JP2003022547A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録媒体からの反射光を、簡単な構成
で回折成分を多く含む光とラジアルオフセット成分を多
く含む光とに分離し、品質のよい安定した検出信号を生
成してトラッキングの精度を向上する。 【解決手段】 光磁気によって情報信号を記録または再
生する光ピックアップ装置３０に備わる回折素子３１を
複数の領域に区分し、区分された領域に従って光磁気記
録媒体３２の案内溝による回折成分を多く含む光とラジ
アルオフセット成分を多く含む光とを分離して回折す
る。このことによって、ラジアルオフセット成分を多く
含む光を除き、回折成分を多く含む光による品質のよい
安定した検出信号を得る。この検出信号によってトラッ
キング誤差信号を構成するので、トラッキング精度を向
上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばミニディ
スクなどの光磁気記録媒体に対して、情報信号の記録ま
たは再生を行う光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報技術の進展にともない音声画像情報
および文字情報などのデータは、磁気テープなどに比較
して一段と高記録密度を有する記録媒体に記録再生され
るようになっている。高密度を有する記録媒体の１つに
光磁気記録媒体があり、光磁気記録媒体に繰返し前記デ
ータを記録再生することができる装置として光磁気ディ
スク再生装置がある。光磁気ディスク再生装置には、主
要装置である光ピックアップ装置が設けられている。光
磁気ディスク再生装置に用いられる部品である半導体デ
バイスの高集積化および微細化にともない、光ピックア
ップ装置にも小型化および軽量化が求められている。

【０００３】従来の光磁気ディスク装置に搭載される光
ピックアップ装置１は、たとえば特開平８−３２９５４
４公報に開示されている。図９は従来の光ピックアップ
装置１の構成を簡略化して示す概略断面図であり、図１
０は図９に示す従来の光ピックアップ装置１に設けられ
る光検出器２の構成を簡略化して示す平面図である。

【０００４】従来の光ピックアップ装置１は、光学モジ
ュール３と、光学モジュール３上に配置される透明基板
４と、透明基板４上に配置される断面形状が３角形のプ
リズム５ａと断面形状が３角形のプリズムを２個組合せ
て形成され断面形状が平行４辺形であるプリズム５ｂと
を接合し、断面形状が台形に形成される偏光プリズム５
とを含む構成である。

【０００５】光学モジュール３は、基板６と、半導体レ
ーザ７と、光検出器２である第１〜第３フォトダイオー
ド８，９，１０と、プリズム型検光子１１とを含む。第
１フォトダイオード８は、６個の第１〜第６分割子８
ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆに分割され、第２フ
ォトダイオード９も６個の第７〜第１２分割子９ａ，９
ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆに分割される。第３フォト
ダイオード１０は、２個の第１３および第１４分割子１
０ａ，１０ｂに分割される。プリズム型検光子１１は、
第３フォトダイオード１０上に配置され、断面形状が３
角形のプリズムと断面形状が平行４辺形のプリズムとを
接合し断面形状が台形に形成される。また前記透明基板
４には、半導体レーザ７を臨んでホログラム回折素子１
２が設けられる。

【０００６】半導体レーザ７から射出された光は、対物
レンズ１３を経て光磁気記録媒体１４に達し、光磁気記
録媒体１４によって反射される。光磁気記録媒体１４に
よる反射光は、偏光プリズム５によって一部が分離さ
れ、偏光プリズム５を通過した反射光はホログラム回折
素子１２によって回折されて第１および第２フォトダイ
オード８，９に達し、偏光プリズム５によって分離され
た反射光はプリズム型検光子１１によってさらに分離さ
れて第１３および第１４分割子１０ａ，１０ｂに達す
る。

【０００７】光検出器２では、これらの光磁気記録媒体
１４からの反射光によって、光磁気信号ＲＦと、フォー
カス誤差信号ＦＥと、トラッキング誤差信号ＴＥとを検
出する。光磁気信号ＲＦ、フォーカス誤差信号ＦＥおよ
びトラッキング誤差信号ＴＥは、前記第１〜第１４分割
子８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ，９ａ，９ｂ，
９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆ，１０ａ，１０ｂに到達する光
磁気記録媒体１４からの反射光の検出信号を参照符号に
よってそれぞれ表すと、次の式（１）〜式（３）によっ
て与えられる。 光磁気信号ＲＦ＝１０ａ−１０ｂ …（１） フォーカス誤差信号ＦＥ ＝｛（８ａ＋８ｃ＋８ｄ＋８ｆ）＋（９ｂ＋９ｅ）｝ −｛（８ｂ＋８ｅ）＋（９ａ＋９ｃ＋９ｄ＋９ｆ）｝ …（２） トラッキング誤差信号ＴＥ ＝｛（８ａ＋８ｂ＋８ｃ）＋（９ａ＋９ｂ＋９ｃ）｝ −｛（８ｄ＋８ｅ＋８ｆ）＋（９ｄ＋９ｅ＋９ｆ）｝ …（３）

【０００８】また特開平８−３２９５４４公報には、従
来のもう１つの光ピックアップ装置１５が開示されてい
る。図１１は従来のもう１つの光ピックアップ装置１５
の構成を簡略化して示す概略断面図であり、図１２は図
１１に示す従来のもう１つの光ピックアップ装置１５に
設けられる光検出器１６の構成を簡略化して示す平面図
である。

【０００９】もう１つの光ピックアップ装置１５におい
て注目すべきは、以下の点である。偏光プリズム１７
が、断面形状が３角形である第１〜第３プリズム１７
ａ，１７ｂ，１７ｃによって構成され、第２プリズム１
７ｂと第３プリズム１７ｃとの間には偏光性ホログラム
１８が設けられる。偏光性ホログラム１８の透過光であ
る零次光と、回折光であるプラス１次光およびマイナス
１次光とを受光する位置に、光検出器１６である第４〜
第６フォトダイオード１９，２０，２１が配置される。
第４フォトダイオード１９は、３つの第１５〜第１７分
割子１９ａ，１９ｂ，１９ｃに分割され、第６フォトダ
イオード２１は、第４フォトダイオード１９の分割方向
と平行に３つの分割子２１ａ，２１ｂ，２１ｃに分割さ
れる。第５フォトダイオード２０は、第４および第６フ
ォトダイオード１９，２１の分割方向と垂直に２つの第
１８および第１９分割子２０ａ，２０ｂに分割される。

【００１０】偏光性ホログラム１８は、プラスおよびマ
イナス１次回折光の焦点位置が異なるレンズ効果を有す
る。プラス１次光は、第４フォトダイオード１９が配置
される位置よりも光磁気記録媒体１４寄りの位置で焦点
を結び、マイナス１次光は、第６フォトダイオード２１
が配置される位置よりも光磁気記録媒体１４から離反す
る側の位置で焦点を結び、零次光は、第５フォトダイオ
ード２０上では焦点を結ばないように、偏光性ホログラ
ム１８が構成される。

【００１１】もう１つの光ピックアップ装置１５では、
光磁気記録媒体１４による反射光は、偏光性ホログラム
１８によって回折されて第４〜第６フォトダイオード１
９，２０，２１に達する。光検出器１６では、これらの
光磁気記録媒体１４からの反射光によって、光磁気信号
ＲＦと、フォーカス誤差信号ＦＥと、トラッキング誤差
信号ＴＥとを検出する。光磁気信号ＲＦ、フォーカス誤
差信号ＦＥおよびトラッキング誤差信号ＴＥは、前記第
１５〜第２２分割子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，２０ａ，
２０ｂ，２１ａ，２１ｂ，２１ｃに到達する光磁気記録
媒体１４からの反射光の検出信号を参照符号によってそ
れぞれ表すと、次の式（４）〜式（６）によって与えら
れる。 光磁気信号ＲＦ＝（２０ａ−２０ｂ） −｛(１９ａ＋１９ｂ＋１９ｃ)＋(２１ａ＋２１ｂ＋２１ｃ)｝…（４） フォーカス誤差信号ＦＥ＝（１９ａ＋１９ｃ＋２１ｂ） −（２１ａ＋２１ｃ＋１９ｂ） …（５） トラッキング誤差信号ＴＥ＝２０ａ−２０ｂ …（６）

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の光ピッ
クアップ装置１およびもう１つの光ピックアップ装置１
５には、以下のような問題がある。従来の光ピックアッ
プ装置１では、半導体レーザ７から射出されて光磁気記
録媒体１４に向う往路の光の一部が、ホログラム回折素
子１２によって回折されるので、光の強度低下が生じ
る。また光磁気記録媒体１４からの反射光の一部が、第
３フォトダイオード１０に向けて偏光プリズム５によっ
て分離されて光磁気信号ＲＦの検出に用いられるので、
第１および第２フォトダイオード８，９に達する反射光
は強度が低く、フォーカス誤差信号ＦＥの検出レベルが
低下する。したがって、強度の低下した反射光を有効に
受光し、フォーカス誤差信号ＦＥの検出レベルを良好に
保つために、第１および第２フォトダイオード８，９の
分割子同志によって形成される間隙をできる限り小さく
しなければならない。特に、反射光の光軸に直交する断
面の中央部分は、光の強度が高いので、第１および第２
フォトダイオード８，９の分割子同志によって形成され
る間隙を小さくして受光損失を少なくしている。

【００１３】また第１フォトダイオード８において受光
する反射光は、光磁気記録媒体１４の案内溝における回
折によって、第１〜第３分割子８ａ，８ｂ，８ｃの列と
第４〜第６分割子８ｄ，８ｅ，８ｆの列との間で強度差
が発生する。第２フォトダイオード９において受光する
反射光にも、第１フォトダイオード８と同様に強度差が
発生する。これらの光強度差すなわち差動を生成するこ
とによってトラッキング誤差信号ＴＥが検出される。し
かしながら、反射光の光軸に直交する断面の中央には、
光強度の強弱をほとんど生じることのないラジアルオフ
セット成分のみを含むＤＣ成分の部分がある。ここでラ
ジアルオフセット成分とは、対物レンズのシフトやチル
トにより、光ビームの強度分布がラジアル方向で変化す
ることによって生ずるオフセット成分のことであり、Ｄ
Ｃ成分とは零次回折光である。

【００１４】前述のように第１および第２フォトダイオ
ード８，９は、強度の低下した反射光の受光効率を高く
するために、第１および第２フォトダイオード８，９の
分割子同志の間隙が小さくなるように形成されている。
したがって、第１および第２フォトダイオード８，９
は、強度差を生じないラジアルオフセット成分を多く含
む反射光を受光して差動を生成するので、強度差が小さ
い検出信号をトラッキング誤差信号ＴＥとしてトラッキ
ングの検出をしなければならず、トラッキング精度が低
下するという問題がある。

【００１５】また従来のもう１つの光ピックアップ装置
１５では、光磁気信号ＲＦを式（４）によって求め、ト
ラッキング誤差信号ＴＥを式（６）によって求める。す
なわち光磁気信号ＲＦおよびトラッキング誤差信号ＴＥ
は、ともに第５フォトダイオード２０の第１９分割子２
０ａと第２０分割子２０ｂとによって受光する反射光の
強度差を含む。光磁気信号ＲＦは、カー回転を検出す
る。したがって、光磁気信号ＲＦの検出に用いる反射光
は効率的に受光されなければならず、また前述のように
反射光は中央部の光強度が大きいので、第５フォトダイ
オード２０の第１９分割子２０ａと第２０分割子２０ｂ
との間隙は、できる限り小さくなるように形成される。

【００１６】したがって、第５フォトダイオード２０
は、強度差を生じないラジアルオフセット成分を多く含
んだ反射光を受光して差動を生成するので、強度差が小
さい検出信号をトラッキング誤差信号ＴＥとしてトラッ
キングの検出をしなければならず、トラッキング精度が
低下するという従来の光ピックアップ装置１と同様の問
題がある。また光検出器の受光する反射光が、ラジアル
オフセット成分を含むことによって、トラッキング誤差
信号ＴＥの品質が劣化する欠点を補償するためには、ラ
ジアルオフセット補償用の処理回路を設けなければなら
ないので、装置の製造コストが高くなるという問題があ
る。

【００１７】本発明の目的は、光磁気記録媒体からの反
射光を、簡単な構成で回折成分を多く含む光とラジアル
オフセット成分を多く含む光とに分離し、品質のよい安
定した検出信号をトラッキング誤差信号ＴＥとして利用
することが可能な光ピックアップ装置を提供することで
ある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、情報信号が記
録される光磁気記録媒体と、光磁気記録媒体に向けて光
を射出する光源と、光源と光磁気記録媒体との間の光軸
上に配置され光源から射出される光を光磁気記録媒体上
に集光させる集光手段と、光源と集光手段との間に配置
され、光磁気記録媒体からの反射光を少なくとも第１お
よび第２偏光成分に分離する偏光分離手段であって、光
源から射出される光を光磁気記録媒体に導き前記反射光
を通過させる等方性光学材料の第１部材と、第１部材に
隣接し第１部材を通過した前記反射光を通過させる異方
性光学材料の第２部材とから成る偏光分離手段と、偏光
分離手段によって分離された前記反射光を検出する光検
出手段と、光検出手段と偏光分離手段との間に配置され
る光透過性基板と、光透過性基板に光検出手段を臨んで
配置され前記反射光を回折する回折素子とを備える光ピ
ックアップ装置において、回折素子は、光磁気記録媒体
の案内溝に沿う方向と直交する第１ラインによって区分
される第１および第２領域を有し、光磁気記録媒体の案
内溝に沿う方向に延び回折素子の重心を含む１直線に関
して線対称である第２および第３ラインによって第１領
域がさらに区分され、第２ラインの外方に形成される第
３領域と、第３ラインの外方に形成される第４領域と、
第２および第３ラインの内方に形成される第５領域とを
有し、第１偏光成分が第２領域を通過することによって
発生する回折光の光検出手段による検出信号に基づいて
フォーカス誤差信号を構成し、第１または第２偏光成分
のいずれか一方が、第３および第４領域を通過すること
によって発生する回折光の光検出手段による検出信号に
基づいてトラッキング誤差信号を構成することを特徴と
する光ピックアップ装置である。

【００１９】本発明に従えば、回折素子を複数の領域に
区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の案内
溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセット
成分を多く含む光とを回折するので、ラジアルオフセッ
ト成分を多く含む光を除いてトラッキング誤差信号ＴＥ
を構成することができる。このことによって、トラッキ
ング誤差信号ＴＥを品質のよい安定した検出信号によっ
て構成することが可能となり、高い精度でトラッキング
をすることができる。また前述のように回折素子の領域
を区分することによって、ラジアルオフセット成分を多
く含む光の影響を除くことができるので、ラジアルオフ
セット補償用の処理回路を設ける必要がなく装置の製造
コストを抑えることができる。

【００２０】また本発明は、前記回折素子は、第２およ
び第３ラインが前記第２領域に延在し、第２および第３
ラインによって第２領域がさらに区分され、第２ライン
の外方に形成される第６領域と、第３ラインの外方に形
成される第７領域と、第２および第３ラインの内方に形
成される第８領域とを有し、第１偏光成分が、第２領域
を通過することによって発生する回折光の光検出手段に
よる検出信号に基づいてフォーカス誤差信号を構成し、
第３および第４領域を通過することによって発生する回
折光の光検出手段による検出信号に基づいてアドレス信
号またはトラッキング誤差信号のいずれか一方を構成
し、第２偏光成分が、第３，第４，第６および第７領域
を通過することによって発生する回折光の光検出手段に
よる検出信号に基づいて、アドレス信号またはトラッキ
ング誤差信号のうち前記第１偏光成分によって構成され
る信号の残余の信号を構成することを特徴とする。

【００２１】本発明に従えば、回折素子を複数の領域に
区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の案内
溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセット
成分を多く含む光とを回折するので、ラジアルオフセッ
ト成分を多く含む光を除いてトラッキング誤差信号ＴＥ
とアドレス信号とを構成することができる。このことに
よって、トラッキング誤差信号ＴＥとアドレス信号とを
品質のよい安定した検出信号によって構成することが可
能となり、トラッキング精度とアドレス精度を高めるこ
とができる。

【００２２】また本発明は、前記回折素子は、第２およ
び第３ラインの間にあって光磁気記録媒体の案内溝に沿
う方向に延びる第４ラインによって第５領域がさらに区
分され、第２および第４ラインの内方に形成される第９
領域と、第３および第４ラインの内方に形成される第１
０領域とを有し、前記光検出手段は複数の受光部を備
え、トラッキング誤差信号を構成する第１または第２偏
光成分のいずれか一方が、第３および第１０領域を通過
することによって発生する回折光を光検出手段の１つの
受光部によって受光し、第４および第９領域を通過する
ことによって発生する回折光を光検出手段のもう１つの
受光部によって受光することを特徴とする。

【００２３】また本発明は、前記回折素子は、第２およ
び第３ラインの間にあって光磁気記録媒体の案内溝に沿
う方向に延びる第５ラインによって第８領域がさらに区
分され、第２および第５ラインの内方に形成される第１
１領域と、第３および第５ラインの内方に形成される第
１２領域とを有し、前記光検出手段は複数の受光部を備
え、トラッキング誤差信号を構成する第２偏光成分が、
第６および第１２領域を通過することによって発生する
回折光を光検出手段の１つの受光部によって受光し、第
７および第１１領域を通過することによって発生する回
折光を光検出手段のもう１つの受光部によって受光する
ことを特徴とする。

【００２４】本発明に従えば、回折素子を複数の領域に
区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の案内
溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセット
成分を多く含む光とを回折し、さらに光磁気記録媒体の
案内溝に沿う方向に延びる第４および第５ラインに関し
て、互いに反対側に位置する回折成分およびラジアルオ
フセット成分を含む光と、ラジアルオフセット成分のみ
を含む光との組合せの回折光を光検出手段の１つの受光
部ともう１つの受光部とによってそれぞれ受光する。こ
のことによって、ラジアルオフセット成分を多く含む光
が相殺されるように、回折成分およびラジアルオフセッ
ト成分を多く含む光とラジアルオフセット成分を多く含
む光との和信号を生成することができるので、トラッキ
ング誤差信号ＴＥの品質を向上、安定することが可能と
なり、高い精度でトラッキングをすることができる。

【００２５】また本発明は、前記第２および第３ライン
は、直線であって同一平面内において平行であることを
特徴とする。

【００２６】本発明に従えば、第２および第３ライン
は、直線であって同一平面内において平行である。この
ことによって、回折素子の製造に用いられる製造用マス
クの形状が簡素化されて設計および製造が容易になるの
で、装置の製造コストを低減することができる。

【００２７】また本発明は、前記第２および第３ライン
は略円弧状であって、第２ラインと第３ラインとの間隔
は、回折素子の重心から離反するにつれて大きくなるこ
とを特徴とする。

【００２８】本発明に従えば、第２および第３ラインは
略円弧状であって、第２ラインと第３ラインとの間隔
は、回折素子の重心から離反するにつれて大きくなる。
このことによって、光磁気記録媒体の反射光によって生
成されるラジアルオフセット成分を多く含む光の領域
と、回折素子上に区分されるラジアルオフセット成分を
多く含む光を回折する領域とをほぼ一致させることがで
きるので、ラジアルオフセット成分を多く含む光を効率
よく分離することができる。したがって、品質のよい安
定した検出信号によってトラッキング誤差信号ＴＥを構
成することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態であ
る光ピックアップ装置３０の構成を簡略化して示す概略
断面図であり、図２は図１に示す光ピックアップ装置３
０に備わる回折素子３１の構成を簡略化して示す平面図
である。

【００３０】光ピックアップ装置３０は、情報信号が記
録される光磁気記録媒体３２と、光磁気記録媒体３２に
向けて光を射出する光源３３と、光源３３を保持する保
持部材４１と、光源３３と光磁気記録媒体３２との間の
光軸３４上に配置され光源３３から射出される光を光磁
気記録媒体３２上に集光させる集光手段３５と、光源３
３と集光手段３５との間に配置され、光磁気記録媒体３
２からの反射光を少なくとも第１および第２偏光成分に
分離する偏光分離手段３６であって、光源３３から射出
される光を光磁気記録媒体３２に導き前記反射光を通過
させる等方性光学材料の第１部材３７と、第１部材３７
に隣接し第１部材３７を通過した前記反射光を通過させ
る異方性光学材料の第２部材３８とから成る偏光分離手
段３６と、偏光分離手段３６に接し偏光分離手段３６と
集光手段３５との間に配置される第１の１／２波長板４
２と、偏光分離手段３６によって分離された前記反射光
を検出する光検出手段３９と、光検出手段３９と偏光分
離手段３６との間に配置される光透過性基板４０と、光
透過性基板４０に光検出手段３９を臨んで配置され前記
反射光を回折する回折素子３１と、偏光分離手段３６と
光透過性基板４０との間に配置される第２の１／２波長
板４３と、保持部材４１と光検出手段３９とが固定され
るステム４４と、半導体レーザ３３、保持部材４１およ
び光検出手段３９をステム４４との間に形成する空間に
収納するキャップ４５とを含む。

【００３１】半導体レーザ３３は、たとえばガリウムア
ルミニウムヒ素から成り、コヒーレントな光を光磁気記
録媒体３２に向けて射出する。偏光分離手段３６である
ビームスプリッタは、前述のように第１および第２部材
３７，３８を含む。第１部材３７は、平行４辺形の断面
形状を有し、屈折率１．８６９を有する等方性光学材料
である光学ガラスから成る。

【００３２】第２部材３８は、台形の断面形状を有し、
後述する常光の屈折率２．２５８および異常光の屈折率
２．１７８を有する異方性光学材料であるニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ₃）から成る。本実施の形態では、第
１部材３７に光学ガラスを用い、第２部材３８にＬｉＮ
ｂＯ₃を用いているけれども、これに限定されることな
く、第１および第２部材３７，３８にその他の等方性光
学材料と異方性光学材料との組合せを用いてもよい。ビ
ームスプリッタ３６は、半導体レーザ３３から射出され
た光が第１部材３７のみを通過して集光手段３５に向け
て出射し、光磁気記録媒体３２からの反射光が第１およ
び第２部材３７，３８を通過して光検出手段３９に達す
るように構成される。

【００３３】集光手段３５は、半導体レーザ３３から射
出された光をほぼ平行にそろえるコリメートレンズ４６
と、コリメートレンズ４６よりも光磁気記録媒体３２寄
りに配置されて光を集束させる対物レンズ４７とを含
む。光磁気記録媒体３２は、薄い円板状を有し、たとえ
ばポリカーボネイト基板に光磁気の記録膜、反射膜およ
び保護膜などが被覆されている。ステム４４上に設けら
れる光検出手段３９は、たとえばフォトダイオードから
成る光磁気記録媒体３２からの反射光を検出する受光素
子であり、後述する複数の受光部に分割されている。

【００３４】回折素子３１は、光磁気記録媒体３２の案
内溝に沿う方向すなわち参照符４８にて示す図１の紙面
に垂直な方向と直交する第１ライン４９によって区分さ
れる第１および第２領域５０，５１を有する。また回折
素子３１は、光磁気記録媒体３２の案内溝に沿う方向に
延び回折素子３１の重心７０を含む１直線６８に関して
線対称である第２および第３ライン５２，５３によって
第１領域５０がさらに区分され、第２ライン５２の外方
に形成される第３領域５４と、第３ライン５３の外方に
形成される第４領域５５と、第２および第３ラインの内
方に形成される第５領域５６とを有する。回折素子３１
の前記第２〜第５領域５１，５４，５５，５６は、回折
格子の間隔と方向とがそれぞれ異なるように構成され、
光記磁気録媒体３２からの反射光の一部を回折して制御
信号を生成する。

【００３５】半導体レーザ３３から射出された光が、光
磁気記録媒体３２によって反射され回折素子３１を経て
光検出手段３９に達するまでの概略について説明する。
半導体レーザ３３から射出され矢符５７に示す方向に平
行な偏光面を有するＰ偏光は、第２の１／２波長板４３
を通過することによって偏光面が９０度回転されて参照
符５８に示す図１の紙面に垂直な方向に平行な偏光面を
有するＳ偏光に変換される。第２の１／２波長板４３を
出射したＳ偏光は、第２の１／２波長板４３とビームス
プリッタ３６の第１部材３７との界面である第１界面５
９から第１部材３７に入射する。

【００３６】第１部材３７に入射したＳ偏光は、第１部
材３７との界面である第２界面６０において反射し、さ
らに第１部材３７と第２部材３８との界面である第３界
面６１において反射して光磁気記録媒体３２に導かれ
る。第３界面６１の偏光特性は、Ｓ偏光の反射率が７０
％（Ｓ偏光の透過率が３０％）、Ｐ偏光の反射率が零％
（Ｐ偏光の透過率が１００％）に設定されている。第１
部材３７を通過する光はＳ偏光であるので、半導体レー
ザ３３から射出される光のうち７０％が第３界面６１に
おいて反射され、その後第１部材３７と第１の１／２波
長板４２との界面である第４界面６２を通過して第１の
１／２波長板４２に入射する。Ｓ偏光は、第１の１／２
波長板４２を通過することによって、偏光面が再び９０
度回転されて矢符６３に示す方向に平行な偏光面を有す
るＰ偏光となる。第１の１／２波長板４２を出射したＰ
偏光は、コリメートレンズ４６および対物レンズ４７を
通過して光磁気記録媒体３２の記録膜上に集光される。

【００３７】光磁気記録媒体３２によって反射された反
射光は、光磁気記録媒体３２の記録膜上に記録された磁
化の方向に応じて偏光面が回転する。偏光面が回転した
反射光は、対物レンズ４７およびコリメートレンズ４６
の順に通過し、さらに第１の１／２波長板４２を通過し
て第４界面６２から第１部材３７に入射する。第１部材
３７に入射した反射光は、第３界面６１において一部は
反射され残部は透過して第２部材３８に入射する。前述
のように第３界面６１の偏光特性は、Ｐ偏光の透過率の
方がＳ偏光の透過率より大きく設定されているので、反
射光が第３界面６１を通過するとき、反射光においてＰ
偏光の成分の占める比率が増加し、偏光面の見かけの回
転量が増加する。

【００３８】第２部材３８は異方性光学材料から成るの
で、反射光は第３界面６１および第２部材３８を通過す
るとき、互いに直交する第１偏光成分と第２偏光成分と
に分離される。ここでは以後、第１偏光成分を常光と呼
び、第２偏光成分を異常光と呼ぶ。このようにビームス
プリッタ３６によって偏光分離された常光と異常光と
は、第２の１／２波長板４３を通過して回折素子３１に
入射する。

【００３９】図２に示す回折素子３１の略中央部分の円
形領域６４は、回折素子３１に入射する反射光であり、
第１および第２明部６５，６６と暗部６７とが形成され
る状態を示す。第１および第２明部６５，６６は、光磁
気記録媒体３２の案内溝による回折成分を多く含む光
と、ラジアルオフセット成分を多く含む光とによって形
成される。暗部６７は、第１および第２明部６５，６６
の間に位置して形成され、ラジアルオフセット成分を含
む光のみによって形成される。回折素子３１に入射する
反射光は、偏光分離された常光と異常光とを含み、常光
と異常光とが、図２の紙面上において回折素子３１表面
の左右にわずかにずれた位置にそれぞれ入射して明部と
暗部とを生じているけれども、図２では繁雑さを避ける
ために常光によって生じる明部と暗部とのみを代表例と
して図示している。

【００４０】図３は、光検出手段３９によって回折光を
受光している状態を示す平面図である。本実施の形態で
は光検出手段３９は、６個に分割された第１〜第６受光
部７１，７２，７３，７４，７５，７６を含む。光検出
手段３９が受光する光については、回折素子３１上の回
折領域と回折光との対応付けを以下のように行った。回
折素子３１の全領域と回折素子３１上において区分され
た第２〜第５領域５１，５４，５５，５６とにおいて回
折された光には、各領域と同一の参照符号を用い、さら
に参照符号の末尾に常光にはアルファベットのａを添付
し、異常光にはアルファベットのｂを添付した。

【００４１】常光が第２領域５１を通過することによっ
て発生する回折光５１ａを、第１および第２受光素子７
１，７２によって検出し、検出信号に基づいてフォーカ
ス誤差信号ＦＥが構成される。第１および第２受光部７
１，７２は、第１受光部７１と第２受光部７２とによっ
て形成される間隙６９を含んで回折光５１ａを受光する
ので、検出信号の差動によりナイフエッジ法に基づいて
フォーカス誤差信号ＦＥを得ることができる。

【００４２】常光が第３および第４領域５４，５５を通
過することによって発生する回折光５４ａ，５５ａを、
第３および第４受光素子７３，７４によって検出し、検
出信号に基づいてトラッキング誤差信号ＴＥが構成され
る。第３受光部７３と第４受光部７４との検出信号の差
動によりプッシュプル法に基づいてトラッキング誤差信
号ＴＥを得ることができる。このとき第５領域５６によ
る回折光５６ａは、受光部の配置されていない部位に回
折されるので、光検出手段３９によって受光されない。
回折光５６ａは、暗部６７に含まれる第５領域５６によ
って回折された光であり、光磁気記録媒体３２の溝の回
折による光強度の強弱を生じず、ラジアルオフセット成
分を多く含む光から成る。トラッキング誤差信号ＴＥ
は、回折光５４ａおよび５５ａによって構成され、ラジ
アルオフセット成分を多く含む光から成る回折光５６ａ
を用いることがないので、第３および第４受光部７３，
７４による検出信号の品質を向上、安定することが可能
であり、トラッキング精度を向上することができる。ま
た回折光５６ａをトラッキング誤差信号ＴＥに用いない
ことによって、ラジアルオフセット成分の影響を除くこ
とができるので、ラジアルオフセットを補償する処理回
路を設ける必要がなく、装置の製造コストを安価に抑制
することができる。

【００４３】回折光５４ａおよび５５ａは、光磁気記録
媒体３２の案内溝による光の回折成分を多く含むので、
第３および第４受光部７３，７４による検出信号の差動
に基づいて、前記案内溝を蛇行（ウォブリング）させる
ことによって形成されているアドレス信号（以後、ウォ
ブル信号と呼ぶ）を得ることができる。また光磁気信号
ＲＦは、第５および第６受光部７５，７６によって受光
する常光の回折光３１ａと異常光の回折光３１ｂとの検
出信号の差動によって得ることができる。

【００４４】本実施の形態における光検出手段３９は、
半導体レーザ３３および保持部材４１とは別部材として
設けられるので、たとえばシリコン基板上に受光素子ま
たは受光素子とその処理回路が形成されているのみであ
る。また異常光である第２〜第５領域５１，５４，５
５，５６からの回折光５１ｂ，５４ｂ，５５ｂ，５６ｂ
を検出信号として使用していないので、前記回折光５１
ｂ，５４ｂ，５５ｂ，５６ｂを受光するための受光部を
設ける必要がない。このことによって、光検出手段３９
を小型化することが可能となり、その平面寸法はたとえ
ば縦：０．９ｍｍ、横１．０ｍｍの大きさである。

【００４５】図４は本発明の第２の実施の形態である光
ピックアップ装置に備わる回折素子８１の構成を簡略化
して示す平面図であり、図５は図４に示す回折素子８１
による回折光を光検出手段８２によって受光している状
態を示す平面図である。本実施の形態の光ピックアップ
装置に備わる回折素子８１および光検出手段８２は、実
施の第１形態の光ピックアップ装置３０に備わる回折素
子３１および光検出手段３９と類似し、対応する部分に
ついては同一の参照符号を付して説明を省略する。

【００４６】注目すべきは、第２および第３ライン５
２，５３が第２領域５１に延在して第２および第３ライ
ン５２，５３によって第２領域５１がさらに区分され、
回折素子８１が、第２ライン５２の外方に形成される第
６領域８３と、第３ライン５３の外方に形成される第７
領域８４と、第２および第３ライン５２，５３の内方に
形成される第８領域８５とを有することである。また光
検出手段８２は、１０個の受光部に分割され、第１〜第
６受光部７１，７２，７３，７４，７５，７６に加え
て、第７〜第１０受光部８７，８８，８９，９０を含
み、第７受光部８７と第９受光部８９とが短絡され、第
８受光部８８と第１０受光部９０とが短絡されることで
ある。回折素子８１上の回折領域と回折光との対応付け
は、実施の第１形態と同様の方法によって行った。

【００４７】常光が第２領域５１に含まれる第６〜第８
領域８３，８４，８５を通過することによって発生する
回折光８３ａ，８４ａ，８５ａを、第１および第２受光
部７１，７２によって検出し、検出信号に基づいてフォ
ーカス誤差信号ＦＥが構成される。第１および第２受光
部７１，７２は、第１受光部７１と第２受光部７２とに
よって形成される間隙６９を含んで回折光８３ａ，８４
ａ，８５ａを受光するので、検出信号の差動によりナイ
フエッジ法に基づいてフォーカス誤差信号ＦＥを得るこ
とができる。

【００４８】異常光が、第３および第４領域５４，５５
と、第６および第７領域８３，８４とを通過することに
よって発生する回折光５４ｂ，５５ｂ，８３ｂ，８４ｂ
を、第７〜第１０受光部８７，８８，８９，９０によっ
て検出し、検出信号に基づいてトラッキング誤差信号Ｔ
Ｅが構成される。前述のように第７受光部８７と第９受
光部８９とが短絡され、第８受光部８８と第１０受光部
９０とが短絡されているので、回折光５４ｂおよび８３
ｂの和信号と、回折光５５ｂおよび８４ｂの和信号との
差動によりプッシュプル法に基づいてトラッキング誤差
信号ＴＥを得ることができる。

【００４９】このとき第５および第８領域５６，８５に
よる回折光５６ｂ，８５ｂは、受光部の配置されていな
い部位に回折されるので、光検出手段８２によって受光
されない。回折光５６ｂ，８５ｂは、暗部６７に含まれ
る第５および第８領域５６，８５によって回折された光
であり、ラジアルオフセット成分を多く含む光から成
る。トラッキング誤差信号ＴＥは、回折光５４ｂ，５５
ｂ，８３ｂ，８４ｂによって構成され、ラジアルオフセ
ット成分を多く含む光から成る回折光５６ｂ，８５ｂを
用いることがないので、第７および第９受光部８７，８
９と、第８および第１０受光部８８，９０とによる検出
信号の品質を向上、安定することが可能であり、トラッ
キング精度を向上することができる。

【００５０】実施の第１形態と同様に常光が第３および
第４領域５４，５５を通過することによって発生する回
折光５４ａ，５５ａを、第３および第４受光部７３，７
４によって検出し、検出信号に基づいてウォブル信号が
構成される。このようにラジアルオフセット成分を多く
含む光から成る回折光５６ｂを除いてウォブル信号を構
成することが可能となり、アドレス検出精度を高めるこ
とができる。また光磁気信号ＲＦは、第５および第６受
光部７５，７６によって受光する常光の回折光３１ａと
異常光の回折光３１ｂとの出力信号の差動に基づいて得
ることができる。

【００５１】図６は本発明の第３の実施の形態である光
ピックアップ装置に備わる回折素子９１の構成を簡略化
して示す平面図であり、図７は図６に示す回折素子９１
による回折光を光検出手段９２によって受光している状
態を示す平面図である。本実施の形態の光ピックアップ
装置に備わる回折素子９１および光検出手段９２は、実
施の第２形態の光ピックアップ装置に備わる回折素子８
１および光検出手段８２と類似し、対応する部分につい
ては同一の参照符号を付して説明を省略する。

【００５２】注目すべきは、回折素子９１が、第２およ
び第３ライン５２，５３の間にあって回折素子９１の中
心を通り光磁気記録媒体３２の案内溝に沿う方向に延び
る第４および第５ライン７９，８０によって、第５およ
び第８領域５６，８５がさらに区分されることである。
第５領域５６は、第２および第４ライン５２，７９の内
方に形成される第９領域９４と、第３および第４ライン
５３，７９の内方に形成される第１０領域９５とを有
し、第８領域８５は、第２および第５ライン５２，８０
の内方に形成される第１１領域９６と、第３および第５
ライン５３，８０の内方に形成される第１２領域９７と
を有する。

【００５３】また光検出手段９２は、１０個の受光部に
分割され、第１〜第６受光部７１，７２，７３，７４，
７５，７６に加えて、第１１〜第１４受光部９８，９
９，１００，１０１を含み、第１１受光部９８と第１３
受光部１００とが短絡され、第１２受光部９９と第１４
受光部１０１とが短絡されることである。回折素子９１
上の回折領域と回折光との対応付けは、実施の第１形態
と同様の方法によって行った。

【００５４】異常光が、第３および第１０領域５４，９
５を通過することによって発生する回折光５４ｂ，９５
ｂを、第１１受光部９８で検出し、第４および第９領域
５５，９４を通過することによって発生する回折光５５
ｂ，９４ｂを、第１２受光部９９で検出する。さらに異
常光が、第６および第１２領域８３，９７を通過するこ
とによって発生する回折光８３ｂ，９７ｂを、第１３受
光部１００で検出し、第７および第１１領域８４，９６
を通過することによって発生する回折光８４ｂ，９６ｂ
を、第１４受光部１０１で検出し、検出信号に基づいて
トラッキング誤差信号ＴＥが構成される。

【００５５】前述のように第１１受光部９８と第１３受
光部１００とが短絡されて１つの受光部を構成し、第１
２受光部９９と第１４受光部１０１とが短絡されてもう
１つの受光部を構成する。したがって、１つの受光部で
ある第１１および第１３受光部９８，１００によって検
出される回折光の和信号（５４ｂ＋９５ｂ＋８３ｂ＋９
７ｂ）と、もう１つの受光部である第１２および第１４
受光部９９，１００によって検出される回折光の和信号
（５５ｂ＋９４ｂ＋８４ｂ＋９６ｂ）との差動によりプ
ッシュプル法に基づいてトラッキング誤差信号ＴＥを得
ることができる。

【００５６】トラッキング誤差信号ＴＥを構成する回折
光のうち、第３，第４，第６および第７領域５４，５
５，８３，８４による回折光５４ｂ，５５ｂ，８３ｂ，
８４ｂは、光磁気記録媒体３２の案内溝によって回折さ
れた回折成分とラジアルオフセット成分とを含む光であ
り、第９〜第１２領域９４，９５，９６，９７による回
折光９４ｂ，９５ｂ，９６ｂ，９７ｂは、ラジアルオフ
セット成分のみを含む光である。

【００５７】ＤＣ成分にラジアルオフセットが生じてい
る場合、ラジアルオフセット成分のみを含む回折光９４
ｂ，９５ｂ，９６ｂ，９７ｂは、回折素子９１の中心を
通り光磁気記録媒体３２の案内溝に沿った方向に延びる
第４および第５ライン７９，８０の一方の側と他方の側
とにおいて、光強度に差が生じる。

【００５８】第４および第５ライン７９，８０の一方の
側に位置する第１０および第１２領域９５，９７による
ラジアルオフセット成分を含む回折光９５ｂ，９７ｂ
と、第４および第５ライン７９，８０の他方の側に位置
する第３および第６領域５４，８３によるラジアルオフ
セット成分および光磁気記録媒体３２の溝による回折成
分を含む回折光５４ｂ，８３ｂとのうち、回折光５４ｂ
および９５ｂは、第１１受光部９８によって検出され、
回折光８３ｂおよび９７ｂは、第１３受光部１００によ
って検出される。第４および第５ライン７９，８０の互
いに反対側に位置する領域からの回折光を１つの受光素
子で検出することによって、ラジアルオフセット成分を
含む光がほぼ相殺されるので、検出信号にはトラッキン
グ誤差信号ＴＥの検出に有効な光磁気記録媒体３２の溝
による回折成分を含む光のみを残すことができる。また
回折光５５ｂおよび９４ｂの和信号を第１２受光部９９
によって検出し、回折光８４ｂおよび９６ｂの和信号を
第１４受光部１０１によって検出するので、ラジアルオ
フセット成分を相殺することができる。

【００５９】第１１受光部９８と第１３受光部１００と
が短絡され、第１２受光部９９と第１４受光部１０１と
が短絡されるので、第１１および第１３受光部９８，１
００の検出信号と、第１２および第１４受光部９９，１
０１の検出信号との差動によってトラッキング誤差信号
ＴＥを得ることができる。このことによって、トラッキ
ング誤差信号ＴＥの品質を向上、安定することが可能と
なり、またラジアルオフセット成分を相殺しているの
で、トラッキング精度を向上することができる。

【００６０】常光が第６，第７，第１１および第１２領
域８３，８４，９６，９７を通過することによって発生
する回折光８３ａ，８４ａ，９６ａ，９７ａを、第１お
よび第２受光部７１，７２によって検出し、検出信号に
よってフォーカス誤差信号ＦＥが構成される。第１およ
び第２受光部７１，７２は、第１受光部７１と第２受光
部７２とによって形成される間隙６９を含んで回折光８
３ａ，８４ａ，９６ａ，９７ａを受光するので、検出信
号の差動によりナイフエッジ法に基づいてフォーカス誤
差信号ＦＥを得ることができる。

【００６１】ウォブル信号および光磁気信号ＲＦは、実
施の第２形態と同様にして構成されるので説明を省略す
る。なおウォブル信号を構成する回折光５４ａ，５５ａ
の検出には、帯域フィルタが用いられるので、ラジアル
オフセット成分を含む回折光９４ａ，９５ａを第３およ
び第４受光部７３，７４によって受光する構成であって
もよい。

【００６２】以上に述べたように実施の第１〜第３形態
では、第２および第３ライン５２，５３は直線であって
同一平面内において平行である。このことによって、回
折素子の製造に用いられる製造用マスクの形状が簡素化
されて設計および製造が容易になるので、光ピックアッ
プ装置の製造コストを低減することができる。

【００６３】図８は、本発明の実施の第４の形態である
光ピックアップ装置に備わる回折素子１０２の構成を簡
略化して示す平面図である。本実施の形態の光ピックア
ップ装置に備わる回折素子１０２は、実施の第３形態の
光ピックアップ装置に備わる回折素子９１と類似し、対
応する部分については同一の参照符号を付して説明を省
略する。注目すべきは、第２および第３ライン５２，５
３は略円弧状であって、第２ライン５２と第３ライン５
３との間隔は、回折素子１０２の重心７０から離反する
につれて大きくなることである。

【００６４】第１および第２明部６５，６６が回折素子
１０２上に生じる位置は、半導体レーザ３３の波長、光
磁気記録媒体３２の案内溝のピッチおよび集光手段３５
の定数などによって異なる。図８は、第１明部６５と第
２明部６６との間隔が接近して生じている状態を示す。
図８に示すように第１および第２明部６５，６６の間隔
が接近して生じる場合には、第２および第３ライン５
２，５３が直線であると、ラジアルオフセット成分を含
む光のみの領域である暗部６７の面積に対する第９〜第
１２領域９４，９５，９６，９７の面積の比率が小さく
なるので、トラッキング誤差信号ＴＥを構成する回折光
からラジアルオフセット成分の影響を充分に除くことが
できない。

【００６５】しかしながら図８に示すように第２および
第３ライン５２，５３を、第１および第２明部６５，６
６の回折素子１０２内方側輪郭に沿った略円弧状とする
ことによって、ラジアルオフセット成分を多く含む光の
みの領域である暗部６７と、回折素子１０２上に区分さ
れるラジアルオフセット成分を多く含む光を回折する第
９〜第１２領域９４，９５，９６，９７とをほぼ一致さ
せることができるので、ラジアルオフセット成分を多く
含む光を効率よく分離し、検出信号の品質を向上、安定
してトラッキング誤差信号ＴＥを構成することができ
る。回折素子１０２によって回折された回折光の光検出
手段９２による受光は、実施の第３の形態と同一に行わ
れるので、説明を省略する。

【００６６】以上に述べたように、本発明の第１〜第４
の実施の形態では、第１，第４および第５ライン４９，
７９，８０は直線であり、第２および第３ライン５２，
５３は直線または略円弧状であるけれども、これに限定
されることなく、回折素子の領域を区分するラインの形
状および回折素子上の配置等は、光磁気記録媒体３２か
らの反射光に応じて適宜設計されるものであってもよ
い。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば、回折素子を複数の領域
に区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の案
内溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセッ
ト成分を多く含む光とを回折するので、ラジアルオフセ
ット成分を多く含む光を除いてトラッキング誤差信号Ｔ
Ｅを構成することができる。このことによって、トラッ
キング誤差信号ＴＥを品質のよい安定した検出信号によ
って構成することが可能となり、高い精度でトラッキン
グをすることができる。また前述のように回折素子の領
域を区分することによって、ラジアルオフセット成分を
多く含む光の影響を除くことができるので、ラジアルオ
フセット補償用の処理回路を設ける必要がなく装置の製
造コストを抑えることができる。

【００６８】また本発明によれば、回折素子を複数の領
域に区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の
案内溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセ
ット成分を多く含む光とを回折するので、ラジアルオフ
セット成分を多く含む光を除いてトラッキング誤差信号
ＴＥとアドレス信号とを構成することができる。このこ
とによって、トラッキング誤差信号ＴＥとアドレス信号
とを品質のよい安定した検出信号によって構成すること
が可能となり、トラッキング精度とアドレス精度を高め
ることができる。

【００６９】また本発明によれば、回折素子を複数の領
域に区分し、区分された領域に従って光磁気記録媒体の
案内溝による回折成分を多く含む光と、ラジアルオフセ
ット成分を多く含む光とを回折し、さらに光磁気記録媒
体の案内溝に沿う方向に延びる第４および第５ラインに
対して、互いに反対側に位置する回折成分およびラジア
ルオフセット成分を含む光と、ラジアルオフセット成分
のみを含む光との組合せの回折光を光検出手段の１つの
受光部ともう１つの受光部とによってそれぞれ受光す
る。このことによって、ラジアルオフセット成分を多く
含む光が相殺されるように、回折成分およびラジアルオ
フセットを含む光とラジアルオフセット成分のみを含む
光との和信号を生成することができるので、トラッキン
グ誤差信号ＴＥの品質を向上、安定することが可能とな
り、高い精度でトラッキングをすることができる。

【００７０】また本発明によれば、第２および第３ライ
ンは、直線であって同一平面内において平行である。こ
のことによって、回折素子の製造に用いられる製造用マ
スクの形状が簡素化されて設計および製造が容易になる
ので、装置の製造コストを低減することができる。

【００７１】また本発明によれば、第２および第３ライ
ンは略円弧状であって、第２ラインと第３ラインとの間
隔は、回折素子の重心から離反するにつれて大きくな
る。このことによって、光磁気記録媒体の反射光によっ
て生成されるラジアルオフセット成分を多く含む光の領
域と、回折素子上に区分されるラジアルオフセット成分
を多く含む光を回折する領域とをほぼ一致させることが
できるので、ラジアルオフセット成分を多く含む光を効
率よく分離することができる。したがって、品質のよい
安定した検出信号によってトラッキング誤差信号ＴＥを
構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態である光ピックアップ装
置３０の構成を簡略化して示す概略断面図である。

【図２】図１に示す光ピックアップ装置３０に備わる回
折素子３１の構成を簡略化して示す平面図である。

【図３】光検出手段３９によって反射光を受光している
状態を示す平面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態である光ピックアッ
プ装置に備わる回折素子８１の構成を簡略化して示す平
面図である。

【図５】図４に示す回折素子８１による回折光を光検出
手段８２によって受光している状態を示す平面図であ
る。

【図６】本発明の第３の実施の形態である光ピックアッ
プ装置に備わる回折素子９１の構成を簡略化して示す平
面図である。

【図７】図６に示す回折素子９１による回折光を光検出
手段９２によって受光している状態を示す平面図であ
る。

【図８】本発明の実施の第４の形態である光ピックアッ
プ装置に備わる回折素子１０２の構成を簡略化して示す
平面図である。

【図９】従来の光ピックアップ装置１の構成を簡略化し
て示す概略断面図である。

【図１０】図９に示す従来の光ピックアップ装置１に設
けられる光検出器２の構成を簡略化して示す平面図であ
る。

【図１１】従来のもう１つの光ピックアップ装置１５の
構成を簡略化して示す概略断面図である。

【図１２】図１１に示す従来のもう１つ光ピックアップ
装置１５に設けられる光検出器１６の構成を簡略化して
示す平面図である。

【符号の説明】

３０ 光ピックアップ装置 ３１，８１，９１，１０２ 回折素子 ３２ 光磁気記録媒体 ３３ 光源 ３５ 集光手段 ３６ 偏光分離手段 ３９ 光検出手段 ４０ 光透過性基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５６Ａ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報信号が記録される光磁気記録媒体
   と、 光磁気記録媒体に向けて光を射出する光源と、 光源と光磁気記録媒体との間の光軸上に配置され光源か
   ら射出される光を光磁気記録媒体上に集光させる集光手
   段と、 光源と集光手段との間に配置され、光磁気記録媒体から
   の反射光を少なくとも第１および第２偏光成分に分離す
   る偏光分離手段であって、光源から射出される光を光磁
   気記録媒体に導き前記反射光を通過させる等方性光学材
   料の第１部材と、第１部材に隣接し第１部材を通過した
   前記反射光を通過させる異方性光学材料の第２部材とか
   ら成る偏光分離手段と、 偏光分離手段によって分離された前記反射光を検出する
   光検出手段と、 光検出手段と偏光分離手段との間に配置される光透過性
   基板と、 光透過性基板に光検出手段を臨んで配置され前記反射光
   を回折する回折素子とを備える光ピックアップ装置にお
   いて、 回折素子は、 光磁気記録媒体の案内溝に沿う方向と直交する第１ライ
   ンによって区分される第１および第２領域を有し、 光磁気記録媒体の案内溝に沿う方向に延び回折素子の重
   心を含む１直線に関して線対称である第２および第３ラ
   インによって第１領域がさらに区分され、第２ラインの
   外方に形成される第３領域と、第３ラインの外方に形成
   される第４領域と、第２および第３ラインの内方に形成
   される第５領域とを有し、 第１偏光成分が第２領域を通過することによって発生す
   る回折光の光検出手段による検出信号に基づいてフォー
   カス誤差信号を構成し、 第１または第２偏光成分のいずれか一方が、第３および
   第４領域を通過することによって発生する回折光の光検
   出手段による検出信号に基づいてトラッキング誤差信号
   を構成することを特徴とする光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 前記回折素子は、 第２および第３ラインが前記第２領域に延在し、第２お
   よび第３ラインによって第２領域がさらに区分され、第
   ２ラインの外方に形成される第６領域と、第３ラインの
   外方に形成される第７領域と、第２および第３ラインの
   内方に形成される第８領域とを有し、 第１偏光成分が、 第２領域を通過することによって発生する回折光の光検
   出手段による検出信号に基づいてフォーカス誤差信号を
   構成し、第３および第４領域を通過することによって発
   生する回折光の光検出手段による検出信号に基づいてア
   ドレス信号またはトラッキング誤差信号のいずれか一方
   を構成し、 第２偏光成分が、 第３，第４，第６および第７領域を通過することによっ
   て発生する回折光の光検出手段による検出信号に基づい
   て、アドレス信号またはトラッキング誤差信号のうち前
   記第１偏光成分によって構成される信号の残余の信号を
   構成することを特徴とする請求項１記載の光ピックアッ
   プ装置。
3. 【請求項３】 前記回折素子は、 第２および第３ラインの間にあって光磁気記録媒体の案
   内溝に沿う方向に延びる第４ラインによって第５領域が
   さらに区分され、第２および第４ラインの内方に形成さ
   れる第９領域と、第３および第４ラインの内方に形成さ
   れる第１０領域とを有し、 前記光検出手段は複数の受光部を備え、 トラッキング誤差信号を構成する第１または第２偏光成
   分のいずれか一方が、 第３および第１０領域を通過することによって発生する
   回折光を光検出手段の１つの受光部によって受光し、第
   ４および第９領域を通過することによって発生する回折
   光を光検出手段のもう１つの受光部によって受光するこ
   とを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 前記回折素子は、 第２および第３ラインの間にあって光磁気記録媒体の案
   内溝に沿う方向に延びる第５ラインによって第８領域が
   さらに区分され、第２および第５ラインの内方に形成さ
   れる第１１領域と、第３および第５ラインの内方に形成
   される第１２領域とを有し、 前記光検出手段は複数の受光部を備え、 トラッキング誤差信号を構成する第２偏光成分が、 第６および第１２領域を通過することによって発生する
   回折光を光検出手段の１つの受光部によって受光し、第
   ７および第１１領域を通過することによって発生する回
   折光を光検出手段のもう１つの受光部によって受光する
   ことを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 前記第２および第３ラインは、 直線であって同一平面内において平行であることを特徴
   とする請求項１〜４のいずれかに記載の光ピックアップ
   装置。
6. 【請求項６】 前記第２および第３ラインは、 略円弧状であって、第２ラインと第３ラインとの間隔
   は、回折素子の重心から離反するにつれて大きくなるこ
   とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光ピッ
   クアップ装置。