウエハのそれぞれのシート抵抗の均一性を測定し、
    これにより前記急速熱処理システムのそれぞれに対して
    最高のシート抵抗の均一性のシリサイド化相転移温度点
    を検出し、そして前記温度点を用いて前記急速熱処理シ
    ステムのそれぞれの温度を整合することを含む、前記方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記高融点金属層はコバルト、チタ
    ン、ニッケル、タングステン、モリブデン、タンタル、
    及び白金を含む群から選ばれる、請求項１８記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記高融点金属層は約１００オングス
    トローム〜約１０００オングストロームの厚さにスパッ
    タ堆積される、請求項１８記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記高融点金属層の上にキャッピング
    層を堆積することを更に含む、請求項１８記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記キャッピング層はチタン及び窒化
    チタンを含む群から選ばれ、また前記キャッピング層は
    約１００オングストローム〜約５００オングストローム
    の厚さにスパッタ堆積される、請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記急速熱処理システムはシリサイド
    化、低温アニーリング、及び加熱を含む群から選ばれ
    る、請求項１８記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記急速熱処理システムは約２００〜
    ８００℃の温度の低温プロセスである、請求項１８記載
    の方法。
  25. 【請求項２５】 複数の第１及び第２のウエハをシリサ
    イド化することを更に含み、ここで、前記高融点金属層
    は複数の厚さを有し、そして前記複数のウエハのいくつ
    かは前記高融点金属層の上にキャッピング層を更に含
    み、複数の第１及び第２のシリサイド化相転移温度点が
    検出され、そして前記複数の第１及び第２の温度点が前
    記温度変化を検出するために比較される、請求項１８記
    載の方法。
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